KR100655076B1

KR100655076B1 - 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법 및그에 따른 내부 온도 데이터 출력회로

Info

Publication number: KR100655076B1
Application number: KR1020050005277A
Authority: KR
Inventors: 이승훈; 박철우
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-01-20
Filing date: 2005-01-20
Publication date: 2006-12-08
Also published as: US7594750B2; US20060159156A1; US20070109013A1; KR20060084572A

Abstract

온도 센서를 항상 또는 주기적으로 구동함이 없이도 비교적 정확한 온도 데이터를 외부로 고속 출력할 수 있는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법이 개시된다. 그러한 내부 온도 데이터 출력 방법은, 온도 데이터 요청신호에 응답하여 이전 구동 사이클에서 레지스터에 저장된 내부 온도 데이터를 외부로 출력하는 단계; 상기 내부 온도 데이터의 출력이 완료된 이후에, 온도 센서를 미리 설정된 타임구간 동안 구동하는 단계; 및 상기 온도 센서로부터 얻어진 내부 온도 데이터를 상기 레지스터에 저장하는 단계를 가짐에 의해, 파워의 소모가 저감되고 빠른 시간내에 정확한 온도 데이터가 외부로 출력되어질 수 있는 효과가 있다.

반도체 메모리 장치, 디램, 파워 세이빙, 온도 데이터

Description

반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법 및 그에 따른 내부 온도 데이터 출력회로{Method for outputting internal temperature data in semiconductor memory device and internal temperature data circuit therefor}

도 1은 통상적인 온도 센서의 회로구성도

도 2는 도 1에 따른 회로의 출력 특성 그래프도

도 3은 종래 기술에 따른 온도 데이터 출력 타이밍도

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 온도 데이터 출력 타이밍도

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 온도 데이터 출력 타이밍도

도 6은 본 발명의 실시예들을 구현하는데 적용되는 예시적 회로 블록도

도 7은 도 6에 따른 동작 타이밍도

본 발명은 반도체 메모리 장치에 적용되는 온도 센싱에 관한 것으로, 특히 다이나믹 랜덤 억세스 메모리(DRAM)와 같은 휘발성 반도체 메모리 장치에서의 내부 온도 데이터 출력 방법 및 그에 따른 내부 온도 데이터 출력회로에 관한 것이다.

통상적으로, 개인용 컴퓨터나 전자 통신 기기 등과 같은 전자적 시스템의 고성능화에 부응하여, 메모리로서 탑재되는 디램 등과 같은 휘발성 반도체 메모리 장치도 나날이 고속화 및 고집적화 되어지고 있다. 핸드 헬드 폰이나 노트 북 컴퓨터 등과 같이 바테리 오퍼레이티드 시스템에 탑재되는 반도체 메모리 장치의 경우에는 특히 저전력 소모 특성이 크리티컬 하게 요구되므로, 반도체 제조 메이커들은 모바일 향 저전력 솔루션(Low Power Solution)을 제공하기 위하여 동작(오퍼레이팅) 전류 및 스탠바이 전류를 감소시키기 위한 노력과 연구를 지속적으로 행하고 있는 실정이다.

하나의 트랜지스터와 하나의 스토리지 커패시터로 구성되는 디램 메모리 셀의 데이터 리텐션 특성은 온도에 따라서도 매우 민감하게 나타난다. 따라서, 메모리 셀을 온도 특성에 따라 적절한 제어를 행하는 경우에 파워 세이빙에 도움이 될 수 있다. 그러한 파워 세이빙을 구현하기 위해, 디램 등과 같은 반도체 메모리 장치 내에 온도 센서를 설치하고 칩의 온도에 따라 리프레쉬 주기를 다르게 행하려는 시도가 본 분야에 알려져 있다.

도 1에는 반도체 메모리 장치 내에 설치 가능한 온도 센서의 회로(100)가 보여진다. 상기 온도 센서는 전류 미러형 차동 증폭기와 다이오드를 기본적 구성으로 하는 밴드갭 레퍼런스 타입의 반도체 온도 센서로서 본 분야에서 널리 공지되어 있다. 온도 센서의 브랜치(C) 및 브랜치(A)를 흐르는 전류는 도 2에서와 같은 온도 대 전류 특성을 가진다. 도 2에서 가로축은 온도이고 세로축은 전류를 가리킨다. 트립 포인트(T1)에서 상기 브랜치(C) 및 브랜치(A)의 특성 그래프가 교차된다.

그러나, 상기한 온도 센서는 노이즈(Noise)환경에 상당히 민감하므로, 상기 반도체 메모리 장치의 동작 모드에 따라 출력되는 온도 데이터의 편차는 크게 나타날 수 있다. 따라서, 얻어지는 온도 데이터의 정확성이 떨어져 온도 데이터의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.

최근에 디램의 칩 온도가 CPU나 메모리 콘트롤러 등과 같은 칩 셋(chip-set)에 전달되도록 하고 칩 셋이 디램 칩의 온도에 따라 디램의 각종 동작 예컨대 리프레쉬 동작을 제어하도록 하는 시도가 증가하고 있는 실정이다. 그러한 경우에 온도 센서는 항상 활성화 되거나 주기적으로 활성화 되어 온도 센싱 동작을 한다. 온도 센서의 주기적인 동작 상태에서 외부의 명령이 도 3의 파형(Command)과 같이 인가되면, 파형(TS_RD)의 천이가 일어날 때까지 내부 온도 데이터가 디램에서 리드 아웃(read-out)된다. 여기서, 도 3은 종래 기술에 따른 온도 데이터 출력 타이밍도이다.

도 3에서와 같은 방법으로 디램 칩의 내부 온도 데이터를 얻는 경우에 디램의 동작 모드에 따라 얻어지는 온도 데이터가 차이가 날 수 있다. 즉, 디램이 데이터를 리드하는 동작을 하고 있을 때 외부 명령이 인가되었다면, 온도 센서는 충분히 안정된 상태에서 현재의 온도 데이터를 센싱하기 어렵고, 노이즈 환경 하에서 편차를 갖는 온도 데이터를 출력할 수 있다. 따라서, 얻어진 내부 온도 데이터의 신뢰성은 떨어지고, 온도 센서가 항상 또는 주기적으로 동작상태에 있으므로 파워 소모가 많다. 또한, 온도 데이터의 출력 억세스 타임이 도 3의 억세스 구간(TA)으로 나타나므로 칩 셋이 온도 데이터를 얻는 시간이 다소 길게 되는 문제점이 있다.

바람직하기로, 정확한 온도 데이터를 얻기 위해서는 온도 센서가 충분히 안정된 상태에서 온도 센싱을 할 수 있는 노이즈 없는 환경을 온도 센서의 센싱 응답 타임 이상으로 보장하는 것이 필요하게 된다. 따라서, 반도체 메모리 장치의 퍼포먼스를 해침이 없이, 보다 빠른 시간 내에 보다 신뢰성 있는 온도 데이터를 얻을 수 있는 대책이 바테리 오퍼레이티드 시스템에서 요구된다.

본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점들을 해결할 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 반도체 메모리 장치에 탑재된 온도 센서에게 안정된 동작 환경을 제공할 수 있는 반도체 메모리 장치에서의 내부 온도 데이터 출력 방법 및 그에 따른 내부 온도 데이터 출력회로를 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 온도 센서를 항상 동작시키거나 주기적으로 동작시킴이 없이도 칩의 온도 데이터를 신뢰성 있게 얻을 수 있는 반도체 메모리 장치에서의 내부 온도 데이터 출력 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 온도 센서를 항상 또는 주기적으로 구동함이 없이도 비교적 정확한 온도 데이터를 외부로 고속 출력할 수 있는 반도체 메모리 장치 의 내부 온도 데이터 출력 방법 및 그에 따른 내부 온도 데이터 출력 회로를 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 디램 메모리에 탑제된 온도 센서에서 소모되는 전력을 최소화 또는 감소시키면서도 보다 빠른 시간 내에 보다 신뢰성 있는 온도 데이터를 얻을 수 있는 온도 데이터 출력 방법을 제공함에 있다.

상기한 목적들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 실시예적 양상에 따라, 내부 온도 데이터 출력 방법은, 온도 데이터 요청신호에 응답하여 이전 구동 사이클에서 레지스터에 저장된 내부 온도 데이터를 외부로 출력하는 단계; 상기 내부 온도 데이터의 출력이 완료된 이후에, 온도 센서를 미리 설정된 타임구간 동안 구동하는 단계; 및 상기 온도 센서로부터 얻어진 내부 온도 데이터를 상기 레지스터에 저장하는 단계를 가진다.

바람직하기로, 상기 온도 데이터 요청신호는 상기 장치와 연결된 외부의 메모리 콘트롤러에서 제공되는 확장 모드 레지스터 세트 명령일 수 있으며, 상기 온도 센서는 밴드 갭 레퍼런스 타입을 갖는 반도체 온도센서일 수 있다.

또한, 상기 미리 설정된 타임구간은 약 5마이크로 초 이하가 적당할 수 있으며, 상기 내부 온도 데이터는 이전의 데이터 억세스 동작 모드에서 비활성화 상태로 있던 데이터 출력 버퍼를 통하여 출력될 수 있다.

상기한 온도 데이터 출력방법에 따르면, 파워의 소모가 저감되고 빠른 시간내에 비교적 정확한 온도 데이터가 외부로 출력되어질 수 있다.

상기한 본 발명의 목적들 및 타의 목적들, 특징, 그리고 이점들은, 첨부된 도면들을 참조하여 이하에서 기술되는 본 발명의 상세하고 바람직한 실시예들의 설명에 의해 보다 명확해질 것이다. 도면들 내에서 서로 동일 내지 유사한 부분들은 설명 및 이해의 편의상 동일 내지 유사한 참조부호들로 기재됨을 주목하여야 한다.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 온도 데이터 출력 타이밍도이다. 도 4를 참조하면, 온도 센서가 항상 또는 주기적으로 활성화되는 것이 아니라 비활성화 된 상태에서, 반도체 메모리 장치가 데이터 억세스 모드가 아닌 경우에, 외부 요구신호 예를 들어, 확장 모드 레지스터 세트(EMRS)명령이 인가됨에 의해 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터가 외부로 출력되는 타이밍 관계가 나타나 있다. 도 4에서 파형(EMRS)의 구간(TE)은 상기 확장 모드 레지스터 세트(EMRS)명령의 활성화 구간이고, 센서 동작 파형(TS)의 구간(OT)은 온도 센서의 온도 센싱에 대한 동작 구간이다. 이에 따라, 온도 센서로부터 얻어진 내부 온도 데이터를 외부로 출력하는 시간은 파형(TS_RD)의 억세스 구간(TA1)으로서 나타나게 된다.

상기한 제1 실시예에 따른 내부 온도 데이터 출력 방법은 도 3에서와 같은 방법과는 달리, 파워의 소모가 저감되고 비교적 정확한 온도 데이터가 외부로 출력되어질 수 있는 장점을 가지나, 온도 데이터의 억세스 타임이 길어 반도체 메모리 장치가 고속동작을 가질수록 적용이 불리하게 될 수 있다.

이하에서는 상기 제1 실시예가 갖는 억세스 타임을 대폭적으로 단축할 수 있는 제2 실시예가 도면을 참조로 설명될 것이다. 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 온도 데이터 출력 타이밍도이다. 도면을 참조하면, 파형(TS_RD)의 천이 구간이 도 4와는 다르게 되어 있는 것을 알 수 있다. 이에 따라, 억세스 타임은 억세스 구간(TA2)으로 나타나므로 제1실시예의 경우에 비해 단축된다. 제2 실시예에서는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법이 다음과 같은 스텝으로 진행된다. 먼저, 온도 데이터 요청신호가 확장 모드 레지스터 세트(EMRS) 명령으로 인가되면, 이에 응답하여 이전 구동 사이클에서 레지스터에 저장된 내부 온도 데이터가 외부로 출력된다. 그리고, 상기 내부 온도 데이터의 출력이 완료된 이후에, 온도 센서가 상기 미리 설정된 타임구간(OT) 동안 구동된다. 예컨대 약 5마이크로 초 이하로 설정된 상기 타임구간(OT)동안에 상기 온도 센서로부터 얻어진 내부 온도 데이터는 상기 레지스터에 저장된다. 이 경우에 상기 레지스터에 이미 저장된 내부 온도 데이터가 있는 경우라면 두 번째의 저장동작 이후에는 데이터 갱신(업데이트)이 수행되는 셈이다. 통상적으로 메모리 칩의 온도는 10밀리 초동안에 0.5도씨 이하로 변하는 것으로 알려져 있으므로, 온도 센서를 10 밀리초 이하의 타임구간 내에서 임의의 타임구간에 동작시키면 동작 안정성의 문제는 없게 된다.

도 6에는 본 발명의 실시예들을 구현하는데 적용되는 예시적 회로 블록도가 도시되어 있고, 도 7은 제2 실시예와 관련하여 도 6에 따른 동작 타이밍도이다.

도 6을 참조하면, 각종 신호라인들을 통하여 CPU(10)와 연결된 반도체 메모리 장치(20)가 보여진다. 상기 반도체 메모리 장치(20)의 내부에서 내부 온도 데이터 출력 회로는 복수의 회로 블록들(21-28)을 포함하고 있다. EMRS(21)는 외부 명령신호(EMRS)에 응답하여 마스터 명령신호(Master_MRS)를 출력하고, 센서 구동부(22)는 EMRS(21)로부터 출력되는 상기 마스터 명령신호(Master_MRS)를 수신하여 구동신호(Ptenb)를 생성한다. 도 7에서는 상기 마스터 명령신호(Master_MRS)가 로우에서 하이로 천이될 때, 상기 구동신호(Ptenb)의 상태는 하이레벨에서 로우레벨로 천이되는 것이 나타나 있다. 여기서, 상기 EMRS(21)를 통해 상기 외부 명령신호가 인가되는 시점은 상기 반도체 메모리 장치(20)가 데이터 억세스 동작을 하지 않는 구간이다. 이에 따라, 온도 센서의 센싱 동작은 안정하게 보장되는 것이다.
도 7에서 보여지는 타이밍 신호들(Command, DQ<0:3>)에 대한 것은 온도 센서(23)의 동작부터 설명한 후에 설명될 것이다. 우선, 상기 온도 센서(23)는 상기 구동신호(Ptenb)가 제1 상태(예컨대 도 7에서는 로우 레벨)로 유지되어 있는 타임구간(예컨대 5마이크로 초)동안에만 상기 장치(20)의 내부 온도를 감지하여 내부 온도 데이터(OUT)를 생성한다. 상기 온도 센서(23)로부터 출력되는 상기 내부 온도 데이터(OUT)는 레지스터를 내부에 포함하고 있는 레지스터 업데이트부(24)내에 저장된다. 상기 구동신호(Ptenb)가 일정 타임의 로우레벨 구간을 거친 다음 도 7의 타이밍에서 보여지는 바와 같이 제2 상태(하이 레벨)로 다시 천이되면, 상기 온도 센서(23)의 동작은 정지된다. 결국, 상기 외부 명령신호(EMRS)가 인가되고 나서 상기 온도 센서(23)가 일정 타임동안 동작되었다가 상기 구동신호(Ptenb)의 제2상태에 의해 다시 정지상태로 가면, 레지스터 업데이트부(24)는 상기 온도센서(23)에서 출력되어 내부에 저장된 내부 온도 데이터(OUT)를 업데이트 한다. 이에 따라 상기 온도 센서(23)를 통해 출력된 내부 온도 데이터(OUT)는 상기 레지스터 업데이트부(24)에 갱신적으로 저장된다.
상기 레지스터 업데이트부(24)로부터 출력되는 저장 및 갱신된 내부 온도 데이터(Tdata)는 데이터 출력 버퍼(25)로 인가된다. 여기서, 상기 저장 및 갱신된 내부 온도 데이터(Tdata)는 이전의 데이터 억세스 동작 모드에서 비활성화 상태로 있던 데이터 출력 버퍼(25)를 통하여 출력되도록 하는 것이 바람직하다.
이제, 도 7에서 보여지는 타이밍 신호들(Command, DQ<0:3>)을 참조한다. 상기 외부 명령신호(EMRS)가 메모리 장치(20)로 인가된 후 코멘드 신호(Command)가 하이로 천이되면, 메모리 셀로부터 리드된 노말 데이터가 아닌, 내부 온도 데이터(Tdata)가 데이터 출력버퍼(25)를 통해 데이터(DQ<0:3>)로서 리드된다. 여기서, 상기 데이터 (DQ<0:3>)는 이전의 데이터 억세스 동작 모드에서 저장 및 갱신된 내부 온도 데이터이다. 즉, 현재의 동작 사이클에서 감지된 내부 온도 데이터는 노말 데이터의 출력에 관여하지 않는 데이터 출력버퍼에 저장되어 있다가 이후의 동작 사이클에서 온도데이터를 리드하라는 코멘드 신호에 맞춰 메모리 장치의 외부로 리드되는 것이다. 결국, 도 7에서 보여지는 내부 온도 데이터의 출력 동작은 이전의 동작 사이클에서 기 저장된 내부 온도 데이터를 현재의 동작 사이클에서 출력하는 것을 나타낸다. 상기한 바와 같은 내부 온도 데이터의 출력 동작을 제어하기 위해 도 6의 코멘드 디코더(26) 및 EMRS(21)블록의 출력라인은 상기 데이터 출력버퍼(25)와 연결되어 있다. 이에 따라, 이전의 데이터 억세스 동작 모드에서 비활성화 상태로 있던 데이터 출력버퍼는 상기 외부 명령신호(EMRS)에 의해 생성된 상기 마스터 명령신호(Master_MRS)와 상기 코멘드 신호(Command)에 의해 활성화되어, 내부 온도 데이터의 출력을 행한다. 도 7에는 상기한 도 6에 따른 동작 타이밍이 상기한 설명과 일치되게 나타나 있다.
한편, 도 6의 회로 내에서, 셀프 주기 제어부(27) 및 셀프 발진기(28)는 셀프 리프레쉬 주기의 조절을 위해 마련된 것이다. 한편, EMRS 명령을 인가하여 반도체 메모리의 리프레쉬를 온도에 따라 조절하는 선행 기술의 예는 2003년 3월 20일자로 미국에서 공개된 미국공개 특허 2003/0056057호에 개시되어 있으므로 EMRS 명령의 응용에 관한 것은 그 것을 참조할 수 있을 것이다.

본 실시예들에서 외부 요구신호로서의 온도 데이터 요청신호는 상기 메모리 장치와 연결된 외부의 CPU 또는 메모리 콘트롤러에서 제공되는 확장 모드 레지스터 세트 명령으로 예를 들었으나, 사안이 다른 경우에 타의 논리 신호를 활용할 수 있음은 물론이다. 또한, 상기 온도 센서는 밴드 갭 레퍼런스 타입을 갖는 반도체 온도센서를 예를 들었으나, 타의 온도센서도 무방하다.

결국, 온도 센서가 오프된 상태에서 임의의 시간에 온도 데이터를 출력버퍼를 통해 외부 출력핀으로 리드 아웃함으로써 온도 데이터의 억세스 시간이 줄어들고, 장치가 리프레쉬 동작, 데이터 리드 또는 라이트 동작을 행하지 않을 때 온도 센서를 활성화함으로써 노이즈 영향이 거의 없는 환경에서 칩 내부의 온도 데이터가 정확하게 출력될 수 있다.

본 명세서에 제시한 개념은 특정한 적용 예에 다른 여러 방식으로 적용될 수 있음을 당해 기술의 지식을 가진 사람이라면 누구나 이해할 수 있을 것이다. 제시된 동작 타이밍 또는 회로들에 대한 세부적 구성은 본 발명에 따른 실시 예의 일부를 나타내며, 보다 효율적이고 회로 설계자에게 이용 가능한 다른 많은 방법이 있을 수 있다. 따라서, 이에 대한 상세한 구현은 본 발명에 포함되는 것이며 청구항들의 범위에서 벗어나지 않는 것으로 한다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 파워의 소모가 저감되고 빠른 시간내에 정확한 온도 데이터가 외부로 출력되어질 수 있는 효과가 있다. 그러므로, 본 발명의 기술은 저전력 특성이 요구되는 모바일 향(oriented) 메모리에 보다 적합하게 응용되는 이점이 있다.

Claims

반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법에 있어서:

데이터 억세스 모드가 아닌 경우에 인가되는 외부 요구신호에 응답하여 온도 센서를 미리 설정된 타임구간 동안 구동하는 단계와;

상기 온도 센서로부터 얻어진 내부 온도 데이터를 외부의 온도 데이터 요구신호에 응답하여 외부로 출력하는 단계를 가짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법.
제1항에 있어서,

상기 외부 요구신호는 상기 장치와 연결된 외부의 메모리 콘트롤러에서 제공되는 확장 모드 레지스터 세트 명령임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법.
제1항에 있어서,

상기 온도 센서는 밴드 갭 레퍼런스 타입을 갖는 반도체 온도센서임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법.
제1항에 있어서,

상기 미리 설정된 타임구간은 3마이크로 초 내지 5마이크로 초의 타임구간을 가짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법.
제1항에 있어서,

상기 내부 온도 데이터는 이전의 데이터 억세스 동작 모드에서 비활성화 상태로 있던 데이터 출력 버퍼를 통하여 출력됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법.
반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법에 있어서:

온도 데이터 요청신호에 응답하여 이전 구동 사이클에서 레지스터에 저장된 내부 온도 데이터를 외부로 출력하는 단계;

상기 내부 온도 데이터의 출력이 완료된 이후에, 온도 센서를 미리 설정된 타임구간 동안 구동하는 단계; 및

상기 온도 센서로부터 얻어진 내부 온도 데이터를 상기 레지스터에 저장하는 단계를 가짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법.
제6항에 있어서,

상기 온도 데이터 요청신호는 상기 장치와 연결된 외부의 메모리 콘트롤러에서 제공되는 확장 모드 레지스터 세트 명령임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법.
제7항에 있어서,

상기 온도 센서는 밴드 갭 레퍼런스 타입을 갖는 반도체 온도센서임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법.
제8항에 있어서,

상기 미리 설정된 타임구간은 3마이크로 초 내지 5마이크로 초의 타임구간을 가짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법.
제9항에 있어서,

상기 내부 온도 데이터는 이전의 데이터 억세스 동작 모드에서 비활성화 상태로 있던 데이터 출력 버퍼를 통하여 출력됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법.
반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 회로에 있어서:

외부 명령신호를 수신하여 구동신호를 생성하는 센서 구동부와;

상기 구동신호가 제1 상태인 경우에만 상기 장치의 내부 온도를 감지하여 내부 온도 데이터를 생성하는 온도 센서와;

상기 온도 센서로부터 출력되는 상기 내부 온도 데이터를 저장하는 레지스터와;

상기 외부 명령신호에 응답하여 상기 구동신호가 제2 상태로 유지되도록 한 상태에서 상기 레지스터에 저장된 내부 온도 데이터가 외부로 출력되도록 하고, 상기 내부 온도 데이터가 외부로 출력된 이후에는 제 1상태를 거친 상기 구동신호가 제2 상태로 유지되게 하여 상기 온도 센서를 통해 출력된 내부 온도 데이터가 상기 레지스터에 갱신적으로 저장되도록 하는 온도 데이터 출력 제어부를 가짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 회로.
제11항에 있어서, 상기 온도 데이터 출력 제어부에 연결되어 상기 반도체 메모리 장치의 리프레쉬 동작 주기를 상기 장치의 내부 온도 변화에 따라 변화시키는 회로 블록을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 회로.