KR101831312B1 - 기판처리시스템 및 기판처리방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판처리시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 표면에 증착공정 등의 공정처리를 수행하는 기판처리시스템 및 기판처리방법에 관한 것이다.
본 발명은 공정처리가 수행될 하나 이상의 기판이 적재된 트레이를 외부로부터 전달받는 제1이송부와, 공정처리가 완료된 기판이 적재된 트레이를 외부로 전달하는 제2이송부를 구비하는 진공예비모듈과; 상기 진공예비모듈로부터 트레이가 도입되도록 상기 제1이송부에 대응되는 위치로 상승하고 상기 진공예비모듈로 트레이가 배출되도록 상기 제2이송부의 위치에 대응되는 위치로 하강하는 제3이송부와, 상기 제1이송부에 대응되도록 위치된 제3이송부로부터 공정 처리되는 높이로 트레이를 상승시키고 상기 제2이송부에 대응되도록 위치된 제3이송부에 재안착되도록 트레이를 하강시키는 트레이지지부;를 포함하는 공정모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템을 개시한다.
본 발명은 공정처리가 수행될 하나 이상의 기판이 적재된 트레이를 외부로부터 전달받는 제1이송부와, 공정처리가 완료된 기판이 적재된 트레이를 외부로 전달하는 제2이송부를 구비하는 진공예비모듈과; 상기 진공예비모듈로부터 트레이가 도입되도록 상기 제1이송부에 대응되는 위치로 상승하고 상기 진공예비모듈로 트레이가 배출되도록 상기 제2이송부의 위치에 대응되는 위치로 하강하는 제3이송부와, 상기 제1이송부에 대응되도록 위치된 제3이송부로부터 공정 처리되는 높이로 트레이를 상승시키고 상기 제2이송부에 대응되도록 위치된 제3이송부에 재안착되도록 트레이를 하강시키는 트레이지지부;를 포함하는 공정모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템을 개시한다.
Description
본 발명은 기판처리시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 표면에 증착공정 등의 공정처리를 수행하는 기판처리시스템 및 기판처리방법에 관한 것이다.
반도체, LCD패널용 유리기판, 태양전지 등은 기판에 대하여 증착, 식각 등과 같은 공정처리 공정을 수행하여 제조된다. 여기서 증착공정은 화학기상증착(PECVD) 방법 등을 사용하여 기판의 표면에 박막을 형성하는 공정을 말한다.
그리고 증착공정 등 공정처리를 수행하는 기판처리시스템은 기판로딩모듈, 로드락모듈, 공정모듈, 언로드락모듈 및 기판언로딩모듈로 구성되며, 모듈들의 배치에 따라 각 모듈들이 순차적으로 배치되는 인라인 타입과, 반송모듈을 중심으로 로드락/언로드락모듈과 복수 개의 공정모듈들이 배치되는 클러스터 타입이 있다.
한편 태양전지를 제조하는 기판처리시스템은 일반적으로 인라인 타입으로 배치된다. 즉 기판교환모듈에서 다수의 태양전지용 기판들이 적재된 트레이는 로드락모듈->공정모듈->언로드락모듈을 순차적으로 통과하며, 공정처리가 완료된 트레이는 기판들을 트레이로부터 언로딩하기 위해 로드락모듈의 전단에 설치된 기판교환모듈로 다시 이송된다.
그런데 종래 태양전지 제조용 인라인 타입의 기판처리시스템은 기판교환모듈에서 로드락모듈, 공정모듈 및 언로드락모듈이 순차적으로 설치됨에 따라 시스템 전체가 차지하는 면적이 커질 뿐만 아니라 그에 따라 제조비용 및 설치비용이 현저하게 증가하는 문제점이 있다.
그리고, 공정을 위해 트레이를 공정모듈에 도입 또는 배출하는 과정에서 개별적으로 이송부를 구비하여야하는 관계로 시스템 전체의 제조비용 및 설치비용이 현저하게 증가하고, 공정모듈 내부 공간이 다양한 장치들이 설치되어야 하므로 공정처리의 효율성이 저해되는 문제가 있다.
따라서 기판처리시스템에 있어서 설치를 위한 면적 및 비용을 줄이면서도, 공정처리와 이송과정의 정확성이 향상될 수 있는 다양한 방안이 요구된다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 필요성 및 문제점을 인식하여, 기판처리시스템의 설치를 위한 공간을 현저히 줄여 전제적인 제조비용을 절감할 수 있는 인라인 타입의 기판처리시스템 및 기판처리방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기판처리시스템을 보다 간단화하여 제조비용을 절감함과 아울러 설치공간을 현저히 줄일 수 있고 공정처리의 효율이 향상되는 인라인 타입의 기판처리시스템 및 기판처리방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 공정처리가 수행될 하나 이상의 기판이 적재된 트레이를 외부로부터 전달받는 제1이송부와, 공정처리가 완료된 기판이 적재된 트레이를 외부로 전달하는 제2이송부를 구비하는 진공예비모듈과; 상기 진공예비모듈로부터 트레이가 도입되도록 상기 제1이송부에 대응되는 위치로 상승하고 상기 진공예비모듈로 트레이가 배출되도록 상기 제2이송부의 위치에 대응되는 위치로 하강하는 제3이송부와, 상기 제1이송부에 대응되도록 위치된 제3이송부로부터 공정 처리되는 높이로 트레이를 상승시키고 상기 제2이송부에 대응되도록 위치된 제3이송부에 재안착되도록 트레이를 하강시키는 트레이지지부;를 포함하는 공정모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템을 개시한다.
또한 상기 제3이송부를 상하방향으로 이동시키는 구동모듈과, 상기 구동모듈과 독립적으로 동작되고 상기 트레이지지부를 상하방향으로 이동시키는 승강구동부를 구비하는 공정모듈을 포함할 수 있다.
한편 본 발명은 진공예비모듈의 제1이송부로부터 공정모듈의 제3이송부로 트레이가 이송되는 단계와; 트레이지지부가 상승하여 상면에 트레이를 안착시키는 단계와; 트레이에 적재된 기판이 공정 처리되는 단계와; 공정처리 완료 후 상기 트레이지지부가 하강하여 트레이를 상기 진공예비모듈의 제2이송부에 대응되는 위치로 하강된 제3이송부에 재안착시키는 단계와;상기 제3이송부로부터 상기 제2이송부로 트레이가 이송되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법을 개시한다.
본 발명에 따른 기판처리시스템 및 기판처리방법은 진공예비모듈을 공정모듈로 트레이를 전달하는 로드락부 및 기판교환모듈로 트레이를 전달하는 언로드락부로 구성하고, 공정모듈을 로드락부 및 언로드락부와의 트레이 교환을 위하여 트레이를 승강시키도록 구성함으로써 기판처리시스템을 구성하는 모듈들의 수를 줄여 제조비용을 절감함과 아울러 설치공간을 현저하게 절감할 수 있고 공정처리속도가 향상되는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 기판처리시스템 및 기판처리방법은 공정모듈 내부에서 하나의 이송부가 트레이지지부와 독립적으로 승하강하여 트레이를 도입하거나 배출할 수 있으므로 공정모듈의 구성이 단순화되는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 기판처리시스템 및 기판처리방법은 공정처리 과정에서 공정모듈 내부의 이송부로 인한 영향을 최소화할 수 있으므로 기판의 공정처리의 정확성이 향상되는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리시스템의 측단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1의 기판처리시스템의 공정모듈에서의 공정처리 과정을 나타내는 측단면도들이다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1의 기판처리시스템의 공정모듈에서의 공정처리 과정을 나타내는 측단면도들이다.
이하, 본 발명에 따른 기판처리시스템 및 기판처리방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리시스템의 측면도이고, 도 2a 내지 도 2c는 도 1의 기판처리시스템의 공정모듈에서 공정 처리되는 트레이의 이송과정을 보여주는 측단면도들이다.
본 발명의 기판처리시스템은 공정처리가 수행될 하나 이상의 기판(10)이 적재된 트레이(20)를 공급받는 제1이송부(210)와, 공정처리가 완료된 기판(10)이 적재된 트레이(20)를 배출하는 제2이송부(220)를 구비하는 진공예비모듈(200)과; 상기 진공예비모듈(200)로부터 트레이(20)가 도입되도록 상기 제1이송부(210)에 대응되는 위치로 상승하고 상기 진공예비모듈(200)로 트레이(20)가 배출되도록 상기 제2이송부(220)의 위치에 대응되는 위치로 하강하는 제3이송부(320)와, 상기 제1이송부(210)에 대응되도록 위치된 제3이송부(320)로부터 공정 처리되는 높이로 트레이(20)를 상승시키고 상기 제2이송부(220)에 대응되도록 위치된 제3이송부(320)에 재안착되도록 트레이(20)를 하강시키는 트레이지지부(340);를 포함하는 공정모듈(300)을 포함한다.
본 발명에 따른 기판처리시스템은 각 모듈들이 순차적으로 배치된 인라인(inline) 타입으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 진공예비모듈(200) 및 공정모듈(300)을 포함하여 구성된다.
상기 진공예비모듈(200)은 후술하는 기판교환모듈(100)로부터 공정처리가 수행될 하나 이상의 기판(10)이 적재된 트레이(20)를 공급받고, 공정처리가 완료된 기판(10)이 적재된 트레이(20)를 기판교환모듈(100)로 배출하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 진공예비모듈(200)은 도 1에 도시된 바와 같이, 기판교환모듈(100)로부터 트레이(20)를 전달받아 공정모듈(300)로 전달하고, 공정모듈(300)로부터 트레이(20)를 전달받아 기판교환모듈(100)로 전달하는 로드락 및 언로드락부로서 기능한다.
상기 진공예비모듈(200)은 밀폐된 한 개의 로드락챔버와 같은 하나의 구조물 또는 별도로 구성된 두 개의 챔버와 같이 서로 분리된 구조물로 구성되는 등 다양한 구성이 가능하다.
여기서 상기 진공예비모듈(200)은 내부의 공간이 밀폐되고, 기판교환모듈(100) 및 공정모듈(300)과의 트레이(20) 교환을 위하여 대기압 및 진공압 상태의 압력변환이 가능하도록 진공펌프(미도시)와 연결된다.
그리고 상기 진공예비모듈(200)에는 전후방에 게이트(편의상 도시하지 않음)가 형성되고, 게이트들은 진공예비모듈(200)의 내부를 밀폐시키기 위한 게이트밸브(243, 245)들에 의하여 개폐된다.
상기 게이트밸브(243, 245)들은 각각 하나의 게이트를 개폐하도록 배치될 수 있고, 두 개 이상의 게이트를 함께 개폐하도록 배치될 수도 있음은 물론이다.
한편 상기 진공예비모듈(200)은 공정처리를 수행하는 공정모듈(200)로 트레이(20)를 전달하기 전에 예열 등의 전처리공정을 수행하거나, 공정모듈(200)로부터 트레이(20)를 전달받아 냉각하는 등 후처리공정을 수행하도록 구성될 수 있다.
예를 들면, 상기 로드락 공정시에 트레이(20)에 적재된 기판(10)들을 가열하는 가열부(미도시)와, 언로드락 공정시에 트레이(20)에 적재된 기판(10)들을 냉각하는 냉각부(미도시)가 추가로 설치될 수 있다.
여기서 상기 진공예비모듈(200)은 내부 공간의 상하부에서 가열 및 냉각 등과 같이 서로 다른 공정을 수행할 수 있는바, 상호 영향을 방지하기 위하여 격벽부(미도시) 등에 의하여 서로 격리될 수 있다.
그리고 상기 진공예비모듈(200)에 설치되는 가열부 또는 냉각부는 트레이(20)에 직접 면접촉에 의하여 열을 전달하거나 간격을 두고 복사 등에 의하여 열을 전달하도록 구성될 수 있으며, 가열부는 시스히터, 할로겐히터 등 가열온도, 가열환경 등에 따라서 다양하게 구성될 수 있다.
또한 상기 진공예비모듈(200)은 트레이(20)의 지지를 위한 구조가 다양한 형태로 구성될 수 있으며, 복수개의 롤러 및 롤러를 구동하기 위한 구동장치 등의 트레이(20)의 이송을 위한 구조 또한 다양한 형태로 구성될 수 있다.
상기 진공예비모듈(200)은 공정처리가 수행될 하나 이상의 기판(10)이 적재된 트레이(20)를 공급받는 제1이송부(210)와, 공정처리가 완료된 기판이 적재된 트레이를 배출하는 제2이송부(220)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서 상기 롤러를 구동하기 위한 구동장치는 다양한 구성이 가능하다.
한편 상기 기판교환모듈(100)은 진공예비모듈(200)과 연결되어 공정처리가 수행될 하나 이상의 기판(10)을 트레이(20)에 로딩하여 진공예비모듈(200)로 트레이(20)를 전달하고, 진공예비모듈(200)로부터 트레이(20)를 전달받아 공정처리가 완료된 하나 이상의 기판(10)을 언로딩하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판교환모듈(100)은 기판(10)의 이송방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며 기판(10)이 트레이(20)에 적재되어 이송되는 경우, 다수개의 기판(10)들이 적재된 카세트(미도시)로부터 기판(10)을 인출하여 트레이(20) 상에 하나 이상의 기판(10)을 로딩하기 위하여 설치된 기판적재장치(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서 트레이(20)는 하나 이상, 바람직하게는 복수개의 기판(10)을 적재하여 한꺼번에 이송하기 위한 구성으로 설계 및 디자인에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판(10)의 증착공정 등 공정처리에 영향을 주지 않는 재질이면 어떠한 재질 및 구조도 가능하다.
예를 들면 상기 트레이(20)는 그레파이트(graphite), 석영 등의 비금속, 알루미늄, 알루미늄 합금 등의 금속 중 적어도 어느 하나로 제조될 수 있으며 그 형상은 직사각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
그리고 상기 기판(10)은 반도체기판, LCD패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등이 가능하며, 그 형상은 직사각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
한편 상기 트레이(20)는 후술하는 각 모듈들에서 다양한 방법에 의하여 이송될 수 있다. 예를 들면 상기 트레이(20)는 도 1에 도시된 바와 같이, 각 모듈(100, 200, 300)들 사이에서는 각 모듈(100, 200, 300)들에 설치된 롤러, 벨트 등과 같은 이송부(210, 220, 320)들에 의하여 이송될 수 있다.
상기 공정모듈(300)은 증착공정과 같은 공정처리를 수행하는 모듈로서 공정처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 도 1, 도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 진공예비모듈(200)로부터 기판(10)이 적재된 트레이(20)를 전달받아 트레이(20)에 적재된 기판(10)에 대하여 공정처리를 수행하고, 공정처리 완료 후 트레이(20)를 하측 방향으로 이동시켜 진공예비모듈(200)로 전달하도록 하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다
예를 들면, 상기 공정모듈(300)은 처리공간을 형성하는 진공챔버(310)와; 상기 진공예비모듈(200)로부터 트레이(20)가 도입되도록 상기 제1이송부(210)에 대응되는 위치로 상승하고, 상기 진공예비모듈(200)로 트레이(20)가 배출되도록 상기 제2이송부(220)의 위치에 대응되는 위치로 하강하는 제3이송부(320)와, 공정처리를 위하여 트레이(20)를 상면에 안착하도록 상승하고, 공정처리 완료 후 트레이(20)를 상기 제3이송부(320)에 안착시키도록 하강하는 트레이지지부(340)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 진공챔버(310)는 증착공정과 같은 공정처리를 수행하기 위한 처리공간을 형성하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며, 상측이 개방된 챔버본체(312)와 챔버본체(312)와 탈착가능하게 결합되는 상부리드(311)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 챔버본체(312)는 상측이 개방된 그릇 형태를 가지며, 기판(10)이 입출될 수 있는 게이트(315, 316)가 형성된다. 본 실시예에서는 장방형의 챔버본체(312)에서 한 쌍의 게이트(315, 316)들이 챔버본체(312)의 일측면에 상하로 형성되는 예가 도시되나, 상기 게이트(315, 316)들은 하나로 이루어져 기판(10)의 입출이 함께 이루어질 수도 있다. 여기서 상기 게이트(315, 316)들은 게이트밸브(245)에 의하여 개폐된다.
상기 상부리드(311)는 실링부재(미도시)가 개재되어 챔버본체(312)의 상측에 결합되어 밀폐된 처리공간을 형성하기 위한 구성으로서, 플레이트 또는 하측이 개방된 그릇 형태를 가질 수 있다.
상기 진공챔버(310)는 공정처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 가스분사를 위한 샤워헤드부(330), 진공챔버(310)의 압력조절 및 배기를 위한 배기관, 트레이(20) 상의 기판(10)의 온도를 조절하기 위한 온도제어부 등 공정처리를 위한 다양한 구성들이 설치될 수 있다.
또한 상기 트레이지지부(340)의 구동을 위한 부재의 설치애 따라 처리공정에 영향을 미치는 것을 고려하여 샤워헤드부(330)에서 분사되는 가스를 가이드하기 위한 가이드부재(미도시), 트레이지지부(340)를 기준으로 하측으로 플라즈마, 처리가스의 유입 등을 방지하기 위한 배플 등 다양한 구성이 설치될 수 있다.
예를 들면 상기 진공챔버(310)는 도시된 바와 같이, 공정처리를 위하여 가스를 분사하는 샤워헤드부(330)가 진공챔버(310)의 상측에 설치될 수 있다.
상기 샤워헤드부(330)는 공정처리를 수행할 수 있도록 처리공간의 상측에 설치되어 가스공급부(미도시)로부터 가스를 공급받아 처리공간으로 공급하기 위한 구성으로서, 공정 및 가스공급방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
상기 트레이지지부(340)는 증착공정이 원활하게 수행될 수 있도록 트레이(20)를 지지하기 위한 구성으로서, 설계조건 및 공정조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
상기 트레이지지부(340)는 트레이(20)를 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 처리공정에 따라서 기판(10)을 가열하거나 냉각하는 등 온도조절을 위한 히터 등과 같은 온도조절부, 후술하는 전원인가를 위한 전극 등 다양한 구성들이 설치될 수 있다.
또한 상기 트레이지지부(340)는 트레이(20)를 상면에 안착하여 공정처리를 수행하거나 제3이송부(320)로부터 이격시키거나 또는 제3이송부(320)로 재안착시킬 수 있도록 면접촉에 의하여 지지할 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 트레이(20)의 저면과 간격을 두고 트레이(20)를 지지할 수 있다.
또한 상기 트레이지지부(340)는 하나 또는 복수 개로도 구성이 가능하다.
상기 공정모듈(300)은 공정처리를 수행하기 위해서는 공정모듈(300)에 전원이 인가되도록 구성될 수 있는데 이 경우 그 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서, 샤워헤드부(330)에 하나 이상의 RF전원, 하나 이상의 LF전원 등을 인가하여 상부전원을 구성하고, 트레이지지부(340)를 접지시킴으로써 하부전원을 구성할 수 있다.
한편 상기 공정모듈(300)은 반복된 공정처리 수행에 의하여 진공챔버(310)의 내벽에 퇴적된 퇴적물을 제거하는 등 세정을 위하여 세정공정이 수행될 수 있으며, 세정공정은 RPG 제너레이터(Remote Plasma Generator; 미도시)에 의하여 발생된 원격플라즈마를 샤워헤드부(330)을 통하여 처리공간으로 분사하여 수행될 수 있다.
상기 공정모듈(300)과 진공예비모듈(200)의 트레이(20) 교환을 위하여 공정모듈(300)에서 트레이(20)를 승하강할 필요성이 있고, 제3이송부(320)는 제1이송부(210)에 대응되는 위치와 제2이송부(220)에 대응되는 위치 사이에서 승하강이 가능하다.
또한 본 발명의 공정모듈(300)은 상기 제3이송부(320)를 상하방향으로 이동시키고 트레이(20)의 도입 또는 배출을 위한 구동력을 제공하는 구동모듈(321)과, 상기 구동모듈(321)과 독립적으로 동작되고 상기 트레이지지부(340)를 상하방향으로 이동시키는 승강구동부(341)을 포함한다.
상기 구동모듈(321)은 구동방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 외부에 설치되어 진공챔버(310)의 진공압에 영향을 주지 않으면서 내부의 트레이지지부(340)와 연결되거나, 진공챔버(310)의 내부에 설치될 수 있다.
상기 구동모듈(321)은 제3이송부(320) 자체를 상하로 이동시키기 위한 구성으로서 선형 이동장치인 스크류잭이나 유압실린더 등 다양한 구성이 가능하다.
또한 상기 구동모듈(321)은 제3이송부(320)를 상하 이동하기 위한 구성 뿐만 아니라 제3이송부(320)와 제1이송부(210) 및 제2이송부(220) 사이에서 트레이(20)를 수평방향으로 이송할 수 있도록 구동력을 제공하는 이송구동부(미도시)를 더 포함할 수 있다.
상기 구동모듈(321)은 제3이송부(320)를 수직방향으로 이동될 수 있도록 구동력을 제공하면서 동시에 트레이(20)를 수평방향으로 이동할 수 있도록 구동력을 제공하는 역할을 할 수 있도록 구성될 수 있다.
다만 상기 구동모듈(321)은 제3이송부(320)를 수직방향으로만 이동시키고, 트레이(20)를 수평방향으로 이동시키는 이송구동부가 구동모듈(321)과 별도로 구성될 수도 있음은 물론이다.
한편 본 발명의 기판처리장치는 상기 트레이지지부(340)를 제3이송부(320)와 독립적으로 상하이동 할 수 있도록 승강구동부(341)가 구비되는데, 상기 승강구동부(321)는 트레이(20)를 지지한 상태에서 상하로 이동시키기 위한 구성으로서 선형이동장치인 스크류잭, 유압실린더 등 다양한 구성이 가능하다.
여기서 상기 승강구동부(341)는 제3이송부(320)에 의해 트레이(20)가 공정모듈(300) 내로 도입되면 트레이(20)를 공정처리를 위한 높이로 위치시키고, 트레이(20)의 배출시에 트레이(20)를 제3이송부(320)에 재안착시키도록 구성될 수 있다.
상기 구동모듈(321)과 승강구동부(341)는 공정모듈(300)에서 트레이지지부(340)와 제3이송부(320)의 이송에 장애가 되지 않고, 공정처리 과정에 영향을 미치지 않는다면 그 배치 및 결합관계는 선택적으로 이루어질 수 있다.
또한 상기 구동모듈(321) 및/또는 승강구동부(341)는 제3이송부(320)나 트레이지지부(340)를 승하강시킬 수 있는 구성이라면 다양한 구성이 선택적으로 사용될 수 있다.
예를 들어 볼스크류축과 볼스크류너트로 이루어진 볼스크류장치에 의하여 승하강의 구동이 이루어질 수도 있는데 진공챔버(310)에서 볼스크류장치의 경우 마찰력에 의하여 파티클이 발생하여 오염의 원인이 될 수가 있다. 따라서 상기 구동모듈(321) 및/또는 승강구동부(341)는 상하방향을 따라 길게 설치되는 샤프트(참조번호 미표시)와, 상기 샤프트를 상하로 이동시키는 피스톤장치(참조번호 미표시)를 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 피스톤장치는 실린더와 피스톤으로 이루어지고 유압 또는 공압에 의하여 작동될 수 있다.
다만 상기 구동모듈(321)과 승강구동부(341)가 배치되는 공간이 공정처리가 이루어지는 공정챔버(310)와 격리되어있는 경우에는 볼스크류장치가 사용될 수도 있음은 물론이다.
이하 도 2a 내지 도 2c를 기초로 공정모듈(300) 내에서 기판(10)이 공정 처리되는 과정을 더욱 상세하게 설명하도록 한다.
본 발명의 기판처리방법은 진공예비모듈(200)의 제1이송부(210)로부터 공정모듈(300)의 제3이송부(320)로 트레이(20)가 이송되는 단계와, 트레이지지부(340)가 상승하여 상면에 트레이(20)를 안착시키는 단계와, 트레이(20)에 적재된 기판(10)이 공정 처리되는 단계와, 공정처리 완료 후 상기 트레이지지부(340)가 하강하여 트레이(20)를 상기 진공예비모듈(200)의 제2이송부(220)에 대응되는 위치로 하강된 상기 제3이송부(340)에 재안착시키는 단계와, 상기 제3이송부(340)로부터 상기 제2이송부(220)로 트레이(20)가 이송되는 단계를 포함한다.
우선 트레이(20)가 공정모듈(300) 내로 도입되기 위하여 제3이송부(320)는 제1이송부(210)에 대응되는 높이에 위치하고, 트레이(20)는 진공예비모듈(200)의 제1이송부(210)로부터 게이트(315)를 통하여 제3이송부(320)로 이송된다.
도 2a에 도시된 바와 같이 트레이(20)가 제3이송부(320)에 안착되면 공정처리를 위하여 트레이지지부(340)가 상승하여 상면에 트레이(20)를 안착시킨다.
상기 트레이(20)의 트레이지지부(340)에의 안착 과정에서 상기 제3이송부(320)는 이온의 분포와 유동을 고르게 하기 위하여 소정 간격 이격되는 것이 바람직하고, 이러한 개념에 따라 상기 제3이송부(320)는 공정모듈(300)로부터 공정처리가 완료된 기판이 적재된 트레이를 배출할 수 있도록 구동모듈(321)에 의하여 진공예비모듈(200)의 제2이송부(220)에 대응되는 위치로 하강할 수 있다.
다만 상기 제3이송부(320)는 공정처리 공정의 진행 전에 제1이송부(210)에 대응되는 위치를 유지하고, 트레이지지부(340)만이 상승하여 트레이(20)를 상면에 안착함으로써 제3이송부(320)로부터 트레이(20)를 소정 간격 이격시킬 수도 있다. 이 경우 공정처리가 완료된 이후에 제3이송부(320)가 제2이송부(220)에 대응되는 위치로 하강할 수 있다.
도 2b에서는 상기한 바와 같이 트레이지지부(340)가 상승하고 제3이송부(320)가 하강하여 공정 처리되는 상태를 나타내는 도면으로, 공정처리가 완료되면 트레이지지부(340)가 승강구동부(341)에 의해 하강하여 도 2c에 도시된 바와 같이 트레이(20)를 제3구동부(320)에 재안착시킨다.
상기 제3구동부(320)는 공정처리가 완료된 기판(10)이 적재된 트레이(20)를 게이트(316)를 통하여 진공예비모듈(200)의 제2이송부(220)로 이송시킨다.
상기와 같은 공정모듈(300)에서의 트레이(20)의 도입, 공정처리 및 배출이 완료되면, 상기 제3이송부(320)는 또 다른 트레이(20)를 도입하기 위하여 제1이송부(210)에 대응되는 위치로 상승할 수 있다.
한편 본 발명의 실시예에서 각 구성의 크기 및 디자인은 설명의 편의를 위하여 간단하거나 과장되게 도시한 것으로서, 당업자에 의하여 다양한 변경 및 실시가 가능함은 물론이다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
100...기판교환모듈 200...진공예비모듈
300...공정모듈
300...공정모듈
Claims (3)
- 공정처리가 수행될 하나 이상의 기판이 적재된 트레이를 외부로부터 전달받는 제1이송부와, 상기 제1이송부의 하측에 배치되며 공정처리가 완료된 기판이 적재된 트레이를 외부로 전달하는 제2이송부를 구비하는 진공예비모듈과;
상기 진공예비모듈의 제1이송부로부터 공정처리가 수행될 트레이가 도입되도록 상기 제1이송부에 대응되는 위치로 상승하고 상기 진공예비모듈의 제2이송부로 공정처리가 수행된 트레이가 배출되도록 상기 제2이송부의 위치에 대응되는 위치로 하강하는 제3이송부와, 상기 제1이송부에 대응되도록 위치된 제3이송부로부터 공정 처리되는 높이로 트레이를 상승시키고 상기 제2이송부에 대응되도록 위치된 제3이송부에 재안착되도록 트레이를 하강시키는 트레이지지부;를 포함하는 공정모듈;을 포함하며,
상기 제3이송부를 상하방향으로 이동시키는 구동모듈과, 상기 구동모듈과 독립적으로 동작되고 상기 트레이지지부를 상하방향으로 이동시키는 승강구동부를 구비하는 공정모듈을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템. - 삭제
- 청구항 제1항에 따른 기판처리시스템에서 수행되는 기판처리방법으로서,
진공예비모듈의 제1이송부로부터 공정모듈의 제3이송부로 트레이가 이송되는 단계와;
트레이지지부가 상승하여 상면에 트레이를 안착시키는 단계와;
트레이에 적재된 기판이 공정 처리되는 단계와;
공정처리 완료 후 상기 트레이지지부가 하강하여 트레이를 상기 진공예비모듈의 제2이송부에 대응되는 위치로 하강된 제3이송부에 안착시키는 단계와;
상기 제3이송부로부터 상기 제2이송부로 트레이가 이송되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110142031A KR101831312B1 (ko) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 기판처리시스템 및 기판처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130074141A KR20130074141A (ko) | 2013-07-04 |
KR101831312B1 true KR101831312B1 (ko) | 2018-02-23 |
Family
ID=48988311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110142031A KR101831312B1 (ko) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 기판처리시스템 및 기판처리방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101831312B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102260366B1 (ko) * | 2014-05-19 | 2021-06-03 | 주식회사 선익시스템 | 박막 증착 인라인 시스템 |
-
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130074141A (ko) | 2013-07-04 |
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