JP2005142200A - 気相成長装置および気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 気相成長装置は、複数の被処理基板としての半導体ウエハ1を保持するためのホルダ10と、ホルダ10を保持して回転させることができる回転台2と、半導体ウエハ1を加熱するための加熱手段としてのヒータ3と、回転台2の回転によって半導体ウエハ1が描く軌跡上において半導体ウエハ1の温度を検出するための温度検出手段としての赤外線検出器5と、赤外線検出器5によって検出した情報を含む判断材料に基づいてヒータ3を制御するための加熱制御手段としての制御部14とを備える。ホルダ10は、赤外線検出器5によって識別することができる基準マークを有し、基準マークは、回転台2の回転によって半導体ウエハ1と同じ軌跡上を移動する。
【選択図】 図1
Description
(構成)
図1〜図3を参照して、本発明に基づく実施の形態1における気相成長装置(MOCVD装置)について説明する。この気相成長装置101は、図1に示すように、反応室6と、加熱制御手段としての制御部14と、検出制限部15とを備える。反応室6の内部には、回転台2を備える。回転台2の上側にはホルダ10が配置されている。ホルダ10は、たとえばモリブデンからなる。ホルダ10の上面には被処理基板としての半導体ウエハ1が設置される。半導体ウエハ1としては、たとえばGaAsやInPからなるものを対象とする。回転台2の下側には加熱手段としてのヒータ3が配置されている。回転台2の下側には支持筒9があり、支持筒9の内部には回転台2に接続された回転軸8が通っている。回転軸8の下端にはモータ4が設けられている。モータ4は反応室6の外部にあってもよい。
ホルダ10を平面的に見たところを図2に示す。図2に示すように、ホルダ10の表面には複数の半導体ウエハ1が隙間Spをそれぞれ挟むようにして一定の円周上に並べられている。赤外線検出器5が赤外線を検出する領域(以下、「検出スポット」という。)は図2において小さな正方形で示されている。このホルダ10を回転させると、この検出スポットは軌跡Lpをたどることとなる。この軌跡Lpの途中に割り込むように基準マーク17が配置されている。基準マーク17は、ホルダ10の表面に設けられた、赤外線放出特性が他と著しく異なる部分であり、表面に印刷されたマークなどに限らない。たとえば、石英の部材をホルダ10表面に埋め込むかまたは貼り付けることによって形成され得る。軌跡Lpが確実に基準マーク17を横切るように、基準マーク17は半径方向に長いものであることが好ましい。
図2に示すように複数の半導体ウエハ1をホルダ10に設置して、このホルダ10を図1に示すように回転台2に載せる。この載せる作業の様子を図3に示す。回転台2の上面にはピン18が2本突出している。ホルダ10は、位置調整部材19によって矢印の向きに押圧されることによって、図3中に二点鎖線で示すように、ピン18に当接し、位置決めされる。
本実施の形態における気相成長装置101では、温度検出手段としての赤外線検出器5によって検出される基準マーク17の位置を参考に、ホルダ10の回転台に対する取付け時の向きにかかわらず被処理基板としての半導体ウエハ1の存在する位置を正確に把握することができる。この気相成長装置では、こうして把握した位置情報を利用して、回転台の回転運動によって検出スポットがたどる軌跡のうち必要な部分においてのみ温度の検出を行なうことができるので、検出データが正確に被処理基板表面の温度を反映したものとなる。このように正確な温度情報に基づくので、温度制御を精度良く行なうことができ、得られる製品の歩留りを上げることができる。
なお、本実施の形態では、基準マークはホルダに設けられた線状の基準マーク17としたが、これ以外に、基準マークをダミー基板の配置によって実現してもよい。その例を図4に示す。「ダミー基板」とは、被処理基板と同じ形状および大きさであって、材質が異なるなどして、その結果、赤外線放射特性が被処理基板と著しく異なる基板である。図4の例では、ホルダ10上において通常の半導体ウエハ1に混ぜるようにしてダミー基板20を配置している。この場合も、位置特定部14cは、ダミー基板20の存在を識別することができるので、半導体ウエハ1の配置情報を導き出すことができ、検出スポットがたどる軌跡のうち必要な部分においてのみ温度の検出を行なうようにすることができる。よって、上述の例と同様の効果を得ることができる。
基準マークのさらに他の例について説明する。図5に示すように貫通孔21を基準マークとしてもよい。図5に示すホルダ10は、被処理基板をまだ設置していない状態であり、上面には被処理基板を設置するための複数の凹部23が設けられている。外周面には、ハンドがホルダ10を把持する際に利用するための窪み22が設けられている。図5では窪み22は1つのみ見えているが、この窪み22の反対側にも同じような窪みが配置されている。貫通孔21は、半径方向の長手形状であり、ホルダ10を板厚方向に貫通している。
(構成)
図10を参照して、本発明に基づく実施の形態2における気相成長装置(MOCVD装置)について説明する。この気相成長装置102は、基本的に実施の形態1で説明したものと同様であるが、いくらか異なる部分がある。
本実施の形態においても、半導体ウエハ1の設置の仕方は実施の形態1で説明したものと同様である。モータ4によって回転台2を一定速度で回転させながら、ヒータ3で回転台2、ホルダ10および半導体ウエハ1を加熱する。その結果、反応室6内の温度が上がる。赤外線検出器5および制御部14によるヒータ3の制御を開始する。
本実施の形態における気相成長装置102においても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、チョッパの開閉という機械的動作を伴なわず、制御部14の内部での情報処理によって有効な情報のみを抽出して制御を行なうこととなるので、機構を簡単にすることができ、故障もしにくくなる。
本発明に基づく実施の形態3としては、実施の形態1,2のさらに改良例について説明する。上述の実施の形態1,2では、現在の検出スポットが半導体ウエハ1上なのか隙間Spの中なのかを判断して、赤外線の受光の可否または温度情報の利用の可否を決定することとしていた。しかし、より信頼性を高めるためには、検出スポットが半導体ウエハ1の表面にあるときの情報でありさえすればよいというのではなく、半導体ウエハ1の周縁部を除いた部分に関する情報だけを対象とすることが好ましい。そのため、本実施の形態では、周縁部情報排除手段を備える。周縁部情報排除手段によって、半導体ウエハ1の周縁部に対応する情報は制限される結果、加熱制御部14bにとっては半導体ウエハ1の周縁部以外の部分に対応する部分のデータだけを利用できるようになっている。周縁部とは、半導体ウエハ1のうち外周の近傍の部分を意味する。
実施の形態2の気相成長装置を基に改良を加えて本実施の形態における構成とした場合について説明する。たとえば、図11に示すように、半導体ウエハ1がホルダ10に対して正しい位置に設置されて位置ずれがない場合は、温度検出手段においては図12に示すように温度情報のグラフ31が得られる。グラフ31の中には基準マークに起因して特異部28が表れている。本実施の形態では、半導体ウエハ1の周縁部を除いた部分に関する情報だけを対象とするので、グラフ31のうち加熱制御部14bが利用対象とするのは区間29a〜29dの部分だけとなる。区間29a〜29dは特異部28の位置を基準に決定される。
(構成)
図16を参照して、本発明に基づく実施の形態4における気相成長装置(MBE装置)について説明する。この気相成長装置は、図16に示すように反応室6を備え、反応室6の内部およびその周辺の構成は、図17に示すようになっている。
本実施の形態における気相成長装置の動作について説明する。最初の状態では、マニピュレータ78はまだホルダ10kを保持しておらず、ホルダ10kがホルダ供給室73内にあり、半導体ウエハ1は基板供給室74内にあるものとする。
本実施の形態における気相成長装置によれば、ホルダ10kへの半導体ウエハ1の設置から膜形成後のホルダ10kの次工程への移送までを自動的に行なうことができる。しかも、ホルダ10kへの半導体ウエハ1の設置は、被処理基板設置作業専用のスペースである基板着脱室75で行なうので、1つのホルダ10kに多数の半導体ウエハ1を設置しなければならないような場合であっても、効率良く設置作業を行なうことができる。この基板着脱室75は、反応室6の外にあるので、ホルダ10kへの半導体ウエハ1の設置作業は、他のホルダ10kに対して反応室6内で膜形成処理が行なわれている最中であっても並行して進めることができ、その結果、反応室6の稼動率を高めることができる。
Claims (10)
- 複数の被処理基板を保持するためのホルダと、
前記ホルダを保持して回転させることができる回転台と、
前記被処理基板を加熱するための加熱手段と、
前記回転台の回転によって前記被処理基板が描く軌跡上において前記被処理基板の温度を検出するための温度検出手段と、
前記温度検出手段によって検出した情報を含む判断材料に基づいて前記加熱手段を制御するための加熱制御手段とを備え、
前記ホルダは、前記温度検出手段によって識別することができる基準マークを有し、前記基準マークは、前記回転台の回転によって前記被処理基板と同じ軌跡上を移動する、気相成長装置。 - 前記被処理基板以外の部分において前記温度検出手段が温度検出を行なうことを、前記温度検出手段が検出した前記基準マークの位置情報に基づいて制限する検出制限手段を備える、請求項1に記載の気相成長装置。
- 前記温度検出手段が検出した温度情報のうち前記被処理基板以外の部分に関するものを前記加熱制御手段が利用することを、前記温度検出手段が検出した前記基準マークの位置情報に基づいて制限する情報利用制限手段を備える、請求項1に記載の気相成長装置。
- 前記検出制限手段は、前記被処理基板の周縁部において前記温度検出手段が温度検出を行なうことを、前記温度検出手段が検出した前記基準マークの位置情報に基づいて制限することができる、請求項2に記載の気相成長装置。
- 前記温度検出手段が検出した温度情報のうち前記被処理基板の周縁部に関するものを前記加熱制御手段が利用することを、前記温度検出手段が検出した前記基準マークの位置情報に基づいて制限する周縁部情報排除手段を備える、請求項1から3のいずれかに記載の気相成長装置。
- 前記基準マークは、ダミー基板である、請求項1から5のいずれかに記載の気相成長装置。
- 前記基準マークは、前記ホルダを貫通する貫通孔を含む、請求項1から5のいずれかに記載の気相成長装置。
- 前記回転台が内部に配置されている反応室と、
前記被処理基板を保持した状態の前記ホルダを前記反応室に搬入し、前記反応室から搬出するための搬送機構と、
前記ホルダを前記回転台に設置するためのホルダ設置機構とを備え、
前記ホルダへの前記被処理基板の設置を前記反応室の外で行なうことが可能である、請求項1から7のいずれかに記載の気相成長装置。 - 前記ホルダへの前記被処理基板の設置を前記反応室の外で行なうための基板設置手段を備える、請求項8に記載の気相成長装置。
- 請求項1から9のいずれかに記載の気相成長装置を用いて、前記加熱制御手段によって前記加熱手段を制御しながら前記被処理基板の主表面に膜を形成する、気相成長方法。
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