JPWO2006080535A1 - 窒化物赤色蛍光体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
しかし、YAG:Ceの蛍光の色が、CIE色度座標で、x=0.41、y=0.56付近にあり、460nmの青色励起光と混色した場合、青色発光ダイオードの色座標とYAGの色座標を結ぶ線上で色調を制御するため、白色ではなく緑青色の混ざった白色になる。このため、赤色の不足した白色しか実現できないという問題が生じる。この色調の悪さを解決するためにYAG:Ce蛍光体粉末に赤色を発する別の蛍光体粉末を混ぜて、色調を制御している。
ところが、青色光を吸収し赤色の蛍光を放出する蛍光体の報告は非常に少ない。具体例としては、Journal of Physics and Chemistry of Solids 61巻(2000年)2001〜2006ページに、ユーロピウム(Eu)で賦活されたBa2Si5N8が報告されている。また、最近、Ba2Si5N8の発光強度を上回るEuで賦活されたCaAlSiN3が見出された(第65回応用物理学会学術講演会、講演予稿集 1283ページ)。
そこで、発明者等は、新規な赤色蛍光体を探索した。特に、実験によってCaAlSiN3:EuではAlNが残存しやすいことが分かったので、CaAlSiN3の組成に較べAlNの少ない組成系を精力的に探索した。AlNはEuを含むと535nm付近の緑色の発光をするため、赤色の蛍光体にAlNが混入すると好ましくない。本発明の目的は青色光を吸収し赤色の蛍光を放出する新たな窒化物赤色蛍光体を提供することにある。
こうして、本発明によれば、下記が提供される。
(1)蛍光体を構成する結晶相が単斜晶系のEuで賦活されているCaAlSiN3であることを特徴とする赤色蛍光体。
(2)CaAlSiN3結晶相100重量部に対してEuを0.01〜10重量部含む(1)に記載の赤色蛍光体。
(3)遊離のAlNを含まない(1)又は(2)に記載の赤色蛍光体。
(4)X線回折分析でAlNが検出されない(3)に記載の赤色蛍光体。
(5)未粉砕の状態で、レーザー回折/散乱式粒度分布測定法で測定した平均粒子径が10μm以下である、Euで賦活されたCaAlSiN3粉末であることを特徴とする赤色蛍光体。
(6)(5)に記載のEuで賦活されたCaAlSiN3粉末の粉砕物であることを特徴とする赤色蛍光体。
(7)単斜晶系結晶である(5)又は(6)に記載の赤色蛍光体。
(8)単斜晶系である、Euで部分置換されたCaAlSiN3。
(9)単斜晶系のCaAlSiN3。
(10)発光素子と黄色蛍光体と(1)〜(7)のいずれか1項に記載の赤色蛍光体を含む発光装置。
(11)発光素子が青色発光素子である(10)に記載の発光装置。
(12)前記赤色蛍光体が前記青色発光素子が発光する青色光を赤色光に変換する(11)に記載の発光装置。
(13)図1の組成図において下記4点A〜D、すなわち、(Ca3N2:AlN:Si3N4)のモル比が下記比である4点:
点A:(10:70:20)
点B:(10:65:25)
点C:(70:23:7)
点D:(70:22:8)
を結ぶ直線で囲まれた領域内の組成となるCa3N2、AlN、Si3N4と、Ca3N2、AlN、Si3N4の合計100重量部に対してEuNをEuとして0.01〜10重量部含む原料粉末を窒素含有雰囲気中、1400〜2000℃で焼成することを特徴とする単斜晶系のEuで賦活されたCaAlSiN3の製造方法。
(14)加圧窒素雰囲気中1600〜2000℃で焼成する(13)に記載の方法。
(15)原料粉末であるCa3N2、AlN、Si3N4の合計100モル%のうちCa3N2が20〜40モル%の範囲内である(13)又は(14)に記載の方法。
(16)原料粉末中のAlNとSi3N4のモル比が約3:1である(13)〜(15)のいずれか1項に記載の方法。
(17)EuNの一部がEu2O3で置換された原料粉末を使用する(13)〜(16)のいずれか1項に記載の方法。
(18)原料Si3N4として非晶質Si3N4または含窒素シラン化合物を用いる(13)〜(17)のいずれか1項に記載の方法。
(19)窒素含有雰囲気が窒素雰囲気である(13)〜(18)のいずれか1項に記載の方法。
(20)焼成後の単斜晶系のEuで賦活されたCaAlSiN3結晶を、さらに酸洗浄して酸化物を除去する(13)〜(19)のいずれか1項に記載の方法。
(21)単斜晶系のEuで賦活されたCaAlSiN3が赤色蛍光体である(13)〜(20)のいずれか1項に記載の方法。
(22)(1)〜(7)のいずれか1項に記載の赤色蛍光体と、黄色蛍光体と、発光素子を用いて、発光装置を製造する方法。
図2は実施例1で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図3は実施例1の焼成物を酸洗浄して得られた粉末のX線回折図である。
図4は実施例1と比較例9の粉末のX線回折図の比較である。
図5は実施例1と比較例9の粉末のX線回折図の比較である。
図6は実施例1で得られた本発明の窒化物赤色蛍光体の蛍光スペクトル図である。
図7は実施例1で得られた本発明の窒化物赤色蛍光体の励起スペクトル図である。
図8は実施例2で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図9は実施例2と実施例1と比較例9の粉末のX線回折図の比較である。
図10は実施例2と実施例1と比較例9の粉末のX線回折図の比較である。
図11は実施例3で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図12は比較例1で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図13は比較例2で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図14は比較例3で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図15は比較例4で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図16は比較例5で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図17は比較例6で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図18は比較例7で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図19は比較例8で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図20は比較例9で得られた焼成物の粉末のX線回折図である。
図21A及び図21Bはそれぞれ実施例4及び比較例10における粒子の形態を示す走査型電子顕微鏡写真である。
図22は実施例4及び比較例10における粒子の粒度分布を示す。
図23は実施例4の粒子の蛍光スペクトルである。
図24は実施例4の粒子の励起スペクトルである。
図25は本発明の発光装置の例として発光ダイオードと赤色蛍光体を用いたランプを示す。
(第1の側面)
本発明の第1の側面の赤色蛍光体(以下、単に「本発明の赤色蛍光体」ともいう。)のX線回折パターンを図3に示す。比較のために、第65回応用物理学会学術講演会、講演予稿集 1283ページ(以下、「文献1」という。)に開示されている方法でCaAlSiN3を作製し、そのX線回折パターンを測定した(比較例9)。結果を図20に示す。図20のX線回折パターンを、文献1に開示されているCaAlSiN3の回折パターンと比較した。その結果、回折位置はわずかにずれるが(Euの含有量が異なるため)、X線パターンとしては一致しており、比較例9で得た蛍光体の結晶が文献1に開示されているCaAlSiN3であることが確認された。なお、この解析においては、結晶中に残存するAlNのピークは除いて行った。
次に、本発明の赤色蛍光体(図3、実施例1)と、文献1に開示されているCaAlSiN3(図20、比較例9)の比較を行う。図3と図20のX線回折パターンは非常に類似しているが詳細な点で大きく異なる。それについて説明する。図4は2θ(以下、同様である。)が30°から42°の部分について比較を行ったものである。本発明の赤色の蛍光体は31.5°付近のピーク、36.3°付近のピークが分裂し、CaAlSiN3とは異なるピークが出現している。さらに、図5には45°から70°の比較を示す。ここでも、56.2°付近のピークにも分裂が見られる。さらに、68°から69°にかけての回折パターンが大きく異なることが分かる。以上のことから、本発明の赤色蛍光体は、文献1に開示されているCaAlSiN3赤色蛍光体とは異なる。
さらに図3のX線回折パターンをもとに結晶構造の解析を行った。その結果、この結晶相は単斜晶系に属することが明らかになった。その格子定数は、a=11.6934、b=9.8697,c=5.7160、β=117.2630であるときに、計算されたピーク位置と、実測のピーク位置が最も良い一致を示した。文献1に開示されているCaAlSiN3は、斜方晶系であり、その格子定数はa=9.8007、b=5.6497、c=5.0627と報告されている。このように、本発明の赤色蛍光体の結晶相と文献1に報告されている結晶相とが異なることは明白である。
次に、組成について述べる。表2に本発明の赤色蛍光体の組成分析結果を示す。表2には比較のためにCaAlSiN3の各元素の理論重量%もあわせて示してある。本発明の赤色蛍光体の分析値はCaAlSiN3に非常に近い値になっている。完全な定量分析は非常に困難であることを考えると、この蛍光体の組成は、ほぼCaAlSiN3の組成になっていると考えても良い。前述のX線回折パターンの議論と本組成分析の結果を合わせると、本赤色蛍光体は単斜晶系に属するCaAlSiN3である。ただし、Caのサイトの一部にEuが置換している。その置換量はCaサイトに対して0.01〜8.8モル%の範囲内であるが、0.1〜5.0モル%さらには0.8〜3.0モル%が好ましい。
次に、本発明の赤色蛍光体の蛍光特性について述べる。図6に本発明の450nmの青色光によって励起したときの蛍光スペクトルを示す。青色で励起して発生する蛍光の波長が660nm(赤色)であり青色光励起による赤色蛍光体として適している。このため、青色発光ダイオードとYAG:Ceを組み合わせた白色発光ダイオード用の色調制御に用いる赤色蛍光体として用いることができる。また、図7には、蛍光波長を660nmにした時の励起スペクトルを示した。この蛍光体が、300nmから520nmにかけて高い発光を示しており、紫外〜青色の領域において良好な蛍光体として利用できることを示している。
次に、本発明の蛍光体の内部量子効率を測定した。比較として文献1の蛍光体(比較例9)を用いた。比較例9の蛍光体の量子効率を100とした時、本発明の蛍光体の量子効率は117となり、本発明の単斜晶系に属するCaAlSiN3のほうが良好な蛍光体であることが確認された(表3参照)。
次に本発明の赤色蛍光体の製造方法について述べる。はじめに、窒化物蛍光体の製造にかかわる窒化物原料について述べる。原料としては、Ca3N2、EuN、AlN、Si3N4を用いる。原料の作製方法としては、最終的に前記窒化物を得ることができる方法であれば、如何なる方法でも採用することができる。ここでは、代表的な原料の作製方法について述べる。
Ca3N2は、金属カルシウムを直接窒化して作製することができる。金属カルシウムを、カーボン、または、BNの坩堝に入れ600℃から900℃で加熱し、窒化して作る。また、窒化カルシウムは市販されてもおり、市販品(たとえば、アルドリッチ製)を利用しても良い。
EuNも金属ユーロピウムの直接窒化によって得ることができる。金属ユーロピウムを、窒素ボックス中で鑢を用いて微粒にして、カーボン製、またはBN製の坩堝に入れる。これを焼成炉に入れ、窒素雰囲気中で600℃から900℃で加熱し、窒化を行う。EuNの一部は、Eu2O3で置換されていてもよい。
AlNについては、直接窒化法またはアルミナの還元窒化法が採用されるが、高純度のAlNが、広く市販されているのでそれを用いても良い。たとえば、トクヤマ製AlN(Fグレード)などを利用することができる。
Si3N4粉末は、公知の方法で得ることができる。例えば、四塩化ケイ素、四臭化ケイ素、四沃化ケイ素などのハロゲン化ケイ素とアンモニアとを気相または液相状態で反応させることにより生成するシリコンジイミド等の含窒素シラン化合物(Si−N−H系前駆体化合物)を窒素またはアンモニアガス雰囲気下に600〜1200℃に加熱分解する方法、または気体状態のハロゲン化ケイ素とアンモニアとを高温で反応させる方法によって製造しアモルファスの窒化珪素を得ることができる。さらに、このアモルファス窒化珪素を窒素雰囲気中、1400〜1600℃で焼成することにより結晶質窒化珪素を得ることができる。
本発明の窒化物赤色蛍光体は、Ca3N2、EuN、AlN、Si3N4を原料とし、所望の重量を秤量し、混合後、窒素雰囲気中で焼成することで得られる。
本発明の窒化物赤色蛍光体を製造するための原料の組成範囲を、図1の組成ダイヤグラムに斜線で示す。図1において、斜線部の領域は、下記4点A〜D、すなわち、(Ca3N2:AlN:Si3N4)のモル比が下記比である4点を結ぶ直線で囲まれている領域である。
点A:(10:70:20)
点B:(10:65:25)
点C:(70:23:7)
点D:(70:22:8)
この組成は、xCa3N2・yAlN・zSi3N4(x+y+z=100、10≦x≦70、y:z=(72:28)〜(78:22))で表される。
本発明における赤色蛍光体は、上記組成範囲の原料を用いて得ることができるが、AlNとSi3N4のモル比が3:1であるときがもっとも良いが、3±0.3:1の範囲内であれば好ましい。また、原料粉末であるCa3N2、AlN、Si3N4の合計100モル%のうちCa3N2が10〜70モル%の範囲内であるが、20〜40モル%の範囲内が好ましい。
上記のCa3N2:AlN:Si3N4に混合組成の合計100重量部に対して、EuNをEuとして0.01〜10重量部が好ましく、より好ましくは0.05〜5重量部、さらに好ましくは1〜3重量部で添加して出発原料とする。
なお、添加したEuNは焼成段階で、Euとなり、生成物(単斜晶系のCaAlSiN3)のCaのサイトに入る。その意味で本来は、(Ca+Eu)で組成を考慮すべきであるが、置換量が少ない場合、Euを添加した場合と(Ca+Eu)として組成を考慮した場合では、同じ結果が得られる。そのため、本発明では、Euを添加する形式を採用した。
前記した各出発原料を混合する方法については、特に制約は無く、それ自体公知の方法、例えば、乾式混合する方法、原料各成分と実質的に反応しない不活性溶媒中で湿式混合した後に溶媒を除去する方法などを採用することができる。混合装置としては、V型混合機、ロッキングミキサー、ボールミル、振動ミル、媒体攪拌ミルなどが好適に使用される。
出発原料の混合物は、窒素含有雰囲気中1400〜2000℃で焼成して、目的とする蛍光体を得ることができる。
典型的には、1気圧の窒素含有雰囲気中1400〜1800℃、好ましくは1500〜1700℃で焼成して、目的とする蛍光体が得ることができる。焼成温度が1400℃よりも低いと、所望の蛍光体の生成に長時間の加熱を要し、実用的でない。また、生成粉末中における蛍光体の生成割合も低下する。焼成温度が1800℃を超えると、カルシウム、ユーロピウムの蒸発が著しくなり明るい蛍光体を得ることができない場合がある。窒素含有雰囲気は、窒素のほかに、本発明の窒化物赤色蛍光体の組成に影響しないという意味での不活性なガス、たとえば、希ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどを含んでも良い(以下、「窒素含有雰囲気」というとき同じ。従って、窒素雰囲気及び窒素と不活性ガスの混合雰囲気を「窒素含有不活性雰囲気」ということもできる。)。
出発原料混合粉末を、加圧窒素ガス雰囲気下1600〜2000℃、好ましくは1600〜1900℃の温度範囲で焼成することもできる。この場合には、窒素ガス加圧により、カルシウム、および、ユーロピウムの蒸発、Si3N4の昇華分解が抑制され、短時間で所望の蛍光体を得ることができる。窒素ガス圧を高くすることで焼成温度を上げることができるが、例えば5気圧の窒素ガス加圧下では1600〜1850℃、10気圧の窒素ガス加圧下では1600〜2000℃で焼成することができる。
粉末混合物の焼成に使用される加熱炉については、とくに制約は無く、例えば、高周波誘導加熱方式または抵抗加熱方式によるバッチ式電気炉、ロータリーキルン、流動化焼成炉、プッシャー式電気炉などを使用することができる。
本発明の窒化物赤色蛍光体の製造方法は、図1の組成範囲(斜線部)で示されるCa3N2、AlN、Si3N4とからなる混合物100重量部にEuNをEuとして0.01〜10重量部添加混合した原料粉末を、窒素含有雰囲気中、1400〜2000℃で焼成することを特徴とする。さらに、焼成後の窒化物赤色蛍光体を、さらに酸洗浄し残存した不要な酸化物を除去することが好ましい。
次に、本発明の窒化物赤色蛍光体について説明する。本発明の窒化物赤色蛍光体は、図1の組成範囲(斜線部)で示されるCa3N2、AlN、Si3N4とからなる混合物100重量部にEuNをEuとして0.01〜10重量部添加混合した原料粉末を、窒素含有雰囲気中、1400〜2000℃で焼成することにより得られる焼成物中の主成分であり、単斜晶系のEuで賦活されているCaAlSiN3である。この窒化物赤色蛍光体は、270〜520nmの範囲にピーク波長を有する第一の発光スペクトルの少なくとも一部を吸収して、580〜680nmの範囲にピーク波長を有する第二の発光スペクトルが発光可能である。本発明の窒化物赤色蛍光体は、EuN中に一部がEu2O3で置換された原料を用いても同様に得ることができる。そのため、本発明の赤色蛍光体は、少量の酸素を含有していてもよい。
上記の焼成物中には、酸化カルシウム(CaO)が残存することがあるが、CaOの場合には、酸によって洗浄することで除去することができるので、問題とはならない。上記原料組成範囲を外れると、目的の蛍光体が得られない場合や、目的の蛍光体が得られても、十分な発光強度を得ることはできない。さらにAlNの多い組成では焼成後の蛍光体にAlNが残存するという問題も生じる。AlNは、CaOのように酸の洗浄によって除去が不可能であり、蛍光体として利用する場合、好ましくない。
本発明の窒化物赤色蛍光体は単斜晶系のEuで賦活されているCaAlSiN3であるが、遊離のAlNを含まないものを得ることができる。特にX線回折分析でAlNのピークを含まないものを得ることができる。しかし、窒化物赤色蛍光体中のAlNの含有量は10モル%以下、さらには3モル%以下であるものは好ましい。
さらに、本発明は、上記の窒化物赤色蛍光体を発光素子と組合せ、特に青色発光素子及び赤色蛍光体と組み合わせた発光装置(ランプ等)を提供する。本発明の窒化物赤色蛍光体は青色で励起されて赤色蛍光を高効率で発光できるので、青色発光素子及び赤色蛍光体(YAG:Ce)を用いて色調に優れたランプを提供することができる。
本発明により提供される、単斜晶系であるEuで部分置換されたCaAlSiN3、及び単斜晶系のCaAlSiN3は、いずれも新規な結晶物質であると考えられる。Euで部分置換することなく単斜晶系のCaAlSiN3を同様に製造できることは明らかである。
(第2の側面)
本発明は、第2の側面において、未粉砕の状態で、レーザー回折/散乱式粒度分布測定法で測定した平均粒子径が10μm以下である、Euで賦活されたCaAlSiN3粉末である赤色蛍光体、及びそのEuで賦活されたCaAlSiN3粉末の粉砕物である赤色蛍光体を提供する。このEuで賦活されたCaAlSiN3も単斜晶系結晶であることができる。
現在報告されているCaAlSiN3は2〜3μmの1次粒子が集合して2次粒子を形成している(第305回 蛍光体同学会講演予稿 37ページ;以下「文献2」という。)。白色発光ダイオード用の蛍光体では極端に大きな粒子が含まれると蛍光体の配列が不均一になるため、発光ムラや製品ムラになることが指摘されている(マテリアルインテグレーションVol.16、No.7(2003)、41ページ)。このため、CaAlSiN3に含まれる大きな2次粒子の存在は好ましくない。大きな2次粒子をなくすために粉末作製後に粉砕する方法が考えられる。しかし、一般に、蛍光体粉末を粉砕すると発光強度が低下する問題が生じる。CaAlSiN3の場合においても、粉砕して2次粒子を除くと発光強度が減少することがすでに報告されている(文献2)。粉砕せずにおおきな2次粒子のない蛍光体を得る方法として文献2では、フラックス剤を検討することが提案されている。しかし、フラックスを使用すると、蛍光体粉末を作製した後にフラックスを除去するための洗浄を行う必要が生じるので、フラックスを用いないで粉末を作製するほうが好ましい。
本発明者らは、CaAlSiN3における集合粒子は、原料に含まれるわずかな酸素によるガラス相の生成とそれを介した結晶粒子の接着が原因であると考え、酸素の少ない結晶質窒化ケイ素を用いてCaAlSiN3の作製を行った。しかしならが、その結果、改善の効果は見られず、大きな2次粒子を含んだ粉体しか作製出来なかった。このことは、前記の1次粒子の凝集が酸素のようなガラスを形成するような組成物を介して接着している他に、別の機構によって集合粒子が生成していることを示唆している。調査の結果、1次粒子の凝集形態は、1次粒子同士が面と面で接触した密な2次粒子を形成し(図21B参照)、さらにその2次粒子が大きな塊になっていることが確認された。このことから1次粒子の面と面の接触を少なくできれば、大きな2次粒子および、その粒子がさらに凝集した巨大な2次粒子を低減したCaAlSiN3粉末を得ることが可能であると考え検討を進めた。
1次粒子が面で接触するのは、CaAlSiN3が核形成する時に、各々の結晶核が空間的に密に核形成をすることが原因であると考えられる。その原因として、原料全体が密になっていること、つまり、原料のかさ密度が高いことが考えられる。また、CaAlSiN3の結晶核の形成が特定の場所に集中して起こらないようにすることも重要であると考えられる。このような問題を解決する方法として、窒化ケイ素の原料として、非結晶質窒化ケイ素またはその前駆体である含窒素シラン化合物を利用すると、1次粒子の凝集が少なく、大きな2次粒子を大幅に低減したCaAlSiN3蛍光体粉末を得ることができることをつきとめ、本発明の第2の側面に到達した。
こうして、本発明の第2の側面によれば、粉砕やフラックスを用いることなく細かく均一なCaAlSiN3粉末が提供される。
本発明の第2の側面のCaAlSiN3粉末は、非晶質窒化ケイ素(アモルファス窒化ケイ素)をCaAlSiN3の原料として用いて製造できる。非晶質窒化ケイ素は嵩密度が非常に小さく約0.1g/ccである。一方、結晶質の窒化ケイ素は約0.7g/ccであり、同じ重量であれば約7倍の体積になる。このため、非晶質窒化ケイ素を用いてCaAlSiN3の原料粉末を作製した場合、この原料粉末の嵩密度も、結晶質の窒化ケイ素を用いた場合に較べ非常に小さなくなり、嵩の高い粉末になる。このために、CaAlSiN3が結晶核を形成する際に、空間的にはなれて核形成ができるようになる。空間的な要因の他に、非晶質窒化ケイ素から生成した結晶質窒化ケイ素のサイズの影響もあると考えられる。すなわち、この非晶質窒化ケイ素含む原料粉末を窒素雰囲気中で昇温すると、CaAlSiN3の反応温度よりも窒化ケイ素の結晶化温度が低いので、窒化ケイ素成分は核形成し結晶質の窒化ケイ素になる。この場合、結晶質の窒化ケイ素に較べ、非常に小さい結晶サイズの段階で、他の原料成分であるCa3N2、AlNと接触できるようになる。このために、非晶質窒化ケイ素を用いた場合、均一なCaAlSiN3の核形成が起こるようになる。一方、結晶質窒化ケイ素を用いた場合、Ca3N2とAlNとの反応は各原料の表面での固相反応的な進行になることが予想され、不均一な核形成になることが予想される。このように、非晶質窒化ケイ素を用いた場合、空間的に離れる事が可能であることと均一な核形成が可能になるということが、1次粒子の凝集を低減させると考えられる。
本発明の第2の側面のCaAlSiN3粉末を製造する方法は、上記以外、第1の側面で説明した製法と同様でよい。
典型的には、たとえば、Ca3N220モル%と、AlN60モル%、およびSi3N420モル%とからなる混合物100重量部にEuNをEuとして0.01〜10重量部添加混合した原料粉末を、窒素含有不活性雰囲気中、1400〜1800℃で焼成することにより製造できる。
非晶質窒化ケイ素(アモルファス窒化ケイ素)をCaAlSiN3の原料として用いることで、未粉砕の状態で、レーザー回折/散乱式粒度分布測定法で測定した平均粒子径が10μm以下である、Euで賦活されたCaAlSiN3粉末である赤色蛍光体、及びそのEuで賦活されたCaAlSiN3粉末の粉砕物である赤色蛍光体を提供することができる。
この赤色蛍光体は、CaAlSiN3粉末であり、270〜520nmの範囲にピーク波長を有する励起源からの第一の発光スペクトルの少なくとも一部を吸収して、580〜680nmの範囲にピーク波長を有する第二の発光スペクトルが発光可能である。
この赤色蛍光体は、粉砕やフラックスを用いることなく細かく均一なCaAlSiN3粉末である。粉砕する場合にも、粉砕の程度は少なくして、90%径を45μm以下、好ましくは20μm以下にすることができる。したがって、粉砕による発光強度の低下をなくし、あるいは少なくできる。
(発光装置)
図25に本発明の窒化物赤色蛍光体を用いたランプの例を示す。基板1上の発光ダイオード2は金線3を介してリード4に接続されている。発光ダイオード2は容器5内に本発明の窒化物赤色蛍光体とCeで付活されたYAGとを含む樹脂6中に埋設されている。発光ダイオード2が青色を発光すると、その一部の光を窒化物赤色蛍光体が吸収して、赤色光を発光する。また、YAG:Ceは青色光の一部を吸収して黄色光を発光する。ランプ全体としては、発光ダイオード2が発光し窒化物赤色蛍光体が吸収しなかった残りの青色光と、窒化物赤色蛍光体が発光した赤色光と、YAG:Ceから発した黄色の光が混合されて、最終的に白色その他の光として発光される。
原料となるEuN粉末を得るために、金属ユーロピウムの直接窒化を行った。窒素ボックス中、金属ユーロピウム(添川理化学株式会社、99.9%、塊状)を鑢で削って350μm以下の微粒の金属ユーロピウムとした。これをカーボン坩堝に入れ、窒素雰囲気中、500℃/15分保持し、次に、750℃、2時間保持し、さらに、900℃、1時間保持して、炉中で冷却した。冷却後、窒素ボックスに、坩堝ごと入れ、窒素雰囲気中でEuNを取り出し、この粉末を粉砕し、150ミクロン以下の粉末にして、これを原料とした。
次に、Ca3N2粉末を得るために、金属カルシウムの直接窒化を行った。窒素ボックス中、金属カルシウム(和光純薬工業株式会社、99.0%、粒状)をカーボン坩堝に入れ、窒素雰囲気中、450℃、4時間保持し、次に、750℃4時間保持して、炉中で冷却した。冷却後、窒素ボックスに、坩堝ごと入れ、窒素雰囲気中でCa3N2を取出し、この粉末を粉砕し、150ミクロン以下の粉末にして、これを原料とした。
Si3N4粉末は次のようにして作製した。四塩化ケイ素とアンモニアを室温以下の温度で反応させることにより得られたシリコンジイミドを1200℃で熱処理し、アモルファス窒化ケイ素粉末を得てこれを原料とした。AlN粉末に関しては、市販品((株)トクヤマ製、Fグレード)を用いた。
これらの原料を、窒素ボックス中でCa3N2:AlN:Si3N4=38.5:46.1:15.4(モル%)の割合で秤量し、さらに前記割合で得られる原料100重量部に対しEuNをEuとして1.5重量部添加した。これらの原料を窒素ガス雰囲気中で振動ミルにて1時間混合した。次に、混合粉末を、窒素ボックス中で、窒化ホウ素(BN)の坩堝に入れた。この坩堝を、カーボン製の坩堝に入れ、誘導加熱炉に設置し、窒素雰囲気中、室温から1200℃までを1時間、1200℃から1400℃までを4時間、1400℃から1650℃までを3時間の昇温スケジュールで加熱し、1650℃にて1時間保持し、加熱をとめ、炉内で冷却して、粉末を取り出した。
作製した蛍光体粉末に、中心波長として365nmを発光する紫外ランプの光を当てたところ明るい赤色の発光が確認された。
この粉末のX線回折図を図2に示す。X線パターンからAlNは存在しないものの、CaOの残存が認められた(CaOはInorganic Crystal Structure Database collection code 75785を用いて同定した。)。図2にはCaOとして分離できるピークについてその位置を矢印で示した。以上のように、CaOの残存が認められたので、この粉末を2規定の硝酸溶液で洗浄し、CaOを取り除いた。このようにして得られた蛍光体粉末のX線回折図を図3に示す。
一方、文献1で開示されたCaAlSiN3と本蛍光体の結晶を比較するために、比較例9で示される方法でCaAlSiN3を作製した。比較例9で作製した結晶相はX線回折パターンの同定の結果、斜方晶系のCaAlSiN3であり、文献1に開示されているCaAlSiN3であることを確認した。このX線回折パターンを図20に示す。
次に、本発明の赤色蛍光体(図3)と比較例9の赤色蛍光体である斜方晶CaAlSiN3(図20)の詳細な比較を行う。図3と図20のX線回折パターンは非常に類似しているが詳細な点で大きく異なる。これを明確にするために、図4に2θが30°から42°のX線回折パターン、図5に2θが45°から70°の回折パターンを拡大した。本発明の赤色の蛍光体は31.5°付近のピーク、36.3°付近のピークが分裂し、斜方晶CaAlSiN3とは異なるピークが出現している。さらに、図4には45°から70°の比較を示す。ここでも、56.2°付近のピークにも分裂が見られる。さらに、68°から69°にかけての回折パターンが大きく異なることが分かる。以上のことから、本発明の赤色蛍光体は、比較例9の赤色蛍光体(文献1と同じ物)に開示されている赤色蛍光体とは異なると考えられる。
さらに図3のX線回折パターンをもとに結晶構造の解析を行った。その結果、この結晶相は単斜晶系に属することが明らかになった。その格子定数は、a=11.6934、b=9.8697,c=5.7160、β=117.2630であるときに、計算されたピーク位置と、実測のピーク位置が最も良い一致を示した。文献1に開示されているCaAlSiN3は、斜方晶系であり、その格子定数はa=9.8007、b=5.6497、c=5.0627と報告されている。このように、本発明の赤色蛍光体の結晶相と文献1に報告されている結晶相とは異なる。
次に、酸洗浄後の試料について、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製の誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP−AES)を用いて金属元素の定量を行い、さらに、LECO社製の酸素窒素同時分析装置を用いて酸素、および、窒素の定量分析を行い、各元素の重量%を求めた。その結果を表2に示す。参考としてCaAlSiN3の理論重量%を示した。両者はほぼ一致しており、この蛍光体はCaAlSiN3の組成比を持つものと考えられる。前述のX線回折パターンの議論と本組成分析の結果を合わせると、本赤色蛍光体は単斜晶系に属するCaAlSiN3であると結論づけられる。
次に、660nmにおける励起スペクトルを測定した。結果を図7に示す。吸収は460nmと340nm確認された。この蛍光体は、紫外から青色にかけて吸収をもっており、紫外〜青色の領域において良好な赤色蛍光体として利用できることを示していた。
さらに、同装置と量子効率測定プログラムを用いて量子効率を求めた。結果は比較例9の斜方晶系のCaAlSiN3の内部量子効率を100としてその相対値として評価した。結果を表3に示す。量子効率は斜方晶系のものよりも優れており、本発明の赤色蛍光体が優れた特性を有することが分かった。
実施例1と同じ原料を準備し、これらの原料を、窒素ボックス中でCa3N2:AlN:Si3N4=20.0:60.0:20.0(モル%)の割合で秤量し、さらに前記割合で得られる原料100重量部に対しEuNをEuとして1.5重量部添加し、実施例1と同じ方法で焼成し、赤色蛍光体を得た。この粉末のX線回折図を図8に示す。実施例1と同様に、2θが30°から42°の部分を拡大したものを図9に示す。ここでは比較のために、比較例9(斜方晶系CaAlSiN3)、実施例1(単斜晶系CaAlSiN3)と比較した。比較から、本実施例の赤色蛍光体は、実施例1に類似した結晶で、単斜晶系であることが分かった。同様に2θが45°から70°の比較を図10示す。ここでも同様に、実施例1の結晶に類似していることが確認され、本実施例の蛍光体を構成する結晶は、単斜晶系のCaAlSiN3であることが確認された。
次に、この蛍光スペクトル、励起スペクトルを実施例1と同じ方法で調べた、結果は実施例1とほぼ同じ波長にピークを有する蛍光スペクトル、励起スペクトルであった。さらに、内部量子効率を求めた。結果を表3に示す。この赤色蛍光体は、斜方晶系のCaAlSiN3よりも優れた内部量子効率を示した。
[実施例3]
実施例1と同じ原料を準備し、これらの原料を、窒素ボックス中でCa3N2:AlN:Si3N4=60.0:30.0:10.0(モル%)の割合で秤量し、さらに前記割合で得られる原料100重量部に対しEuNをEuとして1.5重量部添加し、実施例1と同じ方法で焼成し、赤色蛍光体を得た。この粉末のX線回折図を図11に示す。CaOの残存が顕著になるが、CaOを除いたX線回折パターンは、実施例1と同様であり、この赤色蛍光体は単斜晶系CaAlSiN3であることが確認された。この赤色蛍光体はCaOを含むので、実施例1と同様に酸によって洗浄し、CaOの除去を行い、実施例1と同じ方法で蛍光スペクトル、励起スペクトルを測定した。結果は実施例1とほぼ同じ蛍光スペクトル、励起スペクトルであった。さらに実施例1と同じ方法で内部量子効率を求めた。この赤色蛍光体も、斜方晶系のCaAlSiN3よりも優れた赤色蛍光体であった。
(比較例1)
表1に示す組成で、実施例1と同じ方法で蛍光体粉末を作製した。X線回折パターンを図12に示す。このX線回折パターンの解析から、この粉末には、実施例1の赤色蛍光体の結晶、CaO、AlNが存在することが確認された。実施例1と同じように2規定の硝酸を用いて洗浄したところ、CaOの除去は可能であったが、AlNの除去はできなかった。蛍光スペクトルを測定したところ、実施例1とほぼ同じ蛍光波長を示した。発光強度は実施例1の約50%であった。
(比較例2)
表1に示す組成で、実施例1と同じ方法で蛍光体粉末を作製した。X線回折パターンを図13に示す。このX線回折パターンの解析から、この粉末には、実施例1の赤色蛍光体の結晶、CaO、さらに別の結晶相が存在することが分かった。蛍光スペクトルを測定したところ、実施例1とほぼ同じ蛍光波長を示した。発光強度は実施例1の約61%であった。
(比較例3)
表1に示す組成で、実施例1と同じ方法で蛍光体粉末を作製した。X線回折パターンを図14に示す。この組成で得られる蛍光体は、比較例2とほぼ同じ結晶相で構成されていた。蛍光スペクトルを測定したところ、実施例1とほぼ同じ蛍光波長を示した。発光強度は実施例1の約68%であった。
(比較例4)
表1に示す組成で、実施例1と同じ方法で蛍光体粉末を作製した。X線回折パターンを図15に示す。このX線回折パターンの解析から、この粉末には、実施例1の赤色蛍光体の結晶、CaO、さらに別の結晶相が存在することが分かった。蛍光スペクトルを測定したところ、実施例1とほぼ同じ蛍光波長を示した。発光強度は実施例1の約62%であった。
(比較例5)
表1に示す組成で、実施例1と同じ方法で蛍光体粉末を作製した。X線回折パターンを図16に示す。このX線回折パターンの解析から、この粉末には、比較例9における斜方晶系CaAlSiN3(格子定数が異なる)結晶相と、同定できない結晶相が存在した。また、ごく微量のAlNも存在した。蛍光スペクトルを測定したところ、蛍光波長は実施例1よりも黄色にシフトして650nmであった。発光強度は実施例1の約66%であった。
(比較例6)
表1に示す組成で、実施例1と同じ方法で蛍光体粉末を作製した。X線回折パターンを図17に示す。このX線回折パターンの解析から、この粉末には、比較例9における斜方晶系CaAlSiN3(格子定数が異なる)結晶相と、同定できない結晶相が存在した。蛍光波長は実施例1よりも黄色にシフトして645nmであった。発光強度は実施例1の約50%であった。
(比較例7)
表1に示す組成で、実施例1と同じ方法で蛍光体粉末を作製した。X線回折パターンを図18に示す。このX線回折パターンの解析から、X線回折の強度が低下し、この組成領域では良好な結晶を得ることが難しくなっていることが分かる。そのため結晶相の同定は行わなかった。蛍光波長は実施例1よりも黄色にシフトして645nmであった。発光強度は実施例1の約41%であった。
(比較例8)
表1に示す組成で、実施例1と同じ方法で蛍光体粉末を作製した。X線回折パターンを図19に示す。このX線回折パターンの解析から、この粉末には、実施例1に類似した結晶相を含むが、全体的に回折強度が低く、良好な結晶相を得ることができなかった。蛍光スペクトルを測定したところ、実施例1とほぼ同じ蛍光波長を示した。しかし、発光強度は実施例1の約72%であった。
(比較例9)
表1に示す組成で、原料として、非晶質のSi3N4に代えて結晶質のSi3N4を用いた。結晶質Si3N4の表面積は約10m2/gであった。その他の原料は実施例1と同じにして、焼成方法も実施例1と同じ方法で行った。X線回折パターンを図20に示す。このX線回折パターンと文献1に示される斜方晶系CaAlSiN3(格子定数、a=9.8007、b=5.6497、c=5.0627)と比較したところ、非常に良い一致をした。実施例1と同じ方法で内部量子効率を求めた。
[実施例4]
実施例2で作製した蛍光体粉末の走査型電子顕微鏡写真(以下SEM写真)を図21Aに示す。比較として、図21Bには結晶化質窒化ケイ素を用いた場合の粒子の形態の写真を示した。図21Bの結晶質窒化ケイ素を用いたCaAlSiN3では1次粒子が面接触し強く凝集した10μm程度の2次粒子になっているのに対し、図21Aの非晶質窒化ケイ素を原料に用いた場合、1次粒子が面接触し密に集合した大きな2次粒子は認められない。詳細に見ると図21Aにも図21Bのような凝集した粒子は認められるが、そのサイズは図21Bよりもはるかに小さい。また、非晶質窒化ケイ素を用いて作製したCaAlSiN3は、個々の粒子が自形を呈していることが分かる。これはCaAlSiN3が空間的に孤立したような場で結晶性長したことを示唆しており、我々がもくろんだ、結晶核を空間的離れた状態で、均一に核形成できたことを裏付けている。
次に、粉末全体の凝集を示す粒度分布の測定を試みた。測定は堀場製作所製のレーザー回折/散乱式粒度分布測定装置LA−910を用いた。湿気などによる粉末の弱い凝集を除くために2分の超音波分散を行い測定を行った。測定結果を図22に示す。実施例2で作製した非晶質窒化ケイ素を用いたCaAlSiN3粒子は約4μmの凝集体の頻度が高いのに対し、比較例10で作製した結晶質窒化ケイ素を用いたものは約60μm程度の巨大な凝集粒子の頻度が高くなっていた。非晶質窒化ケイ素を用いると2次粒子がさらに凝集して大きな巨大粒子になることが有効に回避されていることがわかる。測定による平均粒子径を表4にまとめた。非晶質窒化ケイ素を用いた場合、粉砕することなしに平均粒子径10μm以下の粉体を得ることができる。
次に、657nmにおける励起スペクトルを測定した。結果を図24に示す。吸収は450nmと320nm確認された。この蛍光体は、紫外から青色にかけて吸収をもっており、紫外〜青色の領域において良好な蛍光体として利用できることを示していた。
(比較例10)
比較例9を繰り返した。すなわち、窒化ケイ素原料として、結晶質窒化ケイ素を用いた以外は実施例2と同じ方法で蛍光体を作製した。用いた結晶化質窒化ケイ素の比表面積は約10m2/gであった。酸素含有量は1.3wt%であった。
得られた粉末CaAlSiN3粒子のSEM写真を図21Bに示した。粒子の基本構造を明確に表すために、比較例10の粉末の中では小さい粒子を選んで示した。実際には写真に示す粒子よりもっと大きな粒子が主体である。その大きな存在形態は図21Bに示したような粒子がさらにつながって大きな粒子を形成していた。
次に、実施例4と同じ方法で蛍光スペクトル、励起スペクトルを測定した。その結果、ピーク位置は実施例4と同等のものが得られたが、蛍光強度は実施例4と比べて低かった。
さらに、粉末全体の粒度を明確にするために粒度分布測定を実施例4と同じ方法で行った。粒度分布の測定に際し、結晶質窒化ケイ素を用いて作製したCaAlSiN3には比較的堅く焼結した数百μm程度の塊が多く存在したので、そのような塊を除くためにめのう乳鉢を用いて塊をつぶした。測定結果を図22に示した。平均粒子径は29.3μmであった。測定の結果から分かるように、この比較例10の蛍光体粉末は60μm以上の粉末が多数存在する。これらの巨大な粒子は白色発光ダイオードの蛍光体粉末としては不適切である。この粉末を白色発光ダイオード用の蛍光体として利用するためには粉砕を行う必要がある。そこで、粉末を10gと5mmΦのジルコニアボールを250ccの容器に入れ振動ミルにて30分の粉砕を行った。粉末とボールを分けて、粉末の粒度分布を実施例4と同じ方法で測定した。その結果、平均粒子径は2.0μmになった。走査型電子顕微鏡によって粒子の形態を観察したところ、大きな粒子は消失したが、粉砕した粉末に特有の細かい粒子のかけらが多数存在した。この時、発光強度(励起波長450nm)は、粉砕前の強度に較べ65%まで低下した。以上のように、原料に結晶質窒化ケイ素を用いて蛍光体粉末を作製した場合、粉砕を行って大きな粒子を除く必要があり、その場合は発光強度が低下し、蛍光体としての性能が低下してしまう。
(比較例11)
窒化ケイ素原料として、酸素の少ない結晶質窒化ケイ素を用いた以外は比較例10と同じ方法で蛍光体を作製した。用いた結晶化質窒化ケイの表面積は約3m2/g、酸素含有量は0.9wt%であった。本比較例に使用した窒化ケイ素粉末を用いると、原料の粉体のかさ密度は比較例10よりも大きくなり、嵩の低い粉体となった。得られた粉末の平均粒子径を表4に示した。比較例10と同様に大きな凝集粒子になっていた。蛍光スペクトル、励起スペクトルは実施例2より低くなった。この粉末も、比較例10と同様に白色発光ダイオードの用の蛍光体として利用するには粉砕が必要である。
[実施例5]
添加するEuNをEuとして2.5重量部に変えた以外は実施例2と同じ方法で蛍光体を作製した。得られた蛍光体の蛍光波長は実施例2に較べ長波長側にシフトし、666nmになった。次にこの蛍光体の量子効率を実施例1と同じ方法で測定した結果を表3に示す。
(比較例12)
添加するEuNをEuとして11重量部にした以外は実施例2と同様の方法で蛍光体を作製し、実施例2と同様の方法で蛍光スペクトルを測定した。蛍光波長は694nmまでシフトした。蛍光強度は実施例2の50%まで低下した。
Claims (22)
- 蛍光体を構成する結晶相が単斜晶系のEuで賦活されたCaAlSiN3であることを特徴とする赤色蛍光体。
- CaAlSiN3結晶相100重量部に対してEuを0.01〜10重量部含む請求項1に記載の赤色蛍光体。
- 遊離のAlNを含まない請求項1又は2に記載の赤色蛍光体。
- X線回折分析でAlNが検出されない請求項3に記載の赤色蛍光体。
- 未粉砕の状態で、レーザー回折/散乱式粒度分布測定法で測定した平均粒子径が10μm以下である、Euで賦活されたCaAlSiN3粉末であることを特徴とする赤色蛍光体。
- 請求項5に記載のEuで賦活されたCaAlSiN3粉末の粉砕物であることを特徴とする赤色蛍光体。
- 単斜晶系結晶である請求項5又は6に記載の赤色蛍光体。
- 単斜晶系である、Euで部分置換されたCaAlSiN3。
- 単斜晶系のCaAlSiN3。
- 発光素子と黄色蛍光体と請求項1〜7のいずれか1項に記載の赤色蛍光体を含む発光装置。
- 発光素子が青色発光ダイオードである請求項10に記載の発光装置。
- 前記赤色蛍光体が、前記青色発光素子が発光する青色光を赤色光に変換する請求項11に記載の発光装置。
- 図1の組成図において下記4点A〜D、すなわち、(Ca3N2:AlN:Si3N4)のモル比が下記比である4点:
点A:(10:70:20)
点B:(10:65:25)
点C:(70:23:7)
点D:(70:22:8)
を結ぶ直線で囲まれた領域内の組成となるCa3N2、AlN、Si3N4と、Ca3N2、AlN、Si3N4の合計100重量部に対してEuNをEuとして0.01〜10重量部含む原料粉末を窒素含有雰囲気中、1400〜2000℃で焼成することを特徴とする単斜晶系のEuで賦活されたCaAlSiN3の製造方法。 - 加圧窒素雰囲気中1600〜2000℃で焼成する請求項13に記載の方法。
- 原料粉末であるCa3N2、AlN、Si3N4の合計100モル%のうちCa3N2が20〜40モル%の範囲内である請求項13又は14に記載の方法。
- 原料粉末中のAlNとSi3N4のモル比が約3:1である請求項13〜15のいずれか1項に記載の方法。
- EuNの一部がEu2O3で置換された原料粉末を使用する請求項13〜16のいずれか1項に記載の方法。
- 原料Si3N4として非晶質Si3N4または含窒素シラン化合物を用いる請求項13〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 窒素含有雰囲気が窒素雰囲気である請求項13〜18のいずれか1項に記載の方法。
- 焼成後の単斜晶系のEuで賦活されたCaAlSiN3結晶を、さらに酸洗浄して酸化物を除去する請求項13〜19のいずれか1項に記載の方法。
- 単斜晶系のEuで賦活されたCaAlSiN3が赤色蛍光体である請求項13〜20のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の赤色蛍光体と、黄色蛍光体と、発光素子を用いて、発光装置を製造する方法。
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JP5130639B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2013-01-30 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体及びそれを使用した発光装置 |
EP1867695A4 (en) | 2005-04-01 | 2013-03-27 | Mitsubishi Chem Corp | ALLOY POWDER AS A RAW MATERIAL FOR FUNCTIONAL AND PHOSPHOROUS INORGANIC MATERIAL |
WO2006126567A1 (ja) | 2005-05-24 | 2006-11-30 | Mitsubishi Chemical Corporation | 蛍光体及びその利用 |
US7262439B2 (en) | 2005-11-22 | 2007-08-28 | Lumination Llc | Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications |
US7859182B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-12-28 | Lumination Llc | Warm white LED-based lamp incoporating divalent EU-activated silicate yellow emitting phosphor |
JP5378644B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2013-12-25 | Dowaホールディングス株式会社 | 窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体の製造方法 |
JP5076446B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2012-11-21 | ソニー株式会社 | 発光組成物、光源装置、表示装置、発光組成物の製造方法 |
JP2008111035A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Sony Corp | 蛍光体、光源装置、及び表示装置 |
WO2008133077A1 (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | 無機化合物の製造方法、蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置 |
US8274215B2 (en) | 2008-12-15 | 2012-09-25 | Intematix Corporation | Nitride-based, red-emitting phosphors |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
DE102009037730A1 (de) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Konversions-LED mit hoher Farbwiedergabe |
WO2012017949A1 (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | 宇部興産株式会社 | 珪窒化物蛍光体用窒化珪素粉末並びにそれを用いたCaAlSiN3系蛍光体、Sr2Si5N8系蛍光体、(Sr,Ca)AlSiN3系蛍光体及びLa3Si6N11系蛍光体、及びその製造方法 |
CN103068728B (zh) * | 2010-08-19 | 2015-09-23 | 宇部兴产股份有限公司 | 硅氮化物荧光体用氮化硅粉末、使用其获得的Sr3Al3Si13O2N21荧光体和β-赛隆荧光体以及它们的制备方法 |
TWI393764B (zh) * | 2010-10-15 | 2013-04-21 | Chi Mei Corp | A phosphor and a light emitting device |
CN108456516A (zh) * | 2010-11-09 | 2018-08-28 | 奇美实业股份有限公司 | 荧光体的制造方法 |
TW201231619A (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Method of preparing nitride-based red phosphor powder and package structure of light emitting diode |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
CN102391861B (zh) * | 2011-09-29 | 2014-08-27 | 北京宇极科技发展有限公司 | 一种氮化合物发光材料及其制法以及由其制成的照明光源 |
KR101876103B1 (ko) * | 2011-10-12 | 2018-07-06 | 우베 고산 가부시키가이샤 | 산질화물 형광체 분말, 산질화물 형광체 분말 제조용 질화규소 분말 및 산질화물 형광체 분말의 제조 방법 |
CN103045256B (zh) | 2011-10-17 | 2014-08-27 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种led红色荧光物质及含有该荧光物质的发光器件 |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8663502B2 (en) | 2011-12-30 | 2014-03-04 | Intematix Corporation | Red-emitting nitride-based phosphors |
KR101641378B1 (ko) | 2011-12-30 | 2016-07-20 | 인터매틱스 코포레이션 | 전하 평형을 위한 침입형 양이온을 갖는 질화물 인광체 |
JP2012207228A (ja) * | 2012-07-09 | 2012-10-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びそれを使用した発光装置 |
US8597545B1 (en) | 2012-07-18 | 2013-12-03 | Intematix Corporation | Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
CN102994079A (zh) | 2012-12-21 | 2013-03-27 | 北京有色金属研究总院 | 氮氧化物橙-红色荧光物质,包括其的发光膜或发光片及发光器件 |
CN103881706B (zh) * | 2012-12-21 | 2016-01-20 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种氮氧化物荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
DE102013105304A1 (de) | 2013-05-23 | 2014-11-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials, pulverförmiges Precursormaterial und seine Verwendung |
CN103396799A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-11-20 | 惠州市西顿工业发展有限公司 | Led灯及其采用的红发射无机发光材料的制备方法 |
KR101554675B1 (ko) | 2013-11-28 | 2015-09-22 | 한국화학연구원 | 질화물 형광체 분말 및 이의 제조방법 |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
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US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
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US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US9434876B2 (en) | 2014-10-23 | 2016-09-06 | Central Glass Company, Limited | Phosphor-dispersed glass |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
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US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
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US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
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US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
USD876504S1 (en) | 2017-04-03 | 2020-02-25 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) * | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
CN107369742B (zh) * | 2017-07-18 | 2019-04-16 | 中国计量大学 | 一种高显色指数高s/p值白光led及其获得方法和应用 |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
TR201711917A2 (tr) * | 2017-08-11 | 2019-02-21 | Dokuz Eyluel Ueniversitesi Rektoerluegue | Uv işiği kirmizi işiğa dönüştüren fosfor bazli güneş koruyucu |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
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US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
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KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
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US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
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CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
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JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
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US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
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USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
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US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
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US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
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US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
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KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
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JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
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KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
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TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006274265A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-12 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 放射線源と蛍光物質を含む照明システム |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
JP4052136B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2008-02-27 | 宇部興産株式会社 | サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法 |
JP4066828B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2008-03-26 | 宇部興産株式会社 | サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法 |
JP4165318B2 (ja) * | 2003-07-16 | 2008-10-15 | 宇部興産株式会社 | サイアロン系蛍光体およびその製造方法 |
JP3837588B2 (ja) | 2003-11-26 | 2006-10-25 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 |
JP4362625B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2009-11-11 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体の製造方法 |
JP5016187B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2012-09-05 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びled |
JP2005336450A (ja) | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体組成物とその製造方法、並びにその蛍光体組成物を用いた発光装置 |
JP4414821B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-02-10 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体並びに光源およびled |
JP4422653B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2010-02-24 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに光源 |
-
2006
- 2006-01-25 EP EP06712738.1A patent/EP1845146B1/en not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006274265A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-12 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 放射線源と蛍光物質を含む照明システム |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6010028339, 上田恭太, "白色LED用赤色窒化物蛍光体", 第305回蛍光体同学会講演予稿, 2004, p37−47 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006080535A1 (ja) | 2006-08-03 |
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US20080128726A1 (en) | 2008-06-05 |
CN101090953B (zh) | 2012-10-03 |
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