JP6032197B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2011年3月10日に日本に出願された特願2011−053541号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
背景技術
[1]
熱剥離性粘着層の主面上に、複数の半導体素子を配置する工程と、
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、および、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂からなる群から選択される一又は二以上のエポキシ樹脂、
トリフェノールメタン型フェノール樹脂又はフェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂からなる群から選択される一又は二以上の硬化剤、および、
トリアリールホスフィン、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、及びイミダゾールからなる群から選択される一又は二以上の硬化促進剤を含む半導体封止用樹脂組成物を用いて、前記熱剥離性粘着層の前記主面上の複数の前記半導体素子を封止する封止材層を形成する工程と、
前記熱剥離性粘着層を剥離することにより、前記封止材層の下面および前記半導体素子の下面を露出させる工程と、を含み、
前記熱剥離性粘着層を剥離する前記工程の後における、前記封止材層の前記下面の接触角が、ホルムアミドを用いた測定時において、70度以下である、半導体装置の製造方法であって、
前記封止材層を形成する工程では、100℃以上150℃以下の温度条件で硬化処理を行う、前記半導体装置の製造方法。
[2]
前記熱剥離性粘着層を剥離する前記工程の後、前記封止材層の前記下面上および前記半導体素子の前記下面上に、再配線用絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記再配線用絶縁樹脂層上に、再配線回路を形成する工程と、を含む、[1]に記載の半導体装置の製造方法。
[3]
前記熱剥離性粘着層を剥離する前記工程の後、前記再配線用絶縁樹脂層を形成する工程の前に、150℃以上200℃以下の温度条件で、更に硬化後処理を行う工程を含む、[2]に記載の半導体装置の製造方法。
[4]
前記封止材層を形成する前記工程において、顆粒の前記半導体封止用樹脂組成物を用い、圧縮形成を行うことにより、前記封止材層を形成する、[1]から[3]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
[5]
誘電分析装置を用いて、測定温度125℃、測定周波数100Hzの条件で測定した際の、前記半導体封止用樹脂組成物の飽和イオン粘度に到達する時刻が、測定開始から100秒以上、900秒以下にある、[1]から[4]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
[6]
測定温度180℃、引き剥がし速度50mm/minの条件で測定した際の、前記封止材層と前記熱剥離性粘着層とのピール強度が1N/m以上、10N/m以下である、[1]から[5]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
[7]
125℃、10分の条件で硬化させた後の前記封止材層のショアD硬度が70以上である、[1]から[6]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
[8]
誘電分析装置を用いて、測定温度125℃、測定周波数100Hzの条件で測定した際の、前記半導体封止用樹脂組成物の最低イオン粘度が、6以上、8以下であり、かつ、測定開始からの経過時間が600秒後のイオン粘度が、9以上11以下である、[1]から[7]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
[9]
高化式粘度測定装置を用いて、測定温度125℃、荷重40kgで測定した際の、前記半導体封止用樹脂組成物の高化式粘度が、20Pa・s以上200Pa・s以下である、[1]から[8]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
[10]
260℃における、前記封止材層の曲げ強度が、10MPa以上、100MPa以下である、[1]から[9]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
[11]
260℃における、前記封止材層の曲げ弾性率が、5×102MPa以上、3×103MPa以下である、[1]から[10]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
[12]
前記封止材層のガラス転移温度(Tg)が、100℃以上、250℃以下である、[1]から[11]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
[13]
25℃以上、ガラス転移温度(Tg)以下の領域における、前記封止材層のxy平面方向の線膨張係数(α1)が、3ppm/℃以上、15ppm/℃以下である、[1]から[12]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
[14]
動的粘弾性測定器を用い、三点曲げモード、周波数10Hz、測定温度260℃で測定した際の、前記封止材層の貯蔵弾性率(E')が、5×102MPa以上、5×103MPa以下である、[1]から[13]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
[15]
前記再配線用絶縁樹脂層を形成する前記工程において、前記再配線用絶縁樹脂層を250℃、90分で硬化させたとき、前記再配線用絶縁樹脂層の硬化処理前と硬化処理後との前記封止材層の質量差が、5質量%以内である、[2]に記載の半導体装置の製造方法。
本実施の形態における半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。
(チップマウント工程):熱剥離性粘着層(マウントフィルム104)の主面10上に、複数の半導体素子106を配置する工程。
(封止材層108形成工程):半導体封止用樹脂組成物を用いて、マウントフィルム104の主面10上の複数の半導体素子106を封止する封止材層108を形成する工程。
(再配線用疑似ウエハ200形成工程):マウントフィルム104を剥離することにより、封止材層108の下面および半導体素子106の下面を露出させる工程。
また、本実施の形態における半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。
(再配線工程):熱剥離性粘着層(マウントフィルム104)を剥離する工程の後、封止材層108の下面30上および半導体素子106の下面20上に、再配線用絶縁樹脂層110を形成する工程と、再配線用絶縁樹脂層110上に、再配線回路116を形成する工程。
しかしながら、本発明者らが検討した結果、従来のエポキシ樹脂組成物の組成は、製造プロセスへの影響については特に意図せずに、最終製品の封止特性を求めて選択されているため、疑似ウエハの封止樹脂面からマウントフィルムを剥離したときに、封止樹脂面上にマウントフィルムの一部が残るという、ノリ残りが発生することが判明した。このようなノリ残りが発生した疑似ウエハ面上に再配線材料を塗布すると、ノリ残りが再配線材料の濡れ拡がりを阻害することにより、再配線材料の塗膜特性が低下することがあり得た。このため、従来の半導体装置の製造方法では、歩留まりが低下することがあった。
上記実験事実に基づき、次の仮説を立てた。
(i)再配線材料の濡れ性の傾向を示す、接触角を測定する測定標準物質が存在すること。
(ii)(i)の測定標準物質により、かかる再配線材料の濡れ性を定性的に評価できること。
(iii)(i)の測定標準物質により測定された接触角を適切に制御することにより、再配線材料の濡れ性を改善できること。
こうした仮説に基づき、本発明者らは、再配線材料の濡れ性の傾向を示す測定標準物質を見出し、その測定標準物質による接触角を適切な値に制御することを検討した。
まず、図2(a)に示すように、板状のキャリア102上に、熱剥離性粘着層(マウントフィルム104)を配置する。例えば、キャリア102の表面上に、フィルム状のマウントフィルム104を載置することができる。
キャリア102の形状および材料としては、特に限定されないが、例えば、上面視において円形形状または多角形形状の金属板またはシリコン基板を用いることができる。
また、マウントフィルム104は、好ましくは主剤と発泡剤とを含む。この主剤としては、特に制限はなく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、スチレン・共役ジエンブロック共重合体であり、好ましくはアクリル系粘着剤である。また、発泡剤としては、特に制限はなく、例えば、無機系、有機系等の各種発泡剤である。マウントフィルム104の熱剥離性は、例えば粘着剤を発泡性のものとすることによって得られており、この粘着剤が発泡する温度まで加熱すると、粘着剤の接着力が実質的になくなるため、マウントフィルム104を被着体から容易に剥離することができる。
続いて、図3(a)に示すように、マウントフィルム104の主面10上に載置された複数の半導体素子106を、封止材層108で封止する。すなわち、半導体素子106の側壁上および上面上に封止材層108を形成するとともに、半導体素子106同士の離間部を埋め込むように封止材層108を形成する。このため、半導体素子106の下面20(接続面)と封止材層108の下面30(マウントフィルム104剥離面)とは同一面を構成している。本実施の形態において、同一面とは、連続した面であり、かつ凹凸の高低差が好ましくは1mm以下、より好ましくは100μm以下のものを指す。このような封止材層108は、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物を硬化することにより形成している。例えば、封止材層108は、顆粒の半導体封止用樹脂組成物を用い、圧縮成形を行うことによって形成することができる。
ここで、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物の各成分等について説明する。
本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、少なくともエポキシ樹脂(A)と、硬化剤(B)と、無機充填剤(C)と、を含む。
次に、硬化剤(B)について説明する。硬化剤(B)は、特に限定されないが、たとえばフェノール樹脂とすることができる。このようなフェノール樹脂系硬化剤は、一分子内にフェノール性水酸基を2個以上、より好ましくは3個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではない。例えば、フェノール樹脂系硬化剤として、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のノボラック型樹脂;トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂;フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール化合物等が挙げられる。これらは、1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。このようなフェノール樹脂系硬化剤により、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、保存安定性等のバランスが良好となる。特に、硬化性の点から、たとえばフェノール樹脂系硬化剤の水酸基当量は、90g/eq以上、250g/eq以下とすることができる。
本発明の半導体封止用樹脂組成物に用いられる無機充填剤(C)としては、半導体封止用樹脂組成物の技術分野で一般的に用いられる無機充填剤を使用することができる。例えば、溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機充填剤の平均粒径は、金型キャビティへの充填性の観点から、0.01μm以上、150μm以下であることが望ましい。
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、硬化促進剤(D)を含んでもよい。硬化促進剤(D)は、エポキシ樹脂(A)のエポキシ基とフェノール樹脂系硬化剤(B)の水酸基との反応を促進するものであればよく、一般に使用される硬化促進剤(D)を用いることができる。
ここで、本発明者らは、メカニズムは不明だが、半導体封止用樹脂組成物の成形温度を低くするとノリ残りが低減することを見出した。したがって、半導体封止用樹脂組成物の硬化処理を上記温度範囲内とすることにより、すなわち、硬化温度を低減することにより、マウントフィルム104のノリ残りを低減させることができる。
従って、封止材層108を形成する工程における成形温度を上記上限値以下とすることにより、ノリ残りを低減させることができる。一方、成形温度を上記下限値以上とすることにより、封止材層108の成形性を向上させることができる。とくに、成形温度をより好ましい範囲内とすることにより、ノリ残りの低減と封止材層108の成形性とのバランスに優れた半導体装置を実現することができる。
次に、本発明の顆粒状の半導体封止用樹脂組成物を得る方法について説明する。
本発明に係る顆粒状の半導体封止用樹脂組成物を得る方法としては、本発明の粒度分布や顆粒密度を満足すれば特に限定されるものではないが、例えば、複数の小孔を有する円筒状外周部と円盤状の底面から構成される回転子の内側に、溶融混練された樹脂組成物を供給し、その半導体封止用樹脂組成物を、回転子を回転させて得られる遠心力によって小孔に通過させて得る方法(以下、「遠心製粉法」とも言う。);各原料成分をミキサーで予備混合後、ロール、ニーダー又は押出機等の混練機により加熱混練後、冷却、粉砕工程を経て粉砕物とし、篩(ふるい)を用いて粉砕物から粗粒と微紛の除去を行って得る方法(以下、「粉砕篩分法」とも言う。);各原料成分をミキサーで予備混合後、スクリュー先端部に小径を複数配置したダイを設置した押出機を用いて、加熱混練を行うとともに、ダイに配置された小孔からストランド状に押し出されてくる溶融樹脂をダイ面に略平行に摺動回転するカッターで切断して得る方法(以下、「ホットカット法」とも言う。)等が挙げられる。いずれの方法でも混練条件、遠心条件、篩分条件、切断条件等を選ぶことにより本発明の粒度分布や顆粒密度を得ることができる。特に好ましい製法としては、遠心製粉法であり、これにより得られる顆粒状の半導体封止用樹脂組成物は、本発明の粒度分布や顆粒密度を安定して発現させることができるため、搬送路上での搬送性や固着防止に対して好ましい。また、遠心製粉法では、粒子表面をある程度滑らかにすることができるため、粒子同士が引っかかったり、搬送路面との摩擦抵抗が大きくなったりすることもなく、搬送路への供給口でのブリッジ(詰まり)の防止、搬送路上での滞留の防止に対しても好ましい。また、遠心製粉法では、樹脂組成物が溶融した状態から遠心力を用いて粒子を形成させるため、粒子内に空隙がある程度含まれた状態となる。その結果、顆粒密度をある程度低くできるため、圧縮成形における搬送性に関して有利である。
続いて、図3(b)に示すように、封止材層108の下面30および半導体素子106の下面20から、マウントフィルム104を剥離する。例えば、加熱処理によりマウントフィルム104を熱分解することにより、かかるマウントフィルム104を分離することができる。また、加熱処理の他に、電子線や紫外線などの照射処理を実施してもよい。このようにして、キャリア102、マウントフィルム104、半導体素子106及び封止材層108から構成される構造体から、マウントフィルム104及びキャリア102を分離できる。これにより、図3(b)に示す再配線用疑似ウエハ200が得られる。再配線用疑似ウエハ200は、半導体素子106及び封止材層108を有する。封止材層108の下面30と同一面上において、複数の半導体素子106の下面20(接続面)が露出している。一方、複数の半導体素子106の上面を連続して覆うように、封止材層108が形成されている。言い換えると、断面視において、再配線用疑似ウエハ200の一面(再配線形成面)側には、封止材層108及び半導体素子106が形成され、一方、他面(封止面)側には封止材層108のみが形成される。再配線用疑似ウエハ200は、例えば、板状である。再配線用疑似ウエハ200は、平面視において、円形状でもよく、矩形形状でもよい。
ピール強度の測定条件としては、測定温度180℃、引き剥がし速度50mm/minである。ピール強度を上記範囲にすることにより、マウントフィルム104のノリ残りを低減させることができる。このため、液状の再配線材料が封止材層108面上に形成されにくくなることを抑制することができる。ピール強度の低減は、例えば、半導体封止用樹脂組成物の材料や硬化温度を適切に選択することにより実現できる。
ここで、本実施の形態において、接触角としては、例えば、測定開始から所定の測定時間後における平均値、最小値または最大値のいずれでもよいが、平均値がより好ましい。所定時間としては、特に限定されないが、例えば、10秒間とする。具体的にはマウントフィルム104を剥離した後、25℃において液滴を静置し、10秒後の値を計測することを3回繰り返し、その平均値を取る方法が挙げられる。
本実施の形態においては、測定温度:25℃、測定装置:Dropmaster500(協和科学(株)製)により測定する。
マウントフィルム104を剥離する前、及び/又は、マウントフィルム104を剥離した後に、再配線用疑似ウエハ200中の封止材層108に対してポストキュアを実施してもよい。ポストキュアとしては、例えば、150℃以上200℃以下、より好ましくは160℃以上190℃以下の温度範囲で、10分から8時間行う。ポストキュアの実施をマウントフィルム104の剥離後に行うことにより、マウントフィルム104のノリ残りを抑制することができる。
続いて、マウントフィルム104を剥離する工程後、図4(a)に示すように、封止材層108の下面30上および半導体素子106の下面20上に再配線用絶縁樹脂層110を形成する。言い換えると、再配線用疑似ウエハ200の一面(半導体素子106の接続面を有する面)上に、再配線用絶縁樹脂層110を形成する。
この後、ダイシング等の方法により、ウエハレベルパッケージ210を、例えば半導体素子106毎に個片化する。これにより、本実施の形態の半導体装置100を得ることができる。なお、複数の半導体チップ108単位で分割することにより、一つの半導体装置100に複数の機能を有する半導体素子106を配置することができる。このようにして得られた半導体装置100は、基板(インターポーザ)に実装してもよい。実装をするには、例えば、半導体装置100の半田ボール120とインターポーザの上に形成された配線回路とをバンプを介して電気的に接続する。これにより積層パッケージが得られる。
<半導体封止用樹脂組成物の配合(質量部)>
エポキシ樹脂1:下記式(1)で表されるトリフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂(JER(株)製、商品名YL6677、エポキシ当量163)
6.95質量部
4.30質量部
溶融球状シリカ2:(平均粒径0.5μm、比表面積5.9m2/g) 15質量部
硬化促進剤1:トリフェニルホスフィン(ケイ・アイ化成(株)製、商品名PP−360)
0.1質量部
着色剤:カーボンブラック(比表面積29m2/g、DBP吸収量71cm3/100g)
0.3質量部
カップリング剤:N−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製、商品名KBM−573)
0.2質量部
離型剤:モンタン酸エステル系ワックス(クラリアントジャパン(株)製、商品名リコルブWE−4)
0.15質量部
上記配合の樹脂組成物の原材料をスーパーミキサーにより5分間粉砕混合したのち、この混合原料を準備した。
図6に示す円筒状外周部302の素材として孔径2.5mmの小孔を有している鉄製の打ち抜き金網を使用した。直径20cmの回転子301の外周上に円筒状に加工した高さ25mm、厚さ1.5mmの打ち抜き金網を取り付け、円筒状外周部302を形成した。回転子301を3000RPMで回転させ、円筒状外周部302を励磁コイルで115℃に加熱した。回転子301の回転数と、円筒状外周部302の温度が定常状態になった後、脱気装置により脱気しつつ二軸押出機309により上記マスターバッチを溶融混練して得られた溶融物を、回転子301の上方より2重管式円筒体305を通して2kg/hrの割合で回転子301の内側に供給した。これにより、回転子301を回転させて得られる遠心力によって円筒状外周部302の複数の小孔に溶融物を通過させることで、顆粒状の半導体封止用樹脂組成物を得た。
マウントフィルム(日東電工(株)製:リバアルファ(登録商標))上に、複数の半導体素子を並べて配置した。続いて、上記顆粒状の半導体封止用樹脂組成物を用いて圧縮成形を行い、マウントフィルム上の半導体素子を封止した。圧縮成形の条件としては、成形温度125℃、硬化時間7分であった。この後、ポストキュアを150℃、1時間で行った後、マウントフィルムを剥離し、更にポストキュアを175℃、4時間で行った。
表1の配合に従い、実施例1と同様にして顆粒状の樹脂組成物を製造したのち、実施例1と同様にして半導体装置を製造した。
実施例1以外で用いた原材料を以下に示す。
エポキシ樹脂2:下記式(3)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、商品名NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273)
硬化促進剤3:テトラフェニルホスホニウム・ビス(ナフタレン−2,3−ジオキシ)フェニルシリケート(住友ベークライト(株)製)
硬化促進剤4:テトラフェニルホスホニウム・4,4'−スルフォニルジフェノラート(住友ベークライト(株)製)
硬化促進剤5:テトラフェニルホスホニウム・2,3'−ジヒドロキシナフタレート(住友ベークライト(株)製)
硬化促進剤6:下記式(5)で表される2−(トリフェニルホスホニウム)フェノラート
各評価については、下記の条件に従って行った。
・イオン粘度
誘電分析装置本体としてNETZSCH社製のDEA231/1 cure analyzerを使用し、プレスとしてNETZSCH社製のMP235 Mini−Pressを使用して、ASTM E2039に準拠して、測定温度125℃、測定周波数100Hzの条件にて、実施例および比較例で得られた顆粒状の樹脂組成物を粉末状にした試料約3gをプレス内の電極部上面に導入した後、プレスして測定した。得られた粘度プロファイルから、最低イオン粘度、600秒経過後のイオン粘度、及び飽和イオン粘度に達した時間を求めた。最低イオン粘度、600秒経過後のイオン粘度の単位は無し、飽和イオン粘度に達した時間の単位は秒(sec.)。測定結果を表2に示す。
実施例および比較例で得られた顆粒状の樹脂組成物について、高化式フローテスター((株)島津製作所・製CFT−500)を用いて、125℃、圧力40kgf/cm2、キャピラリー径0.5mmの条件で高化式粘度を測定した。単位はPa・s。測定結果を表2に示す。
実施例および比較例で得られた顆粒状の樹脂組成物を用いてトランスファー成形を行い、長さ800mm、幅10mm、厚さ4mmの試験片を成形した。トランスファー成形の条件は、成形温度125℃、硬化時間10分とした。成形時、型開き10秒後、ショアD硬度計を用いて試験片のショアD硬度を測定した。測定結果を表2に示す。
実施例および比較例で得られた顆粒状の樹脂組成物を用いてトランスファー成形を行い、JIS曲げ試験片を得た。トランスファー成形の条件は、成形温度125℃、硬化時間7分とした。得られた試験片の260℃における曲げ強度および曲げ弾性率を、JIS K 6911に準じて測定した。単位はMPa。測定結果を表2に示す。
実施例および比較例で得られた顆粒状の樹脂組成物を用いてトランスファー成形を行い、長さ15mm、幅4mm、厚さ3mmの試験片を得た。トランスファー成形の条件は、成形温度125℃、硬化時間7分とした。得られた試験片を、熱膨張計(セイコーインスツルメント社製TMA−120)を用い、室温(25℃)から5℃/分の昇温速度で昇温して、試験片の伸び率が急激に変化する温度をガラス転移温度として求めた。単位は℃である。また、室温(25℃)からTg−30℃の間での平均の線膨張係数を求め、α1とした。単位はppm/℃。測定結果を表2に示す。
実施例および比較例で得られた顆粒状の樹脂組成物を用いてトランスファー成形を行い、幅4mm、長さ20mm、厚み0.1mmの試験片を得た。トランスファー成形の条件は、成形温度125℃、硬化時間7分とした。得られた試験片を、三点曲げモード、周波数10Hz、測定温度260℃の条件で、DMA(Dynamic mechanical analysis/動的粘弾性測定器)を用いて測定した際の、260℃における貯蔵弾性率(E')を求めた。単位はMPa。測定結果を表2に示す。
実施例および比較例の半導体装置の製造工程において、マウントフィルムを剥離する際に、測定温度180℃、引き剥がし速度50mm/minの条件で、封止材層とマウントフィルムとを引き剥がし、ピール強度を求めた。単位はN/m。測定結果を表2に示す。
実施例および比較例の半導体装置の製造工程において、マウントを剥離した後の封止材層下面とホルムアミドとの接触角を、Dropmaster500(協和科学(株)製)を用いて、25℃において液滴を静置し、10秒後の値を計測することを3回繰り返し、その平均値を取った。単位は°(度)。結果を表2に示す。
実施例および比較例の半導体装置の製造工程において、マウントフィルムを剥離した後の封止材層下面と再配線材料(住友ベークライト(株)製、CRC−8902)との接触角を、Dropmaster500(協和科学(株)製)を用いて、25℃において液滴を静置し、10秒後の値を計測することを3回繰り返し、その平均値を取った。単位は°(度)。結果を表2に示す。
20 下面
30 下面
100 半導体装置
102 キャリア
104 マウントフィルム
106 半導体素子
108 封止材層
110 再配線用絶縁樹脂層
112 開口部
114 ビア
116 再配線回路
118 ソルダーレジスト層
120 半田ボール
122 パッド
200 再配線用疑似ウエハ
210 ウエハレベルパッケージ
301 回転子
302 円筒状外周部
303 磁性材料
304 励磁コイル
305 2重管式円筒体
306 交流電源発生装置
307 冷却ジャケット
308 外槽
309 二軸押出機
310 モーター
Claims (12)
- 熱剥離性粘着層の主面上に、複数の半導体素子を配置する工程と、
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、および、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂からなる群から選択される一又は二以上のエポキシ樹脂、
トリフェノールメタン型フェノール樹脂又はフェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂からなる群から選択される一又は二以上の硬化剤、および、
トリアリールホスフィン、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、及びイミダゾールからなる群から選択される一又は二以上の硬化促進剤を含む半導体封止用樹脂組成物を用いて、前記熱剥離性粘着層の前記主面上の複数の前記半導体素子を封止する封止材層を形成する工程と、
前記熱剥離性粘着層を剥離することにより、前記封止材層の下面および前記半導体素子の下面を露出させる工程と、を含み、
前記熱剥離性粘着層を剥離する前記工程の後における、前記封止材層の前記下面の接触角が、ホルムアミドを用いた測定時において、70度以下である、半導体装置の製造方法であって、
前記封止材層を形成する工程では、100℃以上150℃以下の温度条件で硬化処理を行う、前記半導体装置の製造方法。 - 前記熱剥離性粘着層を剥離する前記工程の後、前記封止材層の前記下面上および前記半導体素子の前記下面上に、再配線用絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記再配線用絶縁樹脂層上に、再配線回路を形成する工程と、を含む、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記熱剥離性粘着層を剥離する前記工程の後、前記再配線用絶縁樹脂層を形成する工程の前に、150℃以上200℃以下の温度条件で、更に硬化後処理を行う工程を含む、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記封止材層を形成する前記工程において、顆粒の前記半導体封止用樹脂組成物を用い、圧縮形成を行うことにより、前記封止材層を形成する、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 誘電分析装置を用いて、測定温度125℃、測定周波数100Hzの条件で測定した際の、前記半導体封止用樹脂組成物の飽和イオン粘度に到達する時刻が、測定開始から100秒以上、900秒以下にある、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 測定温度180℃、引き剥がし速度50mm/minの条件で測定した際の、前記封止材層と前記熱剥離性粘着層とのピール強度が1N/m以上、10N/m以下である、請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 125℃、10分の条件で硬化させた後の前記封止材層のショアD硬度が70以上である、請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 誘電分析装置を用いて、測定温度125℃、測定周波数100Hzの条件で測定した際の、前記半導体封止用樹脂組成物の最低イオン粘度が、6以上、8以下であり、かつ、測定開始からの経過時間が600秒後のイオン粘度が、9以上11以下である、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 高化式粘度測定装置を用いて、測定温度125℃、荷重40kgで測定した際の、前記半導体封止用樹脂組成物の高化式粘度が、20Pa・s以上200Pa・s以下である、請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 260℃における、前記封止材層の曲げ強度が、10MPa以上、100MPa以下である、請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 260℃における、前記封止材層の曲げ弾性率が、5×102MPa以上、3×103MPa以下である、請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 動的粘弾性測定器を用い、三点曲げモード、周波数10Hz、測定温度260℃で測定した際の、前記封止材層の貯蔵弾性率(E')が、5×102MPa以上、5×103MPa以下である、請求項1から11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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