DE10356668B4 - Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur - Google Patents
Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur Download PDFInfo
- Publication number
- DE10356668B4 DE10356668B4 DE10356668A DE10356668A DE10356668B4 DE 10356668 B4 DE10356668 B4 DE 10356668B4 DE 10356668 A DE10356668 A DE 10356668A DE 10356668 A DE10356668 A DE 10356668A DE 10356668 B4 DE10356668 B4 DE 10356668B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mask layer
- silicon
- layer
- spin
- hard mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Aufbringen einer Hartmaskenschicht (5) auf das Halbleitersubstrat (1); Aufbringen einer siliziumhaltigen Spin-On-Maskenschicht (13) auf der Hartmaskenschicht (5); Aufbringen einer Photolack-Maskenschicht (11) auf der Spin-On-Maskenschicht (13); photolithographisches Strukturieren der Photolack-Maskenschicht (11); Übertragen der Strukturierung der Photolack-Maskenschicht (11) auf die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (13) mittels eines ersten Ätzverfahrens und Übertragen der Strukturierung der Spin-On-Maskenschicht (13) auf die Hartmaskenschicht (5) mittels eines zweiten Ätzverfahrens.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, wie aus der US 2002/0182880 A1 bekannt.
- Ein derartiges Verfahren ist ebenfalls aus der
US 6,184,142 B1 , derUS 6, 503, 692 B2 und der 5,910,453 bekannt. - Die
US 6,103,456 offenbart ein Verfahren aus der Halbleiterherstellung unter Verwendung eines Photolacks auf einer dielektrischen Spin-On-Antireflexionsbeschichtung, bei dem eine Photolackvergiftung verhindert wird. - Die
JP 11150115 A - Obwohl prinzipiell auf beliebige integrierte Schaltungen anwendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrundeliegende Problematik in bezug auf integrierte Schaltungen in Silizium-Technologie erläutert.
- Die Strukturierung von Halbleiter-Bauelementen erfolgt im wesentlichen durch Kombination von optischen Belichtungsprozessen und Trockenätz-Verfahren. Infolge von immer kleiner werdenden Strukturen wird die Lackmaske immer dünner (gleichbleibendes Aspektverhältnis) und reicht nicht mehr als alleinige Maske für das Trockenätzen aus. Die Einführung von Hartmasken, beispielsweise von Kohlenstoff-Hartmasken, war die Folge.
- In
2a bezeichnet Bezugszeichen1 ein Silizium-Halbleitersubstrat, auf dem eine Kohlenstoff-Hartmaskenschicht5 , eine SiON-Maskenschicht7 , eine organische Zwischenschicht (z. B. BARC-Schicht)9 und eine strukturierte Photolack-Maskenschicht11 vorgesehen sind. Die strukturierte Photolack-Maskenschicht11 weist Öffnungen O auf, die einen Öffnungsdurchmesser d1 haben. - Die organische Zwischenschicht
9 , z. B. ein organischer BARC von mehr als 40 nm Dicke, zwischen der SiON-Maskenschicht7 und der Photolack-Maskenschicht11 musste eingeführt werden, um eine chemische und lithographische Wechselwirkung zwischen der SiON-Maskenschicht7 und der Photolack-Maskenschicht11 zu verhindern. Dies hat zum Nachteil geführt, dass es aufgrund der Notwendigkeit der Öffnung der zusätzlichen organi schen Zwischenschicht9 beim Plasma-Ätzen zu einer Erosion der strukturierten Photolack-Maskenschicht11 kommt. Dies wiederum führt zu einem kleineren Lack-Budget und Budget der kritischen Dimension sowie einer Erhöhung der Linienrand-Rauhigkeit (LER). - Bei dem typischen Prozessverlauf zur Herstellung einer Hartmaske gemäß
2a ,2b wird also zunächst die Struktur der Photolack-Maskenschicht11 in die organische Zwischenschicht7 und die SiON-Schicht übertragen, dann die Photolack-Maskenschicht11 entfernt und dann die Struktur mittels eines weiteren Plasma-Ätzprozesses weiter übertragen in die Kohlenstoff-Hartmaskenschicht5 . -
2b zeigt dabei den Prozesszustand nach Entfernen der Si-ON-Maskenschicht7 und der organischen Zwischenschicht9 . Danach wird das Substrat1 mit Hilfe der strukturierten Kohlenstoff-Hartmaskenschicht5 geätzt. - Auffällig ist, dass sich die Öffnungen O zu verbreiterten Öffnungen O' mit vergrößertem Öffnungsdurchmesser d2 verändert haben. Mit anderen Worten ist bei diesem üblichen Verfahren keine dimensionsgenaue Übertragung der Struktur in die Kohlenstoff-Hartmaskenschicht
5 möglich. - Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur zu schaffen, das weniger aufwendig und problematisch ist.
- Erfindungsgemäß wird dieses Problem durch das in Anspruch 1 angegebene Herstellungsverfahren gelöst.
- Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin, die SiON-Maskenschicht und die organische Zwischenschicht durch eine einzige entsprechende Schicht mit geeigneten Eigenschaften zu ersetzen. Erfindungsgemäß ist diese einzige Schicht eine siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht, die genau wie eine Photolack-Maskenschicht auf die Struktur aufgeschleudert wird.
- Durch die erfindungsgemäße Vorgehensweise lassen sich Abscheidungsprozesse einsparen, nämlich das Aufbringen des SiON sowie das Aufbringen der organischen Zwischenschicht.
- Das siliziumhaltige Spin-On-Material ist lithographisch verträglich mit Photolack und Kohlenstoff, und eine Anpassung an die lithographische Funktionstüchtigkeit des Photolacks ist möglich. Es tritt kein Scumming auf, eine gute Adhäsion wird erreicht, und auch Standing-Wave-Probleme lassen sich vermeiden. Die vollständige Einsparung der organischen Zwischenschicht bedeutet Einsparung von Material und Zeitaufwand. Die Trockenätzung kann kürzer gestaltet werden, da die organische Zwischenschicht nicht mehr durchbrochen werden muss, was zu einer geringeren Lackerosion der Photolack-Maskenschicht führt. Damit verbunden sind bessere Kontrolle der kritischen Dimension, die Erzielbarkeit kleinerer Aspektverhältnisse, eine geringere Linienrand-Rauhigkeit und eine geringere Variation der kritischen Dimension.
- Durch den Einsatz der siliziumhaltigen Spin-On-Maskenschicht können verschiedene Hartmaskenkonzepte bei geringerer Komplexität, geringerer Lackdicke und besserer Performance realisiert werden, um künftige Shrinks zu verwirklichen.
- Erfindungsgemäss ist die Hartmaskenschicht eine Kohlenstoff-Hartmaskenschicht.
- In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des Gegenstandes der Erfindung.
- Gemäss einer bevorzugten Weiterbildung wird die strukturierte Photolack-Maskenschicht nach dem Übertragen der Strukturierung auf die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht entfernt.
- Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht nach dem Übertragen der Strukturierung auf die Hartmaskenschicht entfernt.
- Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht eine Spin-On-Glasschicht.
- Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht eine siliziumhaltige organische Schicht.
- Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die siliziumhaltige organische Schicht einen Siliziumanteil von 5 bis 15% Silizium, vorzugsweise 10% Silizium auf.
- Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht nach dem Aufbringen bei einer Temperatur von höchstens 300°C getempert.
- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
-
1a , b zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur als Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und -
2 zeigt Probleme, welche bei einem üblichen Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur auftreten. - In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.
- In
1a ist wie in2a eine Kohlenstoff-Hartmaskenschicht5 auf einem Silizium-Halbleitersubstrat aufgebracht. Im Gegensatz zur2a befindet sich jedoch unmittelbar oberhalb der Kohlenstoff-Hartmaskenschicht5 eine siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht13 in Form einer Spin-On-Glasmaskenschicht. Die Spin-On-Glasmaskenschicht wird wie ein Photolack auf die Struktur aufgeschleudert und anschließend in einem Temperschritt bei Temperaturen von typischerweise weniger als 300°C ausgehärtet, wobei das enthaltene organische Lösungsmittel nahezu vollständig verdampft wird. - Im Anschluss daran wird die Photolack-Maskenschicht
11 aufgetragen und strukturiert. - Um von dem Prozesszustand gemäß
1a zum Prozesszustand gemäß1b zu gelangen, wird zunächst die Struktur der Photolack-Maskenschicht11 in die Spin-On-Glasmaskenschicht13 mittels eines ersten Plasma-Ätzverfahrens übertragen. Danach wird die Photolack-Maskenschicht11 entfernt. Als nächstes erfolgt ein zweiter Ätzschritt, der bei diesem Beispiel ebenfalls ein Trockenätzschritt ist, um die Struktur weiter in die Kohlenstoff-Hartmaskenschicht5 zu übertragen. Schließlich wird die Spin-On-Glasmaskenschicht13 entfernt, was zum Prozesszustand gemäß1b führt. - Im Gegensatz zum bekannten Beispiel gemäß
2b ist das Verfahren zur Herstellung einer Hartmaskenschicht gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung dimensions- bzw. strukturtreu. Mit anderen Worten entsprechen die Öffnungen O in der Kohlenstoff-Hartmaskenschicht5 den Öffnungen O in der Photolack-Maskenschicht11 , d. h. sie weisen denselben Öffnungsdurchmesser d1 auf. - Obwohl bei dem beschriebenen Beispiel die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht eine Spin-On-Glasmaskenschicht war, eignen sich dafür auch siliziumhaltige organische Maskenschichten, welche einen Silizium-Gehalt zwischen typischer weise 5% und 15% aufweisen und bei denen nach dem thermischen Aushärten organische Bestandteile in der Schicht zurückbleiben.
- Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.
- Insbesondere ist die Erfindung prinzipiell für beliebige Halbleiterstrukturen anwendbar.
-
- 1
- Halbleitersubstrat
- 5
- Kohlenstoff-Hartmaskenschicht
- 7
- SiON-Maskenschicht
- 9
- organische Zwischenschicht
- 11
- Photolackmaskenschicht
- 13
- siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht
- O, O'
- Maskenöffnung
- d1, d2
- Öffnungsdurchmesser
Claims (7)
- Herstellungsverfahren für eine für eine Hartmaske auf Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (
1 ); Aufbringen einer Hartmaskenschicht (5 ) auf das Halbleitersubstrat (1 ); Aufbringen einer siliziumhaltigen Spin-On-Maskenschicht (13 ) auf der Hartmaskenschicht (5 ); Aufbringen einer Photolack-Maskenschicht (11 ) auf der Spin-On-Maskenschicht (13 ); photolithograpisches Strukturieren der Photolack-Maskenschicht (11 ); Übertragen der Strukturierung der Photolack-Maskenschicht (11 ) auf die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (13 ) mittels eines ersten Ätzverfahrens; und Übertragen der Strukturierung der Spin-On-Maskenschicht (13 ) auf die Hartmaskenschicht (5 ) mittels eines zweiten Ätzverfahrens; dadurch gekennzeichnet, dass die Hartmaskenschicht (5 ) eine Kohlenstoff-Hartmaskenschicht ist. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Photolack-Maskenschicht (
11 ) nach dem Übertragen der Strukturierung auf die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (13 ) entfernt wird. - Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (
13 ) nach dem Übertragen der Strukturierung auf die Hartmaskenschicht (5 ) entfernt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (
13 ) eine Spin-On-Glasschicht ist. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (
13 ) eine siliziumhaltige organische Schicht ist. - Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige organische Schicht einen Siliziumanteil von 5 bis 15% Silizium, vorzugsweise 10% Silizium aufweist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (
13 ) nach dem Aufbringen bei einer Temperatur von höchstens 300°C getempert wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10356668A DE10356668B4 (de) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur |
US10/988,346 US20050124162A1 (en) | 2003-12-04 | 2004-11-12 | Fabrication method for a hard mask on a semiconductor structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10356668A DE10356668B4 (de) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10356668A1 DE10356668A1 (de) | 2005-06-30 |
DE10356668B4 true DE10356668B4 (de) | 2005-11-03 |
Family
ID=34625544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10356668A Expired - Fee Related DE10356668B4 (de) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050124162A1 (de) |
DE (1) | DE10356668B4 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7662718B2 (en) * | 2006-03-09 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Trim process for critical dimension control for integrated circuits |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5910453A (en) * | 1996-01-16 | 1999-06-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Deep UV anti-reflection coating etch |
US6103456A (en) * | 1998-07-22 | 2000-08-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Prevention of photoresist poisoning from dielectric antireflective coating in semiconductor fabrication |
US6184142B1 (en) * | 1999-04-26 | 2001-02-06 | United Microelectronics Corp. | Process for low k organic dielectric film etch |
US20020182880A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-12-05 | Zhu Helen H. | Method of plasma etching silicon nitride |
US6503692B2 (en) * | 2000-06-23 | 2003-01-07 | International Business Machines Corporation | Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY132894A (en) * | 1997-08-25 | 2007-10-31 | Ibm | Layered resist system using tunable amorphous carbon film as a bottom layer and methods of fabrication thereof |
US6890448B2 (en) * | 1999-06-11 | 2005-05-10 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective hard mask compositions |
JP2002194547A (ja) * | 2000-06-08 | 2002-07-10 | Applied Materials Inc | アモルファスカーボン層の堆積方法 |
US7226853B2 (en) * | 2001-12-26 | 2007-06-05 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a dual damascene structure utilizing a three layer hard mask structure |
US6806203B2 (en) * | 2002-03-18 | 2004-10-19 | Applied Materials Inc. | Method of forming a dual damascene structure using an amorphous silicon hard mask |
US6815317B2 (en) * | 2002-06-05 | 2004-11-09 | International Business Machines Corporation | Method to perform deep implants without scattering to adjacent areas |
US6853043B2 (en) * | 2002-11-04 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-free antireflective coating for use with photolithographic patterning |
US7638440B2 (en) * | 2004-03-12 | 2009-12-29 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing an amorphous carbon film for etch hardmask application |
US7175944B2 (en) * | 2004-08-31 | 2007-02-13 | Micron Technology, Inc. | Prevention of photoresist scumming |
-
2003
- 2003-12-04 DE DE10356668A patent/DE10356668B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-11-12 US US10/988,346 patent/US20050124162A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5910453A (en) * | 1996-01-16 | 1999-06-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Deep UV anti-reflection coating etch |
US6103456A (en) * | 1998-07-22 | 2000-08-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Prevention of photoresist poisoning from dielectric antireflective coating in semiconductor fabrication |
US6184142B1 (en) * | 1999-04-26 | 2001-02-06 | United Microelectronics Corp. | Process for low k organic dielectric film etch |
US6503692B2 (en) * | 2000-06-23 | 2003-01-07 | International Business Machines Corporation | Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer |
US20020182880A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-12-05 | Zhu Helen H. | Method of plasma etching silicon nitride |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP 11 150 115 A (Patent Abstracts of Japan) |
JP 11150115 A (Patent Abstracts of Japan) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050124162A1 (en) | 2005-06-09 |
DE10356668A1 (de) | 2005-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2754396C2 (de) | ||
EP0570609B1 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer mehrstufigen Struktur in einem Substrat | |
EP0012859B1 (de) | Verfahren zum Aufbringen eines Dünnfilmmusters auf ein Substrat | |
EP1444724B1 (de) | Photolithographisches strukturierungsverfahren mit einer durch ein plasmaverfahren abgeschiedenen kohlenstoff-hartmaskenschicht mit diamantartiger härte | |
DE2460988C2 (de) | Verfahren zum Niederschlagen eines Musters aus einem dünnen Film auf einem anorganischen Substrat | |
EP0002795B1 (de) | Verfahren zum Erzeugen von Masken für lithographische Prozesse unter Verwendung von Photolack | |
DE4414808B4 (de) | Verwendung einer Antireflexbeschichtungszusammensetzung und Herstellungsverfahren für eine Antireflexschicht und ein Halbleiterbauelement | |
DE3203898C2 (de) | ||
DE2953117A1 (en) | Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns | |
DE102009046242B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Kontaktdurchführungen mit unterschiedlicher Größe durch Aufteilen des Kontaktlochstrukturierungsprozesses | |
DE2624832A1 (de) | Verfahren zum herstellen von lackmustern | |
DE4231312A1 (de) | Antireflexschicht und Verfahren zur lithografischen Strukturierung einer Schicht | |
DE69834686T2 (de) | Metallisierung in Halbleitervorrichtungen | |
DE4215210C2 (de) | Herstellungsverfahren für eine Phasenverschiebungsmaske | |
DE10219122B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Hartmasken | |
DE4232821C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines feinstrukturierten Halbleiterbauelements | |
DE10356668B4 (de) | Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur | |
DE4442648A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE10349764B4 (de) | Hartmaske zur Strukturierung einer Schicht und Verfahren zur Generierung einer Hartmaske für die Strukturierung einer Schicht | |
DE19508749A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske | |
DE10339992B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Strukturelements kritischer Abmessung bzw. einer Gateelektrode eines Feldeffekttransistors sowie Ätzsteuerung | |
DE19751086A1 (de) | Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung mit einer Mehrschichtverbindungsstruktur | |
DE10146476A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem Passivierungsfilm und einem Pufferüberzugsfilm | |
EP1446829B1 (de) | Photolithographisches verfahren zum ausbilden einer struktur in einem halbleitersubstrat | |
DE2425379A1 (de) | Molybdaen-aetzmittel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ON | Later submitted papers | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |