JP4331092B2 - リソグラフィ処理セル、リソグラフィ装置、トラック、及びデバイス製造法 - Google Patents
リソグラフィ処理セル、リソグラフィ装置、トラック、及びデバイス製造法 Download PDFInfo
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Description
基体をパターンで露光するためのグリソグラフィ装置と、
基体を処理するための1つ又は複数の処理装置からなるトラックと、
前記リソグラフィ装置及び前記トラック・ユニットを制御するための監視制御システムとを備えている。
前記リソグラフィ処理セルは、露光中若しくは基体の処理中の異常発生を報告するようになっており、また前記監視制御システムは、前記異常発生が検出された露光中若しくは処理中に基体を再加工するために前記リソグラフィ処理セルに設けられた再加工ステーションを制御するようになっていることと、
走査中のスペックはずれの移動、焦点・レベルセンサーにより検出される焦点ずれ、或いは露光中もしくは処理中の部分的なシステム故障などの、リソグラフィ装置若しくはトラックにより認識される異常発生が起因となって再加工が行われることとを特徴とする。これらの異常発生は、露光済み、及び/又は、処理済みの基体に誤差をもたらし、こうした欠陥基体は規格はずれとなり、再加工を必要とする。露光済み、及び/又は、処理済みの基体上のこれらの誤差は、再加工が始まる前に測定装置により随意に確認できる。異常発生により再加工若しくは測定検査を開始することにより、リソグラフィ処理セルの使用効率を向上する。例えば、ロットの処理の早い段階で検出された欠陥基体は、該ロットの他の基体が処理されている間、(レジストが)剥がされ、該ロットの最初の基体処理の直後に自動的に再処理される。これにより、ただしく処理された基体から欠陥基体を分離し、それらを離れた剥離(再加工)ステーションへ搬送し、再処理のためにリソセルへ戻すこと、即ち今日まで手動で実施する必要のあった工程が起因して発生する遅延を回避することができる。剥離済みの基体からなる新しいロットをリソセルに搭載し、リソグラフィ装置の中のマスク及びレシピを交換するための余分な間接経費(overhead)が排除される。
投影放射線ビームを供給するための照明システムと、
投影ビームに対してその断面にパターンを与えるパターニング手段を支持するための支持構造と、
基体を保持するための基体台と、
パターン化されたビームを基体の目標部分上に投影するための投影システムと、
トラックのトラック制御ユニットと通信するためのインターフェースを有するリソグラフィ装置制御システムを備え、
該リソグラフィ装置制御システムは、リソグラフィ装置での基体の露光中の異常発生をインターフェースを介してトラック制御ユニットに報告するようになっていることを特徴とする。
基体を処理するための1つ又は複数の処理装置と、
リソグラフィ装置のリソグラフィ装置制御システムと通信するためのインターフェースを有するトラック制御ユニットとを備え、
トラック制御ユニットは、リソグラフィ装置での露光中若しくはトラック内での処理中に、異常発生が検出された基体を再加工するためにトラックに設けられた再加工ステーションを制御するようになっていることを特徴とする。
複数の基体からなるロットをリソグラフィ処理セル内のリソグラフィ投影装置を使用してパターンにあわせて露光する工程と、
リソグラフィ処理セル内のトラックを使用して基体を1つ又は複数の処理装置中で処理する工程と、
リソグラフィ処理セル内での基体の露光及び/又は処理中の異常発生を検出する工程と、
もし露光及び/又は処理中に異常発生が検出されたら、リソグラフィ処理セル内に含まれる再加工ステーションを使用して露光済みの基体よりレジストを除去する工程と、
レジストが除去された基体にレジストを再塗布する工程と、
リソグラフィ処理セルを離れレジストが再塗布された基体を有しない前記リソグラフィ装置を使用してレジストが再塗布された基体を再露光する工程とを有する。
装置は、
放射線(例えば、UV線若しくはDUV線)の投影ビームPBを供給するための照明システム(照明器)ILと、
アイテム・レンズPLに対してパターニング手段(例えば、マスク)MAを正確に位置付けするための第一の位置決め手段PMに結合された、パターニング手段を支持するための第一の支持構造(例えば、マスク台)MTと、
アイテム・レンズPLに対して基体(例えば、レジスト塗布されたウェハ)Wを正確に位置付けするための第二の位置決め手段PWに結合された、基体を保持するための基体台(例えば、ウェハ台)WTと、
パターニング手段MAより投影ビームPBに与えられたパターンを基体Wの目標部分C(例えば、1つ又は複数のダイ)上に画像化するための投影システム(例えば、屈折投影レンズ)PLを含む。
1.ステップ態様では、投影ビームに与えられたパターン全体が一気に(即ち、単一静的露光)目標部分C上に投影される間、マスク台MT及び基体台WTは、実質的に静止して保持される。基体台WTは次にX、及び/又は、Y方向に移動させられ、別の目標部分Cを露光することができる。ステップ態様では、単一静的露光で画像化される目標部分Cのサイズは、最大露光領域サイズに制限される。
2.走査態様では、投影ビームに与えられたパターンが目標部分C上に投影(即ち、単一動的露光)される間、マスク台MT及び基体台WTは、同期して走査される。マスク台MTに対する基体台WTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)特性及び反転特性で決まる。走査態様では、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向)は、最大露光領域サイズに制限されるが、目標部分の高さ(走査方向)は、走査運動の長さで決まる。
3.別の態様では、マスク台MTはプログラム可能なパターニング手段を保有しながら実質的に静止して保持され、投影ビームに与えられたパターンが目標部分C上に投影(即ち、単一動的露光)される間、基体台WTは、移動させられか、若しくは走査される。この態様では一般的に、パルス化された放射源が使用され、プログラム可能なパターニング手段は各基体台WTの移動の後、若しくは走査期間中の連続放射パルスとパルスの間に、必要に応じて更新される。この動作態様は、上記で言及されたようなタイプの、プログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターニング手段を使用するマスクレス・リソグラフィ(maskless lithography)に容易に適用可能である。
SO 放射線源
BD ビーム送出システム
IL 照明器
AM 調整手段
IN 積分器
CO 集光器
PB 投影ビーム
MT 第一の支持構造(例えば、マスク台)
MA パターニング手段(例えば、マスク)
PL アイテム・レンズ
PM 第一の位置決め手段
PW 第二の位置決め手段
WT 基体台
W 基体(例えば、レジスト塗布されたウェハ)
IF 位置センサー
M1 マスク配置マーク
M2 マスク配置マーク
P1 基体配置マーク
P2 基体配置マーク
SCS 監視制御システム
I/O1 入出力ポート
I/O2 入出力ポート
LO リソセル
CH 冷却器板
BK ベーキング板
RO ロボット
IM 統合測定装置
RW 再加工ステーション
TCU トラック制御ユニット
LACU リソグラフィ装置制御システム
LB 積み下ろし領域
SC スピン塗布機
DE 現像機
LOT ロット
Claims (18)
- 基体をパターンで露光するためのリソグラフィ装置と、基体を処理するための1つ又は複数の処理装置を有するトラックと、前記リソグラフィ装置及び前記トラックを制御するための監視制御システムと、を備え、複数のロットの各々に属する複数の基体に対して所定の処理を行うリソグラフィ処理セルであって、
前記リソグラフィ処理セルは、基体の露光中又は処理中の異常発生を報告するようになっており、
前記トラックは、前記異常発生が検出された基体を再加工するために設けられた再加工ステーションをさらに備えており、
前記監視制御システムは、露光中又は処理中に異常発生が検出された1つ又は複数の基体を元の複数のロットから各々分離して前記再加工ステーションにおいて再加工し、前記元の複数のロットから各々分離された1つ又は複数の基体によって1つの新しいロットを形成するように前記トラックを制御するようになっている、
リソグラフィ処理セル。 - 前記再加工ステーションは、前記基体上に溶剤、及び/又は、リンス剤を施すためのディスペンサーを有する湿式化学装置を含み、また前記基体を回転させ遠心力作用で材料を除去するための回転盤を随意に含む、
請求項1に記載のリソグラフィ処理セル。 - 前記再加工ステーションは、機械研磨機を含む、
請求項1又は2に記載のリソグラフィ処理セル。 - 前記再加工ステーションは、前記監視制御システムに制御されてレジストを過剰現像する現像機を含む、
請求項1、2又は3に記載のリソグラフィ処理セル。 - 前記セルには前記セルにより処理された基体中の欠陥を検出するための測定装置が設けられている、
請求項1から4までのいずれかに記載のリソグラフィ処理セル。 - 前記リソグラフィ装置は、
投影ビームに対してその断面にパターンを与えるパターニング手段を支持するための支持構造と、
基体を保持するための基体台と、
前記基体台、及び/又は、パターニング手段の移動を指定の軌道に従うように制御するための軌道制御装置を含み、前記軌道制御装置は、前記基体台、及び/又は、パターニング手段の移動が前記指定の軌道から著しく逸脱したときに前記異常発生を報告するようになっている、
請求項1から5までのいずれか一項に記載のリソグラフィ処理セル。 - 投影放射線ビームを供給するための照明システムと、
投影ビームに対してその断面にパターンを与えるパターニング手段を支持するための支持構造と、
基体を保持するための基体台と、
前記パターン化されたビームを前記基体の目標部分上に投影するための投影システムと、
前記基体の表面輪郭が特定の凹凸レベルを超えたときに前記異常発生を報告するようになっている、前記表面輪郭を測定するための焦点・レベルセンサーを含む、
請求項1から6までのいずれか一項に記載のリソグラフィ処理セル。 - 前記監視制御システムは、元の前記複数のロットの内の最後のロットに含まれる複数の基板に対する前記トラックにおける処理が終わった後で、前記1つの新しいロットに含まれる1つ又は複数の基体を、前記トラックにおいて処理させる、
請求項1〜7のいずれか1項に記載のリソグラフィ処理セル。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載のリソグラフィ処理セルのトラックと共に使用するためのリソグラフィ装置であって、
投影放射線ビームを供給するための照明システムと、
投影ビームに対してその断面にパターンを与えるパターニング手段を支持するための支持構造と、
基体を保持するための基体台と、
前記パターン化されたビームを前記基体の目標部分上に投影するための投影システムと、
前記トラックのトラック制御ユニットと通信するためのインターフェースを有するリソグラフィ装置制御システムを備え、
前記リソグラフィ装置制御システムは、リソグラフィ装置での基体の露光中の異常発生を、前記インターフェースを介して前記トラック制御ユニットに報告するようになっていることを特徴とする、
リソグラフィ装置。 - 前記リソグラフィ装置制御システムは、前記基体台、及び/又は、前記パターニング手段の移動を指定の軌道に従うように制御し、かつ前記リソグラフィ装置制御システムは、前記基体台、及び/又は、前記パターニング手段の移動が前記指定の軌道から著しく逸脱したときに前記異常発生を報告するようになっている、
請求項9に記載のリソグラフィ装置。 - 前記リソグラフィ装置は、前記基体の前記表面輪郭を測定するための焦点・レベルセンサーを含み、かつ前記リソグラフィ制御システムは、前記表面輪郭が特定の凹凸レベルを超えたときに前記異常発生を報告するようになっている、
請求項9に記載のリソグラフィ装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載のリソグラフィ処理セル中のリソグラフィ装置と共に使用するためのトラックであって、
基体を処理するための1つ又は複数の処理装置と、
前記リソグラフィ装置のリソグラフィ装置制御システムと通信するためのインターフェースを有するトラック制御ユニットとを備え、
前記トラック制御ユニットは、前記リソグラフィ装置での露光中又はトラック内での処理中に、異常発生が検出された基体を再加工するために前記トラックに設けられた再加工ステーションを制御するようになっていることを特徴とする、
トラック。 - 前記再加工ステーションは、前記基体上に溶剤、及び/又は、リンス剤を施すためのディスペンサーを有する湿式化学装置を含み、また前記基体を回転させ遠心力作用で材料を除去するための回転盤を随意に含む、
請求項12に記載のトラック。 - 前記再加工ステーションは機械研磨機を含む、
請求項12又は13に記載のトラック。 - 前記再加工ステーションは、前記トラック制御ユニットに制御されてレジストを過剰現像する現像機を含む、請求項12〜14のいずれか1項に記載のトラック。
- 前記トラックには前記リソグラフィ処理セル内で露光又は処理された基体中の欠陥を検出するための測定装置が設けられている、請求項12〜15のいずれか1項に記載のトラック。
- 各々が複数の基体を含む複数のロットをリソグラフィ処理セル内のリソグラフィ投影装置を使用してパターンにあわせて露光する工程(a)と、
前記リソグラフィ処理セル内のトラックを使用して基体を1つ又は複数の処理装置中で処理する工程(b)と、
前記リソグラフィ処理セル内での前記基体の露光及び/又は処理中の異常発生を検出する工程(c)と、
露光及び/又は処理中に異常発生が検出されたときに、前記リソグラフィ処理セル内に含まれる再加工ステーションを使用して露光済みの基体からレジストを除去する工程(d)と、
レジストを除去された基体によって、該基体の元のロットとは異なる新しいロットを形成する工程(e)と、
前記新しいロットに含まれる前記基体にレジストを再塗布する工程(f)と、
レジストが再塗布された基体を前記リソグラフィ処理セルから出すことなく、前記リソグラフィ装置を使用してレジストが再塗布された前記基体を再露光する工程(g)と、
を備え、
前記露光の工程(a)及び検出の工程(c)は、複数のロットに対して実施され、
前記工程(e)は、元の複数のロットに各々含まれていた基体によって、前記新しいロットを形成するものである、
デバイス製造方法。 - 前記露光の工程(a)及び検出の工程(c)は、同一のレシピを用いて実施される、
請求項17に記載の方法。
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