JPWO2011033826A1 - 太陽電池、その製造方法及び太陽電池モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
なお、本発明に関連する先行技術文献としては、下記のものが挙げられる。
また、一方で、酸化アルミニウム膜のパッシベーション性能を最大限高めるためには、400℃程度の熱処理が必要とされている。このため太陽電池の工程はさらに複雑になり、低コスト化の障害になっていた。さらに一般の高温硬化型導電性ペーストは酸化アルミニウム膜を貫通し難いため、電気抵抗が大きくなり太陽電池の特性を制限してしまう。
請求項1:
受光面及び非受光面を有する半導体基板と、該半導体基板に形成されたPN接合部と、上記受光面及び非受光面のいずれか一方又は両方の面に形成されたパッシベーション層と、上記受光面及び非受光面に形成された電力取り出し用電極とを具備する太陽電池であって、上記パッシベーション層が膜厚40nm以下の酸化アルミニウム膜を含むことを特徴とする太陽電池。
請求項2:
前記パッシベーション層が、P型半導体基板の非受光面又はN型半導体基板の受光面に形成されてなる請求項1記載の太陽電池。
請求項3:
パッシベーション層が、酸化アルミニウム膜と、該酸化アルミニウム膜上に形成された他の誘電体膜とを有し、該他の誘電体膜が酸化シリコン、酸化チタン、炭化シリコン又は酸化錫からなる膜である請求項1又は2記載の太陽電池。
請求項4:
前記電極が導電性ペーストを焼成してなる焼結体であって、この焼結体を前記酸化アルミニウム膜を含むパッシベーション層を貫通させることで、前記電極及び基板を電気的に接触させてなる請求項1乃至3のいずれか1項記載の太陽電池。
請求項5:
前記焼結体が、B、Na、Al、K、Ca、Si、V、Zn、Zr、Cd、Sn、Ba、Ta、Tl、Pb及びBiから選ばれる1種又は2種以上の原子を含む酸化物を含有する請求項4記載の太陽電池。
請求項6:
前記酸化アルミニウム膜における内蔵負電荷が前記焼成により増加する請求項4又は5記載の太陽電池。
請求項7:
前記酸化アルミニウム膜が、前記焼結体の貫通により電極直下となる部分が除去されて該電極直下以外の領域の少なくとも一部に存在する請求項4乃至6のいずれか1項記載の太陽電池。
請求項8:
請求項1乃至7のいずれか1項記載の太陽電池を接続してなることを特徴とする太陽電池モジュール。
請求項9:
半導体基板にPN接合を形成する工程と、該半導体基板の受光面及び非受光面のいずれか一方又は両方の面にパッシベーション層を形成する工程と、前記受光面及び非受光面上に電力取り出し用電極を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法であって、前記パッシベーション層として膜厚40nm以下の酸化アルミニウム膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
請求項10:
前記電極を、導電性ペーストを500〜900℃で1秒〜30分間焼成することにより焼結体を形成し、この焼結体を前記パッシベーション層を貫通して形成することにより、前記電極及び基板を電気的に接触させる請求項9記載の太陽電池の製造方法。
請求項11:
前記焼結体が、B、Na、Al、K、Ca、Si、V、Zn、Zr、Cd、Sn、Ba、Ta、Tl、Pb及びBiから選ばれる1種又は2種以上の原子を含む酸化物を含有する請求項10記載の太陽電池の製造方法。
請求項12:
前記酸化アルミニウム膜における内蔵負電荷が前記焼成により増加する請求項10又は11記載の太陽電池の製造方法。
図2及び図3に本発明の太陽電池の一例を示す。半導体基板201(301)の表面のスライスダメージを、濃度5〜60質量%の水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのような高濃度のアルカリ又はふっ酸と硝酸の混酸などを用いてエッチング除去する。半導体基板としては、P型又はN型単結晶シリコン基板、P型又はN型多結晶シリコン基板、P型又はN型薄膜シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。単結晶シリコン基板は、CZ法、FZ法のいずれの方法によって作製されてもよい。例えば、高純度シリコンにB、Ga、InのようなIII族元素をドープし、比抵抗0.1〜5Ω・cmとしたアズカット単結晶{100}P型シリコン基板を用いることができる。
2Al2O3→3(AlO4/2)1-+Al3+
このままでは、膜は電気的に中性であるが、Al3+は酸化アルミニウム膜中に存在する酸素と結合してドナー・アクセプターペアを形成することにより正電荷を消失し、膜は負電荷を持つようになる。
上記の負電荷発生機構は、化学量論組成から外れた、Al1-xOxにおいて任意の定数xの酸化アルミニウム膜や、酸化アルミニウムと水素、炭素、窒素などが混在したその他の系についても同様に適用されると考えられており、即ち負電荷の発生にはAlとOが共存する系において、前記化学式が少なくとも一部のAlとOの間で成立すればよい。
<電極接触抵抗の検討>
酸化アルミニウム膜の膜厚を検討するため、先ずシリコン酸化膜のファイアースルーに従来用いている導電性ペーストを使い、酸化アルミニウム膜に対するファイアースルー性を調べた。ファイアースルー性は電極とシリコン基板間の接触抵抗で評価することができる。
テクスチャ処理を施した厚さ240μm、15cm角のP型シリコンウェハに臭化ホウ素の気相拡散によりB拡散を行なってP+層を形成した。P+層の上に酸化アルミニウム膜をALD法により形成し、その上にシリコン酸化膜をプラズマCVD法で形成した。シリコン酸化膜の膜厚は、酸化アルミニウム膜との合計膜厚が100nmになるように調節した。これらのパッシベーション膜上に市販のファイアースルー型Agペーストを櫛形のパターンで印刷し、RTP(高速熱処理)炉によりピーク温度800℃で3秒間焼成した。作製した試料数は各条件5枚ずつである。
図6は、酸化アルミニウム膜の膜厚に対する接触抵抗の関係を示す。酸化シリコン膜・酸化アルミニウム膜の場合、接触抵抗は酸化アルミニウム膜厚40nm付近で大きく低下し、20nm以下では酸化シリコン膜厚100nm(酸化アルミニウム膜厚=0nm)と同程度の接触抵抗値を得るに至った。この結果から、良好な電気的接触を得るための酸化アルミニウム膜厚は40nm以下、好ましくは30nm以下、特に20nm以下と求められた。
<電極焼成に伴うパッシベーション効果の検討>
次に、酸化アルミニウム膜のパッシベーション効果と膜厚の関係を調べるため、キャリア寿命測定による評価を行った。
酸エッチングで鏡面に仕上げた厚さ200μm、15cm角の0.5Ω・cmP型シリコンウェハ両面に、膜厚の異なる酸化アルミニウム膜をALD法により形成した。さらに、電極焼成熱処理の熱履歴を与えるため、各試料をRTP炉によりピーク温度800℃で3秒間熱処理した。
図7は、熱処理の前後における実効キャリア寿命の測定結果である。実効キャリア寿命とは、シリコンの結晶バルクにおけるキャリア寿命と、シリコン・酸化アルミニウム膜界面におけるキャリア寿命からなる総合的なキャリア寿命であり、単位はマイクロ秒である。図7中、黒四角付き折線は熱処理前の実効キャリア寿命を示し、白四角付き折線は熱処理後の実効キャリア寿命を示す。
基板厚さ250μm、比抵抗1Ω・cmの、ボロンドープ{100}P型アズカットシリコン基板100枚に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりスライスダメージを除去後、水酸化カリウム/2−プロパノール水溶液中に浸漬し、テクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。次に、臭化ホウ素雰囲気下、1000℃で受光面同士を重ねた状態で熱処理し、P+層を形成した。続けて、オキシ塩化リン雰囲気下、850℃で裏面同士を重ねた状態で熱処理し、PN接合を形成した。拡散後、フッ酸にてガラス層を除去し、純水洗浄の後、乾燥させた。以上の処理の後、反射防止膜として厚さ100nmの窒化シリコン膜を、プラズマCVD装置により、受光面全面に成膜した。
次に、全基板の受光面側及び裏面側にAgペーストを櫛形パターンでスクリーン印刷し、乾燥した。この後、800℃の焼成を空気雰囲気下3秒間行い、Ag電極に受光面と裏面両面の誘電体膜を貫通させてシリコン基板と導通させた。太陽電池の裏面に、反射材として厚さ2μmのAl膜を真空蒸着装置で形成した。
実施例1で作製した基板の残り50枚の裏面に、実施例1の基板受光面と同じ製法の窒化シリコン膜を100nm成膜した以外は、実施例1と同様に行った。
基板厚さ250μm、比抵抗1Ω・cmの、リンドープ{100}N型アズカットシリコン基板100枚に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりスライスダメージを除去後、水酸化カリウム/2−プロパノール水溶液中に浸漬し、テクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。次に、臭化ホウ素雰囲気下、1000℃で裏面同士を重ねた状態で熱処理し、PN接合を形成した。続けて、オキシ塩化リン雰囲気下、850℃で受光面同士を重ねた状態で熱処理し、BSF層を形成した。拡散後、フッ酸にてガラス層を除去し、純水洗浄の後、乾燥させた。以上の処理の後、裏面誘電体膜として厚さ100nmの窒化シリコン膜を、プラズマCVD装置により、裏面全面に成膜した。
次に、全基板の受光面側及び裏面側にAgペーストを櫛形パターンでスクリーン印刷し、乾燥した。この後、800℃の焼成を空気雰囲気下3秒間行い、Ag電極に受光面と裏面両面の誘電体膜を貫通させてシリコン基板と導通させた。太陽電池の裏面に、反射材として厚さ2μmのAl膜を真空蒸着装置で形成した。
実施例2で作製した基板の残り50枚の受光面に、実施例2の基板裏面と同じ製法の窒化シリコン膜を100nm成膜した以外は、実施例2と同様に行った。
102,202,302 N層
402,502 P層
103,203,303,403,503 PN接合部
104,105,204,304,404,504 誘電体膜
205,305,405,505 パッシベーション膜
205a,305a,405a,505a 酸化アルミニウム膜
205b,305b,405b,505b 誘電体膜
206,306,406,506 裏面電界(BSF)層
106,207,307,407,507 受光面電極
107,208,308,408,508 裏面電極
Claims (12)
- 受光面及び非受光面を有する半導体基板と、該半導体基板に形成されたPN接合部と、上記受光面及び非受光面のいずれか一方又は両方の面に形成されたパッシベーション層と、上記受光面及び非受光面に形成された電力取り出し用電極とを具備する太陽電池であって、上記パッシベーション層が膜厚40nm以下の酸化アルミニウム膜を含むことを特徴とする太陽電池。
- 前記パッシベーション層が、P型半導体基板の非受光面又はN型半導体基板の受光面に形成されてなる請求項1記載の太陽電池。
- パッシベーション層が、酸化アルミニウム膜と、該酸化アルミニウム膜上に形成された他の誘電体膜とを有し、該他の誘電体膜が酸化シリコン、酸化チタン、炭化シリコン又は酸化錫からなる膜である請求項1又は2記載の太陽電池。
- 前記電極が導電性ペーストを焼成してなる焼結体であって、この焼結体を前記酸化アルミニウム膜を含むパッシベーション層を貫通させることで、前記電極及び基板を電気的に接触させてなる請求項1乃至3のいずれか1項記載の太陽電池。
- 前記焼結体が、B、Na、Al、K、Ca、Si、V、Zn、Zr、Cd、Sn、Ba、Ta、Tl、Pb及びBiから選ばれる1種又は2種以上の原子を含む酸化物を含有する請求項4記載の太陽電池。
- 前記酸化アルミニウム膜における内蔵負電荷が前記焼成により増加する請求項4又は5記載の太陽電池。
- 前記酸化アルミニウム膜が、前記焼結体の貫通により電極直下となる部分が除去されて該電極直下以外の領域の少なくとも一部に存在する請求項4乃至6のいずれか1項記載の太陽電池。
- 請求項1乃至7のいずれか1項記載の太陽電池を接続してなることを特徴とする太陽電池モジュール。
- 半導体基板にPN接合を形成する工程と、該半導体基板の受光面及び非受光面のいずれか一方又は両方の面にパッシベーション層を形成する工程と、前記受光面及び非受光面上に電力取り出し用電極を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法であって、前記パッシベーション層として膜厚40nm以下の酸化アルミニウム膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 前記電極を、導電性ペーストを500〜900℃で1秒〜30分間焼成することにより焼結体を形成し、この焼結体を前記パッシベーション層を貫通して形成することにより、前記電極及び基板を電気的に接触させる請求項9記載の太陽電池の製造方法。
- 前記焼結体が、B、Na、Al、K、Ca、Si、V、Zn、Zr、Cd、Sn、Ba、Ta、Tl、Pb及びBiから選ばれる1種又は2種以上の原子を含む酸化物を含有する請求項10記載の太陽電池の製造方法。
- 前記酸化アルミニウム膜における内蔵負電荷が前記焼成により増加する請求項10又は11記載の太陽電池の製造方法。
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