KR100632427B1 - 시간절약형 높이측정을 이용하여 마스크패턴을 반복적으로 투영하는 방법 및 장치 - Google Patents

시간절약형 높이측정을 이용하여 마스크패턴을 반복적으로 투영하는 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100632427B1
KR100632427B1 KR1019997007600A KR19997007600A KR100632427B1 KR 100632427 B1 KR100632427 B1 KR 100632427B1 KR 1019997007600 A KR1019997007600 A KR 1019997007600A KR 19997007600 A KR19997007600 A KR 19997007600A KR 100632427 B1 KR100632427 B1 KR 100632427B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
height
measuring
measurement
projection
Prior art date
Application number
KR1019997007600A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000075541A (ko
Inventor
루프스트라에릭로엘로프
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20000075541A publication Critical patent/KR20000075541A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100632427B1 publication Critical patent/KR100632427B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026—Focusing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

전사투영장치에 있어서, 시간절약형 높이측정 방법이 이용된다. 투영 스테이션(105, 108, 111)에서 마스크(129)의 패턴이 제 1 기판(120)의 필드 위로 투영되는 동안, 측정 스테이션(133)에서 제 2 기판(121)의 필드 높이가 측정된다. 측정 스테이션에서, 기판 필드의 높이 및 기판홀더(113)의 높이는 각각 제 1 높이 센서(150) 및 제 2 높이 센서(160)에 의해 측정되며, 기판 필드의 이상적인 높이와 관련한 기판홀더의 높이 값은 각각의 기판 필드에 대해 결정된다. 투영 스테이션에서, 기판홀더(111)의 높이만이 제 3 높이 센서(180)에 의해 제어된다. 제 2 및 제 3 높이 센서는 바람직하게 Z 측정 축이 부가된 복합 XY 간섭계 시스템의 부분이다.

Description

시간절약형 높이측정을 이용하여 마스크패턴을 반복적으로 투영하는 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS REPETITIVELY PROJECTING A MASK PATTERN USING A TIME-SAVING HEIGHT MEASUREMENT}
본 발명은 투영 빔과 투영 시스템을 이용하여 방사선감광층(radiation-sensitive layer)이 제공된 기판의 복수의 필드 상에 마스크 패턴을 투영하는 방법에 관한 것으로, 기판을 갖는 기판홀더를 투영 빔 내부 및 투영시스템 아래로 유도하기에 앞서, 각 기판 필드에 대하여:
- 투영 빔의 축에 평행한 방향에서 높이를 측정하는 단계;
- 기판홀더의 기준 평면의 높이를 측정하는 단계;
- 기판홀더의 기준 평면의 높이 및 기판 필드의 높이 사이의 관계를 정립하는 단계; 및
- 상기 관계를 메모리에 저장하는 단계에 의하여 기판의 표면 프로파일이 결정되며, 기판을 갖는 기판홀더를 각 기판 필드 조명용 투영 빔 내부로 유도한 후에는, 이 필드의 높이가 기판홀더의 기준 평면의 높이를 점검하는 단계에 의하여 조정된다.
본 발명은 또한 이 방법에 의해 제조된 산물 및 이 방법의 수행에 적당한 전사투영장치와도 관련된다. 이러한 장치는 스테퍼(stepper) 또는 스텝 앤드 스캐너(step-and-scanner)일 수 있다.
집적회로의 제조를 위한 이러한 형태의 방법 및 장치는 일본 특허출원 JP-A 61-196532에 개시되어 있다. 이 특허출원은, 집적회로 제조공정중에 이들 기판이 매번 다른 마스크패턴으로 연속되는 조명 사이에서 열처리를 거치므로 기판 표면이 변형될 수 있음을 언급하였다. 이러한 기판 표면의 변형에 기인하여, 기판의 IC 영역이나 필드는, 마스크 패턴이 다른 기판 필드들 위에 묘화(imaging)되게 하는 투영렌즈 시스템의 초점심도를 벗어날 수 있어, 양호한 이미지가 더 이상 실현될 수 없게 된다. 따라서, 각 기판 필드의 높이, 즉 투영렌즈 시스템의 광축에 평행한 축을 따르는 위치의 측정이 필요하다. 만일 높이 측정이 각 기판 필드에 대해 한 지점에서 수행된다면, 관련 기판 필드의 가능한 비평탄성이 측정될 수 없고, 전체 기판 필드가 투영렌즈 시스템의 초점심도 내에 있는 것을 보장할 수 없다.
JP-A 61-196532의 목적은 전체 기판 필드 표면이 초점심도 내에 있는 것을 보장할 수 있고, 이 표면이 조명되기에는 너무 불량한 품질을 갖는지 또는 전혀 사용될 수 없는지를 판단할 수 있게 하는 방법을 제공하는 것이다. 이러한 목적의 실현을 위해, JP-A 61-196532는 기판의 필드가 투영 빔 내부 및 투영 렌즈 시스템(projection lens system) 아래로, 결국 투영 스테이션(projection station)내로 유도되기 전에 이들의 가능한 경사 및 높이의 측정을 제안한다. 이 측정은 별도의 측정 스테이션(measurement station)에서 행해진다.
현행 전사장치의 중요 변수는 수율(throughput), 즉 단위시간당 장치에 의해 조명되어 마스크패턴의 이미지가 제공될 수 있는 기판의 갯수이다. 주지하는 바와 같이, 전사장치 분야는 매우 급속하게 발전하고 있다. JP-A 61-196532의 공개 후에, 이들 장치의 여러 세대가 상호 계승되었다. 연속되는 세대와 더불어, 증가된 수의 전자구성요소를 갖는 집적회로가 제조될 수 있었다. 하지만, 이는 마스크패턴에 대하여 기판필드를 (투영 시스템의 축에 직각인 X 및 Y 방향에서) 정렬하고, 이들 필드를 초점맞춘 상태로 유지시키는 절차가 더 어렵고 시간소모적인 것임을 의미했다. 이러한 정렬동안, 예를 들어 US 4,778,275에 기재된 것으로서 기판의 정렬마크가 마스크의 마크 위에 묘화되는 정렬 시스템뿐 아니라, 기판의 X와 Y 이동 및 기판 필드의 위치가 좌표계에서 고정될 수 있게 하는 간섭계 시스템이 사용된다.
중요 해결책은 3개의 측정 축(measuring axes) 대신 최소 5개의 측정 축을 갖는 간섭계 시스템의 사용이었다. 이러한 간섭계 시스템이 제공된 전사장치는 EP-A 0 498 499에 개시되어 있다. 이러한 간섭계 시스템으로 인하여, X축과 Y축을 따르는 기판의 변위 및 Z축에 대한 회전이 측정될 수 있음은 물론이고, X축에 대한 경사 및 Y축에 대한 경사도 역시 매우 정확하게 측정될 수 있다. 따라서, 기판 필드마다 별도의 정렬이 수행될 필요없이 각각의 기판 필드는 마스크패턴에 대하여 충분한 정확도로 위치될 수 있다. 이리하여, 기판을 조명하는데 요구되는 시간이 상당히 감소될 수 있다.
JP-A 61-196532에서, 기판필드의 높이 및 경사의 측정에 별도의 측정 스테이션이 사용된다. 이는 또한 다수의 기판홀더를 사용함으로 인해 제 1 기판의 조명과 제 2 기판 상의 측정이 동시에 실행될 수 있어, 공지의 장치에서와 동일한 수율이 달성될 수 있음을 논하고 있다. 이러한 배후의 원인은, 먼저 연속적으로 제 1 기판을 측정 조명하고, 이후에 연속적으로 제 2 기판을 측정 조명하는 식으로 기판별로 처리하는 장치의 경우, 기판필드 마다 수행되어야 하는 다양하고 추가적인 측정 단계에 기인하여, 전체 기판을 조명하는데 소요되는 시간이 아주 길어지게 된다. 하지만, 최소 5개의 측정 축을 갖는 간섭계 시스템에 의해 제공된 설비로 인해 JP-A 61-196532에서 언급된 문제점과 해결책이 극복되었고, 별도의 측정 스테이션 및 병렬-시간(parallel-time) 측정과 조명없이도 목적하는 정확도가 달성될 수 있다.
더욱 작은 세부사항(details)이 묘화되어야 하고 기판 필드의 위치 정확도가 더 큰 것이 바람직한 최신 전사장치 및 현재 개발중에 있는 전사장치에 있어서는, 최소 5개 이상의 측정 축을 갖는 간섭계 시스템의 사용에도 불구하고 기판필드 별로 정렬을 행하고 초점 및 경사 보정을 수행하는 것이 필요하다.
최소 2개의 기판홀더 및 별도의 정렬 스테이션을 구비한 전사투영장치의 제공은, 예를 들면, EP-A 0 687 957과 JP-A 57-183031의 영문 요약서에서 이미 제안되었다. 이 정렬 스테이션에서, 기판들은 투영 스테이션으로 유도되기 전에 그들이 존재하는 기판홀더에 대하여 정렬된다. 투영 스테이션에서는, 기판홀더만이 마스크패턴에 대하여 정렬되는데, 이는 신속하게 수행될 수 있는 비교적 간단한 공정이다. 정렬 스테이션과 투영 스테이션 사이에서 이동될 수 있는 2개의 기판홀더가 사용되므로, 제 1 기판이 투영 스테이션에서 조명되는 동안 제 2 기판은 정렬 스테이션에서 기판 지지체(substrate support)에 대하여 정렬될 수 있어, 투영 스테이션에서 정렬에 소요되는 시간이 최소화될 수 있다.
JP-A 61-196532에서 설명된 높이측정 스테이션에서는, 예를 들어 3개의 공기 센서로 구성된 동일한 다중 높이센서가 기판필드와 기판홀더의 기준 평면 양자의 높이를 측정하는데 사용된다. 또한, 기판필드 표면의 형상을 측정하기 위해 전단 간섭계 시스템(shearing interferometer system)이 제공된다. 측정 디바이스의 이러한 선택의 결과는 측정절차가 비교적 많은 수의 단계를 포함한다는 것이다.
먼저 기판필드의 높이가 3개의 공기 센서에 의해 그 필드의 3개의 다른 위치에서 측정되어, 이 필드의 구배(slope)가 계산될 수 있다. 이 구배는 "임시 베이스 평면(temporary base plane)"으로 지칭된다. 따라서, 높이측정 스테이션에 존재하는 수직 작동기(actuator)에 의하여 임시 베이스 평면이 간섭계의 기준평면에 평행한 것이 보장된다. 그리고 나서, 기판 표면의 공기 센서는 기판홀더의 기준평면으로 이동한다. 다음에, 기판필드 표면의 형상이 간섭계 시스템에 형성된 간섭 패턴(interference pattern)으로부터 계산되는 동안 기판필드는 간섭계로 측정된다. 이 단계시, 기판은 수직 작동기에 의해 수직으로 작은 거리를 이동해야 한다. 다음에, 기판 지지체 기준평면의 높이가 3개의 공기 센서로 측정된다. 최종적으로, 이 높이와 임시 베이스 평면 사이의 상관관계(correlation)가 결정된다. 이렇게 하여 얻어진 정보는, 관련 기판의 도착후에, 기판필드의 높이를 조정하는데 사용되는 투영 스테이션으로 보내지는데, 투영스테이션에서는 투영 스테이션에 존재하는 3개의 공기 센서로 기판 기준평면의 높이만이 측정된다.
JP-A 61-196532에서 설명된 것보다 간단하고 그와는 다른 개념에 기초하는 서문에 설명된 형태의 방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다. 본 발명에 의한 방법은, 각각의 기판필드의 높이측정에 있어서, 상기 필드 및 제 1 높이 센서는 투영 빔의 축에 직각인 평면에서 서로에 대하여 이동하며, 제 2 높이 센서는 기판 지지체 기준평면의 높이 측정에 사용되고, 관련 기판필드의 이상적인 높이와 연관된 기판 지지체 기준평면의 높이는 이후에 계산되어 저장되고, 기판이 투영 빔으로 유도된 후에는 각 기판필드에 대한 이러한 높이의 값만이 제 3 높이 센서에 의해 점검되는 것을 특징으로 한다.
투영 빔의 축은 투영방사선의 대칭축을 의미하는 것으로 이해된다. 이러한 방사선은 둥근 단면 또는 환형 단면 또는 원형 세그먼트의 형태인 단면으로 된 단일 빔으로 구성될 수 있다. 대안적으로 투영방사선은 예를 들어, 4개의 사분면으로 구성되어 투영장치의 분해능을 증가시킬 목적을 갖는 4개의 하위빔(sub-beam)일 수도 있다. 대칭축은 4개 사분면의 중심을 관통하는 축이 된다. 마스크 평면의 영역에서 원형 세그먼트 형태인 단면의 투영 빔은 스텝 앤드 스캐너에 사용된다. 후자의 경우, 대칭축은 원의 곡률 중심을 관통하는 축이다.
본 발명은, 기판필드를 측정하는 단일 높이 센서를 이용하고, 측정 방향에 직각인 평면에서 상기 필드와 상기 높이 센서를 상호관련하여 이동시키고, 상기 높이 센서는 매 시간 기판필드의 작은 부분만을 측정함으로써, JP-A 61-196532에서 설명된 방법에 비해 더 짧은 시간 주기 내에 상당히 간단한 방법으로 기판필드의 높이와 프로파일이 측정될 수 있다는 인식에 기초한다. 또한, 기판 지지체 기준평면의 측정에 제 2 높이 센서가 사용되므로, 제 1 높이 센서는 더 이상 기판필드로부터 기준 평면으로 변위될 필요가 없고, 반대의 경우도 마찬가지이며, 이는 측정 디바이스의 안정도를 증가시키고 측정을 강화한다.
본 발명에 의한 방법은 바람직하게, 각 기판필드에 대하여 이 기판필드의 높이 및 기판홀더 기준평면의 높이가 동시에 측정되는 것을 다른 특징으로 한다.
이는 측정 스테이션에 2개의 높이 센서가 사용되어 측정 시간이 단축됨으로써 가능하게 된다.
이 방법의 바람직한 실시예는, 기판을 구비하는 기판홀더가 투영 빔 내로 유도되기 전과 후 모두에서, 그리고 기판홀더 기준 평면의 높이를 측정할 때, X축 및 Y축을 따라 기판의 위치 또한 측정되며, 여기서 X축 및 Y축은 3축 직교 좌표계의 축이고, Z축은 투영 빔의 축에 평행하다.
전술한 간섭계 시스템으로 수행가능한 X 및 Y 측정에 기인하여, 기판필드의 위치는 이 기판필드의 높이와 동시에 간섭계 시스템에 의해 결정된 좌표계에서 측정된다. 이 측정의 결과는 투영 스테이션에서 특히, 기판필드의 확인에 사용될 수 있다. 한편, X 및 Y 측정과 Z 측정의 조합은 이들 측정의 신뢰도 및 정확도를 증진시킨다.
각 기판필드의 X 및 Y 위치가 측정 스테이션 및 투영 스테이션의 양자에서 결정되었으므로, 전사기술에 요구되는 정렬공정의 일부는 기판이 투영 빔으로 유도되기 전에 수행될 수 있다. 이 경우 이러한 방법의 실시예는, 기판을 구비한 기판홀더를 투영 빔내로 유도하기 전에, 각 기판필드에 대한 관계가 상기 기판필드와 연관된 정렬마크 및 기판홀더 상의 최소 하나의 기준 마크 사이에서 결정되고, 그리고 기판을 구비한 기판홀더를 투영 빔으로 유도한 후에는, 상기 관계를 이용하는 한편 마스크 상의 대응 마크에 대하여 상기 기준 마크를 정렬함으로써, 각각의 기판필드는 조명되기 전에 정렬된다.
정렬절차중 시간이 가장 많이 소모되는 부분이 제 2 기판 상에서, 제 1 기판이 조명되는 동안, 상기한 바와 같이 실행될 수 있어, 정렬에 요구되는 시간이 상당히 단축될 수 있다. 정렬에 필요한 X 및 Y 위치 측정이 기판필드의 높이를 측정할 목적으로 이미 실행된다는 사실이 이용된다. 기판이 투영 빔 내로 유도되기 전에 정렬절차의 일부를 실행하는 원리 및 이점이 EP-A 0 687 957및 JP-A 57-183031의 영문 요약서에 설명되어 있다.
본 발명에 따른 방법중 각별히 유리한 실시예는, 기판을 투영 빔 내로 유도하기에 앞서 다수인 기판필드의 표면 프로파일 결정시에, 연속적으로 검사된 필드가 상호 관련하여 배치되는 순서에 의해 형성된 대로의 일정 경로(route)를 따르고, 그리고, 그 후에 기판이 투영 빔 내 및 투영 시스템 아래로 유도된 때에는 필드가 조명되는 동안 동일한 경로를 따르는 것을 특징으로 한다. 이는 주로 (표면 프로파일이 결정되는) 측정위치 및 기판 위의 필드의 (조명이 발생하는) 노광위치 사이에서 데이터의 매칭을 단순하게 한다. 이러한 실시예가 측정 및 노광 스테이션 모두에서 동일한 경로를 따르기는 하지만, 확실히 허용될 수는 있으나 동일 순서를 따르도록 제한되지는 않는다는 것이 명백히 인지되어야 한다.
최신의 방법을 이용하여, 기판필드에서 마스크패턴의 선명한 이미지를 얻을 수 있어, 예를 들면 이 방법으로 제조된 IC와 같은 생산물이 잘 규정된 구조를 갖 게 되고, 본 발명은 이러한 생산물에서도 구현될 수 있다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 방법의 수행에 적당한 전사투영장치와도 관련된다. 이 장치는, 기판홀더 위에 배열된 복수의 기판필드에 마스크패턴을 투영하는 투영 스테이션, 및 기판홀더 기준평면의 높이와 각 기판필드의 높이를 측정하는 측정 스테이션을 포함하고, 장치를 통과하는 기판의 경로는 측정 스테이션을 통하여 투영 스테이션으로 연장되고, 측정 스테이션은 기판필드 및 기판홀더 기준평면의 높이를 각각 측정하는 제 1 및 제 제 2 높이센서를 수용하고, 투영 스테이션은 기판홀더 기준평면의 높이를 측정하는 제 3 높이센서를 수용한다.
본 장치와 JP-A 61-196532에 따른 장치와의 차이는 후에 언급한 장치의 측정 스테이션이 단지 하나의 높이센서를 수용하는 점이다.
최신 장치에서, 용량형(capacitive) 또는 공기압 미터(pneumatic meters)와 같은 다양한 형태의 높이센서가 사용될 수 있다. 한편, 높이센서는 상호 다른 형태일 수도 있다. 하지만, 바람직하게 3개의 높이센서는 광학 높이센서(optical height sensor)이다.
광학 높이센서는 사용이 융통적이며, 장치에 추가적인 설비를 거의 요하지 않으며, 매우 정확하고 신뢰할만하다.
투영장치의 바람직한 실시예는, 제 2 및 제 3 높이센서중 적어도 하나는 기판의 X 및 Y 변위와 위치를 측정하는 별도의 복합 XYZ 간섭계 시스템의 부분을 형성하고, 간섭계로 결정되는 기판 변위의 수와 적어도 동등한 수의 X 및 Y 측정 축의 수를 가지며, 상기 측정 축은 기판홀더 상에 배열된 X 및 Y 측정미러와 관련되 고, 상기 간섭계 시스템은 XY 평면에 예각으로 기판홀더 상에 배열된 Z 측정미러와 관련되는 Z 측정 축을 더 구비하며, 상기 Z 측정 축과 Z 측정 미러(measuring mirror)는 Z 반사기 및 Z 검출기와 더불어 높이센서를 구성하는 것을 특징으로 한다.
간섭계 시스템의 측정 축은 기판의 소정 방향(X, Y 또는 Z)에서 위치 또는 변위가 측정되는 축으로 이해된다. 이 측정 축은 관련된 측정에 사용되는 측정 빔의 주광선과 일치할 필요는 없다. 측정 빔이 거의 동일한 지점에서 측정 미러에 의해 시스템을 통해 2회 보내지고 2회 반사된다면, 측정 축은 제 1 통로 위의 측정 빔의 주광선 및 시스템을 통과하는 제 2 통로 위의 이 빔의 주광선 사이에 위치한다.
안정도 및 정확도와 관련하여, Z 측정 축과 더불어 연장되는 XY 간섭계 시스템은 확실히 전사장치에서 높이센서로 사용하기에 적합하다. 높이 측정은 비교적 적고 단순한 수단: 추가 빔 스플리터 및 간섭계 시스템에서의 추가 Z 검출기, 및 기판홀더 상의 추가 측정 미러로서 실현될 수 있다. 또한, 높이센서를 제공하기 위해 투영 시스템과 기판 사이에 공간을 확보할 필요가 없다. 이제 기판의 높이는 투영 시스템에 접속된 Z 반사기와 관련하여 결정된다.
사전에 인지된 바와 같이, 높이 측정에 부가하여 정렬 절차의 일부가 측정 스테이션에서 수행될 수 있다면 상당한 이점을 가져오게 된다. 이러한 설비를 제공하는 장치는, 측정 스테이션이 기판필드와 관련된 정렬 마크를 묘화하는 구성요소를 포함하는 광학 정렬 시스템 및 정렬 시스템 내에서 기준 마크 상에 최소 하나의 기판홀더 정렬 마크를 포함하는 것을 특징으로 한다.
기판테이블 위의 기판을 정렬하는데만 사용되는 측정 스테이션용 정렬 시스템은 전술한 JP-A 57-183031에 설명되어 있다.
본 장치의 바람직한 실시예는 간섭계 시스템용 Z 측정 미러가 XY 평면에 대해 거의 45°각도로 기판홀더 상에 배열되는 것을 특징으로 한다.
Z 반사기가 XY 평면에 평행하면, Z 측정 빔이 Z 반사기의 전후로 동일 경로를 가로지르게 되므로 Z 측정 미러는 최소 폭을 갖게 된다.
본 장치는 간섭계 시스템용 Z 측정 미러가 X 또는 Y 측정 미러의 경사부 (beveled portion)에 의해 구성되는 것을 다른 특징으로 한다.
이러한 목적에 적합한 기판홀더 측면은 직선부(straight portion) 및 직선부에 대해 바람직하게 45°각도인 경사부로 나뉘어 지고, 양 부분 모두 반사형이다.
본 장치의 바람직한 실시예는 간섭계 시스템용 Z 측정 미러가 X 또는 Y 측정 미러 역시도 배열되는 기판홀더의 측면 상에 배열된 경사진 바(beveled bar)로 구성되어, 상기 바는 상기 측면을 관통하여 그 수직방향으로, 상기 측면의 작은 부분만을 통과하여 Z 방향으로 연장하는 것을 특징으로 한다.
Z 반사기가 투영 시스템의 홀더에 대항하여 배열되기 때문에, 전사장치에서 투영 시스템의 축 및 이 반사기의 일단 사이에서, 예를 들면 70mm 급의 소정 거리가 존재하게 된다. 기판홀더의 말단 X 위치에서도, Z 측정 미러에 의해 반사된 측정 빔이 Z 반사기에 도달하게 하기 위해, 투영 시스템의 축과 Z 측정 미러 중심 사이의 거리는 이 말단 위치에서 상기 거리와 최소한 동등해야 한다. 이는 Z 측정을 위해 기판홀더가 확장되어야 함을 의미한다. 이 홀더가 소정 높이를 가져야 하고, Z 측정 미러가 제공되는 측면 상에 X 또는 Y 측정 미러 역시 제공되어야 하므로, Z 측정 미러를 위한 기판홀더의 확장은 그의 중량을 상당히 증가시킨다. 기판홀더에 고정적으로 접속된 얇은 바 상에 Z 측정 미러를 제공함으로써, 이 홀더의 중량은 제한적으로 유지될 수 있다.
본 전사장치의 또 다른 특징적 성질에 의하면, Z 측정 미러는 바람직하게 기판으로부터 떨어져 기판홀더의 부분 상에 배열된다.
홀더의 하부측에 Z 측정 미러를 배치하고, X 또는 Y 측정 미러를 그의 상부에 배치함으로써, X 및 Y 방향에서 동적 아베 에러(dynamic Abbe errors)의 위험이 감소될 수 있다. 더욱이, 기판홀더의 관련 측면의 최대부 및 Z 측정 미러와 투영 시스템 사이의 최대 공간은 기타의 측정에도 적당하다.
Z 측정빔과 관련된 기준 빔을 위한 별도의 기준 미러(reference mirror)가 간섭계 시스템에 배열될 수 있다. Z 측정 빔과 Z 기준 빔을 받는 Z 검출기는, Z 측정 미러가 X 측정 미러와 동일한 기판홀더의 측면 상에 배열되는 경우 X 위치에 대한 정보, 또는 Z 측정 미러가 Y 측정 미러와 동일한 측면 상에 배열되는 경우 Y 위치에 대한 정보와 혼합된 Z 위치에 대한 정보로서 신호를 공급한다. X 위치 신호 또는 Y 위치에 대한 전자 미분(electronic differentiation)은 이 신호 상에서 실행되어야 한다, 즉 이 신호는 순수한 Z 위치를 얻기 위해 X 위치 또는 Y 위치의 신호와 조합되어야 한다.
하지만, 바람직하게 본 장치는 Z 측정 빔과 관련된 기준 빔을 위한 기준 미 러가 Z 측정 미러도 배열되는 기판홀더의 그 측면 상에 배열되는 X 또는 Y 측정 미러로 구성되는 것을 특징으로 한다.
그 후에 광학 미분(optical differentiation)이 수행되고, Z 검출기의 출력신호는 순수한 Z 위치 정보를 포함한다. 전자미분을 수행할 필요는 없다. 광학 미분은 간섭계 시스템과 관련한 전자회로의 처리 속도에 더 이상 종속되지 않게 되는 장점을 갖는다.
Z 측정 축에 대해, 측정 빔 및 관련된 기준 빔이 측정 미러 및 기준 미러에 의해 각각 반사된 후에, 빔 스플리터(beam splitter)는 Z 검출기 평면에서 이들 빔에 의해 형성된 방사선 스폿(radiation spot)이 가능한 한 만족스럽게 일치하게 하도록 이들을 조합해야 한다. 이 검출기에 의해 공급된 신호는 최대 진폭(amplitude)을 갖는다. 하지만, 이들 방사선 스폿은 이들 빔과 관련된 측정 미러의 바람직하지 않은 경사에 기인하여 검출기에 대하여 옵셋(offset)되어, 이들 빔의 방향이 변화된다. 이러한 현상은 빔 이반(離反: beam walk-off)으로 알려져 있다. Z 측정 빔은 Z 반사기뿐 아니라 Z 측정 미러에 의해서도 반사되므로, Z 측정 빔에 대한 빔 이반이 Z 기준 빔에 대한 것보다 크다. 전술한 광학 미분법이 사용되는 경우, 즉 Z 기준 빔이 X 또는 Y 측정 미러로 보내지면, 빔 이반이 감소될 수 있다. 실제로, 그 후에 빔 이반은 양 빔 모두에 대해 동일한 방향으로 변화한다. 따라서, 광학 미분법은 제 2의 장점을 제공한다.
빔 이반을 더 감소시키기 위해, 본 장치는 바람직하게, 측정 미러에 의해 반사되고 검출기를 향하는 Z 측정 빔이 상기 미러 상에서 다른 반사용인 상기 측정 미러로 반사되게 하는 역반사기(retroreflector)와 Z 측정 빔의 경로가 결합하는 것을 특징으로 한다.
측정 미러 상에서 Z 측정 빔의 이러한 추가 반사에 기인하여, 이 빔의 경로에 존재하는 미러의 경사와 관계없이 측정 빔의 원래 방향이 유지된다.
간섭계 시스템의 X 및 Y 측정 축의 수는 장치내의 기타 측정 시스템의 존재에 따라 달라질 수 있다. 하지만, 바람직하게 간섭계 시스템은 Z 측정 축에 부가하여 적어도 5개의 다른 측정 축을 포함한다.
이 시스템에서, 가장 효과적인 측정 정확도의 이점은 추가적인 측정설비, 즉 Z 측정의 것과 조합된다.
측정 빔이 전파되는 매체의 굴절율(refractive index) 변동과 무관하게 간섭계 측정을 행하기 위해, 간섭계 시스템은 파장이 다른 두 측정 빔이 그를 따라 전파되는 측정 축을 가지는 것을 다른 특징으로 한다.
파장이 다른 두 빔으로 동일한 거리가 측정되고, 매체의 굴절율은 이 측정 빔의 파장에 의존하므로, 가능한 굴절율 변동이 측정될 수 있고, 간섭계 시스템의 측정 결과는 그에 의해 보정될 수 있다. 상기 측정 축은 별도의 기준 측정축이거나, 또는 다른 측정축 중 하나일 수도 있다.
본 전사장치는 바람직하게, 측정 미러를 제외하고 Z 반사기와 마찬가지로 투영 스테이션-간섭계 시스템의 구성요소들이 투영 시스템 역시 강성적으로 고정되는 견고한 프레임에 배열되는 것을 또 다른 특징으로 하고, 이 프레임은 장치의 기타 구성요소로부터 격리되어 동적으로 현가된다.
이러한 조치는 소망하는 측정 정확도의 실현에 상당히 기여한다. 간섭계 유닛은 투영 시스템에 동요없이 강성적으로 결합된다. 도량형 프레임 (metrology frame)으로 지칭되기도 하는 상기 프레임이 장치에서 동적으로 격리되거나, 또는 무진동으로 현가되어 있으므로, 이 장치에 존재하는 간섭계 유닛의 위치는, 기판홀더가 그의 부분을 형성하는 기판테이블, 및 마스크홀더가 그의 부분을 형성하는 마스크테이블에 대한 구동력과 같은 외부력에 의한 영향을 더 이상 받지 않게 된다.
본 장치는 X 및 Y 측정 빔과 관련된 기준 빔용의 기준 미러가 투영 시스템의 홀더 상에 배열된 것을 또 다른 특징으로 한다.
기판의 X 및 Y 위치는 더 이상 간섭계 구성요소와 관련하여 측정되지 않으며, 투영 시스템에 관련하여 측정된다. 도량형 프레임의 가능한 변형은 위치 측정에 있어 무시할만큼의 작은 영향만을 갖는다.
본 발명의 이들 및 기타의 측면은 이후에 설명되는 실시예를 참조하여 명백하게 될 것이다.
도 1은 전사투영장치중 투영 스테이션의 실시예를 나타내고;
도 2는 별도의 높이측정 스테이션 및 2개의 기판홀더를 구비한 전사투영장치의 모식도를 나타내고;
도 3은 투영 스테이션 및 측정 스테이션에 사용되는 높이센서를 나타내고;
도 4는 기판 상에서 측정을 위한 높이센서의 실시예를 나타내고;
도 5, 6 및 7은 복합 간섭계 시스템의 부분을 형성하는 양 스테이션에 사용 하기 위한 기판홀더용 높이센서의 제 1, 제 2 및 제 3 실시예를 나타내고;
도 8은 도량형 프레임을 구비한 투영 스테이션의 실시예를 나타내고;
도 9는 측정 스테이션 및 투영 스테이션에서 실행되는 간섭계 측정의 실측도(survey)를 나타내고, 그리고
도 10은 도 2의 장치에서 기판홀더에 의해 실행되는 이동을 나타낸다.
도 1은 기판 위에 마스크패턴을 반복적으로 묘화하는 광전사장치의 일 실시예의 광학적 구성요소를 모식적으로 나타낸다. 이 장치의 주요 구성부품은 투영렌즈 시스템(PL)을 수용하는 투영칼럼이다. 묘화되어질 마스크패턴(C)이 제공된 마스크(MA)용 마스크홀더(MH)는 이 시스템 상부에 배열된다. 마스크홀더는 마스크테이블(MT)에 존재한다. 기판테이블(WT)은 투영렌즈 시스템(PL) 하부에 배열된다. 이 테이블은, 매번 다른 IC 영역(Wd)에 마스크패턴이 여러 차례 묘화되고 감광층이 제공되는 기판(W)을 위한 기판홀더(WH)를 수용한다. 기판테이블은 X 및 Y 방향으로 이동이 가능하여, IC 영역 위에 마스크패턴을 묘화한 후에 뒤에 오는 IC 영역이 마스크패턴 아래에 위치할 수 있게 된다.
이 장치는 예를 들면, 크립톤 플루오르(Krypton-Fluoride) 엑시머 레이저 또는 수은램프와 같은 방사원(LA), 렌즈 시스템(LS), 반사기(RE), 및 콘덴서렌즈(CO) 등을 포함하는 조명계를 더 포함한다. 조명 시스템에 의해 공급된 투영 빔(PB)은 마스크패턴(C)을 조명한다. 이 패턴은 투영렌즈 시스템(PL)에 의해 기판(W)의 IC 영역 위로 묘화된다. 조명 시스템은 EP-A 0 658 810에 설명된 바와 같이 대안적으로 구현될 수도 있다. 투영렌즈 시스템은 예를 들면, 배율 M = 1/4, 개구수 NA = 0.6, 그리고 직경이 22 mm인 회절제한(diffraction-limited) 이미지 필드를 갖는다.
본 장치는 다수의 측정 시스템, 즉 XY 평면에서 기판(W)에 대하여 마스크(MA)를 정렬하는 시스템, 기판홀더와 기판의 X 와 Y 위치 및 방위를 결정하는 간섭계 시스템, 및 투영 렌즈 시스템(PL)의 초점 혹은 이미지 평면 및 기판(W) 위의 감광층 표면 사이의 편차(deviation)를 결정하는 초점 에러 검출시스템을 포함한다. 전기 신호 처리와 제어 회로 및 구동기(drivers) 또는 작동기(actuators)를 포함하는 이들 측정 시스템은 서보 시스템의 일부이며, 이에 의하여 기판의 위치와 방위 및 집속이 측정 시스템에 의해 공급된 신호를 참조하여 보정될 수 있다.
본 정렬 시스템은 도 1의 우측 상단에 나타낸 마스크(MA) 내에서 2개의 정렬 마크(M1, M2)를 이용한다. 이들 마크는 바람직하게는 회절 격자(diffraction grating)로 이루어져 있으나, 대안적으로 그들의 주위와 광학적으로 상이한 정사각형 혹은 띠 형태(strips)와 같은 기타의 마크로 형성될 수도 있다. 정렬 마크는 바람직하게는 2차원으로서, 즉 도 1에서 X 및 Y 방향과 같이 2개의 상호 직교하는 방향으로 연장된다. 기판(W)은 바람직하게 역시 2차원 회절격자인 최소 2개의 정렬 마크를 가지며, 이들중 2개(P1 및 P2)를 도 1에 나타내었다. 마크(P1 및 P2)는 패턴 (C)의 이미지가 형성되어야 하는 기판(W)의 영역 외부에 위치한다. 격자마크(P1, P2)는 바람직하게 위상격자(phase grating)이고, 격자마크(M1, M2)는 바람직하게 진 폭격자(amplitude grating)이다.
도 1은 정렬 시스템의 특별한 실시예로서, 2개의 정렬빔(b,b')이 마스크 정렬마크(M2)에 대해 기판 정렬마크(P2)를 그리고 마스크 정렬마크(M1)에 대해 기판 정렬마크(P1)를 각각 정렬하는데 사용되는 이중 정렬 시스템을 나타낸다. 상기 빔(b)은 예를 들면, 미러와 같은 반사구성요소(30)에 의해 프리즘(26)의 반사면(27)으로 반사된다. 상기 면(27)은, 마크(P2)의 이미지가 형성된 관련 마스크 정렬마크(M2)로 방사선의 일부를 빔(b1)으로서 통과시키는 기판 정렬마크(P2)로 빔(b)를 반사시킨다. 반사 구성요소(11), 예를 들면, 프리즘은 마크(M2) 상부에 배열되고, 방사선 감지 검출기(radiation-sensitive detector)(13)를 향하도록 상기 마크(M2)를 통과한 방사선을 방향짓는다. 제 2 정렬 빔(b')은 미러(31)에 의해 투영 렌즈 시스템(PL)에서 반사기(29)로 반사된다. 반사기(29)는 빔(b')을 프리즘(26)의 제 2 반사 표면(28)으로 통과시키고, 이 표면은 기판 정렬마크(P1)위로 빔(b')을 방향짓는다. 이 마크(P1)는, 마크(P1)의 이미지가 형성된 마스크 정렬마크(M1)로 빔(b')의 방사선 중 일부를 빔(b1')으로서 반사시키는 것과 같이 반사시킨다. 마크(M1)를 통과하는 빔(b1')의 방사선은 반사기(11')에 의해 방사선 감지 검출기(13')를 향하게 된다. 이중 정렬 시스템의 작동은 미국 특허 4,778,275에 설명되어 있으며, 이 시스템에 대하여 더욱 상세히 언급하고 있다.
도 1에 의한 정렬 시스템의 실시예는, 정렬 빔이 예를 들면, 633nm인 상당히 긴 파장을 갖는 것에 반해, 투영 렌즈 시스템(PL)은 투영빔(PB)이 예를 들면, 248nm의 짧은 파장을 갖도록 설계된 장치에 특히 적당하다. 실제로, 이 시스템은 투영 칼럼(projection column)에서 추가 렌즈 혹은 보정 렌즈(25)와 결합한다. 이 렌즈는 투영 렌즈 시스템이 정렬빔의 파장에 대해 최적화되지 않았음에도 불구하고, 기판 정렬마크가 마스크 정렬마크의 평면에 보정 배율로 묘화되는 것을 보장한다. 보정 렌즈(correction lens)는 투영칼럼 내에서, 한편으로는, 기판 정렬마크에 의해 생성되는 정렬빔의 다른 회절 차수(order)인 서브 빔(sub-beam)이 보정 렌즈 평면에서 충분히 이격되어, 이들 서브빔에 개별적으로 영향을 미칠 수 있게 되며, 다른 한편으로는, 보정 렌즈는 투영 빔 및 그로 인해 형성된 마스크 패턴(C)의 이미지에 무시할만한 영향을 갖는다. 보정 렌즈(25)는 바람직하게 투영 렌즈 시스템의 푸리에(Fourier) 평면에 배열된다. 도 1에 나타낸 바와 같이 정렬 빔(b,b1')의 주 광선이 상호 교차하는 평면에 보정렌즈가 배열되면, 이 렌즈는 2개의 정렬 빔을 보정하는데 이용될 수 있다. 보정렌즈(25)의 목적 및 작동에 대한 세부사항은 미국 특허 5,100,237에 설명되어 있다.
회절 구성요소와 같은 웨지(wedge) 또는 다른 편향요소(deflection element)는 바람직하게 정렬 빔(들)의 경로 아래에서 정렬마크에 근접하여 배열된다. 이러한 편향요소(도 1에 도시되지 않음)를 사용하여, 검출기(13 또는 13')에 의해 캡처되는 선택된 정렬 빔 부분 내에서 의도하지 않은 위상차로 인한 정렬 에러가 방지될 수 있는데, 이러한 위상차는 기판 정렬마크로부터 나오는 정렬 빔 부분의 대칭축이 마스크 플레이트와 수직하지 않으면 발생할 수 있는 것이고, 따라서 이 플레이트 내에 오류 반사를 발생하게 할 수도 있는 것이다. 이러한 편향요소가 제공된 정렬 시스템은 미국 특허 5,481,362에 설명되어 있다.
글로벌 정렬로 지칭되기도 하는 마스크에 대하여 전체 기판을 정렬하기 위해 사용되는, 도 1에 나타낸 글로벌 정렬(global alignment)마크(P1,P2)에 부가하여, 기판은 각각의 집적회로 영역의 마스크 패턴에 대하여 관련 영역을 정렬하기 위해 다른 정렬마크, 예를 들면 집적회로 영역 당 하나의 마크를 구비할 수 있다. 마스크는 2개 이상의 다른 정렬마크를 가질 수 있으며, 추가의 정렬마크가, 예를 들면, Z축에 대한 마스크의 회전을 측정하고 그에 따른 보정에 사용될 수 있다.
기판 테이블(WT)의 X 및 Y 위치를 정확하게 결정하기 위해, 공지의 투영 장치는 다중축(multi-axis) 간섭계 시스템을 포함한다. 미국특허 4,251,160에는 2축 시스템이 설명되어 있고, 미국특허 4,737,283에는 3축 시스템이 설명되어 있다. 도 1에서, 이러한 간섭계 시스템이 구성요소(50,51,52,53)에 의해 도식적으로 표현되어 있고, 이 도면은 하나의 측정축인 X축 만을 나타내고 있다. 예를 들면 레이저와 같은 방사원(50)에 의해 방출된 빔(b4)은 빔 스플리터(51)에 의해 측정빔(b4,m)과 기준 빔(b4,r)으로 나뉜다. 측정 빔은 기판홀더(WH)의 반사측면(54)에 도달하고, 이 측면에 의해 반사된 측정빔은 빔 스플리터에 의해, 예를 들면 "코너 큐브(corner cube)" 반사기와 같은 정지 반사기(stationary reflector)(52)에 의해 반사된 기준 빔과 조합된다. 조합된 빔의 세기는 검출기(53)로 측정되며, 이 경우 기판홀더(WH)의 X 방향 변위는 이 검출기의 출력 신호로부터 도출될 수 있으며, 이 홀더의 순간 위치 또한 확립될 수 있다.
도 1에 도식적으로 나타낸 바와 같이, 단순화를 위해 하나의 신호(S53)로 나타낸 간섭계 신호 및 정렬 시스템의 신호(S13,S13')는, 상기 신호를 기판테이블(WT)을 경유하여 XY 평면에서 기판홀더를 이동시키는 작동기(AC)용 제어신호(SAC)로 처리하는 마이크로 컴퓨터와 같은 신호처리유닛(SPU)에 가해진다.
도 1에 나타낸 X 측정 축뿐만 아니라 Y 측정 축 및 가능하게는 제 3의 측정축을 포함하는 간섭계 시스템에 의해서, 정지 간섭계 시스템에 의해 규정된 좌표계 내의 정렬마크(P1, P2 및 M1, M2)의 위치 및 상호 거리는 기판에 대한 마스크의 초기 또는 글로벌 정렬동안 정해질 수 있다. 이 간섭계 시스템은 기판테이블이 매우 정확하게 한 단계(step) 나아가도록, 즉 소정의 거리 및 방향으로 이동하도록 하는데 사용되기도 한다. 제 1 집적회로 영역 또는 필드에 한번(혹은 그 이상)의 플래쉬(들)로 마스크패턴이 묘화된 후에, 마스크패턴과 투영렌즈 시스템 아래에 후속 집적회로 필드를 위치시키기 위해 이러한 단계가 실행되므로, 마스크패턴이 이 후속 필드에도 묘화될 수 있다. 이들 단계 및 묘화 동작은 모든 집적회로 필드에 마스크패턴 이미지가 제공될 때까지 계속된다. 이러한 방식으로 작동하는 전사장치는 스테퍼(stepper)로 지칭된다.
한편으로는 집적회로 필드의 표면 단위당 더 많은 전자 부품에 대한 요구와 다른 한편으로는 더 큰 집적회로 필드에 대한 요구에 기인하여, 투영 렌즈 시스템의 분해능과 이미지 필드에 대해 더 엄격한 요구 조건이 부가된다. 이러한 기술적으로 양립되는 요구를 완화하기 위하여, 이미 스텝 앤 스캐너를 사용하는 것이 제안되었다. 이러한 장치에 있어서, 스테퍼에서와 같은 스텝핑 이동(stepping movements)이 수행되지만, 마스크패턴을 집적회로 필드에 묘화할 때 마스크패턴의 작은 부분만이 집적회로 필드의 대응 서브필드 상에 묘화된다. 집적회로 영역의 연속되는 서브필드 상에 마스크패턴의 연속적인 부분을 묘화함으로써, 집적회로 필드 위에서 전체 마스크패턴의 이미지가 얻어진다. 이를 위해, 마스크패턴의 위치에서 예를 들면, 직사각형 또는 원호형의 작은 조명 스폿을 형성하는 투영 빔으로 마스크패턴이 조명되며, 기판테이블은 투영 렌즈 시스템 및 투영 빔에 대하여 주사방향인 소정방향으로 이동되는 한편, 마스크 테이블은 이와 같거나 반대방향으로 이동되며, 기판테이블의 속도는 마스크테이블의 M배 이다. M은 마스크패턴이 묘화되는 배율이다. 마스크와 기판은 항상 정확한 상호위치를 갖는 것이 보장되어야 하는데, 이는 기판의 속도(Vsub)가 항상 마스크의 속도(VMA)의 M배와 항상 동일하게 하는 마스크 및 기판 이동의 매우 정확한 동기화로서 실현될 수 있다.
Vsub = MㆍVMA의 조건을 확인하기 위해, 스텝 앤 스캐너는 기판 간섭계 시스템 뿐만 아니라, 마스크의 위치 및 이동을 정확하게 측정할 수 있는 마스크 간섭계 시스템도 포함해야 한다. 나중에 언급된 시스템의 측정 미러는 바람직하게 마스크홀더에 고정된다. 마스크 간섭계 시스템은 도 1에서 기판 간섭계 시스템의 구성요소(50, 51, 52, 53 및 54)와 동일한 기능을 갖는 구성요소(60, 61, 62, 63 및 64)로서 나타내었다. 도 1에서 단순화를 위해 하나의 신호(S63)로 표현된 마스크 간섭계 시스템 신호는 신호처리 유닛(SPU)에 적용되고, 여기에서 이들 신호는 기판 간섭계 시스템의 대응신호와 비교된다. 이 후에, 마스크 및 기판이 상호 정확한 위치를 갖는지 여부 및/또는 동시에 이동하는지 여부가 확인될 수 있다.
이들 조건이 충족되었는지를 확인하기 위해, 기판용 및 마스크용의 간섭계 시스템 양자는 3개의 측정 축을 가지면 충분하다. 하지만, 기판 간섭계 시스템은 바람직하게 5개의 측정 축을 갖는다. EP-A 0 498 499에 개시된 바와 같이, X, Y 및 φZ,W 뿐 아니라 φX,W 및 φy,W , 즉 X 축 및 Y 축에 대한 기판의 경사 역시도 측정될 수 있다. 5축 간섭계 시스템으로 구성될 수 있는 이러한 간섭계 유닛의 다른 실시예가 EP-A 0 498 499에 개시되어 있다. 마스크에 대해서도 X 축 및 Y 축에 대한 경사를 측정할 수 있기 위해서는, 5축 마스크 간섭계 시스템이 이용될 수 있다. 하지만, X 축 및 Y 축에 대한 마스크의 경사를 측정하기 위해 용량형 센서와 같은 다른 센서를 구비하는 3축 마스크 간섭계 시스템을 결합하는 것도 대안적으로 가능하다.
투영 스테이션에서 기판이 조명가능하게 되기 전에, 투영 시스템에 대하여 기판의 Z 방향에서 높이가 우선 측정되고, 마스크패턴이 기판 위로 항상 선명하게 묘화되도록 가능하게 조정되어야 한다. 공지의 투영 장치에 있어서, 광학 초점 에러 검출 디바이스가 이러한 높이 측정을 위해 사용되며, 이 디바이스는 투영 스테이션 내에 존재하고 투영 시스템에 고정된다. 이 검출 디바이스는 US-A 4,356,392에 개시되어 있다.
더우기, 기판의 국부적인 경사가 측정되어야 한다. 이러한 목적으로, 공지의 장치에서는 투영 스테이션에 존재하는 초점 및 레벨 디바이스가 사용된다. 이러한 디바이스는 US-A 5,191,200에 개시되어 있다. 이 디바이스의 구성요소들이, 투영 시스템 역시 강성적으로 고정되는 측정 프레임의 부분을 형성하는 플레이트에 배열되므로, 초점 및 레벨 디바이스는 투영 시스템에 강성적으로 접속된다. 따라서, 투영 시스템의 이미지 평면 및 기판홀더 표면 사이에 접속이 형성된다.
투영 시스템이 소정의 자유 작업 거리, 즉 기판 표면과 이 시스템의 최종 구성요소 사이의 거리를 갖는 방식으로 설계되도록, 초점 및 레벨 디바이스의 사용에는 소정 공간이 요구된다. 한편, 초점 및 레벨 디바이스로 측정하는 중에, 소위 가장자리 다이(edge-dies), 즉 기판의 가장자리에 위치된 기판필드의 측정 시에 문제점이 발생할 수 있다. 개별적인 기판필드 상의 측정은, 투영 스테이션이 기판의 실제적인 조명에 사용될 수 없는 일정량의 시간을 요한다.
기판필드의 Z 위치 및 경사가 다른 방식으로 측정되고, 이 측정이 주로 투영 스테이션 외부에서 실행된다면, 이러한 문제점들은 방지될 수 있다. 마스크패턴에 대하여 기판필드를 정렬하기 위해 이미 제안된 것과 유사하게, 이러한 목적으로 투영장치는 Z 측정 스테이션 및 제 2의, 혹은 그 이상의 기판홀더(들)로 확장될 수 있다.
도 2는, 2개의 기판홀더 및 Z 측정 스테이션을 구비하는 이러한 확장된 광전사 투영장치의 기계적 구성요소를 모식적으로 나타낸다. 이 장치는, 수직인 Z 방향에서 볼 때, 위치결정 디바이스(103), 마스크홀더(107), 및 방사원(109)이 제공된 조명 유닛(108)을 연속적으로 포함하는 프레임(101)을 포함한다. 위치결정 디바이스(103)는 제 1 기판홀더(111) 및 이와 동일한 제 2 기판홀더(113)를 포함한다. 투영렌즈 홀더(105)는 마스크홀더와 기판홀더 사이에 존재한다. 기판홀더(111 및 113)는, Z 방향에 직각으로 연장되고 제 1 기판(120) 및 제 2 기판(121)이 각각 배열되는 제 1 및 제 2 지지면(117 및 119)을 포함한다. 제 1 및 제 2 기판홀더(111 및 113)는, 위치결정 디바이스(103)의 제 1 변위 유닛(123) 및 제 2 변위 유닛(125)에 의해, Z 방향에 수직한 X 방향에 평행한 제 1 방향 및 Z 방향과 X 방향에 수직한 Y 방향에 평행한 제 2 방향으로 프레임(101)에 대하여 각각 이동 가능하다. 마스크홀더(107)는, Z 방향에 직각으로 연장되고 그 위에 마스크(129)가 배열될 수 있는 지지면(127)을 갖는다.
조명되어야 할 기판들은 장치 내에 들어 있는 매거진(magazine)에 배열된다. 이 매거진으로부터, 이송기구에 의해 기판이 연속적으로 장치 내로 유입된다. 도 2에 도시되지 않은 상기 매거진 및 이송기구는 그 자체로 공지되어 있다. Z 측정 스테이션은 도 2에서 역시 프레임(101)에 고정된 측정 유닛(133)으로 표현되어 있다. 도 2에 나타낸 장치의 상태에 있어서, 제 1 기판홀더(111)는 투영 스테이션에 존재하고, 제 1 기판(120)은 조명 유닛(108)에 의해 방출된 방사선으로 마스크(129)를 통하여 조명되고 홀더(105)내에 존재하는 투영 시스템에 의해 집속된다. 이 투영 시스템의 광축(131) 만이 도시되어 있다. 제 2 기판홀더는 측정 스테이션에 존재한다. 이하에 설명되는 바와 같이, 기판필드의 높이 및 위치는 이 스테이션에서 결정되고, 제 2 기판홀더(113) 상의 기준 평면 높이와 관련된다. 기판의 조명이 완료된 후, 위치결정 디바이스에 의해 제 1 기판홀더(111)는 투영 스테이션으로부터 측정 스테이션으로 변위된다. 이 스테이션으로부터, 제 1 기판(120)은 상기 이송기구에 의해 상기 매거진으로 이동된다. 동시에, 제 2 기판홀더는 위치결정 디바이스(103)에 의해 측정 스테이션으로부터 투영 스테이션으로 이동된다. 측정 스테이션에서 기판필드의 이상적인 높이 및 위치가 이미 기판홀더 기준 평면의 높이와 관련되어 있으므로, 기판홀더 기준 평면의 높이만 측정되면 되고, 필요한 경우, 투영 스테이션에서 보정된다. 이 측정 및 보정은 신속하게 실행될 수 있는 비교적 간단한 공정이다. 더 어렵고 시간소모적인 기판필드의 높이 및 위치의 측정이 측정 스테이션에서 수행되고, 그 순간에 투영 스테이션에 존재하는 기판의 조명과 시간 병행적(time-parallel)이므로, 시간의 최대주기 동안 투영 스테이션이 조명용으로 사용될 수 있어, 단위 시간당 많은 수의 기판이 조명될 수 있다.
2개의 기판홀더 및 테이블을 구비하는 광전사 장치의 원리 및 장점은 특히, EP-A 0 687 957 및 JP-A 57-183031의 영문 요약서에 개시되어 있고, 이러한 장치의 실시예도 나타내고 있다.
도 3은 기판필드의 높이 및 위치를 측정하는 본 발명에 의한 방법을 모식적으로 나타낸다. 본 도에서, 도 2의 구성요소와 대응하는 구성요소는 동일한 참조번호로 표시하였다. 도면의 우측 부분은 도면에 도시된 순간에 제 2 기판(121)을 구비하는 제 2 기판홀더(113)를 수용하는 측정 스테이션(133)을 나타낸다. 도면의 좌측 부분은 제 1 기판(120)을 구비하는 제 1 기판홀더(111)를 수용하는 투영 스테이션의 작은 부분을 나타낸다. 화살표(140)는 투영장치 내에서 기판이 어떻게 이동하는지를 보여준다. 측정 스테이션(133)은 모식적으로만 나타낸 제 1 높이센서(150)를 포함하고, 이는 다양한 공지의 방법으로 실현될 수 있다. 이 높이 센서는 예를 들면, 용량형, 공기압형 또는 광학적 높이센서일 수 있다. 도 4는 광학 높이센서의 일 실시예를 나타낸다.
도 4에서, 구성요소(190)는 예를 들면, 측정 빔(b3)을 공급하는 다이오드 레이저(diode laser)와 같은 방사원이다. 이 빔은 빔 스플리터(191)를 통과하고 반사 프리즘(192)에 의해 매우 작은 각(α)으로 기판에 입사하여 기판(121)의 표면에서 반사된다. 기판 표면에 의해 반사된 빔은 프리즘(193)에 의해 역반사기(194)로 반사된다. 역반사기는, 프리즘(193), 기판 표면 및 프리즘(192)상에의 반사를 거쳐 빔(b3')과 동일한 경로를 한번 더 횡단하도록 이 빔 자체를 반사한다. 빔 스플리터(195)와 반사 프리즘은 측정 빔을 방사선 감지 검출 시스템(196)으로 반사한다. 이 시스템은 예를 들면, 방사선 감지 검출기 또는 2개의 개별적인 검출기로 이루어진다. 빔(b3')에 의해 이 시스템 상에 형성된 방사선 스폿의 위치는, 측정 빔이 입사하는 기판 표면부의 높이에 의존적이다. 이러한 광학 높이 센서에 관한 광범위한 서술이 기재된 US-A 4,356,392에서는 이러한 높이 센서를 초점 에러 검출 디바이스라 칭한다.
감광층이 제공된 기판에 대한 측정에 특히 적당한 높이 센서는, 감광층 상에 비스듬하게 입사하지만 넓은 파장대역을 갖는 측정 빔과 함께 작동되는 형태이다. 측정 빔의 광대역 특성에 기인하여, 기판의 조립층 및 감광층 상에서의 다중반사로 인해 빔에 발생할 수 있는 간섭(interferences)이 평균에 다다르게 되어(average out), 높이 측정 신호에 영향을 미치지 않는다. 충분히 정확한 측정 신호를 얻기 위해, 측정 빔의 경로는 방사원과 기판 사이의 제 1 격자, 및 이 기판과 검출 시스템 사이의 제 2 격자를 통합한다. 제 1 격자는 감광층 상의 반사를 거쳐 제 2 격자에 묘화되고, 제 1 격자의 이미지가 제 2 격자와 일치하는 정도는 감광층의 높이에 의해 결정된다. 이러한 높이 센서에 대한 광범위한 설명이 기개된 US-A 5,191,200에서는 이러한 높이 센서의 다른 실시예를 초점 검출 시스템으로 설명한다.
도 3에서 높이 센서(150)는 항상 기판(121)의 작은 영역만을 측정한다. 높이측정 동안, 기판(121)을 구비하는 기판홀더(113)는 화살표(152, 153)로 예시된 바와 같이 높이 센서 아래에서 X 및 Y 방향으로 이동되어, 기판 상의 여러 지점에서 이 기판의 부분적인 높이가 측정된다. 이렇게 얻어진 측정치는 각 기판필드에 대해 이상적인 높이 및 위치가 계산될 수 있는 공지의 방식으로 처리될 수 있다. 측정 스테이션(133)은 기판홀더 기준평면(170)의 높이를 측정하며, 모식적으로만 나타낸 제 2 높이 센서(160)를 포함한다. 이 측정은 기판의 높이 측정과 동일한 횟수로 동시에 실행된다. 그리고 나서, 상기 2개의 높이 센서의 측정치는 상호 관련될 수 있고, 관련 기판필드의 이상적인 높이 및 위치와 관련 기준평면(170)의 높이가 각 기판필드에 대해 계산될 수 있다. 제 2 높이 센서의 다양한 실시예 역시 가능하다. 이후에 설명되는 바와 같이, 이 높이 센서는 바람직하게 간섭계로서 구현되고, 기준평면은 이 기판홀더의 경사진 반사면이며, 이 면은 간섭계용 Z 측정 미러로 작용한다. 이 면은 높이 센서(150)에 결합(couple)된 플레이트(174) 상에 배열된 Z 반사기(175)로 간섭계 측정 빔(165)을 반사한다. Z 반사기는 측정 빔을 간섭계로 다시 반사시키고, 기판홀더의 높이가 측정되는 기준을 형성한다.
기판(121) 및 기판홀더(113) 상에서 높이가 측정되는 동안, 기판(120)은 투영 스테이션에서 조명된다. 이러한 높이 측정 및 조명이 실행된 후에, 기판홀더(111)는 투영 스테이션으로부터 제거되고, 기판(120)이 이 홀더로부터 제거되고, 이 홀더에 새 기판이 제공되며, 그리고 나서 측정이 행해지는 측정 스테이션(150)에 위치된다. 그동안, 기판 및 기판홀더(113)는 측정스테이션으로부터 제거되고 투영 스테이션에 위치된다. 투영스테이션에서, 기판홀더는 화살표(162, 163)로 지시된 바와 같이 투영 시스템(305) 하에서 X 및 Y 방향으로 이동되어, 마스크패턴은 전체 기판필드 상에 연속적으로 투영될 수 있다. 기판필드가 조명되기 전에, 기판홀더 기준평면(172)이 측정 스테이션(150)에서 계산되고, 관련 기판필드의 이상적인 높이와 관련된 높이에 있는지를 먼저 확인해야 한다. 이를 위해, 투영 스테이션에는 제 3 높이 센서(180)가 제공된다. 이 높이센서로부터의 신호는 기판홀더 지지표면의 높이와 관련 기판필드의 높이 및 위치를 보정하는데 사용될 수 있다. 이러한 목적으로, 이 신호는 예를 들면, 기판홀더에 존재하는 Z 작동기에 적용될 수 있다.
원칙적으로, 높이 센서(180) 또한 다양한 방식으로 구현될 수 있다. 하지만, 이 높이 센서 역시 바람직하게 Z 간섭계이다. 이 간섭계 측정 빔(185)은, Z 측정 미러로 작용하는 기판 지지체 기준평면(172)에 의한 Z 측정 미러(172)를 경유하여, 이 빔을 간섭계로 다시 반사하는 Z 반사기(186)로 반사되는데, Z 반사기(186)는 투영 시스템(305)에 고정된 플레이트(184) 상에 배열된다.
Z 간섭계를 기판홀더용 높이 계측기(height meter)로 사용함으로써 얻는 이점은, 이 계측기가 기판 및 기판필드의 X 및 Y 위치측정용 투영 스테이션에 이미 존재하는 X 및 Y 간섭계 시스템에 통합될 수 있는 점이다. 스플리팅 미러 및 Z 검출기와 같은 약간의 추가적 구성요소를 사용한 것만으로도, EP-A 0 498 499에 설명된 시스템과 같은 공지의 간섭계 시스템이 X 및 Y 측정 빔뿐 아니라 적어도 Z 측정 빔도 공급하고 처리할 수 있다.
기판 및 개별 기판필드의 높이측정과 동시에, 본 발명에 따른 Z 측정의 실행에 요구되는 기판의 위치 및 기판필드 위치를 측정하는 것 역시 가능하고, 이 필드의 높이는, Z 측정 스테이션에서 복합 XYZ 간섭계 시스템을 또한 이용하여 그 순간에 측정된다. 조명되기 직전의 기판필드를 투영 시스템 아래로 가져오고, 정확한 높이에 위치시키는 것을 보장하기 위해, 투영 스테이션에서 복합 간섭계 시스템이 사용될 수 있다. 복합 간섭계 시스템에 의해 수행된 Z 측정은, 한편으로는 XY 측정, 및 다른 한편으로는 중요한 시너지 효과를 갖는다. 한편으로는, 이 기판 및 기판필드의 X 및 Y 위치를 매우 정확하게 측정하기 위해서 기판 및 기판필드의 높이 또는 Z 위치가 알려져야 하고, 다른 한편으로는, 이 기판 및 기판필드의 Z 위치를 매우 정확하게 측정하기 위해서 기판 및 기판필드의 X 및 Y 위치가 알려져야 한다. 복합 간섭계는 X 및 Y 위치와 Z위치에 대한 정보를 공급하므로, 최적의 신속한 측정을 수행할 수 있다.
투영 스테이션뿐만 아니라 측정 스테이션에서 복합 간섭계 시스템을 사용함으로써 얻는 다른 상당한 장점은 X 및 Y 방향에서 기판 및 기판필드의 정렬을 위한 절차의 일부가 측정 스테이션에서도 실행가능하다는 점이다. 마스크패턴에 대하여 기판을 정렬하기 위하여 이 기판과 마스크에는 대개 정렬마크가 제공되고, 개별 기판필드를 정렬하기 위하여 각각의 기판필드에는 별도의 정렬마크가 제공된다. 정렬의 정도는 기판 정렬 마크와 마스크 정렬 마크를 상호 묘화하고, 하나의 정렬 마크가 다른 정렬 마크의 이미지와 정확하게 일치하는지 여부를 검출함으로써 결정된다. 바람직하게는 간섭계 시스템인 위치측정 시스템이 기판의 변위를 측정하고 좌표계에서 기판필드의 위치를 고정하기 위해 사용되어야 한다. 기판홀더에도 하나 이상의 정렬 마크를 제공하고, 측정 스테이션에 존재하는 기준 정렬 마크에 대하여 기판정렬 마크 및 기판홀더 정렬 마크를 측정 스테이션에서 정렬함으로써, 개개의 기판정렬 마크 및 기판홀더 정렬 마크 사이의 관계가 성립될 수 있다. 그리고 나서,투영 시스템의 마스크 정렬 마크에 대하여 기판홀더 정렬 마크를 정렬하기만 하면 된다. 기판필드 마크의 정렬이 더 시간소모적인 것임에 반해, 이는 짧은 시간을 요하는 상당히 간단한 공정이다. 후자의 공정이 측정 스테이션에서 발생하고 다른 기판의 조명과 시간병행적이기 때문에 상당한 시간이 절약될 수 있고, 정렬에 있어서도 그러하다.
인지된 바와 같이, 최신 방법의 수행에 사용되는 XYZ 간섭계 시스템은 그의 측정 빔이 Z 측정 미러 위를 향하는 최소 하나의 Z 측정 축으로 연장된 조건하에서 원칙적으로 EP-A 0 498 499에 설명된 바와 같이 구성될 수 있다.
공지된 바와 같이, 간섭계는 측정이 실행되어야 하는 대상물에 고정된 측정 미러 위를 향하고 그에 의해 반사되는 측정 빔뿐만 아니라, 정지된 기준 미러 위를 향하고 그에 의해 반사되는 기준 빔도 포함한다. 복합 XYZ 간섭계 시스템에 있어서, X 및 Y 기준 미러는 EP-A 0 498 499에서 설명된 간섭계 시스템을 구성하는 간섭계 유닛에 배열될 수 있다. Z 측정 용의 기준 미러 역시 이러한 유닛에 배열될 수 있다. 하지만, Z 기준 미러는 바람직하게 도 5에 예시된 바와 같이 X 또는 Y 측정 미러로 형성된다.
본 도면에서, 투영 스테이션의 기판 간섭계 시스템과 관련되는 Z 기준 빔은 bz,1r 로 표시된다. 이 빔은 간섭계 유닛(200)으로부터 나오고, 이 간섭계유닛은 2개의 X 측정 축(MAX,1 및 MAX,2)에 부가하여 기판홀더(WH)의 상부면에 가능한 근접하여 위치되는 측정 축인 Z 측정 축(MAX,7)도 포함한다. Z 측정 미러(260)는, 투영 시스템의 홀더(LH)에 강성적으로 고정되고 큰 도량형 프레임(metrology frame)의 일부분을 형성하는 플레이트(263) 상에 배열된 Z 반사기(264)로 측정 축(MAX,7)의 Z 측정 빔을 반사한다. Z 반사기는, 다시 측정 빔을 간섭계 유닛(200)으로 반사시키는 Z 측정 미러(260)로 Z 측정빔을 반사시킨다. 이 유닛은 Z 측정 빔용의 개별 검출기를 수용한다. 기타의 신호와 더불어, 이 검출기의 출력신호는 Z 측정 신호로 처리될 수 있다.
도 5에서 Z 측정 미러(260)는 X 및 Y 측정 빔이 전파되는 평면인 XY 평면에 45°각도로 배열된다. 원리적으로, Z 측정 미러는 XY 평면에 대해 다른 예각으로도 연장될 수 있다. 하지만, Z 측정 빔이 Z 반사기(264)를 전후로 동일한 경로를 횡단하고, 그로 인해 Z 측정 미러가 최소 폭을 가질 수 있으므로 45°각도가 바람직하다.
간섭계 시스템의 본 실시예에 있어서, Z 측정 빔은, 기판홀더의 상부 면에 근접한, 따라서 기판에 근접한 위치에서 Z 측정 미러 상에 충돌하고, 기판의 가능한 경사는 Z 측정 신호에 대해 무시할만한 영향을 갖는다.
도 5에 나타낸 바와 같이, Z 측정용 기준 미러로서 X 측정 미러가 사용된다. 이 미러에 의해 반사된 기준 빔(bz,1r)은 Z 위치 정보뿐 아니라 X 위치 정보도 포함하고, 이 기준 빔과 Z 측정 빔의 Z 검출기 상에서의 조합은 이 검출기의 출력신호가 순수한 Z 위치 신호로서 나타나게 한다. 따라서, 광학 미분이 실행된다. Z 측정용 기준 미러로서 X 측정 미러(261)를 사용하는 대신, 간섭계 유닛(200)에 Z 측정용 기준 미러를 배열하는 것도 가능하다. 이 경우에는 Z 검출기에 의해 공급된 신호는 순수한 Z 위치 정보가 아닌 X 위치 정보와 혼합된 신호인 Z 위치 정보를 함유한다. 순수한 Z 위치 신호를 얻기 위해, X 위치 정보는 검출기 신호로부터 제거되어야 하므로 이 신호로부터 감산되어야 한다. 즉, 전자 미분이 사용되어야 한다. 특히, 전사장치에 바람직한 경우인 기판홀더가 높은 속도 및 가속도로 이동되어야 하는 경우, 간섭계 시스템과 관련된 전자회로가 측정 신호를 처리할 수 있는 속도는 제한적인 인자일 수 있다. 광학 미분이 사용되는 경우에는 이러한 제한이 전혀 존재하지 않는다. 광학 미분, 즉 Z 측정용 기준 미러로서 X 또는 Y 측정 미러의 사용은, XYZ 간섭계 시스템의 모든 실시예에 사용될 수 있다.
도 5에 예시된 바와 같이, 간섭계 시스템은 2개의 Z 측정이 수행될 수 있는 방식으로 구현될 수 있다.
이를 위해, 제 1의 Z 측정 미러(260)에 대향하는 기판홀더(WH)의 측면(265)은 경사져 있고 또한 제 2의 Z 측정 미러를 구비한다. 이 미러는 Z 측정축(MAX,8)을 따라 연장하는 제 2의 Z 측정 빔과 결합한다. 제 2의 Z 측정 빔은 측정 미러에 의해 플레이트(263)의 하부측 상에 배열된 제 2의 Z 반사기(268)로 반사된다. 제 2의 Z 측정 빔은 Z 반사기(268)에 의해 측정 미러로 반사되고, 이는 다시 측정 빔을 측정축(MAX,8)과 관련된 검출기로 반사한다. 측정 축(MAX,7 및 MAX,8)에 의해 공급된 신호를 가산함으로써, 기판의 평균 Z 위치가 결정될 수 있다. 이렇게 얻어진 Z 위치에 대한 값은 기판홀더의 X 위치와는 무관하다.
도 5에 나타낸 실시예로서, Y 축에 대한 기판의 경사를 지시하는 신호 역시 얻을 수 있다. 이 신호는 측정 축(MAX,7 및 MAX,8)에 의해 공급된 신호 차이에 비례한다.
도 5의 실시예에서, 추가적인 방사원이 제공되고 제 2의 Z 검출기를 수용하는 별도의 간섭계 유닛(280)이 요구된다. 도 6은 추가적인 간섭계 유닛이 요구되지 않는 간섭계 시스템의 일 실시예를 나타낸다. 본 실시예에서, 측정 축(MAX,8)용 측정 빔은 제 2의 Z 검출기도 포함하는 간섭계 유닛(200)에 의해 공급된다. 기판과 투영 렌즈 사이의 공간을 횡단하는 측정 축(MAX,8)용 측정 빔은 2개의 반사면(271 및 272)을 구비하는 루프 반사기(270)에 의해 Z 측정 미러(265)로 반사된다. 이 미러(265)는 다시 측정 빔을 측정미러(265)로 반사하는 Z 반사기(268)로 측정빔을 반사한다. 이 후에 이 빔은 검출기 유닛(200)에 대한 역경로를 횡단한다. 이 유닛에서, 전술한 제 2 검출기가 측정 빔을 받는다.
Z 측정 미러(260 및 265)는 도 5 및 6의 도면의 평면에 수직한 Y 방향으로 기판홀더의 길이를 통과하여 연장된다. 전사장치가 스텝 앤 스캐너이면, Y 방향은 스캐닝 길이를 통과하여 Z 측정이 실행될 수 있는 스캐닝 방향이다.
원리적으로, Z 측정 미러의 폭은 이 미러의 영역에서 Z 측정 빔 단면의 직경과 대등하거나, 혹은 이 빔이 Z 반사기의 경로를 2회 횡단한다면 약간 크게된다. 이는 이 폭이 제한될 수 있고, Z 측정 미러의 표면이 작게 유지될 수 있음을 의미한다. 그들의 작은 총 표면에 기인하여, 측정 미러는 실제로 소망하는 표면 정확도로 제조될 수 있다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 투영렌즈 시스템(PL)의 주축(AA') 및 Z 반사기(268)의 단부 사이에는 소정 거리(f)가 존재한다. 이 거리는 예를 들면, 70㎜ 정도이다. Z 측정이 기판홀더(WH)의 말단 X 위치에서도 실행될 수 있게 하기 위해, 기판의 말단 우측부는 도 7에 나타낸 바와 같이 조명되고, 축(AA')과 측정 미러(265) 사이의 거리(h)는 적어도 그 위치에 대한 거리(f)와 동등해야 한다. 이는, Z 측정을 목적으로 X 방향에서 기판홀더의 폭이 소정치로 증가되어야 함을 의미한다. 측정 축(MAX,8)을 경유하는 Z 측정에 부가하여 측정 축(MAX,7)을 경유하는 Z 측정도 실행된다면, 기판홀더의 폭 또한 이 값의 2배로 증가되어야 한다. Z 측정 미러(들) 및 X 및 Y 측정 미러가 그의 측면 상에 배열될 수 있도록, 기판홀더 역시 소정 높이를 가지므로, X 방향에서의 큰 치수는 홀더의 중량을 상당히 증가시키게 된다. 홀더에 대해 요구되는 구동력 및 안정성 요건으로 인해 이는 바람직하지 못하다. 따라서, Z 측정 미러는 바람직하게 경사진 측면을 갖는 바 형상의 구 성요소 상에 배열되고, 이 구성요소는 기판홀더에 강성적으로 접속된다.
도 7은 2개의 Z 측정 미러(293 및 294)가 바 형상의 구성요소(291, 292) 상에 배열된 간섭계 시스템의 일 실시예를 나타낸다. 이제, 측정 미러에 대한 소요 폭 역시 이 미러의 영역에서 측정 빔 단면의 직경과 동등하거나 약간 크므로, 바 형상 구성요소의 Z 방향에서의 치수는 제한될 수 있다. 따라서, 설명된 Z 측정의 수행에 적당하도록 기판홀더에 부가되는 추가 중량이 제한된다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 2개의 Z 측정 미러는 기판홀더의 하부에 배열된다. 따라서, 간섭계 유닛(200)과 관련된 X 측정 축은 기판홀더의 상부면 가까이에 위치될 수 있어, 이들 측정 축에 대한 아베 에러(Abbe errors)의 위험이 감소될 수 있다. 한편, 기판홀더 측면의 최대 부분 및 투영 시스템과 기판홀더 사이의 최대 공간은, 전술한 측정 외의 본 발명과 무관한 측정의 수행에 유용될 수 있다.
도 7은 또한 투영 빔(PB)을 나타낸다. 스텝 앤 스캐닝 전사장치의 경우, 이 빔은 기판의 영역에서 장방형, 예를 들면 그의 길이방향이 X 방향에 평행한 직사각형과 같은 단면을 가진다. 기판 필드상에 마스크패턴의 개개의 이미지위로, 이 빔은 투영 빔 및 투영렌즈 시스템에 대하여 Y 방향으로 마스크와 기판을 이동시킴으로써 기판을 가로질러 Y 방향으로 이동된다.
본 출원인의 명의로 최근 출원되고, 본 특허 출원에 앞서 혹은 동시에 공개된 EP 97203771.7(PHQ 97.010)은 본 발명에 따른 방법의 구현을 위한 것 이외의 응용을 위해 Z 측정 축이 구비된 복합 간섭계 시스템의 다양한 실시예를 설명한다. 복수의 X 및/또는 Y 측정 축을 구비하는 간섭계 시스템의 이들 실시예는 본 발명에 따른 방법의 실행에도 역시 사용될 수 있다. X와 Y 위치 및 Z 축에 대한 회전뿐 아니라 X 축과 Y 축에 대한 기판의 경사 또한 측정할 수 있으므로, 간섭계 시스템은, 적어도 Z 측정 축뿐 아니라 최소 5개의 다른 X 및 Y 측정축이 사용되는 것이 바람직하다. 상기 이전 특허 출원의 내용이 본 출원에 참조인용되기 때문에, 상기 간섭계 시스템의 실시예의 구조적인 상세를 더 설명할 필요는 없을 것이다.
Z 반사기 및 Z 측정 미러로부터 복귀하는 Z 측정 빔의 경로는, 이 Z 측정 미러 및 이 빔이 관련되는 간섭계 사이에서, 이 측정 빔을 Z 측정 미러 및 Z 반사기로 다시 반사시키는 역반사기와 결합될 수 있다. 결과적으로, Z 측정 미러 및 Z 반사기 상에 측정 빔의 별도의 반사가 발생하여, 이 측정 빔의 경로에 존재하는 미러의 가능한 경사가 발생하는 경우 측정 빔의 원래 방향이 유지되는 것이 가능하게 된다. 따라서, Z 측정 신호 상의 빔 이반의 영향은 상당히 감소될 수 있다. Z 측정 빔의 경로에 역반사기가 구비된 간섭계 시스템의 실시예 또한 전술한 이전 특허출원에 개시되어 있다.
전사장치용 복합 간섭계 시스템에 대해 요구되는 정확도의 관점에서, 온도, 공기압, 습도 등과 같은 주변 파라미터의 변화는 중요한 역할을 한다. 이들 변화는 간섭계 빔이 전파되는 매체의 굴절율 변동(variation)를 유발한다. 이러한 변동은 매체의 교란(turbulence)에 의해서도 유발될 수 있다. 이들 변동을 결정할 수 있기 위해서, 이들이 보정가능하도록 정지 반사기와 결합하는 별도의 측정 축인 기준 측정 축이 간섭계 시스템에 제공될 수 있다. 기준 축의 측정 빔은 일정한 기하학적 경로 길이를 횡단한다. 하지만, 횡단되는 매체의 기하학적 경로 길이 및 굴절율의 산물인 광학 경로 길이는 굴절율의 변동에 의한 영향을 받는다. 따라서, 이 변동은 기준 축 측정 빔과 관련 기준빔에 의해 횡단된 경로 길이들 사이의 차이에 영향을 준다. 이 차이는 기준 측정 축과 관련되는 간섭계 유닛내의 별도의 기준 검출기에 의해 측정된다. 이 검출기의 출력 신호는 다른 측정 축을 경유하여 주변 파라미터의 변동 또는 교란에 기인하는 굴절율 변동에 대해 얻은 정보를 보정하는데 사용될 수 있다.
굴절율 변이는 간섭계 빔이 전파되는 매체 내에서 동일한 경로를 횡단하는 상당히 다른, 예를 들면, 인자 2만큼의 다른(different by a factor of two) 파장을 갖는 2개의 측정 빔에 의해 측정될 수도 있다. 빔에 대한 굴절율이 이 빔의 파장에 의존하므로, 빔에 대한 동등한 기하학적 경로 길이에도 불구하고 이들 빔에 대한 광학 경로 길이가 달라, 이들 빔은 검출기에 도착할 때 위상차(phase difference)를 갖는다. 굴절율 변동의 경우, 이 위상차의 변동도 존재하므로, 굴절율 변동를 나타내는 신호가 얻어진다.
집적회로 영역이 조명되는 동안 기판에 대해 높은 피드스루 율(feed-through rate)을 갖는 전사장치에서 마스크와 기판이 상호 관련하여 아주 정확한 방식으로 위치되는 것을 보장하기 위해서는, 기판홀더 및 마스크홀더용 작동기의 힘이 기판홀더용 간섭계 시스템의 구성요소와, 스텝 앤 스캐너의 경우에는 마스크홀더용 간섭계 시스템에 전해지는 것이 방지되어야 한다. 이를 위해, 측정 미러를 제외한 간섭계 시스템(들)의 구성요소는 투영 시스템도 강성적으로 고정되는 견고한 프레임내에 배열될 수 있수 있는데, 이 프레임은 장치의 다른 구성요소로부터 격리되어 동적으로 현가된다. 간섭계 구성요소는 이제 요동(disturbance)없이 투영 시스템에 강성적으로 접속된다. 도량형 프레임(metrology frame)으로 지칭되기도 하는 상기 프레임은 장치에서 진동 없이 또는 격리되어 동적으로 현가되며, 그 안에 존재하는 간섭계 구성요소의 위치는 기판테이블 및 마스크테이블에 대한 구동력과 같은 외력의 영향을 더 이상 받지 않게 된다.
도 8은 도량형 프레임이 제공된 스텝 앤 스캐닝 광학 전사장치를 모식적으로 나타낸다. 이러한 장치는 기판용 간섭계 시스템(ISW)뿐 아니라, 마스크의 X 및 Y 변위를 측정하는 간섭계 시스템(ISM)도 포함한다. 이들 간섭계 시스템 및 투영 시스템(PL)이 도량형 프레임(MF)에 배열되므로, 이들 시스템은 상호 관련하여 강성적으로 고정되고, 투영 시스템에 의해 형성된 마스크패턴의 이미지는 간섭계 시스템과 접속된다.
기판 간섭계 시스템의 측정 미러(290 및 293) 및 마스크 간섭계 시스템의 측정 미러(297)는 각각 기판홀더(WH) 및 마스크홀더(MH)의 부분이므로, 기판 및 마스크는 그 위에서 강성적으로 고정되고, 기판 및 마스크의 이동은 이들 시스템으로 직접 측정된다. 따라서, 이러한 이동 및 형성된 마스크패턴 이미지는, Z 축을 따르는 기판 및 마스크의 상호 위치 조정을 위한 작동기와 같은 장치의 다른 구성품의 이동에 의한 영향을 받지 않는다.
X 및 Y 방향으로 마스크 및 기판을 변위시키는 작동기중 작동기 프레임(AF)의 부분을 형성하는 X 작동기(XAw 및 XAr)만이 도 8에서 로드(rod)로 예시되었다.
모식적으로 나타낸 동적 분리장치(isolator)(SU1, SU2, SU3 및 SU4)에 의해 도량형 프레임이 작동기 프레임에 현가되어, 이 프레임이 장치의 나머지로부터 동적으로 분리(decouple)된다. 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 작동기 프레임에 배열된다. 3개의 Z 작동기를 갖는 기판테이블중 2개(ZAW,1 및 ZAW,2)가 예시되었고, 이로써 세 작동기의 동일한 에너지 공급(energization)에 의해 기판의 Z 위치가 조정될 수 있고, 세 작동기의 동일한 에너지 공급(energization)에 의해 기판의 경사가 실현될 수 있다. 이러한 이동은 마스크테이블에 3개의 Z 작동기가 제공된 경우 유사한 방식으로 마스크에 대해 실현될 수 있으며, 이들중 2개(ZAr,1 및 ZAr,2)를 나타내었다.
투영렌즈 홀더의 하부에 강성적으로 고정된 플레이트(263)는 도량형 프레임에 존재한다. 전술한 바와 같이, 이 플레이트의 반사 하부측(264)은 간섭계 시스템(ISW)의 Z 측정 축용 Z 반사기를 구성한다.
도량형 프레임 및 작동기 프레임을 구비하는 도 8에 나타낸 구조는 본 발명에 따른 Z 측정이 실행되는 스텝핑 형태의 전사장치에도 사용될 수 있다. 이러한 장치는 마스크 간섭계 시스템을 포함하지 않는다.
도량형 프레임에 대하여 강성 및 안정성에 대하여 엄격한 요건이 부과되어야 하고, 이 프레임의 재료는 온도 팽창 계수가 매우 작아야 한다. 하지만, 기판 간섭계 시스템 및 가능하게는 마스크 간섭계 시스템의 X 및 Y 측정 축용 기준 미러가 투영렌즈 시스템(PL)의 홀더 또는 도량형 플레이트(263) 상에 고정된다면, 이들 요건이 경감될 수 있다. 간섭계 시스템 및 투영렌즈 시스템은 이제 광학적으로 접속되어 상호 이동이 더 이상 측정에 영향을 주지 않는다. 플레이트 (263) 아래에 2개의 기준 미러(298 및 299)를 구비하는 이러한 설비가 도 8에 예시되어 있다. 기준 빔은 기판 간섭계 시스템으로부터 반사기(도시되지 않음)를 경유하여 이들 기준 미러로 안내될 수 있다. 마스크 간섭계 시스템에 대해서도, 기준 미러는 투영렌즈 시스템의 홀더에 고정될 수 있다.
도량형 프레임이 없는 전사투영장치에 있어서도, 동일한 이점을 얻기 위해 기판 간섭계 시스템 및 가능하게 마스크 간섭계 시스템의 X 및 Y 기준 미러가 투영렌즈 시스템의 홀더에 고정될 수 있는 것이 명백히 인식되어야 한다. 기준 미러가 투영렌즈 시스템의 홀더에 고정되어 있고, Z 측정 축 없이 다중 축 간섭계 시스템이 제공된 광전사 투영장치가 PCT WO 97/33205에 그 자체로 개시되어 있다.
도 9는, 본 발명에 따른 방법의 실행에 적합한 전사장치의 소정 실시예에서, 투영 스테이션 및 측정 스테이션에서 수행된 간섭계 측정의 실측도이다. 본 도면은 X 측정 미러(R1, R'1), Y 측정 미러(R2, R'2) 및 Z 측정 미러(R3,1, R3,2, R'3,1, R'3,2)를 구비하는 2개의 기판홀더(111, 113)를 나타낸다. 도 9의 중심부는 XY 평면에서 취한 단면이고, 상부는 XZ 평면에서 취한 단면이며, 그리고 좌측부는 YZ 평면에서 취한 단면이다. 참조번호 300 및 310은 조명 스테이션 및 정렬 스테이션의 측정 영역을 나타낸다. 각각의 측정 축은 2개의 문자와 1개의 숫자로 표시된다. 첫번째 문자는 관련 측정 축으로 수행되는 측정의 방향(X, Y 또는 Z)을 나타내고, 숫자는 이 방향에서 측정 축의 수를 나타내고, 그리고 두번째 문자는 측정이 정렬 스테이션(M) 혹은 조명 스테이션(E)에서 발생하는지를 나타낸다. 도 9의 실시예에서, X 방향 및 Y 방향의 양 방향에서 3개의 측정 축을 따라 측정이 실행되며, 2개의 Z 측정이 실행된다. 간섭계 유닛(330)은 투영 스테이션에서 Y 측정용으로 사용된다. 투영 스테이션 및 측정 스테이션용의 대응 간섭계 유닛은 동일한 참조번호로 지시되나, 측정 스테이션에서는 간섭계 유닛용 참조번호가 프라임 표시된다.
전사장치에서, 2개의 기판테이블 및 관련 홀더가 측정 스테이션으로부터 투영 스테이션으로, 그리고 그 반대로 이동되도록, 이러한 이동중에 2개의 기판테이블은 공통 회전 아암에 고정될 수 있고, 따라서 기판을 공통의 회전을 통해 측정 스테이션 또는 투영 스테이션으로 가져갈 수 있다. 하지만, 스테이션으로부터의 그리고 스테이션으로의 이러한 이동을 수행하기 위해, 바람직하게는 기판테이블이 XY 평면에서 직진 이동(rectilinear movement)을 하는 방식으로 개별적으로 구동된다. 도 10은 이 경우 투영 스테이션(300) 및 측정 스테이션(310)에 대하여 기판홀더(111 및 113) 및 관련 테이블(도시되지 않음)이 어떻게 이동하는지를 보여준다. 본 도에서, 좌측으로부터 우측으로 4개의 다른 스테이션이 SIT1, SIT2, SIT3 및 SIT4로 표시되었다. SIT1에서, 측정 스테이션(310)에 존재하는 기판홀더(113) 및 이 홀더에 존재하는 기판이 측정되는 동안, 투영 스테이션(300)에 존재하는 기판홀더(111) 및 이 홀더에 존재하는 기판이 조명된다. 조명공정 및 측정공정이 완료되면, SIT2에서 2개의 기판홀더는 관련 스테이션을 떠난다. 2개의 기판홀더는 상호 통과하고, SIT3에서는 기판홀더(111)는 측정 스테이션(310)으로 가는 중이며, 기판홀더(113)는 투영 스테이션(300)으로 가는 중에 있다. SIT4에서, 제 1 기판이 제거된 후에 새로운 기판이 제공된 기판홀더(111)가 이 기판 상에서 측정이 수행되도록 측정 스테이션(310)에 위치하는 동안, 기판홀더(113)는 이 홀더에 존재하는 기판이 조명될 수 있도록 투영 스테이션(300)에 위치한다.
집적회로 구조체의 제조를 위한 광전사장치를 참조하여 기판 필드의 높이 및 위치를 측정하는 최신의 방법이 설명되었다. 하지만, 이 방법은 집적 또는 평면 광학 시스템, 자기 영역 메모리의 유도 및 검출 패턴용 구조체, 또는 액정 표시 패널의 구조체와 같은 기타 구조체의 제조를 위한 광전사 장치에도 사용될 수 있다. 이 방법은 기판 위로 마스크패턴을 축소하거나 축소하지 않고 묘화하는데 있어서 이온 방사선, 전자 방사선 또는 X 선 방사선와 같은 광학 반사 이외에 방사선이 사용되는 기타의 전사장치에도 역시 사용가능하다. 상기 이미지는 투영 시스템에 의해 형성된 이미지뿐만 아니라 근접 이미지(proximity image)일 수도 있다.

Claims (20)

  1. 투영 빔과 투영 시스템에 의하여 방사선감광층이 제공된 기판의 복수의 필드 상에 마스크 패턴을 투영하는 방법에 있어서, 상기 기판을 갖는 기판홀더를 상기 투영 빔 내부 및 상기 투영시스템 아래로 유도하기에 앞서, 각 기판 필드에 대하여:
    - 상기 투영 빔의 축에 평행한 방향에서 높이를 측정하는 단계;
    - 상기 기판홀더의 기준 평면의 높이를 측정하는 단계;
    - 상기 기판홀더의 기준 평면의 높이 및 상기 기판 필드의 높이 사이의 관계를 정립하는 단계; 및
    - 상기 관계를 메모리에 저장하는 단계에 의하여 기판의 표면 프로파일이 결정되며,
    상기 기판을 갖는 상기 기판홀더를 각 기판 필드 조명용 투영 빔 내부로 유도한 후에는, 상기 필드의 높이가 상기 기판홀더의 상기 기준 평면의 높이를 점검하는 단계에 의하여 조정되고,
    각각의 기판필드의 상기 높이측정에 있어서,
    상기 필드 및 제 1 높이 센서는 투영 빔의 축에 직각인 평면에서 서로에 대하여 이동하며, 제 2 높이 센서는 기판 지지체 기준평면의 높이 측정에 사용되고, 관련 기판필드의 이상적인 높이와 연관된 상기 기판 지지체 기준평면의 높이는 이후에 계산되고 저장되어, 상기 기판이 상기 투영 빔내로 유도된 후에, 각 기판필드에 대한 상기 높이의 값만이 제 3 높이 센서에 의해 점검되는 것을 특징으로 하는 투영방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    각 기판필드에 대하여 상기 기판필드의 높이 및 상기 기판홀더 기준평면의 높이가 동시에 측정되는 것을 특징으로 하는 투영방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 기판을 구비하는 상기 기판홀더가 상기 투영 빔 내로 유도되기 전후에, 그리고 상기 기판홀더 기준 평면의 높이를 측정할 때, 상기 기판의 위치는 또한 X축 및 Y축을 따라 측정되며, X축 및 Y축은 3축 직교 좌표계의 축이고, Z축은 상기 투영 빔의 축에 평행한 것을 특징으로 하는 투영방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 기판을 구비한 상기 기판홀더를 상기 투영 빔내로 유도하기 전에, 각 기판필드에 대한 관계가 상기 기판필드와 결합된 정렬마크 및 상기 기판홀더 상의 최소 하나의 기준 마크 사이에서 결정되고,
    상기 기판을 구비한 상기 기판홀더를 상기 투영 빔내로 유도한 후에는, 상기 관계를 이용하는 한편 마스크 상의 대응 마크에 대하여 상기 기준 마크를 정렬함으로써 각각의 기판필드가 조명되기 전에 정렬되는 것을 특징으로 하는 투영방법.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 따른 방법을 이용하는 전사기술로 제조된 생산물.
  6. 제 1항에 따른 방법의 수행에 적당한 전사투영장치에 있어서,
    상기 기판홀더 위에 배열된 복수의 기판필드에 마스크패턴을 투영하는 투영 스테이션, 및 상기 기판홀더 기준평면의 높이와 각 기판필드의 높이를 측정하는 측정 스테이션을 포함하고,
    상기 장치를 통과하는 상기 기판의 경로는 상기 측정 스테이션을 통하여 상기 투영 스테이션으로 연장되고,
    상기 측정 스테이션은 상기 기판필드 및 상기 기판홀더 기준평면의 높이를 각각 측정하는 제 1 및 제 제 2 높이센서를 수용하고, 상기 투영 스테이션은 상기 기판홀더 기준평면의 높이를 측정하는 제 3 높이센서를 수용하는 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 측정 스테이션은 광학 정렬시스템을 포함하고,
    상기 광학 정렬시스템은 상기 기판 필드와 관련된 정렬 마크를 묘화하는 구성요소 및 상기 정렬 시스템 내에서 기준 마크 상에 최소 하나의 기판홀더 정렬 마크를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  8. 제 6항 또는 제 7항에 있어서,
    상기 3개의 높이 센서는 광학 높이 센서인 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 2 및 제 3 높이센서중 적어도 하나는 상기 기판의 X 및 Y 변위와 위치를 측정하는 별도의 복합 XYZ 간섭계 시스템의 일부분을 형성하고, 간섭계로 결정되는 상기 기판 변위의 수와 적어도 동등한 수의 X 및 Y 측정 축을 가지며,
    상기 측정 축은 상기 기판홀더 상에 배열된 X 및 Y 측정미러와 관련되고,
    상기 간섭계 시스템은 XY 평면에 예각으로 상기 기판홀더 상에 배열된 Z 측정미러와 관련되는 Z 측정 축을 더 구비하며,
    상기 Z 측정 축과 상기 Z 측정 미러는 Z 반사기 및 Z 검출기와 함께 상기 높이센서를 구성하는 것을 특징으로 특징으로 하는 전사투영장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 간섭계 시스템용 Z 측정 미러는 상기 XY 평면에 대해 거의 45°각도로 상기 기판홀더 상에 배열되는 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 간섭계 시스템용 Z 측정 미러가 상기 X 또는 Y 측정 미러의 경사부 (beveled portion)에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  12. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 간섭계 시스템용 Z 측정 미러는, 상기 X 또는 Y 측정 미러도 역시 배열되는 상기 기판홀더의 측면 상에 배열된 경사진 바(beveled bar)로 구성되고,
    상기 바는, Z 방향으로 상기 측면의 작은 부분만을 통하여 그리고 거기에 수직방향으로 상기 측면의 전체에 걸쳐 연장하는 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 간섭계 시스템용 Z 측정 미러는 상기 기판으로부터 떨어져 상기 기판홀더의 부분 상에 배열되는 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  14. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    Z 측정 빔과 관련된 기준 빔을 위한 기준 미러는, 상기 Z 측정 미러도 배열되는 상기 기판홀더의 상기 측면 상에 배열되는 상기 X 또는 Y 측정 미러로 구성되는 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  15. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 Z 측정 빔의 경로는, 상기 Z 측정 미러에 의해 반사되어 상기 Z 검출기를 향하는 Z 측정 빔의 상기 미러 상에서의 또 다른 반사를 위해 상기 측정 미러로 반사시키는 역반사기(retroreflector)와 결합하는 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  16. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 간섭계 시스템은 Z 측정 축에 부가하여 적어도 5개의 다른 측정 축을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  17. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 간섭계 시스템은 파장이 다른 두 측정 빔이 그를 따라 전파되는 측정 축을 가지는 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  18. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 측정 미러들을 제외하고, 상기 Z 반사기 뿐만아니라 상기 투영 스테이션-간섭계 시스템의 구성요소들이, 상기 투영 시스템 역시 강성적으로 고정되는 견고한 프레임에 배열되고, 상기 프레임은 상기 장치의 기타 구성요소로부터 격리되어 동적으로 현가되는 것을 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  19. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 X 및 Y 측정 빔과 관련된 기준 빔용의 기준 미러가 상기 투영 시스템의 홀더 상에 배열되는 것을 특징으로 하는 전사투영장치.
  20. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 기판을 상기 투영 빔 내로 유도하기에 앞서 다수인 기판필드의 표면 프로파일을 결정할 경우, 연속적으로 검사된 필드가 서로에 대하여 배치되는 순서에 의해 한정된 대로의 일정경로(route)를 따르고,
    그 후에 상기 기판이 상기 투영 빔 내 및 상기 투영 시스템 하로 유도된 때에는 상기 필드가 조명되는 동안 동일한 경로를 따르는 것을 특징으로 하는 투영방법.
KR1019997007600A 1997-12-22 1998-12-11 시간절약형 높이측정을 이용하여 마스크패턴을 반복적으로 투영하는 방법 및 장치 KR100632427B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP97204054.7 1997-12-22
EP97204054 1997-12-22
PCT/EP1998/008090 WO1999032940A1 (en) 1997-12-22 1998-12-11 Repetitively projecting a mask pattern using a time-saving height measurement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000075541A KR20000075541A (ko) 2000-12-15
KR100632427B1 true KR100632427B1 (ko) 2006-10-09

Family

ID=8229101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019997007600A KR100632427B1 (ko) 1997-12-22 1998-12-11 시간절약형 높이측정을 이용하여 마스크패턴을 반복적으로 투영하는 방법 및 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6208407B1 (ko)
EP (1) EP0961954B1 (ko)
JP (2) JP3631766B2 (ko)
KR (1) KR100632427B1 (ko)
DE (1) DE69839069T2 (ko)
TW (1) TW399145B (ko)
WO (1) WO1999032940A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100947640B1 (ko) 2008-07-18 2010-03-12 (주)비노시스 노광 장치

Families Citing this family (354)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW396395B (en) * 1998-01-07 2000-07-01 Nikon Corp Exposure method and scanning-type aligner
ATE282590T1 (de) 1998-05-15 2004-12-15 Astrazeneca Ab Benzamid-derivate zur behandlung cytokin- vermittelter krankheiten
WO1999066542A1 (fr) * 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition
US6924884B2 (en) 1999-03-08 2005-08-02 Asml Netherlands B.V. Off-axis leveling in lithographic projection apparatus
TW490596B (en) * 1999-03-08 2002-06-11 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus
EP1037117A3 (en) * 1999-03-08 2003-11-12 ASML Netherlands B.V. Off-axis levelling in lithographic projection apparatus
US7116401B2 (en) * 1999-03-08 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method
JP2001015420A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Toshiba Corp 半導体ウエハのパターン露光方法およびパターン露光装置
JP2001160535A (ja) * 1999-09-20 2001-06-12 Nikon Corp 露光装置、及び該装置を用いるデバイス製造方法
US6525802B1 (en) * 1999-11-05 2003-02-25 Nikon Corporation Kinematic mounted reference mirror with provision for stable mounting of alignment optics
JP2001160530A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001332490A (ja) * 2000-03-14 2001-11-30 Nikon Corp 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US6717159B2 (en) 2000-10-18 2004-04-06 Nikon Corporation Low distortion kinematic reticle support
US6859260B2 (en) * 2001-04-25 2005-02-22 Asml Holding N.V. Method and system for improving focus accuracy in a lithography system
DE10136387A1 (de) * 2001-07-26 2003-02-13 Zeiss Carl Objektiv, insbesondere Objektiv für die Halbleiter-Lithographie
US6678038B2 (en) 2001-08-03 2004-01-13 Nikon Corporation Apparatus and methods for detecting tool-induced shift in microlithography apparatus
US6674512B2 (en) 2001-08-07 2004-01-06 Nikon Corporation Interferometer system for a semiconductor exposure system
US6785005B2 (en) 2001-09-21 2004-08-31 Nikon Corporation Switching type dual wafer stage
US6665054B2 (en) 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
JP3780221B2 (ja) * 2002-03-26 2006-05-31 キヤノン株式会社 露光方法及び装置
DE10219514A1 (de) * 2002-04-30 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie
US6757110B2 (en) 2002-05-29 2004-06-29 Asml Holding N.V. Catadioptric lithography system and method with reticle stage orthogonal to wafer stage
US7170075B2 (en) * 2002-07-18 2007-01-30 Rudolph Technologies, Inc. Inspection tool with a 3D point sensor to develop a focus map
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP4645027B2 (ja) * 2002-12-10 2011-03-09 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
WO2004053954A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR101288767B1 (ko) 2003-02-26 2013-07-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
SG123601A1 (en) * 2003-03-10 2006-07-26 Asml Netherlands Bv Focus spot monitoring in a lithographic projectionapparatus
KR101532824B1 (ko) 2003-04-09 2015-07-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101324818B1 (ko) * 2003-04-11 2013-11-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR101533206B1 (ko) * 2003-04-11 2015-07-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
WO2004094940A1 (ja) 2003-04-23 2004-11-04 Nikon Corporation 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ
TWI237307B (en) * 2003-05-01 2005-08-01 Nikon Corp Optical projection system, light exposing apparatus and light exposing method
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI474380B (zh) 2003-05-23 2015-02-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TWI463533B (zh) 2003-05-23 2014-12-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
KR20150036794A (ko) 2003-05-28 2015-04-07 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP4415939B2 (ja) 2003-06-13 2010-02-17 株式会社ニコン 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法
TWI463532B (zh) 2003-06-19 2014-12-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
KR101296501B1 (ko) * 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
ATE489724T1 (de) * 2003-07-09 2010-12-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementherstellung
WO2005006415A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7196300B2 (en) * 2003-07-18 2007-03-27 Rudolph Technologies, Inc. Dynamic focusing method and apparatus
EP2264534B1 (en) 2003-07-28 2013-07-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP2837969B1 (en) 2003-09-29 2016-04-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR101311046B1 (ko) * 2003-09-29 2013-09-24 가부시키가이샤 니콘 투영 노광 장치, 투영 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TW200513809A (en) * 2003-09-29 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Liquid-soaked lens system and projecting exposure apparatus as well as component manufacturing method
KR101361892B1 (ko) 2003-10-08 2014-02-12 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
TWI553701B (zh) * 2003-10-09 2016-10-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus and exposure method, component manufacturing method
TWI628698B (zh) * 2003-10-28 2018-07-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
EP1688988A1 (en) * 2003-11-17 2006-08-09 Nikon Corporation Stage drive method, stage apparatus, and exposure apparatus
TWI385414B (zh) 2003-11-20 2013-02-11 尼康股份有限公司 光學照明裝置、照明方法、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI530762B (zh) 2003-12-03 2016-04-21 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20050134865A1 (en) * 2003-12-17 2005-06-23 Asml Netherlands B.V. Method for determining a map, device manufacturing method, and lithographic apparatus
US7265917B2 (en) * 2003-12-23 2007-09-04 Carl Zeiss Smt Ag Replacement apparatus for an optical element
US6955074B2 (en) * 2003-12-29 2005-10-18 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, method of calibration, calibration plate, device manufacturing method, and device manufactured thereby
KR101324810B1 (ko) 2004-01-05 2013-11-01 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JPWO2005067012A1 (ja) * 2004-01-06 2007-07-26 株式会社ニコン 露光方法及び装置並びにデバイス製造方法
US7072024B2 (en) * 2004-01-20 2006-07-04 Nikon Corporation Lithographic projection method and apparatus
US6980279B2 (en) * 2004-01-22 2005-12-27 Nikon Corporation Interferometer system for measuring a height of wafer stage
US7697110B2 (en) * 2004-01-26 2010-04-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
TWI395068B (zh) * 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2005076321A1 (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005076325A1 (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及び方法、位置制御方法並びにデバイス製造方法
US8208119B2 (en) 2004-02-04 2012-06-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
TW201809727A (zh) 2004-02-06 2018-03-16 日商尼康股份有限公司 偏光變換元件
KR101166007B1 (ko) 2004-02-10 2012-07-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및노광 방법
US7113256B2 (en) * 2004-02-18 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control
US20070030467A1 (en) * 2004-02-19 2007-02-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
WO2005081292A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置、供給方法及び回収方法、露光方法、ならびにデバイス製造方法
US7362447B2 (en) * 2004-02-20 2008-04-22 Agilent Technologies, Inc. Low walk-off interferometer
US7130056B2 (en) * 2004-02-20 2006-10-31 Agilent Technologies, Inc. System and method of using a side-mounted interferometer to acquire position information
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US6975407B1 (en) * 2004-05-19 2005-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, Ltd. Method of wafer height mapping
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158236B2 (en) 2004-05-21 2007-01-02 Agilent Technologies, Inc. Heterodyne laser interferometer for measuring wafer stage translation
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
US20070216889A1 (en) * 2004-06-04 2007-09-20 Yasufumi Nishii Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
CN101095213B (zh) * 2004-06-09 2010-05-05 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
KR101227290B1 (ko) * 2004-06-09 2013-01-29 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치, 노광 방법,디바이스 제조 방법, 그리고 발액 플레이트
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8373843B2 (en) * 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) * 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3067750B1 (en) 2004-06-10 2019-01-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR101485650B1 (ko) 2004-06-10 2015-01-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US20080266037A1 (en) * 2004-06-17 2008-10-30 Mark Williams Magnetic Levitation Lithography Apparatus and Method
US7463330B2 (en) * 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101433491B1 (ko) 2004-07-12 2014-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101337007B1 (ko) 2004-08-03 2013-12-06 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TW200615716A (en) * 2004-08-05 2006-05-16 Nikon Corp Stage device and exposure device
US20060038972A1 (en) * 2004-08-17 2006-02-23 Nikon Corporation Lithographic system with separated isolation structures
US8305553B2 (en) * 2004-08-18 2012-11-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7706074B2 (en) * 2004-09-13 2010-04-27 Nikon Corporation Projection optical system, method of manufacturing projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
KR101506100B1 (ko) 2004-09-17 2015-03-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4765937B2 (ja) * 2004-10-01 2011-09-07 株式会社ニコン リニアモータ、ステージ装置、及び露光装置
EP1806771A4 (en) * 2004-10-08 2008-06-18 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
TW200628995A (en) * 2004-10-13 2006-08-16 Nikon Corp Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
KR20070068343A (ko) * 2004-10-13 2007-06-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101331631B1 (ko) * 2004-10-15 2013-11-20 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US20080151213A1 (en) * 2004-10-18 2008-06-26 Dai Arai Bearing Device, Stage Device, and Exposure Apparatus
US9557656B2 (en) 2004-12-01 2017-01-31 Nikon Corporation Stage apparatus and exposure apparatus
US20080137056A1 (en) * 2004-12-06 2008-06-12 Tomoharu Fujiwara Method for Processing Substrate, Exposure Method, Exposure Apparatus, and Method for Producing Device
JP4752473B2 (ja) * 2004-12-09 2011-08-17 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US20060139595A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness
TWI423301B (zh) * 2005-01-21 2014-01-11 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP2506289A3 (en) 2005-01-31 2013-05-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
JP4738829B2 (ja) * 2005-02-09 2011-08-03 キヤノン株式会社 位置決め装置
US20070258068A1 (en) * 2005-02-17 2007-11-08 Hiroto Horikawa Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method
US7342641B2 (en) * 2005-02-22 2008-03-11 Nikon Corporation Autofocus methods and devices for lithography
TWI424260B (zh) * 2005-03-18 2014-01-21 尼康股份有限公司 A board member, a substrate holding device, an exposure apparatus and an exposure method, and a device manufacturing method
US8638422B2 (en) * 2005-03-18 2014-01-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, method for producing device, and method for evaluating exposure apparatus
EP1863071B1 (en) 2005-03-25 2016-09-21 Nikon Corporation Shot shape measuring method, mask
WO2006106832A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corporation 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20070115860A (ko) * 2005-03-30 2007-12-06 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US20070132976A1 (en) * 2005-03-31 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
TW200644079A (en) * 2005-03-31 2006-12-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device production method
JP4872916B2 (ja) 2005-04-18 2012-02-08 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7349069B2 (en) * 2005-04-20 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
US7405811B2 (en) * 2005-04-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
WO2006118258A1 (ja) 2005-04-28 2006-11-09 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20080005376A (ko) * 2005-04-28 2008-01-11 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
EP1895570A4 (en) * 2005-05-24 2011-03-09 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
EP1895571A4 (en) 2005-06-21 2011-04-27 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD, MAINTENANCE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US7924416B2 (en) * 2005-06-22 2011-04-12 Nikon Corporation Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2007000995A1 (ja) * 2005-06-28 2007-01-04 Nikon Corporation 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
US8693006B2 (en) * 2005-06-28 2014-04-08 Nikon Corporation Reflector, optical element, interferometer system, stage device, exposure apparatus, and device fabricating method
JP5194792B2 (ja) * 2005-06-30 2013-05-08 株式会社ニコン 露光装置及び方法、露光装置のメンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
WO2007007746A1 (ja) 2005-07-11 2007-01-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
CN101138070B (zh) * 2005-08-05 2011-03-23 株式会社尼康 载台装置及曝光装置
US7355719B2 (en) * 2005-08-16 2008-04-08 Agilent Technologies, Inc. Interferometer for measuring perpendicular translations
WO2007023813A1 (ja) 2005-08-23 2007-03-01 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5055579B2 (ja) 2005-09-09 2012-10-24 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8111374B2 (en) * 2005-09-09 2012-02-07 Nikon Corporation Analysis method, exposure method, and device manufacturing method
US20070070323A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
JPWO2007034838A1 (ja) 2005-09-21 2009-03-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7948675B2 (en) * 2005-10-11 2011-05-24 Nikon Corporation Surface-corrected multilayer-film mirrors with protected reflective surfaces, exposure systems comprising same, and associated methods
US20070095739A1 (en) * 2005-10-24 2007-05-03 Nikon Corporation Utility transfer apparatus, stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8681314B2 (en) * 2005-10-24 2014-03-25 Nikon Corporation Stage device and coordinate correction method for the same, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2007052659A1 (ja) 2005-11-01 2007-05-10 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US20070127135A1 (en) * 2005-11-01 2007-06-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US7878791B2 (en) * 2005-11-04 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US8011915B2 (en) 2005-11-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20070127002A1 (en) * 2005-11-09 2007-06-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, and device manufacturing method
TW200719095A (en) 2005-11-09 2007-05-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
KR20080065981A (ko) 2005-11-09 2008-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 방법, 및 디바이스 제조 방법
KR20080068006A (ko) * 2005-11-15 2008-07-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치와, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2007058240A1 (ja) 2005-11-16 2007-05-24 Nikon Corporation 基板処理方法、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク、並びにデバイス製造方法
EP1965414A4 (en) 2005-12-06 2010-08-25 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
EP3327759A1 (en) * 2005-12-08 2018-05-30 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
CN102681368B (zh) 2005-12-28 2015-09-30 株式会社尼康 图案形成方法及图案形成装置、以及元件制造方法
US8411271B2 (en) * 2005-12-28 2013-04-02 Nikon Corporation Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method
US7649611B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200801833A (en) * 2006-02-16 2008-01-01 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
EP3115844B1 (en) 2006-02-21 2018-08-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP5177674B2 (ja) 2006-02-21 2013-04-03 株式会社ニコン 測定装置及び方法、パターン形成装置及び方法、並びにデバイス製造方法
EP3293577A1 (en) 2006-02-21 2018-03-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US7916270B2 (en) * 2006-03-03 2011-03-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US7253875B1 (en) * 2006-03-03 2007-08-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5077770B2 (ja) * 2006-03-07 2012-11-21 株式会社ニコン デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置
US9478501B2 (en) * 2006-03-08 2016-10-25 Erich Thallner Substrate processing and alignment
EP1832933B1 (en) * 2006-03-08 2008-10-01 Erich Thallner Device manufacturing method and substrate processing apparatus, and substrate support structure
CN100590173C (zh) * 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
US7936443B2 (en) * 2006-05-09 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080024749A1 (en) * 2006-05-18 2008-01-31 Nikon Corporation Low mass six degree of freedom stage for lithography tools
US20070267995A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Nikon Corporation Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus
KR20090018024A (ko) * 2006-05-18 2009-02-19 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 메인터넌스 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US7728462B2 (en) * 2006-05-18 2010-06-01 Nikon Corporation Monolithic stage devices providing motion in six degrees of freedom
CN101385125B (zh) * 2006-05-22 2011-04-13 株式会社尼康 曝光方法及装置、维修方法、以及组件制造方法
WO2007136089A1 (ja) 2006-05-23 2007-11-29 Nikon Corporation メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
KR20090023545A (ko) 2006-05-31 2009-03-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법
EP2037488A4 (en) 2006-06-09 2011-11-23 Nikon Corp METHOD AND DEVICE FOR FORMING PATTERNS, METHOD AND DEVICE FOR EXPOSING, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICES
TWI425318B (zh) * 2006-06-09 2014-02-01 尼康股份有限公司 移動體裝置、曝光裝置和曝光方法以及元件製造方法
EP3392903A1 (en) 2006-06-16 2018-10-24 Nikon Corporation Variable slit device, illumination device, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR20090033170A (ko) * 2006-06-30 2009-04-01 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 장치 및 디바이스 제조 방법
US20080073563A1 (en) 2006-07-01 2008-03-27 Nikon Corporation Exposure apparatus that includes a phase change circulation system for movers
US7872730B2 (en) * 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
US8908144B2 (en) * 2006-09-27 2014-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5120377B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7999918B2 (en) * 2006-09-29 2011-08-16 Nikon Corporation Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US20080100575A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-01 Sehat Sutardja Low power optical mouse
JP5151989B2 (ja) * 2006-11-09 2013-02-27 株式会社ニコン 保持装置、位置検出装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2008059916A1 (fr) * 2006-11-15 2008-05-22 Nikon Corporation Appareil et procédé d'exposition et procédé de fabrication de dispositif
US20080158531A1 (en) * 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20080212047A1 (en) * 2006-12-28 2008-09-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8004651B2 (en) * 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
TW200846838A (en) * 2007-01-26 2008-12-01 Nikon Corp Support structure and exposure apparatus
JP2010519722A (ja) * 2007-02-23 2010-06-03 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び液浸露光用基板
TWI454839B (zh) * 2007-03-01 2014-10-01 尼康股份有限公司 A film frame apparatus, a mask, an exposure method, and an exposure apparatus, and a method of manufacturing the element
US20080225261A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Noriyuki Hirayanagi Exposure apparatus and device manufacturing method
US7830046B2 (en) * 2007-03-16 2010-11-09 Nikon Corporation Damper for a stage assembly
US8497980B2 (en) * 2007-03-19 2013-07-30 Nikon Corporation Holding apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8134685B2 (en) 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US7903866B2 (en) * 2007-03-29 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object
US20080246941A1 (en) * 2007-04-06 2008-10-09 Katsura Otaki Wavefront aberration measuring device, projection exposure apparatus, method for manufacturing projection optical system, and method for manufacturing device
US8194322B2 (en) * 2007-04-23 2012-06-05 Nikon Corporation Multilayer-film reflective mirror, exposure apparatus, device manufacturing method, and manufacturing method of multilayer-film reflective mirror
US20080266651A1 (en) * 2007-04-24 2008-10-30 Katsuhiko Murakami Optical apparatus, multilayer-film reflective mirror, exposure apparatus, and device
US8300207B2 (en) * 2007-05-17 2012-10-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method
US20080285004A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Nikon Corporation Monolithic, Non-Contact Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus
US20090122282A1 (en) * 2007-05-21 2009-05-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method
WO2008147175A1 (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009033111A (ja) * 2007-05-28 2009-02-12 Nikon Corp 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法
US8164736B2 (en) * 2007-05-29 2012-04-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
US8098362B2 (en) * 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US20090015806A1 (en) * 2007-06-04 2009-01-15 Nikon Corporation Environmental control apparatus, stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP4968335B2 (ja) * 2007-06-11 2012-07-04 株式会社ニコン 計測部材、センサ、計測方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8547527B2 (en) * 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
EP2187430B1 (en) 2007-07-24 2018-10-03 Nikon Corporation Position measuring system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method, and device manufacturing method
TWI526794B (zh) 2007-07-24 2016-03-21 尼康股份有限公司 Exposure method and apparatus, and component manufacturing method
US8194232B2 (en) 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
US9025126B2 (en) * 2007-07-31 2015-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method
US8218129B2 (en) * 2007-08-24 2012-07-10 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system
US9304412B2 (en) * 2007-08-24 2016-04-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method
US8237919B2 (en) * 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US20090051895A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, device manufacturing method, and processing system
US8867022B2 (en) * 2007-08-24 2014-10-21 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US8023106B2 (en) 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
WO2009031654A1 (ja) * 2007-09-07 2009-03-12 National University Corporation Yokohama National University 駆動制御方法、駆動制御装置、ステージ制御方法、ステージ制御装置、露光方法、露光装置及び計測装置
WO2009031656A1 (ja) * 2007-09-07 2009-03-12 Nikon Corporation 吊り下げ装置及び露光装置
US8421994B2 (en) * 2007-09-27 2013-04-16 Nikon Corporation Exposure apparatus
US8279399B2 (en) 2007-10-22 2012-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20090201484A1 (en) * 2007-10-29 2009-08-13 Nikon Corporation Utilities supply member connection apparatus, stage apparatus, projection optical system support apparatus and exposure apparatus
US9013681B2 (en) * 2007-11-06 2015-04-21 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9256140B2 (en) * 2007-11-07 2016-02-09 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction
CN101675500B (zh) * 2007-11-07 2011-05-18 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
US8665455B2 (en) * 2007-11-08 2014-03-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8422015B2 (en) 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US20090147228A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, manufacturing method thereof, and maintenance method of exposure apparatus
US8760622B2 (en) * 2007-12-11 2014-06-24 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
US20090174873A1 (en) * 2007-12-17 2009-07-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP5446875B2 (ja) * 2007-12-17 2014-03-19 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US8964166B2 (en) * 2007-12-17 2015-02-24 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method of producing device
US8451425B2 (en) * 2007-12-28 2013-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method
US8269945B2 (en) * 2007-12-28 2012-09-18 Nikon Corporation Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
TWI547769B (zh) * 2007-12-28 2016-09-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method
JP5369443B2 (ja) 2008-02-05 2013-12-18 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR20100124245A (ko) * 2008-02-08 2010-11-26 가부시키가이샤 니콘 위치 계측 시스템 및 위치 계측 방법, 이동체 장치, 이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 패턴 형성 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US20090218743A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, plate member, and wall
JP5256790B2 (ja) * 2008-03-11 2013-08-07 富士通セミコンダクター株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及びカメラモジュールの製造方法
US20100039628A1 (en) * 2008-03-19 2010-02-18 Nikon Corporation Cleaning tool, cleaning method, and device fabricating method
US8233139B2 (en) * 2008-03-27 2012-07-31 Nikon Corporation Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
DE102008000967B4 (de) * 2008-04-03 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
KR20100128352A (ko) * 2008-04-11 2010-12-07 가부시키가이샤 니콘 스테이지장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법
US8654306B2 (en) * 2008-04-14 2014-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method
TW200951640A (en) * 2008-04-30 2009-12-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8817236B2 (en) 2008-05-13 2014-08-26 Nikon Corporation Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8786829B2 (en) * 2008-05-13 2014-07-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8228482B2 (en) * 2008-05-13 2012-07-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US7940374B2 (en) * 2008-06-30 2011-05-10 Asml Holding N.V. Parallel process focus compensation
US20100165309A1 (en) * 2008-07-10 2010-07-01 Nikon Corporation Deformation measuring apparatus, exposure apparatus, jig for the deformation measuring apparatus, position measuring method and device fabricating method
TW201009895A (en) * 2008-08-11 2010-03-01 Nikon Corp Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method
JP5131094B2 (ja) * 2008-08-29 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法並びに記憶媒体
US8435723B2 (en) * 2008-09-11 2013-05-07 Nikon Corporation Pattern forming method and device production method
US20100302526A1 (en) * 2008-11-13 2010-12-02 Nikon Corporation Drive control method for moving body, exposure method, robot control method, drive control apparatus, exposure apparatus and robot apparatus
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8760629B2 (en) * 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
US8773635B2 (en) * 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8902402B2 (en) 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8896806B2 (en) 2008-12-29 2014-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20100196832A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, liquid immersion member and device fabricating method
EP2219077A1 (en) 2009-02-12 2010-08-18 Carl Zeiss SMT AG Projection exposure method, projection exposure system and projection objective
JP5482784B2 (ja) 2009-03-10 2014-05-07 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8739383B2 (en) * 2009-04-20 2014-06-03 Nikon Corporation Method and apparatus for aligning mirror blocks of a multi-element mirror assembly
US8953143B2 (en) * 2009-04-24 2015-02-10 Nikon Corporation Liquid immersion member
US8202671B2 (en) 2009-04-28 2012-06-19 Nikon Corporation Protective apparatus, mask, mask forming apparatus, mask forming method, exposure apparatus, device fabricating method, and foreign matter detecting apparatus
WO2010125813A1 (ja) * 2009-04-30 2010-11-04 株式会社ニコン 露光方法及びデバイス製造方法、並びに重ね合わせ誤差計測方法
TW201115047A (en) * 2009-05-07 2011-05-01 Nikon Corp Vibration control apparatus, vibration control method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20100323303A1 (en) * 2009-05-15 2010-12-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
TW201115280A (en) * 2009-05-15 2011-05-01 Nikon Corp Exposure apparatus and device manufacturing method
US8792084B2 (en) 2009-05-20 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8970820B2 (en) * 2009-05-20 2015-03-03 Nikon Corporation Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8619231B2 (en) 2009-05-21 2013-12-31 Nikon Corporation Cleaning method, exposure method, and device manufacturing method
US9312159B2 (en) * 2009-06-09 2016-04-12 Nikon Corporation Transport apparatus and exposure apparatus
NL2004735A (en) 2009-07-06 2011-01-10 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
KR101499285B1 (ko) * 2009-08-07 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
WO2011016254A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8514395B2 (en) 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8493547B2 (en) 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110199591A1 (en) * 2009-10-14 2011-08-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method
US20110102762A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
EP2498129A4 (en) * 2009-11-05 2018-01-03 Nikon Corporation Focus test mask, focus measuring method, exposure apparatus, and exposure method
KR20120101437A (ko) 2009-11-09 2012-09-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 노광 장치의 조정 방법, 및 디바이스 제조 방법
US20110134400A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion member, and device manufacturing method
US8488106B2 (en) 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR20120112615A (ko) 2009-12-28 2012-10-11 가부시키가이샤 니콘 액침 부재, 액침 부재의 제조 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR20120113238A (ko) 2010-01-08 2012-10-12 가부시키가이샤 니콘 액침 부재, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
US8841065B2 (en) 2010-02-12 2014-09-23 Nikon Corporation Manufacturing method of exposure apparatus and device manufacturing method
KR20120116329A (ko) 2010-02-20 2012-10-22 가부시키가이샤 니콘 광원 최적화 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 노광 장치, 리소그래피 시스템, 광원 평가 방법 및 광원 변조 방법
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110222031A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120013864A1 (en) 2010-07-14 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120013863A1 (en) 2010-07-14 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US8937703B2 (en) 2010-07-14 2015-01-20 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120012191A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120019802A1 (en) 2010-07-23 2012-01-26 Nikon Corporation Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium
US20120019804A1 (en) 2010-07-23 2012-01-26 Nikon Corporation Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium
US20120019803A1 (en) 2010-07-23 2012-01-26 Nikon Corporation Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium
US20120162619A1 (en) 2010-12-27 2012-06-28 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120188521A1 (en) 2010-12-27 2012-07-26 Nikon Corporation Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium
US9746787B2 (en) 2011-02-22 2017-08-29 Nikon Corporation Holding apparatus, exposure apparatus and manufacturing method of device
CN102692195B (zh) * 2011-03-21 2015-05-13 上海微电子装备有限公司 一种转角测量装置
US20130016329A1 (en) 2011-07-12 2013-01-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, measurement method, and device manufacturing method
US9329496B2 (en) 2011-07-21 2016-05-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium
US9256137B2 (en) 2011-08-25 2016-02-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
US20130050666A1 (en) 2011-08-26 2013-02-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
US20130135594A1 (en) 2011-11-25 2013-05-30 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium
US20130169944A1 (en) 2011-12-28 2013-07-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium
CN103197506B (zh) * 2012-01-10 2015-11-18 上海微电子装备有限公司 一种采用镜像硅片台的光刻机
DE102012201393A1 (de) * 2012-02-01 2013-08-01 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Positionsmesseinrichtung und Anordnung mit mehreren Positionsmesseinrichtungen
US9268231B2 (en) 2012-04-10 2016-02-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9323160B2 (en) 2012-04-10 2016-04-26 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium
US9606447B2 (en) 2012-05-21 2017-03-28 Nikon Corporation Reflective mirror, projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9823580B2 (en) 2012-07-20 2017-11-21 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9494870B2 (en) 2012-10-12 2016-11-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9568828B2 (en) 2012-10-12 2017-02-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
EP2950328A4 (en) 2012-11-30 2017-01-25 Nikon Corporation Suction apparatus, carry-in method, conveyance system, light exposure device, and device production method
KR102211380B1 (ko) 2012-11-30 2021-02-03 가부시키가이샤 니콘 반송 시스템, 노광 장치, 반송 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조방법, 및 흡인 장치
JP6119242B2 (ja) 2012-12-27 2017-04-26 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US9651873B2 (en) 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9720331B2 (en) 2012-12-27 2017-08-01 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9352073B2 (en) 2013-01-22 2016-05-31 Niko Corporation Functional film
US9057955B2 (en) 2013-01-22 2015-06-16 Nikon Corporation Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2014132923A1 (ja) 2013-02-28 2014-09-04 株式会社ニコン 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法
JPWO2014181858A1 (ja) 2013-05-09 2017-02-23 株式会社ニコン 光学素子、投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
KR101854055B1 (ko) 2013-07-05 2018-05-02 가부시키가이샤 니콘 다층막 반사경, 다층막 반사경의 제조 방법, 투영 광학계, 노광 장치, 디바이스의 제조 방법
WO2015052781A1 (ja) 2013-10-08 2015-04-16 株式会社ニコン 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP6436090B2 (ja) 2013-10-30 2018-12-12 株式会社ニコン 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
CN104777715B (zh) * 2014-01-10 2017-03-29 上海微电子装备有限公司 一种测量光刻机垂向测量系统反射镜面形的方法
CN105917441A (zh) 2014-01-16 2016-08-31 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及器件制造方法
CN111208712A (zh) 2015-02-23 2020-05-29 株式会社尼康 测量装置及方法、光刻系统、曝光装置及方法
JP6649636B2 (ja) 2015-02-23 2020-02-19 株式会社ニコン 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI768409B (zh) * 2015-02-23 2022-06-21 日商尼康股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法、以及元件製造方法
JP6774031B2 (ja) 2015-03-25 2020-10-21 株式会社ニコン レイアウト方法、マーク検出方法、露光方法、計測装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2018038071A1 (ja) 2016-08-24 2018-03-01 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
KR102556130B1 (ko) 2016-09-27 2023-07-14 가부시키가이샤 니콘 결정 방법 및 장치, 프로그램, 정보 기록 매체, 노광 장치, 레이아웃 정보 제공 방법, 레이아웃 방법, 마크 검출 방법, 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
KR102625369B1 (ko) 2016-09-30 2024-01-15 가부시키가이샤 니콘 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법
CN110312952B (zh) 2017-02-20 2022-09-27 3M创新有限公司 光学制品和与其交互的系统
CN110431486B (zh) 2017-03-16 2022-03-15 株式会社尼康 控制装置及控制方法、曝光装置及曝光方法、元件制造方法、数据生成方法和计算机可读介质
CN111164605A (zh) 2017-09-27 2020-05-15 3M创新有限公司 使用光学图案以用于设备和安全监控的个人防护设备管理系统
US10600614B2 (en) * 2017-09-29 2020-03-24 Hitachi High-Technologies Corporation Stage device and charged particle beam device
CN111183501B (zh) * 2017-10-04 2022-11-25 Asml荷兰有限公司 干涉测量台定位装置
JP7132042B2 (ja) * 2018-09-10 2022-09-06 株式会社ディスコ 加工装置
NL2025089A (en) * 2019-04-01 2020-10-06 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and related methods
WO2021004724A1 (en) * 2019-07-11 2021-01-14 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method for measuring substrate height
CN111089539B (zh) * 2019-11-29 2022-02-25 中国科学院微电子研究所 晶圆轮廓图的构造方法
KR20240011719A (ko) * 2021-05-25 2024-01-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 마스크 규칙 체크 위반 및 마스크 디자인 결정

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61196532A (ja) * 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 露光装置
EP0793073A2 (en) * 1996-03-01 1997-09-03 Canon Kabushiki Kaisha Surface position detecting method and scanning exposure method using the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57183031A (en) 1981-05-06 1982-11-11 Toshiba Corp Method for wafer exposure and device thereof
JPS57204547A (en) 1981-06-12 1982-12-15 Hitachi Ltd Exposing method
JPH0228312A (ja) * 1988-07-18 1990-01-30 Nikon Corp 露光装置
US5416562A (en) * 1992-03-06 1995-05-16 Nikon Corporation Method of detecting a position and apparatus therefor
US5715064A (en) 1994-06-17 1998-02-03 International Business Machines Corporation Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput
US5917580A (en) * 1996-08-29 1999-06-29 Canon Kabushiki Kaisha Scan exposure method and apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61196532A (ja) * 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 露光装置
EP0793073A2 (en) * 1996-03-01 1997-09-03 Canon Kabushiki Kaisha Surface position detecting method and scanning exposure method using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100947640B1 (ko) 2008-07-18 2010-03-12 (주)비노시스 노광 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0961954B1 (en) 2008-01-30
KR20000075541A (ko) 2000-12-15
TW399145B (en) 2000-07-21
JP4332486B2 (ja) 2009-09-16
WO1999032940A1 (en) 1999-07-01
US6208407B1 (en) 2001-03-27
JP3631766B2 (ja) 2005-03-23
DE69839069T2 (de) 2009-01-22
JP2001513267A (ja) 2001-08-28
JP2005020030A (ja) 2005-01-20
DE69839069D1 (de) 2008-03-20
EP0961954A1 (en) 1999-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100632427B1 (ko) 시간절약형 높이측정을 이용하여 마스크패턴을 반복적으로 투영하는 방법 및 장치
US6020964A (en) Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system
US6084673A (en) Lithographic apparatus for step-and-scan imaging of mask pattern with interferometer mirrors on the mask and wafer holders
KR100554886B1 (ko) 2파장을 갖는 간섭계 시스템 및 그 시스템을 구비한 전사장치
KR100262992B1 (ko) 마스크 패턴을 반복적으로 영상화하는 방법 및 그 장치
US5144363A (en) Apparatus for and method of projecting a mask pattern on a substrate
US6297876B1 (en) Lithographic projection apparatus with an alignment system for aligning substrate on mask
US6046792A (en) Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
US6813000B1 (en) Exposure method and apparatus
CN102193330A (zh) 光刻设备和器件制造方法
JPH07326567A (ja) 等倍投影型露光装置
US5726757A (en) Alignment method
JPH09171954A (ja) 位置測定装置
JP3237022B2 (ja) 投影露光装置
JP2646595B2 (ja) レーザ加工装置
JPH06163354A (ja) 投影露光装置
JP3387081B2 (ja) 露光装置及び該装置を用いるデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120921

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130923

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140919

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150918

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee