JP2007067164A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】成形時の流動性や成形性を損なうことなく導電性異物の混入がない半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法の提供。
【解決手段】１３０℃以上に加温された攪拌混合装置を用いて、無機充填材（Ｄ）の表面に、エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の一部をコーティング処理して樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）を得る第一の工程と、前記第一の工程で得られた樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）と、エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の残量、硬化促進剤（Ｃ）を含むその他の成分とを混合して樹脂組成物（Ｚ）を得る第二の工程とを有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法に関するものである。

近年、半導体装置は生産性、コスト、信頼性等のバランスに優れることからエポキシ樹脂組成物を用いて封止されるのが主流となっている。半導体装置の小型化、薄型化、構造の複雑化に伴い、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に対しては、より一層の低粘度化、高強度化、導電性異物の低減などが要求されている。

半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造する方法としては、樹脂組成物の成形性や流動性を確保するため、ロール混練機や単軸・二軸押出混練機を用いて溶融混練したのち、粉砕機を用いて粉砕するのが一般的である。上記溶融混練工程において、各成分の分散や無機充填材表面への樹脂成分の濡れを向上させる働きを行っており、更にボイドと呼ばれる成形品内の空隙低減のために高温混練や脱気混練等の手法で空隙、揮発分除去を行っている。上記のような溶融混練工程を含む製法によると、混練時における剪断力や粉砕時における衝撃力により混練機器や粉砕機器の磨耗等が進行することで、導電性異物である磨耗金属の樹脂組成物への混入が避けられない状況となっている。しかしながら、磨耗金属の混入を低減する目的で、無機充填材と樹脂成分とを混練せずに混合しただけでは、各成分の分散や無機充填材表面への樹脂成分の濡れが不足するため、半導体素子の封止成形時における樹脂組成物の流動性や成形性が低下するという問題があった。こうした中、樹脂組成物への導電性異物の混入が避けられない溶融混練は行わずに、各成分の分散性や無機充填材と樹脂成分との濡れが良好となるエポキシ樹脂組成物の製造方法が望まれていた。

これまで、外部からの押圧力を加える捏和機で無機充填材粒子表面に樹脂をコーティングし、溶融混練の省略を狙った提案がなされている（例えば、特許文献１参照。）が、この方法では捏和工程に非常に時間が掛かり、また、外力で硬い無機充填材を摩擦させるがために球状シリカの割れ・欠けによる流動性の低下を引き起こす問題があった。また、樹脂による無機充填材のコーティング方法として、カップリング剤と予め処理した後に、樹脂成分をコート・反応させる提案がなされている（例えば特許文献２，３参照。）が、この方法では樹脂成分を予め反応させてしまうため、無機充填材の配合割合を上げたときに流動性不足に陥る問題があった。

特許第２９２９８９６号公報（第１〜７頁） 特許第２６７１７２７号公報（第１〜７頁） 特開平１０−６０２３１号公報（第２〜５頁）

本発明は、従来のこのような問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは、各成分の分散性向上と無機充填材表面への樹脂成分の濡れ改善を外部からの押圧力を使わずに行い、成形時の流動性や成形性を損なうことなく導電性異物の混入がない半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法を提供することにある。

本発明は、
［１］ エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、及び無機充填材（Ｄ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法において、
１３０℃以上に加温された攪拌混合装置を用いて、前記無機充填材（Ｄ）の表面に、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の一部をコーティング処理して樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）を得る第一の工程と、
前記第一の工程で得られる樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）と、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の残量、硬化促進剤（Ｃ）を含むその他の成分とを混合して樹脂組成物（Ｚ）を得る第二の工程とを有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、
［２］ エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、及び無機充填材（Ｄ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法において、
１３０℃以上に加温された攪拌混合装置を用いて、前記無機充填材（Ｄ）の表面に、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の一部をコーティング処理して樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）を得る第一の工程と、
前記第一の工程で得られる樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）と、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の残量、硬化促進剤（Ｃ）を含むその他の成分とを混合して樹脂組成物（Ｚ）を得る第二の工程とを有し、
混練機を用いて溶融混練する工程を有さないことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、
［３］ エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）、シランカップリング剤（Ｅ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法において、
１３０℃以上に加温された攪拌混合装置を用いて、前記無機充填材（Ｄ）の表面に、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種と、前記シランカップリング剤（Ｅ）とを溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ’）の一部をコーティング処理して樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ’）を得る第一の工程と、
前記第一の工程で得られる樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ’）と、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種と、前記シランカップリング剤（Ｅ）とを溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ’）の残量、硬化促進剤（Ｃ）を含むその他の成分とを混合して樹脂組成物（Ｚ’）を得る第二の工程とを有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、
［４］ エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）、シランカップリング剤（Ｅ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法において、
１３０℃以上に加温された攪拌混合装置を用いて、前記無機充填材（Ｄ）の表面に、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種と、前記シランカップリング剤（Ｅ）とを溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ’）の一部をコーティング処理して樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ’）を得る第一の工程と、
前記第一の工程で得られる樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ’）と、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種と、前記シランカップリング剤（Ｅ）とを溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ’）の残量、硬化促進剤（Ｃ）を含むその他の成分とを混合して樹脂組成物（Ｚ’）を得る第二の工程とを有し、
混練機を用いて溶融混練する工程を有さないことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、
［５］ 前記第一の工程で無機充填材（Ｄ）の表面にコーティングされるエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の合計量が、前記無機充填材（Ｄ）１００重量部に対して、２〜１０重量部である第［１］ないし［４］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、
［６］ 前記第一の工程で用いられる攪拌混合装置が、プロペラ型の撹拌翼を有する撹拌混合装置である第［１］ないし［５］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、
［７］ 前記第一の工程で用いられる攪拌混合装置が、バーティカルグラニュレータ、ハイスピードミキサー、ヘンシェルミキサーからなる群から選ばれる１種である第［１］ないし［６］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、
［８］ 前記第一の工程で用いられる攪拌混合装置が、内壁及び撹拌翼が耐磨耗処理された撹拌混合装置である第［１］ないし［７］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、
［９］ 更に、前記第二の工程で得られる樹脂組成物（Ｚ又はＺ’）を、セラミック部材で構成された粉砕機を用いて微細化して凝集物を除去する第三の工程を有する第［１］ないし［８］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、
［１０］ 前記第三の工程で用いられる粉砕機が、ＡＣＭ粉砕機、ジェットミル、ボールミルからなる群から選ばれる１種である第［１］ないし［９］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、
［１１］ 前記第［１］ないし［１０］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
である。

本発明に従うと、従来技術では得られなかった、成形時の流動性や成形性を損なうことなく導電性異物の混入が極めて少ないエポキシ樹脂組成物を得ることができる。

本発明は、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、及び無機充填材（Ｄ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法において、１３０℃以上に加温された攪拌混合装置を用いて、前記無機充填材（Ｄ）の表面に、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の一部をコーティング処理して樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）を得る第一の工程と、前記第一の工程で得られる樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）と、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の残量、硬化促進剤（Ｃ）を含むその他の成分とを混合して樹脂組成物（Ｚ）を得る第二の工程とを有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法であり、これにより、外部からの押圧力を用いずとも、各成分の分散性と無機充填材表面への樹脂成分の濡れが改善され、成形時の流動性や成形性を損なうことなく導電性異物の混入が極めて少ないエポキシ樹脂組成物を得ることができるという顕著な効果を奏するものである。
以下、本発明について詳細について説明する。

本発明に用いるエポキシ樹脂（Ａ）は、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造は特に限定するものではないが、例えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても併用しても構わない。半導体封止用エポキシ樹脂組成物としての耐湿信頼性を考慮すると、イオン性不純物であるＮａイオンやＣｌイオンが極力少ない方が好ましく、硬化性の点からエポキシ当量としては１００〜５００ｇ／ｅｑが好ましい。

本発明に用いる硬化剤（Ｂ）は、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであれば特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ナフトールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格を含む）、フェノールビフェニルアラルキル樹脂やフェノールアラルキル樹脂などのフェノール系樹脂、ビスフェノールＡなどのビスフェノール化合物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどが挙げられ、これらを単独で用いても併用しても構わない。これらの硬化剤の中でも特にフェノール樹脂を用いることが好ましく、特に硬化性の点から水酸基当量が９０〜２５０ｇ／ｅｑであるフェノール樹脂が好ましい。

本発明に用いる硬化促進剤（Ｃ）は、エポキシ樹脂のエポキシ基と硬化剤との反応を促進するものであればよく、一般に半導体素子の封止材であるエポキシ樹脂組成物に使用されているものを利用することができる。具体例としてトリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、更に１個が長鎖アルキル基であるトリアルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン、アルキルジフェニルホスフィン、ジアルキルフェニルホスフィン等の有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物等のリン原子含有化合物、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等の窒素原子含有化合物が挙げられる。しかしこれらに限定されるものではなく、単独で用いても併用してもよい。本発明に用いる硬化促進剤の配合量は、全エポキシ樹脂組成物中０．１〜０．６重量％が好ましく、下限値未満だと目的とする硬化性が得られない恐れがあり、上限値を越えると流動性が損なわれる恐れがあり好ましくない。

本発明に用いる無機充填材（Ｄ）としては、一般に封止材料に用いられている溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられ、最も好適に使用されるものとしては、球状溶融シリカである。これらの無機充填剤は、単独でも混合して用いても差し支えない。無機充填材の粒径としては、金型への充填性を考慮すると１５０μｍ以下であることが望ましい。また充填量としては８４〜９２重量％が好ましく、下限値未満だとエポキシ樹脂組成物の硬化物の吸水量が増加し、強度が低下するため耐半田性が不満足でとなる恐れがあり、上限値を越えると流動性が損なわれるために成形性に不具合を生じる恐れがあり好ましくない。

本発明に用いるシランカップリング剤（Ｅ）は、エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン等特に限定せず、エポキシ樹脂組成物と無機充填材との間で反応し、エポキシ樹脂組成物と無機充填材の界面強度を向上させるものであればよい。これらのシランカップリング剤は単独で用いても併用してもよい。本発明に用いるシランカップリング剤の配合量は、全エポキシ樹脂組成物中０．０１〜１重量％、好ましくは０．０５〜０．８、特に好ましくは０．１〜０．６重量％であり、下限値未満だと、半導体パッケージにおける耐半田性が低下する恐れがある。また、上限値を越えるとエポキシ樹脂組成物の吸水性が大きくなり、やはり半導体パッケージにおける耐半田性が低下する恐れがあり好ましくない。

これら以外に必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、カルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類若しくはパラフィン等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力添加剤、酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体等、種々の添加剤を適宜配合してもよい。

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法は、１３０℃以上に加温された攪拌混合装置を用いて、前記無機充填材（Ｄ）の表面に、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の一部をコーティング処理して樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）を得る第一の工程と、前記第一の工程で得られる樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）と、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の残量、硬化促進剤（Ｃ）を含むその他の成分とを混合して樹脂組成物（Ｚ）を得る第二の工程とを有するものであり、好ましくは溶融混練する工程を有さないものである。半導体封止用のエポキシ樹脂組成物は、通常、充填材として高硬度のシリカ粉末を配合しているため、混練時における剪断力によって混練機器の磨耗が発生・進行する。したがって、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法において、混練機を用いて溶融混練する工程を有する場合、導電性異物である磨耗金属の混入が増加する恐れがあり、好ましくない。

前記第一の工程において、無機充填材（Ｄ）の表面にコーティングする樹脂成分として、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の一部の替わりに、エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種と、シランカップリング剤（Ｅ）とを溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ’）の一部を用いることもできる。

前記第一の工程において、無機充填材（Ｄ）の表面にコーティングされるエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の合計量としては、無機充填材（Ｄ）１００重量部に対して、２〜１０重量部であることが好ましい。下限値を下回ると充分なコーティングが出来ない恐れがあり、上限値を超えると団子状の塊が生成する恐れがある。

前記第一の工程で用いられる攪拌混合装置としては、特に限定するものではないが、プロペラ型の撹拌翼を有する撹拌混合装置が好ましく、より好ましいものとして、バーティカルグラニュレータ、ハイスピードミキサー、ヘンシェルミキサーなどが挙げられる。また、蒸気や熱媒による加温が出来るものであり、内壁及び撹拌翼が耐磨耗処理されているものが望ましい。

前記第一の工程におけるコーティング処理の条件としては、層内温度は１３０℃以上であり、好ましくは１３０℃〜１７０℃である。下限値を下回ると樹脂成分の粘度が充分に下がらないため、無機充填材表面への延展が不充分となり均一なコーティングとならない恐れがあり、上限値を超えると樹脂の硬化反応が進む恐れがある。攪拌速度は、周速で３００〜１０００ｍ／ｍｉｎが好ましい。下限値を下回ると延展が不充分となり均一なコーティングが出来す、上限値を超えると特性上の不具合は無いが作業性が悪化する恐れがあるため好ましくない。また、攪拌時間としては、樹脂投入後３〜２０分が好ましい。下限値を下回るとコーティングが不均一となる恐れがあり、上限値を超えると反応の進行により流動性が低下する恐れがある。

前記第二の工程で用いることができる混合装置としては、二種以上の材料を混ぜ合わせて均質な状態にすることができる装置であれば、特に限定するものではないが、例えば、ボールミル、ヘンシェルミキサー、Ｖブレンダー、ダブルコーンブレンダー、コンクリートミキサー、リボンブレンダー等が挙げられる。

本発明では、更に、前記第二の工程で得られる樹脂組成物（Ｚ又はＺ’）を、セラミック部材で構成された粉砕機を用いて微細化して凝集物を除去する第三の工程を有することもできる。
この第三の工程で用いられる粉砕機としては、第二の工程で得られる樹脂組成物（Ｚ又はＺ’）を微細化して凝集物を除去することができるものであれば、特に限定するものではないが、例えば、ＡＣＭ粉砕機（ホソカワミクロン製）やジェットミル、ボールミル等の微粉砕機を用いるのが好ましい。

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。

以下、本発明を実施例にて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。
配合割合は重量部とする。
実施例１
フェノールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製ＮＣ３０００、エポキシ当量２７４、軟化点５８℃）７．４重量部とフェノールビフェニルアラルキル樹脂（明和化成（株）・製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、水酸基当量２０３、軟化点６５℃）５．５重量部をフラスコへ投入し、１３０℃で３０分間溶融混合を行う。その後、γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン０．４重量部を投入し、素早く１分攪拌しバットへ抜き出し冷却して溶融混合樹脂を得た。
球状溶融シリカ（平均粒径３０μｍ、比表面積２ｍ^２／ｇ）８６重量部を１５０℃に設定したバーティカルグラニュレータ（攪拌羽根外径２７５ｍｍ）に投入し、粉体温度が１３０℃以上になるまで混合する。ここへ上記の溶融混合樹脂の４．５重量部を１３０℃に設定したジャケット付きスプレー装置で噴霧後５分間混合した。このときのバーティカルグラニュレータの回転数は７４０ｒｐｍ（周速６４０ｍ／ｍｉｎ）。その後、抜き出し冷却して樹脂コーティングシリカを得た。
樹脂コーティングシリカ９０．５重量部と残りの溶融混合樹脂８．８重量部、トリフェニルホスフィン０．２重量部、カルナバワックス０．２重量部、カーボンブラック０．３重量部をミキサーにて混合後、アルミナケーシングのジェットミルを用いてエア圧０．６ＭＰａ、処理速度２０ｋｇ／ｈｒで粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。評価結果を表１に示す。

スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じた金型を用い、前記エポキシ樹脂組成物を低圧トランスファー成形機にて１７５℃、成形圧６．９ＭＰａ、保圧時間１２０秒の条件で成形し測定。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい方が流動性が良好である。単位はｃｍ。
内部ボイド：ボディーサイズ２８×２８×３．４ｍｍの１６０ｐＱＦＰ（４２アロイフレーム）に１３．５×１３．５×０．３５ｍｍのＳｉチップを接着したフレームを金型温度１７５℃、保圧時間１５ｓｅｃ、硬化時間９０ｓｅｃ、成形圧９．８ＭＰａで成形し、超音波探傷機を用いてボイドの個数を測定した。
導電性異物：樹脂組成物３００ｇにアセトンを５００ｍｌ加えて溶解し、１４０００ガウスの永久磁石上へ流し、着磁物の重量を測定した。

実施例２〜４
実施例１と同配合の原料を用いて、球状溶融シリカへの樹脂成分のコーティング量、及びコーティング条件を表１のとおりとした以外は、実施例１と同様に製造し、評価を行った。評価結果は表１に示す。
実施例５
実施例１と同配合の原料を用いて、バーティカルグラニュレータの代わりにヘンシェルミキサーを用いてコーティング処理をした以外は、実施例１と同様に製造し、評価を行った。評価結果は表１に示す。
比較例１
実施例１と同配合の原料を用いて、コーティング時に硬化促進剤であるトリフェニルホスフィンも加えた以外は、実施例１と同様に製造し、評価を行った。評価結果は表１に示す。
比較例２
実施例１と同配合の原料を用いて、スーパーミキサーにて１０分間常温混合し、８５〜９５℃の加熱ロールで２０分間溶融混練し、冷却後衝撃式粉砕機で粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。評価結果を表２に示す。
比較例３
実施例１と同配合の原料を用いて、スーパーミキサーにて１０分間常温混合し、溶融混練せずにそのままエポキシ樹脂組成物とした。評価結果を表２に示す。
比較例４
実施例１と同配合の原料を用いて、特許文献１の実施例１に準じて、バーティカルグラニュレータによる１３０℃以上でのコーティングの代わりにエッジランナーを用いた常温でのコーティングを行うなど、表３に記載の装置及び条件とした以外は、実施例１と同様に製造し、評価を行った。評価結果は表３に示す。

実施例１〜５では、いずれも、流動性（スパイラルフロー）や成形性（内部ボイド）が良好であり、かつ導電性異物の混入も殆どなかった。樹脂成分によってシリカをコーティングする工程おいて硬化促進剤をも添加した比較例１では、溶融混合工程においてエポキシ樹脂と硬化剤の反応が進行してゲル化が起こり、その後の工程に進めない結果となった。また、２本ロールを用いて溶融混練を行った比較例２では、流動性や成形性は良好なものの、導電性異物が多い結果となった。また、常温混合のみで、１３０℃以上でのコーティング処理や溶融混練を行わなかった比較例３では、充分な流動性が得られず、内部ボイド評価用の１６０ｐＱＦＰの成形自体ができなかった。また、特許文献１の実施例１に準じて、バーティカルグラニュレータによる１３０℃以上でのコーティングの代わりに、エッジランナーを用いた常温でのコーティングを行った比較例４では、流動性、成形性とも劣る結果となった。以上のとおり、本発明に従うと、従来技術では得られなかった、成形時の流動性や成形性を損なうことなく、導電性異物の混入が極めて少ないエポキシ樹脂組成物を得ることができるものである。

Claims (11)

1. エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、及び無機充填材（Ｄ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法において、
   １３０℃以上に加温された攪拌混合装置を用いて、前記無機充填材（Ｄ）の表面に、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の一部をコーティング処理して樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）を得る第一の工程と、
   前記第一の工程で得られる樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）と、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の残量、硬化促進剤（Ｃ）を含むその他の成分とを混合して樹脂組成物（Ｚ）を得る第二の工程とを有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
2. エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、及び無機充填材（Ｄ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法において、
   １３０℃以上に加温された攪拌混合装置を用いて、前記無機充填材（Ｄ）の表面に、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の一部をコーティング処理して樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）を得る第一の工程と、
   前記第一の工程で得られる樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ）と、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種を溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ）の残量、硬化促進剤（Ｃ）を含むその他の成分とを混合して樹脂組成物（Ｚ）を得る第二の工程とを有し、
   混練機を用いて溶融混練する工程を有さないことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
3. エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）、シランカップリング剤（Ｅ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法において、
   １３０℃以上に加温された攪拌混合装置を用いて、前記無機充填材（Ｄ）の表面に、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種と、前記シランカップリング剤（Ｅ）とを溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ’）の一部をコーティング処理して樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ’）を得る第一の工程と、
   前記第一の工程で得られる樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ’）と、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種と、前記シランカップリング剤（Ｅ）とを溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ’）の残量、硬化促進剤（Ｃ）を含むその他の成分とを混合して樹脂組成物（Ｚ’）を得る第二の工程とを有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
4. エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）、シランカップリング剤（Ｅ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法において、
   １３０℃以上に加温された攪拌混合装置を用いて、前記無機充填材（Ｄ）の表面に、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種と、前記シランカップリング剤（Ｅ）とを溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ’）の一部をコーティング処理して樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ’）を得る第一の工程と、
   前記第一の工程で得られる樹脂コーティングされた無機充填材（Ｙ’）と、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）から選ばれる少なくとも１種と、前記シランカップリング剤（Ｅ）とを溶融混合して得られる溶融混合樹脂（Ｘ’）の残量、硬化促進剤（Ｃ）を含むその他の成分とを混合して樹脂組成物（Ｚ’）を得る第二の工程とを有し、
   混練機を用いて溶融混練する工程を有さないことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
5. 前記第一の工程で無機充填材（Ｄ）の表面にコーティングされるエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の合計量が、前記無機充填材（Ｄ）１００重量部に対して、２〜１０重量部である請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
6. 前記第一の工程で用いられる攪拌混合装置が、プロペラ型の撹拌翼を有する撹拌混合装置である請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
7. 前記第一の工程で用いられる攪拌混合装置が、バーティカルグラニュレータ、ハイスピードミキサー、ヘンシェルミキサーからなる群から選ばれる１種である請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
8. 前記第一の工程で用いられる攪拌混合装置が、内壁及び撹拌翼が耐磨耗処理された撹拌混合装置である請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
9. 更に、前記第二の工程で得られる樹脂組成物（Ｚ又はＺ’）を、セラミック部材で構成された粉砕機を用いて微細化して凝集物を除去する第三の工程を有する請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
10. 前記第三の工程で用いられる粉砕機が、ＡＣＭ粉砕機、ジェットミル、ボールミルからなる群から選ばれる１種である請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
11. 前記請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。