JP2002220475A - エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】内部ボイドの発生が非常に少なくて、高信頼性
の特性を有するエポキシ樹脂成形材料の製造方法を提供
すること。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）硬化促進剤及び（Ｄ）全エポキシ樹脂組成物
中に７５〜９５重量％含む無機充填材を必須成分とする
エポキシ樹脂組成物を混練機で混練し、混練機から吐出
される吐出物の温度を１１５〜１３０℃とし、吐出物を
冷却粉砕して得られる成形材料が、アセトン不溶分０．
０１０重量％以下、揮発分０．１重量％以下、顆粒密度
比９７％以上の特性を有することを特徴とするエポキシ
樹脂成形材料の製造方法。
の特性を有するエポキシ樹脂成形材料の製造方法を提供
すること。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）硬化促進剤及び（Ｄ）全エポキシ樹脂組成物
中に７５〜９５重量％含む無機充填材を必須成分とする
エポキシ樹脂組成物を混練機で混練し、混練機から吐出
される吐出物の温度を１１５〜１３０℃とし、吐出物を
冷却粉砕して得られる成形材料が、アセトン不溶分０．
０１０重量％以下、揮発分０．１重量％以下、顆粒密度
比９７％以上の特性を有することを特徴とするエポキシ
樹脂成形材料の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、内部ボイドの発生を抑
制したエポキシ樹脂成形材料の製造方法及び得られる成
形材料を用いた半導体装置に関するものである。
制したエポキシ樹脂成形材料の製造方法及び得られる成
形材料を用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、ＬＳＩ、デイスクリート等の半導体
素子をエポキシ樹脂成形材料を用いて封止した半導体装
置には、小型化、薄型化に伴う信頼性の向上要求が強
く、その対策の一つとしてエポキシ樹脂成形材料の硬化
物の低吸水化を目的として、成形材料中の無機充填材の
配合量は非常に増加している。その結果として、流動性
の低下や内部ボイドの原因ともなる流動中の乱流による
空気の巻き込みの増加や揮発分による発生ガスによっ
て、半導体装置内に残存する内部ボイドが多くなる傾向
になってきている。この内部ボイドは、半導体装置の信
頼性低下に繋がるおそれがあることから極力減少させる
必要があり、従来から内部ボイドの抑制のために、成形
材料の成形時の溶融粘度やチキソ性の調整、或いは成形
材料中の揮発分の低減等の対策がなされており、それな
りの効果は確認されているが、更なる内部ボイドの低減
が必要となってきている。
素子をエポキシ樹脂成形材料を用いて封止した半導体装
置には、小型化、薄型化に伴う信頼性の向上要求が強
く、その対策の一つとしてエポキシ樹脂成形材料の硬化
物の低吸水化を目的として、成形材料中の無機充填材の
配合量は非常に増加している。その結果として、流動性
の低下や内部ボイドの原因ともなる流動中の乱流による
空気の巻き込みの増加や揮発分による発生ガスによっ
て、半導体装置内に残存する内部ボイドが多くなる傾向
になってきている。この内部ボイドは、半導体装置の信
頼性低下に繋がるおそれがあることから極力減少させる
必要があり、従来から内部ボイドの抑制のために、成形
材料の成形時の溶融粘度やチキソ性の調整、或いは成形
材料中の揮発分の低減等の対策がなされており、それな
りの効果は確認されているが、更なる内部ボイドの低減
が必要となってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体装置
の内部ボイドの減少と高信頼性との両立のためにエポキ
シ樹脂成形材料の製造方法に着目し、従来の信頼性を維
持しつつ内部ボイドを飛躍的に向上させることのできる
エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置を提供
するものである。
の内部ボイドの減少と高信頼性との両立のためにエポキ
シ樹脂成形材料の製造方法に着目し、従来の信頼性を維
持しつつ内部ボイドを飛躍的に向上させることのできる
エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置を提供
するものである。
【０００４】
【問題を解決するための手段】本発明は、（１）（Ａ）
エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進
剤及び（Ｄ）全エポキシ樹脂組成物中に７５〜９５重量
％含む無機充填材を必須成分とするエポキシ樹脂組成物
を混練機で混練し、混練機から吐出される吐出物の温度
を１１５〜１３０℃とし、吐出物を冷却粉砕して得られ
る成形材料が、アセトン不溶分０．０１０重量％以下、
揮発分０．１重量％以下、顆粒密度比９７％以上の特性
を有することを特徴とするエポキシ樹脂成形材料の製造
方法、（２） 第（１）項記載の製造方法により得られ
るエポキシ樹脂成形材料を用いて半導体素子を封止して
なることを特徴とする半導体装置、である。
エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進
剤及び（Ｄ）全エポキシ樹脂組成物中に７５〜９５重量
％含む無機充填材を必須成分とするエポキシ樹脂組成物
を混練機で混練し、混練機から吐出される吐出物の温度
を１１５〜１３０℃とし、吐出物を冷却粉砕して得られ
る成形材料が、アセトン不溶分０．０１０重量％以下、
揮発分０．１重量％以下、顆粒密度比９７％以上の特性
を有することを特徴とするエポキシ樹脂成形材料の製造
方法、（２） 第（１）項記載の製造方法により得られ
るエポキシ樹脂成形材料を用いて半導体素子を封止して
なることを特徴とする半導体装置、である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のエポキシ樹脂成形材料
は、混練機から吐出される吐出物の温度が１１５〜１３
０℃になるようにし、吐出物を冷却粉砕して製造される
ものである。吐出される吐出物の温度が、１１５℃未満
だと得られたエポキシ樹脂成形材料の揮発分の低減効果
が少なく、樹脂成分が無機充填材の表面に十分に馴染ま
ないために生じる流動性の低下、濡れ性の低下、更に内
部ボイドが多くなる傾向にあるので好ましくない。吐出
物の温度が、１３０℃を越えると樹脂成分の反応が進行
し、成形時に必要な流動性を維持できないことや、局所
的に硬化物が発生し、成形時に未充填を引き起こすおそ
れがあり好ましくない。
は、混練機から吐出される吐出物の温度が１１５〜１３
０℃になるようにし、吐出物を冷却粉砕して製造される
ものである。吐出される吐出物の温度が、１１５℃未満
だと得られたエポキシ樹脂成形材料の揮発分の低減効果
が少なく、樹脂成分が無機充填材の表面に十分に馴染ま
ないために生じる流動性の低下、濡れ性の低下、更に内
部ボイドが多くなる傾向にあるので好ましくない。吐出
物の温度が、１３０℃を越えると樹脂成分の反応が進行
し、成形時に必要な流動性を維持できないことや、局所
的に硬化物が発生し、成形時に未充填を引き起こすおそ
れがあり好ましくない。
【０００６】本発明のエポキシ樹脂成形材料を製造する
のに用いる混練機は、混練時に発熱溶融させる機構を有
する一般的な混練機であればよいが、例えば一軸式混練
機、同方向回転二軸式混練機、異方向回転二軸式混練機
などの容器固定型の水平軸形式の混練機が挙げられる。
混練機からの吐出物の吐出温度を１１５〜１３０℃とす
るには、混練機の回転数、温度条件（バレル温度条
件）、樹脂組成物の供給量、混練スクリューの構成など
が手段として挙げられる。本発明においては、混練機の
後に冷却効率の向上や後工程での粉砕作業などの作業性
の確保のためのシーティングロールなどを設けてもなん
ら差し支えない。
のに用いる混練機は、混練時に発熱溶融させる機構を有
する一般的な混練機であればよいが、例えば一軸式混練
機、同方向回転二軸式混練機、異方向回転二軸式混練機
などの容器固定型の水平軸形式の混練機が挙げられる。
混練機からの吐出物の吐出温度を１１５〜１３０℃とす
るには、混練機の回転数、温度条件（バレル温度条
件）、樹脂組成物の供給量、混練スクリューの構成など
が手段として挙げられる。本発明においては、混練機の
後に冷却効率の向上や後工程での粉砕作業などの作業性
の確保のためのシーティングロールなどを設けてもなん
ら差し支えない。
【０００７】本発明の製造方法で得られるエポキシ樹脂
成形材料は、アセトン不溶分０．０１０重量％以下、揮
発分０．１重量％以下、顆粒密度比９７％以上の特性を
有しているものである。アセトン不溶分が０．０１０重
量％を越えると成形時に充填不良が発生する傾向にあ
り、揮発分が０．１重量％を越えると、成形時に成形材
料から発生する揮発分が多くなり、内部ボイドが残存す
るおそれがあり好ましくない。顆粒密度比が９７％未満
であると成形材料に内包される空隙が多くなり、空隙が
そのまま内部ボイドとして残存する可能性が高くなるの
で好ましくない。
成形材料は、アセトン不溶分０．０１０重量％以下、揮
発分０．１重量％以下、顆粒密度比９７％以上の特性を
有しているものである。アセトン不溶分が０．０１０重
量％を越えると成形時に充填不良が発生する傾向にあ
り、揮発分が０．１重量％を越えると、成形時に成形材
料から発生する揮発分が多くなり、内部ボイドが残存す
るおそれがあり好ましくない。顆粒密度比が９７％未満
であると成形材料に内包される空隙が多くなり、空隙が
そのまま内部ボイドとして残存する可能性が高くなるの
で好ましくない。
【０００８】本発明に用いるエポキシ樹脂としては、１
分子中にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴ
マー及びポリマー全般を言い、その分子量、分子構造を
特に限定するものではないが、例えばビフェニル型エポ
キシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ア
ルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、及び
トリアジン核含有エポキシ樹脂などが挙げられ、これら
は単独でも混合して用いても差し支えない。
分子中にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴ
マー及びポリマー全般を言い、その分子量、分子構造を
特に限定するものではないが、例えばビフェニル型エポ
キシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ア
ルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、及び
トリアジン核含有エポキシ樹脂などが挙げられ、これら
は単独でも混合して用いても差し支えない。
【０００９】本発明に用いるフェノール樹脂としては、
１分子中にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー及びポリマー全般を言い、その分子量、
分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェ
ノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールア
ラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェ
ノールメタン型樹脂などが挙げられ、これらは単独でも
混合して用いても差し支えない。配合量としては、エポ
キシ樹脂のエポキシ基数とフェノール樹脂のフェノール
性水酸基数との当量比は０．８〜１．２の範囲が好まし
い。
１分子中にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー及びポリマー全般を言い、その分子量、
分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェ
ノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールア
ラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェ
ノールメタン型樹脂などが挙げられ、これらは単独でも
混合して用いても差し支えない。配合量としては、エポ
キシ樹脂のエポキシ基数とフェノール樹脂のフェノール
性水酸基数との当量比は０．８〜１．２の範囲が好まし
い。
【００１０】本発明に用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に使用されているも
のを広く使用することができる。例えば１，８−ジアザ
ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、２−メチルイ
ミダゾールなどが挙げられ、これらは単独でも混合して
用いても差し支えない。
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に使用されているも
のを広く使用することができる。例えば１，８−ジアザ
ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、２−メチルイ
ミダゾールなどが挙げられ、これらは単独でも混合して
用いても差し支えない。
【００１１】本発明に用いる無機充填材としては、溶融
シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素等が挙げられ
るが、溶融シリカ、結晶シリカが好ましい。無機充填材
の配合量としては、全エポキシ樹脂組成物中に７５〜９
５重量％が好ましい。無機充填材の量が７５重量％未満
だと得られた成形材料の硬化物の吸水率が高くなり、耐
半田クラック性が維持できず、９５重量％を越えると成
形時の流動性が著しく低下し成形ができなくなるので好
ましくない。本発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、
（Ａ）〜（Ｄ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ
樹脂、酸化アンチモン等の難燃剤、無機イオン交換体、
カップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコ
ーンオイル等の低応力成分、離型剤などの各種添加剤を
適宜配合してもよい。
シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素等が挙げられ
るが、溶融シリカ、結晶シリカが好ましい。無機充填材
の配合量としては、全エポキシ樹脂組成物中に７５〜９
５重量％が好ましい。無機充填材の量が７５重量％未満
だと得られた成形材料の硬化物の吸水率が高くなり、耐
半田クラック性が維持できず、９５重量％を越えると成
形時の流動性が著しく低下し成形ができなくなるので好
ましくない。本発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、
（Ａ）〜（Ｄ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ
樹脂、酸化アンチモン等の難燃剤、無機イオン交換体、
カップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコ
ーンオイル等の低応力成分、離型剤などの各種添加剤を
適宜配合してもよい。
【００１２】本発明の製造方法で得られるエポキシ樹脂
成形材料は、（Ａ）〜（Ｄ）成分の他、その他の添加剤
等をミキサーを用いて常温混合し、混練機で溶融混練後
吐出し、冷却粉砕して得ることができる。本発明の製造
方法で得られるエポキシ樹脂成形材料を用いて、半導体
素子を封止し半導体装置を製造するには、トランスファ
ーモールド、コンプレッションモールド、インジェクシ
ョンモールドなどの一般的な成形方法で硬化成形すれば
よい。
成形材料は、（Ａ）〜（Ｄ）成分の他、その他の添加剤
等をミキサーを用いて常温混合し、混練機で溶融混練後
吐出し、冷却粉砕して得ることができる。本発明の製造
方法で得られるエポキシ樹脂成形材料を用いて、半導体
素子を封止し半導体装置を製造するには、トランスファ
ーモールド、コンプレッションモールド、インジェクシ
ョンモールドなどの一般的な成形方法で硬化成形すれば
よい。
【００１３】実施例 以下、本発明を実施例にて具体的に説明する。 実施例１ ビフェニル型エポキシ樹脂（融点１０５℃、エポキシ当量１９０） １００重量部 フェノールアラルキル樹脂（軟化点９０℃、水酸基当量１７０） ８０重量部 1,8−ジアザビシクロ（５,４,０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという） ３重量部 溶融シリカ粉末（Ｔｙｌｅｒ標準篩７５μｍ篩い分け品） １０００重量部 臭素化エポキシ樹脂（臭素含有量４９重量％、軟化点７０℃） １０重量部 三酸化アンチモン １０重量部 カルナバワックス ５重量部 カーボンブラック ３重量部 をミキサーにて常温混合し、二軸混練機により混練し、
冷却後粉砕し成形材料とした。なお実施例、比較例は二
軸混練機（東芝機械（株）・製ＴＥＭ−５０）を用い、
バレル温度３０±２０℃、回転数２００±１００ｒｐ
ｍ、樹脂組成物の供給量は１００±５０ｋｇ／時間と
し、この範囲内で条件を変更しながら吐出物の温度を調
整した。
冷却後粉砕し成形材料とした。なお実施例、比較例は二
軸混練機（東芝機械（株）・製ＴＥＭ−５０）を用い、
バレル温度３０±２０℃、回転数２００±１００ｒｐ
ｍ、樹脂組成物の供給量は１００±５０ｋｇ／時間と
し、この範囲内で条件を変更しながら吐出物の温度を調
整した。
【００１４】評価方法 吐出物温度：接触型の温度測定器を用い混練機から吐出
される吐出物の温度を測定する。 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じた金型を
用い、成形材料をトランスファー成形機にて１７５℃
で、成形圧７００Ｎ／ｃｍ2、保圧時間１２０秒の条件
にて成形しスパイラルフローを測定した。 アセトン不溶分：最大径４ｍｍ以下に篩分したものを約
３００ｇ精秤したものに対し、アセトン２００〜５００
ｇを混合し振とう機にて２０分間振とうさせた後、溶解
液をＪＩＳ篩い６５メッシュ（目開き２１２μｍ）に通
し篩い上の残存物の風乾サンプルをアセトン不溶分とし
た。 揮発分：成形材料約５ｇ精秤し、シャーレに採取してオ
ーブン中で１０５℃、３時間乾燥した後の重量減少率を
揮発分とした。 顆粒密度比：顆粒密度を成形材料の真比重で除したもの
を顆粒密度比とした。 ・顆粒密度：成形材料をＪＩＳ篩い３２メッシュ（目開
き５００μｍ）にて篩分したものを検体とし、比重測定
器ピクノメータにて顆粒密度を測定する。 ・成形材料の真比重：トランスファー成形機を用い、温
度１７５±５℃、成形圧７００Ｎ／ｃｍ2、時間１２０
秒で、直径５０ｍｍ×厚さ３ｍｍの円盤を成形し、比重
を測定し成形材料の真比重とする。 耐半田クラック性：温度１７５±５℃、圧力７００Ｎ／
ｃｍ2、時間１２０秒で成形した ８０ｐＱＦＰ（14ｍ
ｍ×20ｍｍ×2.0ｍｍ）を用い、８５℃、相対湿度６０
％の雰囲気下で１２０時間吸湿処理をした後、ＩＲリフ
ロー２３５℃（ピーク温度約２４０℃）以上で約１０秒
を行い、その後の外観検査にてクラックの発生したもの
を不良とした。ｎ＝１０個。 内部ボイド：温度１７５±５℃、成形圧７００Ｎ／ｃｍ
2、時間１２０秒で成形した１６０ｐＱＦＰ（２８ｍｍ
×２８ｍｍ×３．２ｍｍ）の成形品を軟Ｘ線透視装置に
て観察し最大径０．３ｍｍ以上を不良と判定した。（１
６０ｐＱＦＰのｎは４個）
される吐出物の温度を測定する。 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じた金型を
用い、成形材料をトランスファー成形機にて１７５℃
で、成形圧７００Ｎ／ｃｍ2、保圧時間１２０秒の条件
にて成形しスパイラルフローを測定した。 アセトン不溶分：最大径４ｍｍ以下に篩分したものを約
３００ｇ精秤したものに対し、アセトン２００〜５００
ｇを混合し振とう機にて２０分間振とうさせた後、溶解
液をＪＩＳ篩い６５メッシュ（目開き２１２μｍ）に通
し篩い上の残存物の風乾サンプルをアセトン不溶分とし
た。 揮発分：成形材料約５ｇ精秤し、シャーレに採取してオ
ーブン中で１０５℃、３時間乾燥した後の重量減少率を
揮発分とした。 顆粒密度比：顆粒密度を成形材料の真比重で除したもの
を顆粒密度比とした。 ・顆粒密度：成形材料をＪＩＳ篩い３２メッシュ（目開
き５００μｍ）にて篩分したものを検体とし、比重測定
器ピクノメータにて顆粒密度を測定する。 ・成形材料の真比重：トランスファー成形機を用い、温
度１７５±５℃、成形圧７００Ｎ／ｃｍ2、時間１２０
秒で、直径５０ｍｍ×厚さ３ｍｍの円盤を成形し、比重
を測定し成形材料の真比重とする。 耐半田クラック性：温度１７５±５℃、圧力７００Ｎ／
ｃｍ2、時間１２０秒で成形した ８０ｐＱＦＰ（14ｍ
ｍ×20ｍｍ×2.0ｍｍ）を用い、８５℃、相対湿度６０
％の雰囲気下で１２０時間吸湿処理をした後、ＩＲリフ
ロー２３５℃（ピーク温度約２４０℃）以上で約１０秒
を行い、その後の外観検査にてクラックの発生したもの
を不良とした。ｎ＝１０個。 内部ボイド：温度１７５±５℃、成形圧７００Ｎ／ｃｍ
2、時間１２０秒で成形した１６０ｐＱＦＰ（２８ｍｍ
×２８ｍｍ×３．２ｍｍ）の成形品を軟Ｘ線透視装置に
て観察し最大径０．３ｍｍ以上を不良と判定した。（１
６０ｐＱＦＰのｎは４個）
【００１５】実施例２〜５、比較例１〜５ 表１、表２の配合割合に従って、実施例１と同様にして
成形材料を得、同様に評価した。実施例１以外に用いた
樹脂の特性を以下に示す。 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点６
２℃、エポキシ当量２００） ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂
（軟化点６０℃、エポキシ当量２５０） フェノールノボラック樹脂（軟化点 ９０℃、水酸基当
量１０５）
成形材料を得、同様に評価した。実施例１以外に用いた
樹脂の特性を以下に示す。 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点６
２℃、エポキシ当量２００） ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂
（軟化点６０℃、エポキシ当量２５０） フェノールノボラック樹脂（軟化点 ９０℃、水酸基当
量１０５）
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【発明の効果】本発明に従うと、内部ボイドの発生が非
常に少なくて、高信頼性の半導体装置を得ることができ
る。
常に少なくて、高信頼性の半導体装置を得ることができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4F070 AA44 AA46 AB10 AC23 AC86 AE01 AE08 DA41 DB08 DC11 FA01 FB06 FC02 4J002 CC032 CD041 CD051 CD061 CD131 DE147 DJ007 DJ017 EU116 FD017 FD142 FD156 GJ02 4J036 AA02 FA01 FA05 FB08 JA07 4M109 AA01 CA21 CA22 EA02 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB13 EB18 EB19 EC20 GA10
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）硬化促進剤及び（Ｄ）全エポキシ樹脂組成
物中に７５〜９５重量％含む無機充填材を必須成分とす
るエポキシ樹脂組成物を混練機で混練し、混練機から吐
出される吐出物の温度を１１５〜１３０℃とし、吐出物
を冷却粉砕して得られる成形材料が、アセトン不溶分
０．０１０重量％以下、揮発分０．１重量％以下、顆粒
密度比９７％以上の特性を有することを特徴とするエポ
キシ樹脂成形材料の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の製造方法により得られる
エポキシ成形材料を用いて半導体素子を封止してなるこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001016521A JP2002220475A (ja) | 2001-01-25 | 2001-01-25 | エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001016521A JP2002220475A (ja) | 2001-01-25 | 2001-01-25 | エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002220475A true JP2002220475A (ja) | 2002-08-09 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2001
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