RU2632266C2 - Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния - Google Patents
Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2632266C2 RU2632266C2 RU2016104107A RU2016104107A RU2632266C2 RU 2632266 C2 RU2632266 C2 RU 2632266C2 RU 2016104107 A RU2016104107 A RU 2016104107A RU 2016104107 A RU2016104107 A RU 2016104107A RU 2632266 C2 RU2632266 C2 RU 2632266C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- silicon
- deposited
- type metal
- metal oxides
- Prior art date
Links
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- -1 V2O7 Chemical compound 0.000 claims abstract description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006388 chemical passivation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению активных слоев солнечных модулей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния. Солнечный модуль на основе кристаллического кремния включает пластину поликристаллического или монокристаллического кремния; пассивирующий слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на каждую сторону пластины кремния; р-слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на верхнюю сторону пассивирующего слоя; n-слой, нанесенный на нижнюю сторону пассивирующего слоя; токосъемные слои, нанесенные на р-слой и n-слой. В качестве n-слоя применяют металлические оксиды n-типа, полученного методом магнетронного распыления или методом атомного наслаивания, или методом газофазного осаждения при пониженном давлении. В качестве металлического оксида n-типа используют оксид цинка (ZnO) или SnО2, Fе2О3, TiΟ2, V2O7, МnO2, CdO и другие металлические оксиды n-типа. Изобретение позволяет повысить производительность процесса производства фотопреобразователей. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению активных слоев солнечных модулей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния.
Уровень техники
Среди возобновляемых источников энергии фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии в настоящее время признано самым перспективным. Дальнейшее развитие солнечной энергетики требует постоянного совершенствования характеристик фотопреобразовательных устройств (солнечных элементов). Наиболее успешным направлением развития технологий повышения КПД солнечных элементов представляется использование гетеропереходов между аморфным гидрогенизированным и кристаллическим кремнием (a-Si:H/c-Si), которые обладают всеми преимуществами солнечных элементов на основе кристаллического кремния, но могут быть изготовлены при низких температурах, что позволяет существенно снизить стоимость изготовления солнечных элементов на основе гетеропереходов.
Из уровня техники известен солнечный элемент, описанный в заявке РСТ (см. [1] WO 2014148443 (А1), МПК H01L 31/0236, опубликованная 25.09.2014), содержащий монокристаллическую подложку кремния, текстурированную с двух сторон, на которые нанесен слой аморфного кремния толщиной 2-3 нм, на одном из слоев аморфного кремния нанесен слой легированного аморфного кремния р-типа толщиной 10-30 нм, а на другом слое аморфного кремния нанесен слой легированного аморфного кремния n-типа толщиной 10-30 нм.
В качестве наиболее близкого аналога принят солнечный элемент, описанный в заявке США (см. [2] US 2015090317, МПК H01L 27/142, H01L 31/0224, опубликованная 02.04.2015), содержащий фотоэлектрический преобразователь в виде пластины кристаллического кремния, покрытый проводящими слоями в виде аморфного кремния. В общем, заявка описывает HIT технологию с получением слоев p-i-n- и n-i-p-типа, при этом слои n- и р-типа получают PECVD методом.
Недостатком прототипа является ограниченный спектр материалов, который возможно получить PECVD технологией нанесения n-слоя.
Сущность изобретения
Задачей заявленного изобретения является применение металлических оксидов в качестве n-слоя солнечного модуля на основе кристаллического кремния.
Техническим результатом является повышение производительности процесса производства фотопреобразователей, вызванное возможностью применение таких методов формирования n-слоя структуры, как магнетронное напыление, атомное наслаивание (ALD), газофазное осаждение при пониженном давлении (LPCVD).
Технический результат достигается за счет солнечного модуля, включающего пластину поликристаллического или монокристаллического кремния; пассивирующий слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на каждую сторону пластины кремния; р-слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на верхнюю сторону пассивирующего слоя; n-слой, нанесенный на нижнюю сторону пассивирующего слоя; токосъемные слои, нанесенные на р-слой и n-слой. В качестве n-слоя применяют металлические оксиды n-типа, полученного методом магнетронного распыления или методом атомного наслаивания (ALD), или методом газофазного осаждения при пониженном давлении (LPCVD). В качестве металлического оксида n-типа используют оксид цинка (ZnO) или SnO2, Fе2О3, ТiO2, V2О7, МnО2, CdO и другие металлические оксиды n-типа.
Краткое описание чертежей
Фиг. 1 - структура солнечного модуля с использованием n-слоя, выполненного на основе металлического оксида.
Позиции, указанные на фигуре:
1 - пластина кристаллического кремния;
2 - пассивирующий слой;
3 - р-слой;
4 - n-слой металлического оксида, выполненный путем магнетронного распыления или методом атомного наслаивания, или методом газофазного осаждения при пониженном давлении;
5 - токосъемные слои.
Осуществление изобретения
Данное изобретение представляет собой солнечный модуль на основе кристаллического кремния, состоящий из пластины кремния (1), пассивирующих слоев (2), р-слоя (3), n-слоя на основе металлического оксида (4), токосъемных слоев (5).
Пластина кремния (1) может быть поликристаллической или монокристаллической с базовой областью n- или р-типа проводимости.
Пассивирующие слои (2) выполняют на основе аморфного гидрогенизированного кремния, карбида кремния, оксидных или прочих слоев, выполняющих функцию стабилизации поверхности кремниевой пластины и снижения поверхностной рекомбинации. В качестве р-слоя (3) применяют аморфный гидрогенизированный кремний р-типа ((р) a-Si:H), карбид кремния р-типа ((р) a-Si:Cl), оксид молибдена р-типа или другие материалы р-типа. В качестве токосъемных слоев (5) используют прозрачные проводящие оксиды (например, слой ITO). В качестве других элементов токосъема могут выступать дополнительные слои металлов, выполняющие так же функцию заднего отражателя (на пример серебряные или алюминиевые), медные или иные проводящие структуры, функцией которых является снижение последовательного сопротивления структуры. Под последовательным сопротивлением в данном случае подразумевается характеристика солнечного модуля, зависящая в том числе от элементов токосъема и способа их монтажа. Проводящие слои металлов, как правило, наносятся методом магнетронного распыления. Возможно также применение метода электролизного осаждения из раствора. Контактная сетка наносится методами трафаретной печати.
Основным отличием данного изобретения от аналогов является применение в качестве n-слоя металлического оксида (например, n-ZnO, или n-SnO2, n-Fе2О3, n-ТiO2, n-V2O7, n-МnО2, n-CdO и другие металлические оксиды n-типа), полученного методом магнетронного распыления, атомным наслаиванием (ALD), газофазного осаждения при пониженном давлении (LPCVD) или иным способом.
Результатом данного технического решения является отказ от применение в качестве n-слоя аморфного кремния n-типа, что ограничивает диапазон возможных способов нанесения слов n-типа при изготовлении солнечного модуля на основе кремния.
Примером данного технического решения может служить нанесение оксида цинка n-типа методом магнетронного распыления.
1. Для этого пластина (1) проходит предварительную подготовку, включающую очистку. Так же возможно применение текстурированных пластин кремния.
2. Далее, на обе стороны пластины, наносятся пассивационный слои (2), которые могут быть представлены в виде слоев аморфного гидрогенизированного кремния, полученного методом PECVD (данный пример не ограничивает способы получения пассивирующих слоев).
3. Далее, на одну из сторон наносится р-слой (3), который может быть выполнен в виде аморфного гидрогенизированного кремния р-типа, полученного методом PECVD осаждения (данный пример не ограничивает способы нанесения р-слоев).
4. Далее, на сторону, противоположную стороне нанесения р-слоя, наносится слой металлического оксида n-типа, например оксида цинка, полученного методом магнетронного распыления или методом атомного наслаивания (ALD), или методом газофазного осаждения при пониженном давлении (LPCVD).
5. После этого наносятся токосъемные слои, например слои ITO, методом магнетронного распыления. Далее производится нанесение дополнительных токосъемов, включая тыльный отражатель и другие элементы токосъема (например, металлические шины). Пример такой структуры представлен на Фиг. 1.
Пример
Структура состоит из пластины монокристаллического кремния n- или р-типа (фигура 1, поз. 1). Пластина проходит химическую очистку, в ходе которой с поверхности удаляется загрязнения и слой естественного оксида. Далее производится химическая пассивация поверхности водородом. После этого на пластину с каждой из сторон методом PECVD осаждения наносится слой аморфного гидрогенизированного кремния, толщиной порядка 3-5 нм (фигура 1, поз. 2), который стабилизирует и пассивирует поверхность пластины. Метод нанесения пассивирующего слоя может варьироваться. Например, для пассивации может использоваться метод ALD (при этом не используется слой аморфного кремния - Duttagupta S. et al. Excellent boron emitter passivation for high-efficiency Si wafer solar cells using AlOx/SiNx dielectric stacks deposited in an industrial inline plasma reactor //Progress in Photovoltaics: Research and Applications. - 2013. - T. 21. - №. 4. - C. 760-764.) или магнетронное распыление. Метод пассивации может зависеть от типа проводимости использованной пластины.
На следующем этапе с помощью магнетронного напыления на одну из сторон производится осаждение оксида молибдена, служащего р-слоем фотопреобразующей структуры (фигура 1, поз. 3). После нанесение р-слоя на противоположную сторону пластины наносится n-слой. В качестве n-слоя используется оксид цинка, легированный бором (фигура 1, поз. 4). Слой наносят методом магнетронного распыления. Для контактирования к полученной структуре наносятся слои токосъема, выполненные из индий-оловянного оксида (фигура 1, поз. 5). Для получения дополнительного просветляющего эффекта слои индий-оловянного оксида выполняются толщиной порядка 120 нм.
Отказ от применения в качестве n-слоя аморфного кремния n-типа в пользу металлических оксидов n-типа позволяет расширить диапазон возможных способов нанесения слоев n-типа при изготовлении солнечных модулей на основе кремния. Замена материала n-слоя с кремния на металлический оксид позволяет управлять напряжением на получаемой структуре путем изменения ширины запрещенной зоны n-слоя (ширина запрещенной зоны различна у различных оксидов).
Применение магнетрона позволяет применить конвейер и в случае применения двухстороннего магнетрона исключить необходимость переворота пластин. Уменьшение габаритов также является следствием применения магнетронов вместо PECVD реакторов (при применении PECVD реактора невозможно применение конвейера и в процессе необходимо переворачивать пластины (т.к. PECVD реакторы устроены таким образом, что пластины подложек должны быть расположены на одном из электродов)).
Claims (9)
1. Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния, включающий
- пластину поликристаллического или монокристаллического кремния;
- пассивирующий слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на каждую сторону пластины кремния;
- р-слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на верхнюю сторону пассивационного слоя;
- n-слой, нанесенный на нижнюю сторону пассивационного слоя;
- токосъемные слои, нанесенные на р-слой и n-слой.
отличающийся тем, что
в качестве n-слоя применяют металлические оксиды n-типа, полученного методом магнетронного распыления или методом атомного наслаивания (ALD), или методом газофазного осаждения при пониженном давлении (LPCVD).
2. Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь по п. 1, отличающийся тем, что в качестве металлического оксида n-типа используют оксид цинка (ZnO) или SnO2, Fe2O3, ТiO2, V2O7, MnO2, CdO или другие металлические оксиды n-типа.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016104107A RU2632266C2 (ru) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016104107A RU2632266C2 (ru) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016104107A RU2016104107A (ru) | 2017-08-14 |
| RU2632266C2 true RU2632266C2 (ru) | 2017-10-03 |
Family
ID=59633249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016104107A RU2632266C2 (ru) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2632266C2 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2675069C1 (ru) * | 2017-11-07 | 2018-12-14 | Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ" | Структура гетеропереходного фотоэлектрического преобразователя с противоэпитаксиальным подслоем |
| RU2762374C1 (ru) * | 2021-04-29 | 2021-12-20 | Общество с ограниченной ответственностью «Научное предприятие Монокристалл Пасты» | Способ формирования токосъёмного контакта на поверхности солнечных элементов с гетеропереходом |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201130669Y (zh) * | 2007-03-09 | 2008-10-08 | 宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 两面光照的hit太阳电池 |
| US20130052774A1 (en) * | 2010-06-29 | 2013-02-28 | Kyocera Corporation | Method for surface-treating semiconductor substrate, semiconductor substrate, and method for producing solar battery |
| RU127516U1 (ru) * | 2012-11-13 | 2013-04-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Тонкопленочный солнечный элемент |
| RU2532137C2 (ru) * | 2009-09-18 | 2014-10-27 | Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. | Солнечный элемент, способ изготовления солнечного элемента и модуль солнечных элементов |
| US20150340532A1 (en) * | 2011-07-21 | 2015-11-26 | International Business Machines Corporation | Method of stabilizing hydrogenated amorphous silicon and amorphous hydrogenated silicon alloys |
-
2016
- 2016-02-09 RU RU2016104107A patent/RU2632266C2/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201130669Y (zh) * | 2007-03-09 | 2008-10-08 | 宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 两面光照的hit太阳电池 |
| RU2532137C2 (ru) * | 2009-09-18 | 2014-10-27 | Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. | Солнечный элемент, способ изготовления солнечного элемента и модуль солнечных элементов |
| US20130052774A1 (en) * | 2010-06-29 | 2013-02-28 | Kyocera Corporation | Method for surface-treating semiconductor substrate, semiconductor substrate, and method for producing solar battery |
| US20150340532A1 (en) * | 2011-07-21 | 2015-11-26 | International Business Machines Corporation | Method of stabilizing hydrogenated amorphous silicon and amorphous hydrogenated silicon alloys |
| RU127516U1 (ru) * | 2012-11-13 | 2013-04-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Тонкопленочный солнечный элемент |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2675069C1 (ru) * | 2017-11-07 | 2018-12-14 | Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ" | Структура гетеропереходного фотоэлектрического преобразователя с противоэпитаксиальным подслоем |
| RU2762374C1 (ru) * | 2021-04-29 | 2021-12-20 | Общество с ограниченной ответственностью «Научное предприятие Монокристалл Пасты» | Способ формирования токосъёмного контакта на поверхности солнечных элементов с гетеропереходом |
| WO2022231472A1 (ru) * | 2021-04-29 | 2022-11-03 | Общество с ограниченной ответственностью "Научное Предприятие Монокристалл Пасты" | Способ формирования токосъёмного контакта на поверхности солнечных элементов с гетеропереходом |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2016104107A (ru) | 2017-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20090242018A1 (en) | Thin-film solar cell and fabrication method thereof | |
| JP2009503848A (ja) | 組成傾斜光起電力デバイス及び製造方法並びに関連製品 | |
| JP6125594B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
| US9397245B2 (en) | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof | |
| JP5656330B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
| JP2013008960A (ja) | 光電変換装置 | |
| RU2632266C2 (ru) | Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния | |
| JP2020167238A (ja) | 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール | |
| JP2012244065A (ja) | 薄膜光電変換装置およびその製造方法、薄膜光電変換モジュール | |
| JP2007287926A (ja) | 集積化薄膜光電変換装置の製造方法および、その製造方法で得られうる集積化薄膜光電変換装置。 | |
| JP2014503125A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| US8697986B2 (en) | Photovoltaic device with double-junction | |
| CN104425651A (zh) | 一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺 | |
| CN202217689U (zh) | 光伏器件以及包括其的光伏转换器面板 | |
| CN106887483A (zh) | 硅基异质接面太阳能电池及其制备方法 | |
| RU2532857C1 (ru) | Фотовольтаическая структура | |
| KR20130061346A (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| RU2632267C2 (ru) | Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния и линия по его производству | |
| KR101783784B1 (ko) | 태양전지 모듈 및 그의 제조방법 | |
| TWI483405B (zh) | 光伏打電池及製造光伏打電池之方法 | |
| KR101303594B1 (ko) | 표면 텍스처가 형성된 유리기판을 이용한 박막형 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| RU2675069C1 (ru) | Структура гетеропереходного фотоэлектрического преобразователя с противоэпитаксиальным подслоем | |
| CN202977493U (zh) | 多晶硅薄膜太阳能电池 | |
| KR102093567B1 (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
| KR101276888B1 (ko) | 태양 전지 |