WO2021205892A1 - 半導体封止用樹脂成形材の製造方法、半導体パッケージの製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体封止用樹脂成形材の製造方法、半導体パッケージの製造方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a resin molding material for encapsulating a semiconductor, a method for manufacturing a semiconductor package, and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the semiconductor package is for protecting the semiconductor element from an external impact or the like by sealing the semiconductor element with a thermosetting resin, and is used by electrically connecting to a circuit board, for example, a main board of an electronic device. ..
  • a circuit board for example, a main board of an electronic device. ..
  • the trend of technological development related to electronic devices has been the narrowing of component sizes.
  • the demand for small packages is rapidly increasing in the field of semiconductor packages as well, and there is a demand for semiconductor packages that can be arranged with a large number of connection terminals even though they are small in size.
  • a resin molding material for semiconductor encapsulation containing a thermosetting resin is generally produced as a particulate matter through each step of melt-kneading and pulverizing the raw material. Conductive foreign matter is mixed in from the manufacturing equipment.
  • the obtained resin molding material for encapsulating a semiconductor is used as it is in the form of particles, or is tableted by a locking machine and then used for encapsulating a semiconductor element.
  • Conductive foreign substances include metals mixed in raw materials, metals generated from manufacturing equipment, agglomerates of carbon used in raw materials, and coarse particles called carbon grids.
  • the conductive foreign substance may be caught between metal wires having a narrow pitch and cause a short circuit.
  • Patent Document 1 a method of removing conductive foreign substances using a magnetic separator to obtain a tablet (see, for example, Patent Document 1) has been proposed. Further, a method has been proposed in which a raw material is dissolved in a solvent, conductive foreign substances are removed by a magnetic separator in a low viscosity state, the film is formed into a thin film, dried, and pulverized to obtain a particulate substance (a method). For example, see Patent Document 2). According to the method of Patent Document 2, since kneading and magnetic separation are performed in a state where the viscosity is low, it is said that metal contamination can be suppressed.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a resin molding material for semiconductor encapsulation, a method for manufacturing a semiconductor package, and a method for manufacturing a semiconductor device, which can further reduce the content of conductive foreign substances.
  • ⁇ 1> A method for producing a resin molding material for semiconductor encapsulation, in which a mixture containing a thermosetting resin, a filler and a solvent is sprayed and dried.
  • ⁇ 2> The method for producing a resin molding material for semiconductor encapsulation according to ⁇ 1>, wherein the content of the solvent in the mixture is 10% by mass to 90% by mass.
  • ⁇ 3> The method for producing a resin molding material for semiconductor encapsulation according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the mixture has a viscosity at 25 ° C. of 0.001 Pa ⁇ s to 50 Pa ⁇ s.
  • ⁇ 4> The method for producing a resin molding material for semiconductor encapsulation according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein the mixture is heated and sprayed.
  • ⁇ 5> The method for producing a resin molding material for semiconductor encapsulation according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the volume average particle diameter of the resin molding material for semiconductor encapsulation is 100 ⁇ m to 3 mm.
  • ⁇ 6> The semiconductor encapsulation according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>, wherein the foreign matter is removed by at least one selected from the group consisting of a magnetic separator and a filter before spraying the mixture.
  • a method for manufacturing a resin molding material A method for manufacturing a resin molding material.
  • ⁇ 7> The item according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein the mixture further contains at least one selected from the group consisting of a curing agent, a curing accelerator, a mold release agent, and a colorant.
  • ⁇ 8> A method for manufacturing a semiconductor package, wherein a semiconductor element is sealed using a resin molding material for semiconductor encapsulation obtained by the manufacturing method according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>.
  • ⁇ 9> A method for manufacturing a semiconductor device using a semiconductor package obtained by the manufacturing method according to ⁇ 8>.
  • the present invention it is possible to provide a method for manufacturing a resin molding material for semiconductor encapsulation, a method for manufacturing a semiconductor package, and a method for manufacturing a semiconductor device, which can further reduce the content of conductive foreign substances.
  • the term "process” includes not only a process independent of other processes but also the process if the purpose of the process is achieved even if the process cannot be clearly distinguished from the other process. ..
  • the numerical range indicated by using "-" in the present disclosure includes the numerical values before and after "-" as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the upper limit value or the lower limit value described in one numerical range may be replaced with the upper limit value or the lower limit value of another numerical range described stepwise. ..
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the value shown in the examples.
  • each component may contain a plurality of applicable substances.
  • the content or content of each component is the total content or content of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified.
  • a plurality of types of particles corresponding to each component may be contained.
  • the particle size of each component means a value for a mixture of the plurality of particles present in the composition unless otherwise specified.
  • solid and liquid refer to properties at 25 ° C.
  • ⁇ Manufacturing method of resin molding material for semiconductor encapsulation> a mixture containing a thermosetting resin, a filler and a solvent is sprayed (hereinafter, also referred to as “spraying step”) and dried (hereinafter, also referred to as “drying step”). ).
  • the method for producing a resin molding material for semiconductor encapsulation of the present disclosure may include other steps such as a step of preparing a mixture.
  • the method of the present disclosure it is possible to further reduce the content of conductive foreign matter as compared with the conventional method.
  • a mixture of raw materials is melt-kneaded with a three-roll or the like, and a twin-screw heat extruder may be used. Therefore, the mixture is rolled in a highly viscous state. Continues to contact metal members such as. Therefore, conductive foreign matter is likely to be mixed into the mixture from a metal member such as a roll. Further, since the mixture has a high viscosity, it is difficult for the conductive foreign matter once mixed to escape from the mixture.
  • the kneaded mixture is cooled and then pulverized by a pulverizer to produce a particulate resin molding material for semiconductor encapsulation. The hard mixture after cooling rubs against the blade of the crusher, and conductive foreign matter is mixed as wear powder.
  • the conductive foreign matter is mixed in each manufacturing process, the conductive foreign matter is removed after each step.
  • conductive foreign substances are removed from each of the raw materials before preparing the mixture, the prepared mixture, and the resin molding material for semiconductor encapsulation after pulverization, which is a complicated process.
  • the method of removing the conductive foreign matter using the magnetic separators of Patent Document 1 and Patent Document 2 is not sufficient for removing the fine conductive foreign matter and the weakly magnetic conductive foreign matter. Further, in order to obtain a particulate matter, it is finally necessary to crush it with a crusher as in Patent Document 2, and a conductive foreign substance is mixed in this step.
  • the viscosity of the mixture can be lowered and there is no friction with a metal member such as a crushing blade.
  • a metal member such as a crushing blade.
  • the content of the conductive foreign matter in the resin molding material for semiconductor encapsulation can be remarkably reduced.
  • the content of fine conductive foreign matter and weakly magnetic conductive foreign matter can be suppressed.
  • the kneading step, the cooling step, the crushing step, and the step of removing the conductive foreign matter after each step can be omitted, which is a simple method.
  • a method for producing the resin molding material for semiconductor encapsulation of the present disclosure will be described for each process.
  • the raw material may contain at least a thermosetting resin and a filler, and may further contain a curing agent, a curing accelerator, a mold release agent, a coloring agent, and the like. Further, as a raw material, an additive generally used as a sealing material may be contained.
  • thermosetting resin is not particularly limited, and is preferably solid at 25 ° C. from the viewpoint of workability or handleability.
  • Specific examples thereof include epoxy resin, unsaturated polyester resin, polyamide resin, polyamide-imide resin, phenol resin, and melamine resin, and it is preferable to include epoxy resin from the viewpoint of sealing property.
  • epoxy resin those usually used as a sealing material can be appropriately applied.
  • thermosetting resin liquid at 25 ° C. may be used in combination, and the thermosetting resin solid at 25 ° C. is contained in the total amount of the thermosetting resin solid at 25 ° C. and the thermosetting resin liquid at 25 ° C.
  • the ratio is preferably 85% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, further preferably 95% by mass or more, and particularly preferably 98% by mass or more.
  • the epoxy resin is at least one selected from the group consisting of phenol compounds such as phenol, cresol, xylenol, resorcin, catechol, bisphenol A, and bisphenol F, and naphthol compounds such as ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol, and dihydroxynaphthalene.
  • a novolak type epoxy resin (phenol novolak type) which is an epoxidized novolak resin obtained by condensing or cocondensing a seed phenolic compound and an aliphatic aldehyde compound such as formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, etc. under an acidic catalyst.
  • Diphenylmethane type epoxy resin which is a diglycidyl ether such as A and bisphenol F; biphenyl type epoxy resin which is an alkyl-substituted or unsubstituted biphenol diglycidyl ether; stillben type epoxy resin which is a diglycidyl ether of a stilben-based phenol compound; bisphenol Sulfur atom-containing epoxy resin such as diglycidyl ether such as S; epoxy resin which is glycidyl ether of alcohols such as butanediol, polyethylene glycol and polypropylene glycol; polyhydric carboxylic acid compound such as phthalic acid, isophthalic acid and tetrahydrophthalic acid Glycidyl ester type epoxy resin, which is a glycidyl ester of Dicyclopentadiene-type epoxy resin, which is an epoxide of a condensed resin; vinylcyclohexene diepoxide, which is an e
  • an inorganic filler As the filler, a material generally used as a sealing material can be appropriately applied, and an inorganic filler is preferable.
  • the material of the inorganic filler molten silica, crystalline silica, glass, alumina, calcium carbonate, zirconium silicate, calcium silicate, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, magnesium oxide, silicon carbide, beryllia, zirconia, Examples thereof include inorganic materials such as zircone, fosterite, steatite, spinel, mulite, titania, talc, clay and mica.
  • the shape of the filler is not particularly limited, and examples thereof include powder, spherical shape, fiber, and the like, and spherical shape is preferable from the viewpoint of filling property and reduction of wear of the sealing mold.
  • spherical molten silica particles, crushed silica particles and the like are preferable.
  • the filler may be used alone or in combination of two or more.
  • "using two or more kinds of fillers together” means, for example, when two or more kinds of fillers having the same component but different average particle diameters are used, when two or more kinds of fillers having the same average particle size but different components are used, and when the average. There are cases where two or more types of fillers having different particle sizes and types are used.
  • the filler content is not particularly limited. From the viewpoint of further improving the properties such as the coefficient of thermal expansion, thermal conductivity, and elastic modulus of the cured product after sealing, the filler content is 70% by mass to 95% by mass of the entire resin molding material for semiconductor encapsulation. It is preferably 75% by mass to 90% by mass, and more preferably 75% by mass to 90% by mass.
  • the content of the filler in the resin molding material for semiconductor encapsulation is measured as follows. First, the total mass of the cured product (molded product) of the resin molding material for semiconductor encapsulation was measured, and the molded product was fired at 400 ° C. for 2 hours and then at 700 ° C. for 3 hours to evaporate the resin component and the remaining filler. Measure the mass of. From each of the obtained masses, the ratio of the mass of the filler to the total mass of the resin molding material for encapsulating the semiconductor is obtained and used as the filler content.
  • the average particle size of the filler is not particularly limited.
  • the volume average particle size of the filler is preferably 0.1 ⁇ m to 150 ⁇ m, and more preferably 0.5 ⁇ m to 75 ⁇ m.
  • the volume average particle size of the filler can be measured as the particle size (D50) when the accumulation from the small diameter side is 50% in the volume-based particle size distribution measured by the laser scattering diffraction method particle size distribution measuring device. ..
  • the curing agent is not particularly limited, and a commonly used sealing material can be appropriately applied.
  • a phenol curing agent when an epoxy resin is used as the thermosetting resin, a phenol curing agent, an amine curing agent, an acid anhydride curing agent, a polymercaptan curing agent, a polyaminoamide curing agent, an isocyanate curing agent, a blocked isocyanate curing agent and the like can be mentioned. Be done.
  • the curing agent preferably has a phenolic hydroxyl group in the molecule (phenol curing agent).
  • phenol curing agent When a phenol curing agent is used, the allowable range of temperature control in the spraying step and the drying step is wide, and the particle size, particle shape, etc. of the obtained particulate resin molding material for encapsulating a semiconductor tend to be excellent in uniformity.
  • the phenol curing agent is a polyhydric phenol compound such as resorsin, catecor, bisphenol A, bisphenol F, substituted or unsubstituted biphenol; phenol, cresol, xylenol, resorsin, catecol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol.
  • phenol compounds such as aminophenols and naphthol compounds such as ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol and dihydroxynaphthalene
  • aldehydes such as formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde and salicylaldehyde.
  • Novorac-type phenolic resin obtained by condensing or co-condensing a compound under an acidic catalyst; phenol-aralkyl resin, naphthol-aralkyl resin, etc.
  • the curing agent one type may be used alone or two or more types may be used in combination.
  • the equivalent ratio of the epoxy resin to the curing agent that is, the number of functional groups in the curing agent with respect to the number of epoxy groups in the epoxy resin.
  • the ratio is not particularly limited.
  • the equivalent ratio is preferably set in the range of 0.5 to 2.0, and more preferably set in the range of 0.7 to 1.2, from the viewpoint of suppressing each unreacted component to a small amount.
  • the curing accelerator is not particularly limited, and those generally used as a sealing material can be appropriately applied.
  • the curing accelerator include diazabicyclo such as 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nonen-5 (DBN) and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7 (DBU).
  • Cyclic amidin compounds such as arcen, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-heptadecylimidazole; derivatives of the cyclic amidin compound; phenol novolac salts of the cyclic amidin compound or derivatives thereof.
  • These compounds include maleic anhydride, 1,4-benzoquinone, 2,5-turquinone, 1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylbenzoquinone, 2,6-dimethylbenzoquinone, 2,3-dimethoxy-5-methyl.
  • Intramolecular polarization by adding a quinone compound such as -1,4-benzoquinone, 2,3-dimethoxy-1,4-benzoquinone, phenyl-1,4-benzoquinone, or a compound having a ⁇ bond such as diazophenylmethane.
  • Cyclic amidinium compounds such as tetraphenylborate salt of DBU, tetraphenylborate salt of DBN, tetraphenylborate salt of 2-ethyl-4-methylimidazole, tetraphenylborate salt of N-methylmorpholin; pyridine, triethylamine , Triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris (dimethylaminomethyl) phenol and other tertiary amine compounds; derivatives of the tertiary amine compound; tetra-n-butylammonium acetate, tetra-phosphate Ammonium salt compounds such as n-butylammonium, tetraethylammonium acetate, tetra-n-hexylammonium benzoate, tetrapropylammonium hydroxide; triphenylphosphine,
  • the curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the curing accelerator is not particularly limited, and for example, 0. It is preferably 1% by mass to 5.0% by mass, and more preferably 0.15% by mass to 0.35% by mass in consideration of the fluidity of the resin molding material for semiconductor encapsulation.
  • the release agent is not particularly limited, and a commonly used sealing material can be appropriately applied.
  • Specific examples of the release agent include higher fatty acids such as carnauba wax, montanic acid and stearic acid, ester waxes such as higher fatty acid metal salts and montanic acid esters, and polyolefin waxes such as polyethylene oxide and non-oxidized polyethylene. Be done.
  • the release agent may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the mold release agent is preferably 0.01 part by mass to 10 parts by mass, and 0.1 parts by mass to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component. Parts by mass are more preferred.
  • the content of the release agent is 0.01 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the resin component, the release property tends to be sufficiently obtained.
  • the content of the release agent is 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin component, better adhesiveness tends to be obtained. Further, the mixture containing the release agent tends to suppress adhesion to the inner wall of the drying tower during spray drying.
  • the inner wall of the drying tower may be coated with fluorine, silicone or the like.
  • the colorant is not particularly limited, and conventionally known colorants can be used.
  • the colorant include known colorants such as carbon black, organic dyes, organic pigments, titanium oxide, lead tan, and red iron oxide.
  • the content of the colorant can be appropriately selected according to the purpose and the like.
  • one type may be used alone or two or more types may be used in combination.
  • the resin molding material for semiconductor encapsulation may contain various additives generally used in the art, if necessary.
  • the ion exchanger is not particularly limited, and conventionally known ones can be used. Specific examples thereof include hydrotalcite compounds and hydroxides containing at least one element selected from the group consisting of magnesium, aluminum, titanium, zirconium and bismuth. As the ion exchanger, one type may be used alone or two or more types may be used in combination.
  • the content of the ion exchanger is not particularly limited as long as it is sufficient to capture ions such as halogen ions.
  • the content of the ion exchanger is preferably 0.1 part by mass to 30 parts by mass, and more preferably 1 part by mass to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component.
  • the flame retardant is not particularly limited, and conventionally known flame retardants can be used. Specific examples thereof include organic or inorganic compounds containing halogen atoms, antimony atoms, nitrogen atoms or phosphorus atoms, metal hydroxides and the like. The flame retardant may be used alone or in combination of two or more.
  • the silane coupling agent is not particularly limited, and conventionally known ones can be used. Specifically, vinyltrichlorosilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris ( ⁇ -methoxyethoxy) silane, ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane, ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ -gly Sidoxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane, ⁇ -aminopropyltriethoxysilane, ⁇ - [bis ( ⁇ -hydroxyethyl)] aminopropyltriethoxysilane, N- ⁇ - ( Aminoethyl) - ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, ⁇ - ( ⁇ -aminoethyl) aminopropyldimethoxymethylsilane, N-
  • the stress relaxation agent is not particularly limited, and conventionally known ones can be used. Specifically, thermoplastic elastomers such as silicone-based, styrene-based, olefin-based, urethane-based, polyester-based, polyether-based, polyamide-based, and polybutadiene-based, NR (natural rubber), NBR (acrylonitrile-butadiene rubber), and acrylic. Rubber particles such as rubber, urethane rubber, silicone powder, core-shell such as methyl methacrylate-styrene-butadiene copolymer (MBS), methyl methacrylate-silicone copolymer, methyl methacrylate-butyl acrylate copolymer Examples include rubber particles having a structure. As the stress relaxation agent, one type may be used alone or two or more types may be used in combination.
  • the solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the raw material of the resin molding material for semiconductor encapsulation.
  • it may be at least one selected from the group consisting of hydrocarbons, esters, ketones, and alcohols from the viewpoint of having a small environmental load and easily dissolving the raw material.
  • the solvent when the solvent is a ketone, the thermosetting component is particularly easily dissolved.
  • the solvent is at least one selected from the group consisting of benzene, toluene, cyclohexanone, acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone (MIBK) from the viewpoint of low volatilization at room temperature (25 ° C.) and easy removal during drying. It may be there.
  • the solvent one type may be used alone or two or more types may be used in combination.
  • the content of the solvent in the mixture is not particularly limited. In the next spraying step, it is preferable to appropriately adjust the viscosity of the mixture so that particles of a desired size can be obtained. Therefore, it is preferable that the content of the solvent in the mixture is also appropriately adjusted according to the desired viscosity of the mixture. Specifically, the content of the solvent in the mixture is preferably 10% by mass to 90% by mass. When the content of the solvent is 10% by mass or more, the viscosity of the mixture is appropriately suppressed and it becomes easy to spray, and when it is 90% by mass or less, the energy required for drying and removing the solvent can be suppressed and the productivity can be suppressed. Excellent for.
  • the content of the solvent in the mixture is more preferably 20% by mass to 70% by mass. When the content of the solvent is 20% by mass to 70% by mass, the spray stability and productivity tend to be better.
  • the viscosity of the mixture at 25 ° C. is preferably 0.001 Pa ⁇ s to 50 Pa ⁇ s, more preferably 1 Pa ⁇ s to 30 Pa ⁇ s.
  • the viscosity of the mixture at 25 ° C. is 0.001 Pa ⁇ s or more, the separation of the filler and the curable resin is suppressed after spraying, and the fluidity when sealing with the obtained resin molding material for semiconductor encapsulation is obtained. It tends to be excellent.
  • the viscosity of the mixture at 25 ° C. is 50 Pa ⁇ s or less, the stability of spraying tends to be excellent.
  • the viscosity of the mixture is measured using an E-type viscometer or a B-type viscometer at 25 ° C. and a rotation speed of 20 rpm to 60 rpm.
  • the method of mixing the above raw materials and the solvent is not particularly limited, and may be mixed by a mixer.
  • the mixer include a stirring mixer using a stirring blade, a triple roll, a biaxial continuous kneader, a self-revolving mixer, a static mixer, and a planetary mixer.
  • the stirring time and stirring speed are preferably set as appropriate.
  • the raw materials and the solvent may be mixed in a batch in all of them, or a part of them may be mixed and then the remaining amount may be added and mixed.
  • the mixture obtained above may be decontaminated by at least one selected from the group consisting of a magnetic separator and a filter before the next spraying step and drying step.
  • the foreign matter removal step may be performed after the spraying step and the drying step, but when the foreign matter is removed from the liquid (slurry) mixture rather than after the solid particulate matter is formed, the foreign matter is removed. Excellent removal efficiency.
  • conductive foreign matter such as conductive metal foreign matter
  • non-conductive foreign matter in addition to conductive foreign matter such as conductive metal foreign matter, general foreign matter such as non-conductive foreign matter may be removed.
  • conductive foreign matter other than the conductive metal foreign matter include coarse carbon particles
  • non-conductive foreign matter include corrosive foreign matter containing elements such as halogen and sulfur.
  • the magnetic separator is not particularly limited as long as it can attract the conductive foreign matter by magnetic force and separate the conductive foreign matter from the mixture.
  • Examples of the magnetic separator include the magnetic separators described in JP-A-9-173890 and JP-A-2004-9005.
  • a general filter used for removing foreign matter may be used, and examples thereof include a cartridge filter, a fiber filter medium, a strainer, a magnet filter, and the like, and it is preferable to use a magnet filter.
  • a magnet filter and a general filtration filter may be used in combination.
  • the mixture obtained above is sprayed and dried.
  • a particle-shaped resin molding material for encapsulating a semiconductor can be obtained.
  • the spraying step and the drying step may be independent steps, but it is preferable to dry while spraying. Examples of the method of drying while spraying include a method using a spray drying device.
  • the mixture (slurry) is sprayed from the upper part in the vertical direction into an appropriately heated drying air stream. This removes the solvent in the mixture and gives solid granules.
  • Air, nitrogen gas, or the like may be used as the drying air flow. Examples of the method of spraying with a spray-drying device include a nozzle method and a disk method.
  • the inlet temperature and the outlet temperature from the viewpoint of adjusting the particle size of the resin molding material for semiconductor encapsulation, removing the solvent, and the like.
  • the inlet temperature and outlet temperature can be appropriately adjusted according to the type and concentration of the raw material and the solvent. It is also preferable to appropriately set the spray rate. The spraying rate can also be appropriately adjusted according to the type and concentration of the raw material and the solvent.
  • the slurry may be heated and sprayed so that the solvent can be easily removed.
  • the heating temperature can be appropriately set, and may be, for example, 30 ° C. or higher, 35 ° C. or higher, or 40 ° C. or higher.
  • the slurry may be cooled and sprayed from the viewpoint of suppressing volatilization of the solvent in the material storage container.
  • the cooling temperature can be appropriately set, and may be, for example, 23 ° C. or lower, or 20 ° C. or lower.
  • the granulated resin molding material for semiconductor encapsulation falls due to gravity, and is collected and collected by a cyclone, a bag filter, etc. from the lower part in the vertical direction of the spray drying device.
  • the entire amount of the resin molding material for encapsulating the semiconductor in the form of particles may be collected in a back filter without using a cyclone. Further, the removed solvent may be recovered by a capacitor.
  • the volume average particle size of the granulated resin molding material for encapsulating a semiconductor is preferably 100 ⁇ m to 3 mm, more preferably 200 ⁇ m to 1 mm, and even more preferably 220 ⁇ m to 1 mm.
  • the volume average particle size is 100 ⁇ m or more, the collection efficiency is improved, and the fluidity when sealing with the obtained resin molding material for encapsulating a semiconductor tends to be excellent.
  • the volume average particle size is 3 mm or less, poor appearance during tablet molding tends to be suppressed.
  • the granulated resin molding material for encapsulating a semiconductor may be an amorphous secondary agglomerate in which a few fillers are gathered and the amorphous primary agglomerates are further aggregated to become larger.
  • the volume average particle size of the resin molding material for semiconductor encapsulation is measured by a laser diffraction method, and can be measured by using a laser diffraction scattering particle size distribution measuring device (for example, LS230 manufactured by Beckman Coulter). be.
  • a laser diffraction scattering particle size distribution measuring device for example, LS230 manufactured by Beckman Coulter.
  • the particulate resin molding material for semiconductor encapsulation recovered from the spray-drying apparatus may be further subjected to a sieving step to be granulated.
  • a sieve such as a vibrating sieve can be used.
  • at least one of the coarse powder and the fine powder may be removed depending on the semiconductor element to be applied.
  • the particle-shaped resin molding material for encapsulating a semiconductor may be used for encapsulating a semiconductor element in the form of particles, or may be used for encapsulating a semiconductor element after being molded into a tablet. Tablet molding can be performed by a general method for encapsulants.
  • the resin molding material for semiconductor encapsulation in the present disclosure can effectively remove conductive foreign substances having a diameter of about 45 ⁇ m or more as compared with the conventional ones.
  • the content of conductive foreign matter having a diameter of about 100 ⁇ m or less can be reduced.
  • the content of weakly magnetic conductive foreign matter can also be reduced.
  • the maximum particle size of the conductive foreign matter in the resin molding material for semiconductor encapsulation can be 45 ⁇ m or less.
  • the resin molding material for semiconductor encapsulation in the present disclosure can be suitably applied even to a semiconductor element having a wire pitch of 150 ⁇ m or less and further 100 ⁇ m or less.
  • a semiconductor element is sealed using a resin molding material for sealing a semiconductor obtained by the above-mentioned manufacturing method.
  • the sealing method of the semiconductor element include a transfer molding method, an injection molding method, a compression molding method, and a casting method.
  • a transfer molding method a tableted resin molding material for semiconductor encapsulation is often used, and in the compression molding method, a resin molding material for encapsulating a semiconductor in the form of particles is often used.
  • the relationship between the sealing method and the shape of the resin molding material for semiconductor encapsulation is not limited to these.
  • general methods in the field of semiconductor device encapsulation can be applied.
  • semiconductor elements include active elements such as semiconductor chips, transistors, diodes and thyristors, and passive elements such as capacitors, resistors and coils.
  • DIP Device Inline Package
  • PLCC Physical Leaded Chip Carrier
  • QFP Quad Flat Package
  • SOP Small Outline Package
  • SOJ SmallLetagePage
  • SOJ SmallLetagePage
  • a general resin-sealed IC such as (Thin Quad Flat Package); a TCP (Tape Carrier Package) having a structure in which a semiconductor element connected to a tape carrier with a bump is sealed with a resin molding material for semiconductor encapsulation; a support member.
  • a COB Chip On Board
  • hybrid IC multi-chip having a structure in which a semiconductor element connected to the wiring formed above by wire bonding, flip chip bonding, solder, etc.
  • a resin molding material for semiconductor encapsulation for semiconductor encapsulation.
  • Modules, etc . for semiconductor encapsulation, after mounting a semiconductor element on the front surface of a support member having terminals for connecting wiring plates on the back surface and connecting the semiconductor element and the wiring formed on the support member by bump or wire bonding. Examples thereof include BGA (Ball Grid Array), CSP (Chip Size Package), and MCP (Multi Chip Package) having a structure in which a semiconductor element is sealed with a resin molding material. Further, a resin molding material for encapsulating a semiconductor can also be preferably used in a printed wiring board.
  • the semiconductor device manufacturing method of the present disclosure uses a semiconductor package obtained by the above-mentioned manufacturing method.
  • the semiconductor device include devices in which a semiconductor package is mounted on a support member such as a lead frame, a pre-wired tape carrier, a wiring plate, glass, a silicon wafer, and an organic substrate.
  • Each component is blended in the above ratio, 100 ml (80 g) of acetone is added as a dissolving solvent, and 30 rotations / minute with a planetary mixer for 10 minutes, and 100 ml (80 g) of acetone is further added at 100 rotations / minute for 30 minutes at 35 ° C.
  • the mixture was heated and stirred to prepare a slurry (solid content: 86% by mass, viscosity at 25 ° C.: 0.02 Pa ⁇ s).
  • the prepared slurry was filtered through a magnet filter in which a magnet of 11,000 gauss was arranged, and then further filtered using a polypropylene filter having a filtration accuracy of 40 ⁇ m.
  • the inlet temperature of the spray dryer B-290 (Nippon Buch Co., Ltd., trade name) was set to 90 ° C. and the outlet temperature was set to 60 ° C., and the slurry cooled to 20 ° C. was sprayed at 20 ml / min to form a particulate semiconductor.
  • a resin molding material for sealing was obtained.
  • Example 2 In Example 1, a particulate semiconductor encapsulating resin was obtained in the same manner as in Example 1 except that the slurry cooled to an inlet temperature of 25 ° C., an outlet temperature of 25 ° C., and 20 ° C. was changed to be sprayed at 10 ml / min. A molding material was obtained.
  • Example 3 In Example 1, a particulate resin molding material for a semiconductor was obtained in the same manner as in Example 1 except that the slurry was sprayed while the temperature of the slurry was heated to 40 ° C.
  • Example 4 In Example 2, a particulate resin molding material for a semiconductor was obtained in the same manner as in Example 2 except that the slurry was sprayed while the temperature of the slurry was heated to 40 ° C.
  • Example 1 Each component shown in Example 1 was blended in the ratio of Example 1, and the blended powder was mixed with a Henschel mixer, and then heat-kneaded by an extrusion kneader. The obtained kneaded product was stretched into a sheet, and then a pulverizer was used to obtain a particle-shaped resin composition for encapsulating a semiconductor.

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Abstract

導電性異物の含有量をさらに低減することが可能な半導体封止用樹脂成形材の製造方法、半導体パッケージの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。　半導体封止用樹脂成形材の製造方法は、熱硬化性樹脂、フィラー及び溶媒を含有する混合物を噴霧し、乾燥する。

Description

半導体封止用樹脂成形材の製造方法、半導体パッケージの製造方法、及び半導体装置の製造方法
　本発明は、半導体封止用樹脂成形材の製造方法、半導体パッケージの製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
　半導体パッケージは、半導体素子が熱硬化性樹脂により封止され、外部の衝撃等から半導体素子を保護するためのものであり、回路基板、例えば電子機器のメインボードに電気的に接続して使用する。近年、電子機器に関する技術開発のトレンドは、部品サイズの狭小化である。これに伴い半導体パッケージの分野においても、小型パッケージの需要が急増しており、サイズが小型でありながらも多数の接続端子を配置できる半導体パッケージが要求されている。
　このように小型化及び高性能化が進むと、それに伴い半導体パッケージ内部の金属ワイヤーのピッチも狭くなり、最新では、金属ワイヤーのピッチが１００μｍ弱のものも存在する。
　熱硬化性樹脂を含む半導体封止用樹脂成形材は、一般的に、原料の溶融混練、及び粉砕の各工程を経て粒子状物として製造されるため、原料、及び混練機、粉砕機等の製造装置から導電性異物が混入する。得られた半導体封止用樹脂成形材は、粒子状のまま用いるか、あるいは打錠機によりタブレット化してから、半導体素子の封止に用いられる。
　導電性異物には、原材料に混入している金属、製造設備から発生する金属、原材料で使用するカーボンの凝集物、カーボングリッドと呼ばれる粗大粒子等がある。導電性異物が混入した半導体封止用樹脂成形材を用いて半導体素子を封止すると、導電性異物が狭ピッチの金属ワイヤー間等に挟まり、短絡を引き起こすおそれがある。
　導電性異物の混入を低減するという課題について、例えば、磁選機を用いて導電性異物の除去を行い、タブレットを得る方法（例えば、特許文献１参照）が提案されている。さらに、原料を溶媒に溶解させて、粘度の低い状態で磁選機により導電性異物を除去してから、薄膜状にして乾燥し、粉砕することで粒子状物を得る方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の方法によれば、粘度が低い状態で混練及び磁選を行うため金属の混入が抑えられるとされている。
特開２００６－２９４６７７号公報 特開２０１１－２５２０４１号公報
　しかしながら、磁選機を用いる除去方法では、サイズの大きい導電性金属異物及び強磁性の導電性金属異物についての除去は可能であるが、微細な（例えば、直径約１００μｍ以下）導電性金属異物、弱磁性の導電性金属異物、及びカーボンの粗大粒子の除去は充分に行うことはできない。
　本発明の課題は、導電性異物の含有量をさらに低減することが可能な半導体封止用樹脂成形材の製造方法、半導体パッケージの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
　前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞　熱硬化性樹脂、フィラー及び溶媒を含有する混合物を噴霧し、乾燥する、半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
＜２＞　前記混合物における溶媒の含有率が、１０質量％～９０質量％である、＜１＞に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
＜３＞　前記混合物の２５℃での粘度が、０．００１Ｐａ・ｓ～５０Ｐａ・ｓである、＜１＞又は＜２＞に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
＜４＞　前記混合物を加温して噴霧する、＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
＜５＞　前記半導体封止用樹脂成形材の体積平均粒子径が、１００μｍ～３ｍｍである、＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
＜６＞　前記混合物を噴霧する前に、磁選機及びフィルターからなる群より選択される少なくとも１種により異物を除去する、＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
＜７＞　前記混合物が、硬化剤、硬化促進剤、離型剤、及び着色剤からなる群より選択される少なくとも１種をさらに含む、＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
＜８＞　＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の製造方法により得られる半導体封止用樹脂成形材を用いて半導体素子を封止する、半導体パッケージの製造方法。
＜９＞　＜８＞に記載の製造方法により得られる半導体パッケージを用いる、半導体装置の製造方法。
　本発明によれば、導電性異物の含有量をさらに低減することが可能な半導体封止用樹脂成形材の製造方法、半導体パッケージの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
　本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
　本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
　本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
　本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
　本開示において、固形及び液状とは、２５℃での性状をいう。
＜半導体封止用樹脂成形材の製造方法＞
　本開示の半導体封止用樹脂成形材の製造方法では、熱硬化性樹脂、フィラー及び溶媒を含有する混合物を噴霧し（以下「噴霧工程」ともいう）、乾燥する（以下「乾燥工程」ともいう）。本開示の半導体封止用樹脂成形材の製造方法は、混合物の調製工程等、その他の工程を有してもよい。
　本開示の方法によれば、従来の方法に比べて、導電性異物の含有量をさらに低減することが可能である。特に、半導体封止用樹脂成形材を製造する際に用いる製造装置に由来する４５μｍ以上の導電性異物を効果的に除去することが可能であり、狭ピッチの半導体装置の短絡不良を低減することが可能となる。
　従来の半導体封止用樹脂成形材の製造方法では、原料の混合物を三本ロール等で溶融混練し、さらには二軸の加熱押出機を用いることがあるため、混合物が高粘度な状態でロール等の金属部材に接触し続けている。そのため、混合物には、ロール等の金属部材から導電性異物が混入しやすい。また、混合物が高粘度であることから、一旦混入した導電性異物は混合物から抜けにくくなっている。混練した混合物は冷却した後、粉砕機により粉砕して粒子状の半導体封止用樹脂成形材が製造される。冷却後の硬い混合物は粉砕機の刃と摩擦し、摩耗紛として導電性異物が混入する。
　さらに、従来の方法では、製造工程毎に導電性異物が混入するため、工程後毎に導電性異物を除去している。例えば、混合物を調製する前の原料について、調製した混合物について、及び粉砕後の半導体封止用樹脂成形材について、それぞれ導電性異物の除去を行っており、煩雑な工程となっている。
　なお、特許文献１及び特許文献２等の磁選機を用いて導電性異物の除去を行う方法では、前述の通り、微細な導電性異物及び弱磁性の導電性異物の除去が充分ではない。さらに、粒子状物を得るためには、特許文献２のように、最終的に粉砕機による粉砕が必要であり、この工程で導電性異物が混入する。
　これに対して、本開示の方法では、原料を溶媒に溶解するため、混合物の粘度を低くすることができ、且つ粉砕刃等の金属部材との摩擦がない。これにより、半導体封止用樹脂成形材における導電性異物の含有量を著しく低減することができる。また、微細な導電性異物及び弱磁性の導電性異物の含有量も抑えることができる。
　さらに、本開示の方法では、混練工程、冷却工程、及び粉砕工程、並びにそれぞれの工程後の導電性異物の除去工程を省略することができ、簡便な方法となっている。
　以下、本開示の半導体封止用樹脂成形材の製造方法を工程毎に説明する。
（混合物の調製工程）
　混合物の調製工程では、半導体封止用樹脂成形材の原料と、溶媒とを混合する。原料としては、熱硬化性樹脂とフィラーとを少なくとも含み、さらに硬化剤、硬化促進剤、離型剤、着色剤等を含んでいてもよい。また、原料として、封止材料として一般的に用いられる添加剤を含有してもよい。
　熱硬化性樹脂としては、特に制限されず、作業性又はハンドリング性の観点から、２５℃で固形であることが好ましい。具体的には、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等が挙げられ、封止性の観点から、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂としては、封止材として通常用いられるものを適宜適用することができる。
　２５℃で液状の熱硬化性樹脂を併用してもよく、２５℃で固形の熱硬化性樹脂と２５℃で液状の熱硬化性樹脂との総量に対する２５℃で固形の熱硬化性樹脂の含有率は、８５質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、９５質量％以上であることが更に好ましく、９８質量％以上であることが特に好ましい。２５℃で固形の熱硬化性樹脂の含有率が上記範囲であると、噴霧工程での取り扱い性に優れ、得られる粒子状の半導体封止用樹脂成形材の粒子径、粒子形状等の均一性に優れる傾向にある。
　エポキシ樹脂として具体的には、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール化合物及びα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のフェノール性化合物と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド等の脂肪族アルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したものであるノボラック型エポキシ樹脂（フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等）；上記フェノール性化合物と、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等の芳香族アルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるトリフェニルメタン型フェノール樹脂をエポキシ化したものであるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂；上記フェノール化合物及びナフトール化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒下で共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したものである共重合型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のジグリシジルエーテルであるジフェニルメタン型エポキシ樹脂；アルキル置換又は非置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂；スチルベン系フェノール化合物のジグリシジルエーテルであるスチルベン型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ等のジグリシジルエーテルである硫黄原子含有エポキシ樹脂；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテルであるエポキシ樹脂；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等の多価カルボン酸化合物のグリシジルエステルであるグリシジルエステル型エポキシ樹脂；アニリン、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したものであるグリシジルアミン型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエンとフェノール化合物の共縮合樹脂をエポキシ化したものであるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；分子内のオレフィン結合をエポキシ化したものであるビニルシクロヘキセンジエポキシド、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２－（３，４－エポキシ）シクロヘキシル－５，５－スピロ（３，４－エポキシ）シクロヘキサン－ｍ－ジオキサン等の脂環型エポキシ樹脂；パラキシリレン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるパラキシリレン変性エポキシ樹脂；メタキシリレン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるメタキシリレン変性エポキシ樹脂；テルペン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるテルペン変性エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるジシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂；シクロペンタジエン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂；多環芳香環変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルである多環芳香環変性エポキシ樹脂；ナフタレン環含有フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるナフタレン型エポキシ樹脂；ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ハイドロキノン型エポキシ樹脂；トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂；オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂；フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂をエポキシ化したものであるアラルキル型エポキシ樹脂；などが挙げられる。さらにはシリコーン樹脂のエポキシ化物、アクリル樹脂のエポキシ化物等もエポキシ樹脂として挙げられる。
　フィラーとしては、封止材料として一般的に用いられるものを適宜適用することができ、無機フィラーであることが好ましい。無機フィラーの材質として具体的には、溶融シリカ、結晶シリカ、ガラス、アルミナ、炭酸カルシウム、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸カルシウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、炭化ケイ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア、タルク、クレー、マイカ等の無機材料が挙げられる。
　フィラーの形状は、特に制限されず、粉体、球形、繊維等が挙げられ、充填性及び封止金型の摩耗低減の点からは、球形が好ましい。
　無機フィラーとしては、球状溶融シリカ粒子、破砕シリカ粒子等が好ましい。
　フィラーは、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。なお、「フィラーを２種以上併用する」とは、例えば、同じ成分で平均粒子径が異なるフィラーを２種類以上用いる場合、平均粒子径が同じで成分の異なるフィラーを２種類以上用いる場合並びに平均粒子径及び種類の異なるフィラーを２種類以上用いる場合が挙げられる。
　フィラーの含有率は、特に制限されない。封止後の硬化物の熱膨張係数、熱伝導率、弾性率等の特性をより向上させる観点からは、フィラーの含有率は、半導体封止用樹脂成形材全体の７０質量％～９５質量％であることが好ましく、７５質量％～９０質量％であることがより好ましい。
　半導体封止用樹脂成形材中のフィラーの含有率は、次のようにして測定される。まず、半導体封止用樹脂成形材の硬化物（成形物）の総質量を測定し、成形物を４００℃で２時間、次いで７００℃で３時間焼成し、樹脂成分を蒸発させ、残存したフィラーの質量を測定する。得られた各質量から半導体封止用樹脂成形材の総質量に対するフィラーの質量の割合を得て、フィラーの含有率とする。
　フィラーの平均粒子径は、特に制限されない。例えば、フィラーの体積平均粒子径は、０．１μｍ～１５０μｍであることが好ましく、０．５μｍ～７５μｍであることがより好ましい。フィラーの体積平均粒子径は、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置により測定された体積基準の粒度分布において、小径側からの累積が５０％となるときの粒子径（Ｄ５０）として測定することができる。
　硬化剤としては、特に制限されず、封止材料として一般的に用いられるものを適宜適用することができる。例えば、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合には、フェノール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物硬化剤、ポリメルカプタン硬化剤、ポリアミノアミド硬化剤、イソシアネート硬化剤、ブロックイソシアネート硬化剤等が挙げられる。耐熱性向上の観点からは、硬化剤は、フェノール性水酸基を分子中に有するもの（フェノール硬化剤）が好ましい。フェノール硬化剤を用いると、噴霧工程及び乾燥工程での温度制御の許容範囲が広く、得られる粒子状の半導体封止用樹脂成形材の粒子径、粒子形状等の均一性に優れる傾向にある。
　フェノール硬化剤として具体的には、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、置換又は非置換のビフェノール等の多価フェノール化合物；フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール化合物及びα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種のフェノール性化合物と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂；上記フェノール性化合物と、ジメトキシパラキシレン、ビス（メトキシメチル）ビフェニル等とから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂；パラキシリレン及び／又はメタキシリレン変性フェノール樹脂；メラミン変性フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂；上記フェノール性化合物と、ジシクロペンタジエンとから共重合により合成されるジシクロペンタジエン型フェノール樹脂及びジシクロペンタジエン型ナフトール樹脂；シクロペンタジエン変性フェノール樹脂；多環芳香環変性フェノール樹脂；ビフェニル型フェノール樹脂；上記フェノール性化合物と、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等の芳香族アルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるトリフェニルメタン型フェノール樹脂；これら２種以上を共重合して得たフェノール樹脂などが挙げられる。
　硬化剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用い、且つ半導体封止用樹脂成形材が硬化剤を含有する場合、エポキシ樹脂と硬化剤との当量比、すなわちエポキシ樹脂中のエポキシ基数に対する硬化剤中の官能基数の比（硬化剤中の官能基数／エポキシ樹脂中のエポキシ基数）は、特に制限されない。それぞれの未反応分を少なく抑える関連からは、当量比は０．５～２．０の範囲に設定されることが好ましく、０．７～１．２の範囲に設定されることがより好ましい。
　硬化促進剤としては、特に限定されず、封止材料として一般的に用いられるものを適宜適用することができる。
　硬化促進剤としては、例えば、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン－５（ＤＢＮ）、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７（ＤＢＵ）等のジアザビシクロアルケン、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール等の環状アミジン化合物；前記環状アミジン化合物の誘導体；前記環状アミジン化合物又はその誘導体のフェノールノボラック塩；これらの化合物に無水マレイン酸、１，４－ベンゾキノン、２，５－トルキノン、１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルベンゾキノン、２，６－ジメチルベンゾキノン、２，３－ジメトキシ－５－メチル－１，４－ベンゾキノン、２，３－ジメトキシ－１，４－ベンゾキノン、フェニル－１，４－ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタンなどの、π結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物；ＤＢＵのテトラフェニルボレート塩、ＤＢＮのテトラフェニルボレート塩、２－エチル－４－メチルイミダゾールのテトラフェニルボレート塩、Ｎ－メチルモルホリンのテトラフェニルボレート塩等の環状アミジニウム化合物；ピリジン、トリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の三級アミン化合物；前記三級アミン化合物の誘導体；酢酸テトラ－ｎ－ブチルアンモニウム、リン酸テトラ－ｎ－ブチルアンモニウム、酢酸テトラエチルアンモニウム、安息香酸テトラ－ｎ－ヘキシルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム等のアンモニウム塩化合物；トリフェニルホスフィン、ジフェニル（ｐ－トリル）ホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（アルキルアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルコキシフェニル）ホスフィン、トリアルキルホスフィン、ジアルキルアリールホスフィン、アルキルジアリールホスフィン等の三級ホスフィン；前記三級ホスフィンと有機ボロン類との錯体等のホスフィン化合物；前記三級ホスフィン又は前記ホスフィン化合物と無水マレイン酸、１，４－ベンゾキノン、２，５－トルキノン、１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルベンゾキノン、２，６－ジメチルベンゾキノン、２，３－ジメトキシ－５－メチル－１，４－ベンゾキノン、２，３－ジメトキシ－１，４－ベンゾキノン、フェニル－１，４－ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタンなどの、π結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物；前記三級ホスフィン又は前記ホスフィン化合物と４－ブロモフェノール、３－ブロモフェノール、２－ブロモフェノール、４－クロロフェノール、３－クロロフェノール、２－クロロフェノール、４－ヨウ化フェノール、３－ヨウ化フェノール、２－ヨウ化フェノール、４－ブロモ－２－メチルフェノール、４－ブロモ－３－メチルフェノール、４－ブロモ－２，６－ジメチルフェノール、４－ブロモ－３，５－ジメチルフェノール、４－ブロモ－２，６－ジ－ｔ－ブチルフェノール、４－クロロ－１－ナフトール、１－ブロモ－２－ナフトール、６－ブロモ－２－ナフトール、４－ブロモ－４’－ヒドロキシビフェニル等のハロゲン化フェノール化合物を反応させた後に、脱ハロゲン化水素の工程を経て得られる、分子内分極を有する化合物；テトラフェニルホスホニウム等のテトラ置換ホスホニウム、テトラ－ｐ－トリルボレート等のホウ素原子に結合したフェニル基がないテトラ置換ホスホニウム及びテトラ置換ボレート；テトラフェニルホスホニウムとフェノール化合物との塩などが挙げられる。
　硬化促進剤は１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　半導体封止用樹脂成形材が硬化促進剤を含有する場合、硬化促進剤の含有率は特に制限されず、例えば、樹脂成分（すなわち、樹脂と硬化剤の合計）１００質量部に対して０．１質量％～５．０質量％であることが好ましく、半導体封止用樹脂成形材の流動性を考慮すると、０．１５質量％～０．３５質量％であることがより好ましい。
　離型剤としては、特に限定されず、封止材料として一般的に用いられるものを適宜適用することができる。離型剤として具体的には、カルナバワックス、モンタン酸、ステアリン酸等の高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、モンタン酸エステル等のエステル系ワックス、酸化ポリエチレン、非酸化ポリエチレン等のポリオレフィン系ワックスなどが挙げられる。
離型剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　半導体封止用樹脂成形材が離型剤を含有する場合、離型剤の含有量は樹脂成分１００質量部に対して０．０１質量部～１０質量部が好ましく、０．１質量部～５質量部がより好ましい。離型剤の含有量が樹脂成分１００質量部に対して０．０１質量部以上であると、離型性が充分に得られる傾向にある。離型剤の含有量が樹脂成分１００質量部に対して１０質量部以下であると、より良好な接着性が得られる傾向にある。また、離型剤を含有する混合物は、噴霧乾燥する際に乾燥塔の内壁への付着が抑制される傾向にある。そのため、離型剤を用いると、乾燥塔の内壁からの異物の混入が抑えられる傾向にあり、また収率が向上する傾向にある。さらに、付着防止の観点から乾燥塔の内壁にフッ素コーティング、シリコーンコーティング等を施してもよい。
　着色剤としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。着色剤としてはカーボンブラック、有機染料、有機顔料、酸化チタン、鉛丹、ベンガラ等の公知の着色剤を挙げることができる。着色剤の含有量は目的等に応じて適宜選択できる。
　着色剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　その他の添加剤としては、イオン交換体、難燃剤、シランカップリング剤、応力緩和剤等を挙げることができる。半導体封止用樹脂成形材は、これら以外にも必要に応じて当技術分野で一般的に用いられる各種添加剤を含有してもよい。
　イオン交換体は特に制限されず、従来公知のものを用いることができる。具体的には、ハイドロタルサイト化合物、並びにマグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム及びビスマスからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の含水酸化物等が挙げられる。
　イオン交換体は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　半導体封止用樹脂成形材がイオン交換体を含有する場合、イオン交換体の含有量は、ハロゲンイオン等のイオンを捕捉するのに充分な量であれば特に制限はない。例えば、イオン交換体の含有量は、樹脂成分１００質量部に対して０．１質量部～３０質量部であることが好ましく、１質量部～１０質量部であることがより好ましい。
　難燃剤は特に制限されず、従来公知のものを用いることができる。具体的には、ハロゲン原子、アンチモン原子、窒素原子又はリン原子を含む有機又は無機の化合物、金属水酸化物等が挙げられる。
　難燃剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　シランカップリング剤は特に制限されず、従来公知のものを用いることができる。具体的には、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β－メトキシエトキシ）シラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－［ビス（β－ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－β－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－（β－アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ－（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ－（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、Ｎ－β－（Ｎ－ビニルベンジルアミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、γ－アニリノプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
　シランカップリング剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　応力緩和剤は特に制限されず、従来公知のものを用いることができる。具体的には、シリコーン系、スチレン系、オレフィン系、ウレタン系、ポリエステル系、ポリエーテル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系等の熱可塑性エラストマー、ＮＲ（天然ゴム）、ＮＢＲ（アクリロニトリル－ブタジエンゴム）、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンパウダー等のゴム粒子、メタクリル酸メチル－スチレン－ブタジエン共重合体（ＭＢＳ）、メタクリル酸メチル－シリコーン共重合体、メタクリル酸メチル－アクリル酸ブチル共重合体等のコア－シェル構造を有するゴム粒子などが挙げられる。
　応力緩和剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　溶媒としては、半導体封止用樹脂成形材の原料を溶解又は分散できるものであれば、特に制限されない。例えば、環境負荷が小さい観点及び原料を溶解しやすい観点から、炭化水素類、エステル類、ケトン類、及びアルコール類からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。その中でも、溶媒がケトン類である場合、熱硬化性成分を特に溶解しやすい。溶媒としては、室温（２５℃）での揮発が少なく、乾燥時に除去しやすい観点から、ベンゼン、トルエン、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、及びメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。
　溶媒は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　混合物中の溶媒の含有率は特に制限されない。次工程の噴霧工程において、所望のサイズの粒子が得られるよう、混合物の粘度を適宜調節することが好ましい。そのため、混合物中の溶媒の含有率も、混合物の所望の粘度に応じて、適宜調節することが好ましい。
　具体的に、混合物中の溶媒の含有率は、１０質量％～９０質量％が好ましい。溶媒の含有率を１０質量％以上とすると、混合物の粘度が適切に抑えられて噴霧しやすくなり、９０質量％以下とすると溶媒を乾燥し除去するのに必要なエネルギーを抑えることができ生産性に優れる。混合物中の溶媒の含有率は、２０質量％～７０質量％がより好ましい。溶媒の含有率を２０質量％～７０質量％とすると、噴霧の安定性と生産性により優れる傾向にある。
　混合物の２５℃での粘度は、０．００１Ｐａ・ｓ～５０Ｐａ・ｓが好ましく、１Ｐａ・ｓ～３０Ｐａ・ｓがより好ましい。混合物の２５℃での粘度を０．００１Ｐａ・ｓ以上とすると、噴霧後にフィラーと硬化性樹脂との分離が抑えられ、得られた半導体封止用樹脂成形材で封止する際の流動性に優れる傾向にある。混合物の２５℃での粘度を５０Ｐａ・ｓ以下とすると、噴霧の安定性に優れる傾向にある。
　本開示において、混合物の粘度は、Ｅ型粘度計又はＢ型粘度計を用いて、２５℃、回転速度２０回転／分（ｒｐｍ）～６０回転／分（ｒｐｍ）で測定される。
　上記の原料と溶媒とを混合する方法は特に制限されず、混合機により混合してもよい。
混合機としては、例えば、撹拌羽による撹拌混合機、三本ロール、二軸連続式混練機、自公転式混合機、スタティックミキサー、及びプラネタリミキサが挙げられる。撹拌時間、撹拌速度は、適宜設定することが好ましい。
　原料及び溶媒は、それらの全量を一括して混合してもよく、あるいは、それらの一部を混合してから、追加的に残量を加えて混合してもよい。
（異物除去工程）
　上記で得られた混合物は、次の噴霧工程及び乾燥工程の前に、磁選機及びフィルターからなる群より選択される少なくとも１種により異物を除去してもよい。異物除去工程は、噴霧工程及び乾燥工程の後で行ってもよいが、固形の粒子状物とした後よりも、液状（スラリー状）の混合物に対して異物除去を行った場合に、異物の除去効率に優れる。
　異物除去工程では、導電性金属異物等の導電性異物の他、非導電性異物等の一般的な異物を除去してもよい。導電性金属異物以外の導電性異物としてはカーボンの粗大粒子が挙げられ、非導電性異物としては、ハロゲン、硫黄等の元素を含む腐食性異物が挙げられる。
　磁選機としては特に制限されず、磁力によって導電性異物を引き付けて、混合物から導電性異物を離別させることができればよい。磁選機としては、例えば、特開平９－１７３８９０号公報、特開２００４－９００５号公報等に記載の磁選機が挙げられる。
　フィルターとしては、異物除去に用いられる一般的なフィルターを用いてもよく、カートリッジフィルター、繊維濾材、ストレーナー、マグネットフィルター等が挙げられ、マグネットフィルターを用いることが好ましい。マグネットフィルターと一般的な濾過フィルターとを併用してもよい。
（噴霧工程、乾燥工程）
　上記で得られた混合物は、噴霧し、乾燥される。これにより、粒子状の半導体封止用樹脂成形材が得られる。噴霧工程と乾燥工程とは、独立した工程であってもよいが、噴霧しながら乾燥することが好ましい。噴霧しながら乾燥する方法としては、スプレードライ装置を用いる方法が挙げられる。
　スプレードライ装置では、鉛直方向上部から混合物（スラリー）を適宜加熱された乾燥気流中に噴霧する。これにより混合物中の溶媒が除去され、固形の粒状物が得られる。乾燥気流には、空気、窒素ガス等を用いてもよい。スプレードライ装置で噴霧する方法としては、ノズル方式、ディスク方式等が挙げられる。
　スプレードライ装置では、半導体封止用樹脂成形材の粒子径の調節、溶媒の除去等の観点から、入り口温度及び出口温度を適宜設定することが好ましい。入り口温度及び出口温度は、原料及び溶媒の種類、濃度等に応じて適宜調整することができる。また、噴霧速度についても適宜設定することが好ましい。噴霧速度も、原料及び溶媒の種類、濃度等に応じて適宜調整することができる。
　噴霧工程及び乾燥工程において、溶媒が除去されやすくなるよう、スラリーを加温して噴霧してもよい。この加温の温度は適宜設定することができ、例えば、３０℃以上としてもよく、３５℃以上としてもよく、４０℃以上としてもよい。
　また、材料貯蔵容器での溶媒の揮発を抑える観点から、スラリーを冷却して噴霧してもよい。この冷却の温度は適宜設定することができ、例えば、２３℃以下としてもよく、２０℃以下としてもよい。
　造粒された半導体封止用樹脂成形材は、重力により落下し、スプレードライ装置の鉛直方向下部から、サイクロン、バッグフィルター等により捕集され回収される。サイクロンを介さずに粒子状の半導体封止用樹脂成形材の全量をバックフィルターに回収してもよい。また、除去した溶媒は、コンデンサによって回収されてもよい。
　造粒された半導体封止用樹脂成形材の体積平均粒子径は、１００μｍ～３ｍｍであることが好ましく、２００μｍ～１ｍｍであることがより好ましく、２２０μｍ～１ｍｍであることがさらに好ましい。体積平均粒子径を１００μｍ以上とすると、捕集効率が向上し、得られた半導体封止用樹脂成形材で封止する際の流動性に優れる傾向にある。体積平均粒子径を３ｍｍ以下とすると、タブレット成形の際の外観不良が抑えられる傾向にある。造粒された半導体封止用樹脂成形材は、フィラーが数個集まった不定形の１次凝集体が更に凝集して大きくなった不定形の２次凝集体であってもよい。
　本開示において、半導体封止用樹脂成形材の体積平均粒子径は、レーザー回折法によって測定され、レーザー回折散乱粒度分布測定装置（例えば、ベックマン・コールター社製、ＬＳ２３０）を用いることで測定可能である。
（篩分工程）
　スプレードライ装置から回収された粒子状の半導体封止用樹脂成形材は、さらに篩分工程を経て、分粒してもよい。篩分工程では、振動篩等の篩を用いることができる。篩分工程では、適用する半導体素子に応じて粗粒粉及び微粒粉の少なくとも一方を除去してもよい。
（タブレット成形）
　粒子状の半導体封止用樹脂成形材は、粒子状のまま半導体素子の封止に用いてもよく、あるいは、タブレット成形してから半導体素子の封止に用いてもよい。タブレット成形は、封止材における一般的な方法により行うことができる。
（半導体封止用樹脂成形材）
　本開示における半導体封止用樹脂成形材は、従来のものに比べて、直径約４５μｍ以上の導電性異物を効果的に除去され得る。また、直径約１００μｍ以下の導電性異物の含有量が低減され得る。さらには、弱磁性の導電性異物の含有量も低減され得る。半導体封止用樹脂成形材中の導電性異物の最大粒子径を、４５μｍ以下とすることが可能である。
　本開示における半導体封止用樹脂成形材は、ワイヤーピッチが１５０μｍ以下、さらには１００μｍ以下の半導体素子であっても好適に適用することができる。
＜半導体パッケージの製造方法＞
　本開示の半導体パッケージの製造方法は、上述の製造方法により得られる半導体封止用樹脂成形材を用いて半導体素子を封止する。半導体素子の封止方法としては、トランスファー成形法、インジェクション成形法、圧縮成形法、注型等が挙げられる。トランスファー成形法では、タブレット化した半導体封止用樹脂成形材を用いることが多く、圧縮成形法では、粒子状の半導体封止用樹脂成形材を用いることが多い。しかしながら、封止方法と、半導体封止用樹脂成形材の形状との関係は、これらに限定されない。トランスファー成形法、インジェクション成形法、圧縮成形法及び注型等は、半導体素子封止の分野で一般的な方法を適用することができる。
　半導体素子としては、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子などが挙げられる。
　より具体的には、リードフレーム上に素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の端子部とリード部とをワイヤボンディング、バンプ等で接続した後、半導体封止用樹脂成形材によって封止した構造を有するＤＩＰ（Ｄｕａｌ　Ｉｎｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ　Ｌｅａｄｅｄ　Ｃｈｉｐ　Ｃａｒｒｉｅｒ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｊ－ｌｅａｄ　ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ　Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ　Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）等の一般的な樹脂封止型ＩＣ；テープキャリアにバンプで接続した半導体素子を半導体封止用樹脂成形材で封止した構造を有するＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）；支持部材上に形成した配線に、ワイヤボンディング、フリップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体素子を、半導体封止用樹脂成形材で封止した構造を有するＣＯＢ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｂｏａｒｄ）モジュール、ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュール等；裏面に配線板接続用の端子を形成した支持部材の表面に半導体素子を搭載し、バンプ又はワイヤボンディングにより半導体素子と支持部材に形成された配線とを接続した後、半導体封止用樹脂成形材で半導体素子を封止した構造を有するＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ　Ｃｈｉｐ　Ｐａｃｋａｇｅ）などが挙げられる。また、プリント配線板においても半導体封止用樹脂成形材を好適に使用することができる。
＜半導体装置の製造方法＞
　本開示の半導体装置の製造方法は、上述の製造方法により得られる半導体パッケージを用いる。半導体装置としては、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、シリコンウエハ、有機基板等の支持部材に、半導体パッケージを搭載素子したものが挙げられる。
　次に実施例により本発明を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
　まず、下記に示す各成分を準備した。
　〔エポキシ樹脂〕
・ビフェニル型エポキシ樹脂（ＹＸ－４０００Ｈ、三菱ケミカル株式会社、商品名）：１００質量部
　〔フェノール樹脂〕
・フェノールアラルキル樹脂（ＸＬ－２２５－３Ｌ、三井化学株式会社、商品名）：９０質量部
　〔硬化促進剤〕
・トリフェニルホスフィン：３質量部
　〔フィラーａ〕
　平均粒子径３０μｍの球状溶融シリカ：７００質量部
　〔フィラーｂ〕
　平均粒子径１μｍの球状溶融シリカ：１００質量部
〔離型剤〕
　カルナバワックス：３質量部
　各成分を上記割合で配合し、溶解溶媒としてアセトンを１００ｍｌ（８０ｇ）加え、プラネタリミキサで３０回転／分、１０分間、更にアセトンを１００ｍｌ（８０ｇ）加え１００回転／分、３０分間、３５℃に加温して撹拌し、スラリーを調製した（固形分８６質量％、２５℃での粘度０．０２Ｐａ・ｓ）。調製したスラリーは、１１，０００ガウスの磁石を配置したマグネットフィルターで濾過した後、濾過精度４０μｍのポリプロピレン製フィルターを使用してさらに濾過を行った。
　次に、スプレードライヤーＢ－２９０（日本ビュッヒ株式会社、商品名）の入り口温度９０℃、出口温度６０℃に設定し、２０℃に冷却したスラリーを２０ｍｌ／分で噴霧して、粒子状の半導体封止用樹脂成形材を得た。
［実施例２］
　実施例１において、入り口温度２５℃、出口温度２５℃、２０℃に冷却したスラリーを１０ｍｌ／分で噴霧するように変更した以外は実施例１と同様にして、粒子状の半導体封止用樹脂成形材を得た。
［実施例３］
　実施例１において、スラリーの温度を４０℃と加温した状態でスラリーを噴霧したこと以外は実施例１と同様にして、粒子状の半導体用樹脂成形材を得た。
［実施例４］
　実施例２において、スラリーの温度を４０℃と加温した状態でスラリーを噴霧したこと以外は実施例２と同様にして、粒子状の半導体用樹脂成形材を得た。
［比較例１］
　実施例１で示した各成分を実施例１の割合で配合し、配合粉をヘンシェルミキサで混合し、その後、押出し混練機によって加熱混練した。得られた混練物をシート状に伸ばした後、粉砕機を用いて粒子状の半導体封止用樹脂組成物を得た。
＜導電性異物の最大粒子径の測定＞
　実施例及び比較例の粒子状の半導体封止用樹脂成形材をアセトンに溶解させて、半導体封止用樹脂成形材からフィラー（シリカ粒子）及び導電性異物を取り出し、光学顕微鏡を用いて導電性異物の最大粒子径を測定した。その結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 
　表１に示されるように、本開示の半導体封止用樹脂成形材の製造方法によれば、導電性異物を除去することが可能となり、信頼性に優れる半導体封止用樹脂成形材を得ることが可能である。
　日本国特許出願２０２０－０６９１９３号の開示は、その全体が参照により本開示に取り込まれる。
　本開示における全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本開示中に参照により取り込まれる。

Claims (9)

  1. 　熱硬化性樹脂、フィラー及び溶媒を含有する混合物を噴霧し、乾燥する、半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
  2. 　前記混合物における溶媒の含有率が、１０質量％～９０質量％である、請求項１に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
  3. 　前記混合物の２５℃での粘度が、０．００１Ｐａ・ｓ～５０Ｐａ・ｓである、請求項１又は請求項２に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
  4. 　前記混合物を加温して噴霧する、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
  5. 　前記半導体封止用樹脂成形材の体積平均粒子径が、１００μｍ～３ｍｍである、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
  6. 　前記混合物を噴霧する前に、磁選機及びフィルターからなる群より選択される少なくとも１種により異物を除去する、請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
  7. 　前記混合物が、硬化剤、硬化促進剤、離型剤、及び着色剤からなる群より選択される少なくとも１種をさらに含む、請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂成形材の製造方法。
  8. 　請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の製造方法により得られる半導体封止用樹脂成形材を用いて半導体素子を封止する、半導体パッケージの製造方法。
  9. 　請求項８に記載の製造方法により得られる半導体パッケージを用いる、半導体装置の製造方法。
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