KR100993037B1 - 가스 분배 샤워헤드 - Google Patents
가스 분배 샤워헤드 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100993037B1 KR100993037B1 KR1020047011422A KR20047011422A KR100993037B1 KR 100993037 B1 KR100993037 B1 KR 100993037B1 KR 1020047011422 A KR1020047011422 A KR 1020047011422A KR 20047011422 A KR20047011422 A KR 20047011422A KR 100993037 B1 KR100993037 B1 KR 100993037B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- faceplate
- delete delete
- showerhead
- semiconductor wafer
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
반도체 제조 처리에서 이용되는 가스 분배 샤워헤드는 연장된 슬롯 또는 채널 형태의 가스 출구부(318b)를 갖는 면판을 특징으로 한다. 본 발명의 실시예에 따른 연장된 가스 출구부의 이용은 샤워헤드가 웨이퍼로부터 가깝게 이격된 경우 증착된 재료의 원치 않는 얼룩 및 줄무늬의 발생을 실질적으로 감소시킨다. 가까운 면판 대 웨이퍼 간격에서 증착된 재료의 에지 두께를 감소시키기 위해 경사진 프로파일을 갖는 면판을 특징으로 하는 샤워헤드가 또한 개시된다.
Description
본 발명에 따른 실시예들은 일반적으로 반도체 소자의 제조에 이용되는 방법 및 장치에 관한 것이며, 보다 구체적으로 고온 증착 처리에 사용되는 가스 분배 샤워헤드에 관한 것이다.
고온 화학 기상 증착(CVD) 처리는 반도체 산업에서 광범위하게 사용되고 있다. 도 1a는 고온 화학 기상 증착을 수행하는 종래의 장치의 개략적인 횡단면도이다. 설명을 위해, 도 1a, 및 본 출원의 다른 도면은 실제 크기대로 도시되지 않는다.
장치(100)는 증착 챔버(105) 내에 수용된 웨이퍼 지지 구조물(104)을 포함한다. 웨이퍼(102)는 기판 처리 중에 지지 구조물(104) 상에 장착될 수도 있다.
가스 분배 샤워헤드(106)는 웨이퍼(102) 위에 위치되고 웨이퍼(102)로부터 갭 Y만큼 떨어져 있다. 특정 용도에서의 갭 Y의 크기는 샤워헤드(106)에 대한 웨이퍼 지지 구조물(104)의 크기를 조절함으로써 제어될 수도 있다. 예를 들어, 도핑되지 않은 실리케이트 유리(USG) 재료의 종래의 증착 중에, 갭 Y는 약 300밀(mils) 이상일 수도 있다.
가스 분배 샤워헤드(106)는 틈새(aperture)(112)를 구비한 블로커판(110)과 유체 소통하는 처리 가스 유입구(108)를 포함한다. 가스 분배 면판(114)은 블로커판(110) 아래에 위치된다. 면판(114)은 블로커판(110)으로부터 처리 가스의 흐름을 수용하고 이 가스를 홀(116)을 통해 웨이퍼(102)로 유동시킨다. 증착된 재료의 층(118)은 처리 가스 유동의 결과로서 웨이퍼(102) 상에 형성된다.
도 1b는 도 1a의 종래의 가스 분배 면판(114)의 바닥 투시도이다. 면판(114)의 홀(116)은 면판의 표면에 걸쳐 분포된다. 도 1b는 면판 상에 있는 홀(116)의 단지 예시적인 하나의 분포를 도시하며, 면판 상에서 다양한 홀 배열이 가능하다.
도 1a를 다시 참조하면, 블로커판(110)의 역할은 유입하는 처리 가스 스트림(120)을 면판(114)의 입구측(114a)으로 대략적으로 균일하게 분포시키는 것이다. 이어서, 면판(114)은 가스 스트림을 분포시켜 웨이퍼(102)에 노출되는 균일하고, 미세하게 분포된 유동을 발생시킨다. 이러한 미세하게 분포된 처리 가스의 유동에 노출된 결과로서, 증착 재료의 고품질 층(118)이 웨이퍼(102) 상에 형성된다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 종래의 고온 증착 장치는 반도체 웨이퍼의 표면 상에 구조물을 형성시키는데 효과적이다. 고온 CVD에 의해 형성된 일 형태의 구조물은 쉘로우 트렌치 분리(STI, shallow trench isolation)이다. 도 2는 활성 트랜지스터와 같은 반도체 구조물(202)을 지지하는 웨이퍼(200)의 확대된 횡단면도이다. 인접한 활성 반도체 소자(202)는 도핑되지 않은 실리케이트 유리(USG)와 같은 유전체 재료로 채워진 트렌치를 포함하는 STI 구조물(204)에 의해 서로 전기적으로 분 리된다.
STI 구조물은 트렌치를 형성하기 위해 웨이퍼의 노출된 영역을 마스킹 및 에칭함으로써 형성된다. 마스크는 그 후 제거되고 USG가 트렌치 내부를 포함하여, 고온 처리를 이용하여 웨이퍼 상에 증착된다. USG 증착된 트렌치의 외부는 후속적으로 에칭 또는 화학 기계적 연마(CMP)에 의해 제거되어 최종 STI 구조물을 나타낼 수도 있다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 종래의 장치는 STI 및 다른 응용에 있어서, 고온에서 USG와 같은 재료를 증착시키는데 성공적으로 이용되어 왔다. 그러나 고온 증착 장치의 설계는 개선되는 것이 필요하다. 예를 들어, 샤워헤드를 웨이퍼에 보다 가깝게 이격시킴으로써 보다 신속한 증착 속도가 달성될 수도 있음이 공지되어 있다. 보다 신속한 증착 속도는 증착 장치의 처리량을 향상시킴으로써, 작업자가 장치를 구입하고 유지시키는 비용을 보다 신속하게 보상할 수 있게 한다.
그러나 샤워헤드에 대해 보다 가까운 웨이퍼의 간격은 웨이퍼 상에서 얼룩(spotting) 또는 줄무늬(streaking)로서 관찰되는 불균일한 형상을 나타내는 증착된 재료를 야기할 수 있다. 이러한 근접한 웨이퍼 대 샤워헤드 간격에서 증착된 재료의 형상은 면판 상의 홀의 위치를 반영할 수도 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 재료 증착의 결과를 도시하는 사진이다. 도 3a는 면판 대 웨이퍼의 간격이 75밀인 종래의 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이다. 도 3a의 웨이퍼는 상당한 얼룩과 줄무늬를 나타낸다.
도 3b는 면판 대 웨이퍼의 간격이 50밀인 종래의 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이다. 도 3b의 웨이퍼는 도 3a의 웨이퍼보다 현저한 얼룩과 줄무늬를 나타낸다.
따라서, 기판의 표면에 근접해서 처리 가스의 도포를 허용하는 방법 및 구조물이 필요하다.
반도체 제조 분야용 가스 분배 샤워헤드는 분리된 홀 보다는 연장된 슬롯 또는 채널 형태의 가스 출구 포트를 갖는 면판을 포함한다. 본 발명의 실시예에 따른 연장된 가스 출구 포트의 이용은 실질적으로 샤워헤드가 웨이퍼로부터 가깝게 이격된 경우에도 증착된 재료의 바람직하지 않은 얼룩 및 줄무늬의 발생을 감소시킨다. 증착된 재료의 에지 두께를 감소시키기 위해 경사진 프로파일을 갖는 샤워헤드가 또한 개시된다.
반도체 웨이퍼 상에 재료를 형성하는 장치의 실시예는 벽체에 의해 한정된 처리 챔버, 처리 가스 공급원, 및 처리 챔버 내에 위치되고 반도체 웨이퍼를 수용하도록 구성된 웨이퍼 지지체를 포함한다. 가스 분배 샤워헤드는 웨이퍼 지지체로부터 분리되어 위에 놓이고, 가스 분배 샤워헤드는 면판의 출구부의 연장된 슬롯과 유체 소통하는 홀을 포함하는 유입구를 구비한 면판을 포함하며, 연장된 슬롯의 길이는 면판 두께의 적어도 2배이다.
본 발명에 따른 가스 분배 면판의 실시예는 소정 두께를 갖는 면판 바디를 포함한다. 면판의 유입부는 처리 가스의 유동을 수용하도록 구성되며, 유입구는 소정 폭을 갖는 틈새를 포함한다. 면판의 출구부는 처리 가스 유동을 반도체 웨이퍼로 이송시키도록 구성되고, 출구부는 틈새와 유체 소통하는 연장된 슬롯을 포함하며, 연장된 슬롯은 면판 바디 두께의 적어도 두 배를 갖는다.
반도체 웨이퍼 상에 재료를 형성하는 장치는 벽체에 의해 한정된 처리 챔버, 처리 가스 공급원, 및 처리 챔버 내에 위치되고 반도체 웨이퍼를 수용하도록 구성된 웨이퍼 지지체를 포함한다. 가스 분배 샤워헤드는 웨이퍼 지지체를 덮고 웨이퍼 지지체에 근접한 경사진 면판을 포함하며, 경사진 면판의 에지가 면판의 중심 두께에 비해 감소된 두께를 가져, 웨이퍼 지지체와 접촉하고 있는 웨이퍼 상에 증착된 재료가 균일한 중심 대 에지 두께를 나타낸다.
반도체 제조 처리 중에 가스를 분배하는 방법은 가스를 가스 공급원으로부터 소정 폭을 갖는 홀을 특징으로 하는 가스 분배 면판의 유입부로 유동시키는 단계, 및 가스를 홀로부터 가스 분배 면판의 출구부의 연장된 슬롯을 통해 반도체 웨이퍼의 표면으로 유동시키는 단계를 포함하며, 연장된 슬롯은 가스 분배 면판 두께의 적어도 두 배의 길이를 갖는다.
본 발명의 이러한 실시예 및 다른 실시예뿐만 아니라, 그 특징 및 소정의 잠재적인 장점이 이후의 설명 및 첨부 도면을 참조하여 보다 자세히 설명된다.
도 1a는 종래의 고온 증착 시스템의 단순 횡단면도이며,
도 1b는 도 1a의 시스템의 종래의 가스 분배 샤워헤드의 면판의 바닥 투시도이며,
도 2는 종래의 쉘로우 트렌치 분리 구조의 횡단면도이며,
도 3a는 면판 대 웨이퍼 간격이 75밀인 종래의 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이며,
도 3b는 면판 대 웨이퍼 간격이 50밀인 종래의 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이며,
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 증착 시스템의 단순 횡단면도이며,
도 4b는 본 발명에 따른 가스 분배 샤워헤드용 면판의 일 실시예의 평면도이며,
도 4c는 본 발명에 따른 가스 분배 샤워헤드용 면판의 일 실시예의 저면도이며,
도 4d는 도 4a 및 도 4b의 면판의 확대 횡단면도이며,
도 5a는 면판 대 웨이퍼 간격이 75밀인, 본 발명의 실시예에 따른 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이며,
도 5b는 면판 대 웨이퍼 간격이 50밀인, 본 발명의 실시예에 따른 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이며,
도 6a는 홀과 연장된 슬롯을 모두 지지하는 복합 면판의 평면도이며,
도 6b는 면판 대 웨이퍼 간격이 75밀인 경우에, 복합 홀/슬롯 구조를 갖는 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이며,
도 6c는 면판 대 웨이퍼 간격이 50밀인 경우에, 복합 홀/슬롯 구조를 갖는 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이며,
도 7a 내지 도 7d는 상이한 패턴의 연장된 슬롯을 지지하는 본 발명의 실시예에 따른 면판의 단순 평면도이며,
도 8은 상이한 온도와 압력에서 USG 증착에 대한 증착 속도 대 면판 대 웨이퍼 간격을 도시하며,
도 9는 넓은 범위의 면판 대 웨이퍼 간격에 대한 증착 속도를 도시하며,
도 10은 상이한 온도와 압력에서 USG 증착 처리에 대한 % 필름 수축(shrinkage) 및 습식 에칭 선택비 대 면판 대 웨이퍼 간격을 도시하며,
도 11a 및 도 11b는 각각 종래의 샤워헤드와 본 발명에 따른 샤워헤드를 이용하여 고온 USG 증착에 의해 형성된 쉘로우 트렌치 분리 구조의 횡단면의 사진을 도시하며,
도 12는 면판 대 웨이퍼의 두 간격에 대해 측정된 추가 질량 유량(mass flow) 대 웨이퍼의 중심으로부터의 거리를 도시하며,
도 13은 본 발명에 따른 고온 증착 시스템의 대안적인 실시예의 단순 횡단면도이며,
도 14는 세 개의 상이한 면판 프로파일에 대해 측정된 추가 질량 유량 대 웨이퍼 중심으로부터의 거리를 도시한다.
본 발명에 따른 가스 분배 샤워헤드의 실시예는 연장된 슬롯 또는 채널 형태의 가스 출구부를 갖는 면판을 포함한다. 본 발명의 실시예에 따라 연장된 출구부의 이용은 가까운 면판 대 웨이퍼 간격에서 증착된 재료의 바람직하지 않은 얼룩 및 줄무늬의 발생을 실질적으로 감소시킨다. 증착된 재료의 에지 두께를 감소시키기 위해 경사진 프로파일을 갖는 샤워헤드가 또한 개시된다.
도 4a는 본 발명에 따른 화학 기상 증착 시스템의 일 실시예의 단순 횡단면도이다. 장치(300)는 웨이퍼 지지 구조물(304)과 접촉하고 있고 증착 챔버(306) 내에 수용된 웨이퍼(302)를 포함한다. 가스 분배 샤워헤드(308)는 웨이퍼(302) 위에 위치되고 웨이퍼(302)로부터 갭 Y'만큼 분리되어 있다.
가스 분배 샤워헤드(308)는 틈새(314)를 갖는 블로커판(312)과 유체 소통하는 처리 가스 유입구(310)를 포함한다. 두께 Z의 바디(315)를 갖는 가스 분배 면판(316)은 블로커판(312) 아래에 위치된다. 면판(316)은 블로커판(312)으로부터 처리 가스의 유동을 수용하고 이 가스를 바디(315) 내의 틈새(318)를 통해 웨이퍼(302)로 유동시킨다.
전체 증착 장치의 도시를 위해, 도 4a는 일정한 단면 프로파일을 갖는 틈새(318)를 도시하기 위해 단순화된다. 그러나 본 출원의 양수인에게 공동 양도된 미국 특허 제 4,854,263호에는 가스 유동 방향을 가로지르는 횡단면의 증가를 나타내는 면판 틈새의 수치가 개시되어 있다.
도 4b는 본 발명에 따른 가스 분배 샤워헤드용 면판(316)의 일 실시예의 평면도(가스 유입구)이다. 도 4c는 본 발명에 따른 가스 분배 샤워헤드용 면판(316)의 일 실시예의 저면도(가스 출구)이다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 블로커판으로부터 대략적으로 균일하게 분포된 처리 가스의 유동을 수용하는 면판(316)의 가스 입구측(316a)은 직경이 X인 다수의 분리된 홀(318a)을 포함한다. 도 4c에 도시된 것처럼, 미세하게 분포된 처리 가스를 면판으로부터 웨이퍼로 이송시키는 면판(316)의 가스 출구측(316b)은 길이가 L인 다수의 연속적인 연장된 슬롯(318b)을 포함한다. 연장된 슬롯(318b)은 하나 이상의 분리된 홀(318a)로부터 가스 유동을 수용할 수도 있다. 면판(316)의 두께 Z의 절반 이상인 길이 L을 갖는 연장된 슬롯을 제공하면, 증착된 재료가 얼룩 및 줄무늬와 같은 원치 않는 형상 특성을 나타냄이 없이 면판(316)이 웨이퍼의 표면에 가깝게 위치될 수 있음이 공지되어 있다.
도 4d는 도 4a 내지 도 4c의 면판의 확대된 횡단면도이다. 도 4d는 도시된 특정 실시예에서 유동 유입부(316a)에서 홀(318a)의 횡단면 폭 X가 유동 출구부(316b)에서 연장된 슬롯(318b)의 횡단면 폭 X'보다 실질적으로 좁다는 것을 도시한다. 본 발명의 실시예는 2.25 이상의 X'/X의 비를 갖는 연장된 면판 슬롯을 이용할 수도 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 재료 증착 결과를 도시하는 사진이다. 도 5a는 면판 대 웨이퍼 간격이 75밀인 경우에 본 발명의 실시예에 따른 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이다. 도 5a의 웨이퍼는 도 3a에 도시된 종래의 샤워헤드를 이용하여 동일한 간격에서 증착된 웨이퍼보다 실질적으로 적은 얼룩 및 줄무늬를 나타낸다.
도 5b는 면판 대 웨이퍼 간격이 50밀인 경우에 본 발명의 실시예에 따른 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이다. 도 5b의 웨이퍼는 도 3b에 도시된 종래의 샤워헤드를 이용하여 동일한 간격에서 증착된 웨이퍼보다 실질적으로 적은 얼룩 및 줄무늬를 나타낸다.
본 발명의 개발 중에, 종래의 홀과 연장된 슬롯 개구를 모두 지지하는 복합 면판이 웨이퍼 상에 USG를 증착하기 위해 사용되었다. 도 6a는 종래의 홀(454)을 포함하는 제 1 영역(452)과, 본 발명의 실시예에 따른 연장된 홀(458)을 포함하는 제 2 영역(456)을 포함하는 복합 샤워헤드(450)의 단순 평면도를 도시한다.
도 6b는 면판 대 웨이퍼 간격이 75밀일 때 도 6a의 복합 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이다. 도 6c는 면판 대 웨이퍼 간격이 50밀일 때 복합 홀/슬롯 구조를 갖는 샤워헤드로부터 증착된 USG 필름을 지지하는 웨이퍼를 도시하는 사진이다. 도 6b 및 도 6c 모두는 연장된 슬롯을 통해 증착된 재료(402)가 복합 면판의 종래 홀로부터 증착된 재료(400)보다 실질적으로 평탄한 형상을 나타냄을 도시한다.
전술한 도면은 출구측 상에 다수의 연속적이고 동심적으로 배향된 슬롯을 지지하는 샤워헤드를 도시하지만, 이러한 특정 구성이 본 발명에서 요구되는 것은 아니다. 연장된 슬롯의 다른 구성이 이용될 수 있고, 샤워헤드는 본 발명의 범위 내에 있을 것이다.
도 7a 내지 도 7d는 각각 연장된 슬롯의 상이한 배향을 지지하는 본 발명에 따른 가스 분배 면판의 다양한 대안적인 실시예의 출구부의 단순 저면도이다. 도 7a의 면판 출구부(660)는 원주방향으로 배향된 다수의 불연속 슬롯(662)을 지지한다. 도 7b의 면판 출구부(664)는 방사방향으로 배향된 다수의 불연속 슬롯(666)을 지지한다. 도 7c의 면판 출구부(668)는 동심적으로도 아니고 방사방향으로도 아닌 배타적으로 배향된 다수의 불연속 슬롯(670)을 지지한다. 도 7d의 면판 출구부(672)는 종래의 홀(676)과 조합된 다수의 불연속 슬롯(674)을 지지한다.
본 발명에 따른 장치 및 방법의 실시예는 많은 장점을 제공한다. 예를 들어, 도 8은 USG 증착 처리에 대해 상이한 온도에서 증착 속도 대 면판 대 웨이퍼 간격을 도시한다. 도 8은 510℃ 내지 540℃에서 일어나는 증착 처리에 대해, 면판 대 웨이퍼 간격의 감소가 증착 속도의 증가를 야기함을 도시한다. 이러한 관계는 보다 가까운 면판 대 웨이퍼 간격에서 보다 현저하다.
도 9는 보다 넓은 범위(50-250밀)의 면판 대 웨이퍼 간격에서 USG 증착 속도를 도시한다. 도 9는 이러한 보다 넓은 범위에 걸쳐 도 8의 결과와 일치한다. 특히, 도 9는 보다 가까운 간격에서 USG 증착 속도의 증가를 나타내고, 또한 보다 가까운 간격에서 증착 속도에 보다 현저한 효과를 나타낸다.
도 10은 USG 증착 처리에 대해 상이한 온도 및 압력에서 % 필름 수축 및 습식 에칭 선택비 대 면판 대 웨이퍼 간격을 도시한다. 도 10은 510℃ 및 540℃에서 증착된 USG 필름이 가까운 면판 대 웨이퍼 간격에서 증착될 때 낮은 수축을 나타냄을 도시한다. 이러한 데이터는 가까운 간격에서 보다 조밀하고 높은 품질의 필름을 형성함을 나타낸다.
도 10의 습식 에칭 데이터는 가까운 면판 대 웨이퍼 간격에서 증착된 개선된 품질의 층의 발견과 상호관련된다. 특히, 보다 가까운 면판 대 웨이퍼 간격에서 증착된 USG 필름은 보다 큰 밀도와 일치하는 습식 에칭 선택비를 나타내었다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명에 따른 샤워헤드를 이용하여 고온 USG 증착에 의해 형성된 쉘로우 트렌치 분리 구조의 단면 사진이다. 도 11a 및 도 11b에 도시된 USG 증착 처리는 면판 대 웨이퍼 간격이 75밀인 경우 510℃의 온도에서 일어난다. 상기 사진은 USG가 1050℃에서 60분 동안 사후 증착 어닐링 후에 쉘로우 트렌치 구조물을 채움을 도시한다. 도 11a 및 도 11b는 종래의 면판 설계를 이용한 처리와 비교할 때 유사한 품질의 갭 충진이 본 발명의 실시예에 따른 처리로 달성됨을 도시한다.
지금까지 본 발명은 도핑되지 않은 실리케이트 유리의 고온 증착에서 이용되는 실리콘 함유 전구체 가스의 유동과 관련하여 설명되었지만, 본 발명은 이러한 특정 실시예에 제한되지 않는다. 본 발명의 실시예에 따른 샤워헤드는 포스포실리케이트 유리(PSG), 보로실리케이트 유리(BSG), 또는 보로포스포실리케이트 유리(BPSG) 형태의 도핑된 실리콘 산화물의 화학 기상 증착을 포함하지만 이에 제한되지 않는 반도체 제조 처리의 어레이에 유용한 광범위한 가스를 분포시키는데 이용될 수도 있다.
본 발명의 실시예에 따른 샤워헤드를 이용하여 분포될 수도 있는 가스의 예로는 테트라에틸올소실란(TEOS), 트리에틸포스페이트(TEPO), 및 트리에틸보레이트(TEB)를 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 본 발명은 전구체 가스의 유동을 분배시키는데 제한되지 않고, CVD 반응에 직접 참여하지 않는 He 및 N2와 같은 캐리어 가스를 유동시키는데 이용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 샤워헤드는 금속, 나이트라이드, 및 옥시나이트라이드를 포함하지만 이에 한정되지 않는 실리콘 산화물 이외의 재료 형성을 위해 전구체 가스를 유동시키는데 이용될 수도 있다. 그리고 샤워헤드는 고온 CVD 처리와 관련하여 설명되지만, 본 발명의 실시예에 따른 실시예는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 처리 또는 저압 화학 기상 증착(SACVD) 처리와 같은 다른 형태의 CVD 처리에서 가스를 유동시키는데 이용될 수도 있다.
본 발명에 따른 실시예는 또한 화학 기상 증착 처리와 관련하여 이용되는 것에 제한되지 않는다. 본 발명에 따른 샤워헤드는 건식 또는 플라즈마 에칭 처리와 같은 다른 형태의 반도체 제조 처리에서 가스를 유동시키는데 이용될 수도 있다.
본 발명에 따른 실시예는 또한 슬롯 샤워헤드 면판의 이용에 제한되지 않는다. 도 4a를 다시 참조하면, 웨이퍼(302)에 대한 샤워헤드(308)의 근접 결과는 웨이퍼의 에지 부근에서 처리 가스의 하방향 유동의 증가일 수도 있다. 웨이퍼 에지에서 질량 유량의 증가는 증착된 재료(320)의 증가된 에지 두께(320a)를 일으킬 수도 있다.
도 12는 면판 대 웨이퍼의 두 간격에 대해 측정된 추가 질량 유량(mass flow) 대 웨이퍼의 중심으로부터의 거리를 도시한다. 0.270"의 종래의 넓은 면판 대 웨이퍼 간격에서, 증착은 웨이퍼의 중심으로부터 에지까지 상대적으로 일정한 질량 유량을 추가시켰다. 그러나 0.075"의 보다 좁은 면판 대 웨이퍼 간격에서, 처리는 웨이퍼의 주변 영역에 현저한 추가 질량 유량을 나타낸다. 이러한 추가 질량 유량은 웨이퍼의 중심에서 보다 에지에서 상당히 큰 두께를 갖는 증착된 재료 층을 발생시킬 수도 있다.
따라서, 본 발명의 샤워헤드의 대안적인 실시예는 가까운 면판 대 웨이퍼 간격에서 증착된 재료의 증가된 에지 두께를 방지하기 위해 경사진 프로파일을 갖는 면판을 이용할 수도 있다. 도 13은 본 발명에 따른 고온 증착 시스템의 대안적인 실시예의 단순 횡단면도이다. 장치(900)는 웨이퍼 지지 구조물(904)과 접촉하고 있고 증착 챔버(906) 내에 위치된 웨이퍼(902)를 포함한다. 가스 분배 샤워헤드(908)는 웨이퍼(902) 위에 위치되고 웨이퍼(902)로부터 갭 Y"만큼 떨어져 있다.
가스 분배 샤워헤드(908)는 틈새(916)를 갖는 블로커판(914)과 유체 소통하는 처리 가스 유입구(912)를 포함한다. 가스 분배 면판(918)은 블로커판(914) 아래에 위치된다. 면판(918)은 블로커판(914)으로부터 처리 가스의 유동을 수용하고 이 가스를 홀(920)을 통해 웨이퍼(902)로 유동시킨다.
도 4a에서 설명된 바와 같이, 웨이퍼에 대한 면판의 근접 위치는 웨이퍼의 에지에 향상된 질량 유량을 야기할 수도 있다. 따라서, 도 13에 도시된 실시예는 경사진 프로파일을 갖는 면판(918)을 포함한다. 특히, 면판(918)의 에지부(918a)는 면판(918)의 중심부(918b)에 대해 리세스된다. 경사각 A는 면판 중심과 에지 사이의 두께 차이에 의해 정의되는 각도이며, 약 0.5°내지 약 5°범위일 수도 있다.
가스 분배 샤워헤드의 이용은 가까운 면판 대 웨이퍼 간격에서 증착된 재료의 개선된 두께 균일성을 특징으로 한다. 표 A는 경사진 면판 그리고 평탄한 면판에 의해, 100 및 75밀의 간격에서 증착된 재료에 대해 증착 속도, 두께 균일성, 및 두께 범위를 비교한다.
표 A는 경사진 면판을 이용하는 증착이 보다 균일한 중심 대 에지 두께를 갖는 재료층의 형성을 야기함을 나타낸다. 표 A의 데이터는 연장된 슬롯을 갖는 평탄한 면판과 경사진 면판을 이용한 증착을 반영하지만, 본 발명의 실시예에 따른 경사진 면판은 연장된 슬롯을 가질 것을 요구하지 않는다.
도 14는 세 개의 상이한 면판 프로파일에 대해 측정된 추가 질량 유량 대 웨이퍼 중심으로부터의 거리를 도시한다. 도 14는 웨이퍼를 가로질러 추가 질량 유량의 피크 대 밸리(peak-to-valley) 변화가 각각 0.025" 및 0.050"만큼 갭을 경사지게 함으로써 35% 및 46% 감소됨을 나타낸다. 본 발명의 실시예에 따른 경사진 면판 구조물의 이용은 800Å 이하의 중심 대 에지 두께 변화를 나타내는 재료층의 증착을 야기할 수도 있다.
본 발명의 단지 소정의 실시예가 본 출원에서 도시되고 설명된다. 본 발명이 다양한 다른 조합 및 환경에서 사용될 수 있고 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 변경 및 수정될 수 있음을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 장치 및 방법은 소정의 특정 크기의 반도체 웨이퍼 처리에 제한되지 않고, 200mm 직경의 웨이퍼, 300mm 직경의 웨이퍼, 또는 다른 형상 및 크기의 반도체 웨이퍼와 관련된 반도체 제조 처리에 유용하다.
본 발명의 상세한 설명 및 전술된 다양한 실시예가 개시되지만, 명백한 변형예 및 수정예와 함께 그 균등예 및 대안예가 본 발명의 범위에 포함된다고 의도된다.
Claims (29)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 반도체 웨이퍼 상에 재료를 형성하는 장치로서,벽체에 의해 한정된 처리 챔버,상기 처리 챔버 내에 위치되고 반도체 웨이퍼를 수용하도록 구성된 웨이퍼 지지체,처리 가스 공급원, 및상기 웨이퍼 지지체 위에 놓이고 상기 웨이퍼 지지체에 근접한 경사진 면판을 포함하는 가스 분배 샤워헤드를 포함하며,상기 경사진 면판의 에지가 경사각을 형성하도록 상기 면판의 중심 두께에 비해 감소된 두께를 나타내어 상기 웨이퍼 지지체와 접촉하고 있는 웨이퍼 상에 증착된 재료가 균일한 중심 대 에지(center-to-edge) 두께를 나타내고,상기 경사진 면판이,처리 가스의 유동을 수용하도록 구성되고, 폭을 갖는 홀을 포함하는 유입부와,상기 처리 가스 유동을 반도체 웨이퍼로 이송시키도록 구성된 출구부로서, 상기 홀과 유체 소통하는 연장된 슬롯을 포함하고 상기 연장된 슬롯의 폭이 상기 홀의 폭 보다 큰 출구부를 더 포함하는,반도체 웨이퍼 상에 재료를 형성하는 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 경사각은 0.5°내지 5°범위인,반도체 웨이퍼 상에 재료를 형성하는 장치.
- 삭제
- 제 12 항에 있어서,상기 연장된 슬롯이 상기 면판 두께의 절반 이상의 길이를 갖는,반도체 웨이퍼 상에 재료를 형성하는 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 연장된 슬롯은 원형이고 연속적인,반도체 웨이퍼 상에 재료를 형성하는 장치.
- 삭제
- 제 12 항에 있어서,상기 연장된 슬롯의 폭이 상기 홀의 폭 보다 2.25배 이상 큰,반도체 웨이퍼 상에 재료를 형성하는 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/057,280 | 2002-01-25 | ||
US10/057,280 US6793733B2 (en) | 2002-01-25 | 2002-01-25 | Gas distribution showerhead |
PCT/US2002/038035 WO2003064725A1 (en) | 2002-01-25 | 2002-11-27 | Gas distribution showerhead |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040085164A KR20040085164A (ko) | 2004-10-07 |
KR100993037B1 true KR100993037B1 (ko) | 2010-11-08 |
Family
ID=27609412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020047011422A KR100993037B1 (ko) | 2002-01-25 | 2002-11-27 | 가스 분배 샤워헤드 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6793733B2 (ko) |
JP (1) | JP4426306B2 (ko) |
KR (1) | KR100993037B1 (ko) |
CN (1) | CN100342057C (ko) |
TW (1) | TWI283437B (ko) |
WO (1) | WO2003064725A1 (ko) |
Families Citing this family (402)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4592856B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル板及びガス処理装置 |
US6793733B2 (en) * | 2002-01-25 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Gas distribution showerhead |
US20040060514A1 (en) * | 2002-01-25 | 2004-04-01 | Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation | Gas distribution showerhead |
KR100476370B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2005-03-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 배치형 원자층증착장치 및 그의 인시튜 세정 방법 |
AU2003282533A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-25 | Trikon Technologies Limited | Improvements to showerheads |
US7141483B2 (en) | 2002-09-19 | 2006-11-28 | Applied Materials, Inc. | Nitrous oxide anneal of TEOS/ozone CVD for improved gapfill |
US7431967B2 (en) | 2002-09-19 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Limited thermal budget formation of PMD layers |
US7335609B2 (en) * | 2004-08-27 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials |
US20070212850A1 (en) * | 2002-09-19 | 2007-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials |
US6837966B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limeted | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
KR100536797B1 (ko) * | 2002-12-17 | 2005-12-14 | 동부아남반도체 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
US7270713B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
US6942753B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
US6830624B2 (en) * | 2003-05-02 | 2004-12-14 | Applied Materials, Inc. | Blocker plate by-pass for remote plasma clean |
JP4707959B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2011-06-22 | 日本エー・エス・エム株式会社 | シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US20050223986A1 (en) * | 2004-04-12 | 2005-10-13 | Choi Soo Y | Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
US7785672B2 (en) * | 2004-04-20 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films |
US20050233092A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films |
US8083853B2 (en) * | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
US8328939B2 (en) | 2004-05-12 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Diffuser plate with slit valve compensation |
US20060005771A1 (en) * | 2004-07-12 | 2006-01-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes |
US8074599B2 (en) * | 2004-05-12 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
US7528051B2 (en) * | 2004-05-14 | 2009-05-05 | Applied Materials, Inc. | Method of inducing stresses in the channel region of a transistor |
US20060021703A1 (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
US20070212847A1 (en) * | 2004-08-04 | 2007-09-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill |
US7642171B2 (en) * | 2004-08-04 | 2010-01-05 | Applied Materials, Inc. | Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill |
US7429410B2 (en) * | 2004-09-20 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Diffuser gravity support |
US7416635B2 (en) * | 2005-03-02 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Gas supply member and plasma processing apparatus |
FR2884044A1 (fr) * | 2005-04-01 | 2006-10-06 | St Microelectronics Sa | Reacteur de depot et procede de determination de son diffuseur |
US20070056843A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones |
US20070056845A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multiple zone sputtering target created through conductive and insulation bonding |
ATE491220T1 (de) * | 2005-10-05 | 2010-12-15 | Pva Tepla Ag | Plasmaätzverfahren und ätzkammer |
TWI329136B (en) * | 2005-11-04 | 2010-08-21 | Applied Materials Inc | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
CN100416756C (zh) * | 2005-12-05 | 2008-09-03 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体刻蚀装置 |
US20070151516A1 (en) * | 2006-01-03 | 2007-07-05 | Law Kam S | Chemical vapor deposition apparatus and electrode plate thereof |
US20070163716A1 (en) * | 2006-01-19 | 2007-07-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas distribution apparatuses and methods for controlling gas distribution apparatuses |
KR100735728B1 (ko) * | 2006-02-15 | 2007-07-06 | 이용연 | 일체 웰딩형 샤워 헤드 |
KR100943431B1 (ko) | 2006-04-13 | 2010-02-19 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
US20070281106A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
JP2008047869A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-02-28 | Hokuriku Seikei Kogyo Kk | シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 |
US7655542B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for depositing a microcrystalline silicon film for photovoltaic device |
US20080081114A1 (en) * | 2006-10-03 | 2008-04-03 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for delivering uniform fluid flow in a chemical deposition system |
JP5010234B2 (ja) | 2006-10-23 | 2012-08-29 | 北陸成型工業株式会社 | ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法 |
US8702866B2 (en) * | 2006-12-18 | 2014-04-22 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly with gas flow modification for extended electrode life |
US11136667B2 (en) | 2007-01-08 | 2021-10-05 | Eastman Kodak Company | Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure |
US20080166880A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Levy David H | Delivery device for deposition |
US7789961B2 (en) * | 2007-01-08 | 2010-09-07 | Eastman Kodak Company | Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition |
US8203071B2 (en) | 2007-01-18 | 2012-06-19 | Applied Materials, Inc. | Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same |
JP2008205219A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Masato Toshima | シャワーヘッドおよびこれを用いたcvd装置 |
EP1970468B1 (de) * | 2007-03-05 | 2009-07-15 | Applied Materials, Inc. | Beschichtungsanlage und Gasleitungssystem |
WO2008117832A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Canon Anelva Corporation | 真空処理装置 |
US8048226B2 (en) * | 2007-03-30 | 2011-11-01 | Tokyo Electron Limited | Method and system for improving deposition uniformity in a vapor deposition system |
US20080317973A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-25 | White John M | Diffuser support |
US8398770B2 (en) * | 2007-09-26 | 2013-03-19 | Eastman Kodak Company | Deposition system for thin film formation |
US8211231B2 (en) * | 2007-09-26 | 2012-07-03 | Eastman Kodak Company | Delivery device for deposition |
US7976631B2 (en) | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
US8673080B2 (en) | 2007-10-16 | 2014-03-18 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead |
WO2009059238A1 (en) | 2007-11-02 | 2009-05-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment between deposition processes |
US20090120368A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Applied Materials, Inc. | Rotating temperature controlled substrate pedestal for film uniformity |
US7964040B2 (en) * | 2007-11-08 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Multi-port pumping system for substrate processing chambers |
JP5150217B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2013-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワープレート及び基板処理装置 |
CN101453822B (zh) * | 2007-12-04 | 2013-02-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 喷嘴及反应腔室 |
US8876024B2 (en) * | 2008-01-10 | 2014-11-04 | Applied Materials, Inc. | Heated showerhead assembly |
CN101489344B (zh) * | 2008-01-14 | 2011-07-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体处理设备、其气体分配装置及工艺气体提供方法 |
US8729425B2 (en) * | 2008-02-25 | 2014-05-20 | Epilog Corporation | Air assist apparatus and method for an engraving laser |
US8066895B2 (en) * | 2008-02-28 | 2011-11-29 | Applied Materials, Inc. | Method to control uniformity using tri-zone showerhead |
KR20090102955A (ko) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP2009239082A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置、処理装置及び処理方法 |
CN101556904B (zh) * | 2008-04-10 | 2010-12-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备 |
US8097082B2 (en) * | 2008-04-28 | 2012-01-17 | Applied Materials, Inc. | Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber |
US20090277587A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
US7914603B2 (en) * | 2008-06-26 | 2011-03-29 | Mks Instruments, Inc. | Particle trap for a plasma source |
US8291857B2 (en) * | 2008-07-03 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods for atomic layer deposition |
JP5323849B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2013-10-23 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 酸化亜鉛膜(ZnO)または酸化マグネシウム亜鉛膜(ZnMgO)の成膜方法 |
US9714465B2 (en) * | 2008-12-01 | 2017-07-25 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution blocker apparatus |
JP5662334B2 (ja) * | 2008-12-04 | 2015-01-28 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 化学気相成長用の流入口要素及び化学気相成長方法 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8147614B2 (en) * | 2009-06-09 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas flow diffuser |
JP5777615B2 (ja) | 2009-07-15 | 2015-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Cvdチャンバの流れ制御機構 |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8216640B2 (en) * | 2009-09-25 | 2012-07-10 | Hermes-Epitek Corporation | Method of making showerhead for semiconductor processing apparatus |
TWI430714B (zh) * | 2009-10-15 | 2014-03-11 | Orbotech Lt Solar Llc | 電漿處理腔之噴撒頭組件及電漿處理腔之噴撒頭組件之氣體電離板之製備方法 |
US20110088760A1 (en) * | 2009-10-20 | 2011-04-21 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming an amorphous silicon layer for thin film solar cell application |
JP5721132B2 (ja) | 2009-12-10 | 2015-05-20 | オルボテック エルティ ソラー,エルエルシー | 真空処理装置用シャワーヘッド・アセンブリ及び真空処理装置用シャワーヘッド・アセンブリを真空処理チャンバに締結する方法 |
US20120024478A1 (en) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | Hermes-Epitek Corporation | Showerhead |
KR101249999B1 (ko) * | 2010-08-12 | 2013-04-03 | 주식회사 디엠에스 | 화학기상증착 장치 |
US10658161B2 (en) * | 2010-10-15 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers |
GB201021913D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture |
CN103370765B (zh) | 2010-12-23 | 2016-09-07 | 六号元素有限公司 | 控制合成金刚石材料的掺杂 |
GB201021870D0 (en) * | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
KR101306315B1 (ko) * | 2011-01-11 | 2013-09-09 | 주식회사 디엠에스 | 화학기상증착 장치 |
US20120180954A1 (en) | 2011-01-18 | 2012-07-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
EP2481833A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-01 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus for atomic layer deposition |
CN106884157B (zh) | 2011-03-04 | 2019-06-21 | 诺发系统公司 | 混合型陶瓷喷淋头 |
US8459276B2 (en) | 2011-05-24 | 2013-06-11 | Orbotech LT Solar, LLC. | Broken wafer recovery system |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US20140116339A1 (en) * | 2011-06-11 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Limited | Process gas diffuser assembly for vapor deposition system |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9109754B2 (en) | 2011-10-19 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for providing uniform flow of gas |
US8955547B2 (en) | 2011-10-19 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for providing uniform flow of gas |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US20130269612A1 (en) * | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Hermes-Epitek Corporation | Gas Treatment Apparatus with Surrounding Spray Curtains |
US9111980B2 (en) * | 2012-09-04 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas exhaust for high volume, low cost system for epitaxial silicon deposition |
US10714315B2 (en) * | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
CN103789747B (zh) * | 2012-10-26 | 2016-03-09 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种气体喷淋头及制作该气体喷淋头的方法 |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
TWI624560B (zh) * | 2013-02-18 | 2018-05-21 | 應用材料股份有限公司 | 用於原子層沉積的氣體分配板及原子層沉積系統 |
US9353439B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-05-31 | Lam Research Corporation | Cascade design showerhead for transient uniformity |
US9353440B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Dual-direction chemical delivery system for ALD/CVD chambers |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
CN104916564B (zh) * | 2014-03-13 | 2018-01-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室以及等离子体加工设备 |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10741365B2 (en) * | 2014-05-05 | 2020-08-11 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with porous baffle |
KR102451499B1 (ko) * | 2014-05-16 | 2022-10-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 샤워헤드 설계 |
US10077497B2 (en) * | 2014-05-30 | 2018-09-18 | Lam Research Corporation | Hollow cathode discharge (HCD) suppressing capacitively coupled plasma electrode and gas distribution faceplate |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
JP6298383B2 (ja) * | 2014-08-19 | 2018-03-20 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
GB2528141B (en) * | 2014-09-18 | 2016-10-05 | Plasma App Ltd | Virtual cathode deposition (VCD) for thin film manufacturing |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10378107B2 (en) | 2015-05-22 | 2019-08-13 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity |
US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
JP1545606S (ko) * | 2015-08-26 | 2016-03-14 | ||
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
KR102462931B1 (ko) | 2015-10-30 | 2022-11-04 | 삼성전자주식회사 | 가스 공급 유닛 및 기판 처리 장치 |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10775533B2 (en) * | 2016-02-12 | 2020-09-15 | Purdue Research Foundation | Methods of forming particulate films and films and devices made therefrom |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
JP6462613B2 (ja) * | 2016-03-15 | 2019-01-30 | 株式会社東芝 | 分流構造 |
USD794753S1 (en) | 2016-04-08 | 2017-08-15 | Applied Materials, Inc. | Showerhead for a semiconductor processing chamber |
USD793526S1 (en) | 2016-04-08 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Showerhead for a semiconductor processing chamber |
USD790039S1 (en) | 2016-04-08 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | Showerhead for a semiconductor processing chamber |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) * | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11694911B2 (en) * | 2016-12-20 | 2023-07-04 | Lam Research Corporation | Systems and methods for metastable activated radical selective strip and etch using dual plenum showerhead |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
CN106735642A (zh) * | 2017-03-15 | 2017-05-31 | 广东工业大学 | 一种电射流掩膜加工系统及其喷头 |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
USD876504S1 (en) | 2017-04-03 | 2020-02-25 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10450655B2 (en) * | 2017-10-27 | 2019-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CVD apparatus with multi-zone thickness control |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US10876208B2 (en) * | 2018-01-16 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus and method for fabricating a semiconductor device |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US10526703B2 (en) * | 2018-03-15 | 2020-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Film formation apparatus for forming semiconductor structure having shower head with plural hole patterns and with corresponding different plural hole densities |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
JP7365761B2 (ja) * | 2018-08-24 | 2023-10-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
TW202020218A (zh) | 2018-09-14 | 2020-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於多流前驅物配分劑量的裝置 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10984987B2 (en) * | 2018-10-10 | 2021-04-20 | Lam Research Corporation | Showerhead faceplate having flow apertures configured for hollow cathode discharge suppression |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
DE102018126617A1 (de) | 2018-10-25 | 2020-04-30 | Aixtron Se | Schirmplatte für einen CVD-Reaktor |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
CN111321391A (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 用于半导体制造的喷头 |
CN109600898B (zh) * | 2018-12-13 | 2020-04-17 | 大连理工大学 | 一种喷淋式电极及放电系统 |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11332827B2 (en) * | 2019-03-27 | 2022-05-17 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate with high aspect ratio holes and a high hole density |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
US20220307138A1 (en) | 2019-06-10 | 2022-09-29 | Swegan Ab | Reactor for gas treatment of a substrate |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
CN110129766B (zh) * | 2019-06-11 | 2021-06-11 | 广东先导稀材股份有限公司 | 镀膜装置以及石英舟表面镀覆系统 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
KR20210089077A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TWI737250B (zh) * | 2020-04-06 | 2021-08-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 氣體噴灑裝置、半導體基板處理設備及其操作方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
US11810764B2 (en) * | 2020-04-23 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Faceplate with edge flow control |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
CN111889030B (zh) * | 2020-07-28 | 2023-02-10 | 茂名立强化学有限公司 | 一种4-氯乙酰乙酸酯的合成装置 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
USD969980S1 (en) | 2020-10-20 | 2022-11-15 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber showerhead |
USD967351S1 (en) | 2020-10-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Showerhead reflector |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
WO2024010295A1 (ko) * | 2022-07-08 | 2024-01-11 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 장치, 기판 처리 장치 및 박막 증착 방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020000196A1 (en) * | 2000-06-24 | 2002-01-03 | Park Young-Hoon | Reactor for depositing thin film on wafer |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4297162A (en) | 1979-10-17 | 1981-10-27 | Texas Instruments Incorporated | Plasma etching using improved electrode |
US4590042A (en) * | 1984-12-24 | 1986-05-20 | Tegal Corporation | Plasma reactor having slotted manifold |
US4892753A (en) | 1986-12-19 | 1990-01-09 | Applied Materials, Inc. | Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition |
US4854263B1 (en) | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
JP2602298B2 (ja) * | 1988-01-30 | 1997-04-23 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
JPH01283375A (ja) | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Fujitsu Ltd | Cvd装置 |
US5439524A (en) * | 1993-04-05 | 1995-08-08 | Vlsi Technology, Inc. | Plasma processing apparatus |
US5589002A (en) * | 1994-03-24 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing |
US5597439A (en) | 1994-10-26 | 1997-01-28 | Applied Materials, Inc. | Process gas inlet and distribution passages |
JP3824675B2 (ja) | 1995-03-03 | 2006-09-20 | 有限会社デジタル・ウェーブ | 結晶製造装置 |
JP3380091B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2003-02-24 | 株式会社荏原製作所 | 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置 |
US5892886A (en) | 1996-02-02 | 1999-04-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes |
US5976261A (en) | 1996-07-11 | 1999-11-02 | Cvc Products, Inc. | Multi-zone gas injection apparatus and method for microelectronics manufacturing equipment |
US6267074B1 (en) | 1997-02-24 | 2001-07-31 | Foi Corporation | Plasma treatment systems |
JP4268231B2 (ja) | 1997-12-12 | 2009-05-27 | 忠弘 大見 | プラズマ処理装置、表面処理方法および光学部品の製造法 |
US20020011215A1 (en) * | 1997-12-12 | 2002-01-31 | Goushu Tei | Plasma treatment apparatus and method of manufacturing optical parts using the same |
US6050506A (en) | 1998-02-13 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | Pattern of apertures in a showerhead for chemical vapor deposition |
US6079353A (en) * | 1998-03-28 | 2000-06-27 | Quester Technology, Inc. | Chamber for reducing contamination during chemical vapor deposition |
US5980686A (en) | 1998-04-15 | 1999-11-09 | Applied Komatsu Technology, Inc. | System and method for gas distribution in a dry etch process |
US6454860B2 (en) * | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
JP3595853B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2004-12-02 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマcvd成膜装置 |
JP2000290777A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-17 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置、バッフル部材、及びガス処理方法 |
US6565661B1 (en) * | 1999-06-04 | 2003-05-20 | Simplus Systems Corporation | High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method |
US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6206972B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-03-27 | Genus, Inc. | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes |
EP1273213B1 (en) * | 2000-04-04 | 2007-03-07 | DEK International GmbH | Method and apparatus for applying viscous or paste material onto a substrate |
KR100444149B1 (ko) * | 2000-07-22 | 2004-08-09 | 주식회사 아이피에스 | Ald 박막증착설비용 클리닝방법 |
US6302965B1 (en) * | 2000-08-15 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Dispersion plate for flowing vaporizes compounds used in chemical vapor deposition of films onto semiconductor surfaces |
US20030019428A1 (en) * | 2001-04-28 | 2003-01-30 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
US6586886B1 (en) * | 2001-12-19 | 2003-07-01 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate electrode for a plasma reactor |
US6793733B2 (en) * | 2002-01-25 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Gas distribution showerhead |
US20040060514A1 (en) * | 2002-01-25 | 2004-04-01 | Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation | Gas distribution showerhead |
-
2002
- 2002-01-25 US US10/057,280 patent/US6793733B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-27 WO PCT/US2002/038035 patent/WO2003064725A1/en active Application Filing
- 2002-11-27 CN CNB028274970A patent/CN100342057C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-27 JP JP2003564312A patent/JP4426306B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-27 KR KR1020047011422A patent/KR100993037B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-12-03 TW TW091135107A patent/TWI283437B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020000196A1 (en) * | 2000-06-24 | 2002-01-03 | Park Young-Hoon | Reactor for depositing thin film on wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1659308A (zh) | 2005-08-24 |
TW200302510A (en) | 2003-08-01 |
US6793733B2 (en) | 2004-09-21 |
JP4426306B2 (ja) | 2010-03-03 |
KR20040085164A (ko) | 2004-10-07 |
CN100342057C (zh) | 2007-10-10 |
US20030140851A1 (en) | 2003-07-31 |
TWI283437B (en) | 2007-07-01 |
JP2005516407A (ja) | 2005-06-02 |
WO2003064725A1 (en) | 2003-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100993037B1 (ko) | 가스 분배 샤워헤드 | |
US11264213B2 (en) | Chemical control features in wafer process equipment | |
TWI785045B (zh) | 用於改善之前驅物流動的半導體處理腔室 | |
KR102417931B1 (ko) | 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
US20040060514A1 (en) | Gas distribution showerhead | |
KR20210075853A (ko) | 기판 지지 플레이트 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN111712924B (zh) | 空气间隙形成工艺 | |
TWI757487B (zh) | 多區半導體基板材支撐件 | |
US20210404064A1 (en) | Showerhead for Process Tool | |
US11222771B2 (en) | Chemical control features in wafer process equipment | |
US9053928B2 (en) | Wafer and film coating method of using the same | |
CN111816584B (zh) | 喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法 | |
JP6782546B2 (ja) | プラズマ化学気相蒸着装置および方法 | |
KR20200120860A (ko) | 샤워헤드, 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR20220158778A (ko) | 다중 구역 반도체 기판 지지부들 | |
KR20190140886A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20060084897A (ko) | 반도체 제조설비의 샤워헤드 | |
KR20040028234A (ko) | 싱글 챔버식 화학 기상증착 장치를 이용한 질화막 증착방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |