JPWO2011151996A1 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2011151996A1
JPWO2011151996A1 JP2012518226A JP2012518226A JPWO2011151996A1 JP WO2011151996 A1 JPWO2011151996 A1 JP WO2011151996A1 JP 2012518226 A JP2012518226 A JP 2012518226A JP 2012518226 A JP2012518226 A JP 2012518226A JP WO2011151996 A1 JPWO2011151996 A1 JP WO2011151996A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tray
wafer
unit
plasma processing
accommodation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012518226A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5593384B2 (ja
Inventor
尚吾 置田
尚吾 置田
大西　康博
康博 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2012518226A priority Critical patent/JP5593384B2/ja
Publication of JPWO2011151996A1 publication Critical patent/JPWO2011151996A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5593384B2 publication Critical patent/JP5593384B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B44—DECORATIVE ARTS
    • B44C—PRODUCING DECORATIVE EFFECTS; MOSAICS; TARSIA WORK; PAPERHANGING
    • B44C1/00—Processes, not specifically provided for elsewhere, for producing decorative surface effects
    • B44C1/22—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching
    • B44C1/227—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching by etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H01J37/32761—Continuous moving
    • H01J37/32779—Continuous moving of batches of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H05H1/466—Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/973—Substrate orientation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

プラズマ処理装置（１）は、ストック部（２）、処理部（５）、及びアラインメント室（４）を備える。ストック部（２）は、複数の収容孔（７ａ）それぞれにウエハ（Ｗ）を収容した搬送可能なトレイ（７）を供給及び回収する。処理室（５）では、ストック部（２）から供給されるトレイ（７）に収容されたウエハ（Ｗ）に対してプラズマ処理が実行される。アラインメント室（４）はプラズマ処理前のトレイ（７）が載置される回転テーブル（４１）を備え、この回転テーブル（４１）上のウエハ（Ｗ）の位置決めが行われる。制御装置（６）の収容状態判定部（６ｂ）は、高さ検出センサ（４４Ａ〜４４Ｄ）で検出した高さを使用して、ウエハ（Ｗ）がトレイ（７）の収容孔（７ａ）に対して位置ずれを起こしているか否かを判定する。

Description

本発明は、ドライエッチング装置やＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置に関するものである。
プラズマ処理装置では、チャンバ内に設けられたサセプタと呼ばれる支持台に処理対象物としてのウエハを支持させる。次に、密閉状態にしたチャンバ内に高周波電圧を印加するとともにプラズマ発生用のガスを供給してチャンバ内にプラズマを発生させる。ウエハをプラズマに曝露することによってウエハにドライエッチング等のプラズマ処理を施す。
このようなプラズマ処理装置では、複数のウエハを一括して支持台に支持させるため、複数のウエハを収容できるトレイが用いられる（例えば特許文献１）。トレイはウエハよりもやや大きい直径を有する複数の収容孔を備える。各収容孔の内部にウエハが収容される。ウエハを収容したトレイは、アラインメント後、搬送機構により搬送されて支持台に支持される。トレイ内の各ウエハは支持台内に設けられた静電吸着装置によってトレイを介して静電吸着される。また、支持台の内部に設けられた冷却ガス供給管路よりトレイを介して供給される冷却ガス（例えばヘリウムガス）によって各ウエハの冷却がなされる。
特開２００９−１４７３７５号公報
しかしながら、上記のように、収容孔を有するトレイによって複数のウエハを一括して支持台に支持させる構成の従来のプラズマ処理装置では、個々の収容孔にウエハが適切に収容されているか否かが重要である。すなわち、トレイの収容孔に収容されたウエハがその収容孔の内縁に乗り上げて位置ずれを起こしている場合、ウエハを冷却する冷却ガスがウエハの下面に十分に行き渡らない。その結果、ウエハが冷却不足の状態で高温のプラズマに晒されることによって、いわゆるレジスト焼けが生じてしまうおそれがある。
そこで本発明は、トレイの収容孔に対してウエハが位置ずれを起こした状態でプラズマ処理が実行されるのを防止することを目的とする。
本発明の第１の態様は、複数の収容孔それぞれにウエハを収容した搬送可能なトレイを供給及び回収するためのストック部と、前記ストック部から供給される前記トレイに収容された前記ウエハに対してプラズマ処理を実行する処理部と、前記プラズマ処理前の前記トレイが載置されるテーブルを備え、このテーブル上の前記ウエハの位置決めが行われるアライメント部と、前記アライメント部の前記テーブルに載置された前記トレイの各収容孔に収容されたウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの検出を行う収容状態検出部とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
具体的には、プラズマ処理装置は、前記トレイを搬送する搬送機構と、前記収容状態検出部が前記テーブルに載置された前記トレイのいずれかの前記収容孔のウエハに位置ずれを起こしていることを検出すると、前記搬送機構により前記テーブル上の前記トレイを前記処理部に搬送することなく前記ストック部に戻す搬送制御部とをさらに備える。
処理部でのプラズマ処理前に、トレイは位置決めのためにアラインメント部のテーブルに載置される。テーブル上のトレイに対し、収容状態検出部が各収容孔内のウエハが位置ずれを起こしていない否かの検出を行う。その結果、トレイが備える複数の収容孔のうちウエハが位置ずれを起こしている収容孔がある場合には、そのトレイを処理部でのプラズマ処理に供しないようにすることができる。
具体的には、前記収容状態検出部は、前記テーブルに載置された前記トレイが備える複数の前記収容孔に収容された各ウエハの表面のウエハ側対象点における高さを検出する高さ検出部と、前記高さ検出部により検出された前記ウエハ側対象点における前記ウエハの表面の高さを用いて、各ウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの判定を行う判定部とを備える。
さらに具体的には、前記高さ検出部は、前記ウエハ側対象点と前記収容孔の孔縁を挟んで対向するトレイ側対象点におけるトレイの表面の高さをさらに検出し、前記判定部は、前記ウエハ側測定点における前記ウエハの表面の高さと前記トレイ側対象点における前記トレイの表面の高さとの比較に基づいて、各ウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの判定を行う。
この構成によれば、ウエハ側測定点における前記ウエハの表面の高さと前記トレイ側対象点における前記トレイの表面の高さとを比較することで、ウエハの位置ずれを高精度で実行できる。
前記判定部は、前記高さ検出部が検出した前記ウエハ側対象点の高さに基づいて各収容孔内に前記ウエハが存在するか否かの判定をさらに行うことが好ましい。
前記収容状態検出部は、前記テーブルに載置された前記トレイが備える複数の前記収容孔に収容された各ウエハを上方から撮像する撮像部と、前記撮像部により得られた画像に基づいて、各ウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの判定を行う判定部手段とを備えてもよい。
前記判定部は、前記撮像部により得られた画像に基づいて各収容孔内に前記ウエハが存在するか否かの判定をさらに行うことが好ましい。
前記テーブルは前記トレイを水平面内で回転させる回転テーブルであってもよい。この場合、前記収容状態検出部は、前記回転テーブルによる前記トレイの回転中に、前記トレイが備える前記複数の収容孔に収容された各ウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの検出を行う。
この構成により、ウエハ有無検出部が備える向きが固定された１個の高さ検出部による複数の収容孔のウエハの高さ検出又は視野が固定された１個の撮像部による複数の収容孔のウエハの画像取得が可能となる。
プラズマ処理装置は、前記収容状態検出部が前記トレイのいずれかの前記収容孔の前記ウエハが位置ずれを起こしていることを検出すると警報を発生する警報発生部をさらに備えてもよい。
本発明の第２の態様は、複数の収容孔それぞれにウエハを収容したトレイを、ストック部からアラインメント部に搬送してテーブルに載置し、前記アライメント部の前記テーブル上の前記トレイの各収容孔内の前記ウエハの収容状態を検出し、前記テーブル上の前記トレイのすべての前記収容孔内に前記ウエハが位置ずれを起こすことなく収容されていれば、前記トレイを前記アラインメント部から処理部に搬送してプラズマ処理を実行し、前記テーブル上の前記トレイのいずれかの前記収容孔の前記ウエハが位置ずれを起こしていれば、前記トレイを前記アラインメント部から前記ストック部に戻す、プラズマ処理方法を提供する。
本発明では、処理部でウエハに対するプラズマ処理が実行される前のアライメント部におけるトレイの位置決め段階で、トレイが備える複数の収容孔に収容された各ウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの検出を行うようになっている。対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているウエハがあった場合にはそのトレイを処理部に搬送せずにストック部に戻すことができる。その結果、ウエハが収容孔に対する位置ずれのために冷却不足の状態で高温のプラズマに晒されることがなく、ウエハにレジスト焼けが生じることを防止することができる。
本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の斜視図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の断面平面図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の断面側面図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の断面側面図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備えるトレイの斜視図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備えるトレイの側断面図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の動作系統を示すブロック図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備えるアライメント室の断面斜視図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備えるアライメント室内のセンタリング機構の動作説明図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備えるアライメント室内のノッチ検出センサ及び高さ検出センサとトレイの位置関係を示す図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備えるトレイ及びこのトレイに収容されたウエハの高さ検出対象点を示す図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備える処理室内のサセプタの斜視図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備える処理室内のサセプタの側断面図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備える処理室内のサセプタにトレイを載置する手順を示す図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備える処理室内のサセプタにトレイを載置する手順を示す図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備える処理室内のサセプタにトレイを載置する手順を示す図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備える処理室内のサセプタにトレイを載置する手順を示す図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備える処理室内のサセプタにトレイを載置する手順を示す図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置が備える処理室内のサセプタにトレイを載置する手順を示す図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の側断面図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置のアライメント室内での作業手順を示すフローチャート。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の側断面図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の側断面図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の側断面図。 本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の側断面図。 本発明の実施の形態２におけるプラズマ処理装置が備えるアライメント室の断面斜視図。 本発明の実施の形態２におけるプラズマ処理装置が備えるアライメント室内の高さ検出センサとトレイの位置関係を示す図。 本発明の実施の形態３におけるプラズマ処理装置が備えるアライメント室内の高さ検出センサとトレイの位置関係を示す図。 本発明の実施の形態３におけるプラズマ処理装置が備えるトレイ及びこのトレイに収容されたウエハの高さ検出対象点を示す図。 本発明の実施の形態４におけるプラズマ処理装置が備えるアライメント室内の高さ検出センサとトレイの位置関係を示す図。 本発明の実施の形態５におけるプラズマ処理装置が備えるアライメント室内の高さ検出センサとトレイの位置関係を示す図。 本発明の実施の形態６におけるプラズマ処理装置が備えるアライメント室内のカメラとトレイの位置関係を示す図。 本発明の実施の形態７におけるプラズマ処理装置のアライメント室内での作業手順を示すフローチャート。 本発明の変形例におけるプラズマ処理装置の側断面図。
（実施の形態１）
図１〜図４において、本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置１は処理対象物に対してプラズマ処理（例えばドライエッチング）を施すものであり、ストック部２、搬送室（搬送部）３、アライメント室（アラインメント部）４、処理室（処理部）５及び制御装置６（図１及び図３）を備える。ここで、図３は図２における矢視Ａ−Ａ断面図、図４は図２における矢視Ｂ−Ｂ断面図である。
このプラズマ処理装置１では、処理対象物としてのウエハＷを複数枚同時に処理することができるように、図５Ａ及び図５Ｂに示すような搬送可能なトレイ７が用いられる。このトレイ７は薄板円盤状の部材であり、セラミックス材料等の電気絶縁性材料から形成されている。トレイ７には厚さ方向に貫通して設けられてウエハＷよりもやや大きい直径を有する複数（ここでは７つ）の円形の収容孔７ａが設けられている。各収容孔７ａの内周部の下縁部には、その収容孔７ａの内方に張り出したリング状の張り出し部７ｂが設けられている。張り出し部７ｂは収容孔７ａ内に収容されたウエハＷの下面の外縁を支持する。ウエハＷの外縁が張り出し部７ｂによって下方から支持されて収容孔７ａの内部に収容された状態では、ウエハＷの下面は収容孔７ａから下方に露出した状態となる（図５Ｂ）。
この実施の形態におけるトレイ７は、図５Ａに示すように、トレイ７の中心位置に配置された１つの収容孔７ａに１枚のウエハＷを収容する。また、トレイ７の中心位置を中心とする仮想円ＣＬ上に中心が等間隔で並ぶように配置された６つの収容孔７ａに６枚のウエハＷを収容できるようになっている。
図１、図２及び図３において、本実施の形態におけるプラズマ処理装置１のストック部２は、その内部に複数のトレイ７（各トレイ７が備える複数の収容孔７ａのそれぞれにはウエハＷが収容されている）を取り出し及び格納可能に収容したカセット２１を備えている。カセット２１には、ストック部２に設けられた開閉扉２２を介して外部からアクセスすることができる。
図２、図３及び図４において、搬送室３はストック部２に隣接して設けられており、内部にトレイ７を搬送するための搬送機構３０が収容されている。搬送機構３０は搬送アーム３１を備えている。この搬送アーム３１は２つの平行な突起部３１ａを有して平面視において「Ｕ」字の形状をなし、上下軸回りに回転自在な回転軸３２の上部に設けられた水平移動機構３３に取り付けられている。
図２、図３及び図４において、水平移動機構３３は回転軸３２の上端部に固定されて水平面内の方向に延びたベースステージ３３ａと、ベースステージ３３ａに対してベースステージ３３ａの延びる方向に移動自在に設けられた下段ステージ３３ｂと、下段ステージ３３ｂに対してベースステージ３３ａの延びる方向に移動自在に設けられた上段ステージ３３ｃを備える。搬送アーム３１は２つの突起部３１ａの延びる方向をベースステージ３３ａの延びる方向と一致させた状態で上段ステージ３３ｃに取り付けられている。
搬送アーム３１は回転軸３２が回転することによって水平面内で回転し、水平移動機構３３の下段ステージ３３ｂがベースステージ３３ａに対して水平面内で移動するのと連動して上段ステージ３３ｃが下段ステージ３３ｂに対して水平面内で移動することによって水平面内で移動する。
搬送アーム３１の水平面内での回転動作（回転軸３２の回転動作）は、制御装置６が回転軸駆動モータ３２ａ（図３、図４及び図６）の作動制御を行うことによってなされる。また、搬送アーム３１の水平面内での移動動作（ベースステージ３３ａに対する下段ステージ３３ｂの水平面内方向への移動動作及び上段ステージ３３ｃの下段ステージ３３ｂに対する水平面内方向への移動動作）は、制御装置６が水平移動機構３３の内部に設けられた水平移動機構駆動部３３ｄ（図６）の作動制御を行うことによってなされる。制御装置６は、このように搬送アーム３１を水平面内で回転させ、また水平面内で移動させることによって、ストック部２内のトレイ７のアライメント室４への搬送、アライメント室４内のトレイ７の処理室５への搬送、処理室５内のトレイ７のアライメント室４への搬送、及びアライメント室４内のトレイ７のストック部２への搬送を行う。
図２及び図４において、アライメント室４は搬送室３に隣接して設けられている。図７にも示すように、アライメント室４は、内部に回転テーブル４１、センタリング機構４２、透過型の光学式センサ（投光器が投光する検査光を受光器が直接受光する形態の光学式センサ）であるノッチ検出センサ４３、反射型の光学式センサ（投光する検査光の反射光を自身が受光する形態の光学式センサ）である４つの高さ検出センサ４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４４Ｄ及びトレイ仮置きテーブル４５を備えている。
図４及び図７において、回転テーブル４１は、アライメント室４の底板部４ａに対して水平面内で回転自在に設けられており、搬送室３内の搬送アーム３１によってストック部２から供給されたトレイ７（このトレイ７の各収容孔７ａにはウエハＷが収容されている）が載置される。
回転テーブル４１は、底板部４ａの下方に設けられた回転テーブル駆動モータ４６（図４及び図６）の作動によって回転し、これにより回転テーブル４１上のトレイ７が水平面内で回転する。
センタリング機構４２は、図２、図７及び図８に示すように、アライメント室４の底板部４ａ上に設けられて水平面内の同一軸上を同期して近接又は離間するように設けられた一対の縦方向部材４２ａと、各縦方向部材４２ａに一端側が固定されて縦方向部材４２ａと直交する水平面内方向に延びた一対の横方向部材４２ｂとを備える。各横方向部材４２ｂに２つずつ立設して計４つの当接部材４２ｃが設けられている。一対の縦方向部材４２ａが互いに近接又は離間すると、これに応じて一対の横方向部材４２ｂが互いに近接又は離間するようになっている。ここで、一対の縦方向部材４２ａの近接又は離間動作（すなわち一対の横方向部材４２ｂの近接又は離間動作）は、制御装置６が一対の縦方向部材４２ａの間に設けられたセンタリング機構駆動部４２ｄの作動制御を行うことによってなされる。
制御装置６は、搬送室３内の搬送アーム３１を水平面内で移動させ、搬送アーム３１によってトレイ７を回転テーブル４１に載置させる。その後、制御装置６は、センタリング機構駆動部４２ｄの作動制御を行って一対の縦方向部材４２ａを（したがって一対の横方向部材４２ｂを）互いに近接するように作動させ（図８中に示す矢印Ａ）、一対の横方向部材４２ｂに立設された計４つの当接部材４２ｃをトレイ７の外縁に当接させてトレイ７を挟み込む（図８中の実線で示す当接部材４２ｃ参照）。これにより回転テーブル４１上のトレイ７は、トレイ７の中心位置ｃｔ（図８）が回転テーブル４１の中心位置ＣＴ（図８）と一致する位置に移動して、回転テーブル４１に対する中心位置合わせ（センタリング）がなされる。
制御装置６は、トレイ７のセンタリングを行った後は、センタリング機構駆動部４２ｄの作動制御を行って、一対の縦方向部材４２ａを（したがって一対の横方向部材４２ｂを）互いに離間するように作動させる。これにより、４つの当接部材４２ｃがトレイ７から離れ、トレイ７が回転テーブル４１の回転作動により回転し得るようにする。なお、本実施の形態では、図８に示すように、センタリング機構４２によってトレイ７がセンタリングされた状態では、回転テーブル４１の外縁はトレイ７の仮想円ＣＬの内部領域に収まるようになっている。
図７及び図９において、ノッチ検出センサ４３は、アライメント室４の天井部４ｂ（図４及び図７）に設けられて検査光Ｌ１を下方に投光する投光器ＨＳと、投光器ＨＳの直下であって底板部４ａ上に設けられた受光器ＪＳとを備える。この実施の形態１では、アライメント室４の天井部４ｂはアクリル板等の透明な部材から成っており、ノッチ検出センサ４３は天井部４ｂの上面側に設けられて投光器ＨＳから投光される検査光Ｌ１は天井部４ｂを透過して下方に照射されるようになっている。しかし、ノッチ検出センサ４３の投光器ＨＳは天井部４ｂの下面側に設けられていてもよい（４つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄについても同じ）。
図９において、ノッチ検出センサ４３の投光器ＨＳは、センタリング機構４２によってセンタリングがなされたトレイ７が回転テーブル４１により回転されたときに、投光器ＨＳが投光する検査光Ｌ１がトレイ７の外縁の一部を切り欠いて形成されたノッチ７ｃを上下方向に通過し得る位置に配置されている。ノッチ検出センサ４３の受光器ＪＳは、投光器ＨＳが投光した検査光Ｌ１がノッチ７ｃを上下方向に通過したときにその検査光Ｌ１を受光し得る位置に配置されている。
ノッチ検出センサ４３は、トレイ７が載置された回転テーブル４１が回転されている状態で（図９中に示す矢印Ｂ）、投光器ＨＳから検査光Ｌ１を投光しつつ、受光器ＪＳによる検査光Ｌ１の受光状態を観察することによって、トレイ７のノッチ７ｃの位置を検出することができる。制御装置６のアライメント処理部６ａ（図６）は、ノッチ検出センサ４３によりノッチ７ｃの位置が検出されたトレイ７の回転角度（回転テーブル４１の回転軸回りの回転角度）を０度（原点位置）であると認識する。なお、このノッチ７ｃの検出における回転テーブル４１の回転動作は、制御装置６のアライメント処理部６ａが回転テーブル駆動モータ４６の作動制御を行うことによってなされる。
本実施の形態では、ノッチ検出センサ４３及び制御装置６のアライメント処理部６ａが、回転テーブル４１によりトレイ７を回転させながらトレイ７の回転方向の位置決めを行う回転方向位置決め部を構成している。そして、回転方向位置決め部と前述のセンタリング機構４２は、アライメント室４内においてテーブル（回転テーブル４１）に対してトレイ７の位置決めを行うトレイ位置決め部を構成する。
図７及び図９において、アライメント室４には前述のように、４つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄが設置されている。これら高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄは、レーザー光線等の検査光Ｌ２を高さ検出対象点へ向かって照射する照射部と、高さ検出対象点で反射した検査光の位置を検出する受光部を備え、反射した検査光Ｌ２の位置から三角測量の原理で高さ検出対象点の高さを計測する。４つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄはそれぞれ、トレイ７が備える７つの収容孔７ａに収容されたウエハＷが対応する収容孔７ａの孔縁に乗り上げて位置ずれを起こしているか否かを検出するためのものである。これらの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄにより、ウエハＷの表面上の外縁に近い数点（ここでは４点）の高さ検出対象点の高さと、そのウエハＷ上の高さ検出対象点の近傍に位置するトレイ７上の数点（ここでは４点）の高さ検出対象点の高さを求める。具体的には、４つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄはそれぞれ、回転テーブル４１上のトレイ７の各収容孔７ａに収容されたウエハＷ又はその収容孔７ａの近傍のトレイ７の表面上に検査光Ｌ２を照射し、その検査光Ｌ２のウエハＷ又はトレイ７の表面における反射光に基づいてウエハＷ又はトレイ７の表面上の高さ検出対象点の高さを検出する。
ここで、図７に示すように、トレイ仮置きテーブル４５には、各高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄが照射する検査光Ｌ２及び検査光Ｌ２のウエハＷ或いはトレイ７による反射光がトレイ仮置きテーブル４５によって遮らなれないようにするため、トレイ仮置きテーブル４５の各所には、その厚さ方向に貫通した透孔４５ａが設けられている。
図７及び図９において、４つの高さ検出センサ、すなわち第１の高さ検出センサ４４Ａ、第２の高さ検出センサ４４Ｂ、第３の高さ検出センサ４４Ｃ及び第４の高さ検出センサ４４Ｄがある。本実施の形態１では、これら４つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄは、回転テーブル４１の中心の直上位置を通って水平面内方向に延びた直線ＬＬ上に並んで設けられている。
第１の高さ検出センサ４４Ａは、トレイ７の中央に設けられた収容孔７ａと同心であって、この収容孔７ａよりも半径がやや小さい仮想円Ｓ１（図９及び図１０）上に検査光Ｌ２を照射し、仮想円Ｓ１上でのウエハＷの表面の高さを検出する。第１の高さ検出センサ４４Ａから検査光Ｌ２が照射される向きは固定されている。しかし、回転テーブル４１上のトレイ７が水平面内で回転することで、第１の高さ検出センサ４４Ａは仮想円Ｓ１上の複数点におけるウエハＷの表面の高さを検出する。詳細には、第１の高さ検出センサ４４Ａは、仮想円Ｓ１上の４つの高さ検出対象点（ウエハ側対象点）Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の高さを検出する。高さ検出対象点Ｐ１〜Ｐ４は、ウエハＷの表面上の外縁の近傍に位置し、平面視でウエハＷの中心に対して等角度間隔（９０°間隔）で配置されている。
第２の高さ検出センサ４４Ｂは、トレイ７の中央に設けられた収容孔７ａと同心であって、この収容孔７ａよりも半径がやや大きい仮想円Ｓ２（図９及び図１０）上に検査光Ｌ２を照射し、仮想円Ｓ２上でのトレイ７の表面の高さを検出する。第２の高さ検出センサ４４Ｂから検査光Ｌ２が照射される向きは固定されている。しかし、回転テーブル４１上のトレイ７が水平面内で回転することで、第２の高さ検査センサ４４Ｂは仮想円Ｓ２上の複数点におけるトレイ７の表面の高さを検出する。詳細には、第２の高さ検出センサ４４Ｂは、仮想円Ｓ２上の４つの高さ検出対象点（トレイ側対象点）Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４の高さを検出する。高さ検出対象点Ｑ１〜Ｑ４は、中央の収容孔７ａの孔縁の近傍に位置し、平面視で収容孔７ａの中心に対して等角度間隔（９０°間隔）で配置されている。また、高さ検出対象点Ｑ１〜Ｑ４の位置は、高さ検出対象点Ｐ１〜Ｐ４中央の収容孔７ａの孔縁を挟んで対向するように設定されている。
第３の高さ検出センサ４４Ｃは、トレイ７の周辺位置に並んで設けられた６つの収容孔７ａとトレイ７の中心側で接する仮想円ＳＧ（図９）よりも半径がやや大きい仮想円Ｓ３（図９及び図１０）上に検査光Ｌ２を照射し、仮想円Ｓ３上でのウエハＷやトレイ７の表面の高さを検出する。第３の高さ検出センサ４４Ｃから検査光Ｌ２が照射される向きは固定されている。しかし、回転テーブル４１上のトレイ７が水平面内で回転することで、第３の高さ検出センサ４４Ｃは仮想円Ｓ３上の複数点における高さを検出する。詳細には、第３の高さ検出センサ４４Ｃは、トレイ７の周辺位置に並ぶ６つの収容孔７ａ内のそれぞれについて収容孔７ａ内のウエハＷの表面上の外縁に近い２つの高さ検出対象点（ウエハ側対象点）Ｕ１，Ｕ２（計１２点）の高さを検出する。また、第３の高さ検出センサ４４Ｃは、これら６つの収容孔７ａ内のそれぞれについて２つ高さ検出対象点Ｕ１，Ｕ２と収容孔７ａの孔縁を挟んで対向するトレイ７の表面上の２つの高さ検出対象点（トレイ側対象点）Ｖ１，Ｖ２（計１２点）の高さを検出する。
第４の高さ検出センサ４４Ｄは、トレイ７の周辺位置に並んで設けられた６つの収容孔７ａとトレイ７の外周側で接する仮想円ＳＮ（図９）よりも半径がやや小さい仮想円Ｓ４（図９及び図１０）上に検査光Ｌ２を照射し、仮想円Ｓ４上でのウエハＷやトレイ７の表面の高さを検出する。第４の高さ検出センサ４４Ｄから検査光Ｌ２が照射される向きは固定されている。しかし、回転テーブル４１上のトレイ７が水平面内で回転することで、第４の高さ検出センサ４４Ｄは仮想円Ｓ４上の複数点における高さを検出する。詳細には、第４の高さ検出センサ４４Ｄは、トレイ７の周辺位置に並ぶ６つの収容孔７ａ内のそれぞれについて収容孔７ａ内のウエハＷの表面上の外縁に近い２つの高さ検出対象点（ウエハ側対象点）Ｘ１，Ｘ２（計１２点）の高さを検出する。また、第４の高さ検出センサ４４Ｄは、これら６つの収容孔７ａ内のそれぞれについて２つの高さ検出対象点Ｘ１，Ｘ２と収容孔７ａの孔縁を挟んで対向するトレイ７の表面上の２つの高さ検出対象点（トレイ側対象点）Ｙ１，Ｙ２（計１２点）の高さを検出する。
制御装置６の収容状態判定部６ｂ（図６）は、トレイ７の中央部の収容孔７ａに収容されたウエハＷについて、４組の高さ検出対象点、すなわち高さ検出対象点Ｐ１とＱ１、高さ検出対象点Ｐ２とＱ２、高さ検出対象点Ｐ３とＱ３、及び高さ検出対象点Ｐ４とＱ４の高さの比較を行う。高さ検出対象点Ｐ１〜Ｐ４は第１の高さ検出センサ４４Ａにより検出され、高さ検出対象点Ｑ１〜Ｑ４は第２の高さ検出センサ４４Ｂにより検出される。この高さの比較により、収容状態判定部６ｂはウエハＷの対応する収容孔７ａに対する収容状態の判定を行う。詳細には、収容状態判定部６ｂは、ウエハＷがトレイ７の収容孔７ａの孔縁に乗り上げて傾いた状態であるか否か、すなわちウエハＷが収容孔７ａに対する位置ずれを起こしているか否かの判定を行う。
また、収容状態判定部６ｂはトレイ７の周辺位置の６つの収容孔７ａのそれぞれに収容されたウエハＷについて、対応する４組の高さ検出対象点、すなわち高さ検出対象点Ｕ１とＶ１、高さ検出対象点Ｕ２とＶ２、高さ検出対象点Ｘ１とＹ１、及び高さ検出対象点Ｘ２とＹ２の高さの比較を行う。高さ検出対象点Ｕ１，Ｕ２，Ｖ１，Ｖ２は第３の高さ検出センサ４４Ｃにより検出され、高さ検出対象点Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２は第４の高さ検出センサ４４Ｄにより検出される。この高さの比較により、収容状態判定部６ｂはウエハＷの対応する収容孔７ａに対収容状態の判定、すなわち位置ずれを起こしているか否かの判定を行う。
収容状態判定部６ｂによる位置ずれの判定は、具体的には以下のように実行される。
まず、ウエハＷ上の高さ検出対象点における高さとそれに対して収容孔７ａの孔縁を挟んで対向するトレイ７上の高さ検出対象点における高さが比較される。例えば、トレイ７の中央のウエハＷについては、ウエハＷ上の高さ検出対象点Ｐ１〜Ｐ４の高さとトレイ７上の高さ検出対象点Ｑ１〜Ｑ４の高さがそれぞれ比較される。また、トレイ７の外周側の６つのウエハＷについては、ウエハＷ上の高さ検出対象点Ｕ１，Ｕ２，Ｘ１，Ｘ２の高さとトレイ７上の高さ検出対象点Ｖ１，Ｖ２，Ｙ１，Ｙ２の高さがそれぞれ比較される。具体的には、ウエハＷ上の高さ検出対象点Ｐ１〜Ｐ４，Ｕ１，Ｕ２，Ｘ１，Ｘ２の高さと対応するトレイ７上の高さ検出対象点Ｑ１〜Ｑ４，Ｖ１，Ｖ２，Ｙ１，Ｙ２の高さの差を求める。
次に、求めた高さの差を評価する。具体的には、１つのウエハＷ上の４つの高さ検出対象点の全ておいて、対応するトレイ７側の高さ検出対象の高さに対する差が予め定められた範囲であれば、そのウエハＷは対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしていないと判定される。逆に、１つのウエハＷ上の４つの高さ検出対象点のいずれかにおいて、対応するトレイ７側の高さ検出対象点の高さに対する差が予め定められた範囲よりも大きい場合、そのウエハＷは対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしていると判定される。例えば、中央のウエハＷについてはウエハＷ側の高さ検出点対象Ｐ１〜Ｐ４の高さからトレイ側の高さ検出対象点Ｑ１〜Ｑ４の高さを引いた差を求め、この差が予め定められた範囲内であるか否かに基づいて位置ずれの有無が判断される。
この判断基準に代えて又はこの判断基準に加えて以下の基準も使用できる。１つのウエハＷ上の４つの高さ検出対象点の対応するトレイ７側の高さ検出対象点の高さに対する差のばらつきが予め定められた範囲に収まる場合は、１つのウエハＷの４つの高さ検出対象点について対応するトレイ７側の高さ検出対象点の高さに対する差が概ね同じであるとみなせる。この場合は、そのウエハＷは対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしていないと判定される。逆に、１つのウエハＷ上の４つの高さ検出対象点の対応するトレイ７側の高さ検出対象点の高さに対する差のばらつきが予め定められた範囲に収まらない場合、そのウエハＷは対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしていると判定される。
以上のように、本実施の形態１におけるプラズマ処理装置１が備える複数（ここでは４つ）の高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄは、回転テーブル４１に載置されたトレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷの表面上の複数箇所の高さを検出する高さ検出部として機能し、制御装置６の収容状態判定部６ｂは、高さ検出手段（４つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄ）により検出された各ウエハＷの表面上の複数箇所の高さに基づいて、トレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷが対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているか否かの判定を行う判定部として機能する。高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄ（高さ検出部）と収容状態判定部６ｂ（判定部）とにより本発明における収容状態検出部が構成されている。なお、高さ検出対象点の高さの検出時における回転テーブル４１の回転は、制御装置６の収容状態判定部６ｂが、回転テーブル駆動モータ４６の作動制御を行うことによってなされる。
本実施の形態では、ウエハＷの高さ検出対象点Ｐ１〜Ｐ３，Ｕ１，Ｕ２，Ｘ１，Ｘ２をウエハＷの表面上の外縁に近い位置に設定しているので、ウエハＷの反りによって位置ずれ判断に影響が及ぶのを最小限にとどめることができる。また、前述のようにウエハＷの高さ検出対象点の高さと対応するトレイ７の高さ検出対象点の高さとの差でウエハＷの位置ずれを判断するので、回転テーブル４１の平行度による誤差、エッチングに伴うトレイ７の消耗による誤差、トレイ７の反りや変形による誤差の影響も排除することができる。
図２及び図３において、処理室５は搬送室３とゲートバルブ８を介して繋がっており、ゲートバルブ８を閉じた状態では処理室５は搬送室３とは独立した真空容器として機能する。処理室５は、内部にウエハＷをトレイ７ごと支持する支持台としてのサセプタ５１を備えるとともに、サセプタ５１によって支持されたウエハＷに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理部５２（図６）を備えている。
図１１Ａ及び図１１Ｂにおいて、サセプタ５１はトレイ載置部５１ａ及びトレイ載置部５１ａから上方に突出して設けられた複数のウエハ支持部５１ｂを備えている。トレイ載置部５１ａには、アライメント室４内において回転テーブル４１に対するトレイ７の中心位置合わせ（センタリング）と回転方向の位置決めがなされ、搬送室３内の搬送アーム３１によって搬送されたトレイ７（このトレイ７の各収容孔７ａにはウエハＷが収容されている）が載置される。各ウエハ支持部５１ｂは、センタリング及び回転方向位置決め後のトレイ７がトレイ載置部５１ａに載置されると、トレイ７の各収容孔７ａ内に下方から入り込んで各ウエハＷを持ち上げ支持する。
図１１Ａにおいて、サセプタ５１には制御装置６によって制御される昇降ピン駆動機構５３（図６）の作動によって同期して昇降する４つの昇降ピン５４が設けられている。これら４つの昇降ピン５４の上端部には、トレイ７の下面側に設けられた４つの昇降ピン嵌入孔７ｄ（図５Ａ及び図５Ｂ）が上方から嵌入し得るようになっている。トレイ７の４つの昇降ピン嵌入孔７ｄが４つの昇降ピン５４に嵌入した状態で（図１２Ａ及び図１３Ａ）、４つの昇降ピン５４をサセプタ５１に対して下降させる（図１２Ｂ及び図１３Ｂの図中に示す矢印Ｃ）。この下降により、トレイ７はトレイ載置部５１ａに載置され、トレイ７の各収容孔７ａに収容されたウエハＷは、各収容孔７ａ内に下方から入り込んだウエハ支持部５１ｂによって、トレイ７から上方に浮いた状態に支持される（図１２Ｃ及び図１３Ｃ）。
図６において、プラズマ処理部５２は、いずれも制御装置６によってその動作が制御される、ガス供給源５２ａ、真空排気装置５２ｂ、第１の高周波電圧印加装置５２ｃ、直流電圧印加装置５２ｄ、冷媒循環装置５２ｅ、冷却ガス供給装置５２ｆ、及び第２の高周波電圧印加装置５２ｇを備える（図６）。ガス供給源５２ａは、処理室５内にプラズマ発生用のガスを供給する。真空排気装置５２ｂは、処理室５内のガスを真空排気する。第１の高周波電圧印加装置５２ｃは、処理室５の上方に設けられた誘電コイル５５（図３）に高周波電圧を印加する。直流電圧印加装置５２ｄは、各ウエハ支持部５１ｂに設けた静電吸着用電極５６（図１１Ｂ）に直流電圧を印加してウエハ支持部５１ｂ上に載置されたウエハＷをウエハ支持部５１ｂ上に静電吸着させる。冷媒循環装置５２ｅは、サセプタ５１内に設けられた冷媒流路５７（図１１Ｂ）内に温度調節がなされた冷媒を循環させる。冷却ガス供給装置５２ｆは、サセプタ５１内に設けられてウエハ支持部５１ｂの上面に開口する冷却ガス供給管路５８（図１１Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、及び図１３Ｃ）内にウエハＷを冷却するための冷却ガス（例えばヘリウムガス）を供給する。第２の高周波電圧印加装置５２ｇは、処理室５内で発生したプラズマをウエハＷ側に引き寄せるバイアスを発生させる。
次に、このプラズマ処理装置１により複数のウエハＷをバッチ処理により一括してプラズマ処理する手順について説明する。制御装置６は先ず、搬送アーム３１を移動させて、ストック部２に供給されている複数のトレイ７（各トレイ７の各収容孔７ａにはウエハＷが収容されている）のうちの１枚を搬送アーム３１により保持させる。その後、制御装置６は、搬送アーム３１を作動させてそのトレイ７をアライメント室４内に移動させる（図１４中に示す矢印Ｄ１）。さらに制御装置６は搬送アーム３１を回転テーブル４１の上方で下降させてトレイ７を回転テーブル４１上に載置する（図１４中に示す矢印Ｄ２）。制御装置６は、トレイ７を回転テーブル４１上に載置した後、搬送アーム３１を搬送室３内に戻す（図１４中に示す矢印Ｄ３）。
制御装置６は、上記のようにしてトレイ７をアライメント室４の回転テーブル４１に載置したら、センタリング機構駆動部４２ｄの作動制御を行ってセンタリング機構４２を作動させ、前述の要領でトレイ７のセンタリングを行う（図１５に示すステップＳＴ１）。そして、トレイ７のセンタリングが終わったら回転テーブル４１を作動させてトレイ７を水平面内で３６０度以上回転させながら、ノッチ検出センサ４３を用いてトレイ７に設けられたノッチ７ｃの検出を行う。そして、ノッチ７ｃを検出したらトレイ７の回転（回転テーブル４１の回転）を停止させてトレイ７の回転方向の原点位置を把握する（図１５に示すステップＳＴ２）。
制御装置６は、上記ステップＳＴ２が終了したら、ノッチ７ｃの検出が成功したかどうかの判定を行う（図１５に示すステップＳＴ３）。そして、その結果、ステップＳＴ２におけるノッチ７ｃの検出に失敗したと判定した場合には、このプラズマ処理装置１に設けられるディスプレイ装置等の表示部（警報発生部）６１（図６）にエラーメッセージを表示したうえで、トレイ７をストック部２に返却するための待ち状態に入る（図１５に示すステップＳＴ４）。なお、ステップＳＴ２のノッチ７ｃの検出における回転テーブル４１の回転数は予め定めた所定回数（例えば３回）までとし、制御装置６は、回転テーブル４１を所定回数回転させるまでの間にノッチ７ｃを検出できなかった場合にはノッチ７ｃの検出に失敗したとしてステップＳＴ３からステップＳＴ４に進む。
一方、制御装置６の収容状態判定部６ｂは、ステップＳＴ３でノッチ７ｃの検出に成功したと判定した場合には、トレイ７を原点位置から回転させながら、４つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄにより、前述の要領で、回転テーブル４１に載置されているトレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷ及びトレイ７の表面上の各高さ検出対象点の高さの検出を行う（図１５に示すステップＳＴ５）。
制御装置６の収容状態判定部６ｂは、ステップＳＴ５の上記検出を行ったら、４つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄにより検出したウエハＷ及びトレイ７の表面上の各高さ検出対象点の高さのデータに基づいて、回転テーブル４１に載置されたトレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された複数のウエハＷのうち、対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしたウエハＷがあるか否かを検出する（図１５に示すステップＳＴ６）。
その結果、制御装置６の収容状態判定部６ｂにおいて、トレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された複数のウエハＷのうち、対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているウエハＷが１つでもある（少なくとも１つある）と判定した場合には、表示部６１にエラーメッセージ（警告）を表示（図１５に示すステップＳＴ４）。表示部６１に表示するエラーメッセージの態様はオペレータが認識できるものであれば、文字、図形、記号、ランプの点灯等のいずれでもよい。また、表示部６１に加えた又は表示部６１に代えて音又は音声でエラーメッセージ（警告）を出力する音響出力部を設けてもよい。
また、収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているウエハＷが１つでもある（少なくとも１つある）と判定した場合、トレイ７をストック部２に返却するための待ち状態に入る（図１５に示すステップＳＴ４）。待ち状態はトレイ７をストック部２に返却する条件が充足すると終了する。待ち状態の終了後、制御装置６は回転ステージ４１上のトレイ７を搬送機構３０の搬送アーム３１で保持し、アライメント室４からストック部２のカセット２１に戻す。
一方、制御装置６の収容状態判定部６ｂにおいて、ステップＳＴ６で、トレイが備える複数の収容孔７ａに収容された複数のウエハＷのうち、対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているウエハＷが１つもなかったと判定した場合には、トレイ７を処理室５に搬送するための待ち状態に入り（図１５に示すステップＳＴ７）、アライメント室４内での処理を終了する。
このように、本実施の形態１におけるプラズマ処理装置１では、処理室５内でウエハＷに対するプラズマ処理が実行される前のアライメント室４内におけるトレイ７の位置決め段階で、トレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷが対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているか否かの判断を行う。その結果、対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているウエハＷがあった場合にはそのトレイ７は処理室５内のサセプタ５１に搬送されない。
制御装置６は、収容状態判定部６ｂにより、対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているウエハＷが１つもなかったと判定してステップＳＴ７の待ち状態になると、搬送アーム３１を作動させて回転テーブル４１上のトレイ７を保持し、そのトレイ７を搬送室３経由で処理室５のサセプタ５１に載置させる。この動作を図１６Ａ中の矢印Ｅ１と図１６Ｂの矢印Ｅ２で示す。このときトレイ７はアライメント室４において回転テーブル４１に対する中心位置合わせ（センタリング）と回転方向の位置決めがなされているので、トレイ７の下面側に設けられた４つの昇降ピン嵌入孔７ｄにサセプタ５１に設けられた４つの昇降ピン５４の上端部が嵌入し、トレイ７は４つの昇降ピン５４によって支持された状態となる。
制御装置６は、トレイ７を４つの昇降ピン５４に支持させたら、搬送アーム３１を処理室５から退去させる（図１６Ｃ中に示す矢印Ｅ３）。そして、処理室５に設けられたゲートバルブ８を閉止状態にして処理室５を密閉状態にする。
制御装置６は、処理室５を密閉状態にしたら、昇降ピン駆動機構５３の作動制御を行って４つの昇降ピン５４を下降させる。この下降によりトレイ７がサセプタ５１のトレイ載置部５１ａに載置されるとともに、トレイ７の各収容孔７ａに収容されたウエハＷがサセプタ５１のウエハ支持部５１ｂに載置（支持）される（図１６Ｃ）。
制御装置６はトレイ７及びウエハＷをサセプタ５１に載置させたら、ガス供給源５２ａの作動制御を行って処理室５内にプラズマ発生用のガスを供給する。次いで直流電圧印加装置５２ｄを作動させて、ウエハ支持部５１ｂ内の静電吸着用電極５６に直流電圧を印加する。これにより、ウエハ支持部５１ｂ上のウエハＷが静電吸着用電極５６に静電吸着される。
制御装置６は、処理室５内に供給したプラズマ発生用のガスの圧力が所定の圧力に調圧されたことを検知したら、第１の高周波電圧印加装置５２ｃの作動制御を行って誘電コイル５５に高周波電圧を印加する。これにより処理室５内にプラズマが発生する。
制御装置６は、各ウエハＷがウエハ支持部５１ｂ上に静電吸着にて保持された後、冷却ガス供給装置５２ｆを作動させて冷却ガス供給管路５８から各ウエハ支持部５１ｂの下面に冷却ガスを充填させる。更に、制御装置６は第２の高周波電圧印加装置５２ｇの作動制御を行って、処理室５内のプラズマがウエハ支持部５１ｂ上のウエハＷに引き付けられるようにする。これによりウエハＷに対するプウエハ処理（エッチング）が開始される。
制御装置６は、ウエハＷに対するプラズマ処理が開始されて所定時間が経過したら、第２の高周波電圧印加装置５２ｇによる静電吸着用電極５６へのバイアス電圧の印加を停止させて処理室５内でのプラズマ発生を停止させる。次いで、制御装置６は冷却ガス供給装置５２ｆの作動制御を行って冷却ガスの供給を停止させる。冷却ガスの供給停止後、制御装置６はウエハＷの下面の冷却ガスの圧力が十分に低下したタイミングで、ガス供給源５２ａからの処理室５内へのガスの供給を停止させるとともに、第１の高周波電圧印加装置５２ｃによる誘電コイル５５への高周波電圧の印加を停止させる。更に、直流電圧印加装置５２ｄによる静電吸着用電極５６への直流電圧の印加を停止させて、ウエハＷの静電吸着を解除する。ウェウエハ静電吸着を解除した後は、必要に応じて除電処理を実行してウエハＷやトレイ７に残った静電気を除去し、処理ウエハでの処理を終了する。
上記処理室５内での処理の実行中、制御装置６は、真空排気装置５２ｂによる処理室５内のガスのプラズマ処理装置１の外部への排出動作と、冷媒循環装置５２ｅによる冷媒流路５７内への冷媒の循環動作を常時実行する。冷媒ウエハ置５２ｅによる冷媒流路５７内への冷媒の循環動作によりサセプタ５１を通じてウエハＷが冷却され、冷却ガスを通じたウエハＷの冷却と相俟って、高いプラズマ処理効率が維持される。
なお、制御装置６は、上記のように、処理室５内でのウエハＷに対するプラズマ処理を実行している間、搬送アーム３１を作動させて、次にプラズマ処理を行うウエハＷを収容したトレイ７をストック部２から取り出してアライメント室４に搬入する。また、制御装置６はトレイ７を回転テーブル４１上に載置させる。これにより、処理室５内でウエハＷに対するプラズマ処理が行われている間、次にプラズマ処理を行うウエハＷを収容したトレイ７について、回転テーブル４１に対する中心位置合わせ（センタリング）と回転方向の位置決め及びウエハＷの有無検出を実行することができる。
制御装置６は、処理室５内でのウエハＷに対するプラズマ処理が終了したら、昇降ピン駆動機構５３を作動させて４つの昇降ピン５４を上昇させ、トレイ７をサセプタ５１の上方に持ち上げ支持する。なお、４つの昇降ピン５４はその上昇過程でトレイ７の下面側に設けられた昇降ピン嵌入孔７ｄ内に下方から嵌入する。
昇降ピン５４の上昇作動によりトレイ７をサセプタ５１の上方に持ち上げ支持したら、制御装置６はゲートバルブ８を開いて搬送アーム３１を処理室５内に進入させる。また、制御装置６は昇降ピン５４によって持ち上げ支持されたトレイ７を搬送アーム３１によって保持して処理室５から退去させる。そして、そのトレイ５をアライメント室４のトレイ仮置きテーブル４５に載置する（図１６Ｄ。図中に示す矢印Ｆ１，Ｆ２）。引き続いて、既に回転テーブル４１に対する中心位置合わせ（センタリング）と回転方向の位置決めが終了している回転テーブル４１上のトレイ７（次にプラズマ処理を行うウエハＷを収容したトレイ７）を搬送アーム３１によって保持し、アライメント室４から退去させて（図１６Ｄ中に示す矢印Ｆ３）、そのトレイ７を処理室５内へ搬送する。制御装置６は、次にプラズマ処理を行うウエハＷを収容したトレイ７を処理室５内に搬送した後は、搬送アーム３１をアライメント室４に進入させ、トレイ仮置きテーブル４５上のトレイ７（既にプラズマ処理が終了したウエハＷを収容したトレイ７）を保持してアライメント室４から搬出し、ストック部２に戻す。
このように、処理室５から搬出されたトレイ７は一旦トレイ仮置きテーブル４５に載置し、冷却してからストック部２に戻す。これによりプラズマ処理によって高温になったウエハＷ（トレイ７）が高温状態のままストック部２に戻されることが防止される。また、高温になったウエハＷを収容したトレイ７をトレイ仮置きテーブル４５に載置したままの状態で、次にプラズマ処理を行うウエハＷを収容したトレイ７をアライメント室４から取り出して処理室５へ搬送する。これによりプラズマ処理全体に要する時間を短縮して効率よく作業を行うことができる。
仮置きテーブル４５に載置したトレイ７をストック部２に戻したら、そのトレイ７に収容されたウエハＷについてのバッチ処理が終了する。
以上説明したように、本実施の形態１におけるプラズマ処理装置１は、複数の収容孔７ａそれぞれにウエハＷを収容したトレイ７の位置決めが行われるアライメント室４と、トレイ７の複数の収容孔７ａのそれぞれに収容されたウエハＷに対してプラズマ処理が行われる処理室５を備える。また、プラズマ処理装置１は、アライメント室４内においてウエハＷを収容したトレイ７が載置される回転テーブル４１（テーブル）と、アライメント室４内において回転テーブル４１に対するトレイ７の位置決めを行うトレイ位置決め手段（ノッチ検出センサ４３、制御装置６のアライメント処理部６ａ及びセンタリング機構４２）とを備える。さらに、プラズマ処理装置１は、処理室５においてトレイ７を支持するサセプタ５１（支持台）と、処理室５においてサセプタ５１に支持されたトレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された複数のウエハＷにプラズマ処理を施すプラズマ処理手段としてのプラズマ処理部５２とを備える。さらにまた、プラズマ処理装置１は、トレイ位置決め手段による位置決めがなされたトレイ７をアライメント室４の回転テーブル４１から処理室５内のサセプタ５１へ搬送する搬送手段としての搬送アーム３１と、アライメント室４内において回転テーブル４１に載置されたトレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷが対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているか否かの検出を行う位置ずれ検出手段としての４つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄ及び制御装置６の収容状態判定部６ｂを備える。
本実施の形態１におけるプラズマ処理装置１では、処理室５内でウエハＷに対するプラズマ処理が実行される前のアライメント室４内におけるトレイ７の位置決め段階で、トレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷが対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているか否かの検出を行うようになっている。その結果、対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているウエハＷがあった場合にはそのトレイ７を処理室５内のサセプタ５１に搬送しないようにしている。そのため、ウエハＷが収容孔７ａに対する位置ずれを起こしウエハＷの下面に冷却ガスが十分に行き渡らないことに起因してウエハＷが冷却不足の状態で高温のプラズマに晒されるようなことがない。よって、収容孔７ａに対する位置ずれに起因する冷却不足で、ウエハＷにレジスト焼けが生じることを防止することができる。
更に、ウエハＷの位置ずれ検出を行う位置ずれ検出手段をアライメント室４に配置することにより、プラズマ処理装置１の小型化を図るとともに、アライメント室４内において行われるトレイ７の位置決め動作中に位置ずれ検出を行うことが可能となる。
また、本実施の形態１におけるプラズマ処理装置１では、収容状態検出部は、回転テーブル４１に載置されたトレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷの表面上の複数箇所の高さを検出する高さ検出部としての４つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄと、これら４つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｄにより検出された各ウエハＷの表面上の複数箇所の高さに基づいて、トレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷが対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているか否かの判定を行う制御装置６の収容状態判定部６ｂから成っているので、トレイ７の収容孔７ａに対してウエハＷが位置ずれを起こしているか否かの検出を安価な構成で実行することができる。
また、本実施の形態１におけるプラズマ処理装置１では、収容状態判定部６ｂは、回転テーブル４１によりトレイ７を回転させながら、トレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷが対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているか否かの検出を行う。これによりウエハＷの位置ずれの検出に要する時間を短縮してプラズマ処理装置１における処理作業時間を短縮させることができる。
（実施の形態２）
実施の形態２におけるプラズマ処理装置は、図１７及び図１８に示すように、アライメント室４の天井部４ｂの上面に設けられた移動機構７０に、１つの高さ検出センサ４４が取り付けられた構成を有する。高さ検出センサ４４は移動機構７０によって、回転テーブル４１の上方で水平面内方向に直線状に移動し得る。この実施の形態２におけるプラズマ処理装置では、高さ検出センサ４４が１つである点が実施の形態１におけるプラズマ処理装置１とは異なるが、他の部分は実施の形態１におけるプラズマ処理装置１と同じである。
移動機構７０は、アライメント室４の天井部４ｂに水平面内方向に延びて設けられたガイド部７１と、ガイド部７１と平行に延びて設けられたボール螺子７２と、ボール螺子７２と螺合し、ガイド部７１によってボール螺子７２回りの回転移動が規制された移動部７３と、ボール螺子部７２を軸回りに回転駆動するボール螺子駆動モータ７４を備えている。高さ検出センサ４４は移動部７３から張り出して設けられた張り出し部７５に固定して設けられている。ボール螺子駆動モータ７４が制御装置６の収容状態判定部６ｂによって作動制御がなされて回転駆動すると、移動部７３がガイド部７１に沿って移動し、高さ検出センサ４４が回転テーブル４１の上方（すなわちトレイ７の上方）で水平面内方向に移動する。
この実施の形態２におけるプラズマ処理装置では、高さ検出センサ４４が実施の形態１における直線ＬＬに沿って移動するように設けられている。制御装置６の収容状態判定部６ｂが回転テーブル４１を回転させつつ（図１８中に示す矢印Ｂ）、ボール螺子駆動モータ７４の作動制御を行って高さ検出センサ４４を直線ＬＬに沿って移動させる。これにより、１つの高さ検出センサ４４で実施の形態１と同じ高さ検出対象点のデータを取得することができる。このため、実施の形態２におけるプラズマ処理装置は、実施の形態１におけるプラズマ処理装置１と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態３）
図１９に示す実施の形態３におけるプラズマ処理装置は、実施の形態１及び２におけるプラズマ処理装置とは異なり、高さ検出センサが３つである。具体的には、アライメント室４の天井部４ｂの上面に３つの高さ検出センサ、すなわち第１の高さ検出センサ４４Ａ、第２の高さ検出センサ４４Ｂ及び第３の高さ検出センサ４４Ｃが実施の形態１における直線ＬＬ上に並んで設けられている。
図１９に示すように、第１の高さ検出センサ４４Ａは、実施の形態１における仮想円Ｓ１（図２０も参照）上の１点に検査光Ｌ２を照射してその仮想円Ｓ１上の１点に位置した（トレイ７が回転することによって通過した）ウエハＷの表面上の外縁に近い３つの高さ検出対象点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３（図２０）の高さを検出する。また、第２の高さ検出センサ４４Ｂは、実施の形態１における仮想円Ｓ３上の１点に検査光Ｌ２を照射してその仮想円Ｓ３上の１点に位置した（トレイ７が回転することによって通過した）各ウエハＷの表面上の外縁に近い１つの高さ検対象点Ｕ１（図２０に示すように高さ検対象点Ｕ１計６点ある）の高さを検出する。また、第３の高さ検出センサ４４Ｃは、実施の形態１における仮想円Ｓ４上の１点に検査光Ｌ２を照射してその仮想円Ｓ４上の１点に位置した（トレイ７が回転することによって通過した）各ウエハＷの表面上の外縁に近い２つの高さ検出対象点Ｘ１，Ｘ２（図２０に示すように検出対象点Ｘ１，Ｘ２は計１２点）の高さを検出する。
制御装置６の収容状態判定部６ｂは、トレイ７の各収容孔７ａに収容されたウエハＷについて、そのウエハＷ上の３つの高さ検出対象点（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３又はＵ１，Ｘ１，Ｘ２）の高さに基づいて、トレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷが対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているか（傾いているか）否かの判定を行う。
具体的には、収容状態判定部６ｂは、１つのウエハＷ上の３つの高さ検出対象点（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３又はＵ１，Ｘ１，Ｘ２）の高さのばらつきが予め定められた範囲に収まる場合、すなわち３つの高さ対象点の高さが概ね同じであるとみなせる場合には、そのウエハＷは対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしていないと判定する。一方、収容状態判定部６ｂは、１つのウエハＷ上の３つの高さ検出対象点（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３又はＵ１，Ｘ１，Ｘ２）の高さのばらつきが予め定められた範囲に収まらない場合には、そのウエハＷは対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしていると判定する。トレイ７の外周側の６つの収容孔７ａについては、実施の形態１と同様に、ウエハＷ上の高さ検出対象点の高さとそれに対応するトレイ７上の高さ検出対象点の高さとの差に基づいてウエハＷが位置ずれを起こしているか否かを判定してもよい。
すなわち本実施の形態３におけるプラズマ処理装置が備える複数（ここでは３つ）の高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｃは、回転テーブル４１に載置されたトレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷの表面上の複数箇所の高さを検出する高さ検出部として機能し、制御装置６の収容状態判定部６ｂは、高さ検出手段（３つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｃ）により検出された各ウエハＷの表面上の複数箇所の高さに基づいて、トレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷが対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているか否かの判定を行う判定部として機能する。このため実施の形態３におけるプラズマ処理装置は、実施の形態１及び２におけるプラズマ処理装置と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態４）
実施の形態４におけるプラズマ処理装置は、図２１に示すように、実施の形態２において示した移動機構７０によって１つの高さ検出センサ４４を水平面内方向に移動できるようにすることで、実施の形態３における３つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｃにより検出する７つのウエハＷの表面上の各高さ検出対象点における高さを検出するものである。よって、この実施の形態４におけるプラズマ処理装置は、実施の形態１〜３におけるプラズマ処理装置と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態５）
実施の形態５におけるプラズマ処理装置は、図２２に示すように、実施の形態２において示した移動機構７０によって水平面内方向に移動自在とした３つの高さ検出センサ、すなわち第１の高さ検出センサ４４Ａ、第２の高さ検出センサ４４Ｂ及び第３の高さ検出センサ４４Ｃによって、実施の形態３（又は実施の形態４）において計測する各ウエハＷの高さ検出対象点の高さをウエハＷごとに同時に検出するようにしたものである。制御装置６の収容状態判定部６ｂは、移動機構７０によって３つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｃを水平面内方向に一体に移動させるとともに、回転テーブル４１によってトレイ７を回転させることにより（図２２中に示す矢印Ｂ）、トレイ７が備える７つの収容孔７ａに収容された各ウエハＷの表面上の３つの高さ検出対象点の高さを検出することができる。よって、この実施の形態５におけるプラズマ処理装置は、実施の形態１〜４におけるプラズマ処理装置と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態６）
実施の形態６におけるプラズマ処理装置は、図２３に示すように、上述の実施の形態１〜５におけるプラズマ処理装置とは異なり、回転テーブル４１に載置されたトレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷが対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているか否かの検出を行う位置ずれ検出手段が高さ検出センサではなく、撮像手段であるカメラ８０となっており、このカメラ８０が実施の形態２において示した移動機構７０によって、水平面内方向に移動自在となっている。
この実施の形態６におけるプラズマ処理装置では、カメラ８０が実施の形態１における直線ＬＬに沿って移動するように設けられており、制御装置６の収容状態判定部６ｂから回転テーブル４１を回転させつつ（図２３中に示す矢印Ｂ）、ボール螺子駆動モータ７４の作動制御を行ってカメラ８０を直線ＬＬに沿って移動させながらカメラ８０による撮像動作を行わせることにより、１つのカメラ８０で７つの収容孔７ａに収容された各ウエハＷの画像データを取得することができる。そして、制御装置６の収容状態判定部６ｂは、カメラ８０により撮像して得られる各ウエハＷの画像に基づいて、トレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷが対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているか否かの検出を行うことができる。よって、この実施の形態６におけるプラズマ処理装置は、実施の形態１〜５におけるプラズマ処理装置と同様の効果を得ることができる。
また、この実施の形態６におけるプラズマ処理装置では、位置ずれ検出手段が、回転テーブル４１に載置されたトレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷを上方から撮像する撮像手段としてのカメラ８０と、カメラ８０により撮像して得られる画像に基づいて、トレイ７が備える複数の収容孔７ａに収容された各ウエハＷが対応する収容孔７ａに対して位置ずれを起こしているか否かの判定を行う判定手段（制御装置６の収容状態判定部６ｂ）から成っているので、実施の形態１〜５の場合と同様、トレイ７の収容孔７ａに対してウエハＷが位置ずれを起こしているか否かの検出を安価な構成で実行することができる。
（実施の形態７）
実施の形態７におけるプラズマ処理装置は、収容状態判別部６ｂが図２４においてステップＳＴ５とステップＳ６の間にステップＳＴ８の処理を実行する点のみが異なる。このステップＳＴ８では、トレイ７が備える複数の収容孔７ａの全てにウエハＷが存在しているか否かの判断を行う。この判断は、高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｂで測定された高さ検出対象点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｕ１，Ｕ２，Ｘ１，Ｘ２（図１０参照）で検出されたウエハＷの高さに基づいて行われる。例えば、トレイ７の中央のウエハＷの場合、３つの高さ検出対象点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の高さを使用できる。また、トレイ７の外周側の６つのウエハＷの場合には、高さ検出対象点Ｕ１，Ｕ２，Ｘ１，Ｘ２のうちの３つにおける高さを使用できる。より具体的には、３つ高さ検出対象点のいずれにおいても検出された高さが予め定められた基準高さ（回転テーブル４１の高さに対応する）以下の場合には、収容孔７ａにウエハＷが存在しないと判定し、それ以外の場合には収容孔７ａにウエハＷが存在すると判定できる。
ステップＳＴ８において、トレイ７が備える７つの収容孔７ａのうちウエハＷが存在しない収容孔７ａがあると収容状態判定部６ｂが判定した場合には、表示部６１にエラーメッセージを表示する（図２４のテップＳＴ４）。また、この場合には、トレイ７をストック部２に返却するための待ち状態に入る（図２４のステップＳＴ４）。待ち状態の終了後、制御装置６は回転ステージ４１上のトレイ７を搬送機構３０の搬送アーム３１で保持し、アライメント室４からストック部２のカセット２１に戻す。
一方、ステップＳＴ８で、トレイ７が備える全ての収容孔７ａにウエハＷが存在していると収容状態判定部６ｂが判定した場合には、トレイ７を処理室５に搬送するための待ち状態に入り（図２４のステップＳＴ７）、アライメント室４内での処理を終了する。
実施の形態６のように高さ検出センサに代えてカメラ８０（図２３参照）を使用する場合、トレイ７が備える複数の収容孔７ａ及びそれに収容されたウエハＷをカメラ８０で上方から撮像して画像が得られる。収容状態判別部６ｂはこの画像に基づいて各収容孔内に前記ウエハが存在するか否かの判定（図２４のステップＳ８）を行うことができる。
これまで本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上述の実施の形態に示したものに限定されない。例えば、上述の実施の形態では、トレイ７はその中心位置に配置された１つの収容孔７ａに１枚のウエハＷを収容するとともに、中心位置を中心とする仮想円ＣＬ上に中心が等間隔で並ぶように配置された６つの収容孔７ａに６枚のウエハＷを収容するようになっていたが、これは一例であり、トレイ７が収容し得るウエハＷの枚数や収容孔７ａの配置は自由である。
また、上述の各実施の形態では、トレイ７の各収容孔７ａがトレイ７の厚さ方向に貫通するものであり、ウエハＷを収容したトレイ７をサセプタ５１のトレイ載置部５１ａに載置したときに、サセプタ５１が備える複数のウエハ支持部５１ｂがトレイ７の各収容孔７ａに下方から入り込んでトレイ７の収容孔７ａ内のウエハＷを支持する。そのため、トレイ７は回転テーブル４１上でノッチ７ｃの検出が行われて回転方向の位置決めがなされるようになっていた。トレイ７の収容孔７ａがトレイ７の厚さ方向に貫通するものでない場合（すなわち収容孔７ａが有底である場合。この場合、トレイ７の収容孔７ａの底がプラズマに露出されることになる）には、サセプタ５１にウエハ支持部５１ｂは設けられておらず、トレイ７はサセプタ４１のトレイ載置部５１ａに載置されるだけなのでトレイ７はノッチ７ｃを有さない。したがって、この語場合にはノッチ検出センサ４３も不要となり、トレイ位置決め部も回転方向位置決め部を省いた構成でよい。
この場合、アライメント室４においてトレイ７が載置されるテーブルは必ずしも上述のような回転テーブル４１であるとは限らず、テーブルが回転テーブル４１でない場合にはトレイ７を回転させながらウエハＷの位置ずれ検出を行うことはできない。この場合には実施の形態５に示した３つの高さ検出センサ４４Ａ〜４４Ｃを水平面内で移動させる機構によって３つの高さ検出センサ４４を水平面と平行な面内で２次元に移動させるようにすることにより、各ウエハＷの表面上の３つの高さ検出対象点の高さ検出を簡便に行うことができるようになる。
実施の形態では回転テーブル４１を含むトレイ７のアライメントのための機構を独立のアラインメント室４に配置している。しかし、回転テーブル４１を含むトレイ７のアライメントのための機構を搬送室３内に配置してもよい。この構成にも本発明を適用できる。
ストック部２に関連する具体的な構成は実施の形態のものに限定されない。例えば、図２５に示す変形例のプラズマ処理装置１は、ストック部２に隣接して設けられた移載部８１を備える。移載部８１からストック部２に処理前のウエハＷを収容したトレイ７が供給され、これらのトレイ７はウエハＷの処理後にストック部２から移載部８１に戻される。移載部８１内の移載室８２には移載ロボット８３が収容されている。
移載ロボット８３は、図２５において矢印Ｇ１で概念的に示すように、トレイ７の収容孔７ａにプラズマ処理前のウエハＷを収容する作業、つまりトレイ７へウエハＷを移載する作業を実行する。また、移載ロボット８３は、図２５において矢印Ｇ２で概念的に示すように、ドライエッチング済みのウエハＷをトレイ７から移載する作業を実行する。さらに、移載ロボット８３は、処理前のウエハＷを収容したトレイ７を移載部８１からストック部２に搬入する作業（図２５の矢印Ｈ１）と、処理後のウエハＷを収容したトレイ７をストック部２から移載部８１に搬出する作業（図２５の矢印Ｈ２）とを実行する。
ウエハにレジスト焼けが生じることを防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
１ プラズマ処理装置
２ ストック部
３ 搬送室（搬送部）
４ アライメント室（アライメント部）
５ 処理室（処理部）
６ａ アライメント処理部
６ｂ 収容状態判定部（判定部）
７ トレイ
７ａ 収容孔
３０ 搬送機構
３１ 搬送アーム
４１ 回転テーブル（テーブル）
４２ センタリング機構
４３ ノッチ検出センサ
４４ 高さ検出センサ（高さ検出部）
５１ サセプタ（支持台）
５２ プラズマ処理部
８０ カメラ（撮像部）
８１ 移載部
８２ 移載室
８３ 移載ロボット
Ｗ ウエハ
本発明の第１の態様は、複数の収容孔それぞれにウエハを収容した搬送可能なトレイを供給及び回収するためのストック部と、前記ストック部から供給される前記トレイに収容された前記ウエハに対してプラズマ処理を実行する処理部と、前記プラズマ処理前の前記トレイが載置されるテーブルを備え、このテーブル上の前記トレイに対してアラインメント処理を行うアライメント部と、前記アライメント部の前記テーブルに載置された前記トレイの各収容孔に収容されたウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの検出を行う収容状態検出部とを備え、前記収容状態検出部は、前記テーブルに載置された前記トレイが備える複数の前記収容孔に収容された各ウエハの表面のウエハ側対象点における高さを検出する高さ検出部と、前記高さ検出部により検出された前記ウエハ側対象点における前記ウエハの表面の高さを用いて、各ウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの判定を行う判定部とを備える、プラズマ処理装置を提供する。
また、ウエハ側対象点における前記ウエハの表面の高さと前記トレイ側対象点における前記トレイの表面の高さとを比較することで、ウエハの位置ずれを高精度で実行できる。
本発明の第２の態様は、複数の収容孔それぞれにウエハを収容したトレイを、ストック部からアラインメント部に搬送してテーブルに載置し、前記テーブルに載置された前記トレイが備える複数の前記収容孔に収容された各ウエハの表面のウエハ側対象点における高さを検出し、前記検出された前記ウエハ側対象点における前記ウエハの表面の高さを用いて、各ウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かを判定し、前記テーブル上の前記トレイのすべての前記収容孔内に前記ウエハが位置ずれを起こすことなく収容されていれば、前記トレイを前記アラインメント部から処理部に搬送してプラズマ処理を実行し、前記テーブル上の前記トレイのいずれかの前記収容孔の前記ウエハが位置ずれを起こしていれば、前記トレイを前記アラインメント部から前記ストック部に戻す、プラズマ処理方法を提供する。

Claims (10)

  1. 複数の収容孔それぞれにウエハを収容した搬送可能なトレイを供給及び回収するためのストック部と、
    前記ストック部から供給される前記トレイに収容された前記ウエハに対してプラズマ処理を実行する処理部と、
    前記プラズマ処理前の前記トレイが載置されるテーブルを備え、このテーブル上の前記ウエハの位置決めが行われるアライメント部と、
    前記アライメント部の前記テーブルに載置された前記トレイの各収容孔に収容されたウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの検出を行う収容状態検出部と
    を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 前記トレイを搬送する搬送機構と、
    前記収容状態検出部が前記テーブルに載置された前記トレイのいずれかの前記収容孔のウエハに位置ずれを起こしていることを検出すると、前記搬送機構により前記テーブル上の前記トレイを前記処理部に搬送することなく前記ストック部に戻す搬送制御部と
    をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記収容状態検出部は、
    前記テーブルに載置された前記トレイが備える複数の前記収容孔に収容された各ウエハの表面のウエハ側対象点における高さを検出する高さ検出部と、
    前記高さ検出部により検出された前記ウエハ側対象点における前記ウエハの表面の高さを用いて、各ウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの判定を行う判定部と
    を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記高さ検出部は、前記ウエハ側対象点と前記収容孔の孔縁を挟んで対向するトレイ側対象点におけるトレイの表面の高さをさらに検出し、
    前記判定部は、前記ウエハ側測定点における前記ウエハの表面の高さと前記トレイ側対象点における前記トレイの表面の高さとの比較に基づいて、各ウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの判定を行うことを特徴とする、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記判定部は、前記高さ検出部が検出した前記ウエハ側対象点の高さに基づいて各収容孔内に前記ウエハが存在するか否かの判定をさらに行う、請求項３又は請求項４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記収容状態検出部は、
    前記テーブルに載置された前記トレイが備える複数の前記収容孔に収容された各ウエハを上方から撮像する撮像部と、
    前記撮像部により得られた画像に基づいて、各ウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの判定を行う判定部手段と
    を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプラズマ処理装置。
  7. 前記判定部は、前記撮像部により得られた画像に基づいて各収容孔内に前記ウエハが存在するか否かの判定をさらに行う、請求項６に記載のプラズマ処理装置。
  8. 前記テーブルは前記トレイを水平面内で回転させる回転テーブルであり、
    前記収容状態検出部は、前記回転テーブルによる前記トレイの回転中に、前記トレイが備える前記複数の収容孔に収容された各ウエハが対応する収容孔に対して位置ずれを起こしているか否かの検出を行うことを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  9. 前記収容状態検出部が前記トレイのいずれかの前記収容孔の前記ウエハが位置ずれを起こしていることを検出すると警報を発生する警報発生部をさらに備える、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  10. 複数の収容孔それぞれにウエハを収容したトレイを、ストック部からアラインメント部に搬送してテーブルに載置し、
    前記アライメント部の前記テーブル上の前記トレイの各収容孔内の前記ウエハの収容状態を検出し、
    前記テーブル上の前記トレイのすべての前記収容孔内に前記ウエハが位置ずれを起こすことなく収容されていれば、前記トレイを前記アラインメント部から処理部に搬送してプラズマ処理を実行し、
    前記テーブル上の前記トレイのいずれかの前記収容孔の前記ウエハが位置ずれを起こしていれば、前記トレイを前記アラインメント部から前記ストック部に戻す、プラズマ処理方法。
JP2012518226A 2010-06-01 2011-05-25 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Active JP5593384B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012518226A JP5593384B2 (ja) 2010-06-01 2011-05-25 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010125592 2010-06-01
JP2010125593 2010-06-01
JP2010125593 2010-06-01
JP2010125592 2010-06-01
PCT/JP2011/002909 WO2011151996A1 (ja) 2010-06-01 2011-05-25 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2012518226A JP5593384B2 (ja) 2010-06-01 2011-05-25 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2011151996A1 true JPWO2011151996A1 (ja) 2013-07-25
JP5593384B2 JP5593384B2 (ja) 2014-09-24

Family

ID=45066389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012518226A Active JP5593384B2 (ja) 2010-06-01 2011-05-25 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8883025B2 (ja)
JP (1) JP5593384B2 (ja)
CN (1) CN102939648B (ja)
WO (1) WO2011151996A1 (ja)

Families Citing this family (347)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5780062B2 (ja) * 2011-08-30 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び成膜装置
JP6063944B2 (ja) * 2011-09-22 2017-01-18 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド フリップチップアセンブリの洗浄方法及び装置
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
DE102012101923B4 (de) 2012-03-07 2019-11-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Substratträgeranordnung, Beschichtungsanlage mit Substratträgeranordnung und Verfahren zur Durchführung eines Beschichtungsverfahrens
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
JP6137796B2 (ja) * 2012-09-18 2017-05-31 株式会社ディスコ 加工装置
US20150232988A1 (en) * 2012-10-04 2015-08-20 TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION et al. Vapor phase growth apparatus
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6118102B2 (ja) * 2012-12-21 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板位置検出装置及びこれを用いた基板処理装置、成膜装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP5535347B1 (ja) * 2013-02-04 2014-07-02 エピクルー株式会社 撮像装置、半導体製造装置および半導体製造方法
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
KR101686032B1 (ko) * 2013-03-28 2016-12-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
CN104425328B (zh) * 2013-09-06 2017-02-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘原点定位系统及托盘原点定位方法
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US20150267295A1 (en) * 2014-03-19 2015-09-24 Asm Ip Holding B.V. Removable substrate tray and assembly and reactor including same
CN105336655A (zh) * 2014-06-12 2016-02-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种承载装置及半导体加工设备
US10196741B2 (en) * 2014-06-27 2019-02-05 Applied Materials, Inc. Wafer placement and gap control optimization through in situ feedback
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
KR102230847B1 (ko) * 2014-08-20 2021-03-23 주식회사 탑 엔지니어링 웨이퍼 트레이 조립 지그 및 방법
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR20160047857A (ko) * 2014-10-23 2016-05-03 주식회사 탑 엔지니어링 웨이퍼 트레이, 웨이퍼 트레이 조립 지그 및 조립 방법
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN105762093B (zh) * 2014-12-16 2019-02-19 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及判断托盘上的晶片位置是否异常的方法
CN105789075B (zh) * 2014-12-16 2019-02-19 北京北方华创微电子装备有限公司 基座旋转是否正常的监测方法及装卸载基片的方法
CN105789103B (zh) * 2014-12-17 2019-02-19 北京北方华创微电子装备有限公司 转盘系统及半导体加工设备
CN104505353A (zh) * 2014-12-22 2015-04-08 杭州立昂微电子股份有限公司 平板式外延炉的载片错位监测装置及监测方法
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP6010720B1 (ja) * 2015-01-20 2016-10-19 日本碍子株式会社 ウエハ支持構造体
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
CN104716070B (zh) 2015-04-03 2017-12-26 合肥京东方光电科技有限公司 尺寸检测装置及基板装载装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
CN107591354A (zh) * 2016-07-06 2018-01-16 苏州能讯高能半导体有限公司 一种可适用于多尺寸样片的样片托盘
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
JP6945367B2 (ja) * 2017-07-05 2021-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板反り監視装置及びこれを用いた基板処理装置、並びに基板反り監視方法
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) * 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US11075105B2 (en) * 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
JP7387129B2 (ja) * 2018-12-10 2023-11-28 株式会社 天谷製作所 成膜用冶具及び常圧気相成長装置
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP6502572B1 (ja) * 2018-12-14 2019-04-17 株式会社アルバック ロードロックチャンバ及び真空処理装置
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7246247B2 (ja) * 2019-05-15 2023-03-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び監視方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
JP7488442B2 (ja) * 2019-09-26 2024-05-22 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送システム
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
JP7389076B2 (ja) 2021-03-22 2023-11-29 大陽日酸株式会社 基板搬送機構及びこれを用いた基板搬送方法
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN114344511B (zh) * 2021-12-31 2024-02-23 桂林电子科技大学 等离子体灭菌装置和等离子体灭菌方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07111462B2 (ja) 1990-03-26 1995-11-29 ローム株式会社 物品整列用治具への物品セッティング方法
US5847918A (en) * 1995-09-29 1998-12-08 Lam Research Corporation Electrostatic clamping method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors
US6099596A (en) * 1997-07-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Wafer out-of-pocket detection tool
US6197117B1 (en) * 1997-07-23 2001-03-06 Applied Materials, Inc. Wafer out-of-pocket detector and susceptor leveling tool
KR100387525B1 (ko) * 2001-02-05 2003-06-18 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 위치 상태 감지시스템 및 그 방법
JP4756766B2 (ja) 2001-04-23 2011-08-24 不二越機械工業株式会社 ワークの供給装置
JP2002353292A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理システム及び判別方法並びに基板処理方法
JP3795820B2 (ja) * 2002-03-27 2006-07-12 株式会社東芝 基板のアライメント装置
JP2005142200A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Sharp Corp 気相成長装置および気相成長方法
KR100719367B1 (ko) * 2005-06-24 2007-05-17 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치 및 웨이퍼 가공 방법
WO2007008941A2 (en) * 2005-07-11 2007-01-18 Brooks Automation, Inc. Substrate transport apparatus with automated alignment
US20080079920A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Heiko Hommen Wafer exposure device and method
JP2009200142A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
JP5118580B2 (ja) * 2008-08-22 2013-01-16 株式会社ディスコ 高さ位置検出装置および高さ位置検出方法
JP2010153769A (ja) 2008-11-19 2010-07-08 Tokyo Electron Ltd 基板位置検出装置、基板位置検出方法、成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体
JP4969595B2 (ja) * 2009-01-30 2012-07-04 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4781445B2 (ja) 2009-03-23 2011-09-28 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN102918640B (zh) * 2010-05-27 2015-11-25 松下知识产权经营株式会社 等离子体处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102939648B (zh) 2015-05-27
JP5593384B2 (ja) 2014-09-24
CN102939648A (zh) 2013-02-20
US20130068727A1 (en) 2013-03-21
WO2011151996A1 (ja) 2011-12-08
US8883025B2 (en) 2014-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5593384B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5475124B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4799325B2 (ja) 基板受け渡し装置，基板処理装置，基板受け渡し方法
TWI659487B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US20070092651A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20120112164A (ko) 기판 처리 장치
JP2009200063A (ja) 基板の変形検出機構，処理システム，基板の変形検出方法及び記録媒体
TWI690015B (zh) 定心裝置、定心方法、基板處理裝置及基板處理方法
KR101993975B1 (ko) 피처리 기판의 탑재 위치의 설정 방법 및 성막 시스템
KR20180006710A (ko) 기판 처리 장치
JP6568828B2 (ja) ティーチング治具、基板処理装置及びティーチング方法
TWI818482B (zh) 基板處理裝置、教示資訊生成方法、教示組及基板型治具
CN116364601A (zh) 用于处理基板的装置及用于处理基板的方法
TW202301514A (zh) 外殼系統結構
KR20160021405A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
WO2024042950A1 (ja) 基板処理装置
US20240066548A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2024031323A (ja) 基板処理装置
CN117637585A (zh) 衬底处理装置
JP2006013208A (ja) 露光装置
WO1999060625A1 (fr) Procede et appareil pour le transport de plaquettes, systeme d'exposition, micro dispositif et banque de reticules
TW202418511A (zh) 基板處理裝置
JP2024044286A (ja) 基板処理装置
TW202301400A (zh) 粒子監測系統、粒子監測方法及監測裝置
JP2024032111A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および基板処理システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130912

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140729

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140804

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5593384

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151