JP2021511666A - サセプタを駆動シャフトに接続するための装置 - Google Patents

サセプタを駆動シャフトに接続するための装置 Download PDF

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Abstract

本発明は、CVDリアクタのサセプタ(31)を駆動シャフト(40)に接続するための装置に関し、それを用いてサセプタ(31)を回転状態に設定することができる。駆動シャフト(40)は、ベースプレート(3)を担持し、その上に、サセプタ(31)を担持する担持プレート(2)が取り付けられている。調整レバー(16)を介して担持プレート(2)のベースプレート(3)に対する傾斜を調整することができる。担持プレート(2)は螺子(8)によりフランジ要素(4)と接続されている。螺子(8)と位置合わせされた挿入孔(10)が、プラグ(46)により閉鎖されている。

Description

本発明は、CVDリアクタのサセプタを駆動シャフトに取り付けるための装置であって、担持面を有しその上にサセプタの載置面を載置可能である担持プレートと、駆動シャフトに接続可能でありかつ担持プレートを位置調整可能に担持するベースプレートとを有する装置に関する。
本発明はさらに、リアクタハウジングと、サセプタと、サセプタキャリアに接続される駆動シャフトとを有するCVDリアクタに関する。
回転可能な駆動シャフトに取り付けられたサセプタと、駆動シャフトの位置調整のための手段とを有するCVDリアクタは、特許文献1に開示されている。
特許文献2からCVDリアクタが公知であり、そのリアクタハウジングにサセプタが配置されている。サセプタは、軸の周りで回転駆動されることができる複数の基板キャリアを担持する。サセプタは、サセプタキャリアによりシャフトの端面と接続される。シャフトに対してサセプタの位置を調整するための手段が提示されている。
従来技術ではさらに、特許文献3、特許文献4、特許文献5及び特許文献6が知られている。
一般的なタイプのCVDリアクタは、基板上にIII−V層を堆積するために、特に窒化ガリウム層を堆積するために用いられる。一般的なCVDリアクタのサセプタの直径は、30cm以上とすることができる。プロセスチャンバ天井とサセプタにより形成されたプロセスチャンバの床との間の距離は、10〜50mm、好ましくは30〜40mmとする。プロセスチャンバ内へのガス供給は、プロセスチャンバの中心に配置されたガス入口部材により行われ、それによりV族半導体の水素化物とIII族半導体の有機金属化合物が互いに別々にプロセスチャンバに供給される。工業生産においては、円形のプロセスチャンバの中心の周りでサセプタ上に配置された、1回のバッチで製造されるウェハは、一定の方法でコーティングする必要がある。コーティングは、プロセスチャンバ内に導入されたプロセスガスが特に基板の加熱された表面上で熱分解することにより行われる。堆積された層の横方向の均一性を達成するために、サセプタ表面とリアクタ天井の下面との可能な限り正確な平行位置が必要である。リアクタ天井は、サセプタを回転駆動する駆動シャフトの回転面内に延在することが好ましい。一般的なCVDリアクタのサセプタは、駆動シャフトにより担持されるサセプタキャリアの担持面上に載置される下向きの載置面を有する。通常、載置面は、製造公差のために、プロセスチャンバの床を形成するサセプタの上面に対して正確に平行に延在していない。サセプタキャリアは、駆動シャフトに対するサセプタの傾斜を調整可能とするための手段を有していなければならない。
米国特許出願公開第2008/0017117号明細書 米国特許第9,765,427号明細書 国際公開第2018/022577号明細書 米国特許出願公開第2003/0029384号明細書 米国特許第5,762,544号明細書 米国特許出願公開第2016/0138159号明細書
本発明の目的は、使用に有利な方法で一般的なサセプタキャリアをさらに改良することである。
この目的は、請求項に記載された発明によって達成され、従属請求項は、独立請求項1及び16の有利な展開を表すだけでなく、目的に対する独立した解決手段も表している。
最初にそして本質的に、サセプタキャリアが、駆動シャフトの軸に関して互いに軸方向に配置された3つの要素を有することが提示される。下部要素は、駆動シャフトに取り付けられている。この下部要素は、特に下部要素の平坦面上に位置する中間要素を担持する。中間要素はまた、サセプタが載置される担持面を構成する上部要素を担持する。少なくとも中間要素に対する上部要素の傾斜位置を調整できるための手段が設けられている。好ましくは、下部要素が、駆動シャフトに取付可能なフランジ要素である。しかしながら、駆動要素も駆動シャフトに取り付けることがきる。フランジ要素は、特に永続的に駆動シャフトに取り付けられる。ベースプレートを構成する中間要素と、中間要素に接続され担持プレートにより構成される上部要素とは、フランジ要素から取り外すことができ、かつフランジ要素に取り外し可能に接続することができる。
担持プレートは、調整要素を用いてCVDリアクタハウジングの外部でベースプレートに対して位置調整することができる。したがって、リアクタハウジングの外部で事前調整を行うことが可能であり、その際、例えば、ベースプレートがフランジ要素の支持面に位置するためのベースプレートの載置面に対して、担持プレートの担持面が平行位置となるようにされる。したがって、CVDリアクタからサセプタを交換するとき、第1のステップにおいて、ベースプレートに対する担持プレートの位置を事前調整することができる。担持プレートとベースプレートで構成される組立体は、プロセスチャンバ内でユニットとして使用することができ、その場合、ベースプレートの載置面は、フランジ要素の支持面に位置する。その後、サセプタを、その載置面により担持プレートの担持面に載置することができる。しかしながら、担持プレートとベースプレートからなる組立体を外部でサセプタと接続し、そのように構成された構成体をその後にCDVリアクタに持ち込み、担持要素の支持面に載置することも可能である。最終的な位置調整を行う前に、ベースプレートをフランジ要素と接続することができる。
このために、取付手段が設けられている。取り外し可能な取付手段が設けられる。取付手段は、複数の螺子を有することができ、それらの螺子は、ベースプレートの取付孔に挿入され、そしてフランジ要素の螺子孔に螺合する。その際、それらの取付螺子は、取付孔における直径が拡大されたセクションに位置する頭部を有する。したがって、取付孔は、特にベースプレート内では段付き孔である。取付孔及び螺子孔は、好ましくは、駆動シャフトの軸に平行に延在する。
担持プレートにおけるベースプレートとは反対側の端面は、中央領域を有することができ、特に担持面を与えられている。この中央領域に挿入孔を配置することができ、取付螺子を取付孔に挿入してフランジ要素の螺子孔に螺合させるべきときに、その挿入孔を通して取付螺子を挿通させることができる。取付孔における直径を拡大したセクションは、好ましくは、螺子頭部が完全にそこに受容されるような軸方向の長さを有する。
フランジ要素の支持面に載置されるベースプレートの載置面に対する担持面の傾斜を調整するための手段は、好ましくは、中央領域からアクセス可能である。傾斜を調整するための手段は、好ましくは、駆動シャフトの方向に作用する工具を用いて操作することができる。
傾斜調整のための手段は、螺子を有することができ、その螺子工具係合開口には、中央領域からアクセス可能である。これらの螺子は、駆動シャフトの軸に平行に延在することが好ましい。それらはグラブ螺子とすることができる。より精細に位置調整を行えるようにレバートランスミッションを設けることができる。静的な過大決定を回避するために、120度の角度間隔で配置された3つの傾斜調整手段が設けられ、それらの手段は、特に、径方向に延在するレバーを有する。それらのレバーは、好ましくはベースプレート上で支持される調整レバーを形成する。短い方のレバーアームは、径方向外向きとすることができる。長い方のレバーアームは、径方向内向きとすることができる。短いレバーアームは、担持プレートの下面の径方向外側領域に係合する。長いレバーアームに対して、好ましくは調整螺子が作用し、調整螺子は、特にグラブ螺子から形成され、かつ中央領域の螺子孔に螺合している。好ましくは、長いレバーアームに対して作用する調整螺子は、端面が丸められた軸部を有し、その端面が長いレバーアームの窪みに位置する。
本発明のさらなる展開において、担持プレートがベースプレートの方向に力を受けることが提示される。このために、好ましくは張力要素が用いられる。張力要素は、螺子とすることができ、それらの螺子は、ベースプレートの支持凹部内で軸方向に移動可能である。好ましくはバネ要素及び特に好ましくは圧縮バネ要素が設けられ、それは、スライドブロックと支持凹部のベース面との間に配置されている。好ましくは、ベースプレート又は担持プレートの中心の周りに等角度分布で配置された3つの張力要素が設けられる。
フランジ要素は、適切な取付手段によって特に駆動シャフトの端部に接続することができる。好ましくは、フランジ要素は、クランプ要素によって駆動シャフトに接続することができる。クランプ要素は、駆動シャフトの外被面に係合することができる。2つのクランプ顎を設けることができ、それらは、例えばクランプ螺子であるクランプ要素により互いに対して変位可能である。クランプ位置において、クランプ顎は、駆動シャフトと共に締め付けられる。径方向に延在する螺子、特にグラブ螺子が設けられ、それらは、駆動シャフトの外被面に対して移動可能なクランプ螺子の機能を果たす。クランプ螺子は、特に径方向において調整可能である。
本発明のさらなる発展において、サセプタが複数の基板キャリアの担持体であることが提示される。各基板キャリアは、1又は複数の基板を担持し、そしてサセプタのポケット内に位置している。ポケットの床面には、ガス配管が開口しており、それを通ってキャリアガスをポケット内に供給することができる。キャリアガスは、ガスベアリングを形成し、その上に基板キャリアが回転可能な態様で載置される。ポケットの床面のガス出口ノズルは、そこから出るガスが基板キャリアを回転させるような向きを有している。
ガス配管は、サセプタの中心開口部からポケットの床面上のガス出口開口まで径方向に延在する。不活性ガスは、担持プレートを通って供給される。このために担持プレートは、径方向に延在して担持面に開口するガスチャネルを有する。しかしながらそれに替えて、ガスチャネルが担持プレートの円筒形外壁に開口することも可能である。それらは、サセプタのフローチャネルと位置合わせされており、それによりガスがポケットへ搬送される。担持プレート内のガスチャネルは、担持プレートの下面に位置するガス入口開口を有する。特に、担持プレートの下面上には軸方向端面を形成する延長部があり、その中にガスチャネルが開口することが提示される。一平面内に位置するガス入口開口が形成され、それらを通って不活性ガスがガスチャネルに供給され、そして続いてフローチャネルに供給されることができる。ガス入口開口が位置する平面は、好ましくは、キャビティのベース面である。
ガスチャネルのガス入口開口と位置合わせされたガス通路孔を有する密閉部材が提供される。密閉部材は、ガス入口開口が位置する平面と駆動シャフトの端面との間に位置し、軸方向の孔を有しており、駆動シャフトの端面を通ってガスが密閉部材のガス通路孔に流れ、そして続いてガスチャネルに流れることができる。密閉部材は、フレキシブルな材料から作製される。
担持プレートの下面により形成される延長部は、ベースプレートの中心開口部に係合する。担持プレートの下面は、ベースプレートの上面から間隙により離間している。担持プレートの下面の外縁は、調整レバーの短いレバーアームの上向きの延長部の上に載置される。担持プレートの上面は、円形輪郭線に沿う外縁に沿って環状ウェブを有する。この環状ウェブは、サセプタの下面の環状凹部に係合することができる。
好ましくは方向決め要素、例えば方向ピンが設けられ、それは、担持プレートの上面に割り当てられて、対向する方向決め要素、例えばサセプタの下面の方向決め孔と対応する。これにより、サセプタを1つの回転位置のみにおいてサセプタキャリアに割り当てできることを確保する。
フランジ要素、ベースプレート、及び担持プレートは、好ましくは金属で作製される。それらはステンレス鋼で作製できる。しかしながら、それらは、別の金属からなることもできコーティングされることもできる。密閉部材は、好ましくはゴムから作製され、よってそれはゴムシールである。それは、フランジ機構を、そして担持プレートも、ベースプレートに対して、又は駆動シャフト若しくはフランジ要素が取り付けられたシャフトに対して、ゴムシールを劣化させることなく何度でも調整可能とする程度の弾性を有する。ゴムシールは、気密性があるように、担持プレートと、ベースプレート又はフランジ要素又はシャフト若しくは駆動シャフトとの間に把持される。シャフト若しくは駆動シャフトは、上向きに開口することができる。しかしながら、駆動シャフト若しくはシャフトが端面で閉鎖されていることも可能である。その場合、端面を閉鎖する閉鎖プレートが開口を有し、それらが担持プレートのガスチャネルのガス入口開口と位置合わせされている。しかしながら、フレキシブルな密閉部材に替えて、例えば復元力を呈することができるポリマー密閉部材、例えばグラファイト密閉部材のような可塑的に変形可能な密閉部材も用いることができる。
目的を解決するために、特に、CVDリアクタのサセプタを駆動シャフトに取り付けるための一般的な装置が、担持面を有しその上にサセプタの載置面を載置可能である担持プレートと、駆動シャフトと接続可能でありかつ担持プレートがそれにより位置調整可能に担持されるベースプレートとを有し、少なくとも1つの調整レバーが設けられ、それは支持点に装着され、その支持点から始まる長いレバーアームと短いレバーアームとを有し、その場合、長いレバーアームに調整要素、例えば調整螺子が係合し、それによりベースプレートと担持プレートとの間の間隙は、その間隙の大きさを調整可能であり、その場合、支持点が、担持プレート又はベースプレートのいずれかに割り当てられ、そして短いレバーアームがもう一方のプレートに係合し、そのもう一方のプレート上にも好ましくは調整要素が取り付けられていることが提示される。
本発明はさらに、CVDリアクタのサセプタを駆動シャフトに取り付けるための装置に関し、螺子によって駆動シャフトと接続可能なベースプレートと、ベースプレートから間隙により離間されサセプタを担持しベースプレートに対して位置変更可能な担持プレートとを有し、その場合、担持プレートは、螺子の挿通のためにベースプレートの取付孔と位置合わせされた挿入孔を有する。
この種の装置は、サセプタを特に、管状の担持要素を介在させることによって担持することができる。その場合、担持要素は、担持プレートの中央領域の床面に載置される。ガスチャネルが通過することができる管状の担持要素の上に、サセプタに割り当てられ環状のサセプタプレートを担持する担持部品を載置することができる。環状のサセプタプレートの縁領域上に引張部品の縁領域を載置することができ、その引張部品は、特に引張棒である引張要素により駆動軸又はテンションユニットに接続されている。管状の担持要素は、中空空間を形成し、その中空空間は、加熱装置があるサセプタの下方の空間と挿入孔及び間隙を介して接続されている。
担持プレートの上方の空間と、サセプタの下方の空間との間の流体的連通を阻止することを目的とする。
この目的は、請求項18に特定された特徴によって達成され、挿入孔を閉鎖する閉鎖手段が設けられる。挿入孔は、好ましくは、閉鎖手段によって取り外し可能に閉鎖される。
本発明の第1の変形形態では、プラグが、1又は複数の挿入孔の各々に挿入され、挿入孔を密封し閉鎖することが提供される。プラグは、挿入孔の円筒内面に対して密封して位置する円筒胴体形状の密閉面を有することができる。しかしながら、プラグの胴体壁と挿入孔の内壁との間に、例えばOリングのような密閉要素が配置されることも提供することができる。しかしながら、プラグの胴壁が外螺子を有し、それが挿入孔の壁の内螺子に螺合されるか、又は、それがセルフタッピングする螺子であることもできる。さらに、プラグはまた、挿入孔の直径よりも大きい直径の頭部を有することができ、それによってプラグは、担持プレートの中央領域の床面に頭部により載置されることができる。本発明の変形形態では、管状の形状を有する担持要素が、その担持要素の下面が挿入孔を完全に閉鎖するような壁厚を有する。その際、担持要素の下面が、密閉面を形成する。担持プレートを通って延在するガスチャネルは、それぞれ軸方向の1つのガスチャネルに開口し、そのガスチャネルは、サセプタ又は担持部品のガスチャネルに開口するために担持要素を通って延在している。担持要素は、特に担持プレートに取外し可能に接続されている。ベースプレートを駆動シャフトに接続する螺子は、駆動シャフトに取り付けられたフランジ要素の内螺子に螺合することができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図1は、サセプタキャリア1の斜視図である。 図2は、図1に示したサセプタキャリアの図である。 図3は、図2のラインIII−IIIによる断面である。 図3aは、図3の断面斜視図である。 図4は、サセプタキャリア1の分解斜視図である。 図5は、第1の展開図である。 図6は、第2の展開図である。 図7は、サセプタキャリア1が駆動シャフト40をサセプタ31に接続する、リアクタハウジング30を通る断面の概観を示す。 図8は、図7のVIII−VIIIの詳細図である。 図9は、図7のラインIX−IXによる断面である。 図10は、図7のラインX−Xによる断面である。 図11は、本発明の第2の実施形態を、CVDリアクタのサセプタキャリア装置を通る断面で示す。 図12は、第3の実施形態の図11と同じ図を示す。 図13は、第4の実施形態の図11と同じ図を示す。
本発明によるCVDリアクタは、リアクタハウジング30を有し、それはリアクタハウジング30の内部に配置されたプロセスチャンバを外部に対して密封し閉鎖している。プロセスガスをプロセスチャンバ内に供給することができるガス入口部材37が設けられている。ガス出口39により、排気ガスがプロセスチャンバから出ることができる。ガス出口39に接続されたポンプを用いてプロセスチャンバを排気できる。
リアクタハウジング30の内部には、不活性ガスが通って流れることができる中空の駆動シャフト40が突き出ている。駆動シャフト40の上端には、サセプタ31を担持するサセプタキャリア1がある。サセプタ31は、中心開口部を有し、グラファイト、特にコーティングされたグラファイト、又は金属からなり、中心開口部から径方向に延在するフローチャネル35と、サセプタ31の中心の周りに配置された1又は複数の基板キャリア36とを有する。基板キャリア36は、ポケットの底面とすることができる支持面に載置される。支持面においてフローチャネル35が開口することによって、フローチャネル35から流出する不活性ガスが、一方ではガスクッションを形成してその上に基板キャリア36が載置され、そして他方では基板キャリア36を回転させる。サセプタ31は、駆動シャフト40の回転により回転させられる。
ガス入口部材37は、互いに異なるプロセスガスをプロセスチャンバに供給するために複数のガス入口チャネルを有し、それらは、サセプタ31の上面と天井プレート38の下面との間に延在している。天井プレート38の下面とサセプタ31の上面との間のプロセスチャンバ高さaは、20〜50mm、好ましくは30〜40mm、例示的実施形態では、32〜35mmである。天井プレート38の直径及びサセプタ31の直径は、30cmよりも大きい。
サセプタキャリア1は、駆動シャフト40の軸に対するサセプタ31の傾斜を調整することができる手段を有することによって、プロセスチャンバ高さaをサセプタ31の全周に亘って一定とすることができる。
サセプタキャリア1は、駆動シャフト40の上向きの端部に接続することができるフランジ要素4を有する。フランジ要素4は、リングを分断する径方向のスリット26を有する環状体である。スロットにより形成されたフランジ要素4のリングの2つの互いに向かい合う半部はクランプ顎41を形成し、それらは、クランプ螺子25により互いに向かって変位することができ、その場合、間隙26が狭くなる。さらに、フランジ要素4の螺子孔に径方向に螺合することができる別のクランプ螺子28が設けられる。それらの螺子孔は、2つのクランプ顎41に割り当てられている。クランプ螺子28の先端は、駆動シャフト40の外被面で支持されることができる。しかしながら、丸みのあるクランプ顎41が、駆動シャフト40の外被面に対し平坦に配置されかつクランプ螺子25を用いてクランプ嵌合で保持されることもまた提供される。そのとき、クランプ螺子28は、実質的に軸方向の固定に用いられる。
フランジ要素4の上向きの面は、支持面4’を形成し、それは駆動シャフト40の回転面に正確に位置することが好ましい。支持面4’から3つの螺子孔7が延在し、その中に取付螺子8を螺合することができる。
ベースプレート3は、平坦に支持面4’上に載置することができる載置面3”を有する。ベースプレート3は、取付螺子8を用いてフランジ要素4に接続することができる。このために、ベースプレート3は、駆動シャフト40の軸方向に延在する取付孔9を有し、それらは、直径を拡大された上部セクション9’を有する。螺子8の軸が取付孔9を貫通することによって、螺子8の頭部8’が完全に取付孔9の上部セクション9’に位置する。
ベースプレート3は中心開口部を有し、それを通って駆動シャフト40の上部セクションが突出することができる。駆動シャフト40が下方からベースプレートの中心開口部に突出する一方、担持プレート2の延長部42が上方から中央開口部に突出する。延長部42は、下向きに開いたキャビティ43を形成し、そのベース面に密閉部材21が載置される。密閉部材21のもう一方の面は、駆動シャフト40の端面により作用を受ける。駆動シャフト40は、その軸方向に延在する複数のフローチャネル45を有する。
担持プレート2に対しベースプレート3の方向に力を及ぼす張力要素11が提供される。特に、担持プレート2又はベースプレート3の中心の周りに周方向に均一に分布して配置された3つの張力要素11が設けられる。張力要素11によって、密閉部材21に作用する力が生じる。
密閉部材21は、複数のガス通路孔22を有し、それらは、担持プレート2の内部に延在するガスチャネル23のガス入口開口と位置合わせされている。これらのガス入口開口は、ガスチャネル23を介してガス出口開口24に接続している。ガスチャネル23は、軸方向に延在する第1のセクションを有し、それは径方向に延在する第2のセクションに開口する。第2のセクションは、担持プレート2の円筒形外壁に対してプラグにより閉鎖されている。第2のセクションは、3つのセクションで開口し、それらは軸方向に延在してガス出口開口24を形成する。それらのガス出口開口24は、担持プレート2の端面に位置し、それらを通って不活性ガスがサセプタ31のフローチャネル35に流入することができる。フローチャネル45がガス通路孔22と位置合わせされることによって、フローチャネル45によりガスを担持プレート2内に供給することができる。
張力要素11は螺子により形成され、その螺子は、担持プレート2の孔12に挿入され、ベースプレート3の孔13を貫通し、孔13に隣接する支持凹部13’で終端する。螺子の端部は、非円形のスライドブロック14内に螺合される。スライドブロック14は、支持凹部13’内で軸方向に移動可能である。支持凹部13’はベース面を有し、その上でバネ要素15が支持されている。バネ要素15は、もう一方では、スライドブロック14により作用を受ける。例示的実施形態では、バネ要素15は圧縮バネ要素により形成される。それは互いに上下に重ねられた皿ばねである。
担持プレート2の下面2’とベースプレート3の上面3’との間の間隙空間には、各々調整レバー16の形態の調整要素が延在している。調整レバー16は、支持凹部20の床面に取り付けられる下向きのレバーセクション16’を有する。3つの支持凹部20が設けられており、各々が、上面3’の半径方向の切り込みにより形成されている。支持凹部20は、径方向に延在する断面矩形の溝である。
調整レバー16は、径方向外向きの短いレバーアーム17を有し、その上向きの延長部が下面2’の縁に係合する。径方向内向きの長いレバーアーム18には、調整螺子19が係合する。調整螺子19は、担持プレート2の中央領域6の螺子孔に螺合するグラブ螺子である。中央領域6は、下面2’の反対側に位置する担持面5により囲まれている。担持面5も、環状ウェブ34により囲まれている。担持面5にサセプタ31の載置面32が載置される。担持面5の穴内に、サセプタ31を回転位置に配向させるための配向ピン33が挿入されている。ガス出口開口24は、担持面5内に位置し、サセプタ31を通って延在するフローチャネル35のガス入口開口と位置合わせされている。サセプタ31は、図面では幾つかの部材で示されている。しかしながら、一体成形することもできる。
中央領域の中心には、密閉部材21の孔と位置合わせされたチャネル開口がある。
ベースプレート3に対する担持プレート2の傾斜を調整するための調整手段19は、適切な工具、例えばねじ回し工具によって調整することができる。それらは、特に、サセプタ31の中心開口部を介してアクセス可能である。
例えば、洗浄又は交換のためにリアクタハウジング30から取り外されたサセプタを再び装着するとき、先ず、サセプタキャリア1をCVDリアクタハウジング30の外部で事前調整することができる。その場合、ベースプレート3の下面が、担持面5に対して平行な位置とされる。次に、担持プレート2及びベースプレート3からなる組立体をリアクタハウジング30内に挿入することができる。その際、載置面3”が、フランジ要素4の支持面4’上に載置される。好ましくは、支持面4’が、駆動シャフト40の回転面内に正確に延在することによって、事前調整された担持面5も同様に、駆動シャフト40の回転面内に位置する。ベースプレート3のフランジ要素4への取付けは、中央領域6からアクセス可能である螺子8をフランジ要素4の螺子孔7に螺合することにより行われる。その際、取付螺子8の割り当ては、担持プレート2の挿入孔10を通して行われ、挿入孔10は、ベースプレート3の取付孔9及びフランジ要素4の螺子孔7と位置合わせされている。
調整手段16、17、18、19を用いて、担持面5の傾斜を、ベースプレート3の幾何学的軸に対するあらゆる方向において調整できることが有利であると考えられる。張力要素11によって、担持プレート2の縁が調整レバー16の短いアーム17に対して掛ける力を生じる。
微調整は、サセプタ31を担持プレート2に載置した後に行われる。その際、サセプタ31の下向きの載置面32が、担持面5に載置される。サセプタ31の中心開口部を通して、適切な調整ツールを用いて調整要素、特に調整螺子19を変更することができ、それによってサセプタ31の傾斜が変化することによって、その上面が回転面内に位置し、そして特に、プロセスチャンバ天井8の下面に対して平行となる。
図11、図12及び図13には、本発明の第2の態様が示されている。駆動シャフト40は、ベースプレート3と接続されている。ベースプレート3は、担持プレート2を担持しており、その場合、ベースプレート3に対して担持プレート2を調整するための既に説明した方策が施されている。このために、調整手段が設けられ、それによりベースプレート3に対する担持プレート2の傾斜を調整可能である。
図1〜図8を参照して既に説明したように、ベースプレート3に対して担持プレート2は、間隙53により離間している。この間隙53は、水平面内に延在し、かつ担持プレート2を囲みかつサセプタ31の下方に延在する空間に開口する環状間隙54に開口している。この空間には、サセプタ31のサセプタプレートを加熱する加熱要素51があり、それは環状に形成され、担持部品49上で支持されている。
担持部品49も、担持プレート2の床面6’上に載置される管状の担持要素47によって担持されている。担持要素47は、図11及び図13に示される例示的実施形態では、管状の中空空間を形成し、その中に挿入孔10が開口しており、挿入孔10は間隙53と流体的に連通していることによって、中心の中空空間はサセプタの下方空間と流体的に連通している。
引張要素50に張力を及ぼすために、サセプタプレートの環状縁の上に引張部品48の環状縁が載置されており、引張部品48は、引張要素50を介して駆動シャフト40又は駆動シャフト40の下方に配置された引張手段に接続されている。引張部品48は、例示的実施形態では、テンションプレートにより形成されている。
図11に示されるプラグ46を用いて、取付螺子8が挿入される取付孔9と位置合わせされた挿入孔10が閉鎖され、サセプタ31の中心開口部と下方空間との間の流体的連通が閉鎖される。組立て中、取付螺子8は、挿入孔10を貫通して取付孔9内に挿入されることができる。そのとき、取付螺子8の螺子付き部分は、駆動シャフト40に取り付けられたフランジ要素4の螺子孔7に螺合する。図示の閉鎖手段は、取り外し可能に挿入孔10を閉鎖する。
プラグ46は、挿入孔10に係合する円筒形密閉領域を有する。密閉領域は、弾性的接触圧をもって円筒形の挿入孔10の壁上に位置する。プラグ46の頭部は、径方向に密閉面を超えて突出する領域を有し、その領域は、プラグ46を取付孔9の軸方向において保持するために床面6’上に載置されることができる。
図13に示された例示的実施形態は、図11に示された例示的実施形態とは、密閉手段がOリング52である点で実質的に異なる。Oリング52は、プラグ46の円筒外面の環状溝に嵌め込まれている。圧縮されたOリング52は、挿入孔10の壁上で密閉態様で支持されることができる。
図12に示された例示的実施形態では、管状の担持要素47が、担持要素47の下面が挿入孔10を完全に閉鎖する密閉面47’を形成するような壁の厚さを有する。引張要素50が延在している、引張部品48の下方の中心開口部の径方向長さ、すなわちその直径は、図12に示した例示的実施形態では、図11及び図13に示した例示的実施形態におけるよりも小さい。
さらに、図示しない実施形態においては、プラグが別の設計を有することもできる。例えば、プラグが、挿入孔10の壁の内螺子に螺合する外螺子を有することができる。それは、セルフシール螺子とすることができる。しかしながらそれに替えて、プラグがセルフタッピング螺子を有することもでき、プラグ46をねじ込むとき、それは挿入孔10の滑らかな壁内に噛み込む。さらに、頭部の拡大した直径の縁部が、密閉面を形成することもできる。
上記の説明は、全体として本願よって包含される発明を説明するためのものである。これは、少なくとも以下の特徴の組合せによって、独立して従来技術をさらに発展させ、これらの特徴の2つ以上、又は全ての組合せも組み合わせることが可能である。すなわち:
ベースプレート3が、駆動シャフト40により担持されかつ/又は駆動シャフト40に取付可能なフランジ要素4の上に、取り外し可能な取付手段7,8,9により取付けられているか又は取付可能であることを特徴とする装置。
取付手段7,8,9が複数の螺子8を有し、それらの螺子8が、ベースプレート3の取付孔9に挿入され、かつフランジ要素4の螺子孔7に螺合されることを特徴とする装置。
取付螺子8が頭部8’を有し、それらの頭部8’が、挿入孔9の直径を拡大されたセクション9’に位置することを特徴とする装置。
担持プレート2におけるベースプレート3とは反対側に向いた端面が中央領域6を有し、その中央領域6内に、取付螺子8を挿通するための挿入孔10が配置されていることを特徴とする装置。
担持面5が、中央領域6を囲んでいることを特徴とする装置。
ベースプレート3の載置面3”に対する担持面5の傾斜を調整するための調整手段16,17,18,19が、フランジ要素の支持面4’上に載置されているか、かつ/又は載置可能であることを特徴とする装置。
フランジ要素4が、駆動シャフト40の外被面に取り付けられるためのクランプ要素25、28、41を有することを特徴とする装置。
フランジ要素4が、クランプ要素25により互いに対して変位可能である2つのクランプ顎41を有することを特徴とする装置。
フランジ要素4が、1又は複数のクランプ螺子28を有し、それらのクランプ螺子28が、径方向において駆動シャフト4の外被面に対して移動可能であることを特徴とする装置。
調整手段が調整レバー16であり、それらの調整レバー16が、ベースプレート3上に載置され、かつ、短いレバーアーム17により担持プレート2の下面2’に係合すると共に長いレバーアーム18を有し、その長いレバーアーム18に対して中央領域6の螺子孔に螺合する調整螺子19が作用することを特徴とする装置。
担持プレート2に対しベースプレート3の方向に力を及ぼす張力要素11,14,15を特徴とする装置。
担持プレート2内に配置されたガスチャネル23が、担持プレート2の下面2’に割り当てられたガス入口開口をガス出口開口24と互いに接続することを特徴とする装置。
担持プレート2の下面2’のキャビティ43に割り当てられた延長部42に挿入されたフレキシブルな密閉部材21が、ガス入口開口と位置合わせされたガス通路孔22を有しかつ駆動シャフト40の端面上に配置可能であることを特徴とする装置。
担持面5を囲んでいる環状ウェブ34を特徴とする装置。
担持面5の領域に配置された、特に方向ピンの形態の位置調整要素33を特徴とする装置。
サセプタ31が、請求項1〜15のいずれかによる装置により駆動シャフト40と接続され、その場合、サセプタ31が中心開口部を有し、その中心開口部は、載置面32により囲まれ、かつその直径がほぼ中央領域6の直径に対応することを特徴とするCVDリアクタ。
駆動シャフト40の軸方向において3つの互いに上下に配置された要素によってCVDリアクタのサセプタ31を駆動シャフト40に取り付け、その場合、下部要素が駆動シャフト40と接続されかつ中間要素を担持すると共に、中間要素が下部要素と上部要素との間に配置され、その場合、上部要素が、中間要素に対して位置調整可能でありかつサセプタ31を取り付けるための手段を有することを特徴とする装置。
少なくとも1つの閉鎖手段46、47’により挿入孔10が閉鎖されることを特徴とする装置。
閉鎖手段が、挿入孔10に係合して密封するプラグ46により構成されているか、又は、閉鎖手段が、サセプタ31を担持しかつ担持プレート2上に載置された担持要素47により構成されている密閉面47’であることを特徴とする装置。
開示された全ての特徴は、(それ自体のために、また互いに組み合わされて)本発明に不可欠である。ここでの出願の開示は、関連する/追加された優先権書類(先の出願の写し)の開示内容をその内容全体に含み、それはこれらの書類の特徴を本願の請求項に組み込む目的でもある。従属請求項は、特にこれらの請求項に基づいて分割出願を行うために、引用される請求項の特徴がなくても、先行技術の独立した発明性のあるさらなる発展を特徴とする。各請求項で特定された発明は、前述の説明で特定された、特に参照符号が付与された、及び/又は符号の説明で特定された、1つ以上の機能を追加で有することができる。本発明はまた、特に、それらがそれぞれの使用目的に明らかに不要であるか、または技術的に同じ効果を有する他の手段で置き換えることができる限り、前述の説明で述べた特徴の個々のものが実装されない設計形態に関する。
1 サセプタ
2 担持プレート
2’ 上面
3 ベースプレート
3’ 上面
3” 載置面
4 フランジ要素
4’ 支持面
5 担持面
6 中央領域
6’ 床面
7 螺子孔
8 螺子
8’頭部
9 取付孔
9’セクション
10 挿入孔
11 張力要素
12 孔
13 孔
13’ 支持凹部
14 スライドブロック
15 バネ要素
16 調整レバー
16’ ベアリングセクション
17 レバーアーム
18 レバーアーム
19 調整螺子
20 支持凹部
21 密閉部材
22 ガス通路孔
23 ガスチャネル
24 ガス出口開口
25 クランプ要素
26 間隙
27 螺子孔
28 クランプ要素、クランプ螺子
29 キャビティ
30 リアクタハウジング
31 サセプタ
32 載置面
33 配向ピン
34 環状ウェブ
35 フローチャネル
36 基板キャリア
37 ガス入口部材
38 天井プレート
39 ガス出口
40 駆動シャフト
41 クランプ顎
42 延長部
43 キャビティ
44 クランプリング
45 フローチャネル
46 プラグ
47 担持要素
47’ 密閉面
48 引張部品
49 担持部品
50 引張要素
51 加熱要素
52 Oリング
53 間隙
54 間隙

従来技術ではさらに、特許文献3、特許文献4、特許文献5特許文献6、特許文献7、及び特許文献8が知られている。
米国特許出願公開第2008/0017117号明細書 米国特許第9,765,427号明細書 国際公開第2018/022577号明細書 米国特許出願公開第2003/0029384号明細書 米国特許第5,762,544号明細書 米国特許出願公開第2016/0138159号明細書 独国特許出願公開第10 2005 056 324号明細書 米国特許出願公開第2016/091014号明細書

Claims (20)

  1. CVDリアクタのサセプタ(31)を駆動シャフトに取り付けるための装置であって、前記サセプタ(31)の載置面(32)を載置可能である担持面(5)をもつ担持プレート(2)と、前記駆動シャフト(40)に接続可能でありかつ前記担持プレート(2)を位置調整可能に担持するベースプレート(3)と、を有する、前記装置において、
    前記ベースプレート(3)が、前記駆動シャフト(40)により担持されかつ/又は前記駆動シャフト(40)に取付可能なフランジ要素(4)の上に、取り外し可能な取付手段(7,8,9)を用いて取付けられているか又は取付可能であることを特徴とする装置。
  2. 前記取付手段(7,8,9)が複数の螺子(8)を有し、それらの螺子(8)が、前記ベースプレート(3)の取付孔(9)に挿入され、かつ前記フランジ要素(4)の螺子孔(7)に螺合することを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 前記取付螺子(8)が頭部(8’)を有し、それらの頭部(8’)は、取付孔(9)の直径を拡大されたセクション(9’)に位置することを特徴とする請求項2に記載の装置。
  4. 前記担持プレート(2)における前記ベースプレート(4)とは反対側に向いた端面が中央領域(6)を有し、その中央領域(6)内に、挿入孔(10)が、前記取付螺子(8)を挿通するために配置されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の装置。
  5. 前記担持面(5)が、前記中央領域(6)を囲んでいることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の装置。
  6. 前記ベースプレート(3)の載置面(3”)に対する前記担持面(5)の傾斜を調整するための調整手段(16,17,18,19)が、前記フランジ要素の支持面(4’)上に載置されるか、かつ/又は載置可能であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の装置。
  7. 前記フランジ要素(4)が、前記駆動シャフト(40)の外被面に取り付けられるためのクランプ要素(25,28,41)を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の装置。
  8. 前記フランジ要素(4)が、クランプ要素(25)により互いに対して変位可能である2つのクランプ顎(41)を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の装置。
  9. 前記フランジ要素(4)が、1又は複数のクランプ螺子(28)を有し、それらのクランプ螺子(28)が、径方向において前記駆動シャフト(4)の外被面に対して移動可能であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の装置。
  10. 前記調整手段が調整レバー(16)であり、それらの調整レバー(16)が、前記ベースプレート(3)上に載置され、かつ、短いレバーアーム(18)により前記担持プレート(2)の下面(2’)に係合すると共に長いレバーアーム(18)を有し、その長いレバーアーム(18)に対して前記中央領域(6)の螺子孔に螺合する調整螺子(19)が作用することを特徴とする請求項6〜9のいずれかに記載の装置。
  11. 前記担持プレート(2)に対し前記ベースプレート(3)の方向に力を及ぼす張力要素(11、14、15)を特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の装置。
  12. 前記担持プレート(2)内にガスチャネル(32)が配置されており、そのガスチャネル(32)が、前記担持プレート(2)の下面(2”)に割り当てられたガス入口開口をガス出口開口(24)と互いに接続することを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の装置。
  13. 前記担持プレート(2)の下面(2’)のキャビティ(43)に割り当てられた延長部(42)に挿入されたフレキシブルな密閉部材(21)が、ガス入口開口と位置合わせされたガス通路孔(22)を有しかつ前記駆動シャフト(40)の端面上に配置可能であることを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の装置。
  14. 前記担持面(5)を囲んでいる環状ウェブ(34)を特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の装置。
  15. 前記担持面(5)の領域に配置された、特に方向ピンの形態の位置調整要素(33)を特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の装置。
  16. リアクタハウジング(30)と、サセプタ(31)と、前記サセプタ(31)を担持しかつ回転駆動可能な駆動シャフト(40)と、を有するCVDリアクタにおいて、
    前記サセプタ(31)が、請求項1〜15のいずれかによる装置により前記駆動シャフト(40)と接続され、前記サセプタ(31)が中心開口部を有し、その中心開口部は、載置面(32)により囲まれ、かつその直径がほぼ前記中央領域(6)の直径に対応することを特徴とするCVDリアクタ。
  17. CVDリアクタのサセプタ(31)を駆動シャフト(40)に取り付けるための装置であって、前記駆動シャフト(40)の軸方向において3つの互いに上下に配置された要素を有し、その場合、下部要素が前記駆動シャフト(40)と接続されかつ中間要素を担持するると共に、前記中間要素が前記下部要素と上部要素との間に配置され、その場合、前記上部要素が、中間要素に対して位置調整可能でありかつ前記サセプタ(31)を取り付けるための手段を有する、装置。
  18. CVDリアクタのサセプタ(31)を駆動シャフト(40)に取り付けるための装置であって、前記駆動シャフト(40)と螺子(8)を介して接続可能なベースプレート(3)と、前記ベースプレート(3)から間隙(53)だけ離間しており前記サセプタ(31)を担持しかつ前記ベースプレート(3)に対して位置変化可能である担持プレート(2)とを有し、その場合、前記担持プレート(2)が、前記螺子(8)を挿入するために前記ベースプレート(3)の取付孔(9)と位置合わせされた挿入孔(10)を有する、前記装置において、
    少なくとも1つの閉鎖手段(46,47’)を有し、それにより前記挿入孔(10)が閉鎖されることを特徴とする特徴とする装置。
  19. 前記閉鎖手段が、前記挿入孔(10)に係合して密封するプラグ(46)により構成されているか、又は、前記閉鎖手段が、前記サセプタ(31)を担持しかつ前記担持プレート(2)上に載置された担持要素(47)により構成されている密閉面(47’)であることを特徴とする請求項18に記載の装置。
  20. 前出請求項のいずれかの1又は複数の特徴的な特徴を特徴とする装置又はCVDリアクタ。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202018100363U1 (de) 2018-01-23 2019-04-24 Aixtron Se Vorrichtung zum Verbinden eines Suszeptors mit einer Antriebswelle
DE102019116460A1 (de) * 2019-06-18 2020-12-24 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen und Einstellen der Neigungslage eines Suszeptors
JP7504000B2 (ja) * 2020-10-28 2024-06-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
USD980813S1 (en) * 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) * 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) * 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
CN113731685B (zh) * 2021-09-26 2022-04-19 山东省建设建工(集团)有限责任公司 一种适用于大面积耐磨防腐金刚砂抗裂楼地面的施工装置及施工方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244119A (ja) * 1993-02-20 1994-09-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2001230307A (ja) * 2000-02-17 2001-08-24 Rohm Co Ltd 半導体製造装置
JP2002508587A (ja) * 1998-03-26 2002-03-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高温多層合金ヒータアッセンブリ及び関連する方法
JP2004278973A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Koike Sanso Kogyo Co Ltd 排ガス処理装置
JP2005142200A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Sharp Corp 気相成長装置および気相成長方法
JP2007258449A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2007291425A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Ulvac Japan Ltd 同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置
WO2010147053A1 (ja) * 2009-06-19 2010-12-23 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP2012256942A (ja) * 2004-12-21 2012-12-27 Applied Materials Inc 化学蒸着エッチングチャンバから副生成物の堆積物を除去するインサイチュチャンバ洗浄プロセス
US20160020137A1 (en) * 2014-07-21 2016-01-21 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for adjusting a pedestal assembly for a reactor
JP2016510945A (ja) * 2013-02-20 2016-04-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated カルーセル原子層堆積のための装置および方法
JP2017143248A (ja) * 2015-12-31 2017-08-17 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 半導体処理装置においてシャワーヘッド傾斜を動的に調整するためのアクチュエータ
WO2018022577A1 (en) * 2016-07-25 2018-02-01 Applied Materials, Inc. Fine leveling of large carousel based susceptor

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4821674A (en) * 1987-03-31 1989-04-18 Deboer Wiebe B Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US5762544A (en) * 1995-10-27 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus
US6592675B2 (en) * 2001-08-09 2003-07-15 Moore Epitaxial, Inc. Rotating susceptor
DE102005042352A1 (de) * 2005-09-07 2007-03-15 Zf Friedrichshafen Ag Vorrichtung und Verfahren zur Reduzierung einer Zugkraftunterbrechung bei Antriebssträngen mit automatisierten Schaltgetrieben
DE102005056324A1 (de) 2005-11-25 2007-06-06 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit auswechselbarer Prozesskammerdecke
JP2007258585A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Tokyo Electron Ltd 基板載置機構および基板処理装置
US20080017117A1 (en) 2006-07-18 2008-01-24 Jeffrey Campbell Substrate support with adjustable lift and rotation mount
WO2016011180A1 (en) * 2014-07-17 2016-01-21 Santhanam Kalathur S V Electrochemical process for producing graphene, graphene oxide, metal composites and coated substrates
US9765433B2 (en) 2014-09-25 2017-09-19 Yung-Chiu Huang Structure of sextant rotary disk
JP6330630B2 (ja) * 2014-11-13 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
DE202018100363U1 (de) 2018-01-23 2019-04-24 Aixtron Se Vorrichtung zum Verbinden eines Suszeptors mit einer Antriebswelle

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244119A (ja) * 1993-02-20 1994-09-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2002508587A (ja) * 1998-03-26 2002-03-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高温多層合金ヒータアッセンブリ及び関連する方法
JP2001230307A (ja) * 2000-02-17 2001-08-24 Rohm Co Ltd 半導体製造装置
JP2004278973A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Koike Sanso Kogyo Co Ltd 排ガス処理装置
JP2005142200A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Sharp Corp 気相成長装置および気相成長方法
JP2012256942A (ja) * 2004-12-21 2012-12-27 Applied Materials Inc 化学蒸着エッチングチャンバから副生成物の堆積物を除去するインサイチュチャンバ洗浄プロセス
JP2007258449A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2007291425A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Ulvac Japan Ltd 同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置
WO2010147053A1 (ja) * 2009-06-19 2010-12-23 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP2016510945A (ja) * 2013-02-20 2016-04-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated カルーセル原子層堆積のための装置および方法
US20160020137A1 (en) * 2014-07-21 2016-01-21 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for adjusting a pedestal assembly for a reactor
JP2017143248A (ja) * 2015-12-31 2017-08-17 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 半導体処理装置においてシャワーヘッド傾斜を動的に調整するためのアクチュエータ
WO2018022577A1 (en) * 2016-07-25 2018-02-01 Applied Materials, Inc. Fine leveling of large carousel based susceptor

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