JPWO2012017571A1 - 機能性粒子、機能性粒子群、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 - Google Patents
機能性粒子、機能性粒子群、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2012017571A1 JPWO2012017571A1 JP2012527532A JP2012527532A JPWO2012017571A1 JP WO2012017571 A1 JPWO2012017571 A1 JP WO2012017571A1 JP 2012527532 A JP2012527532 A JP 2012527532A JP 2012527532 A JP2012527532 A JP 2012527532A JP WO2012017571 A1 JPWO2012017571 A1 JP WO2012017571A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resin
- particle
- particles
- functional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/08—Ingredients agglomerated by treatment with a binding agent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Description
すなわち、特許文献1においては、得られた処理シリカを硬化触媒と混合し、混練しており、組成物中で処理シリカと硬化触媒成分とが分離したり、組成にむらが生じる場合があった。また、混合、混練することにより樹脂、硬化剤、硬化触媒が保存中に反応を生じ、硬化が進行する恐れがあり、保存安定性の面においても、改善の余地があった。
無機材料により構成された基材粒子と、前記基材粒子を被覆する第一の層と、前記第一の層を被覆する第二の層と、を有する機能性粒子を含み、
エポキシ樹脂、前記エポキシ樹脂の硬化剤および硬化促進剤のうち、いずれか一または二つの成分が前記第一の層に含まれるとともに、他の成分が前記第二の層に含まれる、機能性粒子が提供される。
また、樹脂、硬化剤および硬化促進剤が基材粒子表面を被覆する構成とすることにより、本発明における機能性粒子を含む充填剤がタブレット状である場合にも、タブレット成形性に優れた組成物を得ることができる。
すなわち、本発明によれば、
無機材料により構成された基材粒子を樹脂で被覆した第一の被覆粒子と、
前記基材粒子を前記樹脂の硬化剤で被覆した第二の被覆粒子と、
を含んでなる、機能性粒子群が提供される。
また、第一および第二の被覆粒子において、基材粒子と樹脂または硬化剤とは直接接していてもよいし、これらの間に介在層が設けられていてもよい。
また、本発明によれば、前記本発明における電子部品用樹脂組成物を成形させてなる、電子部品が提供される。
また、本発明によれば、前記本発明における電子部品用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる、半導体装置が提供される。
図1(a)は、本実施形態における機能性粒子の構成を示す断面図である。図1(a)に示した機能性粒子100は、無機材料により構成された基材粒子(無機粒子101)、無機粒子101を被覆する第一の層103および第一の層103を被覆する第二の層105を含む。
または、エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤のうち、いずれか二つが第一の層103に含まれ、他の一つが第二の層105に含まれている。
また、機械的強度の観点からは、無機粒子101をガラス繊維等の繊維材料により構成された繊維状粒子とすることが好ましい。また、無機粒子101は、ガラス不織布等の不織布を粒子状に加工して得られる粒子であってもよい。
エポキシ樹脂として、たとえば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の2官能性または結晶性エポキシ樹脂;
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;
フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂およびアルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の3官能型エポキシ樹脂;
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂;
トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いても2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
ビフェニル型エポキシ樹脂;
フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル(すなわちビフェニルアラルキル)型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂およびアルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の3官能型エポキシ樹脂;
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂;
トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。
ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物;
ノボラック型フェノール樹脂、フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル(すなわちビフェニルアラルキル)樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂などのポリフェノール化合物およびビスフェノールAなどのビスフェノール化合物;
ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物;
イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物;
カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類;
ベンジルジメチルアミン(BDMA)、2,4,6−トリジメチルアミノメチルフェノール(DMP−30)などの3級アミン化合物;
2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI24)などのイミダゾール化合物;およびBF3錯体などのルイス酸;
ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂;
メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂;および
メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などが挙げられる。
具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等で例示される3級ホスフィン、4級ホスホニウム、3級ホスフィンと電子欠乏性化合物の付加物等のリン原子含有化合物;1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、ベンジルジメチルアミン、2−メチルイミダゾール等で例示される3級アミン化合物、環状、非環状のアミジン化合物等の窒素原子含有化合物等が挙げられる。これらの硬化促進剤は、1種類を単独で用いても2種以上を併用しても差し支えない。これらのうち、リン原子含有化合物が好ましく、特に半導体封止用樹脂組成物の粘度を低くすることにより流動性を向上させることができること、さらに硬化立ち上がり速度という点を考慮するとテトラ置換ホスホニウム化合物が好ましく、また半導体封止用樹脂組成物の硬化物の熱時低弾性率という点を考慮するとホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物が好ましく、また潜伏的硬化性という点を考慮すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が好ましい。
無機粒子101:87質量部、第一の層103:ビフェニル型エポキシ樹脂6.1質量部、フェノールノボラック樹脂4.0質量部、第二の層105:トリフェニルホスフィン0.15質量部。
他の樹脂として、たとえば硬化性樹脂を用いることができる。ここで硬化性樹脂としては、以下のような熱硬化性樹脂が挙げられる。たとえば、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂等が挙げられる。
機能性粒子100は、たとえば、無機粒子101の表面に第一の層103を形成する工程、および第一の層103の表面に第二の層105を形成する工程を順次行うことにより得られる。
また、混合時間は、原料に応じて設定されるが、たとえば30秒以上120分以下とし、期待する処理効果の観点からは1分以上、好ましくは3分以上とし、生産性の観点からは90分以下、好ましくは60分以下とする。
機能性粒子100においては、エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤のうち、いずれか一または二つの成分が第一の層103に含まれるとともに、残りの成分が第二の層105に含まれる。このため、一つ一つの機能性粒子100の配合組成を均質化することができる。また、粒子間で配合組成が均質化された機能性粒子100を高い歩留まりで安定的に得ることができる。このため、エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)および硬化促進剤(C)の各成分を無機粒子101上に安定的に保持させることができる。そして、保存中に成分同士が反応して組成変化することを抑制し、保存安定性を向上させることができる。
図1(b)は、本実施形態における機能性粒子の構成を示す断面図である。図1(b)に示した機能性粒子102の基本構成は、第一の実施形態に記載の機能性粒子100(図1(a))と同様であるが、第二の層105が複数の層を有する点が異なる。
以上の実施形態で用いられる機能性粒子において、第一の層103と第二の層105との間にこれらを離隔する介在層が設けられていてもよい。以下、第一の実施形態の機能性粒子100を例に説明する。
また、介在層107は、カーボンブラック等の顔料(着色剤)、ハイドロタルサイト等のイオントラップ剤などを主材としていてもよい。
また、介在層107は、たとえば難燃剤により構成される。難燃剤として、上記金属水酸化物の他、リン系、シリコーン系、有機金属塩系の物質を用いてもよい。
以上の実施形態で用いられる機能性粒子において、無機粒子101と第一の層103との間に、さらに第三の層を設けてもよい。以下、第三の実施形態の機能性粒子110を例に説明する。
タルク;およびクレーが挙げられる。
また、第三の層109は、たとえば難燃剤により構成される。難燃剤として、上記金属水酸化物の他、リン系、シリコーン系、有機金属塩系の物質を用いてもよい。
さらに、第三の層109には、第二の実施形態にて介在層107の材料として例示した材料を用いることができる。
無機粒子101:シリカ、第三の層109:金属水酸化物の組み合わせ、および
無機粒子101:アルミナ、第三の層109:シリコーンの組み合わせ。
無機粒子101:球状シリカ、第一の層103:エポキシ樹脂に対する硬化剤、第二の層105:エポキシ樹脂。この構成は、たとえば半導体封止材料等の電子部品用途に好適である。
無機粒子101:球状シリカ、第一の層103:エポキシ樹脂に対する硬化剤と硬化促進剤、第二の層105:エポキシ樹脂。この構成は、たとえば半導体封止材料等の電子部品用途に好適である。
無機粒子101:ガラス繊維、第一の層103:ヘキサメチレンテトラミン等のフェノール樹脂に対する硬化剤、第二の層105:ノボラック型フェノール樹脂等のフェノール樹脂。この構成は、たとえば車載用成形材料として好適である。
無機粒子101:結晶シリカおよび水酸化アルミニウム、第一の層103:エポキシ樹脂に対する硬化剤、第二の層105:エポキシ樹脂。この構成は、たとえば電子部品用絶縁材料に好適である。
本実施形態は、以上の実施形態に記載の機能性粒子からなる充填剤を含む樹脂組成物に関する。
本実施形態における樹脂組成物は、以上の実施形態に記載の機能性粒子と必要に応じて使用される半導体封止用樹脂組成物、車載用成形材料、電子部品用絶縁材料において公知の成分等を含む。そして、組成物中に以上の実施形態に記載の機能性粒子が充填剤として均一に分散したものである。組成物中に含まれる充填剤において、第一の層103および第二の層105の一部が組成変化していたり、消失していてもよい。
また半導体封止用樹脂組成物の場合には、70質量%以上96質量%以下が好ましく、85質量%以上92質量%以下が好ましい。含有量が上記範囲内であると、耐半田性の低下や流動性の低下をさらに効果的に抑制することができる。
たとえば、本実施形態の樹脂組成物は、圧縮成形用の顆粒であってもよい。また、本実施形態の樹脂組成物は、トランスファー成形用のタブレットであってもよい。
本実施形態の樹脂組成物は、以上の実施形態に記載の機能性粒子からなる充填剤および必要に応じその他の添加剤を、ミキサーを用いて常温混合して得ることができる。また、本発明の効果を低下させない範囲でロール、ニーダー等の押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕してもよい。
封止材硬化物5は、上述した本実施形態の電子部品用樹脂組成物を硬化させたものである。
図4は、本実施形態における被覆粒子の構成を示す断面図である。図4に示した被覆粒子130は、無機材料により構成された基材粒子である無機粒子111、無機粒子111を被覆する第一の層113からなる。第一の層113は電子部品用樹脂組成物を構成する各種原料で構成することができ、最小限必要な構成要素としては、第一の層113が樹脂である第一の被覆粒子と、第一の層が当該樹脂の硬化剤である第二の被覆粒子とであり、これらにより機能性粒子群が構成される。なお、第一の層113が複数の成分を含んでいてもよい。
また、機械的強度の観点からは、無機粒子111をガラス繊維等の繊維材料により構成された繊維状粒子とすることが好ましい。また、無機粒子111は、ガラス不織布等の不織布を粒子状に加工して得られる粒子であってもよい。
樹脂および硬化剤は、それぞれ、樹脂層115および硬化剤層117を構成する。樹脂および硬化剤の材料として、それぞれ、たとえば、第一の実施形態で例示した材料が挙げられる。
エポキシ樹脂として、たとえば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の2官能性または結晶性エポキシ樹脂;
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;
フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂およびアルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の3官能型エポキシ樹脂;
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂;
トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いても2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
ビフェニル型エポキシ樹脂;
フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル(すなわちビフェニルアラルキル)型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂およびアルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の3官能型エポキシ樹脂;
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂;
トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。
たとえば、第一の被覆粒子中の第一の層(樹脂層115)がエポキシ樹脂を含む場合、これに対する硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであればよく、当業者に公知のものが使用でき、たとえば、ジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレンジアミン(MXDA)などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドラジドなどを含むポリアミン化合物;
ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物;
ノボラック型フェノール樹脂、フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル(すなわちビフェニルアラルキル)樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂などのポリフェノール化合物およびビスフェノールAなどのビスフェノール化合物;
ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物;
イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物;
カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類;
ベンジルジメチルアミン(BDMA)、2,4,6−トリジメチルアミノメチルフェノール(DMP−30)などの3級アミン化合物;
2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI24)などのイミダゾール化合物;およびBF3錯体などのルイス酸;
ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂;
メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂;および
メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などが挙げられる。
これらの硬化剤の中でも特にフェノール系樹脂を用いることが好ましい。本実施形態で用いられるフェノール系樹脂は、1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノールアラルキル樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)等が挙げられ、これらは1種類を単独で用いても2種以上を併用しても差し支えない。
混合時間は、原料に応じて設定されるが、たとえば30秒以上120分以下とし、期待する処理効果の観点からは1分以上、好ましくは3分以上とし、生産性の観点からは90分以下、好ましくは60分以下とする。
本実施形態の被覆粒子130(図5では機能性粒子群140)は、無機粒子111を樹脂で被覆した第一の粒子131と、無機粒子111を上記樹脂の硬化剤で被覆した第二の粒子133とから各々構成される。このため、基材粒子上に樹脂または硬化剤および硬化促進剤を、それぞれ、所定の配合で安定的に保持することができる。また、第一の粒子131および第二の粒子133について、一つ一つの粒子配合組成を均質化することができる。また、機能性粒子群140は、第一の粒子131と第二の粒子133とから構成されるため、混合操作中などに粒子の大小や比重の違いによって生じる各々の被覆粒子の偏析を起こり難くすることができる。
図4および5に示した粒子およびそれを用いた機能性粒子群において、第一の層113が樹脂である第一の被覆粒子と、第一の層113が前記樹脂の硬化剤である第二の被覆粒子の他に、第一の層113が前記樹脂および硬化剤以外の第三の成分である第三の被覆粒子を含んでもよい。第一の被覆粒子と第二の被覆粒子の他に第三の被覆粒子が介在することにより、第一の被覆粒子と第二の被覆粒子の接触度合いを変えることができ、さらに前記第三の成分を適宜選択することにより、樹脂と硬化剤との反応をさらに抑制または促進することができる。このため、樹脂と硬化剤とが反応することによる組成の変化をさらに確実に抑制し、より一層保存安定性に優れた構成とすることができる。
また第三の被覆粒子の第一の層113がエポキシシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤等のカップリング剤を主材とすることにより、第一の粒子131と第二の粒子121の間で効率的に作用し、硬化反応の促進や成形時低粘度化に寄与できる。また、優れた補強効果を奏することができる。
また、第三の被覆粒子の第一の層113は、カーボンブラック等の顔料(着色剤)、ハイドロタルサイト等のイオントラップ剤などを主材としていてもよい。
また、第三の被覆粒子の第一の層113は、たとえば難燃剤により構成される。難燃剤として、上記金属水酸化物の他、リン系、シリコーン系、有機金属塩系の物質を用いてもよい。
また、第三の被覆粒子の第一の層113は、液状原料を含む成分を被覆することにより形成されてもよい。
無機粒子111:球状シリカ、第一の被覆粒子の第一の層113:エポキシ樹脂に対する硬化剤、第二の被覆粒子の第一の層113:エポキシ樹脂。この構成は、たとえば半導体封止材料等の電子部品用途に好適である。
無機粒子111:ガラス繊維、第一の被覆粒子の第一の層113:ヘキサメチレンテトラミン等のフェノール樹脂に対する硬化剤、第二の被覆粒子の第一の層113:ノボラック型フェノール樹脂等のフェノール樹脂。この構成は、たとえば車載用成形材料として好適である。
無機粒子111:結晶シリカおよび水酸化アルミニウム、第一の被覆粒子の第一の層113:エポキシ樹脂に対する硬化剤、第二の被覆粒子の第一の層113:エポキシ樹脂。この構成は、たとえば電子部品用絶縁材料に好適である。
本実施形態は、以上の実施形態に記載の機能性粒子群からなる充填剤を含む樹脂組成物に関する。
樹脂組成物は、この樹脂組成物は、以上の実施形態に記載の機能性粒子群と必要に応じて使用される半導体封止用樹脂組成物において公知の成分等を含む組成物であり、組成物中に以上の実施形態に記載の機能性粒子群が分散したものである。組成物中に含まれる充填剤において、第一の層113の一部が組成変化していたり、消失していてもよい。
たとえば本実施形態の樹脂組成物は、圧縮成形用の顆粒であってもよい。以上の実施形態に記載の機能性粒子群による顆粒とすることにより、粒子同士の凝集が抑制されるため粉体流動性が向上するとともに付着しにくくなるため、搬送路での付着を生じることがなく搬送に支障をきたす恐れが低くなり、成形金型への本実施形態の樹脂組成物搬送時の滞留などのトラブルを確実に抑制することができる。また、成形時の充填性を向上することができる。よって、圧縮成形により成形体を得る際の歩留まりを向上することができる。
また、本実施形態の樹脂組成物は、トランスファー成形用のタブレットであってもよい。
本実施形態の樹脂組成物は、以上の実施形態に記載の機能性粒子群からなる充填剤および必要に応じその他の添加剤を、ミキサーを用いて常温混合して得ることができる。また、本発明の効果を低下させない範囲でロール、ニーダー等の押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕してもよい。
封止材硬化物5は、上述した本実施形態の電子部品用樹脂組成物を硬化させたものである。
[1]無機材料により構成された基材粒子を樹脂で被覆した第一の被覆粒子及び前記基材粒子を前記樹脂の硬化剤で被覆した第二の被覆粒子を含んでなることを特徴とする機能性粒子群。
[2]前記無機材料がシリカである[1]に記載の機能性粒子群。
[3]機能性粒子群が、前記基材粒子を樹脂、樹脂の硬化剤以外の第三の成分で被覆した第三の被覆粒子を含んでなる[1]または[2]に記載の機能性粒子群。
[4]前記第三の成分が前記樹脂の硬化触媒を含むものである[3]に記載の機能性粒子群。
[5]前記第三の成分が、難燃剤を含むものである[1]〜[4]いずれか1項に記載の機能性粒子群。
[6]前記第三の成分が、シリカ、アルミナおよびカーボンブラックからなる群から選択される1種以上の無機材料を含むものである[1]〜[5]いずれか1項に記載の機能性粒子群。
[7]前記第三の成分が、ワックス状物質を含むものである[1]〜[6]いずれか1項に記載の機能性粒子群。
[8]前記第三の成分が、液状原料を含むものである[1]〜[7]いずれか1項に記載の機能性粒子群。
[9][1]乃至[7]いずれか1項に記載の機能性粒子群からなる、充填剤。
[10][9]に記載の充填剤を含む、電子部品用樹脂組成物。
[11][10]に記載の電子部品用樹脂組成物を成形させてなる、電子部品。
[12][10]に記載の電子部品用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる、半導体装置。
以下の実施例では、基材粒子上に複数の層を有する機能性粒子を製造した。各層の成分の配合(質量比)を表1に示す。機械的粒子複合化装置として、徳寿工作所社製シータコンポーザを用いた。
被覆層の原料は、いずれも、予めジェットミルで粉砕した。ジェットミルとして、セイシン企業社製シングルトラックジェットミルを用いた。粉砕条件は高圧ガス圧力0.6MPaとした。
溶融球状シリカ(平均粒子径29μmおよび0.1μm)を表1に記載の配合でブレンドし、無機充填剤を得た。得られた無機充填材88部およびカップリング剤0.3部を機械的粒子複合化装置に投入し、攪拌翼の周速10m/sで15分間攪拌することにより、被覆処理をおこなった。
溶融球状シリカ(平均粒子径29μmおよび0.1μm)を表1に記載の配合でブレンドし、無機充填剤を得た。得られた無機充填材88部およびカップリング剤0.3部を実施例1と同様の機械式粒子複合化装置に投入し、攪拌翼の周速10m/sで15分間攪拌することにより、被覆処理をおこなった。
表1に記載の原料をすべてヘンシェルミキサーに投入して粉砕混合し、本例の半導体封止用樹脂組成物を得た。混合条件は、1000rpmで10分間とした。
表1に記載の原料をミキサー(容器回転V型ブレンダー)にて常温混合した。混合条件は、30rpmで10分間とした。得られた混合物を80〜100℃の加熱ロールで5分間溶融混練し、冷却後粉砕することにより、本例の半導体封止用樹脂組成物を得た。
スパイラルフロー:低圧トランスファー成形機(コータキ精機社製、KTS−15)を用いて、EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金型に、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、保圧時間120秒の条件で半導体封止用樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。単位をcmとした。
タブレット成形性:各例で得られた半導体封止用樹脂組成物からなる試料をタブレットに打錠成型した。下記に示す不具合を生じた場合を×、不具合を生じずに、良好にタブレットが得られたものを○、とした。
タブレット成型工程で、金型内面に樹脂が付着して、タブレットの外観に欠損が生じた場合
灰分均一性:各例で得られた半導体封止用樹脂組成物からなる試料をミキサー(容器回転V型ブレンダー)にて常温混合した。混合条件は、30rpmで10分間とした。得られた混合物の5箇所からサンプリングし、700℃で焼成した後の残渣の質量比を測定した。単位を%とした。得られた測定結果の最大値から最小値を引いた値を算出した。この数値が小さいほど、成分均一性が良いことを示す。
40℃/7日後 保存性(スパイラルフロー残存率):40℃に温度調節した乾燥機中に各例で得られた半導体封止用樹脂組成物からなる試料を7日間保存した後、スパイラルフローを測定し、保存前後のスパイラルフロー測定結果から残存率(保存後の測定値/保存前の測定値)を求めた。この数値が大きいほど、スパイラルフローの低下が少なく、保存性が良いことを示す。
本実施例では、被覆層の材料が異なる複数種の粒子を含む機能性粒子群を製造した。機械式粒子複合化装置として、徳寿工作所社製シータコンポーザを用いた。また、ミキサーとしては容器回転V型ブレンダーを用いた。
表2に、各粒子における原料の配合(質量比)を示す。
本実施例では、被覆層の構成材料が異なる8種類の被覆粒子を含む機能性粒子群を製造した。
各被覆層となる原料は予めジェットミルで粉砕した。ジェットミルとして、セイシン企業社製シングルトラックジェットミルを用いた。粉砕条件は高圧ガス圧力0.6MPaとした。
無機充填材88質量部とエポキシ樹脂12質量部とを機械式粒子複合化装置に投入して被覆処理をおこない、被覆粒子1を得た。
また、無機充填材88質量部とフェノール樹脂12質量部とを機械式粒子複合化装置に投入して被覆処理をおこない、被覆粒子2を得た。
被覆粒子3〜8についても、それぞれ、原料を表2に記載の配合で機械式粒子複合化装置に投入して被覆処理することにより製造した。
攪拌処理条件は、いずれの粒子についても、攪拌翼の周速10m/sで60分間攪拌処理とした。
また、実施例4で得られた機能性粒子群について、ゲルタイム(秒)、スパイラルフロー(cm)、タブレット成形性、灰分均一性(%)および40℃/7日後 保存性(スパイラルフロー残存率)(%)の測定結果を表4に示す。
また、各実施例において、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定される累積頻度が10%となる粒子径d10については、実施例1は9.0μm、実施例2は8.8μm、実施例3は9.0μm、実施例4は9.1であった。
Claims (26)
- 無機材料により構成された基材粒子と、前記基材粒子を被覆する第一の層と、前記第一の層を被覆する第二の層と、を有する機能性粒子を含み、
エポキシ樹脂、前記エポキシ樹脂の硬化剤および硬化促進剤のうち、いずれか一または二つの成分が前記第一の層に含まれるとともに、他の成分が前記第二の層に含まれる、機能性粒子。 - 請求項1に記載の機能性粒子において、
前記第一の層が、前記エポキシ樹脂、前記硬化剤および前記硬化促進剤のうち、いずれか一つの成分を含み、
前記第二の層が、前記エポキシ樹脂、前記硬化剤および前記硬化促進剤のうち、前記第一の層に含まれる成分以外の一方の成分を含む層と、前記第一の層に含まれる成分以外の他方の成分を含む層と、を備える、機能性粒子。 - 請求項1に記載の機能性粒子において、
前記第一および第二の層のうち、一方が前記硬化剤および前記硬化促進剤を含み、他方が前記エポキシ樹脂を含む、機能性粒子。 - 請求項1に記載の機能性粒子において、
前記第一および第二の層のうち、一方が前記エポキシ樹脂および前記硬化剤を含み、他方が前記硬化促進剤を含む、機能性粒子。 - 請求項1乃至4いずれか1項に記載の機能性粒子において、当該機能性粒子の前記第一および第二の層の間に、これらを離隔する介在層が設けられた、機能性粒子。
- 請求項5に記載の機能性粒子において、前記介在層が、金属水酸化物、カップリング剤、離型剤、イオントラップ剤、着色剤および難燃剤からなる群から選択される一種以上を含む、機能性粒子。
- 請求項5または6に記載の機能性粒子において、前記介在層が、シリカ、アルミナおよび窒化ケイ素からなる群から選択される一または二以上の無機材料を含む、機能性粒子。
- 請求項5乃至7いずれか1項に記載の機能性粒子において、前記介在層が、ワックス状物質を主材とする、機能性粒子。
- 請求項1乃至8いずれか1項に記載の機能性粒子において、前記基材粒子と前記第一の層との間に、前記基材粒子に接して設けられた第三の層を有する、機能性粒子。
- 請求項9に記載の機能性粒子において、前記第三の層が、金属水酸化物、カップリング剤、離型剤、イオントラップ剤、着色剤および難燃剤からなる群から選択される一種以上を含む、機能性粒子。
- 請求項1乃至10いずれか1項に記載の機能性粒子において、前記基材粒子の材料が、シリカ、アルミナおよび窒化ケイ素からなる群から選択される一または二以上の無機材料である、機能性粒子。
- 請求項1乃至11いずれか1項に記載の機能性粒子からなる、充填剤。
- 無機材料により構成された基材粒子を樹脂で被覆した第一の被覆粒子と、
前記基材粒子を前記樹脂の硬化剤で被覆した第二の被覆粒子と、
を含んでなる、機能性粒子群。 - 請求項13に記載の機能性粒子群において、前記無機材料がシリカである、機能性粒子群。
- 請求項13または14に記載の機能性粒子群において、前記基材粒子を前記樹脂、前記樹脂の硬化剤以外の第三の成分で被覆した第三の被覆粒子をさらに含んでなる、機能性粒子群。
- 請求項15に記載の機能性粒子群において、前記第三の成分が前記樹脂の硬化触媒を含むものである、機能性粒子群。
- 請求項15または16に記載の機能性粒子群において、前記第三の成分が、難燃剤を含むものである、機能性粒子群。
- 請求項15乃至17いずれか1項に記載の機能性粒子群において、前記第三の成分が、シリカ、アルミナおよび窒化ケイ素からなる群から選択される1種以上の無機材料を含むものである、機能性粒子群。
- 請求項15乃至18いずれか1項に記載の機能性粒子群において、前記第三の成分が、ワックス状物質を含むものである、機能性粒子群。
- 請求項15乃至19いずれか1項に記載の機能性粒子群において、前記第三の成分が、液状原料を含むものである、機能性粒子群。
- 請求項13乃至20いずれか1項に記載の機能性粒子群からなる、充填剤。
- 請求項12または21に記載の充填剤において、
当該充填剤が顆粒状であり、JIS標準篩を用いて篩分により測定した粒度分布における、当該充填剤全体に対する1μm未満の微粉の割合が5質量%以下である、充填剤。 - 請求項12、21または22いずれか1項に記載の充填剤において、
当該充填剤が顆粒状であり、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定される累積頻度が10%となる粒子径d10が3μm以上である、充填剤。 - 請求項12、21乃至23いずれか1項に記載の充填剤を含む、電子部品用樹脂組成物。
- 請求項24に記載の電子部品用樹脂組成物を成形させてなる、電子部品。
- 請求項24に記載の電子部品用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる、半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010176054 | 2010-08-05 | ||
JP2010176054 | 2010-08-05 | ||
PCT/JP2011/001215 WO2012017571A1 (ja) | 2010-08-05 | 2011-03-02 | 機能性粒子、機能性粒子群、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012017571A1 true JPWO2012017571A1 (ja) | 2013-09-19 |
Family
ID=45559097
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011045731A Pending JP2012052088A (ja) | 2010-08-05 | 2011-03-02 | 組成物およびその製造方法、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 |
JP2011045734A Active JP5948725B2 (ja) | 2010-08-05 | 2011-03-02 | 機能性粒子の製造方法、および機能性粒子群の製造方法 |
JP2011045732A Expired - Fee Related JP5799529B2 (ja) | 2010-08-05 | 2011-03-02 | 機能性粒子、機能性粒子群、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 |
JP2011045730A Active JP5626026B2 (ja) | 2010-08-05 | 2011-03-02 | 機能性粒子群、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 |
JP2012527532A Pending JPWO2012017571A1 (ja) | 2010-08-05 | 2011-03-02 | 機能性粒子、機能性粒子群、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011045731A Pending JP2012052088A (ja) | 2010-08-05 | 2011-03-02 | 組成物およびその製造方法、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 |
JP2011045734A Active JP5948725B2 (ja) | 2010-08-05 | 2011-03-02 | 機能性粒子の製造方法、および機能性粒子群の製造方法 |
JP2011045732A Expired - Fee Related JP5799529B2 (ja) | 2010-08-05 | 2011-03-02 | 機能性粒子、機能性粒子群、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 |
JP2011045730A Active JP5626026B2 (ja) | 2010-08-05 | 2011-03-02 | 機能性粒子群、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130134608A1 (ja) |
JP (5) | JP2012052088A (ja) |
KR (1) | KR20130096259A (ja) |
CN (1) | CN103052687B (ja) |
SG (2) | SG10201506094PA (ja) |
TW (1) | TWI504653B (ja) |
WO (1) | WO2012017571A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012052088A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 組成物およびその製造方法、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 |
ES2643506T3 (es) * | 2012-03-07 | 2017-11-23 | Sumitomo Bakelite Co., Limited | Método para producir un artículo de resina moldeado, y artículo moldeado de resina producido de este modo |
SG11201403635SA (en) * | 2012-03-16 | 2014-10-30 | Sumitomo Bakelite Co | Resin composition for encapsulation and electronic device using the same |
JP5697048B2 (ja) | 2012-06-15 | 2015-04-08 | 古河電気工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子封止用樹脂組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用封止フィルム、有機エレクトロルミネッセンス素子用ガスバリアフィルムおよびこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2014197503A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 住友ベークライト株式会社 | 複合粒子、半導体封止材料およびリチウムイオン二次電池用電極材料 |
JP2014196541A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 住友ベークライト株式会社 | 複合粒子および半導体封止材料 |
JP2014195780A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 住友ベークライト株式会社 | 複合粒子、半導体封止材料および二次電池用電極材料 |
WO2017138268A1 (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | 株式会社ダイセル | 半導体封止用硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び半導体装置 |
JP7154732B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2022-10-18 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
JP6988074B2 (ja) * | 2016-11-21 | 2022-01-05 | 日本ゼオン株式会社 | 複合粒子を含む粉体組成物およびその製造方法 |
CN108246327B (zh) * | 2016-12-28 | 2020-11-10 | 南开大学 | 一种用于固定床乙炔氢氯化反应的氮掺杂碳材料催化剂的制备方法及其使用方法 |
CN106752750A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-31 | 安徽真信涂料有限公司 | 一种液压油缸缸体内壁专用粉末涂料 |
JP7136121B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2022-09-13 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | コンパウンド粉 |
CN108359147A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-08-03 | 安徽固瑞特新材料科技有限公司 | 一种提高橡胶制品加工安全性能的促进剂的制备方法 |
CN108276609A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-07-13 | 安徽固瑞特新材料科技有限公司 | 一种双组分成膜剂包覆改性硫磺的制备方法 |
CN108456330A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-08-28 | 安徽固瑞特新材料科技有限公司 | 一种提高橡胶制品加工安全性能的橡胶助剂的制备方法 |
CN108359134A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-08-03 | 安徽固瑞特新材料科技有限公司 | 一种多组分成膜剂包覆改性促进剂的制备方法 |
CN108329521A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-07-27 | 安徽固瑞特新材料科技有限公司 | 一种多组分包覆改性氧化锌的制备方法 |
WO2019186987A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 互応化学工業株式会社 | 複合粒子 |
JP2019196462A (ja) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物の構成成分として用いられる粒子の製造方法、封止用エポキシ樹脂組成物の構成成分として用いられるコアシェル粒子、および、封止用エポキシ樹脂組成物 |
CN111116991B (zh) * | 2020-02-11 | 2022-03-18 | 江苏艾特克阻燃材料有限公司 | 一种复合氢氧化物抑烟型阻燃剂及其制备方法与应用 |
CN112724867B (zh) * | 2020-12-10 | 2023-01-10 | 深圳先进技术研究院 | 一种绝缘胶膜材料及其制备方法和应用 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59204614A (ja) * | 1983-05-07 | 1984-11-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用成形材料 |
JPS6377923A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Fujitsu Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH02175750A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-09 | Nippon Steel Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JPH03211A (ja) * | 1989-05-26 | 1991-01-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法 |
JPH03122114A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Somar Corp | 硬化剤組成物、その製造方法及び熱硬化性エポキシ樹脂組成物 |
JPH03195764A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂封止材の製造方法 |
JPH0598133A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-20 | Somar Corp | 無機質成形体の製造方法及びそれに用いる成形材料 |
JPH06329765A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-11-29 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物の製造方法と半導体封止装置 |
JPH0827361A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-01-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物の製造方法及びエポキシ樹脂組成物 |
JPH1027871A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法 |
JP2000248158A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP2002220475A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置 |
JP2002327044A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003105067A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-09 | Mitsui Chemicals Inc | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
JP2006022316A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-01-26 | Tokuyama Corp | エポキシ樹脂組成物用充填剤 |
JP2007067164A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
JP2008189814A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Nitto Denko Corp | 熱伝導性フィラーとその製造方法ならびに樹脂成形品製造方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5744620A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Epoxy resin composition |
JPH01129035A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-22 | Nitto Denko Corp | 粉末状エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JPH06206983A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子機器用エポキシ樹脂組成物 |
JP2000198880A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-07-18 | Sekisui Chem Co Ltd | 微粒子の被覆方法、被覆微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体 |
JP2001342325A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP2004285167A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 複合粒子、プリプレグ及び積層板の製造方法 |
CN1839034A (zh) * | 2003-04-15 | 2006-09-27 | 氦克逊特种化学品公司 | 含有热塑性高弹体的微粒物质及其制备和使用方法 |
US8227026B2 (en) * | 2004-09-20 | 2012-07-24 | Momentive Specialty Chemicals Inc. | Particles for use as proppants or in gravel packs, methods for making and using the same |
DE102004058305B3 (de) * | 2004-12-02 | 2006-05-18 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit einem eine Passivierungsschicht aufweisenden Halbleiterchip sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
US7781514B2 (en) * | 2005-07-11 | 2010-08-24 | Illinois Tool Works Inc. | Microspheres as thickening agents for organic peroxides |
US7332807B2 (en) * | 2005-12-30 | 2008-02-19 | Intel Corporation | Chip package thermal interface materials with dielectric obstructions for body-biasing, methods of using same, and systems containing same |
JP2007204669A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 特定小粒径粒度分布エポキシ樹脂用硬化剤およびエポキシ樹脂組成物 |
US7952212B2 (en) * | 2006-06-30 | 2011-05-31 | Intel Corporation | Applications of smart polymer composites to integrated circuit packaging |
KR101386373B1 (ko) * | 2006-10-06 | 2014-04-16 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 수지 조성물, 기재부착 절연 시트, 프리프레그, 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치 |
US9096790B2 (en) * | 2007-03-22 | 2015-08-04 | Hexion Inc. | Low temperature coated particles comprising a curable liquid and a reactive powder for use as proppants or in gravel packs, methods for making and using the same |
JP5010990B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2012-08-29 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 接続方法 |
JP5526653B2 (ja) * | 2009-08-20 | 2014-06-18 | 住友ベークライト株式会社 | 機能性粒子、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 |
JP2011252041A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Kyocera Chemical Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び樹脂封止型半導体装置 |
JP5601034B2 (ja) * | 2010-06-02 | 2014-10-08 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂成形体及びその製造方法、ならびに、電子部品装置 |
JP2012052088A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 組成物およびその製造方法、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 |
CN103443868B (zh) * | 2012-03-26 | 2014-11-19 | 积水化学工业株式会社 | 导电材料及连接结构体 |
-
2011
- 2011-03-02 JP JP2011045731A patent/JP2012052088A/ja active Pending
- 2011-03-02 KR KR1020137005539A patent/KR20130096259A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-03-02 SG SG10201506094PA patent/SG10201506094PA/en unknown
- 2011-03-02 WO PCT/JP2011/001215 patent/WO2012017571A1/ja active Application Filing
- 2011-03-02 JP JP2011045734A patent/JP5948725B2/ja active Active
- 2011-03-02 JP JP2011045732A patent/JP5799529B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-02 SG SG2013008586A patent/SG187259A1/en unknown
- 2011-03-02 JP JP2011045730A patent/JP5626026B2/ja active Active
- 2011-03-02 CN CN201180038684.9A patent/CN103052687B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-02 US US13/814,163 patent/US20130134608A1/en not_active Abandoned
- 2011-03-02 TW TW100106862A patent/TWI504653B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-02 JP JP2012527532A patent/JPWO2012017571A1/ja active Pending
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59204614A (ja) * | 1983-05-07 | 1984-11-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用成形材料 |
JPS6377923A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Fujitsu Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH02175750A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-09 | Nippon Steel Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JPH03211A (ja) * | 1989-05-26 | 1991-01-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法 |
JPH03122114A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Somar Corp | 硬化剤組成物、その製造方法及び熱硬化性エポキシ樹脂組成物 |
JPH03195764A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂封止材の製造方法 |
JPH0598133A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-20 | Somar Corp | 無機質成形体の製造方法及びそれに用いる成形材料 |
JPH06329765A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-11-29 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物の製造方法と半導体封止装置 |
JPH0827361A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-01-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物の製造方法及びエポキシ樹脂組成物 |
JPH1027871A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法 |
JP2000248158A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP2002220475A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置 |
JP2002327044A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003105067A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-09 | Mitsui Chemicals Inc | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
JP2006022316A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-01-26 | Tokuyama Corp | エポキシ樹脂組成物用充填剤 |
JP2007067164A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
JP2008189814A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Nitto Denko Corp | 熱伝導性フィラーとその製造方法ならびに樹脂成形品製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103052687A (zh) | 2013-04-17 |
JP2012052088A (ja) | 2012-03-15 |
KR20130096259A (ko) | 2013-08-29 |
WO2012017571A1 (ja) | 2012-02-09 |
JP5799529B2 (ja) | 2015-10-28 |
US20130134608A1 (en) | 2013-05-30 |
TW201207023A (en) | 2012-02-16 |
JP2012052090A (ja) | 2012-03-15 |
SG187259A1 (en) | 2013-03-28 |
JP2012052089A (ja) | 2012-03-15 |
JP5626026B2 (ja) | 2014-11-19 |
CN103052687B (zh) | 2016-01-20 |
SG10201506094PA (en) | 2015-09-29 |
JP5948725B2 (ja) | 2016-07-06 |
TWI504653B (zh) | 2015-10-21 |
JP2012052087A (ja) | 2012-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5799529B2 (ja) | 機能性粒子、機能性粒子群、充填剤、電子部品用樹脂組成物、電子部品および半導体装置 | |
JP6032197B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6303373B2 (ja) | 圧縮成形用モールドアンダーフィル材料、半導体パッケージ、構造体および半導体パッケージの製造方法 | |
TWI657128B (zh) | 密封用樹脂組成物及半導體裝置 | |
TW201627390A (zh) | 半導體密封用樹脂組成物、半導體裝置及結構體 | |
JP7255633B2 (ja) | パワーデバイス封止用樹脂組成物およびパワーデバイス | |
JP6950299B2 (ja) | 封止材用樹脂組成物及びこれを用いた電子装置 | |
TW201704434A (zh) | 密封用樹脂組成物、電子零件之製造方法、及電子零件 | |
JP5621663B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置およびその製造方法 | |
JP6322966B2 (ja) | 封止用樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP6044096B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物および電子機器の製造方法 | |
JP6827210B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置の製造方法 | |
JP5874327B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物、及び、これを用いた電子機器の製造方法 | |
JP2019006972A (ja) | 封止用樹脂組成物の製造方法及び電子装置の製造方法 | |
JP2021113270A (ja) | 樹脂組成物、樹脂組成物の製造方法、及び、これらに用いる無機粒子 | |
TWI685535B (zh) | 密封用樹脂組成物及電子零件裝置 | |
JP6339060B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物、及び、これを用いた電子機器の製造方法 | |
JP2016023279A (ja) | 封止用樹脂組成物、半導体装置および構造体 | |
WO2016174757A1 (ja) | 封止用樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2009203266A (ja) | 一液型エポキシ樹脂組成物 | |
JP6489263B2 (ja) | 封止用樹脂組成物及び電子部品装置 | |
TWI652284B (zh) | 壓縮成形用模具底部塡充材料、半導體封裝、構造體及半導體封裝之製造方法 | |
CN107429041B (zh) | 压缩成型用模具底部填充材料、半导体封装、结构体和半导体封装的制造方法 | |
WO2024071234A1 (ja) | 硬化性組成物、硬化物、硬化物の製造方法、半導体パッケージ、及び、半導体パッケージの製造方法 | |
JP2015218294A (ja) | 封止用樹脂組成物の製造方法、および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150317 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160301 |