KR100806553B1 - 경화제, 경화성 조성물, 광학 소재용 조성물, 광학 소재, 이의 제조 방법 및 이를 사용하여 만들어진 액정표시장치 및 ｌｅｄ - Google Patents

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Abstract

우수한 내열성, 광학 투명성 및 내광성을 갖는 경화물을 제공할 수 있는 경화제, 경화성 조성물 또는 광학 소재용 조성물; 광학 소재 및 이들의 제조 방법; 및 이를 이용하여 만들어진 액정 표시장치 및 LED를 제공한다. 경화제는 SiH 기와 반응성인 둘 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 가지며, 1 내지 6 개의 비닐기를 함유하고, 900 미만의 분자량을 가지며, 1,000 포이즈 미만의 점도를 갖는 지방족 유기 화합물 (α1)과 둘 이상의 SiH 기를 갖는 사슬형 및/또는 고리형 폴리유기실록산 (β1) 의 히드로실릴화 반응, 또는 화학식 (I)로 표시되는 유기 화합물 (α2)와 둘 이상의 SiH기를 갖는 고리형 폴리유기실록산 (β2)의 히드로실릴화 반응에 의해 제조되며, 둘 이상의 SiH기를 각각 갖는다:
[화학식]

Description

경화제, 경화성 조성물, 광학 소재용 조성물, 광학 소재, 이의 제조 방법, 및 이를 사용하여 만들어진 액정 표시장치 및 ＬＥＤ{CURING AGENTS, CURABLE COMPOSITIONS, COMPOSITIONS FOR OPTICAL MATERIALS, OPTICAL MATERIALS, THEIR PRODUCTION, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAYS AND LED'S MADE BY USING THE MATERIALS}
본 발명은 경화성 조성물에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 우수한 내열성, 광학 투명성 및 내광성을 갖는 경화물을 제공할 수 있는 경화제, 경화성 조성물 또는 광학 소재용 조성물; 광학 소재 및 이들의 제조 방법; 및 이를 이용하여 만들어진 액정 표시장치 및 LED에 관한 것이다.
기타 용도 중, 액정 표시장치용 광학 소재로서, 낮은 복굴절률, 작은 광탄성률, 및 높은 광학 투명성의 소재가 사용된다. 게다가, 액정 표시장치의 소재의 경우, 포함된 제조 방법은 매우 내열성 소재를 사용하는 것이 필수적이다. 이들 요건을 만족시키는 원료로서, 유리 등이 현재까지 사용되고 있다.
기타 용도 중, 액정 표시장치용 광학 소재가 많은 예에서 박막 형태 또는 가는 관 또는 막대 형상으로 사용되고 있으며, 최근의 시장은 더 얇은 막 형태 또는 더 가는 관 또는 막대 형상의 사용을 요구한다. 그러나, 통상적인 소재의 유리 는 깨지기 쉬우며, 따라서, 이의 용도의 범주는 환경하에서 자가-제한적(self-limited)이다.
강인성 소재로서, 고분자량 중합체 소재가 이용가능하지만, 열가소성 수지로서, 예를 들어, 고내열성의 발현을 위한 방향족 골격의 도입은 일반적으로 증가된 복굴절률 및 증가된 광탄성률을 초래하며, 따라서 고내열성과 양호한 광학 특성을 만족시키는 것이 어렵다. 열경화성 수지의 경우, 지금까지 공지된 열경화성 수지는 일반적으로 착색되어 있으므로, 광학 용도로는 적합하지 않았다. 게다가, 이들 수지는 일반적으로 극성을 가지며 광학 특성을 발현하기에 적합하지 않다.
탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물, SiH 기를 함유하는 화합물, 및 히드로실릴화 촉매(예, 일본 특허 공보 제 평03-277645 호, 일본 특허 공보 제 평07-3030호, 일본 특허 공보 제 평09-302095 호, 일본 특허 공보 제 평05-295270 호, 일본 특허 공보 제 평07-62103 호)를 포함하는 경화성 조성물이 제안되었다. 이렇게 제안된 구체적인 조성물은 탄소-탄소 이중 결합 및 SiH 기 사이의 가교 반응에 기여가능한 만족스러운 물리적, 열적 및 전기적 특성을 변함없이 제공한다. 그러나, 광학 투명성의 관점에서 만족스럽게 충분한 것이 없으므로, 이들 조성물은 광학 용도에 적합하지 않으며, 따라서, 산업적인 가치가 제한된다.
성분으로서 트리알릴 이소시아누레이트를 함유하는 경화성 조성물이 또한 제안되었다(일본 특허 공보 제 소50-100 호, 일본 특허 공보 제 평09-291214 호). 제안된 구체적인 조성물 중에서, 일본 특허 공보 제 소50-100 호에 개시된 경화성 조성물로부터 수득가능한 경화물은 단지 낮은 유리 전이온도를 가지며 내열성이 부적합하다.
[발명의 개요]
따라서, 본 발명의 목표는 우수한 내열성, 광학 투명성 및 내광성을 갖는 경화물을 제공할 수 있는 경화제, 경화성 조성물 또는 광학 소재용 조성물; 광학 소재 및 이의 제조 방법; 및 이 소재를 사용한 액정 표시장치 및 LED 를 제공하는 것이다.
따라서, 본 발명은 경화제(이후부터 종종 경화제 (B1)으로서 언급됨)에 관한 것이며,
이는 각 분자내에 SiH 기와 반응가능한 둘 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 가지며, 각 분자내에 1 내지 6 개의 비닐기를 함유하고, 900 미만의 분자량을 가지며, 1,000 포이즈 미만의 점도를 갖는 지방족 유기 화합물 (α1)과 각 분자내에 둘 이상의 SiH 기를 갖는 사슬형 및/또는 고리형 폴리유기실록산 (β1) 의 히드로실릴화 반응에 의해 수득가능하며, 각 분자내에 둘 이상의 SiH 기를 포함한다.
본 발명은 추가적으로 경화제(이후부터 종종 경화제 (B2) 로서 언급됨)에 관한 것이며,
이는 하기 화학식 (I) 로 표시되는 유기 화합물 (α2):
Figure 112003023271170-pct00001
[식 중, R1 은 탄소수 1 내지 50 의 1가 유기기를 나타내며, 각 R1 은 동일하거나 상이할 수 있음]
과 각 분자내에 둘 이상의 SiH 기를 갖는 고리형 폴리유기실록산 (β2) 를 히드로실릴화 반응시켜 수득가능하며, 각 분자내에 둘 이상의 SiH 기를 포함한다.
본 발명은 또한 경화성 조성물에 관한 것이며, 이는 각 분자내에 SiH 기와 반응할 수 있는 둘 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 유기 화합물 (A), 상기 경화제 (B1) 및/또는 경화제 (B2) 및 히드로실릴화 촉매 (C) 를 포함한다.
상기 성분 (A) 는 바람직하게는 하기 화학식 (I) 로 표시되는 유기 화합물이다:
[화학식 I]
Figure 112003023271170-pct00002
[식 중, R1 은 탄소수 1 내지 50 의 1가 유기기를 나타내며, 각 R1 은 동일하거나 상이할 수 있음]
더욱 바람직하게는, 성분 (A) 로 표시되는 화학식 (I) 의 3 개의 R1 중 둘 이상은 하기 화학식 (II) 로 표시되는 기이다:
Figure 112003023271170-pct00003
[식 중, R2 는 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 48 의 2가 유기기를 나타내며; R3 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내며; 복수의 R2 및 R3 각각은 동일하거나 상이할 수 있음].
상기 성분 (A) 를 나타내는 화학식 (I) 의 3 개의 R1 중 둘 이상은 바람직하게는 알릴기이다.
상기 성분 (A) 는 바람직하게는 각 분자내에 SiH 기와 반응할 수 있는 하나 이상의 비닐기를 갖는 유기 화합물이다.
상기 성분 (A) 는 바람직하게는 각 분자내에 SiH 기와 반응할 수 있는 하나 이상의 알릴기를 갖는 유기 화합물이다.
상기 성분 (A) 는 바람직하게는 각 분자내에 1 내지 6 개의 비닐기를 함유하는 유기 화합물이고, 900 미만의 분자량 및 1,000 포이즈 미만의 점도를 갖는다.
상기 성분 (A) 는 바람직하게는 폴리부타디엔, 비닐시클로헥센, 시클로펜타디엔, 디시클로펜타디엔, 디비닐비페닐, 비스페놀 A 디알릴 에테르, 트리알릴 이소시아누레이트, 및 트리비닐시클로헥산으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물이다.
본 발명은 추가적으로 광학 소재용 조성물에 관한 것이며, 이는 상기 경화성 조성물을 포함한다.
본 발명은 추가적으로 광학 소재에 관한 것이며, 이는 상기 광학 소재용 조성물을 경화시켜 수득가능하다.
상술된 광학 소재는 바람직하게는 액정용 필름, 액정용 플라스틱 셀 또는 LED용 봉합제이다.
본 발명은 추가적으로 상기 광학 소재의 제조 방법에 관한 것이며, 이는 미리 광학 물질용 상기 조성물을 혼합하고, SiH 기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합을 조성물 내의 일부 또는 전부의 SiH 기와 반응시키는 것을 포함한다.
또다른 면에서, 본 발명은 액정 표시장치 또는 LED 에 관한 것이며, 이는 상기 광학 소재를 포함한다.
이제 본 발명이 상세히 기재될 것이다.
성분 (α1)에 관하여
성분 (α1)로서, 각 분자내에 1 내지 6 개의 비닐기를 가지며, 900 미만의 분자량을 가지고, 1,000 포이즈 미만의 점도를 가지며, 각 분자내에 SiH 기와 반응할 수 있는 둘 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 임의의 지방족 유기 화합물이 특별한 제한없이 사용될 수 있다.
삭제
반응성 및 저장 안정성의 균형의 관점에서, 성분 (α1) 은 각 분자내에 1 내 지 6 개의 비닐기, 바람직하게는 2 이상 4 이하의 비닐기를 갖는 화합물이어야 한다. 상기에 언급되는 비닐기는 CH2=CH- 로 표시되는 1가기이며, 이 비닐기는 일부 경우 SiH 기와 반응가능한 탄소-탄소 이중 결합에 상응하며, 기타 경우에는 상응하지 않는다.
취급 용이성 및 경화물의 내열성 및 전기적 특성의 관점에서, 성분 (α1) 은 900 미만, 바람직하게는 700 미만, 더욱 바람직하게는 500 미만의 분자량을 갖는 화합물이어야 한다.
취급 용이성 및 가공성의 관점에서, 성분 (α1)의 점도는 바람직하게는 1,000 포이즈 미만, 더욱 바람직하게는 300 포이즈 미만, 더더욱 바람직하게는 30 포이즈 미만이다. 상기에 언급된 것처럼 성분 (α1)의 점도는 23℃에서의 점도값이며, E-형 점도계(예를 들어, Tokyo Instruments Co., 제조)로 측정할 수 있다. 측정용 회전자(rotor)로서, 1°34'(48 dia.) 회전자가 사용될 수 있다. 회전 속도에 관하여, 0.5 rpm, 1 rpm, 2.5 rpm, 5 rpm, 10 rpm, 20 rpm, 50 rpm, 및 100 rpm 중에서 선택된 속도를 10 내지 90 번 읽는 것이 사용될 수 있다.
또한, 참고로, 성분 (α1) 에 관하여, 이의 구조가 골격 부분과 공유 결합으로 결합된, SiH 기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 기(알케닐기) 및 골격 부분으로 분리되어 표시될 때, 알케닐기는 분자내의 임의의 위치에 존재할 수 있다.
유기 화합물인 성분 (α1) 의 골격은 그것이 지방족이며, 유기 중합체 골격 및 유기 단량체 골격 중 어느것일 수 있는 한 특별히 제한되지 않는다. 용어 "지방족"은 본 명세서에서 방향족 유기 화합물을 제외한 화합물로 언급되며, 따라서 지환족 화합물을 포함한다.
유기 중합체 골격으로서, 예를 들어 폴리에테르형, 폴리에스테르형, 폴리아릴레이트형, 폴리카르보네이트형, 포화 탄화수소형, 폴리아크릴레이트 에스테르형, 폴리아미드형, 또는 폴리이미드형 골격이 사용될 수 있다.
단량체 골격은 지방족 탄화수소형, 지환족 형, 및 혼합형 골격을 포함한다.
성분 (A) 의 알케닐기는 그것이 SiH 기와 반응할 수 있는 한 특별히 제한되지 않지만, 반응성의 관점에서, 하기 화학식 (III) 으로 표시되는 알케닐기가 바람직하다:
Figure 112003023271170-pct00004
(식 중, R4 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내며; 각 R4 는 동일하거나 상이할 수 있음). 출발 물질의 이용성의 관점에서,
Figure 112003023271170-pct00005
이 특히 바람직하다.
알케닐기는 2가 또는 다가 치환기를 통해 공유 결합으로 성분 (A) 의 골격 부분에 결합될 수 있으며, 상기 2가 또는 다가 치환기는 탄소수 0 내지 10 의 치환기인 한 특별히 제한되지 않는다. 그러한 치환체의 예로는 하기가 언급될 수 있다:
Figure 112003023271170-pct00006
이들 2 가 또는 다가 치환기의 둘 이상이 공유 결합으로 결합되어 하나의 2가 또는 다가 치환체를 구성할 수 있다는 것이 이해되야 한다.
공유 결합으로 골격 부분에 결합될 수 있는 기의 예로서, 기타 중에서 비닐, 알릴, 메탈릴, 아크릴, 메타크릴, 2-히드록시-3-(알릴옥시)프로필, 2-(알릴옥시)에틸, 2,2-비스(알릴옥시메틸)부틸, 3-알릴옥시-2,2-비스(알릴옥시메틸)프로필,
Figure 112003023271170-pct00007
(n 은 관계식 2≤n≤5 를 만족시키는 수임),
Figure 112003023271170-pct00008
(R 은 하기로 구성되는 군으로부터 선택된 2가기를 나타냄:
Figure 112003023271170-pct00009
),
Figure 112003023271170-pct00010
(n 은 0 내지 4 의 수를 나타냄)를 언급할 수 있다.
성분 (α1) 으로서, 상술된 것처럼 골격 부분 및 알케닐기로 적절하게 나누어 표시될 수 없는 저분자량 화합물이 또한 사용될 수 있다. 그러한 저분자량 화합물의 예로서, 지방족 사슬형 폴리엔 화합물, 예컨대 부타디엔, 이소프렌, 옥타디엔, 데카디엔 등, 치환된 지방족 고리형 올레핀 화합물, 예컨대 비닐시클로펜텐, 비닐시클로헥센 등 및 지환족 화합물, 예컨대 1,2,4-트리비닐시클로헥산 등이 언급될 수 있다.
이들 성분 (α1)의 예 중에서, α,ω-디엔 화합물, 예컨대 데카디엔은 경화물이 깨지기 쉽고 동역학적 특성이 불량하므로 바람직하지 않다.
게다가, 성분 (α1) 은 내부 올레핀 구조를 함유하지 않으므로 바람직하다. 내부 올레핀 구조가 함유될 때, 이 내부 올레핀 구조는 히드로실릴화/경화 반응 후에도 미반응으로 남아있는 경향이 있으므로, 내광분해성이 감소되기 쉽다. 본 내용에서, 내부 올레핀 구조는 하기의 구조를 의미한다:
Figure 112003023271170-pct00011
(식 중, R5 및 R6 중 하나 또는 모두는 수소 이외의 치환기이고, R7 및 R8 의 하나 또는 모두는 수소 이외의 치환기임).
추가적으로 강화된 내열성의 발현을 위해, 상기 성분 (α1) 은 성분 (α1)의 그램 당 0.001 몰 이상, 더욱 바람직하게는 0.005 몰 이상, 더더욱 바람직하게는 0.008 몰 이상의 비율로 SiH 기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합을 함유해야 한다.
구체적인 예로서, 기타 중에서 부타디엔, 이소프렌, 비닐시클로헥센, 데카디엔, 디알릴 프탈레이트, 트리메틸롤프로판 디알릴 에테르, 및 펜타에리트리톨 트리알릴 에테르, 이의 올리고머, 1,2-폴리부타디엔(1,2=10 내지 100%, 바람직하게는 1,2=50 내지 100%),
Figure 112003023271170-pct00012
(R 은 하기로부터 선택된 2가기를 나타냄:
Figure 112003023271170-pct00013
),
Figure 112003023271170-pct00014
(n≒1) 이 언급될 수 있다.
성분 (α1) 에서 발생하는 것처럼 SiH 기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합의 수는 분자당 2 이상이어야 하지만, 개선된 내열성을 위해, 바람직하게는 2 초과, 더욱 바람직하게는 3 이상, 특히 바람직하게는 4 이상이다. 성분 (α1) 에서 발생하는 것처럼, SiH 기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중결합의 수는 분자 당 1 이하이며, 성분 (α1)과 성분 (β)의 반응은 그래프트 구조만 발생시키며, 가교 구조를 수득하지 않는다.
게다가, 성분 (α1)과 성분 (β)의 강화된 반응성을 위해, 유기 화합물, 즉 성분 (α1)에서 발생하는 것처럼, SiH 기와 반응할 수 있는 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합은 바람직하게는 알릴기이다. 더욱 바람직하게는, 둘 이상의 상기 탄소-탄소 이중 결합은 알릴기이다.
상업성의 관점 및 경화물의 기타 특성 중 성분 (β)와의 반응성, 내열성 및 투명성을 고려하여, 1,2-폴리부타디엔, 2,2-비스(4-히드록시시클로헥실)프로판 디알릴 에테르, 4-비닐시클로헥센, 시클로펜타디엔, 및 1,2,4-트리비닐시클로헥산이 성분 (α1)의 바람직한 화학종으로서 언급될 수 있다.
성분 (β1)에 관하여
이제 성분 (β1) 이 기재된다.
각 분자내에 둘 이상의 SiH기를 갖는 사슬형 및/또는 고리형 폴리유기실록산, 즉 본 발명에 따른 성분 (β1) 은 특별히 제한되지 않지만, 성분 (α1)과의 혼화성의 관점에서, 하기 화학식(IV)로 표시될 수 있는 각 분자에서의 둘 이상의 SiH 기를 갖는 고리형 폴리유기실록산이 바람직하다:
Figure 112003023271170-pct00015
(식 중, R9 는 탄소수 1 내지 6 의 유기기를 나타내며; n 은 3 내지 10 의 수를 나타냄). 화학식 (IV) 의 화합물을 언급할 때, 치환체 R9 는 바람직하게는 C, H 및 O 로 구성되는 기이며, 더욱 바람직하게는 탄화수소기이다. 이용가능성 및 기타 관점에서, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산이 특히 바람직하다.
성분 (β1)의 상술된 화학종은 각각 독립적으로 사용될 수 있거나, 둘 이상의 상이한 화학종의 혼합물로서 사용될 수 있다.
성분 (α1)과 성분 (β1)의 반응에 관하여
상기 성분 (α1)과 성분 (β1)의 블렌드 비는 특별히 제한되지 않지만,성분 (B1) 과 성분 (A) 의 히드로실릴화 반응으로부터 수득되는 경화물의 강도를 고려하면, 성분 (B1) 의 더 높은 SiH 함량은 일반적으로 더 경화된 강도를 유도하며, 상기 성분 (α1)에서의 SiH기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합의 수 (X) 와 상기 성분 (β1)에서 SiH 기의 수(Y)의 비는 바람직하게는 1≤Y/X≤5, 더욱 바람직하게는 2≤Y/X≤3.5 이다.
이제, (α1)과 성분 (β1)의 상기 히드로실릴화 반응에서 사용을 위한 촉매로서, 기타 중에서 하기 촉매가 사용될 수 있다. 예를 들어, 백금 금속, 담체, 예컨대 알루미나, 실리카 또는 카본 블랙상에 지지된 고체 백금, 염화백금산, 염화백금산과 알콜, 알데히드, 케톤 등과의 착물, 백금-올레핀 착물(예, Pt(CH2=CH2)2(PPh3)2, Pt(CH2=CH2 )2Cl2), 백금-비닐실록산 착물(예, Pt(ViMe2SiOSiMe2Vi)n, Pt[(MeViSiO)4]m), 백금-포스핀 착물(예, Pt(PPh3)4, Pt(PBu3)4), 백금-포스피트 착물(예, Pt[P(OPh)3]4, Pt[P(OBu) 3]4)(식 중, Me 는 메틸을 나타내고, Bu 는 부틸을 나타내며, Vi 는 비닐을 나타내고, Ph 는 페닐을 나타내며, n 및 m 은 각각 정수임), 디카르보닐디클로로백금, 카르스테트(Karstedt) 촉매, Ashby 에 의해 등록된 USP 3159601 및 3159662 에 기재된 백금-탄화수소 착물, 및 Lamoreaux 에 의해 등록된 USP 3220972 에 개시된 백금 알콜레이트 촉매가 언급될 수 있다. 게다가, Modic 에 의해 등록된 USP 3516946 에 개시된 백금 클로리드-올레핀 착물이 또한 본 발명의 목적에 유용하다.
백금 화합물 이외의 촉매로서, RhCl(PPh)3, RhCl3, RhAl2O3, RuCl3, IrCl3, FeCl3, AlCl3, PdCl2·2H2O, NiCl2, TiCl4 등이 예로서 언급될 수 있다.
이들 중, 염화백금산, 백금-올레핀 착물, 백금-비닐실록산 착물 등이 촉매 활성의 관점에서 바람직하다. 게다가, 이들 촉매는 둘 이상의 화학종의 조합으로 또는 각각 독립적으로 사용될 수 있다.
촉매의 첨가 수준은 특별히 한정되지 않지만, 충분한 경화성을 보장하고 경화성 조성물이 상대적으로 저가를 유지하기 위하여, SiH 몰 당 촉매의 양은 바람직하게는 10-1 내지 10-8 몰, 더욱 바람직하게는 10-2 내지 10-6 몰 범위내이다.
성분(α2)에 관하여
성분 (α2)로서, 하기 화학식 (I) 로 표시되는 임의의 유기 화합물:
[화학식 I]
Figure 112003023271170-pct00016
[식 중, R1 은 탄소수 1 내지 50 의 1가 유기기를 나타내며, 복수의 R1 은 동일하거나 상이할 수 있음]이 임의의 특정한 제한없이 사용될 수 있다. 이 유기 화합물은 바람직하게는 각 분자에서 SiH 기와 반응할 수 있는 2 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물이다.
기체 투과성 및 시싱(cissing)의 문제로부터 탈피하려는 관점에서, 이 유기 화합물은 바람직하게는 실론산 단위(Si-O-Si) 를 함유하는 화합물, 예컨대 폴리실록산-유기 블락 공중합체 또는 폴리실록산-유기 그래프트 공중합체는 아니지만, 구성 원소로서 C, H, N, O, S 및 할로겐만을 포함하는 골격이다.
상기 화학식 (I) 에서의 R1 에 대해, 수득된 경화물의 증가된 내열성의 관점에서, R1 은 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 내지 10, 더더욱 바람직하게는 탄소수 1 내지 4 의 1가 유기기이다. 따라서, R1 으로 바람직한 기는 기타 중에서 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페닐, 벤질, 펜에틸, 비닐, 알릴, 글리시딜,
Figure 112003023271170-pct00017
을 포함한다.
또한, 상기 화학식 (I) 의 R1 에 관해, 수득된 경화물의 다양한 종류의 소재 로의 개선된 접착성의 관점에서, 3 개의 R1 중 하나 이상은 바람직하게는 탄소수 1 내지 50 이며 하나 이상의 에폭시기를 갖는 1가 유기기이고, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 내지 50 이며 하나 이상의 하기 에폭시기를 갖는 1가 유기기이다:
Figure 112003023271170-pct00018
바람직한 R1 의 예로서, 기타 중에서 글리시딜,
Figure 112003023271170-pct00019
,
가 언급될 수 있다.
수득된 경화물의 열에 대한 개선된 화학 안정성의 관점에서, 상기 화학식 (I) 에서의 R1 은 바람직하게는 2 이하의 산소 원자를 함유하는 1 가 C1-50 유기기이고, 구성 원소로서 C, H, 및 O 만을 포함하며, 더욱 바람직하게는 1가 C1-50 탄화수소기이다. 상기 R1 에 대한 바람직한 기의 예로서, 기타 중에서 메틸, 에틸, 프 로필, 부틸, 페닐, 벤질, 펜에틸, 비닐, 알릴, 글리시딜,
Figure 112003023271170-pct00020
가 언급될 수 있다.
추가적으로, 상기 화학식 (I)에서의 R1 에 관하여, 개선된 반응성의 관점에서, 3 개의 R1 중 하나 이상이 바람직하게는 하기 식의 하나 이상의 기를 포함하는 1가 C1-50 유기기:
Figure 112003023271170-pct00021
,
더욱 바람직하게는 하기 식의 하나 이상의 기를 포함하는 1가 C1-50 유기기이다:
Figure 112003023271170-pct00022
(식 중, R10 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타냄).
더더욱 바람직하게는, 상기 화학식 (I) 의 3 개의 R1 중 둘 이상은 각각 하기 화학식 (II) 로 표시되는 기이다:
[화학식 II]
Figure 112003023271170-pct00023
(식 중, R2 는 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 48 의 2가 유기기를 나타내고; R3 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내며; 복수의 R2 및 R3 각각은 동일하거나 상이할 수 있음).
상기 화학식 (II) 에서의 R2 는 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 48 의 2가 유기기인 한편, 수득된 경화물의 개선된 내열성의 관점에서, 바람직하게는 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 20 의 2가 유기기, 더욱 바람직하게는 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 10 의 2가 유기기, 더더욱 바람직하게는 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 4 의 2가 유기기이다. 그러한 바람직한 기 R2 의 예로서, 기타 중에서 하기가 언급될 수 있다:
Figure 112003023271170-pct00024
추가적으로, 상기 화학식 (II) 에서 R2 에 관해, 수득된 경화물의 개선된 내열성의 관점에서, R2 는 바람직하게는 직접 결합 또는 2 이하의 산소 원자를 함유하는 2가 C1-48 유기기이고, 구성 원소로서 C, H 및 O 만을 포함하고, 더욱 바람직하게 는 직접 결합 또는 2가 C1-48 탄화수소기이다. R2 에 대한 그러한 바람직한 기의 예로서, 기타 중에서 하기가 언급될 수 있다:
Figure 112003023271170-pct00025
상기 화학식 (II) 에서의 R3 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내지만, 개선된 반응성의 관점에서, 수소 원자가 바람직하다.
그러나, 화학식 (I) 로 표시되는 유기 화합물의 상기 바람직한 예에 관해서도, 각 화합물은 각 분자내에 SiH 기와 반응할 수 있는 둘 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 것이 필수적으로 필요하다. 개선된 내열성의 관점에서, 더욱 바람직하게는 상기 유기 화합물은 각 분자에서 SiH 기와 반응할 수 있는 3 개 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는다.
상기 화학식 (I) 로 표시되는 유기 화합물은 기타 성분과 균일하게 혼화될 수 있도록 및 만족스러운 작업성을 위하여, 바람직하게는 100℃ 이하의 온도에서 유동성을 갖는 화합물이다. 실제적으로 분자량에 제한이 없으므로, 50 내지 100,000 범위내의 화합물이 유리하게 사용될 수 있다. 분자량이 100,000 을 초과한다면, 그 소재는 일반적으로 작업성에 간섭하는 고점성을 가지며, 추가적으로, 탄소-탄소 이중 결합과 SiH 기 사이의 반응으로 인한 가교의 효과가 쉽게 발현되지 않을 것이다.
화학식 (I) 의 상기 유기 화합물의 바람직한 화학종은 기타 중에서 트리알릴 이소시아누레이트,
Figure 112006091138057-pct00026

Figure 112006091138057-pct00062
를 포함한다.
화학식 (I) 로 표시되는 이들 유기 화합물은 각각 독립적으로 또는 둘 이상의 화학종의 혼합물로서 사용될 수 있다.
성분 (β2) 에 관해
이제 성분 (β2) 가 기재된다.
본 발명에 따른 성분 (β2)로서 각 분자내에 둘 이상의 SiH기를 갖는 고리형 폴리유기실록산은 특별히 한정되지 않지만, 성분 (α2) 와의 양호한 혼화성의 관점으로부터, 하기 화학식 (IV) 로 표시되는 각 분자내에 둘 이상의 SiH 기를 갖는 고리형 폴리유기실록산이 바람직하다:
[화학식 IV]
Figure 112003023271170-pct00027
(식 중, R9 는 탄소수 1 내지 6 의 유기기를 나타내며; n 은 3 내지 10 의 수를 나타냄). 화학식 (IV) 로 표시되는 화합물에서 치환기 R9 는 바람직하게는 C, H, 및 O 를 포함하는 화합물, 더욱 바람직하게는 탄화수소기이다. 이용가능성의 관점에서, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산이 특히 바람직하다.
성분 (β2)의 이들 다양한 화학종은 각각 독립적으로 또는 2 이상의 다른 화학종의 혼합물로서 사용될 수 있다.
성분 (α2)와 성분 (β2)의 반응에 관해
상기 성분 (α2)와 성분 (β2)의 혼합비는 특별히 한정되지 않지만, 수득되는 성분 (B2)와 상기 성분 (A) 의 히드로실릴화에 의해 수득될 수 있는 경화물의 강도를 고려하고, 성분 (B2)의 SiH 함량이 더 높을수록, 경화 강도가 더 커지는 것을 참고하여, 일반적으로 상기 성분 (α2)에서의 SiH 기와 반응할 수 있는 탄소-탄 소 이중결합의 수 (X) 와 상기 성분 (β2) 에서 SiH 기의 수 (Y)의 비는 바람직하게는 1≤Y/X≤5, 더욱 바람직하게는 2≤Y/X≤3.5 이다.
이제, 성분 (α2)와 성분 (β2)의 히드로실릴화 반응에서의 사용을 위한 촉매로서, 기타 중에서 하기 촉매가 사용될 수 있다. 예를 들어, 백금 금속, 알루미나, 실리카 또는 카본 블랙과 같은 담체상에 지지된 고체 백금, 염화백금산, 염화백금산과 알콜, 알데히드, 또는 케톤의 착물, 백금-올레핀 착물(예, Pt(CH2=CH2)2(PPh3)2, Pt(CH2=CH2 )2Cl2), 백금-비닐실록산 착물(예, Pt(ViMe2SiOSiMe2Vi)n, Pt[(MeViSiO)4]m), 백금-포스핀 착물(예, Pt(PPh3)4, Pt(PBu3)4), 백금-포스피트 착물(예, Pt[P(OPh)3]4, Pt[P(OBu) 3]4)(식 중, Me 는 메틸을 나타내고, Bu 는 부틸을 나타내며, Vi 는 비닐을 나타내고, Ph 는 페닐을 나타내며, n 및 m 은 각각 정수임), 디카르보닐디클로로백금, 카르스테트 촉매, Ashby 에 의해 등록된 USP 3159601 및 3159662 에 기재된 백금-탄화수소 착물, 및 Lamoreaux 에 의해 등록된 USP 3220972 에 개시된 백금 알콜레이트 촉매가 언급될 수 있다. 게다가, Modic 에 의해 등록된 USP 3516946 에 개시된 백금 클로리드-올레핀 착물이 또한 본 발명의 목적에 유용하다.
백금 화합물 이외의 촉매로서, RhCl(PPh)3, RhCl3, RhAl2O3, RuCl3, IrCl3, FeCl3, AlCl3, PdCl2·2H2O, NiCl2, TiCl4 , 등이 예로서 언급될 수 있다.
이들 중, 염화백금산, 백금-올레핀 착물, 및 백금-비닐실록산 착물 등이 촉 매 활성의 관점에서 바람직하다. 게다가, 이들 촉매는 둘 이상의 화학종의 조합으로 또는 각각 독립적으로 사용될 수 있다.
촉매의 첨가 수준은 특별히 한정되지 않지만, 충분한 경화성을 보장하고 경화 조성물이 상대적으로 저가를 유지하기 위하여, SiH 몰 당 촉매의 양은 바람직하게는 10-1 내지 10-8 몰, 더욱 바람직하게는 10-2 내지 10-6 몰 범위내이다.
경화성 조성물 중의 성분 (A) 에 관해
이제 본 발명에 따른 성분 (A) 가 기재된다.
성분 (A) 는 각 분자내에 SiH기와 반응할 수 있는 둘 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 유기 골격을 포함하는 유기 화합물이다. 유기 골격은 바람직하게는 실록산 단위(Si-O-Si)를 포함하지 않는 골격, 예컨대 폴리실록산-유기 블락 공중합체 또는 폴리실록산-유기 그래프트 공중합체이지만, 구성 원소로서 C, H, N, O, S 및 할로겐만을 포함하는 골격이다. 실록산 단위가 함유되는 경우, 기체 투과성 및 시싱(cissing)과 같은 문제와 직면한다.
성분 (A) 에 대해, 이의 구조가 골격 부분 및 SiH기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합을 가지며, 공유 결합(경우에 따라 2가 또는 다가 치환기를 통해)에 의해 상기 골격 부분에 결합되는 기(알케닐기)로 나누어 표시될 때, 알케닐기(들)는 분자내에 임의의 위치에 존재할 수 있다.
유기 화합물로서 성분 (A) 의 골격은 특별히 한정되지 않지만, 유기 중합체 골격 및 유기 단량체 골격 중 어느 것일 수 있다.
유기 중합체 골격은 폴리에테르형, 폴리에스테르형, 폴리아크릴레이트형, 폴리카르보네이트형, 포화 탄화수소형, 폴리아크릴레이트 에스테르형, 폴리아미드형, 페놀-포름알데히드형(페놀성 수지형), 및 폴리이미드형 골격을 포함한다.
유기 단량체 골격은 방향족 탄화수소형 골격, 예컨대 페놀, 비스페놀, 벤젠 및 나프탈렌 골격, 지방족 탄화수소형 골격, 및 이들의 혼합물을 포함한다.
성분 (A) 의 알케닐기는 각각이 SiH 기와 반응성인 한 특별히 한정되지 않지만, 반응성의 관점에서, 하기 화학식 (III) 으로 표시되는 알케닐기:
[화학식 III]
Figure 112003023271170-pct00028
(식 중, R4 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내며; 복수의 R4 는 동일하거나 상이할 수 있음)가 적합하다. 출발 소재의 이용가능성의 관점에서, 하기 기가 특히 바람직하다:
Figure 112003023271170-pct00029
추가적으로, 성분 (A) 의 알케닐기에 관해, 하기 화학식 (V) 로 표시되는 알케닐기가 경화물의 내열성이 높다는 점에서 유리하다:
Figure 112003023271170-pct00030
(식 중, R11 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타냄). 게다가, 출발 소재의 이용가능성의 관점에서, 하기 기가 특히 바람직하다:
Figure 112003023271170-pct00031
.
알케닐기는 2가 또는 다가 치환기를 통해 공유 결합으로 성분 (A) 의 골격 부분에 결합될 수 있으며, 이 2가 또는 다가 치환기는 이것이 탄소수가 0 내지 10 인 치환기인한 특별히 제한되지 않으며, 바람직하게는 구성 원소로서 C, H, N, O, S 및 할로겐만을 포함하는 기이다. 그러한 치환기의 예로서, 하기를 언급할 수 있다:
Figure 112003023271170-pct00032
둘 이상의 이들 2가 또는 다가 치환기는 공유 결합으로 서로 결합되어 하나 의 2가 또는 다가 치환기를 구성할 수 있다.
공유 결합으로 골격 부분에 결합될 수 있는 기의 예로서, 비닐, 알릴, 메탈릴, 아크릴, 메타크릴, 2-히드록시-3-(알릴옥시)프로필, 2-알릴페닐, 3-알릴페닐, 4-알릴페닐, 2-(알릴옥시)페닐, 3-(알릴옥시)페닐, 4-(알릴옥시)페닐, 2-(알릴옥시)에틸, 2,2-비스(알릴옥시메틸)부틸, 3-알릴옥시-2,2-비스(알릴옥시메틸)프로필,
Figure 112003023271170-pct00033
(n 은 2≤n≤5를 만족하는 수임),
Figure 112003023271170-pct00034
(R은 하기로부터 선택된 2가기를 나타냄:
Figure 112003023271170-pct00035
), 및
Figure 112003023271170-pct00036
(n 은 0 내지 4 의 수임)를 언급할 수 있다.
성분 (A)로서, 상술된 것처럼 골격 부분 및 알케닐기로 적절하게 구분되어 표현될 수 없는 저분자량 화합물이 또한 사용될 수 있다. 직전에 언급된 저분자량 화합물은 지방족 사슬형 폴리엔 화합물, 예컨대 부타디엔, 이소프렌, 옥타디엔, 데카디엔 등, 지방족 고리형 폴리엔 화합물, 예컨대 시클로펜타디엔, 시클로옥타디엔, 디시클로펜타디엔, 트리시클로펜타디엔, 노르보르나디엔, 트리알릴 이소시아누레이트, 트리비닐시클로헥산, 등 및 치환된 지방족 시클로올레핀 화합물, 예컨대 비닐시클로펜텐, 비닐시클로헥센 등을 포함한다.
강화된 내열성의 관점에서, 상기 성분 (A) 는 성분 (A) 그램 당 0.001 몰 이상, 더욱 바람직하게는 0.005 몰 이상, 특히 바람직하게는 0.008 몰 이상의 비율로, SiH기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합을 함유해야 한다.
특정한 예로서, 기타 중에서 부타디엔, 이소프렌, 비닐시클로헥센, 시클로펜타디엔, 디시클로펜타디엔, 시클로헥사디엔, 데카디엔, 디알릴 프탈레이트, 트리메틸롤프로판 디알릴 에테르, 펜타에리트리톨 트리알릴 에테르, 디비닐벤젠(50 내지 100 % 순도, 바람직하게는 80 내지 100% 순도), 1,3-디이소프로페닐벤젠, 및 1,4-디이소프로페닐벤젠, 이의 올리고머, 1,2-폴리부타디엔(1,2=10 내지 100%, 바람직 하게는 1,2=50 내지 100%), 트리알릴 이소시아누레이트, 트리비닐시클로헥산,
Figure 112003023271170-pct00037
(R 은 하기중에서 선택된 2가기를 나타냄:
Figure 112003023271170-pct00038
),
Figure 112003023271170-pct00039
(n≒1)가 언급될 수 있다.
또한, 성분 (A) 에 관해, 낮은 복굴절률 및 낮은 광탄성률과 같은 유리한 광학 특성의 관점에서, 성분 (A) 에서 방향족 환의 중량 백분율은 바람직하게는 50 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 40 중량% 이하, 더더욱 바람직하게는 30 중량% 이하이다. 가장 바람직하게는 성분 (A) 는 방향족 환을 함유하지 않는다.
최소의 착색 및 높은 광학 투명성, 및 경화물의 빛에 의한 착색에 대한 높은 저항성의 관점에서, 바람직한 성분 (A) 는 비닐시클로헥센, 디시클로펜타디엔, 트리알릴 이소시아누레이트, 또는 트리비닐시클로헥산이며, 이들 중에서 트리알릴 이소시아누레이트 또는 트리비닐시클로헥산이 더더욱 바람직하다.
성분 (A) 에서 SiH 기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합의 수는 분자당 2 이상일 필요가 있지만, 내열성에서의 추가적인 개선을 달성하려는 관점에서는, 바람직하게는 2 초과, 더욱 바람직하게는 3 이상, 특히 바람직하게는 4 이상이다. 성분 (A) 에서 SiH 기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합의 수가 각 분자에서 1 이하이면, 성분 (B)와의 반응은 단지 그래프트 구조를 나타내며, 가교 구조를 수득하지는 않는다.
기타 성분과의 균일한 블렌딩을 달성하고 양호한 작업성을 위하여, 성분 (A) 는 바람직하게는 100℃ 이하의 온도에서 유체인 화합물이다. 선형 화합물 및 분지형 화합물 중 어느 것이든 가능하며, 이의 분자량이 특별히 한정되지 않지만, 50 내지 100,000 의 범위내의 분자량을 갖는 화합물이 유리하게 사용될 수 있다. 분자량이 100,000 을 초과하면, 일반적으로 소재의 점성이 너무 커서 작업성을 보장할 수 없으며, 동시에 알케닐과 SiH 와의 반응으로 인한 가교 효과가 거의 발현되지 않는다.
또한, 성분 (B) 와의 반응성이 증가될 수 있도록, 성분 (A) 는 바람직하게는 분자내에 SiH와 반응할 수 있는 하나 이상의 비닐기를 갖는 유기 골격을 포함하는 유기 화합물이고, 더욱 바람직하게는 분자내에 둘 이상의 비닐기를 갖는 유기 골격을 포함하는 유기 화합물이다.
추가적으로, 성분 (B) 와의 반응성이 증가될 수 있도록, 성분 (A) 는 바람직하게는 분자내에 SiH 와 반응할 수 있는 하나 이상의 알릴기를 갖는 유기 골격을 포함하는 유기 화합물이며, 더욱 바람직하게는 분자내에 둘 이상의 알릴기를 갖는 유기 골격을 포함하는 유기 화합물이다.
시판성의 관점에서 바람직한 성분 (A) 로서, 폴리부타디엔, 비닐시클로헥센, 시클로펜타디엔, 디시클로펜타디엔, 디비닐비페닐, 트리알릴 이소시아누레이트, 트리비닐시클로헥산, 및 비스페놀 A 디알릴 에테르가 언급될 수 있다.
바람직한 성분 (A) 는 각 분자내에 SiH기와 반응할 수 있는 2 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 유기 화합물이며, 이는 하기 화학식 (I) 로 표현될 수 있다:
[화학식 I]
Figure 112003023271170-pct00040
[식 중, R1 은 탄소수 1 내지 50 의 1가 유기기를 나타내며, 복수의 R1 은 동일하거나 상이할 수 있음].
기체 투과성 및 시싱의 문제가 없는 관점에서, 상기 유기 화합물은 폴리실록산-유기 블락 공중합체 및 폴리실록산-유기 그래프트 공중합체이지만, 구성 원소로서 C, H, N, O, S 및 할로겐만을 포함하므로, 실록산 단위(Si-O-Si) 를 함유하지 않는 것이 바람직하다.
수득된 경화물의 더더욱 높은 내열성의 관점에서, 상기 화학식 (I) 에서의 R1 은 바람직하게는 탄소수 1 내지 20 의 1가 유기기이고, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 내지 10 의 1가 유기기이며, 더더욱 바람직하게는 탄소수 1 내지 4 의 1가 유기기이다. R1 의 바람직한 화학종은 기타 중에서 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페 닐, 벤질, 펜에틸, 비닐, 알릴, 글리시딜,
Figure 112003023271170-pct00041
을 포함한다.
수득된 경화물의 다양한 종류의 소재로의 개선된 접착성의 관점에서, 상기 화학식 (I) 에서의 3 개의 R1 중 하나 이상은 바람직하게는 하나 이상의 에폭시기를 가지는 탄소수 1 내지 50 의 1가 유기기이고, 더욱 바람직하게는 하기 식으로 표시되는 하나 이상의 에폭시기를 가지는 탄소수 1 내지 50 의 1가 유기기이다:
Figure 112003023271170-pct00042
.
R1 의 바람직한 예로서, 기타 중에서, 글리시딜,
Figure 112003023271170-pct00043
을 언급할 수 있다.
또한, 상기 화학식 (I) 에 관하여, 수득된 경화물의 열에 대한 화학적 안정성의 관점에서, R1 은 바람직하게는 2 개 이하의 산소 원자를 가지며 탄소수 1 내지 50 의 1가 유기기이고, 구성 원소로서 C, H 및 O 만을 포함하고, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 내지 50 의 1가 탄화수소기이다. R1 의 바람직한 구체예로서, 기타 중에서, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페닐, 벤질, 펜에틸, 비닐, 알릴, 글리시 딜,
Figure 112006091138057-pct00063
를 언급할 수 있다.
개선된 반응성의 관점에서, 상기 화학식 (I) 에서 3 개의 R1 중 하나 이상은 하기 식으로 표시되는 하나 이상의 기를 가지며 탄소수 1 내지 50 의 1가 유기 기이고:
Figure 112003023271170-pct00045
,
더욱 바람직하게는 하기 식으로 표시되는 하나 이상의 기를 가지며, 탄소수 1 내지 50 의 1가 유기기이다:
Figure 112003023271170-pct00046
(식 중, R10 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타냄).
더더욱 바람직한 것은 상기 화학식 (I) 에서 3 개의 R1 중 2 이상은 하기 화학식 (II) 로 표시되는 기인 경우이다:
[화학식 II]
Figure 112003023271170-pct00047
(식 중, R2 는 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 48 의 2가 유기기를 나타내며; R3 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고; 복수의 R2 및 R3 각각은 동일하거나 상이할 수 있음).
상기 화학식 (II) 에서의 R2 는 상기에서 정의된 것처럼 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 48 의 2가 유기기를 나타내는 한편, 수득되는 경화물에서 달성될 수 있는 더욱 큰 내열성의 관점에서, 바람직하게는 탄소수 1 내지 20 의 2가 유기기 또는 직접 결합이며, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 내지 10 의 2가 유기기 또는 직접 결합이고, 더더욱 바람직하게는 탄소수 1 내지 4 의 2가 유기기 또는 직접 결합이다. R2 의 바람직한 예로서, 기타 중에서 하기가 언급될 수 있다:
Figure 112003023271170-pct00048
수득된 경화물의 열에 대한 개선된 화학 안정성의 관점에서, 상기 화학식 (II) 에서 R2 는 바람직하게는 직접 결합 또는 최대 2 개의 산소 원자를 함유하는 2가 C1-48 유기기이고, 구성 원소로서 C, H 및 O 만을 포함하고, 더욱 바람직하게는 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 48 의 2가 탄화수소기이다. R2 의 바람직한 예로서, 기타 중에서 하기를 언급할 수 있다:
Figure 112003023271170-pct00049
.
상기 화학식 (II) 에서의 R3 는 수소 원자 또는 메틸기인 한편, 개선된 반응성의 관점에서 수소 원자가 바람직하다.
화학식 (I) 로 표시되는 유기 화합물의 그러한 바람직한 예는 각 분자내에 SiH 기와 반응할 수 있는 2 개 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 필수적으로 함유해야 한다. 개선된 내열성의 관점에서, 유기 화합물은 더욱 바람직하게는 분자내에 SiH 기와 반응할 수 있는 3 개 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물이다.
성분 (A) 는 바람직하게는 분자량 900 미만이고, 점도가 1,000 포이즈 미만 이며, 각 분자내에 1 내지 6 개의 비닐기를 함유하는 유기 화합물이다.
반응성과 저장 안정성의 균형의 관점에서, 성분 (A) 는 바람직하게는 분자내에 1 내지 6 개의 비닐기를 함유하는 화합물, 더욱 바람직하게는 2 이상의 비닐기를 함유하는 화합물 또는 최대 4 개의 비닐기를 함유하는 화합물로부터 선택된다. 동시적으로, 상기 비닐기는 화학식 CH2=CH- 로 표시되는 1가기이고, 이 비닐기는 경우에 따라 SiH와 반응할 수 있는 상기 탄소-탄소 이중 결합에 상응하거나 상응하지 않을 수 있다.
취급 용이성 및 경화물의 내열성 및 전기적 특성의 관점에서, 성분 (A) 의 분자량은 바람직하게는 900 미만, 더욱 바람직하게는 700 미만, 더더욱 바람직하게는 500 미만이다.
취급 용이성 및 가공성의 관점에서, 성분 (A) 의 점도는 바람직하게는 1,000 포이즈 미만, 더욱 바람직하게는 300 포이즈 미만, 더더욱 바람직하게는 30 포이즈 미만이다. 상기에 언급된 것처럼, 성분 (A) 의 점도는 23℃에서의 점도값이고, E-형 점도계(예를 들어, Tokyo Instruments Co.)로 측정할 수 있다. 측정 회전자에 관해, 1°34'(48 dia.) 회전자가 사용될 수 있다. 회전 속도에 관해, 0.5 rpm, 1 rpm, 2.5 rpm, 5 rpm, 10 rpm, 20 rpm, 50 rpm, 및 100 rpm 중에서 선택된 속도를 10 내지 90 번 읽는 것이 사용될 수 있다.
기타 성분과의 균일한 블렌딩 및 양호한 작업성을 보장하기 위하여, 상기 화학식 (I) 로 표시되는 유기 화합물은 바람직하게는 100 ℃ 이하의 온도에서 유체인 화합물이다. 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 50 내지 100,000 의 범위가 유리하다. 분자량이 100,000 을 초과한다면, 소재는 일반적으로 너무 점성이어서 양호한 작업성을 보장할 수 없게 되고, 동시에 탄소-탄소 이중 결합과 SiH 기 사이의 반응으로 인한 가교 효과가 거의 발현되지 않는 경향이 있다.
화학식 (I) 로 표시되는 유기 화합물의 바람직한 예로서, 기타 중에서 트리알릴 이소시아누레이트,
Figure 112003023271170-pct00050
가 언급될 수 있 다.
이들 화학식 (I) 의 유기 화합물은 각각 독립적으로 사용될 수 있으며, 또는 둘 이상의 다른 화학종의 혼합물로서 사용될 수 있다.
성분 (A) 의 예로서 트리알릴 이소시아누레이트가 다양한 대안적인 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 기타 중에서 일본 특허 공보 제 2000-109314 호, 일본 특허 공보 제 2000-119016 호, 일본 특허 공보 제 평11-255753 호, 일본 특허 공보 제 평09-208564 호, 일본 특허 공보 제 평08-259711 호, 일본 특허 공보 제 평04-321655 호, 일본 특허 공보 제 평04-49284 호, 일본 특허 공보 제 소62-48671 호, 일본 특허 공보 제 소62-45578 호, 일본 특허 공보 제 소58-85874 호, 일본 특허 공보 제 소57-200371 호, 일본 특허 공보 제 소54-130591 호, 일본 특허 공보 제 소53-92791 호, 일본 특허 공보 제 소50-95289 호, 일본 특허 공보 제 소48-26022 호, 일본 특허 공보 제 소47-22588 호, 일본 특허 공보 제 소47-14395 호, 일본 특허 공보 제 소43-29395 호, 일본 특허 공보 제 소45-15981 호, 일본 특허 공보 제 43-29146 호, USP 3376301, USP 3322761, SUP1121260, SUP1121259, SUP765265, DEP2126296, 및 Bull. Chem. Soc. Jpn. 39(9), p.1922, 1966 가 사용될 수 있다.
필요할 경우 성분 (A) 의 예로서 트리알릴 이소시아누레이트가 정제될 수 있다. 정제 기술은 기타 중에서 진공 증류, 산성수, 알칼리수 및/또는 중성수로의 세척, 실리카겔, 활성탄, 알루미늄 실리케이트 등과 같은 흡착제를 사용하는 흡착 처리, 예를 들어 분자체와 같은 건조제로의 처리, 및 톨루엔과의 공비로의 탈수 를 포함한다.
상기 성분 (A) 와 성분 (B) 의 블렌드 비는 필요한 강도가 달성될 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 상기 성분 (A) 에서 SiH기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합의 수 (X) 와 상기 성분 (B) 에서 SiH기의 수 (Y) 의 비는 바람직하게는 0.5≤Y/X≤2 이다. 2<Y/X 또는 Y/X<0.5 인 경우, 충분한 경화성이 발현될 수 없으므로, 충분한 강도 및 내열성이 수득될 수 없다.
경화성 조성물에서 성분 (C) 에 관해
사용될 수 있는 히드로실릴화 촉매 (C) 는 기타 중에서 하기 촉매를 포함한다: 백금 금속, 담체, 예컨대 알루미나, 실리카 또는 카본 블랙상에 지지된 고체 백금, 염화 백금산, 염화 백금산과 알콜, 알데히드, 또는 케톤의 착물, 백금-올레핀 착물(예, Pt(CH2=CH2)2(PPh3)2, Pt(CH2 =CH2)2Cl2), 백금-비닐실록산 착물(예, Pt(ViMe2SiOSiMe2Vi)n, Pt[(MeViSiO)4]m), 백금-포스핀 착물(예, Pt(PPh3)4, Pt(PBu3)4), 백금-포스피트 착물 (예, Pt[P(OPh)3]4, Pt[P(OBu) 3]4)(식 중, Me 는 메틸을 나타내고, Bu 는 부틸을 나타내며, Vi 는 비닐을 나타내고, Ph 는 페닐을 나타내며, n 및 m 은 각각 정수를 나타냄), 디카르보닐디클로로백금, 카르스테트 촉매, Ashby 에 의해 등록된 USP 3159601 및 3159662 에 기재된 백금-탄화수소 착물, 및 Lamoreaux 에 의해 등록된 USP 3220972 에 개시된 백금 알콜레이트 촉매. 게다가, Modic 에 의해 등록된 USP 3516946 에 개시된 백금 클로리드-올레핀 착물이 또한 본 발명의 목적에 유용하다.
백금 화합물 이외의 촉매로서, RhCl(PPh)3, RhCl3, RhAl2O3, RuCl3, IrCl3, FeCl3, AlCl3, PdCl2·2H2O, NiCl2, TiCl4 , 등이 예로서 언급될 수 있다.
이들 중, 염화백금산, 백금-올레핀 착물, 및 백금-비닐실록산 착물 등이 촉매 활성의 관점에서 유리하게 사용될 수 있다. 이들 촉매는 둘 이상의 화학종의 조합으로 또는 각각 독립적으로 사용될 수 있다.
성분 (C)의 첨가 수준은 특별히 한정되지 않지만, 충분한 경화성을 보장하고 경화 조성물이 상대적으로 저가를 유지하기 위하여, SiH 몰 당 성분 (C)의 양은 바람직하게는 10-1 내지 10-8 몰, 더욱 바람직하게는 10-2 내지 10-6 몰 범위내이다.
경화성 조성물의 첨가물
본 발명의 조성물의 저장 안정성을 개선시키거나 제조 단계에서 히드로실릴화 반응의 반응 속도를 조정하기 위한 목적으로, 경화 지연제가 사용될 수 있다. 경화 지연제는 기타 중에서 지방족 불포화 결합, 유기인 화합물, 유기황 화합물, 질소-함유 화합물, 주석 화합물, 및 유기 퍼록시드를 포함하고, 이들은 조합되어 사용될 수 있다. 지방족 불포화 결합을 함유하는 화합물로서, 기타 중에서 프로파르길 알콜 화합물, 엔-인 화합물, 및 말레산 에스테르를 언급할 수 있다. 상기에서 언급된 유기인 화합물은 트리오르가노포스핀, 디오르가노포스핀, 오르가노포스폰, 트리오르가노포스피트 등을 포함한다. 유기황 화합물은 기타 중에서 오르가노머캅탄, 디오르가노술피드, 황화 수소, 벤조티아졸 및 벤조티아졸 디술피드 등을 포함한다. 질소-함유 화합물은 기타 중에서 암모니아, 1차 내지 3차 알킬아민, 아릴아민, 우레아 및 히드라진을 포함한다. 주석 화합물은 제1 주석 할리드 디히드레이트, 제 1 주석 카르복실레이트 등을 포함한다. 유기 퍼록시드는 디-t-부틸 퍼록시드, 디쿠밀 퍼록시드, 벤조일 퍼록시드, t-부틸 퍼벤조에이트 등을 포함한다.
이들 경화 지연제 중에서, 양호한 지연제 활성 및 출발 소재의 이용가능성의 관점에서 벤조티아졸, 티아졸, 디메틸 말레이트, 3-히드록시-3-메틸-1-부틴이 바람직하다.
경화 지연제의 첨가 수준은 바람직하게는 사용되는 히드로실릴화 촉매의 몰 당 10-1 내지 103몰, 더욱 바람직하게는 1 내지 50 몰이다.
필요하다면, 본 발명의 조성물은 무기 충전재와 함께 공급될 수 있다. 무기 충전재의 첨가는 조성물의 흐름을 예방하고 소재의 강도에 기여한다. 무기 충전재는 기타 중에서 바람직하게는 광학 특성을 저하시키지 않는 다양한 미립자, 예컨대 알루미나, 알루미늄 히드록시드, 융합 실리카, 결정성 실리카, 미립자 무정형 실리카 분말, 소수성 미립자 실리카 분말, 탈크, 및 황화 바륨이다.
충전재를 첨가하는 기술은 가수분해가능한 실란 단량체 또는 올리고머, 예컨대 알콕시실란, 아실옥시실란, 실란 할리드 등, 또는 금속 알콕시드, 아실옥시드 또는 할리드, 예를 들어 티타늄 또는 알루미늄의 알콕시드, 아실옥시드 또는 할리드를 본 발명의 조성물에 첨가하여, 그것이 조성물중에서 반응하거나 조성물의 부분적으로 반응된 상에서 반응하여, 무기 충전재가 조성물중에 형성되도록 하는 것 을 포함하는 방법을 포함한다.
본 발명의 조성물의 성능 특성을 개선할 목적으로, 다양한 열경화성 수지가 첨가될 수 있다. 열경화성 수지는 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 페놀성 수지, 폴리이미드 수지, 및 우레탄 수지를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 이들 중, 높은 투명성 및 높은 접착성과 같은 실제적으로 유용한 특성의 관점에서 투명한 에폭시 수지가 바람직하다.
투명한 에폭시 수지는 비스페놀 A 디글리시딜 에테르, 2,2'-비스(4-글리시딜옥시시클로헥실)프로판, 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 비닐시클로헥센 디옥시드, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)-5,5-스피로-(3,4-에폭시시클로헥산)-1,3-디옥산, 비스(3,4-에폭시시클로헥실)아디페이트, 1,2-시클로프로판디카르복실산 비스글리시딜 에스테르, 트리글리시딜 이소시아누레이트, 모노알릴디글리시딜 이소시아누레이트, 디알릴모노글리시딜 이소시아누레이트 등과 같은 그러한 에폭시 수지를 포함하고, 이들은 지방산 무수물, 예컨대 헥사히드로프탈산 무수물, 메틸헥사히드로프탈산 무수물, 트리알킬테트라히드로프탈산 무수물, 수소화 메틸 나딕산 무수물 등으로 경화된다. 이들 에폭시 수지 또는 경화제는 각각 독립적으로 사용될 수 있거나 이들의 복수가 조합되어 사용될 수 있다.
게다가, 본 발명의 조성물은 광 방출 다이오드 특성을 개선하기 위한 의도로 다양한 첨가제가 공급될 수 있다. 그러한 첨가제로서, 광 방출 장치로부터 빛을 흡수하여 장파장 형광 방출을 생성하는 세륨-활성화된 이트륨-알루미늄 가넷 시리즈 형광 물질과 같은 형광 물질, 특정한 파장의 빛을 흡수하는 청색화제(blueing agent)와 같은 착색 물질, 빛을 확산시키는 다양한 무기 또는 유기 확산제, 예컨대 티타늄 디옥시드, 알루미늄 옥시드, 실리카, 실리콘 옥시드, 예컨대 수정 유리, 탈크, 칼슘 카르보네이트, 멜라민 수지, CTU 구안아민 수지, 벤조구안아민 수지 등, 열 전도성 충전재, 예로서 유리, 금속 산화물, 예컨대 알루미노실리케이트, 및 금속 질화물, 예컨대 알루미늄 니트리드, 붕소 니트리드 등을 언급할 수 있다.
게다가, 본 발명의 조성물의 특성을 개선시킬 목적을 위해, 다양한 수지가 또한 첨가될 수 있다. 그러한 수지는 폴리카르보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리(비닐아세탈) 수지, 우레탄 수지, 및 폴리에스테르 수지를 포함하지만 이에 한정되지는 않는다.
본 발명의 조성물은 직접적으로 필름 등의 형태로 형성될 수 있지만, 또한 그것을 유기 용매에 용해시켜 바니시(varnish)로서 공급될 수도 있다. 사용될 수 있는 용매는 특별히 한정되지 않지만, 약간의 바람직한 예를 언급하면, 탄화수소 용매, 예컨대 벤젠, 톨루엔, 헥산, 헵탄 등, 에테르 용매, 예컨대 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산, 디에틸 에테르 등, 케톤 용매, 예컨대 아세톤, 메틸 에틸 케톤 등, 및 할로겐화 탄화수소 용매, 예컨대 클로로포름, 메틸렌 클로리드, 1,2-디클로로에탄 등을 포함한다. 용매로서, 2 이상의 상이한 용매 종류가 첨가혼합물로 사용될 수 있다. 바람직한 용매 종류는 톨루엔, 테트라히드로푸란, 및 클로로포름이다. 성분 (A) 의 그램 당 용매의 사용 수준은 바람직하게는 0 내지 10 mL, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5 mL, 특히 바람직하게는 1 내지 3 mL 이다. 용매의 양이 너무 작다면, 용매의 사용 효과, 예컨대 점도 감소가 충분히 발현되지 않을 수 있다. 양이 너무 크면, 용매는 소재내에 남아있는 경향이 있어, 열적 분열 뿐만 아니라 비용의 불이익과 같은 문제를 야기하여, 소재의 상업적 이용성을 저하시킨다.
본 발명의 조성물은 커플링제와 함께 공급될 수 있다. 커플링제는 예를 들어, 실란 커플링제를 포함한다. 실란 커플링제는 그것이 분자내에 유기기와 반응성인 하나 이상의 관능기 및 하나 이상의 가수분해가능한 실란-함유기를 갖는 화합물인 한 특별히 제한되지 않는다. 유기기와 반응성인 기는 취급의 용이성의 관점에서 바람직하게는 에폭시, 메타크릴, 아크릴, 이소시아네이트, 이소시아누레이트, 비닐 및 카르바메이트로부터 선택되는 하나 이상의 기이다. 경화성 및 접착성의 관점에서, 에폭시, 메타크릴 및 아크릴이 특히 바람직하다. 가수분해가능한 실리콘-함유기로서, 알콕시실릴기가 취급의 용이성 면에서 유리하며, 메톡시실릴 및 에톡시실릴이 반응성의 관점에서 특히 바람직하다.
바람직한 실란 커플링제는 에폭시 관능기 함유 알콕시실란, 예컨대 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시시란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 등; 및 메타크릴 또는 아크릴 관능기-함유 알콕시실란, 예컨대 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 메타크릴옥시메틸트리메톡시실란, 메타크릴옥시메틸트리에톡시실란, 아크릴옥시메틸트리메톡시실란, 아크릴옥시메틸트리 에톡시실란 등을 포함한다.
[성분 (A) + 성분 (B)] 의 100 중량부에 대한 실란 커플링제의 첨가 수준은 바람직하게는 0.1 내지 50 중량부, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 25 중량부이다. 0.1 중량부 미만이면, 기대되는 접착-개선 효과가 발현되지 않을 것이다. 50 중량부를 초과하면, 경화물의 물리적인 특성이 역효과를 받을 것이다.
상기 커플링제의 강화된 효과에 대해, 실란올 축합 촉매가 추가적으로 사용될 수 있고, 그러한 촉매와 함께, 접착의 강화 및/또는 안정화가 실현될 수 있다. 실란올 축합 촉매는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 알루미늄 화합물 및/또는 티타늄 화합물이다. 실란올 축합 촉매로서 제공될 수 있는 알루미늄 화합물은 알루미늄 알콕시드, 예컨대 알루미늄 트리이소프로폭시드, sec-부톡시알루미늄 디이소프로폭시드, 알루미늄 트리-sec-부톡시드, 등; 및 알루미늄 킬레이트 화합물, 예컨대 에틸 아세토아세테이트 알루미늄 디이소프로폭시드, 알루미늄 트리스(에틸 아세토아세테이트), Alumichelate M(Kawaken Fine Chemicals Co. 제품, 알킬 아세토아세테이트 알루미늄 디이소프로폭시드), 알루미늄 트리스(아세틸아세토네이트), 알루미늄 모노아세틸아세토네이트 비스(에틸 아세토아세테이트), 등을 포함하고, 취급 용이성의 관점에서, 알루미늄 킬레이트가 더 큰 이점으로 사용된다. 실란올 축합 촉매로서 제공될 수 있는 티타늄 화합물은 테트라알콕시티타늄, 예컨대 테트라이소프로폭시티타늄, 테트라부톡시티타늄 등; 티타늄 킬레이트 화합물, 예컨대 티타늄 테트라아세틸아세토네이트 등; 및 잔기로서 옥시아세트산 또는 에틸렌 글리콜을 갖는 공통 티타네이트 커플링제를 포함한다. 이들 실란올 축합 촉 매는 각각 독립적으로 사용될 수 있으며, 또는 둘 이상의 화학종의 조합으로 사용될 수 있다. 사용될 때, 실란올 축합 촉매의 사용 수준은 바람직하게는 실란 커플링제 100 중량부를 기준으로 0.1 내지 30 중량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 15 중량부이다. 실란올 축합 촉매의 사용 수준이 너무 낮다면, 기대되는 실란올 축합 촉매의 첨가 효과가 발현되지 않을 것이다. 이것이 너무 높다면, 국지적 발열 및 발포가 경화시 발생하여, 만족스러운 경화물을 수득하는 것에 실패할 것이다.
본 발명의 조성물은 추가적으로, 본 발명의 의도 및 효과를 해치지 않는 범위내에서, 노화 억제제, 라디칼 억제제, 자외선 흡수제, 접착 개선제, 난연 첨가제, 계면활성제, 저장 안정성 개선제, 오존 분해 억제제, 광 안정화제, 점성 증진제, 가소제, 항산화제, 열 안정화제, 전기 전도성 부여제, 정전기 방지제, 조사 차폐제, 기핵제, 인 계열 과산화물 분해제, 윤활제, 색소, 금속 이온 불활성화제, 물리적 특성 조절제, 및 기타 첨가제가 공급될 수 있다.
경화성 조성물의 물리적 특성
본 발명의 조성물은 상기 기재된 다양한 제형으로 제공되는 한편, 내열성의 관점에서 바람직한 조성물은 50℃ 이상, 더욱 바람직하게는 100℃ 이상, 특히 바람직하게는 120℃ 이상의 유리 전이 온도(Tg) 를 나타내는 경화물을 제공하는 조성물이다.
광학 소재
본 발명의 내용 중의 용어 "광학 소재" 는 일반적으로 그것을 통한 광, 예컨 대 가시광, 적외선, 자외선, X-선, 레이져 빔 등의 전달을 포함하는 활용에서 사용되는 소재를 의미한다.
더욱 구체적인 예로서, 광 방출 다이오드(LED) 의 봉합제가 언급될 수 있다.
게다가, 액정 표시장치 분야에서, 액정 표시장치 주변 소재, 예컨대 기판 소재, 광 가이드 판, 프리즘 시트, 편광기, 광학 지연 시트, 시야각 보정 필름, 접착제, 편광자 보호 필름 및 기타 액정용 필름이 또한 언급될 수 있다. 또한, 차세대 평판 표시장치로 기대되는 칼라 PDP(플라즈마 표시장치)에서의 사용을 위한 봉합제, 반사방지 필름, 광학 보정 필름, 하우징 소재, 전면 유리 보호 필름, 전면 유리용 대체 소재, 및 접착제; LED 장치 성형 소재, LED 용 봉합제, 전면 유리 보호 필름, 전면 유리용 대체 소재, 및 LED 표시장치용 접착제; 플라즈마 어드레스 액정(PALC) 표시장치용 기판 소재, 광 가이드 판, 프리즘 시트, 편광자, 광학 지연 시트, 시야각 보정 필름, 접착제 및 편광 보호 필름; 유기 EL(전기발광) 표시장치용 전면 유리 보호 필름, 전면 유리용 대체 소재, 및 접착제; 및 전계 방출 표시장치(FED)용 각종 필름 기판, 전면 유리 보호 필름, 전면 유리용 대체 소재 및 접착제가 언급될 수 있다.
광기록 분야에서의 용도는 VD(비디오 디스크), CD/CD-ROM, CD-R/RW, DVD-R/DVD-RAM, MO/MD, PD(상변화 광학 디스크), 광카드용 디스크 기판, 픽업 렌즈, 보호 필름, 봉합제, 접착제 등이 있다.
광기구 분야에서의 용도는 스틸 카메라의 렌즈 소재, 파인더 프리즘, 타켓 프리즘, 파인더 커버, 및 광수용 센서 뿐만 아니라 비디오 카메라의 사진 렌즈 및 파인더가 있다. 투영 텔레비젼 용도용 투영 렌즈, 보호 필름, 봉합제, 접착제 등 및 광센싱 기구용 렌즈 소재, 봉합제, 접착제, 필름 등이 또한 포함된다.
광학 부품 분야에서, 용도는 광통신 시스템용 광스위치의 주변 부품용 섬유 소재, 렌즈, 파장 가이드, 장치 봉합제, 접착제 등; 광 컨넥터의 주변부용 광학 섬유 소재, 페룰(ferrule), 봉합제, 접착제 등; 광-수동 부품 및 광학 회로 부품 중의 렌즈, 파장 가이드, LED 장치 봉합제, 접착제 등; 및 광전자 집적 회로(OEIC)의 주변부용 기판 소재, 섬유 소재, 장치 봉합제, 및 접착제를 포함한다.
광섬유 분야에서, 장식 표시장치용 조명 및 광 가이드 등; 산업용 센서; 표시장치, 라벨 등; 및 통신 인프라 및 가정용 디지탈 기기용 광섬유가 전형적인 용도로서 열거된다.
반도체 집적 회로용 주변 부품으로서, LSI 및 수퍼-LSI 소재용 마이크로리소그라피 레지스트 소재가 용도로서 열거될 수 있다.
자동차 및 운송 기계 분야에서, 자동차 램프 반사판, 베어링 축받이통(bearing retainer), 기어 부품, 부식방지 코팅, 스위치 부품, 헤드램프, 엔진 내부 부품, 전기 기계 부품, 각종 내외장재, 구동 엔진, 브레이크 오일 탱크, 자동차 녹방지 강철 시트, 내부 패널, 가구류, 보호/결속용 전선, 연료 호스, 자동차 램프, 유리 대용품 등이 열거될 수 있다. 게다가, 궤도 차량용의 적층 유리 및 항공기용 구조재의 점착성 부여재, 엔진 부품, 보호/결속용 전선 및 부식 방지 코팅이 언급될 수 있다.
건축 분야에서는, 내장/가공용 소재, 전기 커버 및 시트, 적층 유리용 중간막, 유리 대용품, 및 태양전지 주변 부품이 열거될 수 있다. 농업 분야에서, 하우스 커버 필름이 언급될 수 있다. 기타 중에서 차세대 광학/전기 관능 유기 소재에 관해, 유기 EL 장치 주변부, 유기 광굴절 장비, 광-광 전환 장치, 예컨대 광증폭 장치, 광계산 장치, 유기 태양 전지 주변 기판, 섬유 소재, 장치 봉합제 및 접착제가 언급될 수 있다.
광학 소재용 조성물의 경화 방법
본 발명의 광학 소재용 조성물은 미리 그의 성분을 블렌드하고 조성물 중에서 이용가능한 SiH기 일부 또는 전부와 조성물 중에서 SiH와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합을 야기시켜 광학 소재로 경화될 수 있다.
각종 블렌드 모드가 사용될 수 있지만, 바람직하게는 성분 (A) 및 성분 (C) 의 혼합물이 성분 (B)와 블렌드된다. 성분 (A) 및 성분 (B) 의 혼합물이 성분 (C)와 블렌드될 때, 반응 제어가 어렵다. 성분 (B) 및 성분 (C) 의 혼합물과 성분 (A) 의 블렌드 모드에서, 성분 (C) 의 존재하의 성분 (B)가 물과 반응성이므로, 저장 동안 분해가 발생하는 경향이 있다.
경화될 조성물의 반응시, 각 성분 (A), (B), 및 (C) 의 필요량은 한번에 모두가 반응하도록 블렌드될 수 있지만, 그들 일부가 제 1 장소에서 반응하고 그 후 나머지가 추가적인 반응을 위해 첨가되는 방법, 또는 성분을 블렌드하는 것을 포함하고, 반응 조건을 제어하거나 치환기의 반응성의 차이를 이용하여 조성물중의 관능기의 일부가 반응하도록 하고(B-스태깅), 조성물을 성형하고 최종적으로 그것을 경화시키는 방법이 이용된다. 이들 방법에서, 성형시 점성 조절이 이용된다.
경화 기술에 관해, 단지 블렌드 또는 가열하에 반응될 수 있다. 가열하에 반응을 수행하는 방법은 반응 속도가 높고 일반적으로 개선된 내열성의 소재가 수득될 수 있다는 점에서 바람직하다.
반응 온도는 자유롭게 설정될 수 있으며, 예를 들어 30 내지 300℃, 더욱 바람직하게는 100 내지 250℃, 더더욱 바람직하게는 150 내지 200℃ 일 수 있다. 반응 온도가 너무 낮다면, 충분한 정도의 반응을 수행하는데 요구되는 반응 시간이 연장된다. 반응 온도가 과도하게 증가되면, 성형 가공성이 저하되는 경향이 있다.
반응은 일정한 온도에서 수행될 수 있지만, 임의적으로 다단계 온도 또는 연속적으로 변화하는 온도에서 수행될 수 있다.
반응 시간 또한 자유롭게 설정될 수 있다.
반응 압력 또한 필요에 따라 자유롭게 설정될 수 있다. 따라서, 반응은 임의적으로 대기압, 고압 또는 저압에서 수행될 수 있다.
경화된 광학 소재는 다양한 형태를 가정할 수 있으며, 특별히 한정되지 않지만 필름, 시트, 튜브, 막대, 코팅 필름 및 벌크와 같은 형태로 제공될 수 있다.
사용될 수 있는 성형 기술은 열경화성 수지를 성형하는 통상적인 방법을 포함하는 다양한 방법을 포함한다. 따라서, 예를 들어, 캐스팅, 프레스-성형, 몰드-캐스팅, 트랜스퍼 몰딩, 코팅, RIM, 및 기타 방법이 이용될 수 있다. 캐스팅 몰드로서, 기타 중에서 연마 유리, 강 스텐레스 연마판, 폴리카르보네이트 시트, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트) 시트, 및 폴리(메틸 메타크릴레이트) 시트가 사 용될 수 있다. 개선된 이형성을 위해, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트) 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리(비닐 클로리드) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리이미드 필름 등이 사용될 수 있다.
성형시, 필요에 따라 다양한 처리가 적용될 수 있다. 성형시 공극 형성의 억제를 위해, 그 자체로서의 조성물 또는 일부가 반응된 조성물이 원심분리, 압력 감소 등에 의해 변형될 수 있거나, 예를 들어 프레스-성형 압력이 공정동안 경감될 수 있다.
액정 표시장치 제조 방법
본 발명의 광학 소재를 사용하여 액정 표시장치가 제작될 수 있다.
그러한 적용에서, 본 발명의 광학 소재는 액정용 필름의 형태, 예를 들어 액정용 플라스틱 셀, 편광자, 광학 지연 시트, 편광 보호 필름 등으로 사용될 수 있으며, 그 외에 액정 표시장치는 통상적인 기술과 동일한 방식으로 제조될 수 있다.
광학 소재로서 투명 전기 전도성 필름의 용도에 대한 상세한 설명
본 발명에 따른 투명 전기 전도성 필름은 필수적으로 상기 성분 (A) 내지 (C)를 함유하는 경화성 조성물로부터 형성된 투명 필름과 이의 한면 이상에 배치된 투명 전기 전도성 층을 포함하는 필름이며, 임의의 두께, 외관, 형태 등에 특별히 한정되지 않는다.
본 발명의 내용에서 투명 전기 전도성 층은 투명 필름의 하나 이상의 면을 얇은 금속 필름, 얇은 반도체 필름 또는 다층 박막으로 덮어서 수득될 수 있는 투명 전기 전도성 필름이다. 예를 들어, 전체 표면, 한 면 또는 기타상에 형성될 수 있다.
얇은 금속 필름은 각종 금속, 예컨대 니켈, 티타늄, 크롬, 은, 아연, 알루미늄, 구리, 금 및 팔라듐의 박막을 포함한다. 반도체 필름은 금속 산화물의 박막, 예컨대 주석, 테루르, 카드뮴, 몰리브덴, 텅스텐, 불소 등으로 도포된 인듐 옥시드, 카드뮴 옥시드 및 산화 주석의 필름 및 알루미늄-도포된 산화 아연, 산화 티타늄 등의 필름을 포함한다. 특히 산화 주석(ITO) 2 내지 15 중량%를 함유하는 산화 인듐의 반도체 필름이 투명성 및 전기 전도성이 우수하고, 따라서, 유리하게 사용될 수 있다. 다층 박막, 즉 유전성 물질/금속/유전성 소재 구조의 필름이 예를 들어 산화 티타늄/금/산화 티타늄 필름일 수 있다.
투명 전기 전도성 층의 두께는 바람직하게는 5 내지 200 nm 이다. 두께가 5nm 미만이면, 균일한 필름이 용이하게 형성되지 않을 수 있다. 두께가 200 nm 초과이면, 투명성이 희생되는 경향이 있고, 또한 내굴곡성 및 내굽힘성이 악화될 수 있다.
그러한 투명 전도성 층을 형성하는 기술은 기타 기술 중 진공 증착법, 스퍼터링, 이온 도금 및 이온 빔 스퍼터링을 포함한다.
상기 투명 전도성 층용 기판으로서 투명 필름은 열경화성 수지를 성형하는 통상적인 방법을 포함하는 대안적인 다양한 방법에 의해 제조될 수 있다.
성형에 사용될 수 있는 소재로는 기타 중에서 연마 유리, 경질 스텐레스 연마판, 폴리카르보네이트 시트, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트) 시트, 및 폴리(메틸 메타크릴레이트) 시트를 포함한다. 게다가, 개선된 이형성을 위해, 폴리(에틸 렌 테레프탈레이트) 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리(비닐 클로리드) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리이미드 필름 등이 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 투명 전도성 필름은 기체 배리어 특성, 내스크래치성, 및 내화학성을 나타내기 위하여 맞추어진 관능성 박막 코팅을 가질 수 있다.
따라서, 다양한 열가소성 수지, 아미노, 이미노, 에폭시, 실릴 또는 기타 관능기를 갖는 열경화성 수지, 아크릴로일, 메타크릴로일, 비닐 또는 기타 기를 갖는 방사-경화성 수지, 또는 그러한 수지 및 각종 첨가제, 예컨대 중합 억제제, 왁스, 분산제, 안료, 용매, 염료, 가소제, UV 흡수제, 및/또는 유기 충전재의 혼합물을 포함하는 조성물이 적합한 코팅 방법, 예컨대 그라비어 롤 코팅, 메이여(Myer) 바 코팅, 리버스 롤 코팅, 딥 코팅, 및 에어 나이프 코팅, 칼렌더 코팅, 스퀴즈 코팅, 키스 코팅, 파운데이션 코팅, 분사 코팅 또는 스핀 코팅으로 적용될 수 있다. 게다가, 적용 후, 방사-경화 또는 열적 경화가 수행되어 경화된 박층을 제공할 수 있다. 또한, 프린팅이 되어야 할 때, 임의의 그라비어, 오프셋, 플렉소, 실크 스크린 및 기타 프린팅 시스템이 사용될 수 있다. 기체 봉합 특성 등을 부여하기 위한 목적을 위해, 주 성분(들)은 알루미늄, 규소, 마그네슘, 아연 등이며, 그러한 금속 산화물 층이 진공 증착, 스퍼터링, 이온 도금 또는 플라즈마 CVD 에 의해 형성될 수 있다.
기타 필름과의 적층이 또한 실행될 수 있다. 적층은 임의의 공지 기술로 만들어질 수 있다. 따라서, 열적 결합, 예컨대 열 봉합, 임펄스 봉합, 초음파 결합 및 고주파수 결합, 적층, 예컨대 압출 적층, 고용융 적층, 건조 적층, 습윤 적층, 무용매 접착 적층, 열적 적층 및 공압출 적층이 이용될 수 있다. 적층용 필름은 기타 중에서 폴리에스테르 수지 필름, 폴리(비닐 알콜) 수지 필름, 셀룰로스 수지 필름, 폴리(비닐 플루오리드) 수지 필름, 폴리(비닐리덴 클로리드) 수지 필름, 폴리아크릴로니트릴 수지 필름, 나일론 수지 필름, 폴리에틸렌 수지 필름, 폴리프로필렌 수지 필름, 아세테이트 수지 필름, 폴리이미드 수지 필름, 폴리카르보네이트 필름 및 폴리아크릴레이트 필름을 포함한다.
본 발명에 따른 투명 필름의 적용으로서, 하기 용도를 언급할 수 있다.
표시장치 용도: 막 스위치, 액정 표시장치(광학 지연 필름, 편광자 필름, 플라스틱 액정 셀), 전기발광, 전기변색, 전기영동 표시장치, 플라즈마 표시장치 패널, 전계 방출 표시장치, 백라이트용 확산 필름, 칼라 필터.
기록 용도: 정전기 기록 기판, OHP, 제 2 원도(mother print), 슬라이드 필름, 마이크로필름, X-선 필름.
광/자기 메모리 용도: 열가소성 기록, 강자성 메모리, 자기 테이프, ID 카드, 바 코드.
정전기방지 용도: 계측기의 윈도우, TV 양극선 관, 무균실 윈도우, 반도체 포장 소재, VTR 테이프, 포토마스크용 방진 필름.
전자기 차폐 용도: 측정 기구, 의료 장비, 방사 검출기, IC 부품, CRT, 액정 표시장치.
광전기 전환 용도: 태양 전지 윈도우, 광증폭기, 광센서.
열선-반사 용도: 창(건물, 자동차 등), 백열등, 조리 오븐 윈도우, 퍼니스 포트홀(furnace porthole), 선택적 투과막.
판상 히터 용도: 서리 제거 장치, 에어크래프트, 자동차, 냉동기, 인큐베이터, 고글, 의료 장비, 액정 표시장치.
전기 부품/회로 소재 용도: 컨덴서, 레지스터, 박막 복합 회로, 무연 LSI 칩 캐리어 실장.
전극 용도: 페이퍼 전지용 전극.
광 투과 여과기 용도: 자외선 컷 여과기, 자외선 투과 여과기, 자외선 투과/가시광 흡수 여과기, 파장-선택성 여과기, 광 균형 여과기, 중성 밀도 여과기, 콘트라스트 여과기, 파장 보정 여과기, 간섭 여과기, 적외선 투과 여과기, 적외선 컷 여과기, 열선-흡수 여과기, 열선-반사 여과기.
선택성 기체-투과막 용도: 산소/질소 분리막, 이산화탄소 분리막, 수소 분리막.
전기 절연 용도: 절연 자가-접착 테이프, 자동차용 슬롯 라이너, 변압기의 상계면 절연.
중합체 센서 용도: 광센서, 적외선 센서, 음파 센서, 압력 센서.
표면 보호 용도: 액정 표시장치, CRT, 가구, 시스템 부엌, 차 내외장.
기타 용도: 전열 전사, 프린터 리본, 전기 케이블 쉴드, 누수 방지 필름.
LED 제조 방법
본 발명의 광학 소재는 LED 제조에 사용될 수 있다. 따라서, 광 방출 다 이오드가 상술된 경화성 조성물로 광 방출 장치를 코팅하여 제조될 수 있다.
상기에서와 같이 사용될 수 있는 광 방출 장치는 특별히 한정되지 않지만, 통상적인 광 방출 다이오드용 광 방출 장치를 포함한다. 따라서, 광 방출 장치는 버퍼층이 임의적으로 제공된 기판, 예컨대 GaN, AlN 등의 기판상에 반도체 소재를 적층하여, MOCVD, HDVPE 또는 액상 에피탁시(epitaxy) 와 같은 기술에 의해 제조된 장치를 포함한다. 상술된 기판으로서, 임의의 다양한 소재, 예컨대 사파이어, 스피넬, SiC, Si, ZnO, GaN 단일 결정이 사용될 수 있다. 이들 중, 사파이어가 양호한 결정성의 GaN 층이 용이하게 형성될 수 있고, 높은 상업적 이점이 있으므로 유리하게 사용될 수 있다.
적층될 반도체 소재로는 GaAs, GaP, GaAlAs, GaAsP, AlGaInP, GaN, InN, AlN, InGaN, InGaAlN, SiC 등을 포함한다. 이들 중, 달성되는 고휘도의 관점에서, 니트리드계열 화합물 반도체(Inx Gay Alz N) 이 바람직하다. 그러한 소재는 임의적으로 활성제 등을 함유할 수 있다.
광 방출 장치 구조는 MIS, pn, 및/또는 PIN 결합을 갖는 호모 결합, 헤테로 결합 및 이중-헤테로 결합 구조를 포함한다. 게다가, 단체 또는 복합체 양자 정방(well) 구조가 이용될 수 있다.
광 방출 소자는 부동태화(passivation) 층을 가지거나 가지지 않을 수 있다. 광 방출 장치는 통상적인 기술에 의해 전극으로 형성될 수 있다.
광 방출 장치상의 전극은 다양한 방식으로 전기적으로 리드(lead) 단자에 연결될 수 있다. 전기 컨넥터 소재는 바람직하게는 광 방출 장치상의 전극과의 양호한 기계적 저항성 혼화성을 갖는 소재이며, 금, 은, 구리, 백금, 또는 알루미늄 또는 이의 합금의 결합 전선을 포함한다. 전기 전도성 충전재 예컨대, 은, 탄소 등을 포함하는 전도성 접착제가 또한 사용될 수 있다. 양호한 작업성의 관점에서, 알루미늄 전선 또는 금 전선이 바람직하게 사용된다.
광 방출 소자가 상기와 같이 수득되는 한편, 본 발명의 광 방출 다이오드용 광 방출 장치의 조명 세기는 수직 방향에서의 조명 세기가 1 cd 이상인 한 임의적으로 선택될 수 있다. 그러나, 본 발명의 효과는 수직 방향에서의 조명 세기가 2 cd 이상인 광 방출 장치일 때 뛰어나며, 3cd 초과의 광 방출 장치가 사용될 때 더더욱 뛰어나다.
광 방출 장치의 방출 출력은 특별히 한정되지 않으며, 자유롭게 선택될 수 있다. 그러나, 20 mA 에서의 1 mW 이상의 출력의 광 방출 장치가 사용될 때 본 발명의 효과가 뛰어나다. 20 mA 에서 4 mW 이상의 출력의 광 방출 장치가 사용될 때, 효과가 더욱 상당하며, 20 mA 에서 5 mW 이상의 출력의 광 방출 장치가 사용될 때 더더욱 상당하다.
광 방출 장치의 방출 파장은 자외선 영역 내지 적외선 영역의 범위일 수 있지만, 본 발명의 효과는 550 nm 이하의 주 피크 파장의 장치가 사용될 때 특히 주목할 만하다.
광 방출 장치는 단색 방출을 수득하기 위하여 한 종류일 수 있지만, 단색 또는 다색 방출을 위해 복수의 장치가 사용될 수 있다.
본 발명의 광 방출 다이오드와의 사용을 위한 리드 단자로서, 전기 연결 부 분, 예컨대 결합 전선에 대한 접착 뿐만 아니라 전기전도성이 만족스러운 것이 바람직하다. 리드 단자의 전기 저항성은 바람직하게는 300 μΩㆍcm 이하, 더욱 바람직하게는 3 μΩㆍcm 이하이다. 리드 단자용 소재는 예를 들어 철, 구리, 철 함유 구리, 또는 주석 함유 구리, 또는 은 또는 니켈로 도금된 상응하는 임의의 금속일 수 있다. 빛의 만족스러운 분산을 보장하기 위하여, 그러한 리드 단자의 광택이 적절하게 조절될 수 있다.
본 발명의 광 방출 다이오드는 상술된 광 방출 장치와 상기 기재된 경화성 조성물을 코팅함으로써 제조될 수 있는 한편, 본 내용에서의 용어 "코팅"은 광 방출 장치의 직접 봉합용 코팅 뿐만 아니라 간접 코팅을 의미한다. 따라서, 광 방출 장치는 임의의 다양한 공지된 기술에 의해 본 발명의 경화성 조성물로 직접적으로 봉합될 수 있거나, 또는 먼저 통상적인 봉합 수지, 예를 들어 에폭시 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레아 수지, 또는 이미드 수지, 또는 유리로 봉합되고, 그 후 중첩되어 또는 봉합 장치를 포함하는 기타 방식으로 본 발명의 경화성 조성물로 코팅될 수 있다. 추가적인 대안으로서, 광 방출 장치는 먼저 본 발명의 경화성 조성물로 봉합되고, 그 후 통상적인 에폭시 수지, 실리콘 수지, 우레아 수지, 이미드 수지 등으로 성형될 수 있다. 이 방법들에 의해, 렌즈 효과 및 기타 효과가 굴절률과 비중의 차이에 따라 발현될 수 있을 것이다.
상기 경우에, 광 방출 다이오드 특성을 개선하기 위한 첨가제가 본 발명의 조성물에 혼입될 수 있으며, 광 방출 다이오드 특성을 제공하기 위한 이 첨가제는 균일하게 혼입되거나 점증적으로 혼입될 수 있다. 그러한 충전재 함유 수지 부 분은 수지를 성형틀의 방출 평면 전방의 성형 부분에 사용을 위해 붓고, 그 후 충전재 함유 수지를 성형틀로 캐스팅하여 방출 평면 후방 부분을 형성할 수 있다. 게다가, 충전재 함유 수지 부분은 각 전면 및 역방향 사이드에 부착된 테이프로 성형 부분의 형성 후 리드 단자를 커버하고, 리드 프레임의 전체, 즉 광 방출 다이오드의 성형 부분의 하반부를 충전재 함유 수지를 함유하는 보유 탱크에 침지시키고, 그것을 인출하고 건조하여 형성될 수 있다.
사용될 수 있는 봉합 기술은 각종 방법을 포함한다. 예를 들어, 액체 형태의 경화성 조성물이 컵, 공동 또는 그의 바닥에 배치된 광 방출 장치가 있는 패키지 요철부에 디스펜서(dispenser) 등으로 부어지고 그 위치에서 가열에 의해 경화되거나, 또는 고체 또는 높은 점성 유체 형태의 경화성 조성물이 가열에 의해 흘러서 상기에서와 동일한 방식으로 패키지 요철부등으로 디스펜스되고 그 위치에서 예를 들어 가열에 의해 경화된다. 사용을 위한 패키지는 기타 중에서 다양한 소재, 예컨대 폴리카르보네이트 수지, 폴리(페닐렌 술피드) 수지, 에폭시 수지, 아크릴성 실리콘 수지, ABS 수지, 폴리(부틸렌 테레프탈레이트 수지) 및 폴리프탈라미드 수지를 사용하여 제작될 수 있다. 또한, 미리 성형틀에 경화성 조성물을 붓고, 캐스트 조성물에 광 방출 장치가 고정된 리드 프레임 등을 침지시키고, 조성물을 경화시키는 것을 포함하는 방법을 사용하는 것이 가능하다. 또한, 그 안에 광 방출 장치를 지지하는 프레임으로 디스펜서에 의해 조성물을 디스펜싱하거나, 트랜스퍼 성형 또는 사출 성형을 수행하여 경화성 조성물의 봉합층을 형성하고 조성물을 경화시키는 것을 포함하는 방법을 사용하는 것이 가능하다. 추가적인 대안으로서, 액체 형태 또는 유동층 상태의 경화성 조성물을 광 방출 장치상에 단순히 떨어뜨리거나 코팅하고 경화시킬 수 있다. 추가적인 대안적인 방법은 마스크를 통한 스크린 프로세스 프린팅 또는 스크린 프린팅에 의한 광 방출 장치상에서 경화성 수지 층을 형성하거나 수지를 마스크를 통해 코팅하고 경화시키는 것을 포함한다. 추가적인 대안적인 방법은 경화성 조성물을 첨부하는 것을 포함하며, 이는 광 방출 장치상에서 미리 평면상으로 또는 렌즈 형태로 부분적으로 또는 완전히 경화된다. 게다가, 조성물은 광 방출 장치가 리드-단자 또는 패키지로 고정된 다이-결합제로서 사용될 수 있거나, 또는 광 방출 장치에서 부동태화 필름으로서 사용될 수 있다. 또한, 패키지 기판으로서 사용될 수 있다.
커버된 부분은 형태에는 특별히 한정되지 않으며, 다양한 형태를 가정할 수 있다. 예를 들어, 렌즈형, 평면형, 박막형, 또는 일본 특허 공보 제 06-244458 호에 개시된 형태가 있다. 이들 형태는 적당한 성형에 의해 또는 경화성 조성물의 경화 또는 경화성 조성물의 경화 후 후-가공에 의해 소재화될 수 있다.
본 발명의 광 방출 다이오드는 다양한 형태, 예를 들어 램프형, SMD 형 및 칩 형태로 제공될 수 있다. SMD 형 및 칩 형태용 패키지 기판으로서, 각종 소재가 사용될 수 있으며, 에폭시 수지, BT 수지 및 세라믹을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.
게다가, 현재까지 공지된 다양한 시스템이 본 발명의 광 방출 다이오드에 적용될 수 있다. 기타 중에서, 광 방출 장치의 뒷면에 광 반사 또는 광 축합층을 제공하는 시스템, 봉합재 수지의 황화를 보상하는 보색 부분을 바닥에 제공하는 시 스템, 광 방출 장치에 주 방출 피크보다 더 짧은 파장 영역에서의 빛을 흡수하기 위한 박막이 제공되는 시스템, 광 방출 장치가 먼저 연질 또는 액체 봉합제로 봉합된 후 경질 소재로의 성형에 의해 엔벨롭(envelop)되는 시스템, 광 방출 장치를 먼저 광 방출 장치로부터 광을 흡수하는 소재로 봉합하고, 장파장의 형광 방출을 발생시킨 후, 성형에 의해 엔벨롭되는 시스템, 형광 물질 함유 물질이 미리 성형되고, 그 후 광 방출 장치와 함께 성형되는 시스템, 광 방출의 효율이 일본 특허 공보 제 06-244458 호에 제안된 특별한 성형 형태에 의해 증가되는 시스템, 2단 요철부가 고르지 않은 조명의 분포를 감소시키기 위한 패키지상에 형성되는 시스템, 광 방출 다이오드가 정공을 통해 삽입되고 고정되는 시스템, 광 방출 장치의 표면에 주 방출 파장보다 더 짧은 파장의 광을 흡수할 수 있는 박막을 제공하는 시스템, 및 광 방출 장치가 솔더-범프 등을 사용하여 플립-칩 연결에 의해 리드 단자에 연결되고 빛이 기판 방향으로부터 인출되는 시스템이 언급될 수 있다.
본 발명의 광 방출 다이오드는 각종 공지된 적용으로 사용될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 백라이트, 조명, 센서 광원, 차량용 계량기 광원, 신호등, 표시등, 지표제, 평면 조명, 표시장치, 장식, 각종 광(light) 등이 언급될 수 있다.
하기 실시예 및 비교예는 본 발명의 범주를 한정하지 않고 더욱 상세하게 예증한다.
(합성예 1) BPA-AE
1 L 용량의 3목 플라스크를 교반장치 및 응축기와 함께 설치했다. 이 플라스크에 114g의 비스페놀 A, 145g 의 포타슘 카르보네이트, 140 g 의 알릴 브로미드, 및 250 mL 의 아세톤을 채우고, 혼합물을 60℃에서 12 시간동안 교반했다. 상층액을 꺼내고 분별 깔대기에서 수산화 나트륨 수용액으로 세척하고 이어서 물로 세척했다. 유기층을 황산 나트륨 상에서 탈수하고, 용매를 감압하여 증발기에서 제거하여 126 g 의 옅은 황색 액체를 회수했다. 1H-NMR 분석으로 이것이 비스페놀 A 의 OH 기의 알릴 에스테르화에 의해 제조된 비스페놀 A 디알릴 에테르임을 알았다. 수율 82%, 순도 ≥95%.
(합성예 2) HBPA-AE
500 mL 용량의 4목 플라스크를 교반장치 및 응축기와 함께 설치했다. 이 플라스크에 6.49g의 2,2-비스(4-히드록시시클로헥실)프로판(Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd. 제조), 243g 의 50 중량% 수산화 나트륨 수용액, 3.54 g 의 테트라-n-부틸암모늄 브로미드, 20.5g 의 알릴 클로리드 및 16.0 mL 의 자일렌을 채우고, 혼합물을 60℃에서 5 시간, 및 70℃에서 4 시간동안 교반했다. 분별 깔때기를 사용하여, 유기층을 분리하고, 50 mL 의 1N HCl로 1회 및 200 mL 의 물로 4 회 세척하고, 황산 마그네슘 상에서 탈수했다. 그 후 감압하 증발기에서 60 내지 70℃에서 용매를 제거하여 옅은 황색 액체를 회수했다. 1H-NMR 분석으로 이것이 수소화 비스페놀 A 의 OH 기의 알릴 에스테르화에 의해 제조된 2,2-비스(4-히드록시시클로헥실) 프로판 디알릴 에테르임을 알았다.
(실시예 1) TVCH
1 L 용량의 4목 플라스크를 교반장치 및 응축기, 및 적하 깔때기와 함께 설치했다. 이 플라스크에 190g의 톨루엔, 48 mg 의 자일렌 중 백금 비닐실록산 착물 (백금 함량 3 중량%), 및 236.2 g 의 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산을 채우고, 혼합물을 가열하고 70℃에서 유조에서 교반했다. 이 용액에, 10g 톨루엔 중의 20.0 g 의 1,2,4-트리비닐시클로헥산(비닐기 수: 3, 분자량: 162, 점도: 1 포이즈 미만) 용액을 1 시간에 걸쳐 적가했다. 수득된 용액을 가열하고, 70℃에서 90분간 유조에서 교반했다. 그 후, 9.2 mg 의 1-에티닐-1-시클로헥산올을 첨가했다. 그 후 미반응된 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 및 톨루엔을 감압하에 제거했다. 1H-NMR 분석으로 이것이 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 SiH기 일부와 1,2,4-트리비닐시클로헥산의 반응 생성물임을 알았다(이 생성물은 간단히 부분 반응 생성물 A로 언급된다. 이 부분 반응 생성물 A 가 혼합물인 한편, 이것은 주 성분으로서 분자내에 9 개의 SiH기를 갖는 하기 화합물을 함유한다).
Figure 112003023271170-pct00051

(실시예 2) HBPAH
200 mL 용량의 2목 플라스크를 교반장치 및 응축기, 및 적하 깔때기와 함께 설치했다. 이 플라스크에 40.0g의 톨루엔, 및 36.0 g 의 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산을 채우고, 혼합물을 가열하고 80℃에서 유조에서 교반했다. 이 용액에, 합성예 2 에서 합성된 9.6g 의 2,2-비스(4-히드록시시클로헥실)프로판 디알릴 에테르(비닐기 수: 2, 분자량: 320, 점도: 1 포이즈 미만), 10.0g 톨루엔, 및 4.5㎕의 자일렌 중 백금 비닐실록산 착물(백금 함량: 3 중량%)의 혼합물을 15분에 걸쳐 적가했다. 수득된 용액을 가열하고, 80℃에서 30분간 유조에서 교반했다. 그 후, 7.5 mg 의 1-에티닐-1-시클로헥산올을 첨가하고, 미반응된 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 및 톨루엔을 감압하에 제거하여, 20.5g 의 생성물을 회수했다. 1H-NMR 분석으로 이것이 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 SiH기 일부와 2,2-비스(4-히드록시시클로헥실)프로판 디알릴 에테르의 반응 생성물임을 알았다(이 생성물은 간단히 부분 반응 생성물 B로 언급된다. 이 부분 반응 생성물 B 가 혼합물인 한편, 이것은 주 성분으로서 분자내에 6 개의 SiH기를 갖는 하기 화합물을 함유한다).
Figure 112003023271170-pct00052

(실시예 3) TAICH
5 L 용량의 2목 플라스크를 교반장치 및 응축기, 및 적하 깔때기와 함께 설치했다. 이 플라스크에 1,800 g의 톨루엔, 및 1440 g 의 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산을 채우고, 혼합물을 가열하고 120℃에서 유조에서 교반했다. 이 용액에, 200g 의 트리알릴 이소시아누레이트, 200g의 톨루엔, 및 1.44ml의 자일렌 중 백금 비닐실록산 착물(백금 함량: 3 중량%)을 50분에 걸쳐 적가했다. 이렇게, 수득된 용액을 가열하고, 6시간동안 교반했다. 그 후, 2.95 mg 의 1-에티닐-1-시클로헥산올을 첨가하고, 미반응된 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 및 톨루엔을 감압하에 제거하여, 724g 의 생성물을 회수했다. 1H-NMR 분석으로 이것이 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 SiH기 일부와 트리알릴 이소시아누레이트의 반응 생성물임을 알았다(이 생성물은 간단히 부분 반응 생성물 C로 언급된다. 이 부분 반응 생성물 C 가 혼합물인 한편, 이것은 주 성분으로서 분자내에 9 개의 SiH기를 갖는 하기 화합물을 함유한다).
Figure 112003023271170-pct00053

(비교예 1) BPAH
1 L 용량의 4목 플라스크를 교반장치, 응축기 및 적하 깔때기와 함께 설치했다. 이 플라스크에 150g의 톨루엔, 15.6㎕의 자일렌 중 백금 비닐실록산 착물(백금 함량: 3 중량%)및 500 g 의 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산을 채우고, 혼합물을 가열하고 70℃에서 유조에서 교반했다. 그 후, 합성예 1 에서 제조된 64 g 의 비스페놀 A 디알릴 에테르를 40g의 톨루엔에 희석하고, 적하 깔때기로 첨가했다. 혼합물을 동일 온도에서 60 분간 교반한 후 냉각시키고, 4.74 mg 의 벤조티아졸을 첨가했다. 미반응된 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 및 톨루엔을 감압하에 제거하여, 약간 점성의 액체를 회수했다. 1H-NMR 분석으로 이것이 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 SiH기 일부와 비스페놀 A 디알릴 에테르의 반응 생성물임을 알았다(이 생성물은 간단히 부분 반응 생성물 D로 언급된다. 이 부분 반응 생성물 D 가 혼합물인 한편, 이것은 주 성분으로서 분자내에 6 개의 SiH기를 갖는 하기 화합물을 함유한다).
Figure 112003023271170-pct00054

(비교예 2) DVBH
5 L 용량의 2목 플라스크를 교반장치, 응축기, 및 적하 깔때기와 함께 설치 했다. 이 플라스크에 1,800g의 톨루엔, 1440 g 의 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 및 125㎕의 자일렌 중 백금 비닐실록산 착물(백금 함량: 3 중량%)을 채우고, 혼합물을 가열하고 50℃에서 유조에서 교반했다. 이 용액에, 156g 의 디비닐벤젠(Nippon Steel Chemical Co., Ltd. 제조, DVB960) 및 433g의 톨루엔을 25분에 걸쳐 적가했다. 이렇게 수득된 용액을 가열하고, 1시간동안 교반했다. 그 후, 275 mg 의 벤조티아졸을 첨가하고, 미반응된 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 및 톨루엔을 감압하에 제거하여, 691g 의 생성물을 회수했다. 1H-NMR 분석으로 이것이 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 SiH기 일부와 트리알릴 이소시아누레이트의 반응 생성물임을 알았다(이 생성물은 간단히 부분 반응 생성물 E로 언급된다. 이 부분 반응 생성물 E 가 혼합물인 한편, 이것은 주 성분으로서 분자내에 6 개의 SiH기를 갖는 하기 화합물을 함유한다).
Figure 112003023271170-pct00055
(비교예 3) TAICDH
5 L 용량의 4목 플라스크를 교반장치, 응축기 및 적하 깔때기와 함께 설치했다. 이 플라스크에 900g의 톨루엔, 487.8 g 의 1,1,3,3-테트라메틸디실록산을 채우고, 혼합물을 가열하고 90℃에서 유조에서 교반했다. 이 용액에, 302.4g 의 트리알릴 이소시아누레이트, 900g 의 톨루엔, 및 2.18 mL 의 자일렌 중 백금 비 닐실록산 착물(백금 함량: 3 중량%)의 혼합물을 50분에 걸쳐 첨가했다. 수득된 용액을 가열하고, 4.5시간동안 110℃에서 유조에서 교반했다. 미반응된 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 및 톨루엔을 감압하에 제거하여, 702g 의 생성물을 회수했다. 1H-NMR 분석으로 이것이 1,1,3,3-테트라메틸디실록산의 SiH기 일부와 트리알릴 이소시아누레이트의 반응 생성물임을 알았다(이 생성물은 간단히 부분 반응 생성물 F로 언급된다. 이 부분 반응 생성물 F 가 혼합물인 한편, 이것은 주 성분으로서 분자내에 3 개의 SiH기를 갖는 하기 화합물을 함유한다).
Figure 112003023271170-pct00056
(실시예 4 내지 13)
성분 물질을 표 1 에 보여지는 제형비로 블렌드했다. 혼합물을 스페이서로서 2 개의 유리판 사이에 3 mm 두께의 실리콘 고무를 디스펜싱하여 제조된 셀에 붓고, 하기 단계로 가열했다: 60℃/6 hr, 70℃/1 hr, 80℃/1 hr, 120℃/1 hr, 및 150℃/1 hr. 그리하여, 시각적으로 균일하고 일반적으로 무색 투명한 경화 시트를 제조했다.
(비교예 4 내지 7) AEㆍBPAH, TAICㆍTAICDH
성분 물질을 표 1 에 보여지는 제형비로 블렌드했다. 혼합물을 스페이서 로서 2 개의 유리판 사이에 3 mm 두께의 실리콘 고무를 디스펜싱하여 제조된 셀에 붓고, 하기 단계로 가열했다: 60℃/6 hr, 70℃/1 hr, 80℃/1 hr, 120℃/1 hr, 및 150℃/1 hr. 그리하여, 시각적으로 균일하고 일반적으로 무색 투명한 경화 시트를 제조했다.
실시예 4 내지 13 및 비교예 4 내지 7 에서 제조된 경화물의 각종 초기 물리적 특성을 측정했다. 게다가, 내광성을 평가하기 위하여, 각 경화물에 SX120 Xenon Weather Meter(Suga Test Instruments Co., Ltd.)(검정 패널 온도: 63℃, 2시간의 조사 동안 18분의 강우)를 사용하여 110 시간동안 조사하고, 광 투과도 및 황화도를 측정했다. 결과는 표 1 에 나타나있다.
물리적 상태: 23 ℃에서 70 이상의 쇼어 D 경도의 3 mm 두께 시트 샘플을 "경질"로 등급화하고, 23 ℃에서 70 미만의 쇼어 D 경도의 샘플을 "연질"로 등급화했다.
유리 전이 온도: 3 mm ×5 mm ×30 mm 프리즘형 시편을 사용하여, 동역학적 점탄성도를 10Hz 의 주파수, 응력 0.1%, 정적/동역학적 파워 비 1.5, 온도 증가 속도 5℃/분으로 측정하는 당김 모드를 사용하여 측정하고(IT KEISOKU SEIGYO Co.(IT Instrument and Control Co.), DVA-200), 결과를 tan δ피크 온도로 표시했다.
광 투과율: 스펙트로포토미터(Hitachi U-3300, spectrophotometer)를 사용하여, 3mm 두께의 시트 샘플을 23℃에서 측정하고, 결과를 470 nm 의 파장에서 광투과율로 표시했다.
황화도: 색채계(Nippon Denshoku Industries Co., Ltd., Spectro- colorimeter SE-2000)을 사용하여, 3mm 두께의 시트 샘플을 23℃에서 측정하고, 결과를 투과 모드에서의 황화도로 표시했다.
Figure 112003023271170-pct00057
표 1 로부터, 본 발명의 경화성 조성물로부터 수득된 경화물이 상대적으로 높은 유리 전이 온도와 높은 내열성을 가질 뿐만 아니라, 또한 높은 광학 투명성 및 높은 내광성을 갖는다는 것이 명백할 것이다.
(실시예 14)
MOCVD(유기 금속 기상 성장) 기술, 도프되지 않은 니트리드 반도체로서 n-형 GaN 층, Si-도프된 n형 전극으로 형성되고 n형 접촉층으로서 제공되는 GaN 층, 도프되지 않은 니트리드 반도체인 n-형 GaN 층, 배리어 층으로서 제공되는 GaN 층, 정방 층을 구성하는 InGaN 층, 배리어 층으로서 제공되는 GaN 층을 사용하여, 상기 세 개의 층은 광 방출 층(양자 정방 구조)을 구성하고, 광 투과 층에, Mg-도프된 p-형 클래딩 층으로서 AlGaN 층, 및 Mg-도프된 p-형 접촉층인 GaN 층이 세척된 사파이어 기판상에 차례로 세워졌다. 사파이어 기판상의 니트리드 반도체는 같은 측면에서 에칭되어 p 및 n 접촉층 표면 모두를 노출시켰다. 각 접촉층 상에, Al 이 스퍼터링으로 침착되어 양극 및 음극을 형성했다. 이렇게 제조된 반도체 웨이퍼를 외력을 적용하여 문지르고 부러뜨려 광 방출 방치를 제공했다.
은 도금 판을 갖는 철 함유 구리로 만들어진 실장 리드의 컵 바닥 표면상에, 상기 광 방출 장치를 다이-결합제로서 에폭시 수지 조성물을 사용하여 다이-결합시켰다. 그 후 에폭시 수지 조성물을 75 분간 170℃ 에서 가열하여 경화하여 광 방출 장치를 고정했다. 그 후, 광 방출 장치의 양극 및 음극을 실장 리드 및 내부 리드에 전기 연결용 Au 전선으로 전선-결합했다.
실시예 4 내지 13 에서와 동일한 방식으로 제조된 경화성 조성물을 캐논볼 형태의 프레임인 캐스팅 케이스에 디스펜스했다. 컵내에 배치된 상기 광 방출 장치의 실장 리드 및 내부 리드를 부분적으로 캐스팅 케이스에 삽입하고 초기 경화를 100℃에서 1 시간동안 수행했다. 광 방출 다이오드를 캐스팅 케이스로부터 인출하고 질소 분위기에서 1 시간동안 120℃에서 경화했다. 상기 절차에 의해 캐논볼-형 램프형 광 방출 다이오드가 제조될 수 있다.
(실시예 15)
경화성 조성물 및 광 방출 장치가 실시예 4 내지 14 에 기재된 방법으로 제작되었다.
한 쌍의 구리 호일 패턴을 에칭으로 유리-에폭시 수지상에 형성하여 리드 전극이 구비된 기판을 형성했다. 에폭시 수지를 사용하여, 광 방출 장치를 유리-에폭시 수지상에 다이-결합했다. 각 광 방출 장치의 전극을 전기 연결용 Au 전선으로 상응하는 리드 전극에 전선 연결했다. 마스크 및 측벽으로서 제공되는 정공을 갖는 유리 에폭시 수지를 에폭시 수지로 기판상에 고정하여 배치했다. 그 후 이것을 진공 단위에 배치하고, 동시에, 경화성 조성물을 광 방출 장치를 수반하는 유리-에폭시 수지 기판상에 디스펜스하여 정공을 이용하여 경화성 조성물로 공동을 채웠다. 이 상태에서, 조성물을 100 ℃에서 1 시간 및 150℃에서 1 시간 동안 경화했다. 이것을 광 방출 다이오드 칩으로 나누어, 칩형 광 방출 다이오드를 제공할 수 있다.
(실시예 16)
경화성 조성물 및 광 방출 장치를 실시예 4 내지 14 에 기재된 방법으로 제작했다.
PPS 수지를 사용하여, 삽입 성형에 의해 칩형 광 방출 다이오드 패키지가 만들어졌다. 패키지에서, 광 방출 장치 수용을 위한 개구가 있는 은 도금된 구리판을 외부 전극에 배치했다. 패키지내에서, 광 방출 장치는 에폭시 수지와의 다이 결합에 의해 그 위치에 고정되었다. 전기 전도성인 Au 전선이 각 전극의 광 방출 장치와 전기 연결용 패키지의 상응하는 외부 전극을 전선결합했다. 패키지의 개구를 성형 소재로서 경화성 조성물로 채웠다. 이 조건에서, 수지를 1 시간 동안 100℃에서 경화하고 추가적으로 1 시간 동안 150℃에서 경화했다. 이 방식으로, 칩형 광 방출 다이오드가 제조되었다.
본 발명의 조성물로부터 제조된 소재는 높은 내열성 및 높은 광학 투명성 뿐만 아니라 내광성을 갖는 소재이다.

Claims (24)

  1. 각 분자내에 SiH 기와 반응가능한 둘 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 지방족 유기 화합물로서, 각 분자내에 1 내지 6 개의 비닐기를 함유하고, 900 미만의 분자량을 가지며, 1,000 포이즈 미만의 점도를 갖는, 1,2-폴리부타디엔, 2,2-비스(히드록시시클로헥실)프로판 디알릴 에테르, 4-비닐시클로헥센, 시클로펜타디엔, 및 1,2,4-트리비닐시클로헥산으로 이루어지는 군에서 선택되는 유기 화합물 (α1) 과,
    각 분자내에 둘 이상의 SiH 기를 갖는 사슬형, 고리형, 또는 사슬형 및 고리형 폴리유기실록산 (β1) 을,
    히드로실릴화 반응시켜 수득가능하며, 각 분자내에 둘 이상의 SiH 기를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화제.
  2. 하기 화학식 (I) 로 표시되는 유기 화합물 (α2):
    [화학식 I]
    Figure 112007073165384-pct00058
    [식 중, R1 은 탄소수 1 내지 50 의 1가 유기기를 나타내며, 각 R1 은 동일하거나 상이할 수 있음]
    과 각 분자내에 둘 이상의 SiH 기를 갖는 고리형 폴리유기실록산 (β2) 를 히드로실릴화 반응시켜 수득가능하며, 각 분자내에 둘 이상의 SiH 기를 포함하는 경화제.
  3. 각 분자내에 SiH 기와 반응할 수 있는 둘 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖 는 유기 화합물 (A), 제 1 항에 따른 경화제 (B1) 및 히드로실릴화 촉매 (C) 를 포함하는 경화성 조성물.
  4. 각 분자내에 SiH 기와 반응할 수 있는 둘 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 유기 화합물 (A), 제 2 항에 따른 경화제 (B2) 및 히드로실릴화 촉매 (C) 를 포함하는 경화성 조성물.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 성분 (A) 는 하기 화학식 (I) 로 표시되는 유기 화합물인 경화성 조성물:
    [화학식 I]
    Figure 112003023271170-pct00059
    [식 중, R1 은 탄소수 1 내지 50 의 1가 유기기를 나타내며, 각 R1 은 동일하거나 상이할 수 있음].
  6. 제 5 항에 있어서, 화합물 (A) 로 표시되는 화학식 (I) 의 3 개의 R1 중 둘 이상은 하기 화학식 (II) 로 표시되는 기인 경화성 조성물:
    [화학식 II]
    Figure 112003023271170-pct00060
    [식 중, R2 는 직접 결합 또는 탄소수 1 내지 48 의 2가 유기기를 나타내며; R3 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내며; 복수의 R2 및 R3 각각은 동일하거나 상이할 수 있음].
  7. 제 5 항에 있어서, 성분 (A)를 나타내는 화학식 (I) 의 3 개의 R1 중 둘 이상이 알릴기인 경화성 조성물.
  8. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 성분 (A) 는 각 분자내에 SiH기와 반응할 수 있는 하나 이상의 알릴기를 갖는 유기 화합물인 경화성 조성물.
  9. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 성분 (A) 는 각 분자내에 SiH기와 반응할 수 있는 하나 이상의 비닐기를 갖는 유기 화합물인 경화성 조성물.
  10. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 성분 (A) 는 각 분자내에 1 내지 6 개의 비닐기를 함유하고, 900 미만의 분자량 및 1,000 포이즈 미만의 점도를 갖는 유기 화합물인 경화성 조성물.
  11. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 성분 (A) 는 폴리부타디엔, 비닐시클로헥센, 시클로펜타디엔, 디시클로펜타디엔, 디비닐비페닐, 비스페놀 A 디알릴 에테르, 트리알릴 이소시아누레이트, 및 트리비닐시클로헥산으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물인 경화성 조성물.
  12. 제 3 항에 따른 경화성 조성물을 포함하는 광학 소재용 조성물.
  13. 제 4 항에 따른 경화성 조성물을 포함하는 광학 소재용 조성물.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 광학 소재가 액정용 필름인 광학 소재용 조성물.
  15. 제 12 항 또는 제 13 항에 에 있어서, 광학 소재가 액정용 플라스틱 셀인 광학 소재용 조성물.
  16. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 광학 소재가 LED용 봉합제인 광학 소재용 조성물.
  17. 제 12 항에 따른 광학 소재용 조성물을 경화시켜 수득가능한 광학 소재.
  18. 제 13 항에 따른 광학 소재용 조성물을 경화시켜 수득가능한 광학 소재.
  19. 제 12 항에 따른 광학 소재용 조성물을 미리 혼합하고, SiH기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합이 조성물내의 SiH기 일부 또는 전부와 반응하도록 하는 것을 포함하는 제 17 항에 따른 광학 소재의 제조 방법.
  20. 제 13 항에 따른 광학 소재용 조성물을 미리 혼합하고, SiH기와 반응할 수 있는 탄소-탄소 이중 결합이 조성물 내의 SiH기 일부 또는 전부와 반응하도록 하는 것을 포함하는 제 18 항에 따른 광학 소재의 제조 방법.
  21. 제 17 항에 따른 광학 소재를 포함하는 액정 표시장치.
  22. 제 18 항에 따른 광학 소재를 포함하는 액정 표시장치.
  23. 제 17 항에 따른 광학 소재를 포함하는 LED.
  24. 제 18 항에 따른 광학 소재를 포함하는 LED.
KR1020037008807A 2000-12-27 2001-12-10 경화제, 경화성 조성물, 광학 소재용 조성물, 광학 소재, 이의 제조 방법 및 이를 사용하여 만들어진 액정표시장치 및 ｌｅｄ KR100806553B1 (ko)

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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003091338A1 (en) * 2002-04-26 2003-11-06 Kaneka Corporation Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product
MY151065A (en) * 2003-02-25 2014-03-31 Kaneka Corp Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device
US7855257B2 (en) * 2004-05-12 2010-12-21 Kaneka Corporation Copolymer, graft copolymer, graft copolymer particles, flame retardant, and resin composition
KR101127351B1 (ko) 2004-06-23 2012-03-30 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 경화성 실리콘 수지 조성물
US20060134440A1 (en) * 2004-10-27 2006-06-22 Crivello James V Silicone encapsulants for light emitting diodes
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
EP2768031B1 (en) 2005-08-04 2021-02-17 Nichia Corporation Light-emitting device
DE102005040323A1 (de) * 2005-08-25 2007-03-15 Wacker Chemie Ag Organopolysiloxane und ein Verfahren zu ihrer Herstellung
CN101356214B (zh) * 2006-01-17 2011-05-18 陶氏康宁公司 热稳定的透明有机硅树脂组合物及其制备方法和用途
WO2007135707A1 (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Nichia Corporation 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US7837455B2 (en) 2006-07-28 2010-11-23 Ethicon, Inc. Apparatus and method for making suture packages
WO2008136351A1 (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. 熱硬化性樹脂組成物及びその硬化物を用いた光学部材
CN100532434C (zh) * 2007-04-28 2009-08-26 中国科学院广州化学研究所 主链型液晶弹性体的制备方法
EP2216336B1 (en) * 2007-11-09 2015-11-04 Kaneka Corporation Process for production of cyclic polyorganosiloxane, curing agent, curable composition, and cured product of the curable composition
JP5491197B2 (ja) 2007-12-10 2014-05-14 株式会社カネカ アルカリ現像性を有する硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ
EP2343326B1 (en) 2008-10-02 2018-08-15 Kaneka Corporation Photocurable composition and cured product
EP2196503B1 (en) * 2008-12-12 2015-02-18 Nitto Denko Corporation Thermosetting silicone resin composition, silicone resin, silicone resin sheet and use thereof
JP2011057755A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコーン組成物及びその硬化物
KR101220047B1 (ko) * 2009-10-12 2013-01-08 금호석유화학 주식회사 액정 표시 소자용 실란트 조성물
JP5433372B2 (ja) * 2009-10-20 2014-03-05 フクビ化学工業株式会社 反射防止強化ガラスの製造方法
DE102009053965B4 (de) * 2009-11-19 2016-06-02 Siemens Aktiengesellschaft Mit einer Vergussmasse vergossene Gradientenspule
DE102010022523B4 (de) 2010-06-02 2017-09-14 Siemens Healthcare Gmbh Gradientenspule mit in einer Vergussmasse vergossenen Spulenwicklungen
US20120329196A1 (en) * 2011-06-22 2012-12-27 Chien-Chih Hsu Solar cell packaging process
CN103748171B (zh) * 2011-08-10 2016-03-16 株式会社艾迪科 含硅固化性组合物及其固化物
US9484123B2 (en) 2011-09-16 2016-11-01 Prc-Desoto International, Inc. Conductive sealant compositions
WO2015076399A1 (ja) 2013-11-25 2015-05-28 四国化成工業株式会社 官能基を有するグリコールウリル類とその利用
TWI685495B (zh) 2013-11-25 2020-02-21 日商四國化成工業股份有限公司 含有縮水甘油基乙炔脲類的組成物
EP3245256A4 (en) * 2015-01-13 2018-08-08 Henkel AG & Co. KGaA Organopolysiloxane prepolymer and curable organopolysiloxane composition comprising same
JP6616743B2 (ja) * 2016-06-30 2019-12-04 信越化学工業株式会社 シリコーン骨格含有高分子化合物、光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法
KR101798450B1 (ko) * 2017-01-10 2017-11-16 동우 화인켐 주식회사 광경화성 조성물 및 이로부터 형성된 광경화 막
KR20190041931A (ko) * 2017-10-13 2019-04-23 메르크 파텐트 게엠베하 액정 디스플레이 및 액정 매질
KR102449846B1 (ko) * 2019-07-22 2022-09-29 삼성에스디아이 주식회사 무용매형 경화성 조성물, 이를 이용한 경화막 및 컬러필터
JP7208372B2 (ja) * 2019-08-23 2023-01-18 ゼウス カンパニー インコーポレイテッド ポリマーで被覆されたワイヤ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0395266A (ja) * 1989-05-29 1991-04-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 硬化剤、その製造方法及び該硬化剤を用いた硬化性組成物
JPH08157720A (ja) * 1994-12-08 1996-06-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 有機系硬化剤の製造方法
EP0803529A1 (en) * 1996-04-25 1997-10-29 Nippon Paint Co., Ltd. Curable resin composition

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3376301A (en) 1960-08-24 1968-04-02 Gulf Oil Corp Method of producing triallylic isocyanurates
US3220972A (en) 1962-07-02 1965-11-30 Gen Electric Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst
US3159662A (en) 1962-07-02 1964-12-01 Gen Electric Addition reaction
US3159601A (en) 1962-07-02 1964-12-01 Gen Electric Platinum-olefin complex catalyzed addition of hydrogen- and alkenyl-substituted siloxanes
US3322761A (en) 1965-07-14 1967-05-30 Allied Chem Purification of triallyl isocyanurate
US3516946A (en) 1967-09-29 1970-06-23 Gen Electric Platinum catalyst composition for hydrosilation reactions
DE2126296A1 (en) 1971-05-27 1972-11-30 Farbenfabriken Bayer Ag, 5090 Lever Kusen Triallylisocyanurate prodn - by catalytic reaction of allyl-chloride with sodium cyanate
JPS4826022A (ko) 1971-08-04 1973-04-05
JPS5756492B2 (ko) 1973-05-02 1982-11-30
GB1433288A (en) * 1973-05-02 1976-04-22 Hitachi Ltd Thermally curable compositions and process for curing said compositions
JPS5095289A (ko) 1973-12-27 1975-07-29
JPS5392791A (en) 1977-01-24 1978-08-15 Kao Corp Preparation of isocyanuric acid triesters
JPS5822118B2 (ja) 1978-03-31 1983-05-06 日本化成株式会社 イソシアヌル酸トリアリルの製造法
SU765265A1 (ru) 1978-04-12 1980-09-23 Предприятие П/Я В-2304 Способ получени триаллилизоцианурата
JPS57200371A (en) 1981-06-03 1982-12-08 Nissan Chem Ind Ltd Preparation of triallyl isocyanurate in high purity
DE3272037D1 (en) 1981-11-04 1986-08-21 Akzo Nv Preparation of isocyanuric esters
FR2519488B1 (fr) * 1981-12-31 1985-10-25 Neubauer Michel Ensemble d'amplification pour tensions de fortes excursions et source de tension comprenant un tel ensemble d'amplification
SU1121259A1 (ru) 1982-12-16 1984-10-30 Предприятие П/Я М-5927 Способ получени триаллилизоцианурата
SU1121260A1 (ru) 1982-12-16 1984-10-30 Предприятие П/Я М-5927 Способ получени триаллилизоцианурата
JPS6245578A (ja) 1985-08-21 1987-02-27 Res Inst For Prod Dev イソシアヌレ−トの製造法
JPS6248671A (ja) 1985-08-26 1987-03-03 Res Inst For Prod Dev アルケニルイソシアヌレ−トの製法
JPH0655818B2 (ja) 1986-08-27 1994-07-27 ハーキュリーズ・インコーポレイテツド 有機珪素重合体の製法
DE3631125A1 (de) * 1986-09-12 1988-03-24 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von organopolysiloxanelastomeren und neue organosiliciumverbindungen
JP2717719B2 (ja) * 1989-02-28 1998-02-25 鐘淵化学工業株式会社 有機重合体、その製造方法及びそれを用いた硬化性組成物
US5101029A (en) * 1989-04-27 1992-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Isocyanurate-containing organosilicon compounds
JP3256511B2 (ja) 1989-05-29 2002-02-12 鐘淵化学工業株式会社 硬化剤、その製造方法および該硬化剤を用いた硬化性組成物
JP2966463B2 (ja) 1990-03-27 1999-10-25 信越化学工業株式会社 硬化性樹脂組成物
JP2971523B2 (ja) 1990-06-14 1999-11-08 小島実業株式会社 トリアリルイソシアヌレートの製造法
JPH04321655A (ja) 1991-04-19 1992-11-11 Showa Denko Kk アリル型アミドの製造法
JP3268818B2 (ja) 1992-04-23 2002-03-25 住友ベークライト株式会社 半導体封止用組成物
JP2964822B2 (ja) 1993-02-19 1999-10-18 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの製造方法
JPH0762103A (ja) 1993-08-25 1995-03-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JPH07150044A (ja) * 1993-11-25 1995-06-13 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 硬化性ポリマー組成物
DE69515256T2 (de) * 1994-11-04 2000-07-27 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Verfahren zur Herstellung von thermoplastischen Organopolysiloxanharz
JPH08259711A (ja) 1995-03-24 1996-10-08 Asahi Chem Ind Co Ltd プリプレグの製造方法
JPH08295783A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 硬化性樹脂組成物
US5691435A (en) * 1996-01-25 1997-11-25 Wacker-Chemie Gmbh Crosslinkable compositions
JPH09208564A (ja) 1996-01-30 1997-08-12 Nippon Hidorajin Kogyo Kk イソシアヌル酸トリアリルの製造法
JPH09302095A (ja) 1996-05-10 1997-11-25 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 硬化性組成物、成形体及び製造方法
DE19755151A1 (de) * 1997-12-11 1999-06-24 Wacker Chemie Gmbh Vernetzbare Zusammensetzungen
JPH11255753A (ja) 1998-03-10 1999-09-21 Nissei Kagaku Kogyo Kk 高品位トリアリルイソシアヌレートとその製造方法
DE19837855A1 (de) * 1998-08-20 2000-02-24 Wacker Chemie Gmbh Härtbare Organopolysiloxanmassen
JP4265003B2 (ja) 1998-10-05 2009-05-20 日本化成株式会社 シアヌル酸誘導体の製造方法
JP4265004B2 (ja) 1998-10-09 2009-05-20 日本化成株式会社 シアヌル酸誘導体の製造方法
JP3633802B2 (ja) 1998-11-02 2005-03-30 株式会社カネカ 発光表示体封止材用硬化性組成物及び発光表示体の製造方法
JP2000231003A (ja) 1999-02-10 2000-08-22 Konica Corp 光学素子及び光学用レンズ
US7470457B2 (en) * 2000-04-21 2008-12-30 Kaneka Corporation Curable composition, composition for optical material, optical material, liquid-crystal display device, transparent conductive film, and process for producing the same
WO2003091338A1 (en) * 2002-04-26 2003-11-06 Kaneka Corporation Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0395266A (ja) * 1989-05-29 1991-04-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 硬化剤、その製造方法及び該硬化剤を用いた硬化性組成物
JPH08157720A (ja) * 1994-12-08 1996-06-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 有機系硬化剤の製造方法
EP0803529A1 (en) * 1996-04-25 1997-10-29 Nippon Paint Co., Ltd. Curable resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030070087A (ko) 2003-08-27
WO2002053648A1 (en) 2002-07-11
CN100338142C (zh) 2007-09-19
EP1369458A4 (en) 2005-01-19
US7560145B2 (en) 2009-07-14
CN101125925B (zh) 2013-06-12
EP1369458A1 (en) 2003-12-10
TW588084B (en) 2004-05-21
CA2430866A1 (en) 2002-07-11
EP1369458B1 (en) 2011-06-29
CN1511182A (zh) 2004-07-07
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