CN105968324A - 密封用树脂组合物、电子零件的制造方法和电子零件 - Google Patents

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Abstract

密封用树脂组合物含有热固性树脂、填充剂和低应力剂，丙酮不溶成分为0.05质量％以下，将树脂成分相对于密封用树脂组合物整体的含量设为CR(质量％)，将低应力剂相对于密封用树脂组合物整体的含量设为CS(质量％)时，满足以下的(a)、(b)：(a)5质量％≤CR≤8质量％，(b)0.3≤CS/CR≤1.0。

Description

密封用树脂组合物、电子零件的制造方法和电子零件
技术领域
本发明涉及一种密封用树脂组合物、电子零件的制造方法和电子零件。
背景技术
关于密封电子元件等的密封用树脂组合物，研究各种技术。作为这样的技术，例如可以举出专利文献1中记载的技术。在专利文献1中记载了含有(A)环氧树脂、(B)酚醛树脂固化剂、(C)无机填充剂、和(D)低应力化剂作为必须成分的密封用环氧树脂组合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-264037号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如上所述，在制造电子零件时，有时进行通过密封用树脂组合物将电子元件和金属部件密封的工艺。在这样的工艺中，从稳定地制造电子零件的观点考虑，抑制密封电子元件等所得到的成形体的翘曲是很重要的。因此，寻求实现能够抑制密封电子元件等所得到的成形体的翘曲的密封用树脂组合物。
用于解决课题的方案
根据本发明，提供一种密封用树脂组合物，其含有热固性树脂、填充剂和低应力剂，丙酮不溶成分为0.05质量％以下，将树脂成分相对于上述密封用树脂组合物整体的含量设为CR(质量％)，将上述低应力剂相对于上述密封用树脂组合物整体的含量设为CS(质量％)时，满足以下的(a)、(b)，
(a)5质量％≤CR≤8质量％，
(b)0.3≤CS/CR≤1.0。
另外，根据本发明，提供一种电子零件的制造方法，其包括使用上述密封用树脂组合物对电子元件或金属部件进行密封成形的工序。
另外，根据本发明，提供一种电子零件，其具有通过对上述密封用树脂组合物进行固化而形成的密封树脂。
发明效果
根据本发明，能够抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲。
附图说明
上述的目的和其他的目的、特征和优点通过以下叙述的优选实施方式及其附带的以下附图进一步明确。
图1是表示本实施方式的电子零件的一个例子的剖面图。
图2是表示本实施方式的电子零件的制造方法的一个例子的剖面图。
具体实施方式
下面，使用附图对实施方式进行说明。另外，在全部附图中，对同样的构成要素标注相同的符号，适当省略说明。
本实施方式的密封用树脂组合物含有热固性树脂(A)、填充剂(D)和低应力剂(E)。另外，密封用树脂组合物的丙酮不溶成分为0.05质量％以下。另外，对密封用树脂组合物而言，在将树脂成分相对于密封用树脂组合物整体的含量设为CR(质量％)，将低应力剂相对于密封用树脂组合物整体的含量设为CS(质量％)的情况下，满足以下的(a)、(b)，
(a)5质量％≤CR≤8质量％，
(b)0.3≤CS/CR≤1.0。
如上所述，在利用密封用树脂组合物密封电子元件和金属部件的工艺中，有时密封后所得到的成形体产生翘曲。例如在制造晶圆级封装件时，可以包括利用密封用树脂组合物密封晶片从而得到成形体的工序，但担心在该成形体上产生翘曲。认为这样的翘曲起因于在密封成形后冷却至常温时密封树脂收缩。特别是在使用8英寸以上这样的大口径晶片的情况下，这样的课题更加显著。因此，寻求实现能够抑制密封电子元件等所得到的成形体的翘曲的密封用树脂组合物。
本发明人进行了精心研究，结果新发现，将丙酮不溶成分抑制在一定值以下，并且同时控制树脂成分的含量CR、树脂成分的含量CR与低应力剂(E)的含量CS的比，由此，能够抑制成形体的翘曲。本实施方式的密封用树脂组合物是基于这样的见解而实现的。因此，根据本实施方式，能够抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲。
下面，对本实施方式的密封用树脂组合物和电子零件详细地进行说明。
首先，对密封用树脂组合物进行说明。
密封用树脂组合物例如可以用于密封电子元件或金属部件。作为电子元件，没有特别限定，例如可以举出：晶体管、二极管、LED(LightEmitting Diode)、感应器和变阻器等无源元件等所例示的半导体元件、和集成电路。另外，作为金属部件，没有特别限定，例如可以举出：金属配线、金属线、金属基板。
在本实施方式中，作为可以用于密封例如半导体元件形成密封树脂的模制材料，可以使用密封用树脂组合物。此时，被密封用树脂组合物密封的对象没有特别限定，例如可以为晶片，也可以为将多个半导体元件摆放在载体上而成的模拟晶片，还可以为搭载在基板上的半导体元件。在这些对象中，在密封晶片或模拟晶片的情况下，由于密封后所得到的成形体面积大且为薄膜，因此，容易产生翘曲，但是可以通过使用本实施方式的密封用树脂组合物来更可靠地抑制这样的翘曲。
密封用树脂组合物例如在25℃为固体。由此，可以使用传递成形法或压缩成形法等进行密封成形。在本实施方式中，可以将密封用树脂组合物制成例如粉粒状、饼块状或片状。所谓密封用树脂组合物为粉粒状，是指为粉末状或颗粒状中的任一者的情况。另外，所谓密封用树脂组合物为饼块状，是指将密封用树脂组合物的粉碎物成形为饼块形状的情况。
如上所述，对密封用树脂组合物而言，将树脂成分相对于密封用树脂组合物整体的含量设为CR(质量％)，将低应力剂(E)相对于密封用树脂组合物整体的含量设为CS(质量％)的情况下，同时满足以下的(a)、(b)，
(a)5质量％≤CR≤8质量％，
(b)0.3≤CS/CR≤1.0。
在此，所谓树脂成分，含有热固性树脂(A)。另一方面，树脂成分为不含低应力剂(E)的概念。在密封用树脂组合物含有热固性树脂(A)以外的其他树脂的情况下，热固性树脂(A)的含量和该其他树脂的含量的合计为树脂成分的含量CR。作为上述其他树脂，例如可以举出能够作为酚醛树脂系固化剂等的固化剂(B)含有的树脂。
如上所述，以满足上述(a)、(b)的方式设计密封用树脂组合物，由此，能够抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲。其中，从更可靠地抑制成形体的翘曲的观点考虑，更优选密封用树脂组合物满足以下的(a’)和(b’)的一者或两者，
(a’)5质量％≤CR≤7质量％，
(b’)0.3≤CS/CR≤0.5。
下面，对构成密封用树脂组合物的各成分进行详细叙述。
((A)热固性树脂)
热固性树脂(A)包含例如选自环氧树脂、酚醛树脂、氧杂环丁烷树脂、(甲基)丙烯酸酯树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂和马来酰亚胺树脂中的一种或二种以上。在这些树脂中，从提高固化性、保存性、耐热性、耐湿性和耐药品性的观点考虑，特别优选含有环氧树脂。
作为热固性树脂(A)中所含的环氧树脂，可以使用所有的在1分子内具有2个以上环氧基的单体、低聚物、聚合物，其分子量和分子结构没有特别限定。在本实施方式中，环氧树脂(A)包含选自例如联苯型环氧树脂；双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、四甲基双酚F型环氧树脂等双酚型环氧树脂；茋型环氧树脂；苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂；三苯酚甲烷型环氧树脂、烷基改性三苯酚甲烷型环氧树脂等所例示的三苯酚型环氧树脂等多官能环氧树脂；具有亚苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂、具有亚苯基骨架的萘酚芳烷基型环氧树脂、具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂、具有亚联苯基骨架的萘酚芳烷基型环氧树脂等酚芳烷基型环氧树脂；二羟基萘型环氧树脂、将二羟基萘的二聚体进行缩水甘油醚化所得到的环氧树脂等萘酚型环氧树脂；异氰脲酸三缩水甘油酯、异氰脲酸单烯丙基二缩水甘油酯等含有三嗪核的环氧树脂；双环戊二烯改性苯酚型环氧树脂等有桥环状烃化合物改性苯酚型环氧树脂中的一种或二种以上。从抑制成形体的翘曲、提高填充性、耐热性、耐湿性等诸特性的平衡的观点考虑，在这些树脂中，更优选包含选自联苯型环氧树脂、多官能环氧树脂和酚芳烷基型环氧树脂中的一种或二种以上，特别优选至少包含多官能环氧树脂。
热固性树脂(A)的含量相对于密封用树脂组合物整体，优选为1质量％以上，更优选为2质量％以上，特别优选为2.5质量％以上。由此，可以提高成形时的流动性。因此，能够谋求填充性和成形稳定性的提高。另一方面，热固性树脂(A)的含量相对于密封用树脂组合物整体，优选为8质量％以下，更优选为7质量％以下，特别优选为6质量％以下。由此，能够提高电子零件的耐湿可靠性和耐回流性。另外，通过将热固性树脂(A)的含量控制在这样的范围内，能够有助于抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲。
((B)固化剂)
密封用树脂组合物例如可以含有固化剂(B)。作为密封用树脂组合物中所含有的固化剂(B)，例如可以大致分为加聚型的固化剂、催化型的固化剂和缩合型的固化剂的3个类型。
可以用作固化剂(B)的加聚型的固化剂，例如除二亚乙基三胺(DETA)、三亚乙基四胺(TETA)、间苯二甲胺(MXDA)等脂肪族多胺、二氨基二苯基甲烷(DDM)、间苯二胺(MPDA)、二氨基二苯基砜(DDS)等芳香族多胺以外，还包含选自包括双氰胺(DICY)、有机酸二酰肼等的多胺化合物；包括六氢化邻苯二甲酸酐(HHPA)、甲基四氢化邻苯二甲酸酐(MTHPA)等脂环族酸酐、偏苯三酸酐(TMA)、均苯四酸二酐(PMDA)、二苯甲酮四羧酸(BTDA)等芳香族酸酐等的酸酐；酚醛清漆型酚醛树脂、聚乙烯基苯酚、芳烷基型酚醛树脂等酚醛树脂系固化剂；聚硫醚、硫酯、硫醚等聚硫醇化合物；异氰酸酯预聚物、封端异氰酸酯等异氰酸酯化合物；含有羧酸的聚酯树脂等有机酸类中的一种或二种以上。
可以用作固化剂(B)的催化型的固化剂例如包含选自苄基二甲胺(BDMA)、2,4,6-三-二甲氨基甲基苯酚(DMP-30)等叔胺化合物；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑(EMI24)等咪唑化合物；BF3络合物等路易斯酸中的一种或二种以上。
可以用作固化剂(B)的缩合型的固化剂例如包含选自甲阶型酚醛树脂；含有羟甲基的尿素树脂等尿素树脂；含有羟甲基的三聚氰胺树脂等三聚氰胺树脂中的一种或二种以上。
在这些固化剂中，从提高耐燃性、耐湿性、电特性、固化性和保存稳定性等的平衡的观点考虑，更优选含有酚醛树脂系固化剂。作为酚醛树脂系固化剂，可以使用所有的一分子内具有2个以上酚性羟基的单体、低聚物、聚合物，其分子量、分子结构没有特别限定。可以用作固化剂(B)的酚醛树脂系固化剂例如包含选自苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、双酚酚醛清漆等酚醛清漆型酚醛树脂；聚乙烯基苯酚；三苯酚甲烷型酚醛树脂等多官能型酚醛树脂；萜烯改性酚醛树脂、双环戊二烯改性酚醛树脂等改性酚醛树脂；具有亚苯基骨架和/或亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂、具有亚苯基和/或亚联苯基骨架的萘酚芳烷基树脂等酚芳烷基型酚醛树脂；双酚A、双酚F等双酚化合物中的一种或二种以上。在这些固化剂中，从抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲的观点考虑，更优选包含多官能型酚醛树脂和酚芳烷基型酚醛树脂中的至少一者。其中，在本实施方式中，可以举出在密封用树脂组合物中含有作为热固性树脂(A)的多官能环氧树脂、作为固化剂(B)的多官能酚醛树脂中的一者或两者的情况，作为优选方式的例子。
固化剂(B)的含量相对于密封用树脂组合物整体，优选为0.5质量％以上，更优选为1质量％以上，特别优选为1.5质量％以上。由此，在成形时，能够实现优异的流动性，能够谋求填充性和成形性的提高。另一方面，固化剂(B)的含量相对于密封用树脂组合物整体，优选为6质量％以下，更优选为5质量％以下，特别优选为4质量％以下。由此，能够提高电子零件的耐湿可靠性、耐回流性。另外，通过将固化剂(B)的含量控制在这样的范围内，能够有助于抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲。
((C)固化促进剂)
密封用树脂组合物例如可以含有固化促进剂(C)。固化促进剂(C)只要为促进热固性树脂(A)(例如环氧树脂)和固化剂(B)(例如酚醛树脂系固化剂)的交联反应的物质即可。
固化促进剂(C)例如可以包含选自有机膦、四取代鏻化合物、磷酸甜菜碱化合物、膦化合物和醌化合物的加合物、鏻化合物和硅烷化合物的加合物等含磷原子的化合物；1,8-二氮杂双环(5,4,0)十一碳烯-7、苄基二甲胺、2-甲基咪唑等所例示的脒、叔胺、上述脒和胺的季盐等含有氮原子的化合物中的1种或2种以上。在这些固化促进剂中，从提高固化性的观点考虑，更优选包含含有磷原子的化合物。
作为能够在密封用树脂组合物中使用的有机膦，例如可以举出：乙基膦、苯基膦等伯膦；二甲基膦、二苯基膦等仲膦；三甲基膦、三乙基膦、三丁基膦、三苯基膦等叔膦。
作为能够在密封用树脂组合物中使用的四取代鏻化合物，例如可以举出下述通式(6)所示的化合物等。
(在上述通式(6)中，P表示磷原子。R4、R5、R6和R7表示芳香族基团或烷基。A表示在芳香环上具有至少1个选自羟基、羧基、巯基中的官能团的任一者的芳香族有机酸的阴离子。AH表示在芳香环上具有至少1个选自羟基、羧基、巯基中的官能团的任一者的芳香族有机酸。x、y为1～3的数，z为0～3的数，且x＝y。)
通式(6)所示的化合物例如可以按照如下操作得到，但并不限定于此。首先，将四取代鏻卤化物、芳香族有机酸和碱混入有机溶剂中，混合均匀，使其溶液体系内产生芳香族有机酸阴离子。接着，加入水，能够使通式(6)所示的化合物沉淀。优选在通式(6)所示的化合物中，与磷原子键合的R4、R5、R6和R7为苯基，且AH为芳香环具有羟基的化合物、即酚类，且A为该酚类的阴离子。作为上述酚类，可以例示：苯酚、甲酚、间苯二酚、邻苯二酚等单环式酚类、萘酚、二羟基萘、蒽二酚等缩合多环式酚类、双酚A、双酚F、双酚S等双酚类、苯基苯酚、联苯酚等多环式苯酚类等。
作为可以在密封用树脂组合物中使用的磷酸甜菜碱化合物，例如可以举出下述通式(7)所示的化合物等。
(在上述通式(7)中，R8表示碳原子数1～3的烷基，R9表示羟基。f为0～5的数，g为0～3的数。)
通式(7)所示的化合物例如可以按照如下操作得到。首先，使作为叔膦的三芳香族取代膦和重氮鎓盐接触，经过使三芳香族取代膦和重氮鎓盐所具有的重氮鎓基发生取代的工序而得到。但是，并不限定于此。
作为可以在密封用树脂组合物中使用的膦化合物和醌化合物的加合物，例如可以举出下述通式(8)所示的化合物等。
(在上述通式(8)中，P表示磷原子。R10、R11和R12表示碳原子数1～12的烷基或碳原子数6～12的芳基，相互可以相同，也可以不同。R13、R14和R15表示氢原子或碳原子数1～12的烃基，相互可以相同，也可以不同，R14和R15可以键合形成环状结构。)
作为膦化合物和醌化合物的加合物所使用的膦化合物，例如优选三苯基膦、三(烷基苯基)膦、三(烷氧基苯基)膦、三萘基膦、三(苄基)膦等在芳香环上无取代或者存在烷基、烷氧基等取代基的物质，作为烷基、烷氧基等取代基，可以举出具有1～6碳原子数的取代基。从获得容易性的观点考虑，优选三苯基膦。
另外，作为膦化合物和醌化合物的加合物所使用的醌化合物，可以举出：苯醌、蒽醌类，其中，从保存稳定性的方面考虑，优选对苯醌。
作为膦化合物和醌化合物的加合物的制造方法，可以通过使有机叔膦和苯醌类在能够溶解两者的溶剂中接触、混合来得到加合物。作为溶剂，丙酮和甲基乙基酮等酮类对加合物的溶解性较低，故优选。但是，并不限定于此。
从降低密封用树脂组合物的固化物的热时弹性模量的方面考虑，优选在通式(8)所示的化合物中，与磷原子键合的R10、R11和R12为苯基，且R13、R14和R15为氢原子的化合物，即，使1,4-苯醌和三苯基膦加合而得到的化合物。
作为可以在密封用树脂组合物中使用的鏻化合物和硅烷化合物的加合物，例如可以举出下述通式(9)所示的化合物等。
(在上述通式(9)中，P表示磷原子，Si表示硅原子。R16、R17、R18和R19分别表示具有芳香环或杂环的有机基团或者脂肪族基团，相互可以相同，也可以不同。式中R20为与基团Y2和Y3键合的有机基团。式中R21为与基团Y4和Y5键合的有机基团。Y2和Y3表示给质子基团释放质子而成的基团，同一分子内的基团Y2和Y3与硅原子键合而形成螯合结构。Y4和Y5表示给质子基团释放质子而成的基团，同一分子内的基团Y4和Y5与硅原子键合而形成螯合结构。R20和R21相互可以相同，也可以不同，Y2、Y3、Y4和Y5相互可以相同，也可以不同。Z1为具有芳香环或杂环的有机基团或者脂肪族基团。)
在通式(9)中，作为R16、R17、R18和R19，例如可以举出：苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羟基苯基、萘基、羟基萘基、苄基、甲基、乙基、正丁基、正辛基和环己基等，在这些基团中，更优选苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羟基苯基、羟基萘基等具有烷基、烷氧基、羟基等取代基的芳香族基团或者无取代的芳香族基团。
另外，在通式(9)中，R20为与基团Y2和Y3键合的有机基团。同样地，R21为与基团Y4和Y5键合的有机基团。Y2和Y3为给质子基团释放质子而成的基团，同一分子内的基团Y2和Y3与硅原子键合而形成螯合结构。同样地，Y4和Y5为给质子基团释放质子而成的基团，同一分子内的基团Y4和Y5与硅原子键合而形成螯合结构。基团R20和R21相互可以相同，也可以不同，基团Y2、Y3、Y4和Y5相互可以相同，也可以不同。这样的通式(9)中的-Y2-R20-Y3-和Y4-R21-Y5-所示的基团是由给质子体释放2个质子而成的基团构成的，作为给质子体，优选在分子内具有至少2个羧基或羟基的有机酸，进一步优选构成芳香环的相邻的碳上具有至少2个羧基或羟基的芳香族化合物，更优选构成芳香环的相邻的碳上具有至少2个羟基的芳香族化合物，例如可以举出：邻苯二酚、邻苯三酚、1,2-二羟基萘、2,3-二羟基萘、2,2’-联苯酚、1,1’-联-2-萘酚、水杨酸、1-羟基-2-萘甲酸、3-羟基-2-萘甲酸、氯冉酸、丹宁酸、2-羟基苄醇、1,2-环己二醇、1,2-丙二醇和甘油等，在这些物质中，更优选邻苯二酚、1,2-二羟基萘、2,3-二羟基萘。
另外，通式(9)中的Z1表示具有芳香环或杂环的有机基团或脂肪族基团，作为这些基团的具体例，可以举出：甲基、乙基、丙基、丁基、己基和辛基等脂肪族烃基；苯基、苄基、萘基和联苯基等芳香族烃基；缩水甘油氧基丙基、巯基丙基、氨基丙基等具有缩水甘油氧基、巯基、氨基的烷基和乙烯基等反应性取代基等，在这些基团中，从热稳定性的方面考虑，更优选甲基、乙基、苯基、萘基和联苯基。
作为鏻化合物和硅烷化合物的加合物的制造方法，在放入了甲醇的烧瓶中加入苯基三甲氧基硅烷等硅烷化合物、2,3-二羟基萘等给质子体，使其溶解，接着在室温搅拌下滴加甲醇钠-甲醇溶液。进而，在室温搅拌下向其中滴加预先准备的在甲醇中溶解有四苯基溴化鏻等四取代鏻卤化物而得到的溶液，析出结晶。过滤析出的结晶，水洗，真空干燥，得到鏻化合物和硅烷化合物的加合物。但是，并不限定于此。
固化促进剂(C)的含量相对于密封用树脂组合物整体，优选为0.03质量％以上，更优选为0.05质量％以上，特别优选为0.07质量％以上。由此，可以有效地提高密封成形时的固化性。另一方面，固化促进剂(C)的含量相对于密封用树脂组合物整体，优选为1.0质量％以下，更优选为0.5质量％以下，特别优选为0.3质量％以下。由此，能够谋求密封成形时的流动性的提高。
((D)填充剂)
密封用树脂组合物含有填充剂(D)。填充剂(D)例如可以包含选自熔融二氧化硅、结晶二氧化硅等二氧化硅、氧化铝、氢氧化铝、氮化硅和氮化铝中的一种或二种以上的无机填充剂。在这些无机填充剂中，从通用性优异的观点考虑，更优选包含二氧化硅，特别优选包含熔融二氧化硅。
填充剂(D)的平均粒径(D50)优选为0.01μm以上50μm以下，更优选为0.1μm以上30μm以下。通过将平均粒径设为上述下限值以上，能够使密封用树脂组合物的流动性变得良好，能够更有效地提高成形性。另外，通过将平均粒径设为上述上限值以下，能够可靠地抑制浇口堵塞等的产生。其中，在本实施方式中，填充剂(D)的平均粒径(D50)可以使用市售的激光衍射式粒度分布测定装置(例如岛津制作所社制、SALD-7000)以体积基准对颗粒的粒度分布进行测定，将其中值粒径(D50)设为平均粒径。
填充剂(D)的含量相对于密封用树脂组合物整体优选为85质量％以上，更优选为87质量％以上，特别优选为89质量％以上。由此，能够提高低吸湿性和低热膨胀性，能够更有效地提高电子零件的耐湿可靠性和耐回流性。另一方面，填充剂(D)的含量相对于密封用树脂组合物整体优选为95质量％以下，更优选为93质量％以下。由此，能够更有效地提高密封用树脂组合物的成形时的流动性和填充性。另外，通过将填充剂(D)的含量控制在这样的范围内，能够有助于抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲。
另外，填充剂(D)例如可以将不同的平均粒径(D50)的填充剂并用二种以上。由此，能够更有效地提高填充剂(D)相对于密封用树脂组合物整体的填充性。因此，也能够有助于抑制成形体的翘曲。另外，在本实施方式中，从提高密封用树脂组合物的填充性的观点和抑制成形体的翘曲的观点考虑，可以举出含有平均粒径0.01μm以上1μm以下的填充剂和平均粒径超过1μm且为30μm以下的填充剂的情况作为优选方式之一。
在含有平均粒径0.01μm以上1μm以下的填充剂和平均粒径超过1μm且为30μm以下的填充剂的情况下，平均粒径超过1μm且为30μm以下的填充剂相对于填充剂(D)整体的含量例如优选为70质量％以上，更优选为80质量％以上。由此，能够更有效地抑制成形体的翘曲。另一方面，平均粒径超过1μm且为30μm以下的填充剂相对于填充剂(D)整体的含量的上限值没有特别限定，例如可以设为99质量％。
((E)低应力剂)
低应力剂(E)例如可以包含选自硅酮化合物等具有硅氧烷键的化合物、热塑性弹性体、热固性弹性体等弹性体等中的一种或二种以上。作为硅酮化合物，例如可以举出：硅油和硅酮橡胶。另外，作为弹性体，为聚丁二烯化合物，其中，优选丙烯腈-丁二烯共聚化合物，更优选非改性丙烯腈-丁二烯共聚化合物、羧酸改性丙烯腈-丁二烯共聚化合物(CTBN(Carboxyl-Terminated Butadiene-Nitrile))。
从抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲的观点考虑，低应力剂(E)更优选包含硅酮化合物，更优选包含硅油。另外，硅油例如更优选包含环氧改性硅油、羧基改性硅油、烷基改性硅油和聚醚改性硅油等有机改性硅油。在这些硅油中，从使低应力剂(E)微分散在树脂成分中，有助于抑制翘曲的观点考虑，特别优选包含聚醚改性硅油。
低应力剂(E)可以包含例如在60℃为液体的液体成分。液体成分可以为在25℃为液体的物质，也可以为在25℃为固体但在60℃以上加热、混炼的工序中液体化的物质，还可以为同时含有这些的物质。由此，能够有助于抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲。认为这是因为通过含有上述液体成分能够使低应力剂(E)均匀分散在树脂成分中。从抑制成形体的翘曲的观点考虑，液体成分更优选包含例如具有硅氧烷键的化合物。在本实施方式中，作为液体成分，可以例示包含选自硅油和液体丙烯腈-丁二烯共聚化合物中的一种或二种以上的情况作为优选的方式。另外，在本实施方式中，作为液体成分，可以例示至少包含环氧改性硅油、羧基改性硅油、烷基改性硅油和聚醚改性硅油等有机改性硅油的情况作为更优选的方式。进而，在本实施方式中，作为液体成分，可以例示含有聚醚改性硅油的情况作为进一步优选的方式。
液体成分相对于低应力剂(E)整体的含量例如优选为60质量％以上，更优选为80质量％以上。由此，能够更有效地抑制成形体的翘曲。另一方面，液体成分相对于低应力剂(E)整体的含量的上限值没有特别限定，例如可以设为100质量％。
低应力剂(E)更优选以例如微分散在树脂成分中的状态包含在密封用树脂组合物中。这样通过不凝聚而使其微分散，能够更有效地抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲。在本实施方式中，通过适当选择例如低应力剂(E)的种类、配合比例和低应力剂(E)的添加方法，能够使低应力剂(E)微分散在树脂成分中。
低应力剂(E)的含量相对于密封用树脂组合物整体优选为1.5质量％以上，更优选为1.8质量％以上。另外，低应力剂(E)的含量相对于密封用树脂组合物整体优选为8质量％以下，更优选为5质量％以下。通过将低应力剂(E)的含量控制在这样的范围内，能够有助于抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲。
(其他的成分)
在密封用树脂组合物中，可以根据需要适当地配合例如脱模剂、偶联剂、离子捕捉剂、阻燃剂、着色剂和抗氧化剂等各种添加剂中的一种或二种以上。脱模剂可以包含例如选自巴西棕榈蜡等天然蜡、褐煤酸酯蜡和氧化聚乙烯蜡等合成蜡、硬脂酸锌等高级脂肪酸及其金属盐类以及石蜡中的1种或2种以上。偶联剂可以包含例如选自环氧硅烷、巯基硅烷、氨基硅烷、烷基硅烷、脲基硅烷、乙烯基硅烷、甲基丙烯硅烷等各种硅烷系化合物、钛系化合物、铝螯合物类、铝/锆系化合物等公知的偶联剂中的1种或2种以上。离子捕捉剂包含例如水滑石。阻燃剂可以包含例如选自氢氧化镁、硼酸锌、钼酸锌、磷腈中的1种或2种以上。着色剂可以包含例如炭黑。
密封用树脂组合物的制造方法没有特别限定。在本实施方式中，例如可以将利用公知的方法对上述的各成分进行混合、进而利用辊、捏合机或挤出机等混炼机进行熔融混炼、冷却后粉碎而得到的物质，在粉碎后压片成形为饼块状而得到的物质，以及根据需要对上述粉碎而得到的物质进行筛分或者利用离心制粉法、热切割法等适宜调整分散度和流动性等而得到的物质等用作密封用树脂组合物。
密封用树脂组合物的丙酮不溶成分为0.05质量％以下。由此，如上所述，能够抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲。其中，丙酮不溶成分的下限值没有特别限定，例如可以设为0质量％。
在本实施方式中，例如可以按照如下操作对丙酮不溶成分进行测定。首先，将密封用树脂组合物300g投入液温25℃的丙酮1000ml中，将震荡20分钟所得到的丙酮溶液用70目(网眼212μm)的JIS标准筛进行筛分。接着，使筛上的残留物风干后，对该残留物的重量进行测定。然后，由测定结果算出残留物相对于密封用树脂组合物整体的比例(质量％)，将其设为丙酮不溶成分。
在本实施方式中，密封用树脂组合物的丙酮不溶成分例如可以通过分别适当调整密封用树脂组合物的各成分的种类、配合比例、密封用树脂组合物的制备方法等来控制。例如在与低应力剂一同含有微球的填充剂的情况下，从抑制丙酮不溶成分的观点考虑，认为将低应力剂与树脂成分均匀混合后添加微球的填充剂很重要。其中，密封用树脂组合物的制备方法并不限定于上述方法。
在本实施方式中，例如优选对密封用树脂组合物在175℃热处理120秒后，在175℃热处理4小时，所得到的固化物在25℃的储存弹性模量E’为30GPa以下。由此，能够更可靠地抑制利用密封用树脂组合物密封电子元件等所得到的成形体的翘曲。认为这是因为能够有效地缓解成形体中产生的内部应力。从抑制翘曲的观点考虑，更优选上述储存弹性模量E’为20GPa以下。另一方面，从提高电子零件的可靠性的观点考虑，优选上述储存弹性模量E’为5GPa以上，更优选为10GPa以上。
密封用树脂组合物的上述储存弹性模量E’例如可以按照如下操作测定。首先，使用低压传递成形机(Kohtaki Precision Machine Co.,Ltd.制“KTS-15”)，以模具温度175℃、注入压力6.9MPa、固化时间120秒，对密封用树脂组合物进行注入成形，得到10mm×4mm×4mm的试验片。接着，将所得到的试验片以175℃、4小时进行后固化。接着，使用动态粘弹性测定装置在拉伸模式、频率1Hz、升温速度5℃/分钟、测定温度范围-50℃～300℃的条件下对上述试验片进行动态粘弹性测定。由测定结果算出25℃时的储存弹性模量E’(MPa)。
在本实施方式中，例如对密封用树脂组合物在175℃热处理120秒后，在175℃热处理4小时，所得到的固化物的玻璃化转变温度优选为100℃以上，更优选为120℃以上。由此，能够更有效地提高电子零件的耐热性。另一方面，上述玻璃化转变温度的上限值没有特别限定，例如可以设为250℃。
在本实施方式中，例如对密封用树脂组合物在175℃热处理120秒后，在175℃热处理4小时，所得到的固化物的玻璃化转变温度以下的线膨胀系数(CTE1)优选为6ppm/℃以下。另外，玻璃化转变温度以下的线膨胀系数(CTE1)例如优选为1ppm/℃以上。通过这样控制CTE1，能够更可靠地抑制起因于电子元件和密封树脂的线膨胀系数的差的成形体的翘曲。
在本实施方式中，例如对密封用树脂组合物在175℃热处理120秒后，在175℃热处理4小时，所得到的固化物的超过玻璃化转变温度的线膨胀系数(CTE2)优选为30ppm/℃以下。另外，超过玻璃化转变温度的线膨胀系数(CTE2)例如优选为5ppm/℃以上。通过这样控制CTE2，特别是在高温环境下，能够更可靠地抑制起因于电子元件和密封树脂的线膨胀系数的差的成形体的翘曲。
密封用树脂组合物的上述玻璃化转变温度和上述线膨胀系数(CTE1、CTE2)例如可以按照如下操作测定。首先，使用低压传递成形机(Kohtaki Precision Machine Co.,Ltd.制“KTS-15”)，以模具温度175℃、注入压力6.9MPa、固化时间120秒对密封用树脂组合物进行注入成形，得到10mm×4mm×4mm的试验片。接着，将所得到的试验片以175℃、4小时进行后固化，之后使用热机械分析装置(SeikoInstruments,Inc.制、TMA100)，在测定温度范围0℃～320℃、升温速度5℃/分钟的条件下进行测定。由该测定结果算出玻璃化转变温度、玻璃化转变温度以下的线膨胀系数(CTE1)、超过玻璃化转变温度的线膨胀系数(CTE2)。
在本实施方式中，密封用树脂组合物的成形收缩率例如可以设为0.05％以下。从抑制成形体的翘曲的观点考虑，成形收缩率更优选为0％以下，特别优选设为-0.05％以下。由此，也能够使成形体的脱模变得更容易。另一方面，密封用树脂组合物的成形收缩率例如优选设为-0.5％以上，更优选设为-0.3％以上。其中，成形收缩率的测定例如可以基于JIS K 6911，对使用密封用树脂组合物通过低压传递成形机(Kohtaki Precision Machine Co.,Ltd.制“KTS-15”)在模具温度175℃、注入压力6.9MPa、固化时间120秒的条件下所制作的试验片进行。
在本实施方式中，关于密封用树脂组合物，例如螺旋流动的流动长度优选为45cm以上，更优选为55cm以上。由此，能够更有效地提高对密封用树脂组合物进行成形时的填充性。螺旋流动的流动长度的上限值没有特别限定，例如可以设为200cm。其中，螺旋流动测定可以通过例如使用低压传递成形机(Kohtaki Precision Machine Co.,Ltd.制“KTS-15”)，在模具温度175℃、注入压力6.9MPa、固化时间120秒的条件下将密封用树脂组合物注入基于EMMI-1-66的螺旋流动测定用的模具中，测定流动长度来进行。
在本实施方式中，关于密封用树脂组合物，例如胶凝时间优选为30秒以上60秒以下，更优选为40秒以上55秒以下。由此，能够谋求密封用树脂组合物的成形性的提高，并且能够加快成形循环。胶凝时间的测定可以在加热到175℃的热板上将密封用树脂组合物熔融后，一边用刮刀混炼，一边对直至固化的时间(胶凝时间)进行测定。
在本实施方式中，上述储存弹性模量E’、玻璃化转变温度、线膨胀系数(CTE1、CTE2)、成形收缩率、螺旋流动和胶凝时间可以通过分别对例如密封用树脂组合物的各成分的种类、配合比例、密封用树脂组合物的制备方法等适当地调整来控制。
接着，对电子零件100进行说明。其中，本实施方式的密封用树脂组合物优选用于构成通过对晶片的电路面进行树脂密封所得到的晶圆级封装件的密封树脂，也优选应用于以下说明的模拟晶片中所使用的密封树脂。
本实施方式的电子零件100具有密封电子元件10或金属部件的密封树脂20。密封树脂20由本实施方式的密封用树脂组合物的固化物构成。另外，作为电子元件10和金属部件，例如可以使用上述例示的物质。
图1是表示本实施方式的电子零件100的一个例子的剖面图。图1所例示的电子零件100为具有作为半导体元件的电子元件10、密封电子元件10的密封树脂20的半导体封装件。在图1中，特别表示作为晶圆级封装件的电子零件100。其中，本实施方式的电子零件100并不限定于图1所示的零件。电子零件100例如可以为将有机基板或引线框上所搭载的电子元件10通过密封用树脂组合物进行密封所得到的半导体封装件。另外，电子零件100例如可以为将配线基板和配线基板上所搭载的多个电子元件10一起利用密封用树脂组合物密封所得到的车载用电子控制单元。
另外，电子零件100可以具有金属部件和密封金属部件的密封树脂20。作为这样的电子零件100，例如可以举出将金属配线利用密封用树脂组合物密封所形成的树脂基板。
图1所示的电子零件100具有一面设有电极12的电子元件10和以覆盖电子元件10的一面以外的方式所设的密封树脂20。在电子元件10的一面上设有埋入了例如与电极12连接的通孔40的绝缘层30。在绝缘层30上以与通孔40连接的方式设有构成再配线层的配线42。另外，在绝缘层30上和配线42上设有作为阻焊层的绝缘层32。另外，在绝缘层32上设有与配线42连接的开口，该开口内设有焊球44。图1所示的电子零件100经由焊球44与外部电连接。
接着，对电子零件100的制造方法进行说明。
电子零件100的制造方法包括使用上述密封用树脂组合物对电子元件10或金属部件进行密封成形的工序。由此，能够抑制在密封电子元件10或金属部件所得到的成形体中产生翘曲。
图2是表示本实施方式的电子零件100的制造方法的一个例子的剖面图。在图2中，例示了使用在载体50上安装作为半导体元件的多个电子元件10形成的模拟晶片，形成晶圆级封装件的方法。利用图2所示的制造方法，能够谋求电子零件100的薄型化。其中，本实施方式的电子零件100的制造方法并不限定于图2所示的方法。电子零件100例如可以通过将有机基板或引线框上所搭载的电子元件10利用密封用树脂组合物密封来制造。另外，电子零件100例如可以为通过MAP(Mold Array Package)成形等所制造的零件。
下面，对图2所示的电子零件100的制造方法的一个例子进行详细叙述。
首先，如图2(a)所示，在载体50上所形成的安装膜52上配置多个电子元件10。由此，形成模拟晶片。载体50例如为板状。安装膜52例如为利用加热降低相对于电子元件10的粘接性的热剥离性膜。在本实施方式中，例如能够以电子元件10中的设有外部电极的一面与安装膜52相对的方式在安装膜52上配置电子元件10。
接着，如图2(b)所示，使用密封用树脂组合物对电子元件10进行密封成形。密封成形的该工序例如以晶圆级对电子元件10进行。其中，所谓以晶圆级进行密封成形，为包括如图2(b)所示通过密封用树脂组合物将构成模拟晶片的多个电子元件10一起密封、以及通过密封用树脂组合物将晶片上的电路面一起密封的概念。由此，能够形成由多个电子元件10和密封多个电子元件10的密封树脂20构成的成形体200。在本实施方式中，使用上述密封用树脂组合物形成成形体200。因此，即使为大面积且膜厚薄的成形体200也能够抑制翘曲。
利用密封用树脂组合物的密封成形没有特别限定，例如可以利用压缩成形来进行。此时，压缩成形更优选在例如120℃以上160℃以下的温度条件下进行。由此，能够使密封用树脂组合物充分地固化。另外，能够抑制在冷却成形体200时，因密封树脂20的收缩而在成形体200上产生翘曲。
下面，如图2(c)所示，将成形体200从安装膜52上剥离。
下面，如图2(d)所示，在成形体200中的露出电子元件10的一面上形成再配线层。再配线层例如由上述的绝缘层30、埋入绝缘层30的通孔40、绝缘层30上所设的配线42、绝缘层30上和配线42上所设的绝缘层32构成。接着，在再配线层上形成与配线42连接的多个焊球44。然后，对成形体200进行切割，单片化为各电子零件100。
在本实施方式中，例如按照这样操作形成电子零件100。
另外，本发明并不限定于上述的实施方式，本发明中包含能够实现本发明的目的的范围内的变形、改良等。
[实施例]
下面，对本发明的实施例进行说明。
(密封用树脂组合物的制备)
关于实施例1～6、比较例1～4和7，按照如下操作制备密封用树脂组合物。首先，按照表1所示的配合，使用混合机将填充剂1、热固性树脂(A)、固化剂(B)、固化促进剂(C)和脱模剂(F)混合，得到混合物。接着，按照表1所示的配合，在上述混合物中添加低应力剂(E)后，使用混合机混合。接着，按照表1所示的配合，在上述混合物中添加填充剂2后，使用混合机混合。接着，以70～100℃对所得到的混合物进行辊混炼。接着，对混炼后的混合物进行冷却、粉碎，得到粉粒状的密封用树脂组合物。
关于比较例5，按照如下操作制备密封用树脂组合物。首先，按照表1所示的配合，使用混合机将填充剂1、热固性树脂(A)、固化剂(B)、固化促进剂(C)和脱模剂(F)混合，得到混合物。接着，按照表1所示的配合，在上述混合物中添加填充剂2后，使用混合机混合。接着，按照表1所示的配合，在上述混合物中添加低应力剂(E)后，使用混合机混合。接着，以70～100℃对所得到的混合物进行辊混炼。接着，对混炼后的混合物进行冷却、粉碎，得到粉粒状的密封用树脂组合物。
关于比较例6，按照如下操作制备密封用树脂组合物。首先，按照表1所示的配合，使用混合机将热固性树脂(A)、固化剂(B)、固化促进剂(C)、填充剂1、填充剂2、低应力剂(E)和脱模剂(F)一起混合，得到混合物。接着，以70～100℃对所得到的混合物进行辊混炼。接着，将混炼后的混合物进行冷却、粉碎，得到粉粒状的密封用树脂组合物。
其中，表1中的各成分的配合比例的单位为质量％。另外，表1中的各成分的详细情况如下。
(A)热固性树脂
热固性树脂1：联苯型环氧树脂(YX-4000H、三菱化学(株)制)
热固性树脂2：具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂(NC-3000、日本化药(株)制)
热固性树脂3：三苯酚甲烷型环氧树脂(E1032-H60、三菱化学(株)制)
(B)固化剂
固化剂1：三苯酚甲烷型酚醛树脂(MEH7500、明和化成(株)制)
固化剂2：具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂(MEH-7851SS、明和化成(株)制)
(C)固化促进剂
三苯基膦(PP360、KI化成(株)制)
(D)填充剂
填充剂1：球状熔融二氧化硅(电化学工业(株)制、FB-950FC、平均粒径D50：22μm)
填充剂2：球状熔融二氧化硅(Admatechs(株)制、SO-25R、平均粒径D50：0.5μm)
其中，对填充剂(D)的平均粒径(D50)而言，使用激光衍射式粒度分布测定装置(岛津制作所社制、SALD-7000)以体积基准对颗粒的粒度分布进行测定，将其中值粒径(D50)设为平均粒径。
(E)低应力剂
硅油(FZ-3730、Dow Corning Toray Co.,Ltd.制)
(F)脱模剂
褐煤酸酯蜡(Licolub WE-4、Clariant(Japan)K.K.制)
在表1中，将填充剂(D)相对于密封用树脂组合物整体的含量设为CF(质量％)，将低应力剂(E)相对于密封用树脂组合物整体的含量设为CS(质量％)。另外，在各实施例和各比较例的任一者中，热固性树脂(A)和固化剂(B)均相当于树脂成分。因此，树脂成分相对于密封用树脂组合物整体的含量CR(质量％)利用热固性树脂(A)相对于密封用树脂组合物整体的含量和固化剂(B)相对于密封用树脂组合物整体的含量的合计算出。
(丙酮不溶成分)
关于各实施例和各比较例，按照如下操作对所得到的密封用树脂组合物的丙酮不溶成分进行测定。首先，将密封用树脂组合物300g投入液温25℃的丙酮1000ml中，将震荡20分钟所得到的丙酮溶液用70目(网眼212μm)的JIS标准筛进行筛分。接着，使筛上的残留物风干后，对该残留物的重量进行测定。然后，由测定结果算出残留物相对于密封用树脂组合物整体的比例(质量％)，将其设为丙酮不溶成分。将结果示于表1。在表1中，将丙酮不溶成分低于0.05质量％的情况记载为“<0.05”。
(螺旋流动)
关于各实施例和各比较例，对所得到的密封用树脂组合物进行螺旋流动测定。螺旋流动测定可以通过例如使用低压传递成形机(KohtakiPrecision Machine Co.,Ltd.制“KTS-15”)，在模具温度175℃、注入压力6.9MPa、固化时间120秒的条件下，将密封用树脂组合物注入基于EMMI-1-66的螺旋流动测定用的模具中，测定流动长度来进行。将结果示于表1。
(胶凝时间)
关于各实施例和各比较例，对所得到的密封用树脂组合物的胶凝时间进行测定。胶凝时间的测定通过在加热到175℃的热板上将密封用树脂组合物熔融后，一边用刮刀混炼，一边对直至固化的时间(胶凝时间)进行测定。将结果示于表1。
(储存弹性模量)
关于实施例1～6和比较例1～4，按照如下操作对所得到的密封用树脂组合物的固化物的储存弹性模量进行测定。首先，使用低压传递成形机(Kohtaki Precision Machine Co.,Ltd.制“KTS-15”)，以模具温度175℃、注入压力6.9MPa、固化时间120秒，对密封用树脂组合物进行注入成形，得到10mm×4mm×4mm的试验片。接着，对所得到的试验片以175℃、4小时进行后固化。接着，使用动态粘弹性测定装置在拉伸模式、频率1Hz、升温速度5℃/分钟、测定温度范围-50℃～300℃的条件下对上述试验片进行动态粘弹性测定。然后，由测定结果得到25℃时的储存弹性模量E’(MPa)。将结果示于表1。
(玻璃化转变温度、线膨胀系数)
关于各实施例和各比较例，按照如下操作对所得到的密封用树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度(Tg)、线膨胀系数(CTE1、CTE2)进行测定。首先，使用低压传递成形机(Kohtaki Precision Machine Co.,Ltd.制“KTS-15”)，以模具温度175℃、注入压力6.9MPa、固化时间120秒对密封用树脂组合物进行注入成形，得到10mm×4mm×4mm的试验片。接着，对所得到的试验片以175℃、4小时进行后固化，之后使用热机械分析装置(Seiko Instruments,Inc.制、TMA100)，在测定温度范围0℃～320℃、升温速度5℃/分钟的条件下进行测定。由该测定结果算出玻璃化转变温度(Tg)、玻璃化转变温度以下的线膨胀系数(CTE1)、超过玻璃化转变温度的线膨胀系数(CTE2)。将结果示于表1。其中，在表1中表示了实施例1～6和比较例1～4的玻璃化转变温度和线膨胀系数的测定结果、比较例5和6的玻璃化转变温度的测定结果。
另外，比较例7的密封用树脂组合物由于固化不充分，所以无法进行玻璃化转变温度和线膨胀系数的测定。
(成形收缩率)
关于实施例1～6和比较例1～4，对所得到的密封用树脂组合物的成形收缩率进行测定。测定基于JIS K 6911对使用低压传递成形机(Kohtaki Precision Machine Co.,Ltd.制“KTS-15”)在模具温度175℃、注入压力6.9MPa、固化时间120秒的条件下所制作的试验片进行。将结果示于表1。
(晶圆级封装件(WLP)翘曲评价)
关于实施例1～6和比较例1～6，使用密封用树脂组合物按照如下操作制作WLP，对WLP翘曲进行评价。
在厚度0.7mm、直径200mm的硅晶片的电路面，在模具温度150℃、成形压力6MPa、固化时间5分钟的条件下，以成形树脂厚度为0.8mm的方式压缩成形密封用树脂组合物，得到WLP。以上面凸起的方式静置所得到的WLP，对最高位置和最低位置的高度的差进行测定。将该差设为WLP翘曲。
其中，在比较例5和6的WLP中，在密封树脂的表面附着有凝聚物，外观较差。
另外，比较例7的密封用树脂组合物由于固化不充分，所以无法进行WLP翘曲的评价。
该申请主张以2015年3月10日提出的日本申请特愿2015-046774号为基础的优先权，在此引用其公开的全部内容。

Claims (13)

1.一种密封用树脂组合物，其特征在于：
含有热固性树脂、填充剂和低应力剂，
丙酮不溶成分为0.05质量％以下，
将树脂成分相对于所述密封用树脂组合物整体的含量设为CR(质量％)，将所述低应力剂相对于所述密封用树脂组合物整体的含量设为CS(质量％)时，满足以下的(a)、(b)，
(a)5质量％≤CR≤8质量％，
(b)0.3≤CS/CR≤1.0。
2.如权利要求1所述的密封用树脂组合物，其特征在于：
所述填充剂相对于所述密封用树脂组合物整体的含量CF为85质量％以上。
3.如权利要求1或2所述的密封用树脂组合物，其特征在于：
对所述密封用树脂组合物在175℃热处理120秒后，在175℃热处理4小时，所得到的固化物在25℃的储存弹性模量E’为30GPa以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的密封用树脂组合物，其特征在于：对所述密封用树脂组合物在175℃热处理120秒后，在175℃热处理4小时，所得到的固化物在玻璃化转变温度以下的线膨胀系数为6ppm/℃以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的密封用树脂组合物，其特征在于：所述低应力剂含有在60℃为液体的液体成分，
所述液体成分含有具有硅氧烷键的化合物。
6.如权利要求5所述的密封用树脂组合物，其特征在于：
所述液体成分相对于所述低应力剂整体的含量为60质量％以上。
7.如权利要求1～6中任一项所述的密封用树脂组合物，其特征在于：所述低应力剂含有硅酮化合物。
8.如权利要求7所述的密封用树脂组合物，其特征在于：
所述硅酮化合物包含硅油。
9.一种电子零件的制造方法，其特征在于，
包括：使用权利要求1～8中任一项所述的密封用树脂组合物对电子元件或金属部件进行密封成形的工序。
10.如权利要求9所述的电子零件的制造方法，其特征在于：
所述密封成形利用压缩成形而进行。
11.如权利要求10所述的电子零件的制造方法，其特征在于：
所述压缩成形在120℃以上160℃以下的条件下进行。
12.如权利要求9～11中任一项所述的电子零件的制造方法，其特征在于：
进行所述密封成形的所述工序以晶圆级对作为所述电子元件的半导体元件进行。
13.一种电子零件，其特征在于：
具有通过对权利要求1～8中任一项所述的密封用树脂组合物进行固化而形成的密封树脂。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113402943A (zh) * 2020-02-28 2021-09-17 味之素株式会社 树脂组合物

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7091618B2 (ja) * 2016-09-27 2022-06-28 住友ベークライト株式会社 静電容量型センサ封止用樹脂組成物および静電容量型センサ
JP2018053074A (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 住友ベークライト株式会社 複合材料用樹脂組成物および成形品
JPWO2019004458A1 (ja) * 2017-06-29 2020-04-30 日立化成株式会社 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
WO2020170847A1 (ja) * 2019-02-21 2020-08-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体封止材料及び半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220475A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置
JP2003155393A (ja) * 2001-11-22 2003-05-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003206393A (ja) * 2002-01-15 2003-07-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4517554B2 (ja) * 2001-08-02 2010-08-04 東レ株式会社 熱可塑性樹脂組成物および成形品ならびにシャーシまたは筐体
JP2004018803A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005264037A (ja) 2004-03-19 2005-09-29 Kyocera Chemical Corp 封止用エポキシ樹脂組成物と樹脂封止型半導体装置
US8008410B2 (en) * 2006-11-15 2011-08-30 Sumitomo Bakelite Company, Ltd. Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device
JP2011195742A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物、半導体パッケージ、および半導体パッケージの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220475A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置
JP2003155393A (ja) * 2001-11-22 2003-05-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003206393A (ja) * 2002-01-15 2003-07-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113402943A (zh) * 2020-02-28 2021-09-17 味之素株式会社 树脂组合物
CN113402943B (zh) * 2020-02-28 2024-08-13 味之素株式会社 树脂组合物

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