JP2024032111A - 基板処理装置、基板処理方法および基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】雰囲気分離された処理空間内で基板処理を行う基板処理装置において、雰囲気分離の形成を解消した状態で処理空間に異物が流入するのを抑制する。【解決手段】この発明では、外側整流部材が上密閉部材と下密閉部材との間を通過する気体を整流して下密閉部材の外側面に沿って下方に流通させる。これによって、処理空間を取り囲むように、いわゆるエアカーテンが形成されている。しかも、雰囲気分離空間の形成が解消されるときには、外側整流部材は上密閉部材に取り付けられ、固定位置に止まったまま、下密閉部材の内側を通過する気体を整流して処理空間に流通させるための内側整流部材が下密閉部材と一体的に昇降する。これによって、外側整流部材および内側整流部材の出口側で差圧が生じ、外側整流部材から下密閉部材の外側面に沿って下方に流通する気体の流量が増大する。つまり、エアカーテンが強化される。【選択図】図８Ｃ

Description

この発明は、基板に処理液を供給して当該基板を処理する基板処理技術に関するものである。

半導体ウエハなどの基板を回転させつつ当該基板に処理液を供給して薬液処理や洗浄処理などの基板処理を施す基板処理装置が知られている。例えば特許文献１に記載の装置では、処理チャンバ内においてスピンチャックに保持されて回転する基板に処理液が供給される。この装置では、処理液が供給された基板から飛散してくる処理液を捕集して回収するために３つのカップ部材が用意されている。それらのうち１つのカップ部材が上昇し、その上端部が処理チャンバの天井と当接する。これによって、処理チャンバ内に密閉空間（本発明の「雰囲気分離空間」の一例に相当）が形成される。そして、当該密閉空間内にヘッドが進入した後で、ヘッドから処理液が基板に供給される。

特許第６２８２９０４号

密閉空間を形成している間、カップ部材で囲まれた空間と、そのカップ部材の外側空間とは雰囲気分離されている。しかしながら、スピンチャックに対する基板の搬入および搬出時、後で説明するセンタリング処理や観察処理、基板処理装置のメンテナンス処理などを行う際には、密閉空間を形成するためのカップ部材は下降し、上記雰囲気分離の形成が解消される。このとき、カップ部材の外側空間に存在するパーティクルなどの異物がスピンチャック側に流入する可能性がある。そこで、このような異物流入を抑制する技術が望まれている。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、雰囲気分離された処理空間内で基板処理を行う基板処理装置において、雰囲気分離の形成を解消した状態でも処理空間に異物が流入するのを抑制することを目的とする。

本発明の第１の態様は、基板処理装置であって、内部空間を有するチャンバと、内部空間内で基板を略水平に保持しながら鉛直方向に延びる回転軸まわりに回転可能に設けられる基板保持部と、基板保持部を回転軸まわりに回転させる回転機構と、回転機構により回転される基板保持部に保持された基板に処理液を供給することで基板に基板処理を施す処理機構と、基板の外周を囲みながら基板保持部の回転に伴い基板から飛散する処理液を捕集して排出する飛散防止機構と、チャンバの天井壁に設けられた第１開口から内部空間に気体を供給する気体供給部と、内部空間側から第１開口全体を取り囲むように天井壁に取り付けられた筒状の上密閉部材と、その外周面を鉛直方向において上密閉部材の内周面と重複させながら鉛直方向に移動可能に設けられた筒状の下密閉部材と、を有し、飛散防止機構により囲まれた処理空間から第１開口の中央部に向かう空間を下密閉部材および上密閉部材で取り囲んで周囲から分離した雰囲気分離空間を形成可能に構成される雰囲気分離機構と、上密閉部材と下密閉部材との間を通過する気体を整流して下密閉部材の外側面に沿って下方に流通させるように、上密閉部材に取り付けられた外側整流部材と、下密閉部材の内側を通過する気体を整流して処理空間に流通させるように、下密閉部材と一体的に昇降自在に設けられた内側整流部材と、下密閉部材を昇降させる昇降機構と、鉛直方向において下密閉部材を所定の下限位置まで下降させることで雰囲気分離空間を形成する一方、下限位置よりも鉛直上方の退避位置に下密閉部材を上昇させることで処理空間へのアクセスが可能となるとともに下密閉部材の外側面に沿って下方に流通する気体の流量が増大するように、昇降機構を制御する制御ユニットと、を備えることを特徴としている。

また、本発明の第２の態様は、チャンバの天井壁に設けられた第１開口を介して気体が供給されるチャンバの内部空間において回転する基板の外周を飛散防止機構で囲みながら基板に処理液を供給することで基板に基板処理を施す基板処理方法であって、内部空間側から第１開口全体を取り囲むように天井壁に取り付けられた筒形状を有する上密閉部材の内周面に対して筒形状を有する下密閉部材の外周面を鉛直方向において重複させながら鉛直方向において所定の下限位置まで下降させることで、飛散防止機構により囲まれた処理空間から第１開口の中央部に向かう空間を取り囲んで周囲から分離した雰囲気分離空間を形成する第１工程と、下密閉部材を下限位置よりも鉛直上方の退避位置に上昇させることで、雰囲気分離空間の形成を解消するとともに鉛直方向において下密閉部材と飛散防止機構との間に隙間を形成する第２工程と、を備え、第１工程は、上密閉部材と下密閉部材との間を通過する気体を上密閉部材に取り付けられた外側整流部材により整流して下密閉部材の外側面に沿って下方に流通させるとともに、下密閉部材と一体的に移動自在に設けられた内側整流部材により下密閉部材の内側を通過する気体を整流して処理空間に流通させる工程を含み、第２工程は、下密閉部材と一体的に内側整流部材が上昇することに伴い、下密閉部材の外側面に沿って下方に流通する気体の流量を第１工程よりも増大させる工程を含むことを特徴としている。

さらに、本発明の第３の態様は、基板処理システムであって、複数の上記基板処理装置と、複数の基板処理装置に対して並列に接続されることで、複数の内部空間を同時に排気する排気装置と、を備え、複数の基板処理装置の各々は、処理空間と排気装置とを接続する第１排気配管と、内部空間のうち処理空間以外の空間と排気装置とを接続する第２排気配管と、第１排気配管を介して排気される第１排気流量と、第２排気配管を介して排気される第２排気流量との比率を調整可能な排気流量調整部と、を備え、制御ユニットは、下密閉部材が下限位置に位置するときには第１排気流量の比率を高める一方、下密閉部材が退避位置に位置するときには第２排気流量の比率を高めることで、排気装置による内部空間からの単位時間当たりの排気流量がほぼ一定となるように、排気流量調整部を制御することを特徴としている。

このように構成された発明では、天井壁に取り付けられた上密閉部材の内周面に対して下密閉部材の外周面が鉛直方向において重複した状態で下密閉部材が所定の下限位置まで下降すると、処理空間から第１開口の中央部に向かう空間を取り囲んで周囲から分離した雰囲気分離空間が形成される。一方、下密閉部材が下限位置よりも鉛直上方の退避位置に上昇すると、雰囲気分離空間の形成が解消されるとともに鉛直方向において下密閉部材と飛散防止機構との間に隙間が形成される。このとき、処理空間への異物の流入が懸念される。しかしながら、本発明では、外側整流部材が上密閉部材と下密閉部材との間を通過する気体を整流して下密閉部材の外側面に沿って下方に流通させる。これによって、処理空間を取り囲むように、いわゆるエアカーテンが形成されている。しかも、雰囲気分離空間の形成が解消されるときには、外側整流部材は上密閉部材に取り付けられ、固定位置に止まったままであるのに対し、下密閉部材の内側を通過する気体を整流して処理空間に流通させるための内側整流部材が下密閉部材と一体的に昇降する。これによって、外側整流部材および内側整流部材の出口側で差圧が生じ、外側整流部材から下密閉部材の外側面に沿って下方に流通する気体の流量が増大する。つまり、エアカーテンを構成する気体の流量がアップし、異物流入を阻止するバリア性能が向上する。その結果、当該エアカーテンによって処理空間への異物の流入がより効果的に抑制される。

この発明によれば、雰囲気分離された処理空間内で基板処理を行う際に処理空間への異物流入が防止されるのみならず、雰囲気分離の形成を解消した状態であっても、処理空間に異物が流入するのを効果的に抑制することができる。

本発明に係る基板処理装置の第１実施形態を装備する基板処理システムの概略構成を示す平面図である。 処理ブロックの構成を模式的に示す図である。 本発明に係る基板処理装置の第１実施形態の構成を示す図である。 チャンバの構成およびチャンバに装着される構成を模式的に示す図である。 ベース部材上に設置された基板処理部の構成を模式的に示す平面図である。 保持回転機構の構成を示す斜視図である。 スピンチャックに保持された基板と回転カップ部との寸法関係を示す図である。 ベベル処理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。 シャッターオープン処理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。 基板搬送時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。 センタリング処理時および観察処理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。 センタリング機構の構成および動作を模式的に示す図である。 基板観察機構の観察ヘッドを示す斜視図である。 図１０に示す観察ヘッドの分解組立斜視図である。 図３に示す基板処理装置により基板処理動作の一例として実行されるベベル処理を示すフローチャートである。 基板処理動作の各ステータスにおける装置各部の状態を示す図である。 メンテナンス処理の各ステータスにおける装置各部の状態を示す図である。 第１のメンテナンス処理理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。 第２のメンテナンス処理理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。 第２のメンテナンス処理理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。

図１は本発明に係る基板処理装置の第１実施形態を装備する基板処理システムの概略構成を示す平面図である。これは基板処理システム１００の外観を示すものではなく、基板処理システム１００の外壁パネルやその他の一部構成を除外することでその内部構造をわかりやすく示した模式図である。この基板処理システム１００は、例えばクリーンルーム内に設置され、一方主面のみに回路パターン等（以下「パターン」と称する）が形成された基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。そして、基板処理システム１００に装備される処理ユニット１において、処理液による基板処理が実行される。本明細書では、基板の両主面のうちパターンが形成されているパターン形成面（一方主面）を「表面」と称し、その反対側のパターンが形成されていない他方主面を「裏面」と称する。また、下方に向けられた面を「下面」と称し、上方に向けられた面を「上面」と称する。また、本明細書において「パターン形成面」とは、基板において、任意の領域に凹凸パターン形成されている面を意味する。

ここで、本実施形態における「基板」としては、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として半導体ウエハの処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明するが、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。

図１に示すように、基板処理システム１００は、基板Ｗに対して処理を施す基板処理エリア１１０を有している。この基板処理エリア１１０に対し、インデクサ部１２０が隣接して設けられている。インデクサ部１２０は、基板Ｗを収容するための容器Ｃ（複数の基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）など）を複数個保持することができる容器保持部１２１を有している。また、インデクサ部１２０は、容器保持部１２１に保持された容器Ｃにアクセスして、未処理の基板Ｗを容器Ｃから取り出したり、処理済みの基板Ｗを容器Ｃに収納したりするためのインデクサロボット１２２を備えている。各容器Ｃには、複数枚の基板Ｗがほぼ水平な姿勢で収容されている。

インデクサロボット１２２は、装置筐体に固定されたベース部１２２ａと、ベース部１２２ａに対し鉛直軸まわりに回動可能に設けられた多関節アーム１２２ｂと、多関節アーム１２２ｂの先端に取り付けられたハンド１２２ｃとを備える。ハンド１２２ｃはその上面に基板Ｗを載置して保持することができる構造となっている。このような多関節アームおよび基板保持用のハンドを有するインデクサロボットは公知であるので詳しい説明を省略する。

基板処理エリア１１０では、載置台１１２がインデクサロボット１２２からの基板Ｗを載置可能に設けられている。また、平面視において、基板処理エリア１１０のほぼ中央に基板搬送ロボット１１１が配置される。さらに、この基板搬送ロボット１１１を取り囲むように、複数の処理ブロック１Ｂが配置される。具体的には、基板搬送ロボット１１１が配置された空間に面して４つの処理ブロック１Ｂが配置される。

図２は処理ブロックの構成を模式的に示す図である。各処理ブロック１Ｂは、複数（本実施形態では、６個）の処理ユニット１と、１つの排気装置１３０とを有している。６個の処理ユニット１は鉛直方向Ｚに積層配置され、さらに最上位に位置する処理ユニット１（同図中の符号１ａで示すユニット）の上方に排気装置１３０が配置されている。そして、各処理ユニット１が共通配管１３１を介して排気装置１３０に並列的に接続されている。このため、最大６つの処理ユニット１が同時に排気される。このように、複数の処理ユニット１および排気装置１３０を積層配置することで、基板処理システム１００において処理ユニット１が占めるフットプリントを削減することができる。

このように構成された処理ユニット１に対して基板搬送ロボット１１１は載置台１１２にランダムにアクセスし、載置台１１２との間で基板Ｗを受け渡す。一方、各処理ユニット１は基板Ｗに対して所定の処理を実行するものであり、本発明に係る基板処理装置に相当するものである。本実施形態では、これらの処理ユニット（基板処理装置）１は同一の機能を有している。このため、複数基板Ｗの並列処理が可能となっている。なお、基板搬送ロボット１１１はインデクサロボット１２２から基板Ｗを直接受け渡すことが可能であれば、必ずしも載置台１１２は必要ない。

図３は本発明に係る基板処理装置の第１実施形態の構成を示す図である。また、図４はチャンバの構成およびチャンバに装着される構成を模式的に示す図である。図３、図４および以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示される場合がある。基板処理装置（処理ユニット）１で用いられるチャンバ１１は、図４に示すように、鉛直上方からの平面視で矩形形状の底壁１１ａと、底壁１１ａの周囲から立設される４枚の側壁１１ｂ～１１ｅと、側壁１１ｂ～１１ｅの上端部を覆う天井壁１１ｆと、を有している。これら底壁１１ａ、側壁１１ｂ～１１ｅおよび天井壁１１ｆを組み合わせることで、略直方体形状の内部空間１２が形成される。

底壁１１ａの上面に、ベース支持部材１６、１６が互いに離間しながらボルトなどの締結部品により固定される。つまり、底壁１１ａからベース支持部材１６が立設される。これらベース支持部材１６、１６の上端部に、ベース部材１７がボルトなどの締結部品により固定される。このベース部材１７は、底壁１１ａよりも小さな平面サイズを有するとともに、底壁１１ａよりも厚肉で高い剛性を有する板材で構成される。図３に示すように、ベース部材１７は、ベース支持部材１６、１６により底壁１１ａから鉛直上方に持ち上げられている。つまり、チャンバ１１の内部空間１２の底部において、いわゆる高床構造が形成されている。このベース部材１７の上面は、後で詳述するように、基板Ｗに対して基板処理を施す基板処理部ＳＰを設置可能に仕上げられ、当該上面に基板処理部ＳＰが設置される。この基板処理部ＳＰを構成する各部は装置全体を制御する制御ユニット１０と電気的に接続され、制御ユニット１０からの指示に応じて動作する。なお、ベース部材１７の形状、基板処理部ＳＰの構成や動作については、後で詳述する。

図３および図４に示すように、チャンバ１１の天井壁１１ｆには、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１３が取り付けられている。このファンフィルタユニット１３は、基板処理装置１が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化してチャンバ１１内の内部空間１２に供給する。ファンフィルタユニット１３は、クリーンルーム内の空気を取り込んでチャンバ１１内に送り出すためのファンおよびフィルタ（例えばＨＥＰＡ（High Efficiency Particulate Air）フィルタ）を備えており、天井壁１１ｆに設けられた開口１１ｆ１を介して清浄空気を送り込む。これにより、チャンバ１１内の内部空間１２に清浄空気のダウンフローが形成される。また、ファンフィルタユニット１３から供給された清浄空気を均一に分散するために、多数の吹出し孔を穿設した２種類のパンチングプレートがそれぞれ内側整流部材１４ａおよび外側整流部材１４ｂとして天井壁１１ｆの直下に設けられている。内側整流部材１４ａは、後述する下密閉カップ部材６１に取り付けられ、下密閉カップ部材６１と一体的に鉛直方向Ｚに移動する。外側整流部材１４ｂは、後述する上密閉カップ部材６２に取り付けられ、鉛直方向Ｚにおいて一定の高さ位置に固定配置される。なお、内側整流部材１４ａおよび外側整流部材１４ｂの詳しい構成および機能については、後で詳述する。

図４に示すように、基板処理装置１では、４枚の側壁１１ｂ～１１ｅのうち基板搬送ロボット１１１と対向する側壁１１ｂには、搬送用開口１１ｂ１が設けられており、内部空間１２とチャンバ１１の外部とが連通される。このため、基板搬送ロボット１１１のハンド（図示省略）が搬送用開口１１ｂ１を介して基板処理部ＳＰにアクセス可能となっている。つまり、搬送用開口１１ｂ１を設けたことで、内部空間１２に対する基板Ｗの搬入出が可能となっている。また、この搬送用開口１１ｂ１を開閉するためのシャッター１５が側壁１１ｂに取り付けられている。

シャッター１５にはシャッター開閉機構（図示省略）が接続されており、制御ユニット１０からの開閉指令に応じてシャッター１５を開閉させる。より具体的には、基板処理装置１では、未処理の基板Ｗをチャンバ１１に搬入する際にシャッター開閉機構はシャッター１５を開き、基板搬送ロボット１１１のハンドによって未処理の基板Ｗがフェースアップ姿勢で基板処理部ＳＰに搬入される。つまり、基板Ｗは上面Ｗｆを上方に向けた状態で基板処理部ＳＰのスピンチャック（図６中の符号２１）上に載置される。そして、当該基板搬入後に基板搬送ロボット１１１のハンドがチャンバ１１から退避すると、シャッター開閉機構はシャッター１５を閉じる。そして、チャンバ１１の処理空間（後で詳述する密閉空間１２ａに相当）内で基板Ｗの周縁部Ｗｓに対するベベル処理が基板処理部ＳＰにより本発明の「基板処理」の一例として実行される。また、ベベル処理の終了後においては、シャッター開閉機構がシャッター１５を再び開き、基板搬送ロボット１１１のハンドが処理済の基板Ｗを基板処理部ＳＰから搬出する。このように、本実施形態では、チャンバ１１の内部空間１２が常温環境に保たれる。なお、本明細書において「常温」とは、５℃～３５℃の温度範囲にあることを意味する。

図４に示すように、側壁１１ｄは、ベース部材１７に設置された基板処理部ＳＰ（図３）を挟んで側壁１１ｂの反対側に位置している。この側壁１１ｄには、メンテナンス用開口１１ｄ１が設けられている。メンテナンス時には、同図に示すように、メンテナンス用開口１１ｄ１は開放される。このため、オペレータは装置の外部からメンテナンス用開口１１ｄ１を介して基板処理部ＳＰにアクセス可能となっている。一方、基板処理時には、蓋部材１９がメンテナンス用開口１１ｄ１を塞ぐように取り付けられる。このように、本実施形態では、蓋部材１９は側壁１１ｄに対して着脱自在となっている。

また、側壁１１ｅの外側面には、基板処理部ＳＰに対して加熱した不活性ガス（本実施形態では、窒素ガス）を供給するための加熱ガス供給部４７が取り付けられている。この加熱ガス供給部４７は、ヒータ４７１を内蔵している。

このように、チャンバ１１の外壁側には、シャッター１５、蓋部材１９および加熱ガス供給部４７が配置される。これに対し、チャンバ１１の内側、つまり内部空間１２には、高床構造のベース部材１７の上面に基板処理部ＳＰが設置される。以下、図３、図５－図７、図８Ａ－図８Ｃ、図９ー図１１を参照しつつ、基板処理部ＳＰの構成について説明する。

図５はベース部材上に設置された基板処理部の構成を模式的に示す平面図である。以下、装置各部の配置関係や動作などを明確にするために、Ｚ方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とする座標系を適宜付している。図５における座標系において、基板Ｗの搬送経路ＴＰと平行な水平方向を「Ｘ方向」とし、それと直交する水平方向を「Ｙ方向」としている。さらに詳しくは、チャンバ１１の内部空間１２から搬送用開口１１ｂ１およびメンテナンス用開口１１ｄ１に向かう方向をそれぞれ「＋Ｘ方向」および「－Ｘ方向」と称し、チャンバ１１の内部空間１２から側壁１１ｃ、１１ｅに向かう方向をそれぞれ「－Ｙ方向」および「＋Ｙ方向」と称し、鉛直上方および鉛直下方に向かう方向をそれぞれ「＋Ｚ方向」および「－Ｚ方向」と称する。

基板処理部ＳＰは、保持回転機構２、飛散防止機構３、上面保護加熱機構４、処理機構５、雰囲気分離機構６、昇降機構７、センタリング機構８および基板観察機構９を備えている。これらの機構は、ベース部材１７上に設けられている。つまり、チャンバ１１よりも高い剛性を有するベース部材１７を基準とし、保持回転機構２、飛散防止機構３、上面保護加熱機構４、処理機構５、雰囲気分離機構６、昇降機構７、センタリング機構８および基板観察機構９が相互に予め決められた位置関係で配置される。

図６は保持回転機構の構成を示す斜視図である。保持回転機構２は、基板Ｗの表面を上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持する基板保持部２Ａと、基板Ｗを保持した基板保持部２Ａおよび飛散防止機構３の一部を同期して回転させる回転機構２Ｂと、を備えている。このため、制御ユニット１０からの回転指令に応じて回転機構２Ｂが作動すると、基板Ｗおよび飛散防止機構３の回転カップ部３１は、鉛直方向Ｚと平行に延びる回転軸ＡＸまわりに回転される。

基板保持部２Ａは、基板Ｗより小さい円板状の部材であるスピンチャック２１を備えている。スピンチャック２１は、その上面が略水平となり、その中心軸が回転軸ＡＸに一致するように設けられている。特に、本実施形態では、図５に示すように、基板保持部２Ａの中心（スピンチャック２１の中心軸に相当）がチャンバ１１の中心１１ｇよりも（＋Ｘ）方向にオフセットされる。つまり、チャンバ１１の上方からの平面視で、スピンチャック２１の中心軸（回転軸ＡＸ）が内部空間１２の中心１１ｇから搬送用開口１１ｂ１側に距離Ｌofだけずれた処理位置に位置するように、基板保持部２Ａは配置される。なお、後述する装置各部の配置関係を明確にするため、本明細書では、オフセットされた基板保持部２Ａの中心（回転軸ＡＸ）を通過するとともに、搬送経路ＴＰと直交する仮想線および搬送経路ＴＰと平行な仮想線をそれぞれ「第１仮想水平線ＶＬ１」および「第２仮想水平線ＶＬ２」と称する。

スピンチャック２１の下面には、図６に示すように、円筒状の回転軸部２２が連結される。回転軸部２２は、その軸線を回転軸ＡＸと一致させた状態で、鉛直方向Ｚに延設される。また、回転軸部２２には、回転機構２Ｂが接続される。

回転機構２Ｂは、基板保持部２Ａおよび飛散防止機構３の回転カップ部３１を回転させるための回転駆動力を発生するモータ２３と、当該回転駆動力を伝達するための動力伝達部２４とを有している。モータ２３は、回転駆動力の発生に伴い回転する回転シャフト２３１を有している。回転シャフト２３１を鉛直下方に延設させた姿勢でベース部材１７のモータ取付部位１７１に設けられている。より詳しくは、モータ取付部位１７１は、図４に示すように、メンテナンス用開口１１ｄ１と対向しながら（＋Ｘ）方向に切り欠かれた部位である。このモータ取付部位１７１の切欠幅（Ｙ方向サイズ）はモータ２３のＹ方向幅とほぼ同一である。このため、モータ２３は、その側面をモータ取付部位１７１と係合させながらＸ方向に移動自在となっている。

モータ取付部位１７１で、モータ２３をＸ方向に位置決めしながらベース部材１７に固定するために、モータ固定金具２３２がボルトやネジなどの締結部材２３３によりベース部材１７に連結される。モータ固定金具２３２は、図６に示すように、水平部位２３２１と鉛直部位２３２２とを有し、（＋Ｙ）方向からの側面視で略Ｌ字形状を有している。図６への図示を省略しているが、モータ固定金具２３２の水平部位２３２１の中央部には、回転シャフト２３１を挿通するための貫通孔が設けられている。この貫通孔に回転シャフト２３１を鉛直下方に挿通した状態で、水平部位２３２１がモータ２３を支持する。また、鉛直部位２３２２は水平部位２３２１により下方から支持されたモータ２３と係合するように構成される。この鉛直部位２３２２には、２本のボルトやネジなど締結部材２３４がＹ方向において互いに離間して取り付けられている。各締結部材２３４の先端部は鉛直部位２３２２を貫通して（＋Ｘ）方向に延設され、各先端部がモータ取付部位１７１に螺合している。したがって、オペレータが締結部材２３４を正回転または逆回転させることで、モータ２３を支持したままモータ固定金具２３２がＸ方向に移動する。これによって、モータ２３をＸ方向において位置決めすることが可能となっている。また、位置決め後に、オペレータが締結部材２３３を正回転させることでモータ２３がモータ取付部位１７１と一体的にベース部材１７にしっかりと固定される。

ベース部材１７から下方に突出した回転シャフト２３１の先端部には、第１プーリ２４１が取り付けられている。また、基板保持部２Ａの下方端部には、第２プーリ２４２が取り付けられている。より詳しくは、基板保持部２Ａの下方端部は、ベース部材１７のスピンチャック取付部位１７２に設けられた貫通孔に挿通され、ベース部材１７の下方に突出している。この突出部分に第２プーリ２４２が設けられている。そして、第１プーリ２４１および第２プーリ２４２の間に無端ベルト２４３が架け渡される。このように、本実施形態では、第１プーリ２４１、第２プーリ２４２および無端ベルト２４３により、動力伝達部２４が構成される。

このような構成を有する動力伝達部２４を用いた場合、長尺のタイミングベルトを無端ベルト２４３として選定することができ、無端ベルト２４３の長寿命化を図ることができる。といっても、Ｘ方向におけるモータ２３の移動により第１プーリ２４１および第２プーリ２４２の間隔調整や無端ベルト２４３の交換などのメンテナンス作業は必要である。そこで、本実施形態では、図５に示すように、チャンバ１１の上方からの平面視で、搬送用開口１１ｂ１、基板保持部２Ａ、動力伝達部２４、モータ２３およびメンテナンス用開口１１ｄ１がこの順序で、第２仮想水平線ＶＬ２に沿って、かつ直線状に配置される。つまり、動力伝達部２４およびモータ２３は、メンテナンス用開口１１ｄ１を臨むように、配置される。したがって、蓋部材１９をチャンバ１１から取り外してメンテナンス用開口１１ｄ１を開放すると、メンテナンス用開口１１ｄ１を介して動力伝達部２４およびモータ２３が外部に露出する。その結果、オペレータによるメンテナンス処理が容易となり、メンテナンス作業の効率を向上させることができる。

しかも、以下に説明する他の機構はベース部材１７の上方に配置されるのに対し、動力伝達部２４はベース部材１７の下方に配置される。このような配置を採用することで、他の機構との干渉を考慮することなく、オペレータによるメンテナンス作業をさらに効率的に行うことができる。

スピンチャック２１の中央部には、図６に示すように、貫通孔２１１が設けられており、回転軸部２２の内部空間と連通している。内部空間には、バルブ（図示省略）が介装された配管２５を介してポンプ２６が接続される。当該ポンプ２６およびバルブは、制御ユニット１０に電気的に接続されており、制御ユニット１０からの指令に応じて動作する。これによって、負圧と正圧とが選択的にスピンチャック２１に付与される。例えば基板Ｗがスピンチャック２１の上面に略水平姿勢で置かれた状態でポンプ２６が負圧をスピンチャック２１に付与すると、スピンチャック２１は基板Ｗを下方から吸着保持する。一方、ポンプ２６が正圧をスピンチャック２１に付与すると、基板Ｗはスピンチャック２１の上面から取り外し可能となる。また、ポンプ２６の吸引を停止すると、スピンチャック２１の上面上で基板Ｗは水平移動可能となる。

スピンチャック２１には、回転軸部２２の中央部に設けられた配管２８を介して窒素ガス供給部２９が接続される。窒素ガス供給部２９は、基板処理システム１００が設置される工場のユティリティーなどから供給される常温の窒素ガスを制御ユニット１０からのガス供給指令に応じた流量およびタイミングでスピンチャック２１に送給し、基板Ｗの下面Ｗｂ側で窒素ガスを中央部から径方向外側に流通させる。なお、本実施形態では、窒素ガスを用いているが、その他の不活性ガスを用いてもよい。この点については、後で説明する中央ノズルから吐出される加熱ガスについても同様である。また、「流量」とは、窒素ガスなどの流体が単位時間当たりに移動する量を意味している。

回転機構２Ｂは、基板Ｗと一体的にスピンチャック２１を回転させるのみならず、当該回転に同期して回転カップ部３１を回転させるために、動力伝達部２７（図３）を有している。動力伝達部２７は、非磁性材料または樹脂で構成される円環部材２７ａ（図６）と、円環部材に内蔵されるスピンチャック側磁石（図示省略）と、回転カップ部３１の一構成である下カップ３２に内蔵されるカップ側磁石（図示省略）とを有している。円環部材２７ａは、図６に示すように回転軸部２２に取り付けられ、回転軸部２２とともに回転軸ＡＸまわりに回転可能となっている。より詳しくは、回転軸部２２は、図３および図６に示すように、スピンチャック２１の直下位置において、径方向外側に張出したフランジ部位を有している。そして、フランジ部位に対して円環部材２７ａが同心状に配置されるとともに、図示省略するボルトなどによって連結固定される。

円環部材２７ａの外周縁部では、複数のスピンチャック側磁石が回転軸ＡＸを中心として放射状で、しかも等角度間隔で配置される。本実施形態では、互いに隣り合う２つのスピンチャック側磁石の一方では、外側および内側がそれぞれＮ極およびＳ極となるように配置され、他方では、外側および内側がそれぞれＳ極およびＮ極となるように配置される。

これらのスピンチャック側磁石と同様に、複数のカップ側磁石が回転軸ＡＸを中心として放射状で、しかも等角度間隔で配置される。これらのカップ側カップ側磁石は下カップ３２に内蔵される。下カップ３２は次に説明する飛散防止機構３の構成部品であり、円環形状を有している。つまり、下カップ３２は、円環部材２７ａの外周面と対向可能な内周面を有している。この内周面の内径は円環部材２７ａの外径よりも大きい。そして、当該内周面を円環部材２７ａの外周面から所定間隔（＝（上記内径－上記外径）／２）だけ離間対向させながら下カップ３２が回転軸部２２および円環部材２７ａと同心状に配置される。この下カップ３２の外周縁上面には、係合ピンおよび連結用マグネットが設けられており、これらにより上カップ３３が下カップ３２と連結され、この連結体が回転カップ部３１として機能する。

下カップ３２は、ベース部材１７の上面上において、図面への図示を省略したベアリングによって、上記配置状態のまま、回転軸ＡＸまわりに回転可能に支持される。この下カップ３２の内周縁部において、上記したようにカップ側磁石が回転軸ＡＸを中心として放射状で、しかも等角度間隔で配置される。また、互いに隣り合う２つのカップ側磁石の配置についてもスピンチャック側磁石と同様である。つまり、一方では、外側および内側がそれぞれＮ極およびＳ極となるように配置され、他方では、外側および内側がそれぞれＳ極およびＮ極となるように配置される。

このように構成された動力伝達部２７では、モータ２３により回転軸部２２とともに円環部材２７ａが回転すると、スピンチャック側磁石とカップ側磁石との間での磁力作用によって、下カップ３２がエアギャップ（円環部材２７ａと下カップ３２との隙間）を維持しつつ円環部材２７ａと同じ方向に回転する。これにより、回転カップ部３１が回転軸ＡＸまわりに回転する。つまり、回転カップ部３１は基板Ｗと同一方向でしかも同期して回転する。

飛散防止機構３は、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周を囲みながら回転軸ＡＸまわりに回転可能な回転カップ部３１と、回転カップ部３１を囲むように固定的に設けられる固定カップ部３４と、を有している。回転カップ部３１は、下カップ３２に上カップ３３が連結されることで、回転する基板Ｗの外周を囲みながら回転軸ＡＸまわりに回転可能に設けられている。

図７はスピンチャックに保持された基板と回転カップ部との寸法関係を示す図である。図８Ａはベベル処理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。図８Ｂはシャッターオープン処理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。図８Ｃは基板搬送時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。図８Ｄはセンタリング処理時および観察処理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。これら図８Ａないし図８Ｄ（および後で説明する図１５Ａないし図１５Ｃ）中の開閉バルブを示す記号において三角形の部分が黒いものは、弁が開いている状態を示し、三角形の部分が白いものは、弁が閉じている状態を示している。
下カップ３２は円環形状を有している。その外径は基板Ｗの外径よりも大きく、鉛直上方からの平面視においてスピンチャック２１で保持された基板Ｗから径方向にはみ出た状態で下カップ３２は回転軸ＡＸまわりに回転自在に配置される。当該はみ出た領域、つまり下カップ３２の上面周縁部では、周方向に沿って鉛直上方に立設する係合ピン（図示省略）と平板状の下マグネット（図示省略）とが交互に取り付けられている。

一方、上カップ３３は、図３、図４および図７に示すように、下円環部位３３１と、上円環部位３３２と、これらを連結する傾斜部位３３３とを有している。下円環部位３３１の外径Ｄ３３１は下カップ３２の外径Ｄ３２と同一であり、下円環部位３３１は下カップ３２の周縁部３２１の鉛直上方に位置している。下円環部位３３１の下面では、係合ピンの鉛直上方に相当する領域において、下方に開口した凹部が係合ピンの先端部と嵌合可能に設けられている。また、下マグネットの鉛直上方に相当する領域において、上マグネットが取り付けられている。このため、凹部および上マグネットがそれぞれ係合ピンおよび下マグネットと対向した状態で、上カップ３３は下カップ３２に対して係脱可能となっている。

上カップ３３は、昇降機構７により鉛直方向において昇降可能となっている。上カップ３３が昇降機構７により上方に移動されると、鉛直方向において上カップ３３と下カップ３２との間に基板Ｗの搬入出用の搬送空間が形成される。一方、昇降機構７により上カップ３３が下方に移動されると、凹部が係合ピンの先端部を被るように嵌合し、下カップ３２に対して上カップ３３が水平方向に位置決めされる。また、上マグネットが下マグネットに近接し、両者間で生じる引力によって、上記位置決めさた上カップ３３および下カップ３２が互いに結合される。これによって、図５の部分拡大図および図８に示すように、水平方向に延びる隙間ＧＰｃを形成した状態で、上カップ３３および下カップ３２が鉛直方向に一体化される。そして、回転カップ部３１は隙間ＧＰｃを形成したまま回転軸ＡＸまわりに回転自在となっている。

回転カップ部３１では、図７に示すように、上円環部位３３２の外径Ｄ３３２は下円環部位３３１の外径Ｄ３３１よりも若干小さい。また、下円環部位３３１および上円環部位３３２の内周面の径ｄ３３１、ｄ３３２を比較すると、下円環部位３３１の方が上円環部位３３２よりも大きく、鉛直上方からの平面視で、上円環部位３３２の内周面が下円環部位３３１の内周面の内側に位置する。そして、上円環部位３３２の内周面と下円環部位３３１の内周面とが上カップ３３の全周にわたって傾斜部位３３３により連結される。このため、傾斜部位３３３の内周面、つまり基板Ｗを取り囲む面は、傾斜面３３４となっている。すなわち、図８に示すように、傾斜部位３３３は、回転する基板Ｗの外周を囲んでベベル処理を行う処理空間を形成するとともに、基板Ｗから飛散する液滴を捕集可能となっている。上カップ３３および下カップ３２で囲まれた空間が処理空間ＳＰｃとして機能する。

しかも、処理空間ＳＰｃを臨む傾斜部位３３３は、下円環部位３３１から基板Ｗの周縁部の上方に向かって傾斜している。このため、傾斜部位３３３に捕集された液滴は傾斜面３３４に沿って上カップ３３の下端部、つまり下円環部位３３１に流動し、さらに隙間ＧＰｃを介して回転カップ部３１の外側に排出可能となっている。

固定カップ部３４は回転カップ部３１を取り囲むように設けられ、排出空間ＳＰｅを形成する。固定カップ部３４は、液受け部位３４１と、液受け部位３４１の内側に設けられた排気部位３４２とを有している。液受け部位３４１は、隙間ＧＰｃの反基板側開口を臨むように開口したカップ構造を有している。つまり、液受け部位３４１の内部空間が排出空間ＳＰｅとして機能しており、隙間ＧＰｃを介して処理空間ＳＰｃと連通される。したがって、回転カップ部３１により捕集された液滴は気体成分とともに隙間ＧＰｃを介して排出空間ＳＰｅに案内される。そして、液滴は液受け部位３４１の底部に集められ、固定カップ部３４から排液される。

一方、気体成分は排気部位３４２に集められる。この排気部位３４２は区画壁３４３を介して液受け部位３４１と区画される。また、区画壁３４３の上方に気体案内部３４４が配置される。気体案内部３４４は、区画壁３４３の直上位置から排出空間ＳＰｅと排気部位３４２の内部にそれぞれ延設されることで、区画壁３４３を上方から覆ってラビリンス構造を有する気体成分の流通経路を形成している。したがって、液受け部位３４１に流入した流体のうち気体成分が上記流通経路を経由して排気部位３４２に集められる。この排気部位３４２は第１排気配管３８１、ダンパ３８３および開閉バルブ３８４を介して排気装置１３０に接続されている。また、チャンバ１１の内部空間１２が第２排気配管３８２、ダンパ３８３および開閉バルブ３８４を介して排気装置１３０に接続されている。このため、開閉バルブ３８４が開成された状態で、排気制御部１０Ｇからの指令にしたがって、ダンパ３８３の開度が調整されることで、上カップ３３および下カップ３２で囲まれた処理空間ＳＰｃから排気される排気流量（以下「カップ排気流量」という）と、チャンバ１１の内部空間１２のうち処理空間ＳＰｃ以外の空間から排気される排気流量（以下「チャンバ排気流量」という）との比率を変更可能となっている。より具体的には、下密閉カップ部材６１が飛散防止機構３の液受け部位３４１の直上の下限位置に位置することで雰囲気分離機構６による雰囲気分離が実行されている際には、カップ排気流量がチャンバ排気流量よりも多くなるように、排気制御部１０Ｇはダンパ３８３を制御する。これによって、排気部位３４２内の気体成分が効率的に排気される。また、排出空間ＳＰｅの圧力が調整される。例えば排出空間ＳＰｅの圧力が処理空間ＳＰｃの圧力よりも下がる。その結果、処理空間ＳＰｃ内の液滴を効率的に排出空間ＳＰｅに引き込み、処理空間ＳＰｃからの液滴の移動を促進することができる。一方、下密閉カップ部材６１が下限位置よりも鉛直上に位置することで雰囲気分離の形成が解除されている際には、チャンバ排気流量がカップ排気流量よりも多くなるように、排気制御部１０Ｇはダンパ３８３を制御する。その結果、後述するように下密閉カップ部材６１に沿って形成されるエアカーテンを構成する清浄空気の流量を高め、異物流入を抑制することができる。

また、本実施形態では、基板処理装置１に対してメンテナンス処理を実行する場合、排気制御部１０Ｇは開閉バルブ３８４を閉成する。これによって、メンテナンス処理を行っている間、当該基板処理装置１と排気装置１３０との接続が遮断され、他の基板処理装置１の稼働に影響を与えるのを確実に防止することができる。つまり、他の基板処理装置１を通常通りに作動させながら、当該基板処理装置１のメンテナンス処理を実行することが可能となっている。その結果、基板処理システム１００の稼働率を高めることができる。

上面保護加熱機構４は、スピンチャック２１に保持される基板Ｗの上面Ｗｆの上方に配置された遮断板４１を有している。この遮断板４１は水平な姿勢で保持された円板部４２を有している。円板部４２はヒータ駆動部４２２により駆動制御されるヒータ４２１を内蔵している。この円板部４２は基板Ｗよりも若干短い直径を有している。そして、円板部４２の下面が基板Ｗの上面Ｗｆのうち周縁部Ｗｓを除く表面領域を上方から覆うように、円板部４２は支持部材４３により支持される。なお、図５に示すように、円板部４２の周縁部には、切欠部が設けられているが、これは処理機構５に含まれる処理液吐出ノズルとの干渉を防止するために設けられている。切欠部４４は、径方向外側に向かって開口している。

支持部材４３の下端部は円板部４２の中央部に取り付けられている。支持部材４３と円板部４２とを上下に貫通するように、円筒状の貫通孔が形成される。また、当該貫通孔に対し、中央ノズル４５が上下に挿通している。この中央ノズル４５には、図３に示すように、図示を省略する配管を介して加熱ガス供給部４７と接続される。加熱ガス供給部４７は、基板処理システム１００が設置される工場の用力などから供給される常温の窒素ガスをヒータ４７１により加熱して制御ユニット１０からの加熱ガス供給指令に応じた流量およびタイミングで基板処理部ＳＰに供給する。

こうして加熱された窒素ガス（以下「加熱ガス」という）が中央ノズル４５に向けて圧送され、中央ノズル４５から吐出される。円板部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗに近接した処理位置に位置決めされた状態で加熱ガスが供給されることによって、加熱ガスは基板Ｗの上面Ｗｆとヒータ内蔵の円板部４２とに挟まれた空間の中央部から周縁部に向って流れる。これによって、基板Ｗの周囲の雰囲気が基板Ｗの上面Ｗｆに入り込むのを抑制することができる。その結果、上記雰囲気に含まれる液滴が基板Ｗと円板部４２とで挟まれた空間に巻き込まれるのを効果的に防止することができる。また、ヒータ４２１による加熱と加熱ガスによって上面Ｗｆが全体的に加熱され、基板Ｗの面内温度を均一化することができる。これによって、基板Ｗが反るのを抑制し、処理液の着液位置を安定化させることができる。

図３に示すように、支持部材４３の上端部は、第１仮想水平線ＶＬ１に沿って延びる梁部材４９に固定される。この梁部材４９は、ベース部材１７の上面に取り付けられた昇降機構７と接続されており、制御ユニット１０からの指令に応じて昇降機構７により昇降される。例えば図３では梁部材４９が下方に位置決めされることで、支持部材４３を介して梁部材４９に連結された円板部４２が処理位置に位置している。一方、制御ユニット１０からの上昇指令を受けて昇降機構７が梁部材４９を上昇させると、梁部材４９、支持部材４３および円板部４２が一体的に上昇するとともに、上カップ３３も連動して下カップ３２から分離して上昇する。これによって、スピンチャック２１と、上カップ３３および円板部４２との間が広がり、スピンチャック２１に対する基板Ｗの搬出入を行うことが可能となる。

処理機構５は、基板Ｗの上面側に配置される処理液吐出ノズル５１Ｆ（図５）と、基板Ｗの下面側に配置される処理液吐出ノズル５１Ｂ（図３）と、処理液吐出ノズル５１Ｆ、５１Ｂに処理液を供給する処理液供給部５２とを有している。以下においては、上面側の処理液吐出ノズル５１Ｆと下面側の処理液吐出ノズル５１Ｂとを区別するために、それぞれ「上面ノズル５１Ｆ」および「下面ノズル５１Ｂ」と称する。また、図３において、処理液供給部５２が２つ図示されるが、これらは同一である。

本実施形態では、３本の上面ノズル５１Ｆが設けられるとともに、それらに対して処理液供給部５２が接続される。また、処理液供給部５２はＳＣ１、ＤＨＦ、機能水（ＣＯ２水など）を処理液として供給可能に構成されており、３本の上面ノズル５１ＦからＳＣ１、ＤＨＦおよび機能水がそれぞれ独立して吐出可能となっている。

各上面ノズル５１Ｆでは、先端下面に処理液を吐出する吐出口（図示省略）が設けられている。そして、図５中の拡大図に示すように、各吐出口を基板Ｗの上面Ｗｆの周縁部に向けた姿勢で複数（本実施形態では３個）の上面ノズル５１Ｆの下方部が円板部４２の切欠部４４（図５参照）に配置されるとともに、上面ノズル５１Ｆの上方部がノズルホルダ５３に対して径方向Ｄ１に移動自在に取り付けられている。このノズルホルダ５３はノズル移動部５４に接続される。

ノズル移動部５４は、ノズルヘッド５６（＝上面ノズル５１Ｆ＋ノズルホルダ５３）を保持したまま、後で説明する昇降部７１３のリフター７１３ａの上端部に取り付けられている。このため、制御ユニット１０からの昇降指令に応じてリフター７１３ａが鉛直方向に伸縮すると、それに応じてノズル移動部５４およびノズルヘッド５６が鉛直方向Ｚに移動する。

また、ノズル移動部５４は直動アクチュエータを有しており、ノズルヘッド５６を移動する。その結果、ノズルヘッド５６に装着されている上面ノズル５１Ｆが径方向Ｄ１に位置決めされる。上面ノズル５１Ｆがベベル処理位置に正確に位置決めされる。

ベベル処理位置に位置決めた上面ノズル５１Ｆの吐出口５１１は基板Ｗの上面Ｗｆの周縁部に向いている。そして、制御ユニット１０からの供給指令に応じて処理液供給部５２が３種類の処理液のうち供給指令に対応する処理液を当該処理液用の上面ノズル５１Ｆに供給すると、上面ノズル５１Ｆから処理液が基板Ｗの端面から予め設定された位置に供給される。

また、ノズル移動部５４の構成部品の一部に対し、雰囲気分離機構６の下密閉カップ部材６１が着脱自在に固定される。つまり、ベベル処理を実行する際には、上面ノズル５１Ｆおよびノズルホルダ５３は、ノズル移動部５４を介して下密閉カップ部材６１と一体化されており、昇降機構７によって下密閉カップ部材６１とともに鉛直方向Ｚに昇降される。

本実施形態では、基板Ｗの下面Ｗｂの周縁部に向けて処理液を吐出するために、下面ノズル５１Ｂおよびノズル支持部５７がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの下方に設けられている。ノズル支持部５７は、鉛直方向に延設された薄肉の円筒部位５７１と、円筒部位５７１の上端部において径方向外側に折り広げられた円環形状を有するフランジ部位５７２とを有している。円筒部位５７１は、円環部材２７ａと下カップ３２との間に形成されたエアギャップに遊挿自在な形状を有している。そして、図３に示すように、円筒部位５７１がエアギャップに遊挿されるとともにフランジ部位５７２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗと下カップ３２との間に位置するように、ノズル支持部５７は固定配置される。フランジ部位５７２の上面周縁部に対し、３つの下面ノズル５１Ｂが取り付けられている。各下面ノズル５１Ｂは、基板Ｗの下面Ｗｂの周縁部に向けて開口した吐出口（図示省略）を有しており、処理液供給部５２から供給される処理液を吐出可能となっている。

これら上面ノズル５１Ｆおよび下面ノズル５１Ｂから吐出される処理液により、基板Ｗの周縁部に対するベベル処理が実行される。また、基板Ｗの下面側では、周縁部Ｗｓの近傍までフランジ部位５７２が延設される。このため、配管２８を介して下面側に供給された窒素ガスが、フランジ部位５７２に沿って処理空間ＳＰｃに流れる。その結果、処理空間ＳＰｃから液滴が基板Ｗに逆流するのを効果的に抑制する。

雰囲気分離機構６は、下密閉カップ部材６１と、上密閉カップ部材６２とを有している。下密閉カップ部材６１および上密閉カップ部材６２はともに上下に開口した筒形状を有している。そして、それらの内径は回転カップ部３１の外径よりも大きく、雰囲気分離機構６は、スピンチャック２１、スピンチャック２１に保持された基板Ｗ、回転カップ部３１および上面保護加熱機構４を上方からすっぽりと囲むように配置される、より詳しくは、図３に示すように、上密閉カップ部材６２は、その上方開口が天井壁１１ｆの開口１１ｆ１を下方から覆うように、天井壁１１ｆに取り付けられている。

また、上密閉カップ部材６２の下端部には、円環状の整流部材１４ａが上密閉カップ部材６２の内周面に沿って取り付けられている。また、下密閉カップ部材６１が、その外周面を鉛直方向Ｚにおいて上密閉カップ部材６２の内周面と重複させながら鉛直方向Ｚに移動可能に設けられている。

下密閉カップ部材６１の下端部は、外側に折り込まれた円環形状を有するフランジ部６１２を有している。このフランジ部６１２は、鉛直上方からの平面視で、固定カップ部３４の上端部（液受け部位３４１の上端部）と重なり合っている。したがって、上記下限位置では、図５中の部分拡大図に示すように、下密閉カップ部材６１のフランジ部６１２がオーリング６４を介して固定カップ部３４で係止される。これにより、鉛直方向Ｚにおいて下密閉カップ部材６１と固定カップ部３４が繋がり、上密閉カップ部材６２、下密閉カップ部材６１および固定カップ部３４により密閉空間１２ａが形成される。この密閉空間１２ａ内において、基板Ｗに対するベベル処理が実行可能となっている。つまり、下密閉カップ部材６１が下限位置に位置決めされることで、密閉空間１２ａが密閉空間１２ａの外側空間１２ｂから分離される（雰囲気分離）。したがって、外側雰囲気の影響を受けることなく、ベベル処理を安定して行うことができる。また、ベベル処理を行うために処理液を用いるが、処理液が密閉空間１２ａから外側空間１２ｂに漏れるのを確実に防止することができる。よって、外側空間１２ｂに配置する部品の選定・設計の自由度が高くなる。

下密閉カップ部材６１は鉛直上方に移動可能に構成される。また、鉛直方向Ｚにおける下密閉カップ部材６１の中間部には、上記したように、ノズル移動部５４のヘッド支持部材５４７を介してノズルヘッド５６（＝上面ノズル５１Ｆ＋ノズルホルダ５３）が固定される。また、これ以外にも、図３および図５に示すように、梁部材４９を介して上面保護加熱機構４が下密閉カップ部材６１の中間部に固定される。つまり、図５に示すように、下密閉カップ部材６１は、周方向において互いに異なる３箇所で梁部材４９の一方端部、梁部材４９の他方端部およびヘッド支持部材５４７とそれぞれ接続される。そして、昇降機構７が梁部材４９の一方端部、梁部材４９の他方端部およびヘッド支持部材５４７を昇降させることで、それに伴って下密閉カップ部材６１も昇降する。

この下密閉カップ部材６１の内周面では、図３および図５に示すように、内側に向けて突起部６１３が上カップ３３と係合可能な係合部位として複数本（４本）突設される。各突起部６１３は上カップ３３の上円環部位３３２の下方空間まで延設される。また、各突起部６１３は、下密閉カップ部材６１が下限位置に位置決めされた状態で上カップ３３の上円環部位３３２から下方に離れるように取り付けられている。そして、下密閉カップ部材６１の上昇によって各突起部６１３が下方から上円環部位３３２に係合可能となっている。この係合後においても、下密閉カップ部材６１がさらに上昇することで上カップ３３を下カップ３２から離脱させることが可能となっている。

本実施形態では、昇降機構７により下密閉カップ部材６１が上面保護加熱機構４およびノズルヘッド５６とともに上昇し始めた後で、上カップ３３も一緒に上昇する。これによって、上カップ３３、上面保護加熱機構４およびノズルヘッド５６がスピンチャック２１から上方に離れる。下密閉カップ部材６１の退避位置への移動によって、種々の処理を実行するための空間が形成される。当該空間は、例えば基板搬送ロボット１１１のハンドがスピンチャック２１にアクセスするための搬送空間である。そして、当該搬送空間を介してスピンチャック２１への基板Ｗのローディングおよびスピンチャック２１からの基板Ｗのアンローディングが実行可能となっている。また、センタリング機構８によるセンタリング処理や基板観察機構９による観察処理を行う際にも、当該空間が利用される。

このように構成された下密閉カップ部材６１および上密閉カップ部材６２には、それぞれ内側整流部材１４ａおよび外側整流部材１４ｂが取り付けられている。内側整流部材１４ａは、図３および図５に示すように、比較的小径の貫通孔１４ａ１が多数均一に分散して設けられたパンチングプレートで構成されており、下密閉カップ部材６１の上方開口を塞ぐように下密閉カップ部材６１の内周面に取り付けられている。このため、ファンフィルタユニット１３から供給された清浄空気が内側整流部材１４ａにより整流され、密閉空間１２ａに供給される。この内側整流部材１４ａは、下密閉カップ部材６１に取り付けられている。一方、外側整流部材１４ｂは、円環形状のプレート（本発明の「環状プレート」の一例）に貫通孔１４ａ１よりも大きな内径を有する貫通孔６６１が設けられたパンチングプレートで構成されており、下密閉カップ部材６１の外周面と上密閉カップ部材６２の内周面との間に位置しながら上密閉カップ部材６２に取り付けられている。このため、下密閉カップ部材６１と上密閉カップ部材６２との間を通過する清浄空気が外側整流部材１４ｂで整流された後で、例えば図８Ａないし図８Ｄに示すように、下密閉カップ部材６１の外側面に沿って下方に流通する。これによって、飛散防止機構３および雰囲気分離機構６の周囲がエア―カーテンＡＣに取り囲まれる。な
お、エア―カーテンＡＣを構成する清浄空気の流量は、下密閉カップ部材６１が下限位置に位置するときには比較的小さく、逆に下密閉カップ部材６１が下限定位置の鉛直上方、つまり退避位置に移動すると、比較的大きくなる。このような流量変化が生じる理由およびそれによる作用効果については、後で基板処理装置１の動作と関連付けて説明する。

下密閉カップ部材６１の上端部は、外側に折り広げられた円環形状を有するフランジ部６１１を有している。このフランジ部６１１は、鉛直上方からの平面視で、フランジ部６２１と重なり合っている。このため、下密閉カップ部材６１が下降すると、図５中の部分拡大図に示すように、下密閉カップ部材６１のフランジ部６１１が外側整流部材１４ｂの一部で係止される。これにより、下密閉カップ部材６１は上記下限位置に位置決めされる。

昇降機構７は２つの昇降駆動部７１、７２を有している。昇降駆動部７１では、第１昇降モータ（図示省略）がベース部材１７の第１昇降取付部位１７３（図４）に取り付けられている。第１昇降モータは、制御ユニット１０からの駆動指令に応じて作動して回転力を発生する。この第１昇降モータに対し、２つの昇降部７１２、７１３が連結される。昇降部７１２、７１３は、第１昇降モータから上記回転力を同時に受ける。そして、昇降部７１２は、第１昇降モータの回転量に応じて梁部材４９の一方端部を支持する支持部材４９１を鉛直方向Ｚに昇降させる。また、昇降部７１３は、第１昇降モータの回転量に応じてノズルヘッド５６を支持するヘッド支持部材５４７を鉛直方向Ｚに昇降させる。

昇降駆動部７２では、第２昇降モータ（図示省略）がベース部材１７の第２昇降取付部位１７４（図４）に取り付けられている。第２昇降モータに対し、昇降部７２２が連結される。第２昇降モータは、制御ユニット１０からの駆動指令に応じて作動して回転力を発生し、昇降部７２２に与える。昇降部７２２は、第２昇降モータの回転量に応じて梁部材４９の他方端部を支持する支持部材４９２を鉛直方向Ｚに昇降させる。

昇降駆動部７１、７２は、下密閉カップ部材６１の側面に対し、その周方向において互いに異なる３箇所にそれぞれ固定される支持部材４９１、４９２、５４を同期して鉛直方向Ｚに移動させる。したがって、上面保護加熱機構４、ノズルヘッド５６および下密閉カップ部材６１の昇降を安定して行うことができる。また、下密閉カップ部材６１の昇降に伴って上カップ３３も安定して昇降させることができる。

図９はセンタリング機構の構成および動作を模式的に示す図である。センタリング機構８は、ポンプ２６による吸引を停止している間（つまりスピンベース２１の上面上で基板Ｗが水平移動可能となっている間）に、センタリング処理を実行する。このセンタリング処理により上記偏心が解消され、基板Ｗの中心が回転軸ＡＸと一致する。センタリング機構８は、図５および図９に示すように、第１仮想水平線ＶＬ１に対して４０゜程度傾いた当接移動方向Ｄ２において、回転軸ＡＸに対し、搬送用開口１１ｂ１側（図９の右手側）に配置されたシングル当接部８１と、メンテナンス用開口１１ｄ１側（図９の左手側）に配置されたマルチ当接部８２と、シングル当接部８１およびマルチ当接部８２を当接移動方向Ｄ２に移動させるセンタリング駆動部８３と、を有している。

シングル当接部８１は、当接移動方向Ｄ２と平行に延設された形状を有し、スピンチャック２１側の先端部でスピンチャック２１上の基板Ｗの端面と当接可能に仕上げられている。一方、マルチ当接部８２は、鉛直上方からの平面視で略Ｙ字形状を有し、スピンチャック２１側の二股部位の各先端部でスピンチャック２１上の基板Ｗの端面と当接可能に仕上げられている。これらシングル当接部８１およびマルチ当接部８２は、当接移動方向Ｄ２に移動自在となっている。

センタリング駆動部８３は、シングル当接部８１を当接移動方向Ｄ２に移動させるためのシングル移動部８３１と、マルチ当接部８２を当接移動方向Ｄ２に移動させるためのマルチ移動部８３２と、を有している。シングル移動部８３１はベース部材１７のシングル移動取付部位１７５（図４）に取り付けられ、マルチ移動部８３２はベース部材１７のマルチ移動取付部位１７６（図４）に取り付けられている。基板Ｗのセンタリング処理を実行しない間、センタリング駆動部８３は、図５および図９の（ａ）欄に示すように、シングル当接部８１およびマルチ当接部８２をスピンチャック２１から離間して位置決めする。このため、シングル当接部８１およびマルチ当接部８２は搬送経路ＴＰから離れ、チャンバ１１に対して搬入出される基板Ｗに対してシングル当接部８１およびマルチ当接部８２が干渉するのを効果的に防止することができる。

一方、基板Ｗのセンタリング処理を実行する際には、制御ユニット１０からのセンタリング指令に応じて、シングル移動部８３１がシングル当接部８１を回転軸ＡＸに向けて移動させるとともに、マルチ移動部８３２がマルチ当接部８２を回転軸ＡＸに向けて移動させる。これにより、図９の（ｂ）欄に示すように、基板Ｗの中心が回転軸ＡＸと一致する。

図１０は基板観察機構の観察ヘッドを示す斜視図である。図１１は図１０に示す観察ヘッドの分解組立斜視図である。基板観察機構９は、光源部９１と、撮像部９２と、観察ヘッド９３と、観察ヘッド駆動部９４と、有している。光源部９１および撮像部９２は、ベース部材１７の光学部品取付位置１７７（図４）において並設される。光源部９１は、制御ユニット１０からの照明指令に応じて照明光を観察位置に向けて照射する。この観察位置は、基板Ｗの周縁部Ｗｓに対応する位置であり、図１０において観察ヘッド９３が位置決めされる位置に相当する。

観察位置と、観察位置から基板Ｗの径方向外側に離れた離間位置との間を、観察ヘッド９３は往復移動可能となっている。当該観察ヘッド９３に対し、観察ヘッド駆動部９４が接続される。観察ヘッド駆動部９４はベース部材１７のヘッド駆動位置１７８（図４）でベース部材１７に取り付けられている。そして、制御ユニット１０からのヘッド移動指令に応じて観察ヘッド駆動部９４は、第１仮想水平線ＶＬ１に対して１０゜程度傾いたヘッド移動方向Ｄ３に観察ヘッド９３を往復移動させる。より具体的には、基板Ｗの観察処理を実行しない間、観察ヘッド駆動部９４は観察ヘッド９３を退避位置に移動して位置決めしている。このため、観察ヘッド９３は搬送経路ＴＰから離れ、チャンバ１１に対して搬入出される基板Ｗに対して観察ヘッド９３が干渉するのを効果的に防止することができる。一方、基板Ｗの観察処理を実行する際には、制御ユニット１０からの基板観察指令に応じて、観察ヘッド駆動部９４が観察ヘッド９３を観察位置に移動させる。

この観察ヘッド９３は、図１０および図１１に示すように、５つの拡散面９３１ａ～９３１ｄを有する拡散照明部９３１と、３枚のミラー部材９３２ａ～９３２ｃで構成されるガイド部９３２と、保持部９３３と、を有している。

保持部９３３は、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン：polyetheretherketone）で構成されており、図１０および図１１に示すように、基板Ｗ側の端部に切欠部９３３１が設けられている。切欠部９３３１の鉛直方向Ｚサイズは基板Ｗの厚みよりも幅広であり、図１０に示すように、観察ヘッド９３が観察位置に位置決めされると、切欠部９３３１が基板Ｗの周縁部Ｗｓおよび周縁部Ｗｓからさらに径方向内側に入った領域まで入り込む。また、保持部９３３は拡散照明部９３１と相互に嵌合可能な形状に仕上げられている。しかも、保持部９３３は、ミラー部材９３２ａ～９３２ｃを裏面側からそれぞれ支持するミラー支持部９３３ａ～９３３ｃを有している。このため、拡散照明部９３１と保持部９３３とは、相互に嵌合されることで、ミラー部材９３２ａ～９３２ｃを保持しながら一体化される。

拡散照明部９３１は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン：polytetrafluoroethylene）で構成される。拡散照明部９３１は、図１０および図１１に示すように、水平方向に延設されたプレート形状を有しており、保持部９３３と同様に、基板Ｗ側の端部に切欠部９３１１が形成される。この切欠部９３１１は、図１０に示すように、基板Ｗの周方向から見て逆Ｃ字形状を有している。また、拡散照明部９３１では、切欠部９３１１に沿って傾斜面が設けられている。傾斜面は切欠部９３１１に近づくにしたがって照明光が進む方向（方向Ｄ３と直交する水平方向）に傾斜するように仕上げられたテーパー面である。特に、このテーパー面のうち切欠部９３１１の鉛直上方領域、側方領域および鉛直下方領域がそれぞれ拡散面９３１ａ～９３１ｃとして機能する。また、切欠部９３１１において、ミラー部材９３２ａ、９３２ｃの回転軸ＡＸ側に位置する領域がそれぞれ拡散面９３１ｄ、９３１ｅとして機能する。

このように構成された観察ヘッド９３が観察位置に位置決めされると、拡散面９３１ａ～９３１ｅが光源部９１による照明領域（図１０の太破線領域）に位置する。この位置決め状態で制御ユニット１０からの照明指令に光源部９１が点灯すると、照明光が照明領域に照射される。このとき、拡散面９３１ａ～９３１ｅが照明光を拡散反射させ、基板Ｗの周縁部Ｗｓおよびその隣接領域を種々の方向から照明する。ここで、照明光のうち周縁部Ｗｓを含む基板Ｗの上面に向う上面拡散光の一部は周縁部Ｗｓの上面および周縁部Ｗｓの隣接領域（周縁部Ｗｓに対して径方向内側に隣接する上面領域）で反射される。この反射光はミラー部材９３２ａの反射面で反射された後で、撮像部９２に導光される。また、照明光のうち周縁部Ｗｓを含む基板Ｗの下面に向う下面拡散光の一部は周縁部Ｗｓの下面および周縁部Ｗｓの隣接領域（周縁部Ｗｓに対して径方向内側に隣接する下面領域）で反射される。この反射光はミラー部材９３２ｃの反射面で反射された後で、撮像部９２に導光される。照明光のうち基板Ｗの側面（端面）Ｗｓｅに向う側面拡散光の一部は基板Ｗの側面Ｗｓｅで反射される。この反射光はミラー部材６２ｂの反射面で反射された後で、撮像部９２に導光される。

撮像部９２は、物体側テレセントリックレンズで構成される観察レンズ系と、ＣＭＯＳカメラとを有している。したがって、観察ヘッド９３から導光される反射光のうち観察レンズ系の光軸に平行な光線のみがＣＭＯＳカメラのセンサ面に入射され、基板Ｗの周縁部Ｗｓおよび隣接領域の像がセンサ面上に結像される。こうして撮像部９２は基板Ｗの周縁部Ｗｓおよび隣接領域を撮像し、基板Ｗの上面画像、側面画像および下面画像を取得する。そして、その画像を示す画像データを撮像部９２は制御ユニット１０に送信する。

制御ユニット１０は、図３に示すように、演算処理部１０Ａ、記憶部１０Ｂ、読取部１０Ｃ、画像処理部１０Ｄ、駆動制御部１０Ｅ、通信部１０Ｆおよび排気制御部１０Ｇを有している。記憶部１０Ｂは、ハードディスクドライブなどで構成されており、上記基板処理装置１によりベベル処理を実行するためのプログラムを記憶している。当該プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭ（例えば、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等）に記憶されており、読取部１０Ｃにより記録媒体ＲＭから読み出され、記憶部１０Ｂに保存される。また、当該プログラムの提供は、記録媒体ＲＭに限定されるものではなく、例えば当該プログラムが電気通信回線を介して提供されるように構成してもよい。画像処理部１０Ｄは、基板観察機構９により撮像された画像に種々の処理を施す。駆動制御部１０Ｅは、基板処理装置１の各駆動部を制御する。通信部１０Ｆは、基板処理システム１００の各部を統合して制御する制御部などと通信を行う。排気制御部１０Ｇは、カップ排気流量とチャンバ排気流量との比率を調整するダンパ３８３と、排気装置１３０との接続／接続停止を切り替える開閉バルブ３８４とを制御する。

また、制御ユニット１０には、各種情報を表示する表示部１０Ｈ（例えばディスプレイなど）や操作者からの入力を受け付ける入力部１０Ｊ（例えば、キーボードおよびマウスなど）が接続される。

演算処理部１０Ａは、ＣＰＵ（= Central Processing Unit）やＲＡＭ（=Random
Access Memory）等を有するコンピュータにより構成されており、記憶部１０Ｂに記憶されるプログラムにしたがって基板処理装置１の各部を以下のように制御し、ベベル処理を実行する。以下、図１２を参照しつつ基板処理装置１によるベベル処理について説明する。

図１２は図３に示す基板処理装置により基板処理動作の一例として実行されるベベル処理を示すフローチャートである。また、図１３は基板処理動作の各ステータスにおける装置各部の状態を示す図である。以下、図８Ａないし図８Ｄ、図１２および図１３を適宜参照しつつ本発明の「基板処理方法」の一例であるベベル処理の内容について説明する。

基板処理装置１により基板Ｗにベベル処理を施す際には、演算処理部１０Ａは、センタリング駆動部８３によりシングル移動部８３１およびマルチ当接部８２をスピンチャック２１から離れた退避位置に移動させるとともに、観察ヘッド駆動部９４により観察ヘッド９３をスピンチャック２１から離れた待機位置に移動させる。これにより、図５に示すように、スピンチャック２１の周囲に配置される構成要素のうちノズルヘッド５６、光源部９１、撮像部９２、モータ２３およびマルチ当接部８２は、第１仮想水平線ＶＬ１よりもメンテナンス用開口１１ｄ１側（同図の下側）に位置する。また、シングル移動部８３１および観察ヘッド９３は、第１仮想水平線ＶＬ１よりも搬送用開口１１ｂ１側に位置しているが、搬送経路ＴＰに沿った基板Ｗの移動領域から外れている。これにより、スピンチャック２１に対する基板Ｗの搬入出時に、基板Ｗとの干渉を確実の回避することができる。

そして、演算処理部１０Ａは、基板処理装置１の各部を図８Ａに示すベベル処理に適した状態（図１３中のステータスＡ）から図８Ｂに示すシャッター１５を開いた状態（図１３中のステータスＢ）に移行させる。具体的には、下密閉カップ部材６１が下限位置に位置決めされることで雰囲気分離が行われるとともに、蓋部材１９が側壁１１ｄに取り付けられることでメンテナンス用開口１１ｄ１が塞がれたまま、演算処理部１０Ａはシャッター１５を開く。このとき、開成された搬送用開口１１ｂ１を介してチャンバ１１内に異物が流入するかも知れない。しかしながら、処理空間ＳＰｃは雰囲気分離されているため、処理空間ＳＰｃへの異物流入は発生しない。また、本実施形態では、ステータスＡ、Ｂにおいて、ダンパ３８３は、例えば（カップ排気流量：チャンバ排気流量＝９：１）となるように、流量調整を行っている。したがって、ファンフィルタユニット１３から供給された清浄空気の大部分は処理空間ＳＰｃに流入する。一方、一部の清浄空気は下密閉カップ部材６１の外側面に沿って下方に流通し、エア―カーテンＡＣを形成する。したがって、チャンバ１１内に流入した異物は、エア―カーテンＡＣを構成する清浄空気の流れによってチャンバ１１から排出される。

このシャッターオープンに続いて、演算処理部１０Ａは、図８Ｃに示すように、梁部材４９、支持部材４３、円板部４２、上カップ３３および下密閉カップ部材６１を一体的に上昇させる。これによって、基板搬送ロボット１１１のハンドがスピンチャック２１にアクセスするための搬送空間が形成される。つまり、基板処理装置１は、基板搬送が可能なステータスＣとなり、基板Ｗのローディング準備が完了する。

ここで、ステータスＣとなった基板処理装置１では、図８Ｃに示すように、雰囲気分離空間の形成が解消されるとともに、下密閉カップ部材６１と一体的に内側整流部材１４ａが上昇する。これによって、内側整流部材１４ａの下方空間と、外側整流部材１４ｂの下方空間とで差圧が生じる。その結果、同図中の太線矢印で示すように、外側整流部材１４ｂから下密閉カップ部材６１の外側面に沿って下方に流通する清浄空気の流量（本発明の「外側流量」に相当）が増加する。つまり、エア―カーテンＡＣによる処理空間ＳＰｃへの異物の流入抑制効果が高まる。その結果、雰囲気分離空間の形成が解消されているにも関わらず、処理空間ＳＰｃへの異物侵入を効果的に抑制することができる。なお、本実施形態では、上記のように外側整流部材１４ｂから鉛直下方に供給される清浄空気の流量が増加する一方で、内側整流部材１４ａから鉛直下方に供給される清浄空気の流量（本発明の「内側流量」に相当）が減少することに対応し、ダンパ３８３による流量調整を変更している。ダンパ３８３は、例えば（カップ排気流量：チャンバ排気流量＝３：７）となるように、流量調整を行っている。したがって、排気装置１３０に送られる排気総量（＝カップ排気流量＋チャンバ排気流量）が大きく変動するのを防止することができる。このため、次のような作用効果が得られる。すなわち、当該基板処理装置１は、共通配管１３１により他の基板処理装置１と並列的に接続されている。したがって、当該基板処理装置１からの排気総量が大きく変動すると、残りの基板処理装置１に対して悪影響を及ぼし、残りの基板処理装置１での基板処理が不安定になる可能性がある。しかしながら、本実施形態では、上記比率をステータスに応じて切り替えているため、排気総量の変動を抑制しているため、他の基板処理装置１への悪影響は発生せず、安定した基板処理を行うことができる。

このように処理空間ＳＰｃへの異物流入をエアカーテンＡＣにより防止しながら、スピンチャック２１の上方に基板搬送ロボット１１１のハンド（図示省略）が進入するのに十分な搬送空間が形成されると、演算処理部１０Ａは、通信部１０Ｆを介して基板搬送ロボット１１１に基板Ｗのローディングリスエストを行い、図５に示す搬送経路ＴＰに沿って未処理の基板Ｗが基板処理装置１に搬入されてスピンチャック２１の上面に載置されるのを待つ。そして、スピンチャック２１上に基板Ｗが載置される（ステップＳ１）。なお、この時点では、ポンプ２６は停止しており、スピンチャック２１の上面上で基板Ｗは水平移動可能となっている。

基板Ｗのローディングが完了すると、基板搬送ロボット１１１が搬送経路ＴＰに沿って基板処理装置１から退避する。それに続いて、図８Ｄに示すように、演算処理部１０Ａは、梁部材４９、支持部材４３、円板部４２、上カップ３３および下密閉カップ部材６１を一体的に退避位置に位置させたまま、シャッター１５を閉じる（図１３中のステータスＤ）。こうして、センタリング処理の準備が完了すると、演算処理部１０Ａはシングル移動部８３１およびマルチ当接部８２をスピンチャック２１上の基板Ｗに近接するように、センタリング駆動部８３を制御する。これによりスピンチャック２１に対する基板Ｗの偏心が解消され、基板Ｗの中心がスピンチャック２１の中心と一致する（ステップＳ２）。こうしてセンタリング処理が完了すると、演算処理部１０Ａは、シングル移動部８３１およびマルチ当接部８２が基板Ｗから離間するようにセンタリング駆動部８３を制御するとともに、ポンプ２６を作動させて負圧をスピンチャック２１に付与する。これにより、スピンチャック２１は基板Ｗを下方から吸着保持する。

次に、演算処理部１０Ａは、昇降駆動部７１、７２に下降指令を与える。これに応じて、昇降駆動部７１、７２が下密閉カップ部材６１、ノズルヘッド５６、梁部材４９、支持部材４３および円板部４２を一体的に下降させる。この下降途中で、下密閉カップ部材６１の突起部６１３により下方から支持される上カップ３３が下カップ３２に連結される。これによって、回転カップ部３１（＝上カップ３３と下カップ３２の連結体）が形成される。

回転カップ部３１の形成後に、下密閉カップ部材６１、ノズルヘッド５６、梁部材４９、支持部材４３および円板部４２が一体的にさらに下降し、下密閉カップ部材６１のフランジ部６１１、６１２がそれぞれ外側整流部材１４ｂおよび固定カップ部３４で係止される。これにより、下密閉カップ部材６１が下限位置（図３の位置）に位置決めされる（ステップＳ３）。これによって、図８Ａに示すように、鉛直方向Ｚにおいて下密閉カップ部材６１と固定カップ部３４が繋がり、上密閉カップ部材６２、下密閉カップ部材６１および固定カップ部３４により密閉空間１２ａが形成され、密閉空間１２ａが外側雰囲気（外側空間１２ｂ）から分離される。このように基板処理装置１はステータスＤからステータスＡに移行し、図８Ａに示すように、ベベル処理に適した雰囲気分離状態に戻される。

この雰囲気分離状態で、円板部４２の下面が基板Ｗの上面Ｗｆのうち周縁部Ｗｓを除く表面領域を上方から覆っている。また、上面ノズル５１Ｆが、円板部４２の切欠部４４内で吐出口５１１を基板Ｗの上面Ｗｆの周縁部に向けた姿勢で位置決めされる。こうして基板Ｗへの処理液の供給準備が完了すると、演算処理部１０Ａは、モータ２３に回転指令を与え、基板Ｗを保持するスピンチャック２１および回転カップ部３１の回転を開始する（ステップＳ４）。基板Ｗおよび回転カップ部３１の回転速度は、例えば１８００回転／分に設定される。また、演算処理部１０Ａはヒータ駆動部４２２を駆動制御してヒータ４２１を所望温度、例えば１８５℃まで昇温させる。

次に、演算処理部１０Ａは、加熱ガス供給部４７に加熱ガス供給指令を与える。これにより、ヒータ４７１により加熱された窒素ガス、つまり加熱ガスが加熱ガス供給部４７から中央ノズル４５に向けて圧送される（ステップＳ５）。この加熱ガスは、配管４６を通過する間、リボンヒータ（図示省略）により加熱される。これにより、加熱ガスは、配管４６を介したガス供給中における温度低下を防止しながら、中央ノズル４５から基板Ｗと円板部４２とで挟まれた処理空間ＳＰｃに向けて吐出される。これにより、基板Ｗの上面Ｗｆが全面的に加熱される。また、基板Ｗの加熱はヒータ４２１によっても行われる。このため、時間の経過によって基板Ｗの周縁部Ｗｓの温度が上昇し、ベベル処理に適した温度、例えば９０℃に達する。また、周縁部Ｗｓ以外の温度も、ほぼ等しい温度にまで上昇する。すなわち、本実施形態では、基板Ｗの上面Ｗｆの面内温度は、ほぼ均一である。したがって、基板Ｗが反るのを効果的に抑制することができる。

これに続いて、演算処理部１０Ａは、処理液供給部５２を制御して上面ノズル５１Ｆおよび下面ノズル５１Ｂに処理液を供給する。つまり、上面ノズル５１Ｆから基板Ｗの上面周縁部に当たるように処理液の液流が吐出されるとともに、下面ノズル５１Ｂから基板Ｗの下面周縁部に当たるように処理液の液流が吐出される。これによって、基板Ｗの周縁部Ｗｓに対するベベル処理が実行される（ステップＳ６）。そして、演算処理部１０Ａは、基板Ｗのベベル処理に要する処理時間の経過などを検出すると、処理液供給部５２に供給停止指令を与え、処理液の吐出を停止する。

それに続いて、演算処理部１０Ａは、加熱ガス供給部４７に供給停止指令を与え、加熱ガス供給部４７から中央ノズル４５に向けて窒素ガスの供給を停止する（ステップＳ７）。また、演算処理部１０Ａは、モータ２３に回転停止指令を与え、スピンチャック２１および回転カップ部３１の回転を停止させる（ステップＳ８）。

次のステップＳ９で、演算処理部１０Ａは基板Ｗの周縁部Ｗｓを観察してベベル処理の結果を検査する。より具体的には、演算処理部１０Ａは、基板処理装置１がステータスＤの状態となるように、装置各部を制御する。それに続いて、演算処理部１０Ａは、観察ヘッド駆動部９４を制御して観察ヘッド９３を基板Ｗに近接させる。そして、演算処理部１０Ａは、光源部９１を点灯させることで観察ヘッド９３を介して基板Ｗの周縁部Ｗｓを照明する。また、周縁部Ｗｓおよび隣接領域で反射された反射光を撮像部９２が受光して周縁部Ｗｓおよび隣接領域を撮像する。つまり、基板Ｗが回転軸ＡＸまわりに回転している間に撮像部９２が取得した複数の周縁部Ｗｓの像から基板Ｗの回転方向に沿った周縁部Ｗｓの周縁部画像を取得する。すると、演算処理部１０Ａは、観察ヘッド駆動部９４を制御して観察ヘッド９３を基板Ｗから退避させる。これと並行して、演算処理部１０Ａは、撮像された周縁部Ｗｓおよび隣接領域の画像、つまり周縁部画像に基づき、演算処理部１０Ａは、ベベル処理が良好に行われたか否かを検査する。なお、本実施形態では、その検査の一例として、周縁部画像から基板Ｗの端面から基板Ｗの中央部に向かって処理液により処理された処理幅を検査している（処理後検査）。

検査後、演算処理部１０Ａは、図８Ｃに示すように、シャッター１５を開き、基板処理装置１をステータスＤからステータスＣに移行させる。また、演算処理部１０Ａは、通信部１０Ｆを介して基板搬送ロボット１１１に基板Ｗのアンローディングリスエストを行い、処理済の基板Ｗが基板処理装置１から搬出される（ステップＳ１０）。なお、これら一連の工程は繰り返して実行される。

以上のように、本実施形態では、下密閉カップ部材６１の下限位置への位置決めによって、図８Ａに示すように、下密閉カップ部材６１および上密閉カップ部材６２により雰囲気分離空間を形成し、処理空間ＳＰｃを周囲から雰囲気分離する。したがって、ベベル処理中に異物が処理空間ＳＰｃに流入してくるのを効果的に防止することができる。また、基板搬送、センタリング処理および観察処理などを行う際には、下密閉カップ部材６１の上昇に伴って雰囲気分離空間の形成が解消されるが、図８Ｂないし図８Ｄに示すように、下密閉カップ部材６１と一体的に内側整流部材１４ａが上昇することで発生する差圧に応じて外側整流部材１４ｂを介して外側空間１２ｂに流出する清浄空気の流量が増加する。これにより、処理空間ＳＰｃを取り囲むように形成されるエアカーテンＡＣを構成する清浄空気の流量も増加し、エアカーテンＡＣのバリア性能が向上する。その結果、当該エアカーテンＡＣにより、処理空間ＳＰｃへの異物の流入を効果的に抑制することができる。

また、本実施形態では、図８Ｂおよび図８Ｃに示すように、シャッター１５の開成が完了するまで雰囲気分離空間を形成しているため、雰囲気分離空間の形成が解消される時間を短縮することができる。その結果、処理空間ＳＰｃへの異物の流入をより効果的に抑制することができる。

また、本実施形態では、下密閉カップ部材６１と一体的に内側整流部材１４ａが上昇することでファンフィルタユニット１３から供給された清浄空気のうち外側整流部材１４ｂに流れる清浄空気の割合を高め、エアカーテンＡＣのバリア性能を向上させている。したがって、基板Ｗの搬入出時、センタリング処理、観察処理やメンテナンス処理などにおいて、エアカーテンＡＣを強化するための専用の駆動機構を設ける必要がなく、省エネルギーで処理空間ＳＰｃへの異物の流入を抑制することができる。また、エアカーテンＡＣの強化のためにファンフィルタユニット１３からの清浄空気の供給量を高める必要がなく、清浄空気の消費量を抑えることができるとともに、ファンフィルタユニット１３の長寿命化を図ることができる。

また、本実施形態では、チャンバ１１の上方からの平面視で飛散防止機構３および雰囲気分離機構６が円形形状を有していることから、ファンフィルタユニット１３の清浄空気を吹き出す気体吹出口（図示省略）が、雰囲気分離機構６側から見た平面視で円形に仕上げられている。また、気体吹出口の中心が回転軸ＡＸとほぼ一致するように配置される。したがって、雰囲気分離空間に対して清浄空気が均一に供給されるとともに、エアカーテンＡＣを構成する清浄空気の流量も水平面内で均一となり、いずれの水平方向から移動してくる異物についても、処理空間ＳＰｃへの流入がエアカーテンＡＣにより阻止される。その結果、異物の流入抑制を安定的に行うことができる。

また、本実施形態では、下密閉カップ部材６１と一体的に内側整流部材１４ａが昇降することで密閉空間１２ａに流れ込む清浄空気の流量と、外側空間１２ｂに流れ込む清浄空気の流量とが変動するが、当該変動に応じてダンパ３８３がカップ排気流量とチャンバ排気流量との比率を調整している。したがって、基板処理装置１では、下密閉カップ部材６１の昇降に応じて雰囲気分離空間の形成と形成解消とが切り替えられるものの、排気総量を一定量に維持することができる。特に、基板処理システム１００では、複数の基板処理装置１が共通配管１３１により並列的に接続されているため、一の基板処理装置１での排気総量の変動が他の基板処理装置１に悪影響を及ぼすという問題は発生せず、各基板処理装置１でベベル処理を安定して行うことができる。

また、基板処理装置１毎に開閉バルブ３８４が設けられ、例えば次に説明するようにメンテナンス処理を行う際には開閉バルブ３８４を閉成することで、他の基板処理装置１から切り離すことができる。したがって、一の基板処理装置１でのメンテナンス処理と、他の基板処理装置１でのベベル処理とを安定的に並行して実施することが可能となっている。

ところで、上記基板処理装置１は、ベベル処理（基板処理）において４種類のステータスＡ～Ｄを準備しているが、図１４に示すように、メンテナンス処理の内容に応じて３種類のステータスを準備している。

図１４はメンテナンス処理の各ステータスにおける装置各部の状態を示す図である。図１５Ａは第１のメンテナンス処理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。図１５Ｂは第２のメンテナンス処理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。図１５Ｃは第３のメンテナンス処理時における装置各部のステータスを模式的に示す図である。なお、メンテナンス処理を行う際には、図１５Ａないし図１５Ｃに示すように、開閉バルブ３８４は閉成され、他の基板処理装置１および排気装置１３０の接続は遮断される。また、接続遮断状態で、オペレータが蓋部材１９をチャンバ１１から取り外してメンテナンス用開口１１ｄ１を開放する。

一方、第１のメンテナンス処理を実行する際には、図１４および図１５Ａに示すように、演算処理部１０Ａは、シャッター１５を開くとともに、下密閉カップ部材６１を退避位置に位置決めする。したがって、オペレータは、搬送用開口１１ｂ１およびメンテナンス用開口１１ｄ１のいずれからも内部空間１２にアクセスすることができる。しかも、下密閉カップ部材６１、ノズルヘッド５６、梁部材４９、支持部材４３および円板部４２が一体的に退避位置に位置決めされている。したがって、オペレータは処理空間ＳＰｃにもアクセスすることが可能となっている。このステータスＥの状態では、搬送用開口１１ｂ１およびメンテナンス用開口１１ｄ１が開放されているため、これらを介して異物が流入してくる可能性はある。しかしながら、ステータスＣ、Ｄと同様に、エアカーテンＡＣを構成する清浄空気の流量が増加し、エアカーテンＡＣのバリア性能が向上する。その結果、当該エアカーテンＡＣにより、処理空間ＳＰｃへの異物の流入を効果的に抑制することができる。

第２のメンテナンス処理を実行する際には、図１４および図１５Ｂに示すように、演算処理部１０Ａは、シャッター１５を開くとともに、下密閉カップ部材６１を下限位置に位置決めする。したがって、雰囲気分離空間が形成されており、処理空間ＳＰｃへのアクセスは不可であるが、オペレータは、搬送用開口１１ｂ１およびメンテナンス用開口１１ｄ１のいずれからも内部空間１２にアクセスすることができる。このステータスＦの状態では、ステータスＡ、Ｂと同様に、処理空間ＳＰｃは雰囲気分離されている。したがって、搬送用開口１１ｂ１およびメンテナンス用開口１１ｄ１が開放されているため、これらを介して異物が流入してくる可能性はあるが、上記雰囲気分離により、処理空間ＳＰｃへの異物流入は抑制される。

第３のメンテナンス処理を実行する際には、図１４および図１５Ｃに示すように、演算処理部１０Ａは、シャッター１５を閉じるとともに、下密閉カップ部材６１を退避位置に位置決めする。したがって、オペレータは、メンテナンス用開口１１ｄ１から内部空間１２にアクセスすることができる。しかも、下密閉カップ部材６１、ノズルヘッド５６、梁部材４９、支持部材４３および円板部４２が一体的に退避位置に位置決めされている。したがって、オペレータはメンテナンス用開口１１ｄ１側から処理空間ＳＰｃにもアクセスすることが可能となっている。このステータスＧの状態では、第１のメンテナンス処理時と同様に、エアカーテンＡＣを構成する清浄空気の流量が増加し、エアカーテンＡＣのバリア性能が向上する。その結果、当該エアカーテンＡＣにより、処理空間ＳＰｃへの異物の流入を効果的に抑制することができる。

上記したように、上記実施形態では、開口１１ｆ１、搬送用開口１１ｂ１およびメンテナンス用開口１１ｄ１がそれぞれ本発明の「第１開口」、「第２開口」および「第３開口」の一例に相当している。ファンフィルタユニット１３が本発明の「気体供給部」の一例に相当している。上密閉カップ部材６２および下密閉カップ部材６１がそれぞれ本発明の「上密閉部材」および「下密閉部材」の一例に相当している。清浄空気が本発明の「気体」の一例に相当している。カップ排気流量とチャンバ排気流量がそれぞれ本発明の「第１排気流量」および「第２排気流量」の一例に相当している。ダンパ３８３が本発明の「排気流量調整部」の一例に相当している。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したものに対して種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態では、基板処理装置１では、ベース部材１７の上面に基板処理部ＳＰが設置されるという高床構造を有する基板処理装置に対して本発明を適用している。また、上記実施形態では、回転カップ部３１を有する基板処理装置に対して本発明を適用している。また、上記実施形態では、上面保護加熱機構４、雰囲気分離機構６、センタリング機構８および基板観察機構９を有する基板処理装置に対して本発明を適用している。しかしながら、例えば特許文献１に記載されているように、これらの構成を有さない基板処理装置、つまりチャンバ１１の内部空間１２で基板Ｗに処理液を供給して基板処理を基板Ｗに施す基板処理装置全般に対して本発明を適用することができる。

また、上記実施形態では、複数の基板処理装置１を１台の排気装置１３０で排気しているが、基板処理装置１毎に排気部を設けるように構成してもよい。

また、上記実施形態では、内側整流部材１４ａおよび外側整流部材１４ｂをパンチングプレートにより構成しているが、その他のタイプ、例えばルーバータイプの整流部材を用いてもよい。

この発明は、基板に処理液を供給して当該基板を処理する基板処理技術全般に適用することができる。

１…基板処理装置
２Ａ…基板保持部
２Ｂ…回転機構
３…飛散防止機構
５…処理機構
６…雰囲気分離機構
７…昇降機構
８…センタリング機構
９…基板観察機構
１０…制御ユニット
１０Ａ…演算処理部
１０Ｇ…排気制御部
１１…チャンバ
１１ｂ１…搬送用開口（第２開口）
１１ｄ１…メンテナンス用開口（第２開口）
１１ｆ１…（第１）開口
１２…内部空間
１２ａ…密閉空間
１２ｂ…外側空間
１３…ファンフィルタユニット（気体供給部）
１４ａ…内側整流部材
１４ｂ…外側整流部材
１５…シャッター
１９…蓋部材
２１…スピンチャック
６１…下密閉カップ部材（下密閉部材）
６２…上密閉カップ部材（上密閉部材）
１００…基板処理システム
１３０…排気装置
３８３…ダンパ（排気流量調整部）
ＡＣ…エアカーテン
ＡＸ…回転軸
ＳＰｃ…処理空間
Ｚ…鉛直方向

Claims (12)

1. 内部空間を有するチャンバと、
   前記内部空間内で基板を略水平に保持しながら鉛直方向に延びる回転軸まわりに回転可能に設けられる基板保持部と、
   前記基板保持部を前記回転軸まわりに回転させる回転機構と、
   前記回転機構により回転される前記基板保持部に保持された前記基板に処理液を供給することで前記基板に基板処理を施す処理機構と、
   前記基板の外周を囲みながら前記基板保持部の回転に伴い前記基板から飛散する前記処理液を捕集して排出する飛散防止機構と、
   前記チャンバの天井壁に設けられた第１開口から前記内部空間に気体を供給する気体供給部と、
   前記内部空間側から前記第１開口全体を取り囲むように前記天井壁に取り付けられた筒状の上密閉部材と、その外周面を鉛直方向において前記上密閉部材の内周面と重複させながら鉛直方向に移動可能に設けられた筒状の下密閉部材と、を有し、前記飛散防止機構により囲まれた処理空間から前記第１開口の中央部に向かう空間を前記下密閉部材および前記上密閉部材で取り囲んで周囲から分離した雰囲気分離空間を形成可能に構成される雰囲気分離機構と、
   前記上密閉部材と前記下密閉部材との間を通過する気体を整流して前記下密閉部材の外側面に沿って下方に流通させるように、前記上密閉部材に取り付けられた外側整流部材と、
   前記下密閉部材の内側を通過する気体を整流して前記処理空間に流通させるように、前記下密閉部材と一体的に昇降自在に設けられた内側整流部材と、
   前記下密閉部材を昇降させる昇降機構と、
   鉛直方向において前記下密閉部材を所定の下限位置まで下降させることで前記雰囲気分離空間を形成する一方、前記下限位置よりも鉛直上方の退避位置に前記下密閉部材を上昇させることで前記処理空間へのアクセスが可能となるとともに前記下密閉部材の外側面に沿って下方に流通する気体の流量が増大するように、前記昇降機構を制御する制御ユニットと、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記内側整流部材を介して前記処理空間に向って流通する気体の単位時間当たりの流量を内側流量とし、前記外側整流部材を介して前記下密閉部材の外側面に沿って流通する気体の単位時間当たりの流量を外側流量としたとき、
   前記下密閉部材が前記下限位置に位置したときに前記内側流量が前記外側流量よりも多くなるように、前記内側整流部材および前記外側整流部材は仕上げられている、基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記外側整流部材は、前記下密閉部材を取り囲む環状プレートに複数の外側貫通孔を設けたパンチングプレートであり、
   前記内側整流部材は、前記下密閉部材に取り囲まれたプレートに前記外側貫通孔よりも小径で、かつ前記外側貫通孔の個数よりも多い内側貫通孔を設けたパンチングプレートである、基板処理装置。
4. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記チャンバの側壁に設けられた第２開口を開閉するシャッターを備え、
   前記制御ユニットは、
   前記第２開口を介して前記基板保持部に対する前記基板の搬入または搬出を行うために、前記シャッターによる前記第２開口の開成が完了するまで前記下密閉部材が前記下限位置に位置する一方、前記第２開口の開成の完了後に前記下密閉部材が前記退避位置に移動するように、前記シャッターを制御する、基板処理装置。
5. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   水平方向において移動自在に前記基板保持部に載置された前記基板に対して当接部を当接することで前記基板の中心を前記回転軸に一致させるセンタリング処理を実行するセンタリング機構を備え、
   前記制御ユニットは、前記センタリング処理を行うとき、前記退避位置に前記下密閉部材が位置するように、前記昇降機構を制御する、基板処理装置。
6. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記基板保持部に保持された前記基板の周縁部を観察する観察処理を実行する基板観察機構を備え、
   前記制御ユニットは、前記観察処理を行うとき、前記退避位置に前記下密閉部材が位置するように、前記昇降機構を制御する、基板処理装置。
7. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記チャンバの側壁に設けられた第３開口を塞ぐように、前記チャンバの側壁に対して着脱自在な蓋部材を備え、
   前記制御ユニットは、オペレータが前記内部空間にアクセスしてメンテナンス処理を行うために、前記チャンバの側壁から前記蓋部材が取り外されるまで前記下密閉部材が前記下限位置に位置する一方、前記蓋部材の取外完了後に前記下密閉部材が前記退避位置に移動するように、前記昇降機構を制御する、基板処理装置。
8. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記気体供給部は、前記雰囲気分離機構側から鉛直上方を見た平面視で円形の気体吹出口を有する、基板処理装置。
9. 請求項１ないし８のいずか一項に記載の基板処理装置であって、
   前記処理空間を排気するための第１排気配管と、
   前記内部空間のうち前記処理空間以外の空間を排気するための第２排気配管と、
   前記第１排気配管および前記第２排気配管を介して前記内部空間を排気する排気部と、
   前記第１排気配管を介して排気される第１排気流量と、前記第２排気配管を介して排気される第２排気流量との比率を調整可能な排気流量調整部と、を備え、
   前記排気部は単位時間当たりの排気流量を一定に維持しながら、
   前記制御ユニットは、前記下密閉部材が前記下限位置に位置するときには前記第１排気流量の比率が高くなる一方、前記下密閉部材が前記退避位置に位置するときには前記第２排気流量の比率が高くなるように、前記排気流量調整部を制御する、基板処理装置。
10. チャンバの天井壁に設けられた第１開口を介して気体が供給されるチャンバの内部空間において回転する基板の外周を飛散防止機構で囲みながら前記基板に処理液を供給することで前記基板に基板処理を施す基板処理方法であって、
    前記内部空間側から前記第１開口全体を取り囲むように前記天井壁に取り付けられた筒形状を有する上密閉部材の内周面に対して筒形状を有する下密閉部材の外周面を鉛直方向において重複させながら鉛直方向において前記下密閉部材を所定の下限位置まで下降させることで、前記飛散防止機構により囲まれた処理空間から前記第１開口の中央部に向かう空間を取り囲んで周囲から分離した雰囲気分離空間を形成する第１工程と、
    前記下密閉部材を前記下限位置よりも鉛直上方の退避位置に上昇させることで、前記雰囲気分離空間の形成を解消するとともに鉛直方向において前記下密閉部材と前記飛散防止機構との間に隙間を形成する第２工程と、を備え、
    前記第１工程は、前記上密閉部材と前記下密閉部材との間を通過する気体を前記上密閉部材に取り付けられた外側整流部材により整流して前記下密閉部材の外側面に沿って下方に流通させるとともに、前記下密閉部材と一体的に移動自在に設けられた内側整流部材により前記下密閉部材の内側を通過する気体を整流して前記処理空間に流通させる工程を含み、
    前記第２工程は、前記下密閉部材と一体的に前記内側整流部材が上昇することに伴い、前記下密閉部材の外側面に沿って下方に流通する気体の流量を前記第１工程よりも増大させる工程を含む
    ことを特徴とする基板処理方法。
11. 請求項１ないし８のいずか一項に記載の複数の基板処理装置と、
    前記複数の基板処理装置に対して並列に接続されることで、複数の前記内部空間を同時に排気する排気装置と、を備え、
    前記複数の基板処理装置の各々は、
    前記処理空間と前記排気装置とを接続する第１排気配管と、
    前記内部空間のうち前記処理空間以外の空間と前記排気装置とを接続する第２排気配管と、
    前記第１排気配管を介して排気される第１排気流量と、前記第２排気配管を介して排気される第２排気流量との比率を調整可能な排気流量調整部と、を備え、
    前記制御ユニットは、前記下密閉部材が前記下限位置に位置するときには前記第１排気流量の比率を高める一方、前記下密閉部材が前記退避位置に位置するときには前記第２排気流量の比率を高めることで、前記排気装置による前記内部空間からの単位時間当たりの排気流量が一定となるように、前記排気流量調整部を制御することを特徴とする、基板処理システム。
12. 請求項１１に記載の複数の基板処理システムであって、
    前記複数の基板処理装置は鉛直方向に積層して配置され、
    前記排気装置は、鉛直方向において最上位に位置する前記基板処理装置の上方に配置される、基板処理システム。

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