JP2012023409A

JP2012023409A - 回路装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2012023409A
Application number: JP2011239059A
Authority: JP
Inventors: Ryosuke Usui; 良輔臼井; Yasunori Inoue; 恭典井上; Hideki Mizuhara; 秀樹水原
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2011-10-31
Filing date: 2011-10-31
Publication date: 2012-02-02

Abstract

【課題】回路素子の電極から外部電極に至るまでの経路の接続信頼性を向上させた回路
装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路装置１０Ａは、周辺部に電極１４が形成された回路素子１１
と、電極１４の表面に接続する接続部１５と、接続部１５に連続した再配線１６とを具備
する。本発明では、接続部１５と再配線１６とが一体化された金属により形成される。従
って、両者の間に異種材料間の接続部が無いので、熱応力等に対する装置全体の接続信頼
性が向上されている。
【選択図】図１

Description

本発明は回路装置およびその製造方法に関し、特に、回路素子と同等の大きさの回路装置およびその製造方法に関する。

携帯電話等の電子機器の小型化および高機能化に伴い、こうした機器に使用される回路装置にも、よりいっそうの小型化が要求されている。

高集積化された回路素子をパッケージする構造は、従来のＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）からＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ）へ移行している。ＣＳＰでは、一主面に外部接続電極が形成されたウェハをダイシングすることによりパッケージが形成される。従って、ＣＳＰは、回路素子と同等のサイズにて実装基板に固着することが可能となり、ＣＳＰが実装される側の実装基板を小型化することが可能となる。従って、ＣＳＰを採用することにより、携帯電話等のセット全体を小型化することも可能となる。

ＣＳＰでは、回路素子の電極を再配置するために、回路素子の主面に再配線が形成される。回路素子の電極は、通常、集積回路が形成された領域を避けた周辺部に形成される。従って、この電極間のピッチは例えば７０μｍと非常に狭く、このままでははんだ接続が困難である。このため、回路素子の主面に再配線を形成することにより、電極と接続された外部電極をマトリックス状に配置する。このことにより、外部電極間のピッチは例えば５００μｍ程度となり、はんだ接続を容易に行うことができる。

図７を参照して、従来のＣＳＰ型の回路装置１００を説明する。回路装置１００は、回路素子１０１の表面に集積回路が形成され、この集積回路と接続された電極１０４が周辺部に配置されている。回路素子１０１の表面は、電極１０４が露出する箇所を除いて、保護膜１０２により被覆される。保護膜１０２としては、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ−Ｇｌａｓｓ）膜やＳｉ₃Ｎ₄（シリコン窒化膜）等が採用される。

バンプ１０８は、電極１０４上にワイヤボンディング技術により形成されて、上部が括れた形状となっている。バンプ１０８は、上面を除いた部分が樹脂層１０３により被覆される。

樹脂層１０３の上面には、バンプ１０８と電気的に接続された再配線１０６が延在している。各再配線１０６は、回路素子１０１の周辺部に位置する電極１０４から内部に向かって延在している。また、半田等から成る外部電極１０７が形成される箇所を除いて、再配線１０６は、レジスト１０９により被覆される。

特開平９−６４０４９号公報

しかしながら、上述した従来型の回路装置１００では、電極１０４から再配線１０６までにいたる経路が異なる材料から成るため、接続信頼性に劣る問題があった。具体的には、バンプ１０８は、金、銅または半田等が採用される。それに対して、再配線１０６は一般的に銅から成る。従って、バンプ１０８と再配線１０６とでは材料が異なる場合があり、温度変化に応じて、両者の界面には熱応力が発生する。従って、バンプ１０８と再配線１０６との接合箇所で、断線が発生する恐れがあった。更に、バンプ１０８の形状が熱応力に応じて変形する形状ではないことも、この問題を大きくしていた。

更に、バンプ１０８を採用していることから、微細化された回路素子に対応できない問題があった。ワイヤボンディング技術により形成されるバンプ１０８の径は、３０〜６０μｍ程度であるので、電極１０４の大きさもそれ以上が必要である。従って、１辺の大きさが、３０μｍ以下の微細な電極を有する回路素子では、バンプ１０８を形成できない問題があった。

更に、ワイヤボンディング技術によりバンプ１０８を形成することから、ＣＳＰを製造するコストが高くなってしまう問題もあった。

本発明は、上記問題点を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、接続信頼性を向上させた回路装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明の回路装置は、回路素子と、前記回路素子の電極と接続される接続部と、前記接続部と連続して前記回路素子の主面と平行に延在する再配線とを具備する回路装置に於いて、前記接続部と前記再配線とが一体化された金属で形成されることを特徴とする。

更に、本発明の回路装置では、前記再配線および前記接続部は、圧延された金属から成ることを特徴とする。

更に、本発明の回路装置では、前記再配線はレジストにより被覆され、前記再配線と連続するポストが、前記レジストを貫通して外部に露出することを特徴とする。

更に、本発明の回路装置では、前記ポストは、前記接続部および前記再配線と一体化された金属で形成されることを特徴とする。

本発明の回路装置の製造方法は、集積回路と接続された電極を表面に有する半導体ウェハを用意する工程と、前記電極の位置に対応して突出して設けられた接続部が形成されるように、導電箔の表面に分離溝を設ける工程と、前記接続部が前記電極に接続されるように、前記半導体ウェハと前記導電箔とを重畳させる工程と、前記半導体ウェハと前記導電箔との間隙に充填樹脂を充填させる工程と、前記導電箔をパターニングして前記集積回路毎に再配線を形成する工程と、前記半導体ウェハをダイシングすることにより、個別の回路素子に分離する工程とを具備することを特徴とする。

更に、本発明の回路装置の製造方法では、前記半導体ウェハと前記導電箔とを重畳させる前に、前記接続部の上面が露出されるように前記分離溝に第１の充填樹脂を充填させ、前記半導体ウェハと前記導電箔とを重畳させた後に、前記第１の充填樹脂と前記ウェハとの間に、第２の充填樹脂を充填させることを特徴とする。

本発明の回路装置に依れば、回路素子の電極に接続される接続部と再配線とを一体化した金属により形成することが可能となる。従って、回路素子の電極から外部電極に至るまでの経路の熱応力に対する接続信頼性を向上させることができる。

また、接続部及び再配線は、圧延された金属により形成されるので、熱応力に対する接続信頼性を更に向上させることができる。

更に、再配線は、回路素子の表面を保護する保護膜から離間して形成されている。即ち、接続部は保護膜の厚さよりも高く形成されている。従って、高く形成された接続部が温度変化に応じて変形することで、熱応力を低減させて接続信頼性を向上させることができる。

更に、回路素子と再配線との間に位置する充填樹脂にフィラーを混入することで、回路装置全体の放熱性が向上されている。

更に、本発明の回路装置の製造方法に依れば、接続部および再配線は、エッチングにより微細に形成されるので、微小な電極が狭ピッチに形成された回路素子に対応可能である。従って、高機能化された回路素子を採用して回路装置を構成することが可能となる。

更に、回路素子の電極から外部電極に至るまでの経路を、一枚の導電箔からエッチングにより形成することができるので、ＣＳＰ型の回路装置の製造工程を簡略化することができる。更に製造コストを低減することもできる。

更に、接続部の上面を粗化した後に、回路素子の電極に接続部の上面を当接させるので、接続部と電極との接続信頼性を向上させることができる。

本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は斜視図であり、（Ｃ）は断面図である。本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｅ）は断面図である。本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｄ）は断面図である。本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｄ）は断面図である。従来の回路装置を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。

図１を参照して本実施の形態の回路装置１０Ａの構成を説明する。図１（Ａ）は回路装置１０Ａの代表的な断面図であり、図１０（Ｂ）は、外部電極１７等が形成された面の回路装置１０Ａの平面図である。

図１（Ａ）を参照して、回路装置１０Ａは、表面に電極１４が形成された回路素子１１と、電極１４の露出面に接続する接続部１５と、接続部１５と一体化して形成されて、回路素子１１の表面に対して平行に延在する再配線１６と、再配線１６と接続されてマトリックス状に配置されたパッド２０を具備する。また、パッドの表面には、外部電極１７が形成されている。

回路素子（半導体素子）１１は、厚みが１００μｍ程度の半導体基板の表面に、周知の拡散工程により所定の電気回路が形成されている。また、表面に形成された電気回路を保護するために、回路素子１１の表面は、厚みが数μｍ程度の保護膜１２により被覆されている。保護膜１２としては、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ−Ｇｌａｓｓ）膜やＳｉ₃Ｎ₄（シリコン窒化膜）等が採用される。電極１４の表面は、この保護膜１２から露出している。

電極１４は、回路素子１１の表面に形成された電気回路と接続され、周辺部に多数個が位置するように形成されている。電極１４の材料には一般的にＡｌが採用される。１つの電極の大きさは、例えば３０〜５０μｍ四方程度であり、非常に微細に形成されている。また、電極１４間のピッチも非常に狭く形成されている。

電極１４の表面には、バリヤ膜を形成しても良い。このバリヤ膜としては、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＷ、ＴａＷ、ＷＮ等を採用可能である。また、これらの金属を積層させてバリヤ膜を形成しても良い。このように電極１４の表面にバリア膜を形成することで、Ｃｕから成る接続部１５が電極１４に当接した場合でも、接続部１５の材料であるＣｕが電極１４に拡散されることを防止することができる。

接続部１５は、圧延された銅等の金属から成り、ここでは下面が電極１４の表面に当接している。接続部１５の高さは、例えば９０μｍ程度に形成される。また、接続部１５は円筒状または矩形状に形成され、その幅は３０〜５０μｍ程度である。接続部１５がこのように細長く形成されることにより、接続部１５自体が変形することで熱応力を低減させることができる。なお、接続部１５は、充填樹脂１３を貫通するように、再配線１６と一体的に連続して、電極１４の表面まで延在している。

電極１４の表面に当接する接続部１５の下面は、粗化することが好適である。このようにすることにより、圧着により接合される電極１４と接続部１５との接続強度を向上させることができる。更に、接続部１５の当接する面が部分的に電極１４に食い込むので、両者の接続信頼性が向上される。

電極１４と接続部１５は、ここでは両者を圧接させて接合されている。しかしながら、半田や導電性ペースト等の導電性の接合材により両者を接合することも可能である。半田を用いて両者を接合させる場合は、外部電極１７を構成する半田よりも高融点のものが採用される。

再配線１６は、上記接続部１５と一体化した金属から成り、回路素子１１の表面と平行に延在している。再配線１６は、回路素子１４の周辺部に狭ピッチで配置された電極１４と、内部に広いピッチにて配置されたパッド２０とを接続させる機能を有する。電極１４間のピッチは例えば５０〜７０μｍ程度であり、パッド２０間のピッチは例えば５００μｍ程度である。このように再配線１６を用いて、広いピッチのパッド２０と狭いピッチの電極１４とを接続することにより、回路装置１０Ａの実装を容易にすることができる。即ち、回路装置１０Ａが実装される側の実装基板の導電路をファインピッチにする必要が無くなる。

本形態では、接続部１５と再配線１６とは、一体化された金属により形成されている。即ち、回路素子１１の電極１４から外部電極１７に至るまでの経路に、異種材料間の接続部が無い。従って、使用状況下の温度変化等により、接続部１５や再配線１６に熱応力が作用しても、断線等の恐れが少ない構成となっている。

更に、接続部１５、再配線１６およびパッド２０は、圧延された銅等の圧延金属から成る。圧延金属を構成する結晶粒子の長軸は、再配線１６の延在方向と平行に延在している。メッキ処理等により形成された金属と比較すると、圧延金属は機械的強度の点に於いて優れている。さらに、屈曲性の点に於いても、圧延金属はめっきから成る金属よりも優れている。上記のことから、接続部１５および再配線１６を一体に構成する金属として、圧延金属は好適である。

更に、再配線１６は、保護膜１２を被覆するように形成された充填樹脂１３の上面に形成されている。ここで、充填樹脂１３の厚みは、接続部１５の高さと同程度の９０μｍ程度である。即ち、再配線１６は、回路素子１１の表面を保護する保護膜１２から離間して延在している。このことにより、温度変化により再配線１６と回路素子１１とが異なる膨張量を示しても、両者の間に位置する充填樹脂１３により熱応力が緩和される。従って、熱応力による接続信頼性の低下を抑止することができる。

充填樹脂１３としては、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の両方を採用可能である。また、エポキシ樹脂等の樹脂にフィラーが混入されたものを充填樹脂１３として採用することができる。フィラーが充填樹脂１３に混入されることにより、放熱性を向上させることができ、更に、充填樹脂１３の熱膨張係数を回路素子１１に接近させることができる。フィラーとしては、繊維状または粒子状のＳｉＯ₂、ＳｉＮまたはＡｌ₂Ｏ₃等を用いることができる。

パッド２０は、回路素子１１の電極１４に囲まれる領域の内部にマトリックス状に形成されている。パッド２０同士のピッチは、例えば５００μｍ程度である。上述したように、パッド２０は、接続部１５および再配線１６と一体化した金属により形成されている。パッド２０の表面には、外部電極１７が形成されている。

外部電極１７は、半田や導電性ペースト等から成り、レジスト１９から部分的に露出するパッド２０の露出面に付着される。上述したように、外部電極１７間のピッチは、例えば５００μｍ程度と広くなっている。

レジスト１９は、外部電極１７が形成される領域を除いて、再配線１６および充填樹脂１３の表面を被覆している。

図１（Ｂ）を参照して、回路装置１０Ａの周辺部には、回路素子１１の電極１４と接続された接続部１５が位置している。また、パッド２０および外部電極１７は、接続部１５にて囲まれる領域の内部に、マトリックス状に配置されている。そして、再配線１６は、接続部１５とパッド２０との間に延在している。

図２を参照して、他の形態の回路装置１０Ｂ、１０Ｃの構成を説明する。図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、回路装置１０Ｂおよび回路装置１０Ｃの断面図である。

図２（Ａ）を参照して、回路装置１０Ｂでは、充填樹脂１３が、第１の充填樹脂１３Ａおよび第２の充填樹脂１３Ｂとから成る。回路装置１０Ｂの他の構成は、回路装置１０Ａと同様である。

第１の充填樹脂１３Ａは、再配線１６側に形成される樹脂であり、フィラーが混入された樹脂から成る。第１の充填樹脂１３Ａは、接続部１５を電極１４に当接させる前に形成されるので、大量のフィラー（例えば５０重量％以上）を混入させることができる。第1の樹脂１３Ａの形成方法等については後述する。

第２の充填樹脂１３Ｂは、回路素子１１側に形成される樹脂でありフィラーが基本的に混入されていないエポキシ樹脂等から成る。また、第２の充填樹脂１３Ｂにフィラーが混入されたとしても、その量は第１の充填樹脂１３Ａよりも少ない。第２の充填樹脂１３Ｂは、接続部１５を電極１４に当接させた後に、第１の充填樹脂１３Ａと保護膜１２との間に充填される。

図２（Ｂ）を参照して、回路装置１０Ｃでは、再配線１６から上部に突出するように延在するポスト１８が形成されている。ポスト１８の太さは、例えば１００〜２００μｍ程度である。ポスト１８の上面はレジスト１９から露出し、外部電極１７が付着されている。ポスト１８は、横方向に作用する応力に応じて変形可能なため、外部電極１７に作用する熱応力を低減させることが可能となり、外部電極１７の接続信頼性を向上させることができる。更に、ポスト１８は、再配線１６および接続部１５と共に一体化した圧延金属により形成されているので、熱応力に対する接続信頼性が高い。回路装置１０Ｃの他の構成は、回路装置１０Ａと同様である。

続いて、図３以降の図を参照して上記した回路装置の製造方法を説明する。

図３を参照して、先ず、半導体ウェハ３０および導電箔４０を用意する。図３（Ａ）は半導体ウェハ３０の斜視図であり、図３（Ｂ）は導電箔４０の斜視図であり、図３（Ｃ）は導電箔４０の断面図である。

図３（Ａ）を参照して、拡散工程等を経た半導体ウェハ３０の表面にはマトリックス状に集積回路が形成されている。また、各集積回路と接続された電極１４がその周辺部に形成されている。以下の説明では、１つの回路装置となる集積回路および電極１４をユニット３１と呼ぶ。各ユニット３１の間には、ダイシングライン３２が位置している。

図３（Ｂ）および図３（Ｃ）を参照して、次に、導電箔４０の表面に突起状の接続部１５を形成する。導電箔４０の平面的な大きさは、半導体ウェハ３０と同程度に形成される。即ち、半導体ウェハ３０が８インチ（２００ｍｍ）の径である場合は、ほぼ同一の大きさの導電箔４０が用意される。導電箔４０の厚みは、例えば１２０μｍ程度である。

接続部１５は、導電箔４０の表面を選択的にエッチングすることにより形成される。具体的には、接続部１５が形成予定の導電箔４０の表面をエッチングレジスト４１により被覆した後に、導電箔４０を表面からエッチングする。このことにより、導電箔４０の表面には分離溝４２が形成され、エッチングされない接続部１５は凸状に突出する構成となる。接続部１５の高さは、例えば９０μｍ程度である。各接続部１５の平面的な位置は、半導体ウェハ３０の表面に形成された電極１４に正確に対応している。ここで、エッチング処理により形成される接続部１５のピッチは、例えば１０μｍ程度に非常に微細に形成することが可能である。

また、接続部１５の上面は、粗化処理を行うことが好適である。粗化処理を行うことにより、後の工程にて、半導体ウェハの電極１４と接続部１５との接続信頼性を向上させることができる。接続部１５上面の粗化処理は、エッチング、ＣＺ処理、プラズマ処理等により行うことができる。ここで、ＣＺ処理とは、ギ酸と塩酸の混合液を用いて行う粗化処理である。

次に、図４の各断面図を参照して、以降の工程を説明する。図４では、図１に示すような回路装置１０Ａを製造する製造方法を説明する。

図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照して、次に、各ユニット３１の各電極１４に接続部１５の上面が圧着されるように、半導体ウェハ３０と導電箔４０とを重畳させる。ここでは、導電箔４０を水平な台の上に載置し、その上部に半導体ウェハ３０を載置している。電極１４の位置と、接続部１５の位置が一致するように、カメラにて両者の位置を確認しつつ、半導体ウェハ３０を導電箔４０に重畳させる。ここでは、接続部１５と電極１４との接続は圧着により行われるが、半田や導電性ペースト等の導電性の接合材を用いて両者を接続することもできる。接続部１５と電極１４とを圧着した後の状態を図４（Ｂ）に示す。本工程では、半導体ウェハ３０の厚みは例えば６００μｍ程度と厚いので、半導体ウェハ３０を搬送することにより反りや割れの恐れは少ない。

図４（Ｃ）を参照して、次に、導電箔４０と半導体ウェハ３０との間隙に、充填樹脂１３を充填させる。充填樹脂１３としては、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂の両方が採用可能である。エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を充填樹脂１３として採用した場合は、充填された液状の充填樹脂１３を加熱硬化させる。また、本実施の形態では、接続部１５はエッチングにより形成されるので、接続部１５の側面は、周囲に対して裾広がりの形状となっている。従って、接続部１５と導電箔４０との接続部にも、充填樹脂１３は容易に充填されている。

図４（Ｄ）を参照して、次に、導電箔４０を裏面からエッチングすることにより、再配線１６およびパッド２０を形成する。具体的には、形成予定の再配線１６およびパッド２０に対応する領域の導電箔をエッチングレジスト４１にて被覆した後に、エッチングを行う。本工程にて、エッチングされる領域の導電箔４０の厚さは３０μｍ程度であるので、微細な再配線１６およびパッド２０を形成することができる。更に、本工程にて、各ユニット３１の境界に位置する導電箔もエッチングにより除去される。

図４（Ｅ）を参照して、次に、再配線１６およびパッド２０が被覆されるようにレジスト１９を形成する。そして、パッド２０の裏面が部分的に露出されるように、レジスト１９を部分的に除去する。更に、レジスト１９から露出するパッド２０の表面に、半田等から成る外部電極１７を付着させる。本工程が終了した後に、各ユニット３１が分離されるように、点線の箇所にて半導体ウェハ３０をダイシングする。

以上の工程により、図１に示すような回路装置１０Ａが製造される。

次に、図５を参照して、図２（Ａ）に示すような回路装置１０Ｂの製造方法を説明する。この製造方法は、第１の充填樹脂１３Ａおよび第２の充填樹脂１３Ｂにより、充填樹脂１３を形成する点に於いて、上述した製造方法と異なる。

図５（Ａ）を参照して、先ず、接続部１５の上面が電極１４に当接するように半導体ウェハ３０と導電箔３０とを重畳させる。この方法は、上述した方法と同一である。ここでは、半導体ウェハ３０と導電箔４０とを重畳する前に、導電箔４０の表面に形成された分離溝４２に、第１の充填樹脂１３Ａを塗布している。第１の充填樹脂１３Ａは、フィラーが混入された樹脂から成る。

第１の充填樹脂１３Ａを分離溝４２に充填されるように塗布する方法は、次の通りである。先ず、導電箔４０の表面に第１の充填樹脂１３Ａを全面的に塗布する。次に、接続部１５を被覆する第１の充填樹脂１３Ａが薄くなるように、スキージを用いて第１の充填樹脂１３Ａを掻き取る。更に、第１の充填樹脂１３Ａが熱硬化性樹脂の場合は、加熱硬化処理を行う。次に、過マンガン酸カリウムの溶液に、導電箔４０を浸漬すると、第１の充填樹脂１３Ａが全面的に薄くなるので、接続部１５の上面が第１の充填樹脂１３Ａから露出する。

第１の充填樹脂１３Ａにはフィラーが多量に混入されているので、流動性が低い場合がある。従って、第１の充填樹脂１３Ａを、半導体ウェハ３０と導電箔４０とを重畳させてから両者の間隙に充填させることが困難である。このことから、本実施の形態では、予め第１の充填樹脂１３Ａを、導電箔４０の表面に形成している。

図５（Ｂ）を参照して、次に、導電箔４０と半導体ウェハ３０との間隙に、第２の充填樹脂１３Ｂを充填させる。第１の樹脂１３Ａが導電箔４０の表面に形成されることにより、導電箔４０と半導体ウェハ３０との間隙は狭くなっている。例えば、第１の充填樹脂１３Ａの厚さが５０μｍ程度の場合は、第１の充填樹脂１３Ａと半導体ウェハ３０との間隙は４０μｍ程度である。従って、第２の充填樹脂１３Ｂは、毛細管現象により容易に両者の間隙に充填され、ボイドの形成を防止することができる。

第２の充填樹脂１３Ｂは、フィラーが混入されていないエポキシ樹脂等の樹脂から成る。また、第２の充填樹脂１３Ｂにフィラーが混入されても、その量は第１の充填樹脂１３Ａよりも少ない。従って、第２の充填樹脂１３Ｂは流動性に優れているので、上記したように狭い間隙に充填可能である。

図５（Ｃ）を参照して、次に、導電箔４０を選択的にエッチングすることにより、再配線１６およびパッド２０を形成する。

図５（Ｄ）を参照して、次に、再配線１６およびパッド２０を被覆するようにレジスト１９を形成する。更に、レジスト１９から露出するパッド２０に外部電極１７を形成する。最後に、各ユニット３１が分離されるように点線にて示す位置にて、半導体ウェハ３０をダイシングすることで個別の回路装置を得る。上述した工程により、図２（Ａ）に示すような回路装置１０Ｂが製造される。

図６を参照して、次に、図２（Ｂ）に構造を示した回路装置１０Ｃの製造方法を説明する。この製造方法は、ポスト１８を製造する点に於いて上記した製造方法と異なる。

図６（Ａ）を参照して、先ず、導電箔４０と半導体ウェハ３０とを重ね合わせ、両者の間に形成される空間に充填樹脂１３を充填させる。ここで、上述したように、充填樹脂１３を、第１の充填樹脂１３Ａおよび第２の充填樹脂１３Ｂから構成しても良い。

図６（Ｂ）を参照して、次に、ポスト１８が形成予定の導電箔４０の裏面を部分的にエッチングレジスト４１Ａにより被覆した後に、導電箔４０を裏面からエッチングする。本工程により、紙面にて凸状に下方に突出するポスト１８が形成される。

図６（Ｃ）を参照して、次に、新たなエッチングレジスト４１Ｂにより導電箔４０の裏面を被覆した後に、エッチングを行う。このことにより、再配線１６が形成される。

図６（Ｄ）を参照して、次に、ポスト１８の上部が露出されるように再配線２０をレジスト１９により被覆する。そして、レジスト１９から露出するポスト１８には、半田等から成る外部電極１７が付着して形成される。

以上の工程により、図２（Ｂ）に構造を示すような回路装置１０Ｃが形成される。

１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ回路装置
１１回路素子
１２保護膜
１３充填樹脂
１３Ａ第１の充填樹脂
１３Ｂ第２の充填樹脂
１４電極
１５接続部
１６再配線
１７外部電極
１８ポスト
１９レジスト
２０パッド
３０半導体ウェハ
３１ユニット
３２ダイシングライン
４０導電箔
４１エッチングレジスト
４２分離溝

Claims

集積回路と接続された電極を表面に有する半導体ウェハと、
前記電極の位置に対応して突出した金属からなる接続部と、
前記接続部と一体化された前記金属からなり、前記金属をパターニングした再配線と、
前記再配線と接続された外部電極と、
前記外部電極を除く、前記再配線の前記接続部を設けた側とは反対側の表面、及び前記再配線の側面を覆ったレジストと、
を備えたことを特徴とする回路装置。
前記接続部の側面は、周囲に対して裾広がりの形状であることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
前記半導体ウェハの電極と前記接続部とは第１の半田材料によって接合されており、前記第１の半田材料は、前記外部電極を構成する第２の半田材料よりも高融点の半田材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路装置。