JP2015512152A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、高純度の処理を提供することで高い品質で基板処理を許容し、それにより、その高い基板のアウトプットにより大量生産に適合する基板処理装置を提案することである。【解決手段】本発明は、基板処理装置に関し、それは、少なくとも一つの基板がある基板処理装置のローディングとアンローディングのための少なくとも一つの基板ローディングおよびアンローディング領域と、少なくとも一つの排気可能な処理チャンバと、少なくとも一つの基板が、少なくとも一つの処理チャンバに向かう少なくとも一つのキャリア搬送領域における少なくとも一つのキャリア搬送装置によって搬送される少なくとも一つのキャリア装置と、基板ローディングおよびアンローディング領域とキャリア搬送領域の間の少なくとも一つの気密閉鎖装置と同様の少なくとも一つの処理チャンバとキャリア搬送領域の間の少なくとも一つの気密閉鎖装置とを含んで構成される。本発明の目的は、最初に規定されたタイプの基板処理装置によって解決され、その基板処理装置は、基板ローディングおよびアンローディング領域が、基板ローディングおよびアンローディング領域内で備えることが可能で、基板を基板カセットの異なる水平カセットレベルに配置されることができる少なくとも一つの基板カセットから、少なくとも一つの基板が、水平キャリアレベルに保持可能で、基板搬送領域が基板ローディングおよびアンローディング領域に対して気密閉鎖可能である、少なくとも一つのキャリア装置に搬送するための少なくとも一つの基板搬送装置がある基板搬送領域のそばのキャリア搬送領域に結びつけられているという点で特徴づけられている。【選択図】 図１

Description

本発明は、基板処理装置に関し、それは、少なくとも一つの基板がある基板処理装置のローディングとアンローディングのための少なくとも一つの基板ローディングおよびアンローディング領域と、少なくとも一つの排気可能な処理チャンバと、少なくとも一つの基板が、少なくとも一つの処理チャンバに向かう少なくとも一つのキャリア搬送領域における少なくとも一つのキャリア搬送装置によって搬送される少なくとも一つのキャリア装置と、基板ローディングおよびアンローディング領域とキャリア搬送領域の間の少なくとも一つの気密閉鎖装置と同様の少なくとも一つの処理チャンバとキャリア搬送領域の間の少なくとも一つの気密閉鎖装置とを含んで構成されるものである。

従来技術では、インラインコーティング装置が知られており、それが例えば太陽電池の大量生産のために使用される。いくつか、例えば４２個のコーティングをするには、太陽電池のウェーハは、キャリア装置の一つのレベルに置かれて、この装置を介して連続的な工程を経てインライン装置によってコーティングされる。従って、単一の処理領域は、例えば、互いにガスカーテンによって絶縁されている。太陽電池技術の進展は、例えば、基板処理装置における処理の純度に関連して、装置の技術上の要求の増加にしばしばつながる。共通のインライン装置によって、これらのますます高まる要求を満たすには、問題が多い。

さまざまなタイプの基板処理装置は、純度に対する増大する要求に適合する技術状態で、また知られている。そのような基板処理装置の１つのタイプは、マイクロエレクトロニクス産業で知られている、垂直のバッチ炉である。 ボートは、バッチ炉の中の基板のためにキャリア装置として使われてきた。基板の大多数、例えば１５０個のウェーハがボートの中に持っていかれる。 ボートの中では、基板は互いに平行に立っている。いくつかのバッチ炉では、ボートは、ボート搬送機構によってボート搬送室で水平および垂直に移動可能であり、またストーブパイプと呼ばれる、処理チャンバに挿入可能となっている。

これにより処理チャンバは、いくつかのオーブンの中で、真空気密に閉じられる。いくつかのバッチ炉は、基板ローディングおよびアンローディング領域とボート搬送室の間で気密閉鎖装置を提供する。バッチ炉の問題の特徴は、これらが原則的に熱処理に適当ではあるがプラズマ強化の基板処理に適当でないことである。さらに、ボートの中でのウェーハスタックは、比較的長い加熱および冷却時間が受け入れられる必要があるように、高い熱容量を持っている。

別のタイプの装置は、文献WO2011/148924A1によって知られている。このタイプの装置では、６つのウェーハは、ウェーハキャリアの上で直立して互いに平行に配置されている。このウェーハキャリアは、排気されたウェーハキャリア搬送室のそばのロックチャンバから矩形のコーティングチャンバの中に搬送される。プラズマ強化の層の堆積は、コーティングチャンバの中で行われる。この装置の問題の特徴は、他の問題との間で、１つのチャンバの中で同時に６つの基板だけを処理することができて、それゆえに比較的低い生産速度にしか達することができないということである。

WO2011/148924A1

したがって、本発明の目的は、高純度の処理を提供することで高い品質で基板処理を許容し、それにより、その高い基板のアウトプットにより大量生産に適合する基板処理装置を提案することである。

本発明の目的は、最初に規定されたタイプの基板処理装置によって解決され、その基板処理装置は、基板ローディングおよびアンローディング領域が、基板ローディングおよびアンローディング領域内で備えることが可能で、基板を基板カセットの異なる水平カセットレベルに配置されることができる少なくとも一つの基板カセットから、少なくとも一つの基板が、水平キャリアレベルに保持可能で、基板搬送領域が基板ローディングおよびアンローディング領域に対して気密閉鎖可能である、少なくとも一つのキャリア装置に搬送するための少なくとも一つの基板搬送装置がある基板搬送領域のそばのキャリア搬送領域に結びつけられているという点で特徴づけられている。

本発明の基板処理装置は、基板ローディングおよびアンローディング領域を含んで構成され、そこで/そこから、基板カセットが導入され、排出される。これにより、基板ローディングおよびアンローディング領域は、アンロードすることと同様にロードのために提供される。しかし、また、いくつかの分離された基板ローディングおよびアンローディング領域を設けて、そこで、例えば基板ローディング領域をインライン装置の先頭に設けて、基板アンローディング領域をインライン装置の最後に設けるようにすることができる。基板カセットでは、いくつかの平坦な基板が水平位置で異なるカセットレベルで互いに平行に配置されている。

基板搬送領域は、基板ローディングおよびアンローディング領域と結び付けられている。これにより、基板ローディングおよびアンローディング領域と基板搬送領域の間の気密閉鎖が提供され、大気中の不純物に対するバリアとして作用し、処理チャンバの中へのその搬送が回避され、その後に基板処理装置における増大する純度を提供する。

基板搬送領域で、基板カセットの基板は、キャリア搬送領域に備えられるキャリア装置の上に搬送されるか、キャリア装置から基板カセットの中に搬送される。基板のサイズによっては、異なる数の基板が、キャリア装置に置かれる。５デシメートル以上の寸法を有する、非常に大きな基板の極端なケースでは、１つの基板だけをキャリア装置の上で設けることができる。

基板搬送領域と基板ローディングおよびアンローディング領域の間を気密閉鎖することにより、基板搬送領域は、基板ローディングおよびアンローディング領域とキャリア搬送領域の間に一種のロック装置を構成する。さらに、その気密閉鎖は、基板ローディングおよびアンローディング領域に存在する圧力とは異なる圧力で、基板搬送領域の動作を許容する。このように、異なる手段が、基板搬送領域で実現され、それは、さらに、基板処理装置における純度を増大させる。 例えば、リンスサイクルは、基板搬送領域で処理される。

本発明の基板処理装置の有利な実施形態では、基板搬送領域は、不活性ガスによって充填可能である。規定のクリーンな大気は、基板搬送領域に満たされている不活性ガスによって提供され、それは、主に、使用された不活性ガスの純度によって規定される。基板の表面変化は、不活性ガスの化学的な不活性度によって回避することができる。例えば、表面特性の高い品質は、電荷キャリアのより長い寿命の観点で測定ができて、それにより達することができる。 それに代えて、基板搬送領域は、しかしまた、真空または反応性ガスで充填することができる。

本発明の基板処理装置の特に好適な実施形態では、キャリア装置は、基板キャリア行と基板キャリア列におけるキャリアレベルで配置された基盤ネストを含んで構成されており、キャリア装置は、基板キャリア行の方向および／または基板キャリア列の方向に移動可能となっている。 特に、四角い基板の広範囲に及ぶ使用によって、高い生産性が到達可能であるように、キャリア装置の利用可能な領域が、前記行と前記列における配置のために、上手く使われる。

基板のために基板搬送領域で提供される搬送機構が、基板キャリア行と基板キャリア列における基板ネストに到着するために、それぞれ容易に構造化されることができるように、前記行と前記列におけるリニアな配置は、特に簡単なものとなる。基板キャリア行と基板キャリア列の直角な配置は、矩形のキャリア装置を必要としており、それは基板キャリア行の方向および／または基板キャリア列の方向の中へのリニアな移動のために好ましくは提供される。

インライン装置では、基板キャリアの搬送が、原則的に１つの方向にのみ行われるだけであり、それは基板キャリア行の方向にまたは基板キャリア列の方向のいずれかである。クラスタ装置では、そこで、いくつかの処理モジュールが基板キャリア行と基板キャリア列の方向で、基板搬送領域の周囲に備えられており、キャリア装置は、２つの方向に、すなわち基板キャリア行の方向と、そして基板キャリア列の方向に移動可能となっている。キャリア装置が移動しているときに、基板がその場所を出ないように、基板ネストは、基板の側方を保持してキャリア装置の上の基板安全な位置を確保する。

本発明の基盤処理装置の有利な実施形態によれば、基板搬送装置は、キャリア装置に対して平行な基板ローディングレベルを備え、キャリア搬送領域の上方に設けられており、キャリア装置が基板ととともに行状または列上に完全に装備されている。基板ローディングレベルは、水平に配向されており、キャリア装置の上方に設けられている。基板キャリアレベルは、キャリア装置の上での正確な位置に基板の格納と配置を提供する便利な手段である。キャリア装置の簡単で、速いロードは、基板ロードレベルによって可能となる。

本発明の基板処理装置の便利な実施形態によれば、基板搬送装置は、少なくとも一つの搬送ブリッジまたは搬送アームを含んで構成され、少なくとも一つの基板を持つ前記基板キャリア行または基板キャリア列のローディングおよびアンローディングのためのキャリア装置の少なくとも一つの基板キャリア行または基板キャリア列に対して平行に伸長している。搬送アームに個別の搬送ブリッジは、望ましくは、基板キャリアレベルに個別に設けられ、これらの中に導入可能であり、これらから排出可能である。

搬送ブリッジまたは搬送アームを使用して、すべての基板ネストは、基板搬送装置によって到達される。キャリア装置のすべての基板キャリア行または基板キャリア列は、搬送ブリッジまたは搬送アームによって連続的に近づくことができるか、いくつかの基板搬送ブリッジまたは搬送アームがキャリア装置のいくつかの基板キャリア行または基板キャリア列で平行に使用することができる。 それぞれ異なる基板キャリア行の基板キャリア列のアドレッシングは、 様々な方法で遂行される。特に有利な例では、キャリア装置のさらなる基板キャリア行または基板キャリア列をロードし、アンロードする搬送ブリッジまたは搬送アームは、基板キャリア行の方向に沿って、および／または基板キャリア列の方向に沿って移動可能である。

好ましくは、基板搬送装置は、超音波強化型のツィンメルマン・シルプのハンドリング装置のような少なくとも一つの非接触基板ハンドリング装置を含んで構成される。 そのような基板ハンドリング装置は、基板の低い破損リスクによって確実に極端に薄い基板さえ処理することができるハンドリング装置である。従って、基板は、例えば基板ハンドリング装置に対してスペーサとして作用する、超音波によって生成されたガスクッションに抗して自身の重量によりまたは例えば低圧吸引によって、押しつけられることができる。

非接触の動作原理のために、有利には、もはやハンドラの押印は、基板上では出現しない。 さらに、高い搬送時間は、基板ハンドリング装置で実現可能である。静電気のグリッパなどの他のハンドリング装置とは対照的に、提案される非接触の基板ハンドリング装置は、真空で動作しないが、これらのハンドラの動作原理に基づくガスクッションを形成するために、高いガス密度を必要とする。必要とされるガス密度は、例えば大気圧で与えられる。

本発明の好ましい実施形態によれば、基板搬送装置によって、基板は、基板カセットから特に適切に排出されて、各最上段のカセットの規定のアンロードおよびリターンのための基板カセットが、リフトシステムと結合されたときに、再度挿入される。

本発明の基板処理装置のさらなる実施形態では、少なくとも２つのキャリア装置レベルを含んでおり、キャリア装置が位置するキャリア装置レベルで互いに移動可能に独立している。いくつかのキャリア装置レベルの存在により、基板処理装置の生産性が増大する。単一のキャリア装置レベルは、いくつかの基板処理レベルをもたらすことができる。しかし、いくつかのキャリア装置レベルは、また、基板処理装置のキャリア搬送領域で たとえばロジスティクスの理由によってのみ、備えられているだけである。両方向のキャリア装置のロジスティクスによって、そしていくつかのキャリア装置レベルがあると、一つのキャリア装置は、基板処理装置で時間を保持することなく移動することができるように、途中に別のキャリア装置を与えることができる。基本的に、本発明の基板処理装置は、上記いくつかのキャリア装置レベルとは別にいくつかのローディングおよびアンローディングレベルを含んで構成することができる。

基板処理装置の単一のキャリア装置レベルが、少なくとも一つのキャリア装置リフトによって相互に接続されている時に、それは特に便利である。少なくとも一つのキャリア装置が、キャリア装置リフトによる基板処理装置の別のキャリア装置レベルに移動することができる。

上記で説明されたいくつかのキャリア装置レベルが、基板処理装置の中で道を与えるためだけに提供される場合には、キャリア装置リフトが、さらにキャリア装置搬送レベルの他に少なくとも一つのキャリア装置レベルを構成している場合に、それはさらに有利なこととなる。

従って、別のキャリア装置が搬送される間に、キャリア装置は、キャリア装置リフトの上に一時的に格納することができる。別の実施形態では、少なくとも３つのキャリア装置レベルがあり、それは主要なキャリア装置レベルと少なくとも一つの上方と下方のキャリア装置レベルである。

さらなる実施形態では、本発明の基板処理装置は、キャリア搬送領域と結び付けられて、互いに重なって積み重ねられた少なくとも２つの処理チャンバを含んで構成される。基板処理装置の生産能力は増大し、例えば互いに積み重ねられた処理チャンバによって二倍になることができる。従って、基板処理装置のコストは、生産能力より少なく１つのレベルで配置されただけの処理チャンバを持つ基板処理装置に関連して増大することになる。キャリア搬送領域は、従って、すべての処理チャンバがキャリア装置のために到達可能な方法で形成される。

本発明の基板処理装置の有利な実施形態では、基板ローディングおよびアンローディング領域は、必要に応じて１つの基板カセットが基板搬送装置によって供給可能で連結可能であるカセットストアを含んで構成されている。基板カセットの、そしてキャリア装置の能力は、必ずしも整数比にあるわけではない。例えば、基板カセットは２５枚のウェーハの容量を有しており、キャリア装置は、４２枚のウェーハの容量を持っていて、すなわち、２番目の基板カセットは、キャリア装置の上に完全にアンロードできるわけではない。それゆえに２番目の基板カセットの中に残っている基板が、カセットストア一時的にそれらを格納されて、カセットストアから別のキャリア装置にそれらをアンロードすることは、有利なことである。例えば、一方側の面上で開閉可能な共通の基板カセットが設けられ、基板搬送装置に結合することができる。代わりに、特別なストアのカセットは、またカセットストアの中に設けることができる。特別なストアのカセットは、例えば、それが基板搬送のために２つの面上で開いている基板カセットと対比すると、利点を有している。

カセットストアが不活性ガスによって排気可能で、および／または充填可能であるときには、それは特に有利である。基板は、製造工程の間に、カセットストアに一時的に格納される。従って、基板の変化は、時々カセットストアで観察されることができる。そのような効果は、不活性ガスでカセットストアを満たすことによって、または不活性ガスを排出することによって、または排気または不活性ガス充填ステップでカセットストアをリンスすることによって、抑制することができるか、最小化することができる。

本発明の基板処理装置の別の建設的な実施形態では、キャリア搬送領域は、少なくとも一つの調整装置、すなわち少なくとも一つの加熱器および／または冷却器を含んで構成される。加熱器、および／または冷却器は、基板の温度均一性を高めるため、および／または基板加熱または冷却のスピードを上げるために提供される。

本発明の基板処理装置の別のオプションによれば、基板処理装置は、基板回転装置を含んで構成される。基板処理装置では、コーティングが、一方の基板側から、規格化した処理チャンバの中で提供され、基板の両面のコーティングが例えば可能となる。基板の前面側または基板の裏面側が、コーティングチャンバの処理側に回転するように、基板を、提案された基板回転装置を使って、回すことができる。

本発明の基板処理装置のさらなる実施形態によれば、基板回転装置は、基板カセット回転装置である。単一の基板の回転は、実際には比較的複雑である。基板の回転は、基板が最初に基板カセットに搬送される提案された実施形態を通して、より容易に実施されることができ、それによって、完全な基板カセットは回転されて、その後に、基板は再び搬送される。

本発明の基板処理装置のさらなる実施形態では、別のキャリア装置の上に、少なくとも一つの基板をキャリア装置から搬送するための基板中継ステーションが、基板処理装置の少なくとも２つのキャリア搬送領域の間に設けられる。この実施形態では、基板の搬送が、部分的に、基板中継ステーションによって実行されて、基板が、異なるキャリア装置で、装置の異なる部分で処理される。１つの処理チャンバの中で、キャリア装置が必要とされるときに、この処理チャンバの中で基板処理が調整されることは、有利なことである。

本発明の基板処理装置が基板のクラック検出器および／または基板のクラック処理装置を含んで構成されるときには、それは特に有利なことである。例えば、そのような基板クラック処理装置は、特別なグラバー装置を持つロボットアームに個別の簡単な基板クラック抽出器とすることができる。基板のクラックは、完全に回避することはできないが、それらは低い確率で発生する。しかし、特定の状況では、基板のクラックは、基板処理装置の中で、かなり製造工程を妨害するかもしれず、特定の状況の下では、生産に主要な損害を引き起こすことがある。自動的に基板のクラックを検出して、その効果を得ることは、提案された基板クラック検出器と基板クラック処理装置によって可能である。ただ１つの基板クラック検出器またはただ１つの基板クラック処理装置が、より迅速に、基板クラックの効果を修正するために提供されるときには、それはすでに有利なことである。

本発明の基板処理装置の特別な実施形態では、処理チャンバの少なくとも一つは、処理モジュールに対して物理的にロック可能であり、そこでは、処理チャンバは、キャリア装置によって提供される。この場合に、キャリア装置は、処理チャンバの壁、底部、または側壁を形成する。 これは、処理チャンバに搬送されて、さらにキャリア搬送装置によって処理チャンバから離れて搬送されることができるキャリア装置によって達成される。

好ましくは、装置は、処理チャンバの底部を形成する。これによりキャリア装置は、キャリア搬送装置によって処理チャンバの下方の領域へ移動し、その結果として、処理チャンバを取り囲んでいる処理モジュールに対して処理チャンバの適切な物理的な閉鎖を得るためにハブ装置によって処理チャンバに向けて上に垂直に押される。

ローラ搬送システムは、キャリア搬送装置として有利に使われる。 代わりのキャリア搬送装置は、例えばリニアモータ搬送システム、フォーク搬送システムなどである。

少なくとも一つの処理チャンバは、本発明によると、基板の処理のために１つまたは複数の装置を含んで構成される。 好ましい処理装置は、プラズマの生産のための装置を含む。そのような装置は、例えば平面のHF電極とすることができ、それはガスシャワーとして提供される。この場合に、キャリア装置は、好ましくは平行平板配置構成の対向電極を形成する。本発明の実施される処理チャンバは、一般的に、ポンプ接続部、電気の供給接続部、ガス供給接続部、およびそれぞれの基板処理と同様に、使用された処理装置の動作に必要な、調整装置の供給のための接続部などの全てのメディア供給接続部を有している。

本発明の基板処理装置の他の可能な実施形態によれば、前記基板処理装置は、搬送モジュールが少なくとも一つの処理モジュールとキャリア搬送領域の間でそれぞれ提供される、少なくとも一つの処理チャンバを有する少なくとも一つの処理モジュールを含んで構成され、それは処理モジュールとキャリア搬送領域に対して気密に閉鎖可能となっている。従って、処理モジュールの中でその後の処理のための搬送モジュールにおける基板を最適に準備することが可能となる。さらに、処理モジュールの中ですでに処理された基板は、搬送モジュールの中のキャリア搬送領域の条件に適正に適合させることができる。これにより適正な雰囲気または真空、および／または適正な温度が、搬送モジュールの中で調整される。

キャリア装置のための少なくとも２つのレベルが搬送モジュールの中で提供されている場合には、そのような搬送モジュールは、特に効果的に使用される。このように、搬送モジュールの異なるレベルで、さらなるキャリア装置が処理モジュールの中への搬送のために準備される間に、異なるレベルが典型的に互いに重なってスタックされ、キャリア装置が例えば同時に搬送されるか、隣接する処理モジュールから離れて延期される。

別の実施形態では、本発明の基板処理装置は、自身のキャリア装置が各処理モジュールに割り当てられる、少なくとも一つの処理チャンバを有する少なくとも２つの処理モジュールそれぞれ構成されている。 従って、好ましくは、キャリア搬送領域は、処理モジュールのための分離領域を形成し、異なるキャリア装置の上にそれぞれ基板のための交換領域を形成する。

本発明の好ましい実施形態の配置、機能、および利点は、以下に示す図面に基づき説明される。

図１は、３つの処理モジュールを有する本発明の基板処理装置の実施形態を示す平面図である。 図２は、本発明の基板処理装置の他の実施形態の断面図である。 図３は、インライン装置として提供される４つの処理モジュールを有する本発明の基板処理装置の変形例を概略的に示す図である。 図４は、４つの処理モジュールを有する本発明の基板処理装置の他の実施形態を概略的に示す平面図である。 図５は、４つの処理モジュールを有する本発明の基板処理装置の他の実施形態を概略的に示す平面図である。 図６は、４つのマルチチャンバの処理モジュールを有する本発明の基板処理装置の他の実施形態を概略的に示す平面図である。 図７は、本発明の基板処理装置に適用可能なマルチチャンバの処理モジュールの断面を示す図である。 図８は、本発明で使用可能なマルチチャンバの処理モジュールの別の実施形態の断面を示す図である。 図９は、マルチチャンバの処理モジュールを有する本発明の基板処理装置の断面を示す図である。 図１０は、本発明の基板処理装置の他の変形例の断面を示す図である。 図１１は、本発明の基板処理装置の一実施形態の断面を示す図である。 図１２は、本発明の基板処理装置の実施形態の平面図の中で高い構成レベルを示す図である。 図１３は、処理モジュールの直線的な配置を有する本発明の基板処理装置の実施形態を概略的に示す平面図である。 図１４は、処理モジュールの直線的な配置を有する本発明の基板処理装置の他の実施形態を概略的に示す平面図である。 図１５は、本発明の基板処理装置の他の実施形態を概略的に示す平面図である。 図１６は、クラスタ基板処理装置としての本発明の基板処理装置の実施形態を概略的に示す平面図である。 図１７は、クラスタ基板処理装置としての本発明の基板処理装置の他の実施形態を概略的に示す平面図である。 図１８は、８つの処理モジュールを有する本発明の基板処理装置の変形例を概略的に示す平面図である。

図１は、本発明の基板処理装置１の実施形態の上面図を示している。ここで、基板３は、基版カセット１３における基板ローディングおよびアンローディング領域２を介して基板処理装置１に最初に導入され、処理後に、それらは基板処理装置１から除去される。基板ローディングおよびアンローディング領域２の後に、基板搬送領域１１が続いており、それは気密閉鎖装置１０によって、基板ローディングおよびアンローディング領域２から分離可能となっている。

基板搬送領域１１では、基板カセット１３とキャリア搬送領域８に置かれたキャリア装置７との間の基板３の搬送は、基板搬送装置１２によって提供される。

図1において示される実施形態では、キャリア装置７は、基板３が配置された基板ネストを有する、いわゆるキャリアである。これらの基板ネストは、基板キャリア行と基板キャリア列で提供される。現在５つの基板ネストを有する基板キャリア行は、基板搬送装置１２によって操作可能であって、基板３は、基板ネストへ基板キャリア行Ｘの方向に搬送される。 従って、基板搬送装置１２は、キャリア装置７の基板キャリア行と平行に配置されて、キャリア装置７の上方にある、搬送アームに個別に対応する搬送ブリッジ１６を含んで構成されており、それに沿って基板３を個々の基板ネストに搬送することができる。すべての基板キャリア行をロードするために、基板搬送装置１２は基板リア列Ｙの方向に移動可能となっている。

図1に示された実施形態において、基板搬送装置１２は、非接触型の基板ハンドリング装置１７を含んで構成されており、それによって、基板３は、基板カセット１３から、非接触で取り出されることができて、搬送ブリッジ１６によってキャリア装置７上に置かれる。例えば、超音波で増強された「ツィンメルマン・シルプ」ハンドリング装置が、そのような基板ハンドリング装置１７として適切である。 しかし、他の適正なハンドリング装置を、キャリア装置７に基板３を個別にロードし、キャリア装置７から基板３をアンロードするために使用することができる。

搬送ブリッジ１６に個別の搬送アームは、代わりに、気密閉鎖装置１０の領域で中断することができ、独自の動作駆動を持つことができ、それによって、基板搬送は、閉鎖装置１０を横切って提供される。 別の変形例では、搬送ブリッジ１６に個別の搬送アームは、閉鎖装置１０が開いた後に、キャリア搬送領域９内に移動するだけである。さらなる変形例では、キャリア搬領域９と基板搬送領域１１の間の閉鎖装置１０を省略することができる。

キャリア装置７は、提示された実施形態のキャリア搬送領域９で、３つの処理モジュール４のそれぞれに移動することができる。処理モジュール４は、キャリア搬送領域９を通り抜けてキャリア装置７を走らせるためのキャリア搬送装置８の他に、個別に少なくとも一つの処理チャンバ５を含んで構成されている。例えば異なるコーティング処理が、各処理チャンバ５で行われる。

各処理モジュール４は、それ自身にキャリア装置７が備えられる。 例えば、基板処理装置１の他の処理モジュール４で処理が行われている場合に、搬送装置７自身による不純物の拡散が回避されることができて、それは有利なことである。 例えば、ドーパントの付加を行う最初のコーティングが最初の処理モジュール４で行われ、ドープ層が、続く処理ステップとして、別の処理モジュール４で堆積される場合に、問題となる。 キャリア搬送領域９は、異なるキャリア装置７上で、処理モジュール４とは分離された領域として、そして基板３の交換領域として提供されることになる。単一のキャリア装置７は、また、その時に、異なる温度を有することができる。

基板処理装置１は、カセット回転装置１５と結び付けられた基板搬送領域１１をさらに含んで構成されており、それによって、例えば、基板カセット１３が回転することができて、基板３が基板３の正面のコーティングの後で回転することができて、続いて基板３の裏面のコーティングを行うことができるようになる。

キャリア搬送領域９は、それぞれ気密閉鎖装置１０によって処理モジュール4から分離されている。このように処理モジュール４は、基板搬送領域１１とは異なる圧力下で処理を実行することができる。

図2は、本発明の基板処理装置１Ａの別の変形例の断面を示している。従って、上で説明された図１の基板処理装置１に示す参照符号と同じ参照符号は、図１に示す要素と同様な要素を意味するものとする。同じことは、さらに以下に示す図面でも適用される。

基板カセット１３は、図2において示される実施例の基板ローディングおよびアンローディング領域２に備えられる。 基板カセット１３の入力の後に、規定の清浄な雰囲気が、基板ローディングおよびアンローディング領域２における排気を介して生成される。十分な清浄度が、基板ローディングおよびアンローディング領域２で達したならば、気密閉鎖装置１０が開かれて、基板カセット１３は、基板搬送領域１１に搬送される。 基板搬送領域１１で、基板３は、キャリア搬送領域９にあるキャリア装置７の上へと基板搬送装置１２によって、基板カセット１３から搬される。

図２に示される実施形態では、基板搬送装置１２は、非接触の超音波増強型の基板ハンドリング装置１７を含んで構成されており、それは搬送ブリッジ１６により案内される。すでに上で説明したように、基板ハンドリング装置１７は、基板３を、非接触でかつ低い力で把持することができる。 従って、そのリフト力は、たとえば低い圧力チャンネルの低い圧力によって生成される。

基板ハンドリング装置１７への非接触な搬送のために必要な距離は、超音波で生成されるガスクッションによって保証される。ここで示される基板ハンドリング装置１７は、真空の下では原則として作動しないが、増大した圧力でのみ、例えば大気圧で動作する。基板ハンドリング装置１７は、基板３上にどのような操作押印も残すことがなく、それにより、純度に対する高い要求がある、基板３の両側に機能的な表面を有している基板３のハンドリングに適切である。個別の最上部の基板３のローディングまたはアンローディングのための基板カセット１３が、図示しないリフトシステムに接続されている場合には、それは有利なことである。

ロードされた搬送装置７は、キャリア搬送装置８による処理モジュール４に向けて、キャリア搬送エリア９内で搬送される。そこでは、キャリア装置７は、またキャリア搬送装置８によって、処理チャンバ５に向けて移動されることになり、そこで、基板３の処理が行われる。ローラ搬送システムが、キャリア搬送装置８のために、ここでは例として、使用される。

図示された実施形態では、キャリア装置７は、処理モジュール４の中のキャリア搬送領域８からハブ装置１４によって持ち上げられて、処理チャンバ５の底部として使用される。処理チャンバ５が閉まる時のキャリア装置７の位置は、図２の処理モジュール４中の点線によってスケッチされている。基板３は、処理チャンバ５中の基板３の処理の後に、ローディングの手順とは反対でアンロードされる。

図３は、本発明の基板処理装置１Ｂの更なる発展したバージョンを示しており、４つの処理モジュール４を含んで構成されている。基板処理装置１Ｂは、インライン装置として提供され、そこで基板カセット１３は、図面の左側でロードされる。その後、基板３は、基板処理装置１Ｂを走り抜ける。最終的に、処理された基板２を有する基板カセット１３が、図面の右側にアンロードされる。

２つのキャリア装置７が、基板処理装置１Ｂの基板搬送領域１１に設けられる。基板搬送は、基板搬送装置１２によって、両方のキャリア装置７の間だけでなく基板カセット１３とキャリア装置７の間で可能である。 両方のキャリア搬送領域９の間で、基板回転装置１５が設けられており、そことで、３つの基板カセット１３が例示するように同時に回転することができ、一方の基板の側面が、上方に向って反対側に回転され、個別に反対側の向きになる。

さらに、図３の基板処理装置１Ｂは、基板クラック検出器２０を含んで構成されており、それによって、破損した基板３が、光学的に識別される。もしもクラックで損傷された基板３または壊れた基板３が検出された場合には、この不良基板３は、製造工程がわずかに乱されるだけで、直ちにまた、現在の基板クラック吸引によって取り除くことができる。２つのカセットストア１９がそれぞれ基板ローディングおよびアンローディング領域２に設けられている。基板３は、カセットストア１９に一時的に格納することができ、例えば、それは、基板カセット１３とキャリア装置７の不均衡な容量を招く。

図4は、４つの処理モジュール４を有する本発明の基板処理装置１Ｃの別の実施形態の上面図を示している。 図４の変形例では、基板処理装置１Ｃは、処理モジュール４が基板キャリア行Ｘの方向にそれぞれ設けられ、基板キャリア列Ｙの方向Yに１つの処理モジュール４が設けられて、互いに分離されている２つのキャリア搬送領域９を含んで構成される。キャリア装置７は、キャリア搬送領域９にそれぞれ設けられており、それらは、それぞれ基板搬送装置１２によって基板３をロードする。図示された例では、基板搬送領域１１が設けられており、そこにおいて、基板搬送装置１２の搬送ブリッジ１６が、基板ネストから基板３をアンロードすべき個別の基板３を有するキャリア装置７のすべての基板ネストをロードするためにキャリア装置の基板キャリア列Ｙの方向に移動することができる。

これにより基板３を有するキャリア装置７は、基板処理装置１Ｃにおける両方の処理モジュール４で次々に処理されるか、２つのキャリア装置７が設けられて、処理モジュール４においてキャリア装置７上へロードされた基板３の処理および異なるキャリア装置７上における搬送操作が同時に提供されて、振り子モードで実行される。

図４の基板処理装置１Ｃの基板３は、最初に基板ロード領域２に導入される。この段階で、基板３は、まだ基板カセット１３中に存在し、そこで、基板３は基板カセット１３の異なる水平のカセットレベルに配置されている。気密閉鎖ロックを通って走り抜けた後に、基板カセット１３は、その時に、基板搬送領域１１に導入され、そこで、基板カセット１３は、図4において矢印に示す基板キャリア列Ｙの方向に沿って移動することが可能となる。これにより、基板カセット１３内に置かれた基板３は、基板搬送装置１２によって、そして搬送ブリッジ１６を使用することでキャリア装置７の上に配布されることになる。基板３がロードされた少なくとも一つのキャリア装置７が、例えば図２において示されるキャリア搬送装置８によって、その中で処理チャンバのうちの一つにおいて処理されるために、処理モジュール４のうちの一つに続いて導入されることになる。処理は、例えば層の堆積とすることができるが、プラズマ処理、エッチング工程、温度処理および／または別の適当な処理ステップでもあり得る。

例えば基板処理装置１Ｃの左側に示された２つの処理モジュール４の中で基板の側面の処理が終わった後に、基板３は、２つのキャリア搬送領域９の間にある基板カセット回転装置１５によって回される。その後で、図４の右側に示された他の２つの処理モジュール４の中で、２番目の基板側面の処理が実行される。最終的に、基板３は、基板カセット１３に搬送されて、図４の、右側に示される基板処理装置１Ｃの基板アンローディング領域２からアンロードされる。

図５は、４つの処理モジュール４を備えた本発明の基板処理装置１Ｄの別の代わりの実施形態を上面図で示す。２つの処理モジュール４は、それぞれ、キャリア搬送領域９の隣の両側の基板処理装置１Ｄにおける基板キャリア行に対して平行に配置されている。それらの処理モジュール４のうちの２つは、基板３の前側のコーティングのために提供されて、基板カセット回転装置１５で基板３が回転された後に、他の２つの処理モジュール４は、後側のコーティングのために提供される。

基板処理装置１Ｄは、インライン装置ではないが、基板３は、単一の基板ローディングおよびアンローディング領域２を通ってロードされ、かつアンロードされる。これにより、基板３は、前に説明した例と同様に、基板処理装置１Ｄの中へ基板カセット１３に最初に導入されて、それから、基板搬送装置１２によって少なくとも一つのキャリア装置７上に、基板カセット１３から取り出される。キャリア装置７の助けによって、キャリア装置７を置かれている基板３は、それから、その中で処理チャンバのうちの1つにおいて処理されるために、処理モジュール４のうちの１つに導入されることができる。

基板が処理された後に、対応するキャリア装置７は、使用されたキャリア搬送装置によって処理モジュール４の中から搬送される。例えば、その後で、それぞれのキャリア装置７は、キャリア輸送領域９の反対側に置かれた処理モジュール４にキャリア搬送装置によって再び搬送されることができる。他の処理モジュール４は、また図５で図示しない処理チャンバを備えることができ、それにおいて、基板３は、別の処理ステップに導入されることがきる。基板３を処理した後に、再び、それらは、キャリア搬送領域９に、キャリア装置７に置かれて、搬送されて、例えば基板搬送装置１２によって対応する基板カセット１３に再度導入されることができる。

図5に見られるように、２つのキャリア搬送領域９の間の基板搬送ステーション２９は、基板３を1つのキャリア装置７から別のキャリア装置７に搬送するために設けることができる。基板搬送ステーション２９は、上で説明された基板搬送装置１２と同様に構成することができ、したがって、基板３をキャリア装置７から非接触で取り去り、キャリア装置７の上方で搬送ブリッジ１６に個別の搬送アームに沿って進行させ、他のキャリア装置７の上に続いて適用させる。

４つの処理モジュール４の高生産速度に対応して、基板搬送領域１１で、２つのキャリア装置７のそれぞれのために、２つの平行動作の基板搬送装置１２が、基板処理装置１Ｄに設けられている。

図６は、本発明の基板処理装置１Ｅの更なるオプションの上面図を示して降り、４つのマルチチャンバの処理モジュール６を含んで構成されている。２つの処理チャンバ５が、マルチチャンバの処理モジュール６のそれぞれの中で垂直に積み重ねられている。他の本発明の図示しない実施形態では、２以上に垂直に積み重ねられた処理チャンバ５が、互いに重なってマルチチャンバの処理モジュール６の中に設けることができる。さらに、図６に示された単一のマルチチャンバの処理モジュール６は、また前述した例に示すような簡単な処理モジュール５に置き換えることができる。

搬送モジュール１８はそれぞれ、キャリア搬送領域９とマルチチャンバの処理モジュール６の間に設けられる。搬送モジュール１８は、それぞれ、真空気密ゲートまたは閉鎖装置によって、付随するマルチチャンバの処理モジュール６から一方では分離されており、他方では、キャリア搬送領域９から分離されている。例えば、マルチチャンバの処理モジュールで処理される必要があるか、既にマルチ室プロセスモジュールの中で処理された基板３の加熱または冷却は、搬送モジュール１８の中で行われる。さらに、適正な雰囲気は、搬送モジュール１８の中で調整される必要がある。搬送モジュール１８は、排気することができる。

図６で図示しないキャリア装置のリフトは、搬送モジュール１８の中に設けることができ、それによって、それぞれの搬送装置７は、マルチチャンバの処理モジュール６中のそれぞれの処理チャンバ５に対応している1つのレベルに持っていくことができ、キャリア装置７に置かれている基板３は、処理されることになる。さらに、キャリア装置７は、また別のレベルに、キャリア装置のリフトによって搬送することができ、例えばそれぞれのキャリア装置７は、別のキャリア装置のレベルに搬送された別のキャリア装置７を通過して移動することができる。

図７は、概略的に、例えば図６の実施形態で用いられることができるマルチチャンバの処理モジュール６の断面を示している。この実施形態では、マルチチャンバの処理モジュール６は、２つの垂直に積み重ねられた処理チャンバ５を含んで構成されている。他に、図示しない実施形態では、マルチチャンバの処理モジュール６は、２つを超える処理チャンバ５を含んで構成することができる。

図７に示される処理チャンバ５のキャリア装置７は、処理チャンバ５の底部として機能する。 図７の上部のキャリア装置７は、キャリア搬送装置８で使用されるローラ搬送システムで搬送されている間を示している。この状態で、上部の処理チャンバ５の底部は、なく、上部の処理チャンバ５は、処理モジュール６に対して開放している。しかし、ハブ装置１４によって下方に処理チャンバに対して押しつけられることによって、下方のキャリア装置７は、下方の処理チャンバ５を閉鎖させる。マルチチャンバの処理モジュール６は、閉鎖可能なチャンバであり、基板処理装置１Ｅのその環境と近隣のモジュールに対して閉鎖可能である。

図８は、図６の基板処理装置１Ｅで適用可能な更なるマルチチャンバの処理モジュール６の断面を概略的に示している。処理モジュール６´は、図7において示された処理モジュール６と対比すると、処理チャンバ５のそれぞれのために閉鎖可能な絶縁チャンバ２５を含んで構成される。 閉鎖可能な絶縁チャンバ２５は、外気から処理チャンバ５のよりよい熱的および化学的な減結合のために追加の絶縁ステージとして例えば提供され得る。別の実施形態では、絶縁チャンバ２５は、また処理チャンバ５を洗浄する工程のための補助装置として提供することができ、処理チャンバ５が開かれる時に、下降したキャリア装置７は、閉鎖された絶縁チャンバ２５中のエッチングプラズマによって洗浄される。キャリア装置７の下降した位置で、キャリア装置７のエッジ領域は、閉鎖された処理チャンバ５と対比して、また洗浄される。これにより絶縁チャンバ２５は、処理モジュール６内へのクリーニングガスの膨張を抑制する。

処理チャンバ５は、従って好ましくは、プラズマの生産のための一つまたはいくつかの装置を含んで構成される。例えば、そのような好ましい装置は、ガスシャワーとして提供される平面のRF電極とすることができる。この場合に、キャリア装置７は、平行平板配置の対向電極を形成する。処理チャンバ５は、また、ポンプ接続部、電気供給接続部、ガス供給接続部および調整のための装置どのすべての必要なメディア供給接続部を備える。

図９は、マルチチャンバの処理モジュール６を備えた本発明の基板処理装置１Ｅの断面を概略的に示している。マルチチャンバの処理モジュール６は、図7に例示するように、例えば形成することができる。上記の説明を参照することができる。図９では、搬送モジュール１８の実施形態が、より多くの詳細な記述の中で示されている。図示される搬送モジュール１８では、２つの搬送レベルがキャリア装置７のために設けられており、搬送ローラ２６によって特徴づけられている。キャリア装置７は、搬送モジュール１８中の両方の搬送ルからマルチチャンバの処理モジュール６の両方の搬送レベルの中に搬送される。キャリア装置７は、キャリア装置リフト２８によって両方の搬送レベルの間を移動することができる。

従って、搬送ローラ２６は、キャリア装置７の昇降移動のために必要とされている空間を作るために、それらのセンターラインの方向に移動することができる。搬送モジュール１８は、キャリア装置７の加熱および／または冷却のための加熱プレート、輻射加熱および／または冷却ユニットなどの少なくとも一つの加熱および／または冷却の装置をさらに含んでいる。搬送モジュール１８は、キャリア搬送領域９と関連していて、それゆえに、基板搬送領域１１とマルチチャンバの処理モジュール６の間の接続を提供する。

図１０と図１１は、本発明の基板処理装置１Ｆおよび１Ｇの断面を概略的に示している。基板処理装置１Ｆおよび１Ｇは、処理チャンバ５をそれぞれ含む処理モジュール４を備えている。 基板処理装置１Ｇは、基板処理装置１Ｆと比較すると、処理チャンバ５を包含するための絶縁チャンバ２５を含んで構成されている。基板処理装置１Ｆおよび１Ｇの両者は、搬送モジュール１８´を含んで構成され、それぞれ、図示する搬送ローラ２６によってそれぞれ示される１つの搬送レベルのみを有している。搬送モジュール１８´は、２つのキャリア装置７の取り扱いのために備えられている。１つのキャリア装置７が搬送レベルに位置している間に、２番目のキャリア装置７は、キャリア装置リフト２８上に一時的に格納される。一時的な格納によって、キャリア搬送領域９でのキャリア装置７の待ち時間を減らすことが可能となる。一般に、キャリア装置リフト２８中のさらなるスポットは、一時的な格納として提供される。

図１２は、８つのマルチチャンバの処理モジュール６を含んで構成される本発明の基板処理装置１Ｈを概略的に、さらに示している。基板処理装置１Ｈは、それに応じて１６個の処理チャンバを含んで構成されていて、対応する高い生産量を提供する。キャリア搬送領域９は、この基板処理装置１Ｈの中で高いロジスティクス要件を満たすために、図示の実施形態では４つの基板搬送装置１２とそれぞれ結び付けられる。

図１３では、本発明の基板処理機器１Ｉの別の実施形態を平面図で概略的に示している。基板処理装置１Ｉは、搬送モジュール１８´の２つのリニアのインライン配置、処理モジュール４´、および処理モジュール4を含んで構成されている。 処理モジュール４´は、２つの側面でキャリア装置７の通路のために閉鎖可能なチャンネルが設けられている。処理モジュール４、４´のリニアなインライン配列は、本発明の基板処理装置の開発のための比較的簡単な機会である。処理モジュール４、４´のリニアのインライン配列を使う時に考慮すべき欠点は、キャリア装置７を搬送するときに増大するロジスティクス的な労力である。

搬送モジュール１８、１８´においてキャリア装置７のためのいくつかのレベルが設けられるときには、それは有利なものとなる。したがって、ロックプロセスにおいて大気と真空の間でいくつかのキャリア装置７が同時に、または次々に換気することができて、それによって、搬送モジュール１８、１８´のそれぞれの排気のために発生する換気の数を減らすことができる。

処理モジュール４´のリニアのインライン配列を持つ本発明の別の基板処理機装置１Ｊは、図１４において示される。基板処理装置１Ｊは、基板処理装置１Ｉに比べてキャリア装置ストア２３によって、さらに発展したものであり、外側の処理モジュール4´に結合されている。 キャリア装置ストア２３は、一時的にキャリア装置７を格納して、これによりキャリア装置７を搬送するときのロジスティクスの待ち時間を減らすことができる。

本発明の基板処理装置１Ｋの別の実施形態は、図１５における平面図で概略的に示される。 本発明の基板処理装置の他の実施形態は、基板処理装置１Ｋを基礎にして説明される。基板搬送装置１２は、搬送ブリッジとしてではなく搬送ロボット２４の形式で、ここでは提供されている。 搬送ロボット２４は、キャリア装置７上のすべての基板３に到達する回転可能で、リニアに伸長可能なロボットアームを含んで構成されている。さらに、基板処理装置１Ｋは、キャリア装置７のためのキャリア装置リフト２８とバッファからなっている２つの搬送モジュール１８´´を含んで構成されている。

搬送モジュール１８´´は、基板キャリア列Ｙの方向と同様に基板キャリア行Ｘの方向にキャリア装置７の搬送を可能にする。基板処理装置１Ｋは、基板キャリア列Ｙの方向に搬送モジュール１８´´でそれぞれ２つの処理モジュール４によって提供されている。しかし、キャリア搬送領域９は、基板キャリア行Ｘ.の方向に沿って搬送モジュール１８´´に設けられる。処理モジュール４は、またマルチチャンバの処理モジュールとして備えられる。この実施形態は、一般に、搬送モジュール１８´´との組み合わせにおける本発明の基板処理装置の以下に説明される変形例に適用することができる。

例えば、基板のクラック除去のために、個別に出力される基板を改善するためのさらなるロボットが、キャリア搬送領域９で使用されるときには、それはまた有利なことであろう。

本発明の基板処理装置１Ｌおよび１Ｍのさらなる実施形態は、平面図で図１６と図１７において概略的に示されている。基板処理装置１Ｌは、キャリア装置ストア２３が直接キャリア搬送領域９に結び付けられている実施形態を示している。しかし、基板処理装置１Ｍは、キャリア装置ストア２３を搬送モジュール１８´´に結合するオプションを示している。

図１８は、本発明の別の基板処理装置１Ｎを平面図にて概略的に示している。基板処理装置１Ｎは、基板処理装置１Ｎを介して基板３のインラインの方向に対して横方向の相対的に狭い幅からなるインライン装置である。狭い幅は、基板キャリア列Ｙの方向において搬送モジュール１８´´で、処理モジュール４を配置することによって達成される。

説明された実施形態は、本発明の基板処理機器１、１Ａから1Nが、さまざまな方法で提供されることを示している。説明された実施形態の中から、他の図示しない実施形態あるいは可能な実施形態は、当業者が明細書と彼のノウハウに基づいて提供することが可能である。

Claims (27)

1. 基板処理装置（１、１Ａ〜１Ｎ）であって、
   少なくとも一つの基板（３）がある基板処理装置（１）のローディングとアンローディングのための少なくとも一つの基板ローディングおよびアンローディング領域（２）と、
   少なくとも一つの排気可能な処理チャンバ（５）と、
   前記少なくとも一つの基板（３）が、前記少なくとも一つの処理チャンバ（５）に向かう少なくとも一つのキャリア搬送領域（９）における少なくとも一つのキャリア搬送装置（８）によって搬送される少なくとも一つのキャリア装置（７）と、
   前記基板ローディングおよびアンローディング領域（２）と前記キャリア搬送領域（９）の間の少なくとも一つの気密閉鎖装置（１０）と同様の前記少なくとも一つの処理チャンバ（５）と前記キャリア搬送領域（９）の間の少なくとも一つの気密閉鎖装置（１０）とを含んで構成されたものにおいて、
   前記基板ローディングおよびアンローディング領域（２）が、前記基板ローディングおよびアンローディング領域（２）内で備えることが可能で、基板（３）を基板カセット（１３）の異なる水平カセットレベルに配置されることができる少なくとも一つの基板カセット（１３）から、前記少なくとも一つの基板（３）が、水平キャリアレベルに保持可能で、前記基板搬送領域（１１）が前記基板ローディングおよびアンローディング領域（２）に対して気密閉鎖可能である、前記少なくとも一つのキャリア装置（７）に搬送するための少なくとも一つの基板搬送装置（１２）がある基板搬送領域のそばのキャリア搬送領域（１１）に結びつけられている
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記基板搬送領域（１１）が不活性ガスによって充填可能であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記キャリア装置（７）は、基板キャリア行と基板キャリア列内のキャリアレベルに設けられた基板ネストを含んで構成され、前記キャリア装置（７）は、前記基板キャリア行（Ｘ）の方向および／または前記基板キャリア列（Ｙ）の方向に移動可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記キャリア搬送装置（８）は、ローラ搬送システムを含んで構成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記基板搬送装置（１２）は、前記キャリア搬送領域（９）の上方で、基板ローディングレベルにあり、基板（３）を行状にまたは列状に完全に装備している前記キャリア装置（７）に対して平行に備えられて構成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記基板搬送装置（１２）が、少なくとも一つの搬送ブリッジ（１６）または搬送アームを含んで構成されており、少なくとも一つの基板（３）をこの基板キャリア行または基板キャリア列にロードし、アンロードするために、前記キャリア装置（７）の少なくとも一つの基板キャリア行または基板キャリア列に対して平行に伸長していることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記搬送ブリッジ（１６）または、前記キャリア装置（７）のさらに基板キャリア行または基板キャリア列をロードし、アンロードするための前記転送アームが、基板キャリア列の方向および／または基板キャリア列の方向に沿って移動可動であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記基板搬送装置（１２）は、少なくとも一つの非接触の基板ハンドリング装置（１７）を含んで構成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記基板ハンドリング装置（１７）は、超音波増強型であることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記基板カセット（１３）は、前記基板搬送装置（１２）によって個別の最上部の基板（３）のアンロードとリターンのためのリフトシステムに結合されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 前記基板処理装置（１）は、前記キャリア装置レベルにおける前記キャリア装置（７）が独立して移動可能である、少なくとも２つのキャリア装置レベルを含んで構成されることを特徴とする請求１から１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
12. 前記キャリア装置レベルの少なくとも２つの間で、１つのキャリア装置リフト（２８）が設けられ、それによって、少なくとも一つのキャリア装置（７）が別のキャリア装置レベルに持って行くことが可能であることを特徴とする請求１１に記載の基板処理装置。
13. 前記基板処理装置（１、１Ａ〜１Ｎ）は、互いに上に積み重ねられ、前記キャリア搬送領域（９）と結び付けられている、少なくとも２つの処理チャンバ（５）を含んで構成されることを特徴とする請求１から１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
14. 前記基板ローディングおよびアンローディング領域（２）は、カセットストア（１９）を含んで構成され、前記カセットストア（１９）において少なくとも一つの基板カセット（１３）設けられて、必要ならば、基板搬送装置（１２）に連結可能となっていることを特徴とする請求１から１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
15. 前記カセットストア（１９）は、不活性ガスによって排気可能で、および／または充填可能であることを特徴とする請求１４に記載の基板処理装置。
16. 前記キャリア搬送領域（９）は、少なくとも一つの調整装置を含んで構成されること
    を特徴とする請求１から１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
17. 前記基板処理装置（１、１Ａ〜１Ｎ）は、基板回転装置を含んで構成されることを特徴とする請求１から１６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
18. 前記基板回転装置は、基板カセット回転装置（１５）であることを特徴とする請求１７に記載の基板処理装置。
19. 前記基板処理装置（１、１Ａ〜１Ｎ）の少なくとも２つのキャリア搬送領域（９）の間では、一つのキャリア装置（７）から別のキャリア装置（７）の上に少なくとも一つの基板（３）を搬送するための基板搬送ステーション（２９）が設けられていることを特徴とする請求１から１８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
20. 前記基板処理装置（１、１Ａ〜１Ｎ）は、基板クラック検出器（２０）および／または基板区ラック処理装置（２１）を含んで構成されることを特徴とする請求１から１９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
21. 前記処理チャンバ（５）の少なくとも１つは、この処理チャンバ（５）が設けられる処理モジュール（４、６、６´）に対して前記キャリア装置（７）によって物理的に閉鎖可能であることを特徴とする請求１から２０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
22. 前記キャリア装置（７）が、前記処理チャンバ（５）の底部を形成することを特徴とする請求２１に記載の基板処理装置。
23. 前記処理チャンバ（５）は、ガスシャワーとして提供されるＨＦ電極を含んで構成され、それはキャリア装置（７）とともに平行平板配置を形成していることを特徴とする請求２２に記載の基板処理装置。
24. 前記基板処理装置（１、１Ａ〜１Ｎ）は、それぞれ少なくとも一つの処理チャンバ（５）と一緒の少なくとも一つの処理モジュール（４、４´、６、 ６´）を含んで構成され、前記少なくとも一つの処理モジュール（４、４´、６、 ６´）と前記キャリア搬送領域（９）の間で、搬送モジュール（１８、１８´、１８´´）がそれぞれ備えられ、前記処理モジュール（４、４´、６、 ６´）および前記キャリア搬送領域（９）に対して気密に閉鎖可能であることを特徴とする請求１から２３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
25. 前記搬送モジュール（１８、１８´、１８´´）は、前記キャリア装置（７）のための少なくとも２つのレベルを提供することを特徴とする請求２４に記載の基板処理装置。
26. 前記基板処理装置（１、１Ａ〜１Ｎ）は、少なくとも一つの処理チャンバ（５）とそれぞれが一緒の少なくとも２つの処理モジュール（４、４´、６、 ６´）を含んで構成され、各処理モジュール（４、４´、６、 ６´）にそれ自身のキャリア装置（７）が割り当てられていることを特徴とする請求１から２５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
27. 前記キャリア搬送領域（９）は、前記処理モジュール（４、４´、６、 ６´）のための分離領域を形成し、それぞれ異なるキャリア装置（７）上の基板（３）のために交換領域を形成することを特徴とする請求２６に記載の基板処理装置。

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