JPWO2006118258A1 - 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2005年4月28日に出願された特願2005−131866号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
図1は露光装置EXの一実施形態を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持して移動可能な基板ステージST1と、露光処理に関する計測を行う計測器の少なくとも一部を搭載して移動可能な計測ステージST2と、マスクステージMST上のマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージST1上の基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置CONTとを備えている。制御装置CONTには、露光処理に関する情報を記憶した記憶装置MRYと、露光処理に関する情報を表示する表示装置DYとが接続されている。基板ステージST1及び計測ステージST2のそれぞれは、投影光学系PLの像面側で、ベース部材BP上において互いに独立して移動可能となっている。また、露光装置EXは基板Pの搬送を行う、即ち基板ステージST1に基板Pをロードするとともに、基板ステージST1から基板Pをアンロードする搬送装置Hを備えている。なお、基板Pのロードとアンロードとを異なる位置で行ってもよいが、本実施形態では同一位置(RP)にて基板Pのロードとアンロードとを行うものとする。
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第3実施形態について図14を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。上述の実施形態においては、制御装置CONTは、液浸領域LRの液体LQと基板P上のショット領域とが接触する接触時間の積算値が第1許容値を超えないように、基板Pの移動速度、移動加減速度、及び移動方向(移動軌跡)などを調整しているが、本実施形態においては、制御装置CONTは、液浸領域LRを基板P上のショット領域(表面)と異なる領域に移動することによって、液浸領域LRの液体LQと基板P上のショット領域とが接触する接触時間の積算値が第1許容値を超えないようにする。制御装置CONTは、基板Pと液浸領域LRとの相対的な位置関係をレーザ干渉計54を使って計測し、そのレーザ干渉計54の計測結果、すなわち、基板Pと液浸領域LRとの相対的な位置関係の計測結果に基づいて、液浸領域LRの液体LQと基板P上のショット領域とが接触する接触時間の積算値が第1許容値を超えないように、基板Pと液浸領域LRとの相対的な位置関係を調整する。
次に、第4実施形態について図15を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。制御装置CONTは、液浸領域LRの液体LQと基板P上のショット領域とが接触する接触時間の積算値が第1許容値を超えないように、液浸領域LRを形成するための液体LQの供給を停止し、液浸領域LRの液体LQを取り去る(全て回収する)ようにしてもよい。液浸領域LRの液体LQを取り去る場合、制御装置CONTは、液浸機構1の動作を制御する。制御装置CONTは、液体供給装置11の動作を制御して、供給口12から光路空間K1に対する液体LQの供給を停止するとともに、液体LQの供給を停止後も、所定時間、液体回収装置21による回収口22を介した液体回収動作を継続する。こうすることにより、図15に示すように、制御装置CONTは、液浸機構1を使って、液浸領域LRの液体LQ(光路空間K1の液体LQ)を取り去ることができる。
第2実施形態で説明したように、基板Pを露光する前のアライメント処理中に液体LQと基板Pとが接触する場合がある。また、アライメント処理中に、アライメント処理不能(アライメントマークの検出不能)となる状況が生じる場合がある。なお、アライメント処理不能な状況とは、例えばアライメント系ALGの出力結果に基づいて制御装置CONTが基板Pのショット領域の位置情報を算出不能な状況を含む。ここで、以下の説明においては、アライメント処理が不能となった状態を適宜、「アライメントエラー」と称する。
次に、第6実施形態について説明する。本実施形態においては、基板P上のあるショット領域を走査露光するための助走動作(加速移動を含む)中に、基板Pの位置(基板P表面の面位置(Z軸、θX及びθY方向の位置)、基板PのXY平面内における位置を含む)の誤差が所定の許容値を超えてしまったとき、あるいは基板Pの位置制御に不具合が発生した場合、そのショット領域に対する走査露光を行わずに、そのショット領域を走査露光するための助走動作を再度実行する。以下の説明においては、基板Pの助走動作中に生じたエラー状態を適宜「同期エラー」と称する。また、同期エラーが生じたショット領域を走査露光するために、再度助走動作を行うことを適宜、「リトライ動作」と称する。
次に、第7実施形態について説明する。上述の第5、第6実施形態においては、アライメントエラー及び同期エラーにおける処理について説明したが、この他にも露光装置EXには種々のエラーが発生する。エラーが発生した場合、基板ステージST1の駆動は停止され、表示装置(報知装置)DYにはエラーが発生した旨が表示(報知)される。なお、そのエラーが発生した場合においても、液浸機構1による液体LQの供給動作及び回収動作は継続される。ここで発生するエラーは、液浸機構1による液体LQの供給動作及び回収動作が継続されても、露光装置EXに影響を及ぼさないエラーである。
ところで、液浸領域LRの状態(形状)によっては、液浸領域LRに対して基板Pを動かし続けているにもかかわらず、基板Pと液浸領域LRのエッジLGとの相対位置が実質的にほぼ変化しない状況が生じる可能性がある。例えば、液浸領域LRと基板Pとを所定方向に相対的に移動する場合において、平面視における液浸領域LRが所定方向とほぼ平行な辺(エッジLG)を有する形状の場合、その液浸領域LRと基板Pとを相対的に移動したにもかかわらず、基板Pの一部の領域上に液浸領域LRのエッジLGが静止し続ける状態となる。例えば図7等に示すように、液浸領域LRがY軸方向とほぼ平行な辺(エッジLG)を有する平面視矩形状である場合、その液浸領域LRと基板PとをY軸方向に相対的に移動したとき、液浸領域LRと基板Pとを相対的に移動したにもかかわらず、基板Pの一部の領域に液浸領域LRのY軸方向と平行な辺(エッジLG)が実質的に静止し続けることとなる。この場合、液浸領域LRのY軸方向と平行な辺(エッジLG)の長さが長いほど、基板Pの一部の領域に液浸領域LRのY軸方向と平行な辺(エッジLG)が静止し続ける時間が長くなり、図13等を参照して説明したように、基板Pの一部の領域に異物(パーティクル)が付着する可能性がある。同様に、基板Pと液浸領域LRとがX軸方向に相対的に移動する場合においても、液浸領域LRがX軸方向と平行な辺(エッジLG)を有していると、基板Pの一部の領域に液浸領域LRのX軸方向と平行な辺(エッジLG)が実質的に静止し続けることとなる。
本実施形態においては、図18A及び18Bに示すような、パターンが形成されたパターン形成領域を複数(9つ)有するマスクMを使って基板P上にパターンを転写する例について説明する。
Claims (30)
- 基板上に液浸領域を形成する工程と、
前記液浸領域の液体を介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光する工程と、
前記液浸領域の前記液体と前記基板上の第1領域とが接触する接触時間の積算値が予め定められた許容値を超えないようにする工程と
を備える露光方法。 - 前記液浸領域は前記基板の部分領域上に形成され、
前記基板を露光する工程は、前記基板と前記露光光とを相対的に移動させる工程を有する請求項1記載の露光方法。 - 前記基板上に設定された複数のショット領域が順次露光され、前記第1領域は少なくとも1つの前記ショット領域を含む請求項1又は2記載の露光方法。
- 前記積算値が前記許容値を超えないようにする工程は、前記基板と前記液浸領域との相対的な位置関係を調整する工程を有する請求項1〜3のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記相対的な位置関係を調整する工程は、前記相対的な位置関係を計測する工程を有する請求項4記載の露光方法。
- 前記積算値が前記許容値を超えないようにする工程は、前記基板の移動条件を調整する工程を有する請求項1〜5のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記移動条件は、移動速度、移動加減速度、及び移動方向の少なくとも1つを含む請求項6記載の露光方法。
- 前記移動条件は、前記基板が前記液浸領域に対してほぼ静止している静止時間を含む請求項6又は7記載の露光方法。
- 前記積算値が前記許容値を超えないようにする工程は、前記液浸領域を前記基板上の前記第1領域以外の第2領域に移動する工程を有する請求項6〜8のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記第2領域は、前記基板上の前記第1領域以外の領域を含む請求項9記載の露光方法。
- 前記第2領域は、前記基板以外の物体の表面を含む請求項9又は10記載の露光方法。
- 前記第2領域は、前記基板を保持して移動可能な第1可動部材の表面を含む請求項11記載の露光方法。
- 前記第2領域は、露光処理に関する計測器を搭載して移動可能な第2可動部材の表面を含む請求項11又は12記載の露光方法。
- 前記積算値が前記許容値を超えないようにする工程は、前記液浸領域への前記液体の供給を停止する工程を有する請求項1〜13のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記積算値が前記許容値を超えないようにする工程は、前記液浸領域の前記液体を取り去る工程を有する請求項1〜14のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記積算値は、前記基板に前記露光光が照射される前の前記接触時間、及び前記基板に前記露光光が照射された後の前記接触時間を含む請求項1〜15のいずれか一項記載の露光方法。
- 基板上に液浸領域を形成する工程と、
前記液浸領域の液体を介して前記基板を露光する工程と、
前記基板上で前記液浸領域の少なくとも一部がほぼ静止している静止時間が予め定められた許容値を超えないようにする工程と
を備える露光方法。 - 前記液浸領域は前記基板の部分領域上に形成され、
前記静止時間が前記許容値を超えないようにする工程は、前記基板と前記液浸領域との相対的な位置関係を調整する工程を有する請求項17記載の露光方法。 - 前記液浸領域を形成する工程は、前記基板外に前記液体を供給する工程と、前記基板上に前記液体を供給する工程とを有する請求項17又は18記載の露光方法。
- 前記液浸領域を形成する工程は、前記基板外から前記基板上に前記液浸領域を移動させる工程を有する請求項19記載の露光方法。
- 請求項1〜請求項20のいずれか一項記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
- 液浸領域を介して基板を露光する露光装置において、
前記液浸領域を形成する液浸機構と、
前記液浸領域の液体と前記基板上の所定領域とが接触する接触時間の積算値が予め定められた許容値を超えないようにする制御装置と
を備えた露光装置。 - 前記液浸領域は前記基板の部分領域上に形成され、
前記基板と前記露光光とが相対的に移動する請求項22記載の露光装置。 - 前記基板を保持して移動可能な可動部材をさらに備え、
前記制御装置は、前記積算値が前記許容値を超えないように、前記可動部材の動作を制御する請求項22又は23記載の露光装置。 - 前記制御装置は、前記積算値が前記許容値を超えないように、前記液浸機構の動作を制御する請求項22〜24のいずれか一項記載の露光装置。
- 液浸領域を介して基板を露光する露光装置において、
前記液浸領域を形成する液浸機構と、
前記基板上で前記液浸領域の少なくとも一部がほぼ静止している静止時間が予め定められた許容値を超えないようにする制御装置と
を備えた露光装置。 - 前記基板を保持して移動可能な可動部材をさらに備え、
前記制御装置は、前記静止時間が前記許容値を超えないように、前記可動部材の動作を制御する請求項26記載の露光装置。 - 前記制御装置は、前記静止時間が前記許容値を超えないように、前記液浸機構の動作を制御する請求項26又は27記載の露光装置。
- 前記液浸領域と前記基板との相対位置がほぼ静止された状態で所定の処理を行う処理装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記処理装置の処理時間が前記許容値を超えないように、前記処理装置を制御する請求項26〜28のいずれか一項記載の露光装置。 - 請求項22〜請求項29のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
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