JP2016169367A - 封止用樹脂組成物、電子部品の製造方法、および電子部品 - Google Patents

封止用樹脂組成物、電子部品の製造方法、および電子部品 Download PDF

Info

Publication number
JP2016169367A
JP2016169367A JP2016011282A JP2016011282A JP2016169367A JP 2016169367 A JP2016169367 A JP 2016169367A JP 2016011282 A JP2016011282 A JP 2016011282A JP 2016011282 A JP2016011282 A JP 2016011282A JP 2016169367 A JP2016169367 A JP 2016169367A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
sealing
sealing resin
mass
electronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016011282A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6436107B2 (ja
Inventor
伊藤　祐輔
Yusuke Ito
祐輔 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Publication of JP2016169367A publication Critical patent/JP2016169367A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6436107B2 publication Critical patent/JP6436107B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2190/00—Compositions for sealing or packing joints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

【課題】電子素子等を封止用樹脂組成物によって封止して得られる成形体の反りを抑制する。【解決手段】封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、充填剤と、低応力剤と、を含み、アセトン不溶分が０．０５質量％以下であり、前記封止用樹脂組成物全体に対する樹脂成分の含有量をＣＲ（質量％）とし、前記低応力剤の含有量をＣＳ（質量％）として、以下の（ａ）、（ｂ）を満たす。（ａ）５質量％≦ＣＲ≦８質量％（ｂ）０．３≦ＣＳ／ＣＲ≦１．０【選択図】なし

Description

本発明は、封止用樹脂組成物、電子部品の製造方法、および電子部品に関する。
電子素子等を封止する封止用樹脂組成物に関しては、様々な技術が検討されている。このような技術としては、たとえば特許文献１に記載のものが挙げられる。特許文献１には、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤と、（Ｃ）無機質充填剤と、（Ｄ）低応力化剤とを必須成分として含有する封止用エポキシ樹脂組成物が記載されている。
特開２００５−２６４０３７号公報
電子部品の製造に際しては、上述のとおり、電子素子や金属部材を封止用樹脂組成物によって封止するプロセスが行われる場合がある。このようなプロセスにおいては、電子素子等を封止して得られる成形体の反りを抑制することが、電子部品を安定的に製造する観点から重要となる。このため、電子素子等を封止して得られる成形体の反りを抑制することが可能な、封止用樹脂組成物を実現することが求められていた。
本発明によれば、
熱硬化性樹脂と、充填剤と、低応力剤と、を含む封止用樹脂組成物であって、
アセトン不溶分が０．０５質量％以下であり、
前記封止用樹脂組成物全体に対する樹脂成分の含有量をＣＲ（質量％）とし、前記低応力剤の含有量をＣＳ（質量％）として、以下の（ａ）、（ｂ）を満たす封止用樹脂組成物が提供される。
（ａ）５質量％≦ＣＲ≦８質量％
（ｂ）０．３≦ＣＳ／ＣＲ≦１．０
また、本発明によれば、
上述の封止用樹脂組成物を用いて電子素子または金属部材を封止成形する工程を備える電子部品の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、
上述の封止用樹脂組成物を硬化することにより形成された封止樹脂を備える電子部品が提供される。
本発明によれば、電子素子等を封止用樹脂組成物によって封止して得られる成形体の反りを抑制することができる。
本実施形態に係る電子部品の一例を示す断面図である。 本実施形態に係る電子部品の製造方法の一例を示す断面図である。
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂（Ａ）と、充填剤（Ｄ）と、低応力剤（Ｅ）と、を含む。また、封止用樹脂組成物は、アセトン不溶分が０．０５質量％以下である。また、封止用樹脂組成物は、封止用樹脂組成物全体に対する樹脂成分の含有量をＣＲ（質量％）とし、低応力剤の含有量をＣＳ（質量％）とした場合に、以下の（ａ）、（ｂ）を満たす。
（ａ）５質量％≦ＣＲ≦８質量％
（ｂ）０．３≦ＣＳ／ＣＲ≦１．０
上述したように、電子素子や金属部材を封止用樹脂組成物によって封止するプロセスにおいては、封止後に得られる成形体に反りが生じる場合がある。たとえばウェハレベルパッケージの製造に際しては、ウェハを封止用樹脂組成物によって封止して成形体を得る工程が含まれ得るが、この成形体において反りが生じることが懸念される。このような反りは、封止成形後に常温まで冷却する際に封止樹脂が収縮することに起因するものと考えられている。とくに８インチ以上という大口径ウェハを使用する場合には、このような課題がより顕著となってきていた。このため、電子素子等を封止して得られる成形体の反りを抑制することが可能な、封止用樹脂組成物を実現することが求められていた。
鋭意検討の結果、本発明者は、アセトン不溶分を一定値以下に抑えつつ、樹脂成分の含有量ＣＲと、樹脂成分の含有量ＣＲと低応力剤（Ｅ）の含有量ＣＳとの比と、を同時に制御することによって、成形体の反りを抑制できることを新たに知見した。本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、このような知見に基づいて実現されたものである。このため、本実施形態によれば、電子素子等を封止用樹脂組成物によって封止して得られる成形体の反りを抑制することが可能となる。
以下、本実施形態に係る封止用樹脂組成物、および電子部品について詳細に説明する。
まず、封止用樹脂組成物について説明する。
封止用樹脂組成物は、たとえば電子素子または金属部材を封止するために用いられる。電子素子としては、とくに限定されないが、たとえばトランジスタ、ダイオード、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、インダクタやバリスタ等の受動素子等に例示される半導体素子、および集積回路が挙げられる。また、金属部材としては、とくに限定されないが、たとえば金属配線や金属ワイヤ、金属基板が挙げられる。
本実施形態においては、たとえば半導体素子を封止して封止樹脂を形成するために用いられるモールド材料として、封止用樹脂組成物を使用することができる。この場合、封止用樹脂組成物によって封止される対象は、とくに限定されず、たとえばウェハであってもよく、複数の半導体素子をキャリア上に並べた疑似ウェハであってもよく、基板上に搭載された半導体素子であってもよい。これらの中でもウェハや疑似ウェハを封止する場合には、封止後に得られる成形体が大面積かつ薄膜であることから反りが発生しやすいが、本実施形態に係る封止用樹脂組成物を用いることによってこのような反りについてもより確実に抑制することが可能となる。
封止用樹脂組成物は、たとえば２５℃において固形である。これにより、トランスファー成形法や圧縮成形法等を用いて封止成形を行うことができる。本実施形態では、封止用樹脂組成物を、たとえば粉粒状、タブレット状、またはシート状とすることができる。封止用樹脂組成物が粉粒状であるとは、粉末状または顆粒状のいずれかである場合を指す。また、封止用樹脂組成物がタブレット状であるとは、封止用樹脂組成物の粉砕物をタブレット形状へ成形したものである場合を指す。
封止用樹脂組成物は、上述したとおり、封止用樹脂組成物全体に対する樹脂成分の含有量をＣＲ（質量％）とし、封止用樹脂組成物全体に対する低応力剤（Ｅ）の含有量をＣＳ（質量％）とした場合に、以下の（ａ）（ｂ）をともに満たす。
（ａ）５質量％≦ＣＲ≦８質量％
（ｂ）０．３≦ＣＳ／ＣＲ≦１．０
ここで、樹脂成分とは、熱硬化性樹脂（Ａ）を含むものである。一方で、樹脂成分は、低応力剤（Ｅ）を含まない概念である。封止用樹脂組成物が熱硬化性樹脂（Ａ）以外の他の樹脂を含む場合には、熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量と、当該他の樹脂の含有量と、の合計が樹脂成分の含有量ＣＲとなる。上記他の樹脂としては、たとえばフェノール樹脂系硬化剤等の硬化剤（Ｂ）として含み得る樹脂が挙げられる。
上述したように、上記（ａ）（ｂ）を満たすよう封止用樹脂組成物を設計することによって、電子素子等を封止用樹脂組成物によって封止して得られる成形体の反りを抑制することが可能となる。なお、成形体の反りをより確実に抑制する観点からは、封止用樹脂組成物が以下の（ａ'）および（ｂ'）の一方または双方を満たすことがより好ましい。
（ａ'）５質量％≦ＣＲ≦７質量％
（ｂ'）０．３≦ＣＳ／ＣＲ≦０．５
以下、封止用樹脂組成物を構成する各成分について詳述する。
（（Ａ）熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂（Ａ）は、たとえばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、オキセタン樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、およびマレイミド樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。これらの中でも、硬化性、保存性、耐熱性、耐湿性、および耐薬品性を向上させる観点から、エポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。
熱硬化性樹脂（Ａ）に含まれるエポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。本実施形態において、エポキシ樹脂は、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等に例示されるトリスフェノール型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。成形体の反り抑制や、充填性、耐熱性、耐湿性等の諸特性のバランスを向上させる観点からは、これらのうちビフェニル型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、およびフェノールアラルキル型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことがより好ましく、多官能エポキシ樹脂を少なくとも含むことがとくに好ましい。
熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上であることがより好ましく、２．５質量％以上であることがとくに好ましい。これにより、成形時における流動性を向上させることができる。このため、充填性や成形安定性の向上を図ることができる。一方で、熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して８質量％以下であることが好ましく、７質量％以下であることがより好ましく、６質量％以下であることがとくに好ましい。これにより、電子部品の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。また、熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量をこのような範囲に制御することによって、封止用樹脂組成物により電子素子等を封止して得られる成形体の反り抑制に寄与することが可能である。
（（Ｂ）硬化剤）
封止用樹脂組成物は、たとえば硬化剤（Ｂ）を含むことができる。封止用樹脂組成物に含まれる硬化剤（Ｂ）としては、たとえば重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、および縮合型の硬化剤の３タイプに大別することができる。
硬化剤（Ｂ）として用いられる重付加型の硬化剤は、たとえばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、ポリビニルフェノール、アラルキル型フェノール樹脂などのフェノール樹脂系硬化剤；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。
硬化剤（Ｂ）として用いられる触媒型の硬化剤は、たとえばベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）などのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。
硬化剤（Ｂ）として用いられる縮合型の硬化剤は、たとえばレゾール型フェノール樹脂；メチロール基含有尿素樹脂などの尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂などのメラミン樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。
これらの中でも、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、および保存安定性等についてのバランスを向上させる観点から、フェノール樹脂系硬化剤を含むことがより好ましい。フェノール樹脂系硬化剤としては、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量、分子構造は特に限定されない。硬化剤（Ｂ）として用いられるフェノール樹脂系硬化剤は、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型フェノール樹脂；ポリビニルフェノール；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル型フェノール樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。これらの中でも、封止用樹脂組成物により電子素子等を封止して得られる成形体の反りを抑制する観点からは、多官能型フェノール樹脂およびフェノールアラルキル型フェノール樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましい。なお、本実施形態においては、熱硬化性樹脂（Ａ）としての多官能エポキシ樹脂と、硬化剤（Ｂ）としての多官能フェノール樹脂と、の一方または双方を封止用樹脂組成物中に含む場合を、好ましい態様の例として挙げることができる。
硬化剤（Ｂ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して０．５質量％以上であることが好ましく、１質量％以上であることがより好ましく、１．５質量％以上であることがとくに好ましい。これにより、成形時において、優れた流動性を実現し、充填性や成形性の向上を図ることができる。一方で、硬化剤（Ｂ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して６質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、４質量％以下であることがとくに好ましい。これにより、電子部品の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。また、硬化剤（Ｂ）の含有量をこのような範囲に制御することによって、封止用樹脂組成物により電子素子等を封止して得られる成形体の反り抑制に寄与することが可能である。
（（Ｃ）硬化促進剤）
封止用樹脂組成物は、たとえば硬化促進剤（Ｃ）を含むことができる。硬化促進剤（Ｃ）は、熱硬化性樹脂樹脂（Ａ）（たとえばエポキシ樹脂）と、硬化剤（Ｂ）（たとえばフェノール樹脂系硬化剤）と、の架橋反応を促進させるものであればよい。
硬化促進剤（Ｃ）は、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等が例示されるアミジンや３級アミン、前記アミジンやアミンの４級塩等の窒素原子含有化合物から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。
封止用樹脂組成物で用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィンが挙げられる。
封止用樹脂組成物で用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式（６）で表される化合物等が挙げられる。
Figure 2016169367
 （上記一般式（６）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は芳香族基またはアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１〜３の数、ｚは０〜３の数であり、かつｘ＝ｙである。）
一般式（６）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式（６）で表される化合物を沈殿させることができる。一般式（６）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。上記フェノール類としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコールなどの単環式フェノール類、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、アントラキノールなどの縮合多環式フェノール類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳなどのビスフェノール類、フェニルフェノール、ビフェノールなどの多環式フェノール類などが例示される。
封止用樹脂組成物で用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば、下記一般式（７）で表される化合物等が挙げられる。
Figure 2016169367
 （上記一般式（７）において、Ｒ８は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ９はヒドロキシル基を表す。ｆは０〜５の数であり、ｇは０〜３の数である。）
一般式（７）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。
封止用樹脂組成物で用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば、下記一般式（８）で表される化合物等が挙げられる。
Figure 2016169367
 （上記一般式（８）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５は水素原子または炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１４とＲ１５が結合して環状構造となっていてもよい。）
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換またはアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。
また、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
一般式（８）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ１０、Ｒ１１およびＲ１２がフェニル基であり、かつＲ１３、Ｒ１４およびＲ１５が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。
封止用樹脂組成物で用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（９）で表される化合物等が挙げられる。
Figure 2016169367
 （上記一般式（９）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８およびＲ１９は、それぞれ、芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｒ２０は、基Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。式中Ｒ２１は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｒ２０、およびＲ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
一般式（９）において、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８およびＲ１９としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等のアルキル基、アルコキシ基、水酸基などの置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。
また、一般式（９）において、Ｒ２０は、基Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。同様に、Ｒ２１は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｒ２０およびＲ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（９）中の−Ｙ２−Ｒ２０−Ｙ３−、およびＹ４−Ｒ２１−Ｙ５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、分子内にカルボキシル基、または水酸基を少なくとも２個有する有機酸が好ましく、さらには芳香環を構成する隣接する炭素にカルボキシル基または水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物が好ましく、芳香環を構成する隣接する炭素に水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物がより好ましく、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２'−ビフェノール、１，１'−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオールおよびグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。
また、一般式（９）中のＺ１は、芳香環または複素環を有する有機基または脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基およびビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基等のグリシジルオキシ基、メルカプト基、アミノ基を有するアルキル基およびビニル基等の反応性置換基等が挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。
硬化促進剤（Ｃ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して０．０３質量％以上であることが好ましく、０．０５質量％以上であることがより好ましく、０．０７質量％以上であることがとくに好ましい。これにより、封止成形時における硬化性を効果的に向上させることができる。一方で、硬化促進剤（Ｃ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、０．３質量％以下であることがとくに好ましい。これにより、封止成形時における流動性の向上を図ることができる。
（（Ｄ）充填剤）
封止用樹脂組成物は、充填剤（Ｄ）を含む。充填剤（Ｄ）は、たとえば溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、窒化珪素、および窒化アルミからなる群から選択される一種類または二種類以上の無機充填剤を含むことができる。これらの中でも、汎用性に優れている観点から、シリカを含むことがより好ましく、溶融シリカを含むことがとくに好ましい。
充填剤（Ｄ）の平均粒径（Ｄ５０）は、０．０１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。平均粒径を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させることが可能となる。また、平均粒径を上記上限値以下とすることにより、ゲート詰まり等が生じることを確実に抑制できる。なお、本実施形態において、充填剤（Ｄ）の平均粒径（Ｄ５０）は、市販のレーザー回折式粒度分布測定装置（例えば、島津製作所社製、ＳＡＬＤ−７０００）を用いて粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒径とすることができる。
充填剤（Ｄ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して８５質量％以上であることが好ましく、８７質量％以上であることがより好ましく、８９質量％以上であることがとくに好ましい。これにより、低吸湿性および低熱膨張性を向上させ、電子部品の耐湿信頼性や耐リフロー性をより効果的に向上させることができる。一方で、充填剤（Ｄ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して９５質量％以下であることが好ましく、９３質量％以下であることがより好ましい。これにより、封止用樹脂組成物の成形時における流動性や充填性をより効果的に向上させることが可能となる。また、充填剤（Ｄ）の含有量をこのような範囲に制御することによって、封止用樹脂組成物により電子素子等を封止して得られる成形体の反り抑制に寄与することが可能である。
また、充填剤（Ｄ）は、たとえば異なる平均粒径（Ｄ５０）の充填剤を二種以上併用することができる。これにより、封止用樹脂組成物全体に対する充填剤（Ｄ）の充填性をより効果的に高めることができる。このため、成形体の反りの抑制に寄与することも可能となる。また、本実施形態においては、平均粒径０．０１μｍ以上１μｍ以下の充填剤と、平均粒径１μｍ超３０μｍ以下の充填剤とを含むことが、封止用樹脂組成物の充填性を向上させる観点や、成形体の反りを抑制する観点から、好ましい態様の一つとして挙げられる。
平均粒径０．０１μｍ以上１μｍ以下の充填剤と、平均粒径１μｍを超えて３０μｍ以下の充填剤とを含む場合、充填剤（Ｄ）全体に対する平均粒径１μｍを超えて３０μｍ以下の充填剤の含有量は、たとえば７０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましい。これにより、成形体の反りをより効果的に抑制することが可能となる。一方で、充填剤（Ｄ）全体に対する平均粒径１μｍを超えて３０μｍ以下の充填剤の含有量の上限値は、とくに限定されず、たとえば９９質量％とすることができる。
（（Ｅ）低応力剤）
低応力剤（Ｅ）は、たとえばシリコーン化合物等のシロキサン結合を有する化合物、熱可塑性エラストマー、熱硬化性エラストマー等のエラストマーなどから選択される一種または二種以上を含むことができる。シリコーン化合物としては、たとえばシリコーンオイルおよびシリコーンゴムが挙げられる。また、エラストマーとしては、ポリブタジエン化合物、中でもアクリロニトリル−ブタジエン共重合化合物が好適であり、非変性アクリロニトリル−ブタジエン共重合化合物や、カルボン酸変性アクリロニトリル−ブタジエン共重合化合物（ＣＴＢＮ（Ｃａｒｂｏｘｙｌ−Ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ−Ｎｉｔｒｉｌｅ））がより好適である。
封止用樹脂組成物により電子素子等を封止して得られる成形体の反りを抑制する観点からは、低応力剤（Ｅ）がシリコーン化合物を含むことがより好ましく、シリコーンオイルを含むことがより好ましい。また、シリコーンオイルは、たとえばエポキシ変性シリコーンオイル、カルボキシル変性シリコーンオイル、アルキル変性シリコーンオイル、およびポリエーテル変性シリコーンオイル等の有機変性シリコーンオイルを含むことがより好ましい。これらの中でも、樹脂成分中に低応力剤（Ｅ）を微分散させて、反りの抑制に寄与する観点からは、ポリエーテル変性シリコーンオイルを含むことがとくに好ましい。
低応力剤（Ｅ）は、たとえば６０℃において液状である液状成分を含むことができる。液状成分は、２５℃において液状であってもよく、２５℃において固形状であるが６０℃以上で加熱して混練する工程において液状化するものであってもよく、これらをともに含むものであってもよい。これにより、封止用樹脂組成物により電子素子等を封止して得られる成形体の反り抑制に寄与することができる。これは、上記液状成分を含むことにより、低応力剤（Ｅ）を樹脂成分中に均一に分散させることができることによるものと考えられている。液状成分は、成形体の反りを抑制する観点から、たとえばシロキサン結合を有する化合物を含むことがより好ましい。本実施形態では、液状成分として、シリコーンオイルや、液状アクリロニトリル−ブタジエン共重合化合物から選択される一種または二種以上を含む場合を好ましい態様として例示することができる。また、本実施形態では、液状成分として、エポキシ変性シリコーンオイル、カルボキシル変性シリコーンオイル、アルキル変性シリコーンオイル、およびポリエーテル変性シリコーンオイル等の有機変性シリコーンオイルを少なくとも含む場合をより好ましい態様として例示することができる。さらに本実施形態では、液状成分として、ポリエーテル変性シリコーンオイルを含む場合をさらに好ましい態様として例示することができる。
低応力剤（Ｅ）全体に対する液状成分の含有量は、たとえば６０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましい。これにより、成形体の反りをより効果的に抑制することが可能となる。一方で、低応力剤（Ｅ）全体に対する液状成分の含有量の上限値は、とくに限定されず、たとえば１００質量％とすることができる。
低応力剤（Ｅ）は、たとえば樹脂成分中に微分散した状態で、封止用樹脂組成物に含まれていることがより好ましい。このように、凝集せずに微分散させることによって、封止用樹脂組成物により電子素子等を封止して得られる成形体の反りを、より効果的に抑制することが可能となる。本実施形態においては、たとえば低応力剤（Ｅ）の種類や配合割合、および低応力剤（Ｅ）の添加方法を適切に選択することによって、低応力剤（Ｅ）を樹脂成分中に微分散させることができる。
低応力剤（Ｅ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して１．５質量％以上であることが好ましく、１．８質量％以上であることがより好ましい。また、低応力剤（Ｅ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して８質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。低応力剤（Ｅ）の含有量をこのような範囲に制御することによって、封止用樹脂組成物により電子素子等を封止して得られる成形体の反り抑制に寄与することが可能である。
（その他の成分）
封止用樹脂組成物には、必要に応じて、たとえば離型剤、カップリング剤、イオン捕捉剤、難燃剤、着色剤、および酸化防止剤等の各種添加剤のうち一種または二種以上を適宜配合することができる。離型剤は、たとえばカルナバワックス等の天然ワックス、モンタン酸エステルワックスや酸化ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸およびその金属塩類、ならびにパラフィンから選択される１種類または２種類以上を含むことができる。カップリング剤は、たとえばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、メタクリルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。イオン捕捉剤は、たとえばハイドロタルサイトを含む。難燃剤は、たとえば水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼンから選択される１種類または２種類以上を含むことができる。着色剤は、たとえばカーボンブラックを含むことができる。
封止用樹脂組成物の製造方法は、とくに限定されない。本実施形態においては、たとえば上述の各成分を、公知の手段で混合し、さらにロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で溶融混練し、冷却した後に粉砕したものや、粉砕後にタブレット状に打錠成型したもの、また必要に応じて、上記粉砕したものを篩分したり、遠心製粉法、ホットカット法などで適宜分散度や流動性等を調整したりしたもの等を封止用樹脂組成物として用いることができる。
封止用樹脂組成物は、アセトン不溶分が０．０５質量％以下である。これにより、上述したように、電子素子等を封止用樹脂組成物によって封止して得られる成形体の反りを抑制することが可能となる。なお、アセトン不溶分の下限値は、とくに限定されず、たとえば０質量％とすることができる。
本実施形態においては、たとえば次のようにしてアセトン不溶分を測定することができる。まず、封止用樹脂組成物３００ｇを液温２５℃のアセトン１０００ｍｌに投入し、２０分間振盪して得たアセトン溶液を、７０メッシュ（目開き２１２ｕｍ）のＪＩＳ標準ふるいで篩分する。次いで、ふるい上の残存物を風乾させた後、当該残存物の重量を測定する。そして、測定結果から、残存物の封止用樹脂組成物全体に対する割合（質量％）を算出し、これをアセトン不溶分とする。
本実施形態において、封止用樹脂組成物のアセトン不溶分は、たとえば封止用樹脂組成物の各成分の種類や配合割合、封止用樹脂組成物の調製方法等をそれぞれ適切に調整することによって制御することができる。たとえば低応力剤とともに微球の充填剤を含む場合には、低応力剤を樹脂成分と均一に混合してから微球の充填剤を添加することが、アセトン不溶分を抑える観点から重要であると考えられている。なお、封止用樹脂組成物の調製方法は、上記に限定されるものではない。
本実施形態においては、たとえば封止用樹脂組成物に対し、１７５℃で１２０秒間熱処理した後、１７５℃で４時間熱処理して得られる硬化物の、２５℃における貯蔵弾性率Ｅ'が、３０ＧＰａ以下であることが好ましい。これにより、電子素子等を封止用樹脂組成物によって封止して得られる成形体の反りを、より確実に抑制することができる。これは、成形体中に生じる内部応力を効果的に緩和できることによるものと考えられる。反りを抑制する観点からは、上記貯蔵弾性率Ｅ'が２０ＧＰａ以下であることがより好ましい。一方で、電子部品の信頼性を向上させる観点からは、上記貯蔵弾性率Ｅ'が５ＧＰａ以上であることが好ましく、１０ＧＰａ以上であることがより好ましい。
封止用樹脂組成物の上記貯蔵弾性率Ｅ'は、たとえば次のように測定することができる。まず、低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製「ＫＴＳ−１５」）を用いて金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で封止用樹脂組成物を注入成形し、１０ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの試験片を得る。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で後硬化する。次いで、上記試験片に対して、動的粘弾性測定装置を用いて引っ張りモード、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分、測定温度範囲−５０℃〜３００℃の条件で動的粘弾性測定を行う。測定結果から、２５℃における貯蔵弾性率Ｅ'（ＭＰａ）を算出する。
本実施形態においては、たとえば封止用樹脂組成物に対し、１７５℃で１２０秒間熱処理した後、１７５℃で４時間熱処理して得られる硬化物のガラス転移温度が、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましい。これにより、電子部品の耐熱性をより効果的に向上させることができる。一方で、上記ガラス転移温度の上限値は、とくに限定されないが、たとえば２５０℃とすることができる。
本実施形態においては、たとえば封止用樹脂組成物に対し、１７５℃で１２０秒間熱処理した後、１７５℃で４時間熱処理して得られる硬化物の、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）が、６ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。また、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）は、たとえば１ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。ＣＴＥ１をこのように制御することによって、電子素子と封止樹脂の線膨張係数の差に起因した成形体の反りを、より確実に抑制することができる。
本実施形態においては、たとえば封止用樹脂組成物に対し、１７５℃で１２０秒間熱処理した後、１７５℃で４時間熱処理して得られる硬化物の、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）が、３０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。また、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）は、たとえば５ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。ＣＴＥ２をこのように制御することによって、とくに高温環境下において、電子素子と封止樹脂の線膨張係数の差に起因した成形体の反りを、より確実に抑制することができる。
封止用樹脂組成物の上記ガラス転移温度、および上記線膨張係数（ＣＴＥ１、ＣＴＥ２）は、たとえば次のように測定することができる。まず、低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製「ＫＴＳ−１５」）を用いて金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で封止用樹脂組成物を注入成形し、１０ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの試験片を得る。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で後硬化した後、熱機械分析装置（セイコー電子工業（株）製、ＴＭＡ１００）を用いて、測定温度範囲０℃〜３２０℃、昇温速度５℃／分の条件下で測定を行う。この測定結果から、ガラス転移温度、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）を算出する。
本実施形態において、封止用樹脂組成物の成形収縮率は、たとえば０．０５％以下とすることができる。成形体の反りを抑制する観点からは、成形収縮率が０％以下とであることがより好ましく、−０．０５％以下とすることがとくに好ましい。これにより、成形体の脱型をより容易にすることもできる。一方で、封止用樹脂組成物の成形収縮率は、たとえば−０．５％以上とすることが好ましく、−０．３％以上とすることがより好ましい。なお、成形収縮率の測定は、たとえば封止用樹脂組成物を用いて、低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製「ＫＴＳ−１５」）により金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で作製した試験片に対して、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に準じて行うことができる。
本実施形態において、封止用樹脂組成物は、たとえばスパイラルフロー流動長が４５ｃｍ以上であることが好ましく、５５ｃｍ以上であることがより好ましい。これにより、封止用樹脂組成物を成形する際の充填性をより効果的に向上させることができる。スパイラルフロー流動長の上限値は、とくに限定されないが、たとえば２００ｃｍとすることができる。なお、スパイラルフロー測定は、たとえば低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製「ＫＴＳ−１５」）を用いて、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型に金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で封止用樹脂組成物を注入し、流動長を測定することにより行うことができる。
本実施形態において、封止用樹脂組成物は、たとえばゲルタイムが３０秒以上６０秒以下であることが好ましく、４０秒以上５５秒以下であることがより好ましい。これにより、封止用樹脂組成物の成形性の向上を図りつつ、成形サイクルを速くすることができる。ゲルタイムの測定は、１７５℃に加熱した熱板上で封止用樹脂組成物を溶融した後、へらで練りながら硬化するまでの時間（ゲルタイム）を測定することにより行うことができる。
本実施形態において、上記貯蔵弾性率Ｅ'、ガラス転移温度、線膨張係数（ＣＴＥ１、ＣＴＥ２）、成形収縮率、スパイラルフロー、およびゲルタイムは、たとえば封止用樹脂組成物の各成分の種類や配合割合、封止用樹脂組成物の調製方法等をそれぞれ適切に調整することによって制御することができる。
次に、電子部品１００について説明する。なお、本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、ウェハの回路面を樹脂封止することにより得られるウェハレベルパッケージを構成する封止樹脂に好ましく用いられるものであるが、以下に説明する疑似ウェハに用いられる封止樹脂にも適用可能なものである。
本実施形態に係る電子部品１００は、電子素子１０または金属部材を封止する封止樹脂２０を備えている。封止樹脂２０は、本実施形態に係る封止用樹脂組成物の硬化物により構成されている。また、電子素子１０および金属部材としては、たとえば上記において例示したものを用いることができる。
図１は、本実施形態に係る電子部品１００の一例を示す断面図である。図１に例示される電子部品１００は、半導体素子である電子素子１０と、電子素子１０を封止する封止樹脂２０と、を備える半導体パッケージである。図１では、とくにウェハレベルパッケージである電子部品１００が示されている。なお、本実施形態に係る電子部品１００は、図１に示すものに限定されるものではない。電子部品１００は、たとえば有機基板やリードフレーム上に搭載された電子素子１０を封止用樹脂組成物によって封止して得られる半導体パッケージであってもよい。また、電子部品１００は、たとえば配線基板と、配線基板上に搭載された複数の電子素子１０と、を封止用樹脂組成物によってともに封止して得られる車載用電子制御ユニットであってもよい。
また、電子部品１００は、金属部材と、金属部材を封止する封止樹脂２０と、を備えていてもよい。このような電子部品１００としては、たとえば金属配線を封止用樹脂組成物により封止して形成される樹脂基板が挙げられる。
図１に示す電子部品１００は、一面に電極１２が設けられた電子素子１０と、電子素子１０の一面以外を覆うように設けられた封止樹脂２０と、を備えている。電子素子１０の一面上には、たとえば電極１２に接続するビア４０が埋め込まれた絶縁層３０が設けられている。絶縁層３０上には、再配線層を構成する配線４２が、ビア４０と接続するように設けられている。また、絶縁層３０上および配線４２上には、ソルダーレジスト層である絶縁層３２が設けられている。また、絶縁層３２には配線４２に接続する開口が設けられており、当該開口内に半田ボール４４が設けられている。図１に示す電子部品１００は、半田ボール４４を介して外部と電気的に接続することとなる。
次に、電子部品１００の製造方法について説明する。
電子部品１００の製造方法は、上述の封止用樹脂組成物を用いて電子素子１０または金属部材を封止成形する工程を備えている。これにより、電子素子１０または金属部材を封止して得られる成形体において反りが発生することを抑制することができる。
図２は、本実施形態に係る電子部品１００の製造方法の一例を示す断面図である。図２においては、キャリア５０上に半導体素子である複数の電子素子１０をマウントして形成した疑似ウェハを用いて、ウェハレベルパッケージを形成する方法が例示されている。図２に示す製造方法によれば、電子部品１００の薄型化を図ることが可能である。なお、本実施形態に係る電子部品１００の製造方法は、図２に示すものに限定されない。電子部品１００は、たとえば有機基板やリードフレーム上に搭載された電子素子１０を封止用樹脂組成物によって封止することにより製造されてもよい。また、電子部品１００は、たとえばＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）成形等によって製造されるものであってもよい。
以下、図２に示す電子部品１００の製造方法の一例について詳述する。
まず、図２（ａ）に示すように、キャリア５０上に形成されたマウントフィルム５２上に、複数の電子素子１０を配置する。これにより、疑似ウェハが形成されることとなる。キャリア５０は、たとえば板状である。マウントフィルム５２は、たとえば加熱により電子素子１０に対する接着性が低下する熱剥離性フィルムである。本実施形態においては、たとえば電子素子１０のうちの外部電極が設けられた一面がマウントフィルム５２と対向するよう、マウントフィルム５２上に電子素子１０を配置することができる。
次に、図２（ｂ）に示すように、封止用樹脂組成物を用いて電子素子１０を封止成形する。封止成形する当該工程は、たとえば電子素子１０に対してウェハレベルにおいて行われる。なお、ウェハレベルにおいて封止成形を行うとは、図２（ｂ）に示すように疑似ウェハを構成する複数の電子素子１０を封止用樹脂組成物によって一括で封止することや、ウェハ上の回路面を封止用樹脂組成物によって一括で封止することを含む概念である。これにより、複数の電子素子１０と、複数の電子素子１０を封止する封止樹脂２０と、により構成される成形体２００が形成されることとなる。本実施形態においては、上述の封止用樹脂組成物を用いて成形体２００が形成される。このため、大面積であり、かつ膜厚の薄い成形体２００であっても、反りを抑制することが可能となる。
封止用樹脂組成物による封止成形は、とくに限定されないが、たとえば圧縮成形により行うことができる。この場合、圧縮成形は、たとえば１２０℃以上１６０℃以下の温度条件により行うことがより好ましい。これにより、封止用樹脂組成物を十分に硬化させることができる。また、成形体２００を冷却した際に、封止樹脂２０の収縮によって成形体２００に反りが生じてしまうことを抑制することが可能となる。
次に、図２（ｃ）に示すように、成形体２００をマウントフィルム５２から剥離する。
次に、図２（ｄ）に示すように、成形体２００のうちの電子素子１０が露出した一面上に、再配線層を形成する。再配線層は、たとえば上述した絶縁層３０と、絶縁層３０に埋め込まれたビア４０と、絶縁層３０上に設けられた配線４２と、絶縁層３０上および配線４２上に設けられた絶縁層３２と、により構成される。次いで、再配線層上に、配線４２に接続する複数の半田ボール４４を形成する。その後、成形体２００をダイシングして、各電子部品１００に個片化する。
本実施形態においては、たとえばこのようにして電子部品１００が形成される。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
次に、本発明の実施例について説明する。
（封止用樹脂組成物の調製）
実施例１〜６、比較例１〜４および７について、次のように封止用樹脂組成物を調製した。まず、表１に示す配合に従い、充填剤１、熱硬化性樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、および離型剤（Ｆ）を、ミキサーを用いて混合して混合物を得た。次いで、上記混合物に対し、表１に示す配合に従い低応力剤（Ｅ）を添加した後、ミキサーを用いて混合した。次いで、上記混合物に対し、表１に示す配合に従い充填剤２を添加した後、ミキサーを用いて混合した。次いで、得られた混合物を、７０〜１００℃でロール混練した。次いで、混練後の混合物を冷却し、粉砕して、粉粒状の封止用樹脂組成物を得た。
比較例５については、次のように封止用樹脂組成物を調製した。まず、表１に示す配合に従い、充填剤１、熱硬化性樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、および離型剤（Ｆ）を、ミキサーを用いて混合して混合物を得た。次いで、上記混合物に対し、表１に示す配合に従い充填剤２を添加した後、ミキサーを用いて混合した。次いで、上記混合物に対し、表１に示す配合に従い低応力剤（Ｅ）を添加した後、ミキサーを用いて混合した。次いで、得られた混合物を、７０〜１００℃でロール混練した。次いで、混練後の混合物を冷却し、粉砕して、粉粒状の封止用樹脂組成物を得た。
比較例６については、次のように封止用樹脂組成物を調製した。まず、表１に示す配合に従い、熱硬化性樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、充填剤１、充填剤２、低応力剤（Ｅ）および離型剤（Ｆ）を、ミキサーを用いて一括混合して混合物を得た。次いで、得られた混合物を、７０〜１００℃でロール混練した。次いで、混練後の混合物を冷却し、粉砕して、粉粒状の封止用樹脂組成物を得た。
なお、表１中における各成分の配合割合の単位は質量％である。また、表１中における各成分の詳細は下記のとおりである。
（Ａ）熱硬化性樹脂
熱硬化性樹脂１：ビフェニル型エポキシ樹脂（ＹＸ−４０００Ｈ、三菱化学（株）製）
熱硬化性樹脂２：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（ＮＣ−３０００、日本化薬（株）製）
熱硬化性樹脂３：トリフェノールメタン型エポキシ樹脂（Ｅ１０３２−Ｈ６０、三菱化学（株）製）
（Ｂ）硬化剤
硬化剤１：トリフェノールメタン型フェノール樹脂 (ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）
硬化剤２：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、明和化成（株）製）
（Ｃ）硬化促進剤
トリフェニルホスフィン（ＰＰ３６０、ケイ・アイ化成（株）製）
（Ｄ）充填剤
充填剤１：球状溶融シリカ（電気化学工業（株）製、ＦＢ−９５０ＦＣ、平均粒径Ｄ５０：２２μｍ）
充填剤２：球状溶融シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ、平均粒径Ｄ５０：０．５μｍ）
なお、充填剤（Ｄ）の平均粒径（Ｄ５０）は、レーザー回折式粒度分布測定装置（島津製作所社製、ＳＡＬＤ−７０００）を用いて粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒径とした。
（Ｅ）低応力剤
シリコーンオイル（ＦＺ−３７３０、東レ・ダウコーニング（株）製）
（Ｆ）離型剤
モンタン酸エステルワックス（リコルブＷＥ−４、クラリアントジャパン（株）製）
表１では、封止用樹脂組成物全体に対する充填剤（Ｄ）の含有量をＣＦ（質量％）とし、封止用樹脂組成物全体に対する低応力剤（Ｅ）の含有量をＣＳ（質量％）としている。また、各実施例および各比較例のいずれにおいても、熱硬化性樹脂（Ａ）および硬化剤（Ｂ）がいずれも樹脂成分に該当する。このため、封止用樹脂組成物全体に対する樹脂成分の含有量ＣＲ（質量％）は、封止用樹脂組成物全体に対する熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量と、封止用樹脂組成物全体に対する硬化剤（Ｂ）の含有量と、の合計により算出される。
（アセトン不溶分）
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物のアセトン不溶分を次のようにして測定した。まず、封止用樹脂組成物３００ｇを液温２５℃のアセトン１０００ｍｌに投入し、２０分間振盪して得たアセトン溶液を、７０メッシュ（目開き２１２μｍ）のＪＩＳ標準ふるいで篩分した。次いで、ふるい上の残存物を風乾させた後、当該残存物の重量を測定した。そして、測定結果から、残存物の封止用樹脂組成物全体に対する割合（質量％）を算出し、これをアセトン不溶分とした。結果を表１に示す。表１では、アセトン不溶分が０．０５質量％未満であるものを「＜０．０５」と記載している。
（スパイラルフロー）
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物に対しスパイラルフロー測定を行った。スパイラルフロー測定は、低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製「ＫＴＳ−１５」）を用いて、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型に金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で封止用樹脂組成物を注入し、流動長を測定することにより行った。結果を表１に示す。
（ゲルタイム）
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物のゲルタイムを測定した。ゲルタイムの測定は、１７５℃に加熱した熱板上で封止用樹脂組成物を溶融した後、へらで練りながら硬化するまでの時間（ゲルタイム）を測定することにより行った。結果を表１に示す。
（貯蔵弾性率）
実施例１〜６および比較例１〜４について、得られた封止用樹脂組成物の硬化物の貯蔵弾性率を次のように測定した。まず、低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製「ＫＴＳ−１５」）を用いて金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で封止用樹脂組成物を注入成形し、１０ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの試験片を得た。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で後硬化した。次いで、上記試験片に対して、動的粘弾性測定装置を用いて引っ張りモード、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分、測定温度範囲−５０℃〜３００℃の条件で動的粘弾性測定を行った。そして、測定結果から、２５℃における貯蔵弾性率Ｅ'（ＭＰａ）を得た。結果を表１に示す。
（ガラス転移温度、線膨張係数）
各実施例および比較例について、得られた封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）、線膨張係数（ＣＴＥ１、ＣＴＥ２）を、以下のように測定した。まず、低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製「ＫＴＳ−１５」）を用いて金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で封止用樹脂組成物を注入成形し、１０ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの試験片を得た。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で後硬化した後、熱機械分析装置（セイコー電子工業（株）製、ＴＭＡ１００）を用いて、測定温度範囲０℃〜３２０℃、昇温速度５℃／分の条件下で測定を行った。この測定結果から、ガラス転移温度（Ｔｇ）、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）を算出した。結果を表１に示す。なお、実施例１〜６および比較例１〜４についてはガラス転移温度と線膨張係数の測定結果が、比較例５および６についてはガラス転移温度の測定結果が、表１に示されている。
また、比較例７の封止用樹脂組成物は硬化が不十分であったため、ガラス転移温度および線膨張係数の測定はおこなわなかった。
（成形収縮率）
実施例１〜６および比較例１〜４について、得られた封止用樹脂組成物の成形収縮率を測定した。測定は、低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製「ＫＴＳ−１５」）を用いて金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で作製した試験片に対して、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に準じて行った。結果を表１に示す。
（ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）反り評価）
実施例１〜６および比較例１〜６について、封止用樹脂組成物を用いて以下のようにＷＬＰを作製し、ＷＬＰ反りを評価した。
厚み０．７ｍｍ、直径２００ｍｍのシリコンウェハの回路面に対し、金型温度１５０℃、成形圧力６ＭＰａ、硬化時間５分の条件で、成形樹脂厚０．８ｍｍとなるように封止用樹脂組成物を圧縮成形し、ＷＬＰを得た。得られたＷＬＰを上に凸となるように静置し、最高位置と最低位置の高さの差を測定した。この差をＷＬＰ反りとした。
なお、比較例５および６のＷＬＰにおいては、封止樹脂の表面に凝集物が付着しており、外観が悪かった。
また、比較例７の封止用樹脂組成物は硬化が不十分であったため、ＷＬＰ反りの評価はおこなわなかった。
Figure 2016169367
１０ 電子素子
１２ 電極
２０ 封止樹脂
３０、３２ 絶縁層
４０ ビア
４２ 配線
４４ 半田ボール
５０ キャリア
５２ マウントフィルム
１００ 電子部品
２００ 成形体

Claims (13)

  1. 熱硬化性樹脂と、充填剤と、低応力剤と、を含む封止用樹脂組成物であって、
    アセトン不溶分が０．０５質量％以下であり、
    前記封止用樹脂組成物全体に対する樹脂成分の含有量をＣＲ（質量％）とし、前記低応力剤の含有量をＣＳ（質量％）として、以下の（ａ）、（ｂ）を満たす封止用樹脂組成物。
    （ａ）５質量％≦ＣＲ≦８質量％
    （ｂ）０．３≦ＣＳ／ＣＲ≦１．０
  2. 請求項１に記載の封止用樹脂組成物において、
    前記封止用樹脂組成物全体に対する前記充填剤の含有量ＣＦが、８５質量％以上である封止用樹脂組成物。
  3. 請求項１または２に記載の封止用樹脂組成物において、
    前記封止用樹脂組成物に対し、１７５℃で１２０秒間熱処理した後、１７５℃で４時間熱処理して得られる硬化物の、２５℃における貯蔵弾性率Ｅ'が、３０ＧＰａ以下である封止用樹脂組成物。
  4. 請求項１〜３いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
    前記封止用樹脂組成物に対し、１７５℃で１２０秒間熱処理した後、１７５℃で４時間熱処理して得られる硬化物の、ガラス転移温度以下における線膨張係数が、６ｐｐｍ／℃以下である封止用樹脂組成物。
  5. 請求項１〜４いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
    前記低応力剤は、６０℃において液状である液状成分を含み、
    前記液状成分は、シロキサン結合を有する化合物を含む封止用樹脂組成物。
  6. 請求項５に記載の封止用樹脂組成物において、
    前記低応力剤全体に対する前記液状成分の含有量は６０質量％以上である封止用樹脂組成物。
  7. 請求項１〜６いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
    前記低応力剤は、シリコーン化合物を含む封止用樹脂組成物。
  8. 請求項７に記載の封止用樹脂組成物において、
    前記シリコーン化合物は、シリコーンオイルを含む封止用樹脂組成物。
  9. 請求項１〜８いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物を用いて電子素子または金属部材を封止成形する工程を備える電子部品の製造方法。
  10. 請求項９に記載の電子部品の製造方法において、
    前記封止成形は、圧縮成形により行われる電子部品の製造方法。
  11. 請求項１０に記載の電子部品の製造方法において、
    前記圧縮成形は、１２０℃以上１６０℃以下の条件により行われる電子部品の製造方法。
  12. 請求項９〜１１いずれか一項に記載の電子部品の製造方法において、
    前記封止成形する前記工程は、前記電子素子である半導体素子に対してウェハレベルにおいて行われる電子部品の製造方法。
  13. 請求項１〜８いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物を硬化することにより形成された封止樹脂を備える電子部品。
JP2016011282A 2015-03-10 2016-01-25 封止用樹脂組成物、電子部品の製造方法、および電子部品 Active JP6436107B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015046774 2015-03-10
JP2015046774 2015-03-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016169367A true JP2016169367A (ja) 2016-09-23
JP6436107B2 JP6436107B2 (ja) 2018-12-12

Family

ID=56982097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016011282A Active JP6436107B2 (ja) 2015-03-10 2016-01-25 封止用樹脂組成物、電子部品の製造方法、および電子部品

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6436107B2 (ja)
KR (1) KR102511646B1 (ja)
CN (1) CN105968324B (ja)
TW (1) TWI661038B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018053074A (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 住友ベークライト株式会社 複合材料用樹脂組成物および成形品
JP2018053240A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 住友ベークライト株式会社 静電容量型センサ封止用樹脂組成物および静電容量型センサ
WO2019004458A1 (ja) * 2017-06-29 2019-01-03 日立化成株式会社 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
CN113423753A (zh) * 2019-02-21 2021-09-21 松下知识产权经营株式会社 半导体封装材料和半导体器件
CN113423753B (zh) * 2019-02-21 2024-06-11 松下知识产权经营株式会社 半导体封装材料和半导体器件

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7314837B2 (ja) * 2020-02-28 2023-07-26 味の素株式会社 樹脂組成物

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220475A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置
JP2003113314A (ja) * 2001-08-02 2003-04-18 Toray Ind Inc 熱可塑性樹脂組成物および成形品ならびにシャーシまたは筐体
JP2003155393A (ja) * 2001-11-22 2003-05-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003206393A (ja) * 2002-01-15 2003-07-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置
JP2004018803A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2008059612A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
JP2011195742A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物、半導体パッケージ、および半導体パッケージの製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005264037A (ja) 2004-03-19 2005-09-29 Kyocera Chemical Corp 封止用エポキシ樹脂組成物と樹脂封止型半導体装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220475A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置
JP2003113314A (ja) * 2001-08-02 2003-04-18 Toray Ind Inc 熱可塑性樹脂組成物および成形品ならびにシャーシまたは筐体
JP2003155393A (ja) * 2001-11-22 2003-05-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003206393A (ja) * 2002-01-15 2003-07-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置
JP2004018803A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2008059612A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
JP2011195742A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物、半導体パッケージ、および半導体パッケージの製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018053240A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 住友ベークライト株式会社 静電容量型センサ封止用樹脂組成物および静電容量型センサ
JP7091618B2 (ja) 2016-09-27 2022-06-28 住友ベークライト株式会社 静電容量型センサ封止用樹脂組成物および静電容量型センサ
JP2018053074A (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 住友ベークライト株式会社 複合材料用樹脂組成物および成形品
WO2019004458A1 (ja) * 2017-06-29 2019-01-03 日立化成株式会社 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
CN110719935A (zh) * 2017-06-29 2020-01-21 日立化成株式会社 密封用树脂组合物、重配置晶圆、半导体封装体和半导体封装体的制造方法
JPWO2019004458A1 (ja) * 2017-06-29 2020-04-30 日立化成株式会社 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
CN113423753A (zh) * 2019-02-21 2021-09-21 松下知识产权经营株式会社 半导体封装材料和半导体器件
CN113423753B (zh) * 2019-02-21 2024-06-11 松下知识产权经营株式会社 半导体封装材料和半导体器件

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160110158A (ko) 2016-09-21
TW201704434A (zh) 2017-02-01
CN105968324A (zh) 2016-09-28
KR102511646B1 (ko) 2023-03-17
TWI661038B (zh) 2019-06-01
JP6436107B2 (ja) 2018-12-12
CN105968324B (zh) 2020-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6583278B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置および構造体
JP6379640B2 (ja) 封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体
JP6766360B2 (ja) 樹脂組成物
JP7135278B2 (ja) 封止用樹脂組成物及び電子装置の製造方法
JP6507506B2 (ja) 封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP6436107B2 (ja) 封止用樹脂組成物、電子部品の製造方法、および電子部品
WO2020130012A1 (ja) Ｌｄｓ用熱硬化性樹脂組成物および半導体装置の製造方法
WO2015146764A1 (ja) 封止用樹脂組成物、および半導体装置
JP2014062173A (ja) 樹脂組成物および電子部品装置
JP2018024770A (ja) 封止用樹脂組成物、および半導体装置
JP2015098521A (ja) 封止用樹脂組成物及び電子部品装置
JP2019001937A (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP6686457B2 (ja) 封止用樹脂組成物および電子装置
JP2017088828A (ja) 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置および構造体
KR102322072B1 (ko) 봉지용 수지 조성물 및 전자 부품 장치
JP6489263B2 (ja) 封止用樹脂組成物及び電子部品装置
JP2016065136A (ja) 封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体
JP2021102728A (ja) Ｌｄｓ用熱硬化性樹脂組成物
JP2020132723A (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2015183173A (ja) 封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体
JP2015218294A (ja) 封止用樹脂組成物の製造方法、および半導体装置の製造方法
WO2015182371A1 (ja) 封止用樹脂組成物、および半導体装置
WO2016194034A1 (ja) 封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体
JP2017028082A (ja) 車載用電子制御ユニットの製造方法、および封止用樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180704

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180717

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180907

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181016

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181029

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6436107

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150