JP2018206797A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体装置の高さ方向における厚みを容易に制御することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1において、半導体素子10は、端子形成面Sの一部にめっきにより形成された実装端子12a、12bを有する。半導体素子10の端子形成面S以外の面は、封止樹脂13により封止される。実装端子は、半導体素子10内の回路と電気的に接続されている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置1において、半導体素子10は、端子形成面Sの一部にめっきにより形成された実装端子12a、12bを有する。半導体素子10の端子形成面S以外の面は、封止樹脂13により封止される。実装端子は、半導体素子10内の回路と電気的に接続されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
ボンディングワイヤによる内部配線を行わずに、ベアチップに外部接続用の端子を直接実装した半導体装置が知られている。例えば特許文献1には、ベアチップの一面に外部接続用のバンプを設け、他の面を保護樹脂により封止した構造の半導体装置が記載されている。
特許文献1に記載されている従来の半導体装置は、実装端子を半田バンプにより構成しているため、半導体装置の高さ方向における厚みの制御が困難であった。
本発明の第1の態様によると、半導体装置は、主面の一部にめっき部を有する半導体素子と、前記半導体素子の前記主面以外の面を封止する保護部材とを備え、前記めっき部は、前記半導体素子内の回路と電気的に接続されている。
本発明の第2の態様によると、半導体装置の製造方法は、半導体素子の主面の一部に、前記半導体素子内の回路と電気的に接続されるめっき部を形成することと、前記半導体素子の前記主面以外の面を保護部材により封止することと、を有する。
本発明の第2の態様によると、半導体装置の製造方法は、半導体素子の主面の一部に、前記半導体素子内の回路と電気的に接続されるめっき部を形成することと、前記半導体素子の前記主面以外の面を保護部材により封止することと、を有する。
本発明によれば、半導体装置の高さ方向における厚みを容易に制御することができる。
以下では、適宜図面を参照しながら、第1の実施形態の半導体装置および半導体装置の製造方法等について説明する。以下の実施形態において、半導体装置の外部接続端子を備える面を半導体装置の主面とし、上下方向を当該主面に垂直な方向にとり、半導体装置の主面から外側へ向かう向きを上向き(上方向)とする。また、以下の実施形態において、「接続する」の語は、接続された2つの物が導通可能である意味を含む。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の模式図である。図1(a)は、半導体装置1の断面図であり、図1(b)は、半導体装置1を主面側から観た平面図である。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の模式図である。図1(a)は、半導体装置1の断面図であり、図1(b)は、半導体装置1を主面側から観た平面図である。
半導体装置1は、半導体素子10、パッド11a、パッド11b、実装端子12a、実装端子12b、および封止樹脂13を有する。半導体素子10の、パッド11aおよびパッド11bが形成されている端子形成面Sが主面である。端子形成面Sには、パッド11aおよびパッド11bが並んで配置されている。パッド11aの上方向には、実装端子12aが設けられる。パッド11aは、実装端子12aと電気的に接続されている。パッド11bの上方向には、実装端子12bが設けられる。パッド11bは、実装端子12bと電気的に接続されている。
以下の説明において、パッド11aおよびパッド11bをパッド11と総称する。同様に、実装端子12aおよび実装端子12bを実装端子12と総称する。
以下の説明において、パッド11aおよびパッド11bをパッド11と総称する。同様に、実装端子12aおよび実装端子12bを実装端子12と総称する。
端子形成面Sの、パッド11が形成されていない部分には、絶縁保護層16が形成されている。絶縁保護層16は、半導体素子10を絶縁すると共に、異物等から保護する。絶縁保護層16は、端子形成面Sの上に形成されたパッシベーション膜17と、パッシベーション膜17の上に形成された保護膜18とを含む。
実装端子12は、パッド11の上に形成された第1導電層14と、第1導電層14の上に形成された第2導電層15とを含む。第1導電層14は、例えば銅等の導体により構成される。第2導電層15は、例えば錫、銀等の導体により構成される。
半導体素子10は、半導体基板であるウェハをダイシングして得られたベアーの半導体チップである。半導体素子10は、ダイオード等の単一回路、あるいは、集積回路、大規模集積回路等の電子回路を含んで構成される。パッド11aおよびパッド11bは、例えばアルミニウム等の金属により構成される。封止樹脂13は、半導体装置1の6つの面のうち、実装端子12や絶縁保護層16が設けられている端子形成面Sを除く5つの面を封止する保護部材である。
半導体素子10は、半導体基板であるウェハをダイシングして得られたベアーの半導体チップである。半導体素子10は、ダイオード等の単一回路、あるいは、集積回路、大規模集積回路等の電子回路を含んで構成される。パッド11aおよびパッド11bは、例えばアルミニウム等の金属により構成される。封止樹脂13は、半導体装置1の6つの面のうち、実装端子12や絶縁保護層16が設けられている端子形成面Sを除く5つの面を封止する保護部材である。
(半導体装置1の製造方法)
以下、図2から図5までを参照して、半導体装置1の製造方法を説明する。半導体装置1は、材料のウェハ20に対して、工程1から工程14までを順次実施することにより製造される。
なお、図2および図3では、ウェハ20に形成される多数の半導体装置1のうち、1つの半導体装置1に対応する領域のみを図示している。実際には、ウェハ20に、図2および図3に図示する半導体装置1を形成するための半導体装置形成領域が多数形成される。
以下、図2から図5までを参照して、半導体装置1の製造方法を説明する。半導体装置1は、材料のウェハ20に対して、工程1から工程14までを順次実施することにより製造される。
なお、図2および図3では、ウェハ20に形成される多数の半導体装置1のうち、1つの半導体装置1に対応する領域のみを図示している。実際には、ウェハ20に、図2および図3に図示する半導体装置1を形成するための半導体装置形成領域が多数形成される。
図2(a)に示すように、ウェハ20には、パッド11aおよびパッド11bが、例えば蒸着等の方法により形成されている。ウェハ20の、パッド11が形成されている端子形成面Sには、パッド11の上から、パッシベーション膜17が形成されている。
パッシベーション膜17のうち、パッド11の上部の領域には、開口部21が形成されている。パッド11は、パッシベーション膜17の開口部21から露出している。
パッシベーション膜17のうち、パッド11の上部の領域には、開口部21が形成されている。パッド11は、パッシベーション膜17の開口部21から露出している。
(工程1)
工程1では、ウェハ20にポリイミドコーティングを行う。図2(a)に図示したウェハ20の上にポリイミド樹脂を塗布し、所定のパターンが形成されているフォトマスクを使用して露光、現像、硬化する。これにより、ウェハ20は図2(b)に示す状態になる。図2(b)では、パッシベーション膜17の上にポリイミド樹脂による保護膜18が形成されている。保護膜18の厚さは、例えば5マイクロメートル程度である。保護膜18は、開口部21の上には形成されない。
工程1では、ウェハ20にポリイミドコーティングを行う。図2(a)に図示したウェハ20の上にポリイミド樹脂を塗布し、所定のパターンが形成されているフォトマスクを使用して露光、現像、硬化する。これにより、ウェハ20は図2(b)に示す状態になる。図2(b)では、パッシベーション膜17の上にポリイミド樹脂による保護膜18が形成されている。保護膜18の厚さは、例えば5マイクロメートル程度である。保護膜18は、開口部21の上には形成されない。
(工程2)
工程2では、電解めっきのためのシード層22を形成する。図2(b)に図示したパッド11および保護膜18の上に、スパッタ法等によりシード層22を形成する。シード層22は、UBM(Under Bump Metallurgy)として機能する薄膜である。シード層22は、例えば密着層としてチタン(Ti)を形成し、その上に銅(Cu)を形成する。これにより、ウェハ20は図2(c)に示す状態になる。図2(c)では、保護膜18および開口部21の上にシード層22が形成されている。
工程2では、電解めっきのためのシード層22を形成する。図2(b)に図示したパッド11および保護膜18の上に、スパッタ法等によりシード層22を形成する。シード層22は、UBM(Under Bump Metallurgy)として機能する薄膜である。シード層22は、例えば密着層としてチタン(Ti)を形成し、その上に銅(Cu)を形成する。これにより、ウェハ20は図2(c)に示す状態になる。図2(c)では、保護膜18および開口部21の上にシード層22が形成されている。
(工程3)
工程3では、めっきレジスト23を形成する。図2(c)に図示したシード層22の上に、めっきレジストを塗布し、所定のパターンが形成されたフォトマスクを使用して露光、現像する。これにより、ウェハ20は図2(d)に示す状態になる。図2(d)では、シード層22の上にめっきレジスト23が形成されている。めっきレジスト23は、実装端子12を形成する箇所、すなわち開口部21の上には形成されない。
工程3では、めっきレジスト23を形成する。図2(c)に図示したシード層22の上に、めっきレジストを塗布し、所定のパターンが形成されたフォトマスクを使用して露光、現像する。これにより、ウェハ20は図2(d)に示す状態になる。図2(d)では、シード層22の上にめっきレジスト23が形成されている。めっきレジスト23は、実装端子12を形成する箇所、すなわち開口部21の上には形成されない。
(工程4)
工程4では、実装端子12の第1導電層14を形成する。図2(d)に図示しためっきレジスト23が形成されていない部分に対して、電解めっきにより、第1導電層14を形成する。第1導電層14は、例えば銅等により構成される。これにより、ウェハ20は図3(a)に示す状態になる。図3(a)では、開口部21の上に、実装端子12の一部、すなわち第1導電層14が形成されている。
工程4では、実装端子12の第1導電層14を形成する。図2(d)に図示しためっきレジスト23が形成されていない部分に対して、電解めっきにより、第1導電層14を形成する。第1導電層14は、例えば銅等により構成される。これにより、ウェハ20は図3(a)に示す状態になる。図3(a)では、開口部21の上に、実装端子12の一部、すなわち第1導電層14が形成されている。
(工程5)
工程5では、実装端子12の第2導電層15を形成する。図3(a)に図示した第1導電層14の上に、電解めっきにより、第2導電層15を形成する。第2導電層15は、例えば錫および銀を含む金属により形成される。これにより、ウェハ20は図3(b)に示す状態になる。図3(b)では、開口部21の上に、第1導電層14および第2導電層15を含む実装端子12が形成されている。
なお、半導体装置1の実装厚みを低減するため、絶縁保護層16の表面からみた実装端子12の厚みは、15マイクロメートル以下であることが望ましい。例えば第1導電層14の厚さを8マイクロメートル程度にし、第2導電層15の厚さを3マイクロメートル程度にすれば、そのような厚みを実現することができる。
工程5では、実装端子12の第2導電層15を形成する。図3(a)に図示した第1導電層14の上に、電解めっきにより、第2導電層15を形成する。第2導電層15は、例えば錫および銀を含む金属により形成される。これにより、ウェハ20は図3(b)に示す状態になる。図3(b)では、開口部21の上に、第1導電層14および第2導電層15を含む実装端子12が形成されている。
なお、半導体装置1の実装厚みを低減するため、絶縁保護層16の表面からみた実装端子12の厚みは、15マイクロメートル以下であることが望ましい。例えば第1導電層14の厚さを8マイクロメートル程度にし、第2導電層15の厚さを3マイクロメートル程度にすれば、そのような厚みを実現することができる。
(工程6)
工程6では、めっきレジスト23を除去する。図3(b)に図示した第1導電層14および第2導電層15を形成し終わったので、めっきレジスト23は不要であり、除去される。これにより、ウェハ20は図3(c)に示す状態になる。図3(c)では、実装端子12aおよび実装端子12b以外の部分に形成されていためっきレジスト23が除去されている。
工程6では、めっきレジスト23を除去する。図3(b)に図示した第1導電層14および第2導電層15を形成し終わったので、めっきレジスト23は不要であり、除去される。これにより、ウェハ20は図3(c)に示す状態になる。図3(c)では、実装端子12aおよび実装端子12b以外の部分に形成されていためっきレジスト23が除去されている。
(工程7)
工程7では、露出しているシード層22を除去する。図3(c)に図示した実装端子12同士が絶縁されるように、エッチングにより、露出しているシード層22を除去する。これにより、ウェハ20は図3(d)に示す状態になる。図3(d)では、実装端子12aおよび実装端子12bの間に存在していた、露出しているシード層22が除去されている。
工程7では、露出しているシード層22を除去する。図3(c)に図示した実装端子12同士が絶縁されるように、エッチングにより、露出しているシード層22を除去する。これにより、ウェハ20は図3(d)に示す状態になる。図3(d)では、実装端子12aおよび実装端子12bの間に存在していた、露出しているシード層22が除去されている。
以上の工程1から工程7までを終えたウェハ20の一部を図4(a)に示す。なお、図4および図5では、ウェハ20の全体のうち、3つの半導体装置1に対応する領域を模式的に図示している。
(工程8)
工程8では、バックグラインドおよびダイシングテープへの貼り付けを行う。バックグラインドにより、ウェハ20を、主面と対向する底面側から除去し、所定の厚さまで薄くする。その後、ウェハ20の底面が、ダイシングテープ30に貼り付けられる。これにより、ウェハ20は図4(b)に示す状態になる。図4(b)では、ウェハ20の表面、すなわち実装端子12が形成されている主面とは反対側の面である底面に、ダイシングテープ30が貼り付けられている。
工程8では、バックグラインドおよびダイシングテープへの貼り付けを行う。バックグラインドにより、ウェハ20を、主面と対向する底面側から除去し、所定の厚さまで薄くする。その後、ウェハ20の底面が、ダイシングテープ30に貼り付けられる。これにより、ウェハ20は図4(b)に示す状態になる。図4(b)では、ウェハ20の表面、すなわち実装端子12が形成されている主面とは反対側の面である底面に、ダイシングテープ30が貼り付けられている。
(工程9)
工程9では、半導体装置1のダイシングを行う。すなわち、半導体装置1が形成される領域(半導体装置形成領域)の境界で上方側から、保護膜18、パッシベーション膜17と共にウェハ20を切断する。切断は、ダイシングテープ30の厚さの中間まで行う。ウェハ20を切断することにより、ウェハ20から取り出される予定の、多数の半導体装置1が形成される領域が、互いに分離される。これにより、ウェハ20は図4(c)に示す状態になる。図4(c)では、互いに分離した個々のウェハ片が、ダイシングテープ30に接着されている。
工程9では、半導体装置1のダイシングを行う。すなわち、半導体装置1が形成される領域(半導体装置形成領域)の境界で上方側から、保護膜18、パッシベーション膜17と共にウェハ20を切断する。切断は、ダイシングテープ30の厚さの中間まで行う。ウェハ20を切断することにより、ウェハ20から取り出される予定の、多数の半導体装置1が形成される領域が、互いに分離される。これにより、ウェハ20は図4(c)に示す状態になる。図4(c)では、互いに分離した個々のウェハ片が、ダイシングテープ30に接着されている。
(工程10)
工程10では、テープの貼り替えを行う。ウェハ20の端子形成面Sを覆うようにサポートテープ31を貼り付け、その後、ウェハ20の底面に貼り付けられたダイシングテープ30を剥離する。これにより、ウェハ20は図4(d)に示す状態になる。図4(d)では、サポートテープ31に、実装端子12が埋没している。サポートテープ31の表面には、絶縁保護層16の表面16aが接触している。
工程10では、テープの貼り替えを行う。ウェハ20の端子形成面Sを覆うようにサポートテープ31を貼り付け、その後、ウェハ20の底面に貼り付けられたダイシングテープ30を剥離する。これにより、ウェハ20は図4(d)に示す状態になる。図4(d)では、サポートテープ31に、実装端子12が埋没している。サポートテープ31の表面には、絶縁保護層16の表面16aが接触している。
(工程11)
工程11では、樹脂封止を行う。例えば真空ラミネートにより、サポートテープ31が貼り付けられている端子形成面Sを除く5つの面を、封止樹脂13により封止する。例えば、フィルム状の熱硬化性樹脂でウェハ20を覆い、1hpa以下の真空下で、0.5MPaの圧力を加えながら、摂氏120度〜150度で加熱する。これにより、ウェハ20は図5(a)に示すように、分離された半導体装置形成領域(ウエハ片)間に封止樹脂13が充填されると共に、封止樹脂13の一面13aが平坦になる。つまり、図5(a)では、工程9においていったん分離されたウェハ片同士が、封止樹脂13により、再度お互いに固着した状態になっている。また、樹脂封止は、サポートテープ31の表面に絶縁保護層16の表面16aが接触している状態で行うので、封止樹脂13のサポートテープ31に接触する面13bは、絶縁保護層16の表面16aと面一になる。
なお、半導体装置1の厚みをより薄くするためには、ウェハ20の表面(上面)における封止樹脂13の厚さhは、30マイクロメートル以下とすることが望ましい。また、ウェハ片同士の間を封止樹脂13で確実に封止するために、封止樹脂13には充填剤(フィラー)が含まれていることが望ましい。樹脂中にミクロサイズ、ナノサイズのフィラーを分散することで、強度や耐熱性、難燃性、絶縁性を高め、薄型化および平坦化が容易となる。
ここで、更に封止樹脂13の一面13aを平坦化するためのプレスを加えてもよい。封止樹脂13の上面の厚みが一定以上である場合、封止樹脂13の上面に凹凸が生じる可能性があるが、このプレスを加えることにより、封止樹脂13の上面を均一にすることができる。
工程11では、樹脂封止を行う。例えば真空ラミネートにより、サポートテープ31が貼り付けられている端子形成面Sを除く5つの面を、封止樹脂13により封止する。例えば、フィルム状の熱硬化性樹脂でウェハ20を覆い、1hpa以下の真空下で、0.5MPaの圧力を加えながら、摂氏120度〜150度で加熱する。これにより、ウェハ20は図5(a)に示すように、分離された半導体装置形成領域(ウエハ片)間に封止樹脂13が充填されると共に、封止樹脂13の一面13aが平坦になる。つまり、図5(a)では、工程9においていったん分離されたウェハ片同士が、封止樹脂13により、再度お互いに固着した状態になっている。また、樹脂封止は、サポートテープ31の表面に絶縁保護層16の表面16aが接触している状態で行うので、封止樹脂13のサポートテープ31に接触する面13bは、絶縁保護層16の表面16aと面一になる。
なお、半導体装置1の厚みをより薄くするためには、ウェハ20の表面(上面)における封止樹脂13の厚さhは、30マイクロメートル以下とすることが望ましい。また、ウェハ片同士の間を封止樹脂13で確実に封止するために、封止樹脂13には充填剤(フィラー)が含まれていることが望ましい。樹脂中にミクロサイズ、ナノサイズのフィラーを分散することで、強度や耐熱性、難燃性、絶縁性を高め、薄型化および平坦化が容易となる。
ここで、更に封止樹脂13の一面13aを平坦化するためのプレスを加えてもよい。封止樹脂13の上面の厚みが一定以上である場合、封止樹脂13の上面に凹凸が生じる可能性があるが、このプレスを加えることにより、封止樹脂13の上面を均一にすることができる。
(工程12)
工程12では、封止樹脂13で一体化された各ウェハ片をサポートテープ31から剥離する。サポートテープ31が加温により粘着力が低下する特性を有している場合には、加熱しながらサポートテープ31を剥離することが望ましい。サポートテープ31を剥離した後、必要に応じてポストキュアを行い、封止樹脂13を固着させる。ポストキュアを、サポートテープ31を剥離した後に行えば、サポートテープ31の熱特性を考慮する必要がない。サポートテープ31が高い耐熱性を持つ場合は、サポートテープ31を剥離する前にポストキュアを行ってもよい。これにより、ウェハ20は図5(b)に示す状態になる。図5(b)では、上述したように、封止樹脂13のサポートテープ31に接触する面13bと、絶縁保護層16の表面16aとは連続して形成され、かつ、面一になっている。
工程12では、封止樹脂13で一体化された各ウェハ片をサポートテープ31から剥離する。サポートテープ31が加温により粘着力が低下する特性を有している場合には、加熱しながらサポートテープ31を剥離することが望ましい。サポートテープ31を剥離した後、必要に応じてポストキュアを行い、封止樹脂13を固着させる。ポストキュアを、サポートテープ31を剥離した後に行えば、サポートテープ31の熱特性を考慮する必要がない。サポートテープ31が高い耐熱性を持つ場合は、サポートテープ31を剥離する前にポストキュアを行ってもよい。これにより、ウェハ20は図5(b)に示す状態になる。図5(b)では、上述したように、封止樹脂13のサポートテープ31に接触する面13bと、絶縁保護層16の表面16aとは連続して形成され、かつ、面一になっている。
(工程13)
工程13では、ウェハ20の表面にダイシングテープ32を貼り付ける。これにより、ウェハ20は図5(c)に示す状態になる。
工程13では、ウェハ20の表面にダイシングテープ32を貼り付ける。これにより、ウェハ20は図5(c)に示す状態になる。
(工程14)
工程14では、ダイシングを行う。ウェハ片間に充填されている封止樹脂13を、各ウェハ片の周側縁から必要な厚みを残して切削する。これにより、ウェハ20は図5(d)に示す状態になる。図5(d)では、ダイシングテープ32上に多数の半導体装置1が貼り付けられた状態になっている。
工程14では、ダイシングを行う。ウェハ片間に充填されている封止樹脂13を、各ウェハ片の周側縁から必要な厚みを残して切削する。これにより、ウェハ20は図5(d)に示す状態になる。図5(d)では、ダイシングテープ32上に多数の半導体装置1が貼り付けられた状態になっている。
上述した実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
(1)半導体素子10は、端子形成面Sの一部にめっきにより形成された実装端子12を有する。半導体素子10の端子形成面S以外の面は、封止樹脂13により封止される。実装端子12は、半導体素子10内の回路と電気的に接続されている。このようにしたので、半導体装置1の高さ方向における厚みを容易に制御することができる。特に、半導体装置1の実装厚みを従来よりも薄くすることが可能となる。
(1)半導体素子10は、端子形成面Sの一部にめっきにより形成された実装端子12を有する。半導体素子10の端子形成面S以外の面は、封止樹脂13により封止される。実装端子12は、半導体素子10内の回路と電気的に接続されている。このようにしたので、半導体装置1の高さ方向における厚みを容易に制御することができる。特に、半導体装置1の実装厚みを従来よりも薄くすることが可能となる。
(2)半導体素子10の底面Sの端部(絶縁保護層16の端部)と封止樹脂13の表面とが連続的に、すなわち同一平面を構成するように形成される。このようにしたので、半導体素子10を確実に封止し、高い絶縁性を確保できる。また、実装端子12の側面が封止樹脂13に埋没することなく完全に露出するため、実装端子12をごく薄く形成することができる。
(3)実装端子12の底面Sからの厚みは、15マイクロメートル以下である。このようにしたので、例えば50マイクロメートル前後の厚みを有していた従来の半導体装置に比べて、半導体装置1の実装厚みを大幅に薄くすることができる。
(4)封止樹脂13は、単一の工程11により硬化され、均一に形成される。このようにしたので、別々の工程でポッティングにより形成されていた引用文献1等の従来技術に比べて、より頑強にかつ速やかに樹脂封止を行うことができる。
(5)封止樹脂13は、真空ラミネート法により形成される。このようにしたので、半導体装置1の上面における封止樹脂の厚さをより確実に制御することができる。
次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を上述の実施形態と組み合わせることも可能である。
(変形例1)
実装端子12の形成方法は、上述した工程1から工程7までの方法に限定されない。例えば、工程1から工程7までの代わりに、以下に説明する方法で実装端子12を形成してもよい。
(変形例1)
実装端子12の形成方法は、上述した工程1から工程7までの方法に限定されない。例えば、工程1から工程7までの代わりに、以下に説明する方法で実装端子12を形成してもよい。
図6(a)に示す半導体装置1aは、工程1から工程7までの方法とは異なる方法で実装端子12が形成されている。まず、めっきの前処理として、パッド11に対するジンケート処理を行う。その後、ニッケル(Ni)による第1導電層31を無電解めっきによりパッド11上に形成する。その上に、パラジウム(Pd)による第2導電層32、金(Au)による第3導電層33を、無電解めっきにより順次形成する。
半導体装置1の実装厚みを低減するため、絶縁保護層16の表面からみた実装端子12の厚みは、15マイクロメートル以下であることが望ましく、10マイクロメートル以下であることがより好ましい。例えば、第1導電層31の厚さを8マイクロメートル程度にし、第2導電層32および第3導電層33の厚さを0.05マイクロメートル程度にすれば、そのような厚みを実現することができる。
以上のように実装端子12を形成すれば、工程1から工程7までの方法を用いる場合に比べてより短い工程で、実装端子の厚みを容易に制御することができる。
半導体装置1の実装厚みを低減するため、絶縁保護層16の表面からみた実装端子12の厚みは、15マイクロメートル以下であることが望ましく、10マイクロメートル以下であることがより好ましい。例えば、第1導電層31の厚さを8マイクロメートル程度にし、第2導電層32および第3導電層33の厚さを0.05マイクロメートル程度にすれば、そのような厚みを実現することができる。
以上のように実装端子12を形成すれば、工程1から工程7までの方法を用いる場合に比べてより短い工程で、実装端子の厚みを容易に制御することができる。
図6(b)に示す半導体装置1bは、工程1から工程7までの方法とは異なる方法で実装端子12が形成されている。まず、前処理として、高周波電力を用いたスパッタ処理を行い、パッド11の表面の酸化膜等を除去する。その後、工程2と同様に、チタン(Ti)や銅(Cu)等によるシード層22をスパッタ法等により形成する。その上から、ニッケル(Ni)による第1導電層41を、電解めっきにより形成する。第1導電層41の上に、ニッケル(Ni)による第2導電層42、パラジウム(Pd)による第3導電層43、金(Au)による第4導電層44を、無電解めっきにより順次形成する。そして、工程7と同様に、露出しているシード層22をエッチングにより除去する。
半導体装置1の実装厚みを低減するため、絶縁保護層16の表面からみた実装端子12の厚みは、15マイクロメートル以下であることが望ましく、10マイクロメートル以下であることがより好ましい。例えば、第1導電層41の厚さを7マイクロメートル程度にし、第2導電層42の厚さを1マイクロメートル程度にし、第3導電層43および第4導電層44の厚さを0.05マイクロメートル程度にすれば、そのような厚みを実現することができる。
以上のように実装端子12を形成すれば、パッド11に無電解めっきを直接行えない場合であっても、実装端子の厚みを容易に制御することができる。
なお、第3導電層43は省略することも可能である。
半導体装置1の実装厚みを低減するため、絶縁保護層16の表面からみた実装端子12の厚みは、15マイクロメートル以下であることが望ましく、10マイクロメートル以下であることがより好ましい。例えば、第1導電層41の厚さを7マイクロメートル程度にし、第2導電層42の厚さを1マイクロメートル程度にし、第3導電層43および第4導電層44の厚さを0.05マイクロメートル程度にすれば、そのような厚みを実現することができる。
以上のように実装端子12を形成すれば、パッド11に無電解めっきを直接行えない場合であっても、実装端子の厚みを容易に制御することができる。
なお、第3導電層43は省略することも可能である。
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
1、1a、1b…半導体装置、10…半導体素子、11、11a、11b…パッド、12、12a、12b…実装端子、13…封止樹脂、14、31、41…第1導電層、15、32、42…第2導電層、16…絶縁保護層、17…パッシベーション膜、18…保護膜、22…シード層、33、43…第3導電層、44…第4導電層
本発明の第1の態様によると、半導体装置は、内部回路と電気的に接続されているパッドを有し、主面上の一部にめっき部を有する半導体素子と、前記主面を覆い、前記パッドを露出する開口部を有する一つの絶縁保護層と、前記半導体素子の前記主面以外の面を封止する保護部材とを備え、前記絶縁保護層は、パッシベーション膜と、該パッシベーション膜上に形成され、樹脂により形成された保護膜とを有し、前記開口部は前記パッドの周縁部の内側に形成され、前記主面の端部において、前記保護部材は前記保護膜の側面の少なくとも一部を覆って、該保護膜と連続して形成されており、前記めっき部は、前記保護膜の開口部を介して前記パッドに接続された実装端子であり、該実装端子は、複数のめっき層が積層されて形成され、前記保護膜の上面よりも突出している。
本発明の第2の態様によると、半導体装置の製造方法は、内部回路と電気的に接続されているパッドを有する半導体素子の主面上の一部に、前記パッドに接続されるめっき部を形成することと、前記半導体素子の前記主面以外の面を保護部材により封止することと、を有し、前記めっき部の形成は、前記主面を覆い、前記パッドを露出する開口部を有する一つの絶縁保護層を形成することを有し、前記絶縁保護層の形成は、パッシベーション膜と、該パッシベーション膜上に形成され、樹脂により形成された保護膜とを、前記パッシベーション膜の開口部と前記保護膜の開口部とが前記パッドの周縁部の内側に配置されるように形成することを含み、前記主面の端部において、前記保護部材は前記保護膜の側面の少なくとも一部を覆って、該保護膜と連続して形成することを含み、前記めっき部は、前記保護膜の開口部を介して前記パッドに接続された実装端子として形成され、該実装端子は、複数のめっき層を積層して、前記保護膜の上面よりも突出して形成することを含む。
本発明の第2の態様によると、半導体装置の製造方法は、内部回路と電気的に接続されているパッドを有する半導体素子の主面上の一部に、前記パッドに接続されるめっき部を形成することと、前記半導体素子の前記主面以外の面を保護部材により封止することと、を有し、前記めっき部の形成は、前記主面を覆い、前記パッドを露出する開口部を有する一つの絶縁保護層を形成することを有し、前記絶縁保護層の形成は、パッシベーション膜と、該パッシベーション膜上に形成され、樹脂により形成された保護膜とを、前記パッシベーション膜の開口部と前記保護膜の開口部とが前記パッドの周縁部の内側に配置されるように形成することを含み、前記主面の端部において、前記保護部材は前記保護膜の側面の少なくとも一部を覆って、該保護膜と連続して形成することを含み、前記めっき部は、前記保護膜の開口部を介して前記パッドに接続された実装端子として形成され、該実装端子は、複数のめっき層を積層して、前記保護膜の上面よりも突出して形成することを含む。
本発明の第1の態様によると、半導体装置は、内部回路と電気的に接続されているパッドを有し、主面上の一部にめっき部を有する半導体素子と、前記主面を覆い、前記パッドを露出する開口部を有する一つの絶縁保護層と、前記半導体素子の前記主面以外の面を封止する保護部材とを備え、前記絶縁保護層は、パッシベーション膜と、該パッシベーション膜上に形成され、樹脂により形成された保護膜とを有し、前記開口部は前記パッドの周縁部の内側に形成され、前記主面の端部において、前記保護部材は前記保護膜の側面の少なくとも一部を覆って、該保護膜と連続して形成されており、前記めっき部は、前記保護膜の開口部を介して前記パッドに接続された実装端子であり、該実装端子は、複数のめっき層が積層されて形成され、前記保護膜の上面よりも突出している。
本発明の第2の態様によると、半導体装置の製造方法は、内部回路と電気的に接続されているパッドを有する半導体素子が複数形成されたウエハの前記半導体素子の主面上の一部に、前記パッドに接続されるめっき部を形成することと、前記半導体素子の前記主面以外の面を保護部材により封止することと、を有し、前記めっき部の形成は、前記ウエハの前記複数の半導体素子の前記主面を覆い、前記パッドを露出する開口部を有する一つの絶縁保護層を形成することを有し、前記絶縁保護層の形成は、パッシベーション膜と、該パッシベーション膜上に形成され、樹脂により形成された保護膜とを、前記パッシベーション膜の開口部と前記保護膜の開口部とが前記パッドの周縁部の内側に配置されるように前記ウエハの前記複数の半導体素子の前記主面に対して形成することを含み、前記保護部材による封止は、前記主面の端部において、前記保護部材は前記保護膜の側面の少なくとも一部を覆って、該保護膜と連続して形成することを含むとともに、前記複数の半導体素子が切断された後に行われ、前記めっき部は、前記保護膜の開口部を介して前記パッドに接続された実装端子として形成され、該実装端子は、複数のめっき層を積層して、前記保護膜の上面よりも突出して形成することを含む。
本発明の第2の態様によると、半導体装置の製造方法は、内部回路と電気的に接続されているパッドを有する半導体素子が複数形成されたウエハの前記半導体素子の主面上の一部に、前記パッドに接続されるめっき部を形成することと、前記半導体素子の前記主面以外の面を保護部材により封止することと、を有し、前記めっき部の形成は、前記ウエハの前記複数の半導体素子の前記主面を覆い、前記パッドを露出する開口部を有する一つの絶縁保護層を形成することを有し、前記絶縁保護層の形成は、パッシベーション膜と、該パッシベーション膜上に形成され、樹脂により形成された保護膜とを、前記パッシベーション膜の開口部と前記保護膜の開口部とが前記パッドの周縁部の内側に配置されるように前記ウエハの前記複数の半導体素子の前記主面に対して形成することを含み、前記保護部材による封止は、前記主面の端部において、前記保護部材は前記保護膜の側面の少なくとも一部を覆って、該保護膜と連続して形成することを含むとともに、前記複数の半導体素子が切断された後に行われ、前記めっき部は、前記保護膜の開口部を介して前記パッドに接続された実装端子として形成され、該実装端子は、複数のめっき層を積層して、前記保護膜の上面よりも突出して形成することを含む。
Claims (11)
- 主面の一部にめっき部を有する半導体素子と、
前記半導体素子の前記主面以外の面を封止する保護部材とを備え、
前記めっき部は、前記半導体素子内の回路と電気的に接続されている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記主面の端部と前記保護部材の表面とが連続的に形成されている半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置において、
前記めっき部の前記主面からの厚みは、15マイクロメートル以下である半導体装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記保護部材は、均一な熱硬化性樹脂である半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記保護部材は、所定の充填剤を含む半導体装置。 - 半導体素子の主面の一部に、前記半導体素子内の回路と電気的に接続されるめっき部を形成することと、
前記半導体素子の前記主面以外の面を保護部材により封止することと、を有する半導体装置の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体装置の製造方法において、
前記主面の端部と前記保護部材の表面とを連続的に形成する、半導体装置の製造方法。 - 請求項7に記載の半導体装置の製造方法において、
前記めっき部を、前記主面から15マイクロメートル以下の厚みを有するように形成する、半導体装置の製造方法。 - 請求項6から請求項8までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
熱硬化性樹脂を均一に硬化させて前記保護部材とする、半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法において、
所定の充填剤を含む前記熱硬化性樹脂を前記保護部材とする、半導体装置の製造方法。 - 請求項6から請求項10までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
真空ラミネート法により前記保護部材を形成する、半導体装置の製造方法。
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Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002093830A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Sony Corp | チップ状電子部品の製造方法、及びその製造に用いる疑似ウェーハの製造方法 |
WO2005076352A1 (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009272383A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び基板の接合方法 |
JP2009272512A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010232648A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-10-14 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2011108308A1 (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-09 | 日本電気株式会社 | 半導体素子内蔵配線基板 |
WO2011118572A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2012028708A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2012109306A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
WO2012121377A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2015045089A1 (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
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---|---|---|---|---|
JP3456462B2 (ja) | 2000-02-28 | 2003-10-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR20120104198A (ko) * | 2009-11-10 | 2012-09-20 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US9620413B2 (en) * | 2012-10-02 | 2017-04-11 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of using a standardized carrier in semiconductor packaging |
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002093830A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Sony Corp | チップ状電子部品の製造方法、及びその製造に用いる疑似ウェーハの製造方法 |
WO2005076352A1 (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009272383A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び基板の接合方法 |
JP2009272512A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010232648A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-10-14 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2011108308A1 (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-09 | 日本電気株式会社 | 半導体素子内蔵配線基板 |
WO2011118572A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2012028708A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2012109306A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
WO2012121377A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2015045089A1 (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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