JPWO2002052589A1 - 半導体装置及びその製造方法並びに半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
高周波電力増幅装置は二つの増幅系を有する。増幅系は、複数の増幅段を従続接続した構成になり、電源電圧端子は２端子となり、一方の電源電圧端子は一方の増幅系の初段増幅段と他方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続され、他方の電源電圧端子は他方の増幅系の初段増幅段と一方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続されている。各増幅系の最終増幅段と電源電圧端子との間には、０．１ｍｍ程度の直径の銅線を螺旋状に密に巻いた直流抵抗が小さい空芯コイルが直列に接続されている。各増幅系は最終増幅段からの初段増幅段への信号の漏れがないことと、空芯コイルの直流抵抗が小さいことから発振マージンが改善される。空芯コイルは安価であり高周波電力増幅装置の低コスト化が図れる。空芯コイルはバルクフィーダで供給されてモジュール基板に搭載される。
Description
技術分野
本発明は、半導体装置及びその製造方法並びに半導体製造装置に係わり、例えば、半導体装置として複数の増幅器（半導体増幅素子）を多段に縦続接続した多段構成の高周波電力増幅装置（高周波電力増幅モジュール）の製造技術、及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ携帯電話機等の無線通信装置（電子装置）に適用して有効な技術に関する。
背景技術
自動車電話機，携帯電話機等の無線通信装置に用いられる高周波電力増幅装置は、半導体増幅素子（トランジスタ）で構成される複数の増幅器を、２段または３段等多段に縦続接続した多段構成となっている。多段構成の最終段の増幅器（最終増幅段）は出力段となり、その前の各段の増幅器（増幅段）は駆動段となる。また、回路インピーダンス調整のために、各所にインダクタが組み込まれている。
高周波電力増幅装置の特性としては、高効率でかつ高利得、小形でかつ低コストであることが求められる。さらに、携帯での使用という特異性からアンテナのインピーダンスが使用条件で大きく変化して負荷不整合になり反射が起こって、最終段の増幅素子（半導体増幅素子）に大きな電圧が加わる場合が生じる。増幅素子にはそれに耐え得る破壊耐圧も考慮する必要がある。
第３３図は本発明者等が本発明に先立って検討した高周波電力増幅装置の回路構成を示すブロック図である。この高周波電力増幅装置は、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）とＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍ）と呼称される二つの通信系の増幅が可能なデュアルバンド用の高周波電力増幅装置である。
この高周波電力増幅装置１は外部電極端子として、ＧＳＭ用入力端子（ＰｉｎＧＳＭ▲１▼）、コントロール端子（Ｖａｐｃ▲２▼）、電源電圧Ｖｄｄの一方の電源電圧端子（Ｖｄｄ１▲３▼）、ＧＳＭ用出力端子（ＰｏｕｔＧＳＭ▲４▼）、ＤＣＳ用出力端子（ＰｏｕｔＤＣＳ▲５▼）、電源電圧Ｖｄｄの他方の電源電圧端子（Ｖｄｄ２▲６▼）、通信バンド切替用端子（Ｖｃｔｌ▲７▼）、ＤＣＳ用入力端子（ＰｉｎＤＣＳ▲８▼）、図示しないグランド電圧端子（ＧＮＤ）を有している。
ＤＣＳ及びＧＳＭ共にその増幅系は３段増幅構成になっている。ＤＣＳ増幅系は１ｓｔ，２ｎｄ，３ｒｄで示す増幅段（ａｍｐ１，ａｍｐ２，ａｍｐ３）で構成され、ＧＳＭ増幅系は１ｓｔ，２ｎｄ，３ｒｄで示す増幅段（ａｍｐ４，ａｍｐ５，ａｍｐ６）で構成されている。各増幅段は図示しないが電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）によって形成されている。
このような構成において、ＰｉｎＤＣＳ▲８▼はａｍｐ１に接続され、ＰｏｕｔＤＣＳ▲５▼はａｍｐ３に接続されている。また、ＰｉｎＧＳＭ▲１▼はａｍｐ４に接続され、ＰｏｕｔＧＳＭ▲４▼はａｍｐ６に接続されている。
Ｖａｐｃ▲２▼はバイアス回路２に接続されるとともに、このＶａｐｃ▲２▼に入力された信号によってａｍｐ１〜ａｍｐ６は制御される。
Ｖｄｄ１▲３▼は、マイクロストリップラインＭＳ３を介してａｍｐ４に接続され、マイクロストリップラインＭＳ４を介してａｍｐ５に接続され、インダクタＬ２を介してａｍｐ６に接続されている。また、高周波特性の安定化のために外付けでＶｄｄ１▲３▼には一端がＧＮＤに接地される容量Ｃ１が接続されている。
Ｖｄｄ２▲６▼は、マイクロストリップラインＭＳ１を介してａｍｐ１に接続され、マイクロストリップラインＭＳ２を介してａｍｐ２に接続され、インダクタＬ１を介してａｍｐ３に接続されている。また、高周波特性の安定化のために外付けでＶｄｄ２▲６▼には一端がＧＮＤに接地される容量Ｃ２が接続されている。
Ｖｃｔｌ▲７▼は、バンド選択回路３に接続されている。このバンド選択回路３は、ソース接地される３個のｎチャネル型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ８，Ｑ９，Ｑ１０と、一つの抵抗Ｒ１とで構成されている。Ｑ８とＱ９のゲート端子はＶｃｔｌ▲７▼に接続されている。Ｑ１０のゲート端子はＱ９のドレイン端子に接続され、ドレイン端子は抵抗Ｒ２を介してａｍｐ５の出力側に接続されている。Ｑ９のドレイン端子は抵抗Ｒ１を介してＶｄｄ２▲６▼に接続されている。Ｑ８のドレイン端子はインダクタＬ３を介してａｍｐ３の入力側に接続されている。
Ｖｃｔｌ▲７▼に供給される信号によってバンドの切り替えが行われ、ＤＣＳ通信のための増幅またはＧＳＭ通信のための増幅が行われる。
第３３図に示すような回路構成では、ＧＳＭ回路チェーン及びＤＣＳ回路チェーンの電源ラインは共通に使っている。この結果、３ｒｄＦＥＴからの漏れ信号が電源ラインを通して１ｓｔＦＥＴに戻る帰還（ｆｅｅｄ ｂａｃｋ ｌｏｏｐ）が形成され（第３３図において示す太線矢印参照）、発振を起こしやすいことが分かった。
一方、従来ではインダクタとしてはチップインダクタを使用している。しかし、チップインダクタは直流抵抗（ＤＣ抵抗）が大きく、例えば、携帯電話機用の高周波電力増幅装置（高周波パワーアンプモジュール）においては、出力及び効率の向上を妨げる原因となっている。即ち、チップインダクタは高周波電力増幅装置の電源ラインに使用する場合、例えば、２Ａ以上の電流容量が必要で特別仕様となり、価格が高く、また緊急の調達が難しい。
また、市販の空芯コイルは外形サイズが大きく、モジュールの高さ制限から搭載できない。即ち、高周波電力増幅装置に組み込むチップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ型電子部品は、１００５製品と呼称され、長さが１ｍｍで幅及び高さが０．５ｍｍと小さいが、市販の空芯コイルはこれ以上大きい。
また、従来のチップインダクタはコスト的にも高く、混成集積回路装置の低コスト化の妨げになっている。即ち、チップインダクタには種々な構造のものがあるが、高周波電力増幅装置に使用されるチップインダクタは、セラミックスからなるベース部材に線材を巻いた構造のもの、セラミックスをベースにＡｇ，Ｎｉ等の導体を積み重ねてスパイラル構造を形成するもの、及びセラミックコアの表面にメッキ等を施して金属層を形成し、この金属層をレーザ光で螺旋状にカットした構造のものが主流になっている。
そこで、本出願人においては、小型化及びコスト低減を図るために、さらにはＤＣ抵抗の低減を図るため、導電性の良好な金属線を螺旋状に巻いたコイルについて検討し、新たなコイル（コイルインダクタ）を提案している（特願２０００−３６７７６２号公報）。
このコイルは、例えば一例を挙げるならば、表面を絶縁膜（例えば、ポリエチレン膜）で被った直径０．１ｍｍの銅線を螺旋状に巻いた構造となり、外径は０．５６ｍｍ程度、長さは０．９ｍｍ程度である。螺旋に巻く前に銅線の両端部分の絶縁膜を一定の長さ除去しておき、あるいは絶縁膜を付けないでおく。従って絶縁膜が被覆されない１乃至複数巻の捲線部分が電極となる。このコイルはその重量も０．０７２５ｍｇ程度と極めて軽い。また、このコイルは、銅線を巻いて製造することから、従来のチップインダクタ（例えば、小さい金属層をレーザ光で螺旋状にカットした構造の１００５製品）は、インダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗は１００ｍΩとなる。
これに対して、本出願人提案の空芯コイルは、インダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗は２０ｍΩと従来の１／５となるとともに、コスト的にも優位になる。
本出願人は、このようなコイル（空芯コイル）を混成集積回路装置でもある高周波電力増幅装置に組み込むべく従来のバルクフィーダを用いて組み立てを行った。
しかし、従来のバルクフィーダでは、極めて重量が軽いこのようなコイル（空芯コイル）を安定して供給することは困難であるということが分かった。
半導体製造装置でもあるバルクフィーダとしては、例えば、「Ｍａｔｓｕｓｈｉｔａ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ」、Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．４，Ａｕｇ．１９９９，Ｐ８６〜Ｐ９０に記載されている。この文献には、積層チップコンデンサや角板形チップ抵抗等の表面実装型電子部品の実装に適した、ホッパー方式のバルクフィーダについて記載されている。
第３４図乃至第４２図は従来のバルクフィーダに係わる図である。第３４図に示すように、従来のバルクフィーダはバルクを収容するバルク収納ケース１０と、このバルク収納ケース１０の下部に設けられたホッパー１１と、このホッパー１１から取り込まれたバルクを先端のバルク供給部１２まで案内する搬送レール１３とを有する。
バルク収納ケース１０は薄い箱型構造となりその内底は両側から中央に向かってバルクを集める傾斜体１４となっている。この傾斜体１４の中心を貫くように配置され、傾斜体１４の内底部分に集められたバルクを一列状態でバルク収納ケース１０から取り出すホッパー１１は、第３５図に示すように、上端に円錐台窪み１５を有するガイド１６と、このガイド１６を貫き中心軸に沿ってバルクを１個案内するガイド孔１７を有する角パイプからなる供給シャフト１８で構成されている。供給シャフト１８の上端からガイド孔１７内にバルクが入るように、前記ガイド１６は上下に振動する構造となっている。例えば、バルクの長さ（１ストローク：１ｓｔ）の略３倍程度の振幅をもって振動する。
また、ガイド孔１７は第３６図に示すように、矩形断面になっている。供給シャフト１８は２．６ｍｍ直径で、その中心に幅０．６３ｍｍ長さ０．８７ｍｍの四角形のガイド孔１７が設けられている。
このようなバルクフィーダで、バルクとして０．５６ｍｍ×０．８５ｍｍの大きさのコイル（空芯コイル）９を供給する場合、第３５図及び第３６図に示すように、幾つかの供給不良が発生してしまうことが分かった。
一つは、筒状の供給シャフト１８の肉厚が厚いため、供給シャフト１８の上端に空芯コイル９が乗ってしまいガイド孔１７内に入らない供給不良Ａである。
一つは、ガイド１６が下方に下がった時点で円錐台窪み１５の傾斜面と供給シャフト１８の外周面との間に隙間１９が発生し、この隙間１９内に空芯コイル９が挟まる供給不良Ｂである。
一つは、空芯コイル９にもその寸法上バラツキがあることから、０．５３ｍｍ×０．８５ｍｍの大きさの空芯コイル９が０．６３ｍｍ×０．８７ｍｍの大きさのガイド孔１７の途中に横向きになって引っ掛かって詰まる供給不良Ｃである。
一方、従来のバルクフィーダの搬送レール１３は、第３４図に示すように、途中に継ぎ目Ｄが存在することから、その継ぎ目で空芯コイル９が引っ掛かり、供給不良が発生することもある。
他方、バルク供給部１２は、第３７図に示すような構造となり、第３７図乃至第４２図で示すような動作をする。即ち、第３７図に示すように、搬送レール１３の先端側では、搬送レール本体２５の先端上面側は一段低くなり、この低い部分に摺動子２６が空芯コイル９の移送方向に沿って往復動可能に取り付けられている。
空芯コイル９を案内するガイド孔１７を設けたレール２７は前記搬送レール本体２５の段付き部分まで延在している。搬送レール本体２５には前記レール２７のガイド孔１７に入って移動してきた空芯コイル９の前端を停止させるストッパ部２８を有している。このストッパ部２８は空芯コイル９の上側に接触するようになるが、その下部は部分的に開放される空間になっている。これは空芯コイル９を真空吸引してストッパ部２８に当接させるための真空吸引通路３０ａを形成する。
摺動子２６は、バネ２９によってその左端面が段付き部分の側面に接触するようになっている。摺動子２６の左端面が段付き部分の側面に接触する状態が、ストッパ部２８の空芯コイル９の位置決め位置、即ち、位置決め基準面を形成することになる。
また、摺動子２６上にはシャッター３１が重なり、かつ摺動子２６に対して移動可能になっている。シャッター３１は空芯コイル９の移送方向に沿って往復動し、レール２７のガイド孔１７内を移動する先頭の空芯コイル９の長さよりも僅かに長い距離部分を被うようになっている。従って、レール２７の先端部分では、ガイド孔１７の上面のレール２７部分が削除された構造になっている。シャッター３１は摺動子２６との間に真空吸引通路３０ｂを形成している。また、シャッター３１，摺動子２６及び搬送レール本体２５には、それぞれ孔が設けられて真空吸引通路３０ｃ，３０ｄ，３０ｅを形成している。摺動子２６が左端に寄り、シャッター３１がガイド孔１７の上側を被う状態のとき、これら３つの孔は重なり、第３７図で示すように空芯コイル９を太線矢印で示すように真空吸引して先頭の空芯コイル９をストッパ部２８に当接させるようにする。この真空吸引によって、第３８図に示すように、後続の空芯コイル９もガイド孔１７内に一列に並ぶことになる。
第３９図に示すように、シャッター３１を右側、即ちガイド孔１７の端末から遠ざけるように開動作させると、先頭の空芯コイル９及び２番目の空芯コイル９の先頭部分の僅かの長さ部分は露出状態になる。またこのときの開動作によって、真空吸引通路３０ｄはシャッター３１によって塞がれるため、真空吸引動作は停止する。シャッター３１の移動は、例えば、空芯コイル９の長さの３倍（３ｓｔ）程移動される。第４０図はこれらの関係を示す拡大断面図である。
つぎに、コレット３２が移動して来て先頭の空芯コイル９を真空吸着保持してモジュール基板上に運び、空芯コイル９の搭載が行われる。
ところで、前述のように空芯コイルは極めて軽いため、真空吸引の切り替え時の気流（気圧）変動や振動によって動き易く、例えば第４４図に示すように、前後の空芯コイル９の端同士が重なり合うようになったりする。この場合、コレット３２は空芯コイル９を確実に真空吸着保持して搬送することができなくなり、空芯コイル９のモジュール基板への搭載ができなくなる。また、コレットによる真空吸着力を高めるべく真空吸着力を大きくすると、その真空吸引力の影響によってコイル列が乱れてしまうこともあり、コレットの真空吸着力を必要以上に大きくすることはできず、制御は微妙である。なお、第４３図は、支障なく一列に並ぶ空芯コイル９を示す図である。
本発明の目的は、高周波特性が優れ、出力及び効率の向上が図れ、かつ製造コストの低減が達成できる半導体装置及びその半導体装置を組み込んだ電子装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、高周波特性が優れ、出力及び効率の向上が図れ、かつ製造コストの低減が達成できる高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、直流抵抗が小さい空芯コイルを実装した半導体装置及びその半導体装置を組み込んだ電子装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、直流抵抗が小さい空芯コイルを実装した高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、発振マージンを改善できる高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ通話性能が良好な無線通信装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、バルクを配線基板に正確かつ確実に実装する半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、バルクとしてのコイルを配線基板に正確かつ確実に実装する半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、バルクの安定供給が達成できる半導体製造装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、バルクとしてのコイルの安定供給が達成できる半導体製造装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
発明の開示
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
携帯電話機には以下の構成の高周波電力増幅装置が組み込まれている。高周波電力増幅装置は増幅系を二つ有するデュアルバンド構成になっている。増幅系は、それぞれ半導体増幅素子を複数従続接続した多段構成となり、最終増幅段の半導体増幅素子の信号を出力する第１端子と電源電圧端子間に直流抵抗が小さいコイル（空芯コイル）を直列に接続した構成になっている。空芯コイルは高周波電力増幅装置のモジュール基板に搭載されている。
電源電圧を供給する電源電圧端子は２端子設けられ、一方の電源電圧端子は一方の増幅系の初段増幅段と他方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続され、他方の電源電圧端子は他方の増幅系の初段増幅段と一方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続された構成（たすき掛け構成と呼称する）になっている。
前記空芯コイルは表面が絶縁膜で被われる０．１ｍｍ直径の銅線を密に螺旋状に巻いた構成になるとともに、両端の電極となる部分は絶縁膜が存在しない構成になり、最大外径が０．５６ｍｍ程度となり、全長が０．９ｍｍ程度となり、インダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗が２０ｍΩ程度となり、従来のチップインダクタのインダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗が１００ｍΩに比較して小さくなっている。
前記高周波電力増幅装置の製造における空芯コイルの搭載は、バルクフィーダのバルク供給部に移送されて一列に並ぶ空芯コイルの先頭の空芯コイルをコレットで真空吸着保持した後、モジュール基板の所定位置に運び、その後一時的な加熱処理によってモジュール基板や空芯コイルにあらかじめ設けておいたソルダーを溶かして固定する。なお、モジュール基板に搭載される電子部品は空芯コイルよりも高さが低い。即ち、チップ部品は長さ１ｍｍ，幅及び高さが０．５ｍｍとなる部品、あるいはこれ以下の部品である。また、半導体増幅素子が形成される半導体チップの厚さも薄い。従って、直径が０．５６ｍｍと大きい空芯コイルは、他の実装部品の搭載の最後に行う。
半導体製造装置でもあるバルクフィーダは、バルク収納ケース，ホッパー，搬送レール及びバルク供給部とからなり、バルク収納ケースに収容された空芯コイルをホッパーで一列に並ぶように集め、搬送レール内を移動させてバルク供給部に運ぶ。バルク供給部に空芯コイルが到達するようにバルク供給部では図示しない真空吸引機構が一時的に動作する。真空吸引機構の真空吸引動作が停止する間、バルク供給部のシャッターが開き、露出した空芯コイル列の先頭の空芯コイルをコレットで保持する。
ホッパーは円錐台窪みを上端に有する筒状のガイドと、このガイドを貫き中心軸に沿ってバルクを縦列状態で一列に案内するガイド孔を有する供給シャフトで構成されている。ガイドは上下に振動し、バルクがガイドの円錐台窪みに集まるようにして供給シャフトのガイド孔に入るようになっている。供給シャフトは上端にバルクが乗って停止しないように肉厚が薄くなっている。ガイドが最も下がった状態で供給シャフトの外周面とガイドの円錐台窪み面との間にバルクを挟む隙間が発生しないような位置関係になっている。供給シャフトのガイド孔内にバルクとしての空芯コイルが横向きに入らないように、ガイド孔は空芯コイルの全長よりは短く、空芯コイルの外形よりは僅かに大きな円形断面の孔になっている。このため、供給シャフトは円筒体で形成されている。
搬送レールはガイド孔に沿って移動するバルクが引っ掛からないように継ぎ目のない１本の部材で形成されている。
バルク供給部は、搬送レールのガイド孔に沿って移動して来るバルクを位置決め停止させるストッパ部を有するとともにバルク移送方向に沿って往復動自在に搬送レールに取り付けられる摺動子と、前記摺動子に対してバルクの移送方向に往復動自在に取り付けられかつガイド孔の上面を開閉させるシャッターと、前記搬送レール及びガイド並びにシャッターに設けられかつ前記ガイド孔内のバルクをストッパ部に向かって真空吸引によって進行させるようにするための真空吸引機構の一部を構成する真空吸引通路と、前記真空吸引通路を開閉する開閉手段とを有する。
バルク供給部では、ガイド孔先端部上面がシャッターによって塞がれている状態で開閉手段が開動作してガイド孔内のバルクをストッパ部に向かって前進させる。つぎに、シャッターがバルクの長さよりも短い距離開動作して開閉手段を閉動作させる。つぎに、シャッターが摺動子とともにさらに開動作して先頭のバルクと後続のバルクとの間に所定の距離を発生させる。つぎに、シャッターがさらに開動作して先頭のバルクを露出させる。この状態で先頭のバルクのコレットによる真空吸着保持が行われる。
前記の手段によれば、（ａ）空芯コイルはチップインダクタに比較して直流抵抗（ＤＣ抵抗）が小さい。従って、多段構成の増幅系の最終増幅段に接続するインダクタとして使用した場合、ＤＣ損失が低くなり、損失を少なくインピーダンスを高くすることができる。このため、最終増幅段からその前の増幅段への高周波信号の帰還の低減が達成でき、発振マージンの向上が図れる。この結果、ＲＦモジュールで発振マージンが改善されるため、携帯電話機の通話性能が良くなる。
（ｂ）デュアルバンド構成において、二つの増幅系に供給される電源電圧はたすき掛け構成になっていることから、初段増幅段への後段増幅段（特に最終増幅段）からの漏れ信号の電源ラインを通しての帰還を抑止できるため発振マージンの改善ができる。これは、前記（ａ）のような空芯コイルの使用によってさらに発振マージンの向上が図れることになる。
（ｃ）空芯コイルは表面を絶縁膜で被った銅線を密に螺旋状に巻いた構成になっていることから、製造コストが従来のチップインダクタに比較した１／７〜１／２程度と安価である。従って、最終増幅段に接続されるコストの高いチップインダクタに比較してコストを１／７程度と小さくすることができる。他の部分に使用するチップインダクタに変えて本発明による空芯コイルを使用すれば、そのコストは１／２程度にすることができる。これにより、高周波電力増幅装置のコストの低減が図れる。従って、この高周波電力増幅装置を組み込んだ携帯電話機（無線通信装置）の製造コストの低減も可能になる。
（ｄ）空芯コイルは最大外径が０．５６ｍｍ程度となり、長さが０．９ｍｍ程度となるため、従来の幅及び高さが０．５ｍｍ，長さ１ｍｍのチップインダクタよりも実装長さが短くなる。
（ｅ）高周波電力増幅装置の製造における空芯コイルの搭載（半導体装置の製造方法）においては、以下のような効果がある。
▲１▼モジュール基板に搭載する電子部品の中で、空芯コイルは最も高さが高いが、他の電子部品の搭載後に実装が行われる。従って、空芯コイルを真空吸着保持するコレットが、既にモジュール基板に搭載された電子部品に接触することがなく、他の電子部品の搭載を損なうことがない。この結果、実装歩留りの向上を図ることができる。
▲２▼バルクフィーダのバルク供給部に移送されて一列に並ぶ空芯コイルの先頭の空芯コイルをコレットで真空吸引保持した後、モジュール基板の所定位置に運び、その後一時的な加熱処理によってモジュール基板や空芯コイルにあらかじめ設けておいたソルダーを溶かして固定するが、バルク供給部では、先頭の空芯コイルは後続の空芯コイルから離して供給されるため、後続の空芯コイルが先頭の空芯コイルに重なるあるいは引っ掛かって発生するコレットによる真空吸着保持ミスがなくなり、実装が正確かつ確実に行えるとともに、実装作業も能率的に行うことができる。従って、実装不良や機械停止も起き難くなり、実装コストの低減が可能になる。
▲３▼ホッパー部分では、筒状の供給シャフトの肉厚は薄くなっていることから、上端にバルクが乗って停止しなくなり、バルク供給部への空芯コイルの供給が確実になり、安定供給が行える。
▲４▼ホッパー部分では、ガイドが最も下がった状態で供給シャフトの外周面とガイドの円錐台窪み面との間にバルクを挟む隙間が発生しないような位置関係になっていることから、供給シャフト外周面とガイドの円錐台窪み面との間に空芯コイルが挟まれることもない。従って、空芯コイルの変形が防止でき、変形した空芯コイルの実装もなくなり、実装歩留りの向上が図れる。また、バルク供給部に安定して空芯コイルを供給することできるようになる。
▲５▼供給シャフトのガイド孔は大きくかつ円形断面の孔になっていることから、空芯コイルがガイド孔に詰まらないようになり、バルク供給部に安定して空芯コイルを供給することができるようになる。
▲６▼搬送レールは継ぎ目のない１本の部材で形成されていることから、空芯コイルがガイド孔の途中で引っ掛からなくなり、バルク供給部に安定して空芯コイルを供給することができるようになる。
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
（実施形態１）
第１図乃至第３１図は本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置（高周波電力増幅装置）及びその製造技術並びに無線通信装置（電子装置）に係わる図である。
本実施形態１では、半導体装置として、高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）に本発明を適用した例について説明する。本実施形態１の高周波電力増幅装置は、デュアルバンド用であり、例えば、ＧＳＭ通信系とＤＣＳ通信系が組み込まれた携帯電話機（無線通信装置）に組み込むデュアルバンド用の高周波電力増幅装置である。
本実施形態１の高周波電力増幅装置（高周波パワーアンプモジュール）１は、第２図に示すように外観的には偏平な矩形体構造になっている。高周波電力増幅装置１は、セラミック配線板からなるモジュール基板５と、このモジュール基板５の一面側（主面側）に重ねて取り付けられたキャップ６とによって偏平矩形体構造のパッケージ７が構成された構造になっている。キャップ６は、電磁シールド効果の役割を果たす金属製であり、プレスによる成形品となっている。
第４図は、本実施形態１の高周波電力増幅装置の回路構成を示すブロック図である。この高周波電力増幅装置１は外部電極端子として、ＧＳＭ用入力端子（ＰｉｎＧＳＭ▲１▼）、コントロール端子（Ｖａｐｃ▲２▼）、電源電圧Ｖｄｄの一方の電源電圧端子（Ｖｄｄ１▲３▼）、ＧＳＭ用出力端子（ＰｏｕｔＧＳＭ▲４▼）、ＤＣＳ用出力端子（ＰｏｕｔＤＣＳ▲５▼）、電源電圧Ｖｄｄの他方の電源電圧端子（Ｖｄｄ２▲６▼）、通信バンド切替用端子（Ｖｃｔｌ▲７▼）、ＤＣＳ用入力端子（ＰｉｎＤＣＳ▲８▼）、図示しないグランド電圧端子（ＧＮＤ）を有している。端子配列は、第１図のように、モジュール基板５の手前左から右に向かって端子▲１▼，▲２▼，▲３▼，▲４▼と並び、後方右から左に向かって端子▲５▼〜▲８▼となっている。
ＤＣＳ及びＧＳＭ共にその増幅系は３段増幅構成になっている。ＤＣＳ増幅系は１ｓｔ，２ｎｄ，３ｒｄで示す増幅段（ａｍｐ１，ａｍｐ２，ａｍｐ３）で構成され、ＧＳＭ増幅系は１ｓｔ，２ｎｄ，３ｒｄで示す増幅段（ａｍｐ４，ａｍｐ５，ａｍｐ６）で構成されている。各増幅段は図示しないがシリコン基板を基にして形成される電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）によって形成されている。
このような構成において、ＰｉｎＤＣＳ▲８▼はａｍｐ１に接続され、ＰｏｕｔＤＣＳ▲５▼はａｍｐ３に接続されている。ＰｉｎＧＳＭ▲１▼はａｍｐ４に接続され、ＰｏｕｔＧＳＭ▲４▼はａｍｐ６に接続されている。
Ｖａｐｃ▲２▼はバイアス回路２に接続されるとともに、このＶａｐｃ▲２▼に入力された信号によってａｍｐ１〜ａｍｐ６は制御される。
Ｖｄｄ１▲３▼は、マイクロストリップラインＭＳ１を介してａｍｐ１に接続され、マイクロストリップラインＭＳ４を介してａｍｐ５に接続され、インダクタＬ２を介してａｍｐ６に接続されている。また、高周波特性の安定化のために外付けでＶｄｄ１▲３▼には一端がＧＮＤに接地される容量Ｃ１が接続されている。
Ｖｄｄ２▲６▼は、マイクロストリップラインＭＳ３を介してａｍｐ４に接続され、マイクロストリップラインＭＳ２を介してａｍｐ２に接続され、インダクタＬ１を介してａｍｐ３に接続されている。また、高周波特性の安定化のために外付けでＶｄｄ２▲６▼には一端がＧＮＤに接地される容量Ｃ２が接続されている。
このように、電源電圧は二つの端子（Ｖｄｄ１▲３▼，Ｖｄｄ２▲６▼）が用意され、一方の電源電圧端子は一方の増幅系の初段増幅段と他方の増幅系の２段及び３段増幅段に電源電圧を供給し、他方の電源電圧端子は他方の増幅系の初段増幅段と一方の増幅系の２段及び３段増幅段に電源電圧を供給する、所謂たすき掛け構成になっていることから、初段増幅段への後段増幅段（特に最終増幅段）からの漏れ信号の電源ラインを通しての帰還を抑止できるため発振マージンの改善ができる。
また、前記Ｌ１〜Ｌ３は、インダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗が２０ｍΩとなり、従来のチップインダクタのインダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗は１００ｍΩとなるものに比較して大幅に直流抵抗が小さい空芯コイルで形成されている。
Ｖｃｔｌ▲７▼は、バンド選択回路３に接続されている。このバンド選択回路３は、ソース接地される３個のｎチャネル型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ８，Ｑ９，Ｑ１０と、一つの抵抗Ｒ１とで構成されている。Ｑ８とＱ９のゲート端子はＶｃｔｌ▲７▼に接続されている。Ｑ１０のゲート端子はＱ９のドレイン端子に接続され、ドレイン端子は抵抗Ｒ２を介してａｍｐ５の出力側に接続されている。Ｑ９のドレイン端子は抵抗Ｒ１を介してＶｄｄ２▲６▼に接続されている。Ｑ８のドレイン端子はインダクタＬ３を介してａｍｐ３の入力側に接続されている。Ｖｃｔｌ▲７▼に供給される信号によってバンドの切り替えが行われ、ＤＣＳ通信のための増幅またはＧＳＭ通信のための増幅が行われる。
第１図は、例えば、ガラスセラミックスを積層させた低温焼成のセラミック配線板からなるモジュール基板５の表面に搭載された各電子部品を示す平面図である。
第１図に示すように、モジュール基板５の表面には４個の半導体チップ８ａ〜８ｄと、３個の空芯コイル９ａ〜９ｃと、符号は付けないが多数のチップ抵抗とチップコンデンサが搭載されている。
モジュール基板５の表裏面は勿論のこと内部にも導体が選択的に形成されている。そして、これら導体によって配線４が形成されている。この配線４の一部は、前記半導体チップ８ａ〜８ｄを固定するための搭載パッド４ａとなり、チップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ型電子部品や空芯コイル９ａ〜９ｃの電極を固定する電極固定用パッド４ｂとなり、あるいは半導体チップ８ａ〜８ｄの図示しない電極に一端が接続されるワイヤ２０の他端を接続するワイヤボンディングパッド４ｃ等を構成する。モジュール基板５の裏面には表面実装型の電極が前記配線４によって形成され、前記▲１▼〜▲８▼の外部電極端子が形成されている。これら外部電極端子はＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）構造になっている。
半導体チップ８ａ〜８ｄはモジュール基板５の主面に設けた窪み底に固定されている。また、動作時に発熱量が大きい半導体チップにおいては、その下のモジュール基板５にはビィアホールが形成されるとともに、このビィアホールには前記導体が充填され、モジュール基板５の裏面に熱を伝達するようになっている。
半導体チップ８ａ〜８ｄにおいて、半導体チップ８ａには、ＤＣＳ用の１ｓｔと２ｎｄの半導体増幅素子が組み込まれ、半導体チップ８ｂにはＤＣＳ用の３ｒｄの半導体増幅素子が組み込まれている。また、半導体チップ８ｃには、ＧＳＭ用の１ｓｔと２ｎｄの半導体増幅素子が組み込まれ、半導体チップ８ｄにはＧＳＭ用の３ｒｄの半導体増幅素子が組み込まれている。
一方、これが本発明の特徴の一つであるが、第４図のブロック図で示すように、高周波電力増幅装置１におけるインダクタＬ１〜Ｌ３は、第１図に示すようにコイル（空芯コイル９ａ〜９ｃ）で形成してある。
第３図（ｂ）には、モジュール基板５に搭載された空芯コイル９ａ（９）を示してある。空芯コイル９は、表面が絶縁膜で被覆されたインダクタ部２２と、両端の絶縁膜で被われない電極２３とからなる。この空芯コイル９はインダクタ部２２が６巻であり、電極２３が２巻である。空芯コイル９は、その電極２３がソルダー２４によってモジュール基板５の配線４ｂに固定されることによって実装されている。なお、第３図（ａ）の空芯コイル９はインダクタ部２２が８巻であり、電極２３が１巻である実装例である。
空芯コイル９は、一例を挙げるならば、表面を絶縁膜（例えば、ポリエチレン膜）で被った直径０．１ｍｍの銅線を螺旋状に巻いた構造となり、外径は０．５６ｍｍ、長さは０．９ｍｍである。螺旋に巻く前に銅線の両端部分の絶縁膜を一定の長さ除去しておき、その除去部分による捲線部分が外部電極２３となる。絶縁膜で被われた部分の捲線部分がインダクタ部２２となる。この空芯コイル９はその重量も０．００７２５ｍｇと極めて軽い。このコイルは、銅線を巻いて製造することから、従来のチップインダクタ（例えば、電流容量が２．１Ａ程度でインダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗が１００ｍΩとなるチップインダクタ）に比較して、そのコストは１／７程度と低くなる。また、電流容量が小さいチップインダクタでは、そのコストは１／２程度になる。
このような高周波電力増幅装置１は以下のように、発振マージンが改善されるとともに、伝送損失が低減される。
（１）発振マージン対策
第３３図に示す回路においては、ＧＳＭ／ＤＣＳ各回路チェーンの電源ラインを共通に使っていたため、３ｒｄＦＥＴからの漏れ信号が電源ラインを通して１ｓｔＦＥＴに戻るフィードバックループ（ｆｅｅｄ ｂａｃｋ ｌｏｏｐ）が形成され、発振を引き起こしやすくなっていた。
これに対して本実施形態１による第４図で示す回路では、この ｆｅｅｄ ｂａｃｋ ｌｏｏｐの影響を改善するべく、電源電圧端子を２つ設け（Ｖｄｄ１，２）、増幅ゲインの最も高い１ｓｔＦＥＴの電源ラインを別電源電圧端子から供給することで１ｓｔＦＥＴへのｆｅｅｄ ｂａｃｋを抑えることができ、発振マージンを改善できる。
また、ＧＳＭ及びＤＣＳの増幅系において、３ｒｄＦＥＴの電源ライン部分へのインダクタをＤＣ抵抗が小さい空芯コイル９で形成することから、ＤＣ損失が小さくなり、電力損失を少なくインピーダンスを高くすることが可能となる。この結果、３ｒｄＦＥＴから２ｎｄＦＥＴへのＲＦ信号のフィードバックが低減でき、前記たすき掛け構成の効果とも相俟ってさらなる発振マージンの向上ができる。
（２）電源ラインへの空芯コイルの適用による伝送損失の低減
回路の高集積化に伴う小型・多機能化において部品の実装密度を上げることが必要であり、ストリップライン等は基板の内層へのレイアウトが必要となる。しかし、電源ラインの内層へのレイアウトは以下の問題がある。
▲１▼特性インピーダンスの低下によって高周波伝送損失（ＲＦ損失）が増加する。
▲２▼ＲＦ損失対策としてストリップラインを長くした場合、ＤＣ損失が増加する。
▲３▼ストリップラインを長くした場合、占有面積が増大しモジュール基板５の小型化、即ち、高周波電力増幅装置１の小型化が妨げられる。
電源ラインでの損失は、配線抵抗分によるＤＣ損失とインピーダンス成分によるＲＦ損失とに大別される。ＤＣ損失を低減するためには電源ライン長（ストリップライン）を短くすればよいが、電源ラインのインピーダンスが低下しＲＦ損失が増加してしまう。
ここで、電源ラインにおける損失について説明する。
（１）ＤＣ損失
電源ラインを電流が流れる場合、配線導体の寄生抵抗分により電圧降下が生じＦＥＴのドレイン端に印加される電圧が下がり、出力低下，効率低下を引き起こしてしまう。損失（ＤＣロス：ｄＢ）は以下の式で与えられる。
【式１】
【式２】
ここで、Ｌはライン長、Ｗはライン幅、Ｒｓは導体抵抗である。
（２）ＲＦ損失
電源ラインのインピーダンスとＦＥＴのドレインインピーダンスとの関係による伝送損失解析においては、シミュレータＭＤＳ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｄｅｓｉｇｎ Ｓｙｓｔｅｍ）を用いた。
入力信号源をＦＥＴとした場合、入力を非整合、出力を整合として計算でき、ＦＥＴの電源ラインの影響がみえるＧａ（有能電力利得）にて計算を行った。Ｇａは次式で与えられる。
【式３】
【式４】
【式５】
ここで、Ｓ１１・Ｓ１２・Ｓ２１・Ｓ２２はＳパラメータであり、Ｓ１１は入力インピーダンス、Ｓ１２はアイソアーション、Ｓ２１は伝送利得、Ｓ２２は出力インピーダンス、Ｓ２２＊は出力インピーダンス複素共役、Ｒｅは実数部、Γｓは入力反射係数である。
電源ラインのＲＦ損失を減らすには、第５図に示す伝送ライン及び電源ラインの等価回路において、電源ラインのインピーダンス（Ｚ２）を大きくする必要がある。第５図において伝送ラインの入力（ＩＮ）と出力（ＯＵＴ）との間に電源ライン長さがＬとなる電源ラインが設けられ、電源ラインの端にＶｄｄが供給されるようになっている。第５図において、Ｚ０は電源ライン特性インピーダンス、Ｚ１は伝送ラインの電源ライン接続部インピーダンス、Ｚ２は電源ラインインピーダンス、Ｌは電源ライン長さである。このような等価回路においては次式が与えられる。
【式６】
【式７】
ここで、ＺＬ（スタブインピーダンス）≒０より、
【式８】
【式９】
この計算結果より、ストリップラインでは長さをλ／４にすれば基本波に対しては電源ラインインピーダンス（Ｚ２）がオープンとなりインピーダンスは無限大となるが、電源ラインを伝送する信号が短絡面（バイパスコンデンサ）で反射して戻り、はじめてオープンにみえるため伝送損失が発生し損失零にはならない。従って、電源ラインの設計においてＤＣ損失とＲＦ損失両面から検討し、損失の少なくなる条件が設計しなければならない。
ストリップラインのＺ２と電源ライン損失の関係を第６図に示すが、ＲＦ損失とＤＣ損失間には最適点が存在することが分かる。即ち、周波数ｆが９００ＭＨｚ、ライン幅Ｗが０．３ｍｍ、基板ｔ（内層）が０．３ｍｍ、基板誘電率εｒが８．１の場合、前記最適点はストリップラインの長さは１２ｍｍとなる。
しかし、ストリップラインを基板内層に配置した場合、伝送損失が約０．４ｄＢと大きく電力効率が低下してしまう不具合点がある。
電源ラインにチップインダクタ及び空芯コイルを使用した場合の伝送損失を第７図及び第８図に示す。チップインダクタでは内層ストリップラインに比べ伝送損失を約１／４程度に低減でき、さらに空芯コイルではチップインダクタに比べＤＣ損失を約１／２程度に低減することができる。空芯コイルとチップインダクタとのＤＣ抵抗の比較を第９図に示す。空芯コイル適用による損失の低減は電力効率に換算すると内層ストリップラインに比べ約＋５％の向上に相当する。
つぎに、高周波電力増幅装置１を組み込んだ携帯電話機（電子装置）について説明する。第１０図は本実施形態１の高周波電力増幅装置１が組み込まれた携帯電話機（無線通信装置）のシステム構成を示すブロック図である。具体的には、携帯電話機（移動体通信端末）のシステム構成を示すものである。
第１０図はデュアルバンド無線通信機の一部を示すブロック図であり、高周波信号処理ＩＣ（ＲＦｌｉｎｅａｒ）５０からアンテナ（Ａｎｔｅｎｎａ）５１までの部分を示す。なお、第１０図では、高周波電力増幅装置の増幅系はＧＳＭ用の増幅系と、ＤＣＳ用の増幅系の二つを別けて示してあり、その増幅器をＰＡ（パワーアンプ）５８ａ，５８ｂとして示してある。
アンテナ５１はアンテナ送受信切替器５２のアンテナ端子Ａｎｔｅｎａに接続されている。アンテナ送受信切替器５２は、ＰＡ５８ａ，５８ｂの出力を入力する端子Ｐｏｕｔ１，Ｐｏｕｔ２と、受信端子ＲＸ１，ＲＸ２と、制御端子ｃｏｎｔｒｏｌ１，ｃｏｎｔｒｏｌ２とを有している。
高周波信号処理ＩＣ５０からのＧＳＭ用の信号はＰＡ５８ａに送られ、Ｐｏｕｔ１に出力される。ＰＡ５８ａの出力はカプラー５４ａによって検出され、この検出信号は自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）５３にフィードバックされる。ＡＰＣ回路５３は上記検出信号を基に動作してＰＡ５８ａを制御する。
また、同様に高周波信号処理ＩＣ５０からのＤＣＳ用の信号はＰＡ５８ｂに送られ、Ｐｏｕｔ２に出力される。ＰＡ５８ｂの出力はカプラー５４ｂによって検出され、この検出信号はＡＰＣ回路５３にフィードバックされる。ＡＰＣ回路５３は上記検出信号を基に動作してＰＡ５８ｂを制御する。
アンテナ送受信切替器５２はデュプレクサー５５を有している。このデュプレクサー５５は端子有し、１端子は上記アンテナ端子Ａｎｔｅｎａに接続され、他の２端子の内一方はＧＳＭ用の送信受信切替スイッチ５６ａに接続され、他方はＤＣＳ用の送信受信切替スイッチ５６ｂに接続されている。
送信受信切替スイッチ５６ａのａ接点はフィルター５７ａを介してＰｏｕｔ１に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ａのｂ接点は容量Ｃ１を介して受信端子ＲＸ１に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ａは制御端子ｃｏｎｔｏｒｏｌ１に入力される制御信号によってａ接点またはｂ接点との電気的接続の切り替えが行われる。
また、送信受信切替スイッチ５６ｂのａ接点はフィルター５７ｂを介してＰｏｕｔ２に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ｂのｂ接点は容量Ｃ２を介して受信端子ＲＸ２に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ｂは制御端子ｃｏｎｔｏｒｏｌ２に入力される制御信号によってａ接点またはｂ接点との電気的接続の切り替えが行われる。
受信端子ＲＸ１と高周波信号処理ＩＣ５０との間には、フィルター６０ａと低雑音アンプ（ＬＮＡ）６１ａが順次接続されている。また、受信端子ＲＸ２と高周波信号処理ＩＣ５０との間には、フィルター６０ｂと低雑音アンプ（ＬＮＡ）６１ｂが順次接続されている。
この無線通信機によってＧＳＭ通信及びＤＣＳ通信が可能になる。
つぎに、高周波電力増幅装置１の製造における空芯コイル９の実装技術について説明する。空芯コイル９の実装においては、第１１図に示すような半導体製造装置でもあるバルクフィーダ２１が使用される。本実施形態１のバルクフィーダ２１は、第３４図に示すバルクフィーダを改良して空芯コイル９の安定供給ができるようにしたものである。
バルクフィーダ２１は、バルク収納ケース１０，ホッパー１１，搬送レール１３，バルク供給部１２を有する点では従来品と同様であるが、空芯コイルを安定に供給するために、▲１▼ホッパー１１部分では、供給シャフト１８上での空芯コイル９の停止抑止、供給シャフト１８と円錐台窪み１５との間への空芯コイル９の巻き込み抑止、供給シャフト１８のガイド孔１７での空芯コイル９の詰まり抑止をそれぞれ達成するための改良を行った。
▲２▼また、搬送レール１３では継ぎ目部分での空芯コイル９の引っ掛かりをなくすために単一部材でガイド孔１７を形成した。
▲３▼また、バルク供給部１２では、縦列状態で一列に並んで進む空芯コイル９の先頭の空芯コイル９と後続の２番目の空芯コイル９との端部分の絡まりを解消するために、コレット３２で空芯コイル９を保持する前の段階で先頭の空芯コイル９を後続の空芯コイル９から離す手段を導入した。
このようなバルクフィーダ２１を用いる空芯コイル９の実装（半導体装置の製造方法）は、第１１図に示すように、移動アーム３３の先端に設けられたコレット３２をバルク供給部１２とモジュール基板５を載置するテーブル３４との間を矢印に示すように移動させて空芯コイル９の実装を行う。この場合、後述する機構のもと、先頭の空芯コイル９を後続の空芯コイル９から離した後コレット３２で空芯コイル９を真空吸着保持する。
また、この空芯コイル９の実装は、空芯コイル９よりも実装高さが低いチップ抵抗やチップコンデンサ等他の電子部品の搭載後に行う。これは、先に空芯コイル９の実装を行ってしまうと、空芯コイル９の実装高さよりも低い電子部品の実装時、コレットが実装された空芯コイル９に接触する場合もある。この接触によって、例えば、空芯コイル９の電極２３と電極固定用パッド４ｂを接続するソルダー２４部分にクラックが発生したり、あるいは分断が発生したりする。このようなことが起きないようにするためである。
第１２図（ａ）〜（ｃ）は空芯コイル９の実装状態を示す模式図である。バルクフィーダ２１のバルク供給部１２から供給される空芯コイル９を、コレット３２の下端の吸着面に真空吸着保持した後、第１２図（ａ）に示すようにモジュール基板５の空芯コイルの取り付け位置まで運ぶ。なお、コレット３２の吸着面は円筒形状の空芯コイルの外周に対応するように円弧状断面をした吸着面となっている。
つぎに、第１２図（ｂ）に示すように、モジュール基板５の一対の電極固定用パッド４ｂ上に空芯コイル９の一対の電極２３がそれぞれ重なるように、位置決めして空芯コイル９をモジュール基板５上に載置する。
つぎに、リフローによって電極固定用パッド４ｂ上にあらかじめ設けたソルダー２４を一時的に溶かして電極２３をソルダー２４上に固定し、第１２図（ｃ）に示すように実装を完了する。
つぎに、第１１図乃至第２５図を参照しながらバルクフィーダ２１について説明する。第１１図及び他の図も一部を省略し、簡略化した図であり、以下においては従来のバルクフィーダの改良部分のみを主として説明することにする。
第１１図に示すように、本実施形態１のバルクフィーダ２１はバルクを収容するバルク収納ケース１０と、このバルク収納ケース１０の下部に設けられたホッパー１１と、このホッパー１１から取り込まれたバルクを先端のバルク供給部１２まで案内する搬送レール１３とを有する。
バルク収納ケース１０は薄型箱構造となりその内底は両側から中央に向かってバルクを集める傾斜体１４となっている。この傾斜体１４の中心には、その中心部分を上下に貫くようにホッパー１１が配置されている。このホッパー１１は傾斜体１４の内底部分に集められたバルクを縦列状態で一列に並べてバルク収納ケース１０から取り出す構造になっている。本実施形態１では空芯コイルをバルクとして供給する例について説明する。
ホッパー１１は、第１３図及び第１４図に示すように、上端に円錐台窪み１５を有するガイド１６と、このガイド１６を貫き中心軸に沿って空芯コイル９を縦列状態（先に進む空芯コイル９の後端である電極に後続の空芯コイル９の前端である電極が接触するようにして並ぶ状態）で一列にして案内するガイド孔１７を有する供給シャフト１８で構成されている。供給シャフト１８は円筒体で形成され、中央に円形断面のガイド孔１７を有している。空芯コイル９は最大外形が０．５６ｍｍとなり、長さが０．９ｍｍとなっている。
そこで、本実施形態１では、ガイド孔１７内で空芯コイルが横向きに入って詰まらないようにするため、ガイド孔１７の直径は空芯コイル９の長さ０．９ｍｍよりも直径が小さく、空芯コイル９の最大外形の０．５６ｍｍよりも大きい寸法になっている。例えば、ガイド孔１７は０．６８ｍｍになっている。これによって、ガイド孔１７に空芯コイル９が横向きで詰まることがなくなる。
また、第１３図に示すように、ガイド１６は、例えば、空芯コイル９の長さ（０．９ｍｍ）の３倍のストロークを上下に振動し、バルク収納ケース１０内の空芯コイル９を円錐台窪み１５の中心に案内する。この振動において、供給シャフト１８の上端は供給シャフト１８の円錐台窪み１５内には突出しない構造になっている。図では、ガイド１６が下死点にある状態で円錐台窪み１５の底に供給シャフト１８の上端が一致するようになっている。
これにより、従来のように供給シャフト１８の外周面と円錐台窪み１５の面との間に空芯コイル９を挟み込む現象が起きず、挟み込みによる扱きによる空芯コイル９の変形や装置の故障が起きなくなる。
第１５図は搬送レール１３の拡大模式図である。搬送レール１３にも前記供給シャフト１８のガイド孔１７に連なるガイド孔１７ａが設けられている。このガイド孔１７ａは第１５図では模式的に記載してあるが、所定の部材に溝を設けるとともに、この溝を塞ぐことでガイド孔１７ａを形成してある。また搬送レール１３の先端はバルク供給部１２となっている。そして供給シャフト１８からバルク供給部１２に至るガイド孔１７ａは、単一の部材で形成されている。搬送レール１３は複数の部材を組み合わせて形成されている。これら部材についての説明は省略するが、例えば部材の組み合わせは第１６図に示すようになっている。また第１６図には真空吸引通路がパイプで形成されているが、これも省略してある。
本実施形態１のバルクフィーダ２１によれば、搬送レール１３の途中で空芯コイル９が引っ掛かるような継ぎ目がないことから、ガイド孔１７ａによって空芯コイル９は円滑にバルク供給部１２に移送される。この移送は図示しない真空吸引機構によって行われる。搬送レール１３の左端には真空吸引機構に繋がるパイプ３５が取り付けられている。このパイプ３５は搬送レール１３を構成する搬送レール本体２５の下部内部を通ってバルク供給部１２に延在し、後述する真空吸引通路に連通するようになっている。そして、バルク供給部１２側から真空吸引して空芯コイル９をバルク供給部１２側に移送させる。従って、各空芯コイル９は真空吸引による移送のため、前後の空芯コイル９は強く接触し、相互の端が絡まる原因ともなる。
第１５図乃至第１７図には、ガイド孔１７ａの一部では通過する空芯コイル９を検出するため、発光素子３６と、その発光素子３６から発光される光３７を受光する受光素子３８が設けられている。このセンサ位置まで空芯コイル９が一杯になるとホッパーの昇降が停止し、コイルが供給シャフトに入らない状態となる。
バルク供給部１２は、第１８図に示すような構造となり、第１８図乃至第２５図で示すような動作をする。バルク供給部１２は、第１８図に示すように、搬送レール１３の先端側では、搬送レール本体２５の先端上面側は一段低い窪みを有する。そして、この窪みに摺動子２６が空芯コイル９の移送方向に沿って往復動可能に取り付けられている。その往復動のストロークは、例えば空芯コイル９の長さの約半分（０．５ｓｔ）となっている（第２３図参照）。
空芯コイル９を案内するガイド孔１７ａは前記摺動子２６の左端まで延在している。また、第１９図に示すように、摺動子２６の左端には、空芯コイル９が１個入る受け部４０が設けられている。この受け部４０の一端、即ちガイド孔１７ａの端から遠くなる右端にはストッパ部２８が設けられ、ガイド孔１７ａの端に近い左端は突部４１が設けられている。
ストッパ部２８はガイド孔１７ａ内を前進して来て受け部４０内に落ち込んだ先頭の空芯コイル９の前端位置を決める基準面を有する。また、突部４１は、前述のように摺動子２６がガイド孔１７ａの端から離れる方向に移動（前進）する際、先頭の空芯コイル９を確実に前進させるような後押しをする役割となっている（突部４１については第２３図参照）。
摺動子２６において、ストッパ部２８は空芯コイル９の前端の上側に接触するようになり、その下部は部分的に開放される空間になっている。この空間部分は、空芯コイル９を真空吸着してストッパ部２８に当接させるための真空吸引通路３０ａを形成する。
本実施形態１では、先頭の空芯コイル９を、進行方向に交差する方向に移動させることによって、先頭の空芯コイル９を後続の空芯コイル９から離して両者の絡みを絶つという思想から、ガイド孔１７ａを一段低くする構成を採用している。また、先頭の空芯コイル９を後続の空芯コイル９から離して両者の絡みを絶つという思想から、摺動子２６を０．５ｓｔ前端させる構成を採用している。
従って、先頭の空芯コイル９を後続の空芯コイル９から離して両者の絡みを絶つという思想からすれば、突部４１を設けず、受け部４０はガイド孔１７ａの延長線上にそのまま設け、かつストッパ部２８だけを有する構成でもよい。即ち、ガイド孔１７ａの底面と受け部４０の空芯コイル９を支える面は同一平面にある。これも本発明の他の構成である。
本実施形態１では、受け部４０がガイド孔１７ａの高さより、一段低くなっていることから、受け部４０まで真空吸引によって前進する先頭の空芯コイル９は、受け部４０内に落下し、前端がストッパ部２８に接触して位置決めがなされる。これにより、先頭の空芯コイル９は後続の空芯コイル９から離れる。
摺動子２６は枠構造となっているが、この摺動子２６の枠内及び上面に亘ってシャッター３１が取り付けられている。摺動子２６の枠内に入ったシャッター部分と、このシャッター部分との間にはバネ４２が取り付けられ、常時シャッター３１をガイド孔１７ａの端側にそのバネ４２の弾力を利用して押しつけるようになっている。
シャッター３１の左端の部分は、ガイド孔１７ａの先端上側を塞ぐようになっている。従って、シャッター３１が右側に移動（前進）した場合、ガイド孔１７ａの先端側の数個の空芯コイル９は露出するようになるとともに、その前進長さによっては摺動子２６の受け部４０上の空芯コイル９（先頭の空芯コイル９）をも露出させるようになる。
シャッター３１及び搬送レール本体２５にも真空吸引通路３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅが設けられている。真空吸引通路３０ｄは円形断面の孔となり、この孔には搬送レール本体２５の窪み底を転がる球体４３が入り、孔、即ち真空吸引通路３０ｄを塞ぐことができるようになっている。第１８図及び第１９図に示すように、シャッター３１が後退して左端に最も寄ったとき、シャッター３１に設けられた球体制御面４４で球体４３を左側に移動（後退）させるため、球体４３は孔から外れ、真空吸引状態となる。同図太線矢印は真空吸引のための空気の流れを示す。
第２０図及び第２１図に示すように、シャッター３１が右側に０．５ｓｔ移動（前進）したとき、前記球体制御面４４は孔から右側に外れるため、真空吸引力で球体４３は移動して一部は孔内に入り、真空吸引通路３０ｄを塞ぎ、真空吸引動作を停止させることになる。真空吸引動作が停止すると、空芯コイル９相互の間の真空吸引による密着力は解消する。なお、真空吸引通路３０ｅは真空吸引機構のパイプ３５に繋がる。そして、真空吸引によって、後続の空芯コイル９もガイド孔１７内に一列に並ぶことになる。
つぎに、このようなバルク供給部１２での空芯コイル９の供給方法について説明する。空芯コイル９の供給開始状態では、第１８図及びその拡大図である第１９図に示すように、摺動子２６もシャッター３１も共に左側に移動した後退状態にある。この状態では、太線矢印でしめされるように真空吸引がなされ、ガイド孔１７ａ内の空芯コイル９は先頭の空芯コイル９がストッパ部２８に接触する状態で縦列状態で１列に並ぶ。図では以下の図でも同様であるが、空芯コイル９を先頭から３個示すものとする。先頭の空芯コイル９は受け部４０内に入り、第１９図に示すように、先頭の空芯コイル９と後続の空芯コイル９は絡まりが切り離された状態となる。
つぎに、第２０図及びその拡大図である第２１図に示すように、矢印で示すように右側に向かって真空吸引停止のために前進する。この真空吸引停止のための前進長さは、空芯コイル９の長さの約半分、即ち、０．５ｓｔとなる。シャッター３１が前進することから、球体４３は球体制御面４４の制御から外れて自由になり、真空吸引力によって転動し、真空吸引通路３０ｄを塞ぐ。この際、シャッター３１の左端と、ガイド孔１７ａを被う搬送レール本体２５部分の端、即ち開口端４６との間の間隔は０．５ｓｔになり、隠れていた空芯コイル９の上面側が一部露出する状態になる。しかし、受け部４０上の先頭の空芯コイル９はシャッター３１によって塞がれている。
つぎに、第２２図及びその拡大図である第２３図に示すように、矢印で示すように右側に向かって摺動子２６が前進する。この前進長さは、空芯コイル９の長さの半分、即ち、０．５ｓｔとなる。シャッター３１は摺動子２６に乗った状態であることから、シャッター３１も０．５ｓｔ移動し、シャッター３１の左端と、ガイド孔１７ａを被う搬送レール本体２５部分の端、即ち開口端４６との間の間隔は１ｓｔになる。摺動子２６が移動しても真空吸引が停止されていることから、先頭の空芯コイル９は独立搬送分前進し、後続（二番目）の空芯コイル９はそのままガイド孔１７ａ内に残留する。これによって、先頭の空芯コイル９と後続の空芯コイル９は完全に引き離されることになる。この状態においても受け部４０上の先頭の空芯コイル９はシャッター３１によって塞がれている。
つぎに、第２４図及びその拡大図である第２５図に示すように、矢印で示すように右側に向かってシャッター３１が前進する。この前進はシャッター３１によって塞がれている受け部４０上の先頭の空芯コイル９を露出させるための前進であって、特に限定はされないが、例えば、シャッター３１の左端と前記開口端４６との間の間隔が３ｓｔとなるように前進する。
このような状態になると、コレット３２が移動して来て、受け部４０上の空芯コイル９を真空吸着保持する。この場合、空芯コイル９は他の空芯コイル９と絡まっていないため、正確かつ確実にコレット３２に保持されることになる。コレット３２は、第１１図及び第１２図（ａ）〜（ｃ）に示すように、モジュール基板５上に空芯コイル９を運んで供給することになる。
第２６図及び第２７図は本実施形態１のバルクフィーダを用いてモジュール基板５に搭載した他の構造の空芯コイル９を示すものである。そして、この搭載した空芯コイル９は、第２８図乃至第３０図に示すようになっている。第２９図に示すように銅線４７の一部の表面にポリエチレン等からなる絶縁膜４８を被覆した線材を、各巻き線部分が相互に接触するように密に螺旋状に巻いたものである。第３０図に示すように、銅線４７の直径ａは例えば０．１ｍｍであり、コイルの内径ｄは例えば０．３ｍｍである。この結果、コイルの最大直径Ｄは例えば０．５６ｍｍとなる。また、コイル端の捲線部分のコイルの最大直径Ｄから突出する部分の長さαは０〜３０μｍ程度である。さらに、第２９図に示すように、空芯コイル９の長さ（全長）Ｌは０．８ｍｍ程度である。
この空芯コイル９は３巻き部分でインダクタ部２２を形成し、その両端の電極２３は２巻程度となっている。インダクタンスを変えるあるいは、電極の接続長さを変えるには、それぞれの巻き数を変えればよい。第３１図（ａ），（ｂ）はインダクタ部２２が２巻と１巻となる空芯コイル９の例を示す図である。
本実施形態１によれば以下の効果を有する。
（１）空芯コイル９はチップインダクタに比較して直流抵抗（ＤＣ抵抗）が小さい。従って、多段構成の増幅系の最終増幅段に接続するインダクタとして使用した場合、ＤＣ損失が低くなり、損失を少なくインピーダンスを高くすることができる。このため、最終増幅段からその前の増幅段への高周波信号の帰還の低減が達成でき、発振マージンの向上が図れる。発振マージンが改善される本実施形態１の高周波電力増幅装置を組み込んだ携帯電話機は通話性能が良くなる。本実施形態１のコイルを用いた場合、例えば、一例を挙げるならば、電源ラインの損失に対する特性への影響は損失０．１ｄＢの改善に対し、出力は＋０．１ｄＢ、電力効率は約＋１％向上する。
（２）デュアルバンド構成において、二つの増幅系に供給される電源電圧はたすき掛け構成になっていることから、初段増幅段への後段増幅段（特に最終増幅段）からの漏れ信号の電源ラインを通しての帰還を抑止できるため発振マージンの改善ができる。これは、前記（１）のような空芯コイルの使用によってさらに発振マージンの向上が図れることになる。
（３）空芯コイル９は表面を絶縁膜４８で被った銅線４７を密に螺旋状に巻いた構成になっていることから、製造コストが従来のチップインダクタに比較した１／７〜１／２と安価である。従って、最終増幅段に接続されるコストの高いチップインダクタに比較してコストを１／７と小さくすることができる。他の部分に使用するチップインダクタに変えて本発明による空芯コイルを使用すれば、そのコストは１／２にすることができる。これにより、高周波電力増幅装置のコストの低減が図れる。従って、この高周波電力増幅装置を組み込んだ携帯電話機（無線通信装置）の製造コストの低減も可能になる。
（４）空芯コイル９は最大外径が０．５６ｍｍ程度となり、長さが０．９ｍｍ程度となるため、従来の幅及び高さが０．５ｍｍ，長さ１ｍｍのチップインダクタよりも実装長さが短くなる。
（５）高周波電力増幅装置の製造におけるバルクフィーダ２１を用いた空芯コイル９の搭載においては、以下のような効果がある。
▲１▼モジュール基板５に搭載する電子部品の中で、空芯コイル９は最も高さが高いが、他の電子部品の搭載後に実装が行われる。従って、空芯コイル９を真空吸着保持するコレット３２が、既にモジュール基板５に搭載された電子部品に接触することがなく、他の電子部品の搭載を損なうことがない。この結果、実装歩留りの向上を図ることができる。
▲２▼バルクフィーダ２１のバルク供給部１２に移送されて一列に並ぶ空芯コイル９の先頭の空芯コイル９をコレット３２で真空吸着保持した後、モジュール基板５の所定位置に運び、その後一時的な加熱処理によってモジュール基板５や空芯コイル９にあらかじめ設けておいたソルダー２４を溶かして固定するが、バルク供給部では、先頭の空芯コイル９は後続の空芯コイル９から離して供給されるため、後続の空芯コイル９が先頭の空芯コイル９に引っ掛かって発生するコレット３２による真空吸着保持ミスがなくなり、実装が正確かつ確実に搭載が行えるとともに、搭載作業も能率的に行うことができる。従って、搭載不良や機械停止も起きにくくなり、搭載コストの低減が可能になる。
▲３▼ホッパー部分では、筒状の供給シャフト１８の肉厚は薄くなっていることから、上端に空芯コイル９（バルク）が乗って停止しなくなり、バルク供給部への空芯コイル９の供給が確実になる。
▲４▼ホッパー部分では、ガイド１６が最も下がった状態で供給シャフト１８の外周面とガイド１６の円錐台窪み１５との間にバルクを挟む空間が発生しないような位置関係になっていることから、供給シャフト外周面とガイド１６の円錐台窪み１５との間に空芯コイル９が挟まれることもない。従って、空芯コイル９の変形が防止でき、変形した空芯コイル９の実装もなくなり、実装歩留りの向上が図れる。また、バルク供給部に安定して空芯コイル９を供給することできるようになる。
▲５▼供給シャフト１８のガイド孔１７は大きくかつ円形断面の孔になっていることから、空芯コイル９がガイド孔１７に詰まらないようになり、バルク供給部に安定して空芯コイル９を供給することができるようになる。
▲６▼搬送レール１３は継ぎ目のない１本の部材で形成されていることから、空芯コイル９がガイド孔１７ａの途中で引っ掛からなくなり、バルク供給部に安定して空芯コイル９を供給することができるようになる。
▲７▼バルクフィーダ２１のバルク供給部１２においては、ガイド孔１７ａ内を移動する先頭の空芯コイル９は、摺動子２６の受け部４０内に入ることと、摺動子２６が後続の空芯コイル９から先頭の空芯コイル９を引き離すように動作した後、シャッター３１が開いて先頭の空芯コイル９を供給態勢にすることから、先頭の空芯コイル９は正確確実にコレット３２に真空吸着保持される。従って、空芯コイル９の正確かつ確実な搭載（実装）が行えることになる。
▲８▼前記▲１▼乃至▲７▼により、本実施形態１のバルクフィーダ２１の使用等によって空芯コイル９を始めとする電子部品の搭載が安定して行えることになる。
（６）高周波特性が優れ、出力及び効率の向上が図れ、かつ製造コストの低減が達成できる高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）及びその高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）を組み込んだ携帯電話機（電子装置）を提供することができる。また、高周波電力増幅装置は発振マージンが改善されるため、携帯電話機の通話性能が良好となる。
（７）直流抵抗が小さい空芯コイルを実装した高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）及びその高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）を組み込んだ携帯電話機（電子装置）を提供することができる。
（８）空芯コイル９等のバルクを配線基板に正確かつ確実に実装するバルクフィーダ２１を提供することができる。
なお、本発明によるバルクフィーダは、空芯コイル以外に空芯コイルと同様に移送中前後の物品が絡まるような構成のものの供給が可能である。また、当然にしてチップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ部品等も供給することができる。
（実施形態２）
第３２図は本発明の他の実施形態（実施形態２）であるバルクフィーダ２１部分を示す模式図である。同図に示すように、パイプ３５に連通するエアー供給路４９を設ける。このエアー供給路４９は供給シャフト１８のガイド孔１７に連通する。そして、第３２図に示すように、エアーガイド孔１７内に送り込む。これによって、ガイド孔１７内に空芯コイル９が詰まった場合、容易にその詰まりを解消することができる。
（実施形態３）
第４５図乃至第５４図は本発明の他の実施形態（実施形態３）である高周波電力増幅モジュールの製造に係わる図である。
本実施形態３は、モジュール基板にコイル（空芯コイル）を位置ずれ（ズレ）を起こすことなく搭載できる技術に係わるものである。
空芯コイルの搭載においては、空芯コイルの両端の電極をモジュール基板の電極固定用パッド上にそれぞれ重ね、その後電極固定用パッドの表面にあらかじめ塗布したソルダーをリフローして電極部分を電極固定用パッドに固定するが、この固定時、第５２図（ｃ）に示すように空芯コイル９が位置ずれを起こす不良現象が発生することが分かった。モジュール基板５の表面に設けられた電極固定用パッド４ｂに対して、空芯コイル９の電極２３を正しく重ねても、その後のリフローにおいてずれが発生し、第５２図（ｃ）に示すように、電極２３が電極固定用パッド４ｂからずれてしまう。ずれ量がコイル径の１／３以上にも及ぶものは７％にも及ぶ。この空芯コイル９は両端の２巻が電極２３となり、その間の巻き部分は表面を絶縁体で被われたインダクタ部２２となっている。
半田等からなるソルダー２４（点々で示す部分）のリフローは、第５３図及び第５４図に示すリフロー炉を使用して行われる。このリフロー炉は、被処理物を載置する５個の加熱テーブル（ヒートブロック）７０ａ〜７０ｅが一列に並んで配置される構造になっている。
ヒートブロック列の一側には、一部を図示するように移送機構の連結アーム７２が配設されている。この連結アーム７２は、第５３図の矢印群に示すように、下降、右方向への前進、上昇、左方向への後退と続く矩形運動するようになっている。
また、第５４図に示すように、連結アーム７２の内側からはそれぞれ各ヒートブロックに対応してアーム７３が突出配置されるとともに、これら各アーム７３からは２本の移送爪７４が下方に向けて突出するように配設されている。
従って、連結アーム７２の矩形運動によって、各ヒートブロック７０ａ〜７０ｅ上の被処理物、即ちモジュール基板５は１ピッチずつ移送されるようになっている。最初のヒートブロック７０ａへのモジュール基板５の供給は、図示しないローダで行われる。また、最後のヒートブロック７０ｅからは前記移送爪７４によってアンローダ部に払い出される。
ヒートブロック７０ａ〜７０ｅにおいて、最初乃至３番目のヒートブロック７０ａ〜７０ｃは予備加熱用のヒートブロックであり、例えば、７０℃，１３０℃，１９５℃と順次加熱温度が高くなっている。また、４番目のヒートブロック７０ｄは本加熱用ヒートブロックであり、例えば、融点が２３８℃のソルダー２４（ＰｄＳｎＳｂ）を溶融させるべく２７５℃に維持される。また、最後のヒートブロック７０ｅは後加熱用のヒートブロックであり、例えば、１５０℃となり、セラミック配線板からなるモジュール基板５を徐々に冷却させるようになっている。
従って、移送爪７４によって順次ヒートブロックによって構成される各ゾーンを移動するモジュール基板５は順次温度が高められ、４ゾーン目の本加熱用のヒートブロック７０ｄ上で半田リフローが行われる。
しかし、このようなリフローでは、空芯コイル９の銅線で形成されている電極２３が加熱によって酸化し、半田の濡れ性が悪化し、半田の表面張力によってコイルが弾かれて位置ずれが発生してしまうことが判明した。即ち、第５２図（ａ）に示すように、モジュール基板５の電極固定用パッド（ランド）４ｂ上に空芯コイル９の電極２３を重ねて載置し、ついでリフローすると、第５２図（ｂ）に示すように、溶けて盛り上がった半田に対して、表面が酸化された電極２３は、半田に濡れ難くなり、半田に弾かれることになり、坂を転がるようにして空芯コイル９は回転落下し、第５２図（ｃ）に示すように位置ずれが発生する。
そこで、本発明者は、第４５図に示すように、モジュール基板５の表面に設ける電極固定用パッド４ｂをコの字状パターンとして、円筒状の空芯コイル９が転動しないようにした。
本実施形態３の高周波電力増幅モジュールは、実施形態１の高周波電力増幅モジュールにおいて、空芯コイル９の電極２３を固定する電極固定用パッド４ｂのパターンが異なるだけであり、他の部分は実施形態１と同じである。第４６図に本実施形態３の高周波電力増幅モジュールの一部を平面図として示してある。
また、第４７図に本実施形態３におけるコイルの搭載状態を示す。第４７図（ａ）はコの字状のパターンをした電極固定用パッド４ｂを対向配置させ、このコの字状の電極固定用パッド４ｂ上に空芯コイル９の両端の電極２３をソルダー２４（図の点々部分）で固定した模式的平面図である。第４７図（ｂ）は側面図、第４７図（ｃ）は断面図である。
ここで、インダクタである空芯コイルの搭載構造について説明する。モジュール基板５の主面には複数の配線が形成されている。また、モジュール基板５には前記配線に接続され、かつ空芯コイル９の電極２３に電気的に接続される電極固定用パッド４ｂを有している。電極固定用パッド４ｂは二つあることから、一方を第１電極と呼称し、他方を第２電極とも呼称する。
前記第１及び第２電極のそれぞれは、平面的に見て、第４７図（ａ）に示すように、第１方向に延びる第１部分４ｘと、前記第１部分４ｘの一端部から前記第１方向と略垂直方向に延びる第２部分４ｙ１と、前記第１部分４ｘの他端部から前記第２方向に延びる第３部分４ｙ２とを有するパターンになっている。単一の空芯コイル９を固定する一対の電極固定用パッド４ｂにおいて、第１及び第２電極は、各々の第２及び第３部分が向かい合うように配置されている。
インダクタ、即ち空芯コイル９は、その表面を絶縁膜で被われた線材を螺旋状に複数巻いたコイル形状を有している。線材は、その両端部において前記絶縁膜から露出する部分を有し電極２３が形成されている。表面を絶縁膜で被われた螺旋状の線材部分はインダクタ部２２となり、その両端部分が電極２３となる。一方の電極２３が第１電極に半田材で接合され、他方の電極２３が第２電極に半田材で接合される。
第１及び第２電極のそれぞれの第２部分４ｙ１及び第３部分４ｙ２は、前記インダクタの絶縁膜で被われた線材部分まで延びている。これによって電極２３が確実にソルダー２４で電極固定用パッド４ｂに固定されるようになる。
また、第１及び第２電極のそれぞれの第２部分４ｙ１及び第３部分４ｙ２は、第１方向において離間状態となり、空芯コイル９の転動が起きないように配慮されている。
また、第２部分４ｙ１と第３部分４ｙ２は、平行あるいは相互に所定のなす角を有する関係で延在する構造であっても、空芯コイル９の転動を良く防止できる。また、空芯コイル９が転動して位置ずれを起こすことのないようにするために、電極固定用パッド４ｂを第１部分４ｘを有しない第２部分４ｙ１と第３部分４ｙ２で構成してもよい。
一方、本発明者はコの字状の電極固定用パッド４ｂの寸法依存性について検討した。第４８図及び第４９図のグラフはその結果である。第４７図（ａ）に示すように、第１電極及び第２電極の第２部分４ｙ１の長さをＡ、第１電極と第２電極との間隔をＢ、第１部分４ｘから突出する第２部分４ｙ１の長さをＣ、第２部分４ｙ１の第１方向の長さをＥ、第２部分４ｙ１と第３部分４ｙ２との間隔をＤとする。
第４８図のグラフは、Ｄ寸法を０．３０ｍｍ、Ｅ寸法を０．１５ｍｍに設定したときの、Ａ寸法及びＢ寸法とズレ不良率の相関を示すものである。各グラフはＣ寸法を０．０５ｍｍ（◇で表示する線）、０．１０ｍｍ（□で表示する線）、０．１５ｍｍ（△で表示する線）、０．２０ｍｍ（×で表示する線）の場合である。０．１０ｍｍのグラフと０．２０ｍｍのグラフは一致している。
このグラフからは、Ｃ寸法を変えても、Ｂ寸法が０．４０ｍｍ程度、Ａ寸法が０．４５ｍｍ程度で最も不良率が低いことが分かる。また、Ｃ寸法が０．０５ｍｍまたは０．１５ｍｍの場合、Ｂ寸法を０．４０ｍｍ程度、Ａ寸法を０．４５ｍｍ程度とした場合ズレ不良率を０％とすることができることも分かる。
第４９図のグラフは、Ｄ寸法を０．２０ｍｍ、Ｅ寸法を０．２０ｍｍに設定した場合の前記同様なグラフである。
第５０図はモジュール基板上の対向する第１電極と第２電極（コの字状電極）に塗布した半田を再溶融した状態を測定し、かつ三次元表示図としたものである。また、第５１図は第５０図における１１１０μｍの位置（Ｐ）での断面図である。空芯コイル９の電極２３の外径にソルダー２４の表面変化が追従していることがよく分かる。
このような双子山状のソルダー２４間にコイルの中心が位置することによって、電極２３が半田の表面張力によって弾かれようとしても、電極２３の両側に位置するそれぞれの山状のソルダーで止められるため空芯コイル９は転動しなくなり、空芯コイル９の搭載位置ずれが防止できる。本実施形態３による空芯コイル９の搭載による不良率は１％以下に抑えることができる。
本実施形態３では、第５３図及び第５４図に示すリフロー炉を使用してモジュール基板５への空芯コイル９の搭載が行われる。なお、リフロー炉では空芯コイル９は省略してある。
リフロー炉ではモジュール基板５はヒートブロック７０ａ〜７０ｅ上を移送機構によって間欠的に送られて、予備加熱と本加熱によって空芯コイル９のリフロー搭載が行われる。例えば、移送タイムは３秒で、各ヒートブロック上でのモジュール基板５の停止時間は５０秒である。第１ゾーンから第３ゾーンでは順次加熱温度が上がり、第４ゾーンで本加熱によるソルダー２４の再溶融が行われる。また、第５ゾーンでは徐々に温度低下が図られ、セラミック配線板からなるモジュール基板５の破壊損傷が防止できるようになっている。
これにより、第４６図及び第４７図（ａ）に示すように電極固定用パッド４ｂから電極２３が外れることがない良好な空芯コイル９の搭載が行えることになる。
（実施形態４）
第５５図乃至第５８図は本発明の他の実施形態（実施形態４）である高周波電力増幅モジュールの製造に係わる図である。第５５図はリフロー炉の概略を示す模式的正面図、第５６図は前記リフロー炉の窒素雰囲気でリフローを行う状態を示す模式的正面図、第５７図は前記窒素雰囲気でリフローが行われる状態を示す模式的断面図である。
本実施形態４では、空芯コイル９の電極２３を搭載する電極固定用パッド４ｂは、第５８図に示すように、コの字状ではなく矩形状である。しかし、空芯コイル９の電極２３が加熱によってその表面が酸化しないようにするため、リフローを不活性ガスの雰囲気で行うものである。例えば、不活性ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを使用する。
このため、リフロー炉は、第５５図に示すように、モジュール基板５の移送のときを除くリフロー時には、モジュール基板５を窒素ガス雰囲気に置くことができるように、モジュール基板５を上方から被うことができる箱型の不活性ガス供給箱７５を有している。この不活性ガス供給箱７５は、各ゾーンに対応した数用意されているとともに、昇降アーム７６に支持されている。また、この昇降アーム７６はその中が中空になり、各不活性ガス供給箱７５の天井部分から窒素ガスを噴射できる構成になっている。なお、機械強度を向上させるために昇降アーム７６とは別個に窒素ガスを供給するパイプを用意する構成でもよい。
昇降アーム７６はモジュール基板５が移送爪７４で移送されるときは相互に干渉しないように上方に位置し、移送爪７４が左端に位置して静止しているときは、第５６図及び第５７図に示すように下降する。そして、昇降アーム７６の中空部分から吹き出される窒素ガスをモジュール基板５の主面に吹きつける。モジュール基板５の主面に載置された空芯コイル９の両端の電極２３は、モジュール基板５の電極固定用パッド４ｂの表面に塗布されたソルダー２４で窒素ガス雰囲気下で固定される。例えば、モジュール基板５の移送時間は３秒、窒素ガス雰囲気下での加熱時間は５０秒である。
この結果、空芯コイル９の銅からなる電極２３の表面は酸化され難くなる。従って、電極２３は溶けた半田に弾かれることなく濡れるため、位置ずれを発生させることなく空芯コイル９は電極固定用パッド４ｂに固定される。第５８図では、空芯コイル９の電極２３がソルダー２４によって電極固定用パッド４ｂに固定される状態を示してある。空芯コイル９は、特に限定されるものではないが、１０巻構成になっていて、６巻がインダクタ部２２で、両端の２巻が電極２３である。
なお、不活性ガス供給箱７５の下縁は、ヒートブロックの上面に直接接触する構造、またはモジュール基板５の主面に直接接触するいずれの構造でもよいが、一部は窒素ガスが外に漏れだすための所定の隙間７７を必要とするものである（第５７図参照）。
本実施形態４による空芯コイル９の搭載による不良率は１％以下に抑えることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
また、上記実施形態では３段構成の高周波電力増幅装置に本発明を適用したが、他の構成の高周波電力増幅装置にも同様に適用できる。例えば、初段半導体増幅素子と、最終段半導体増幅素子とからなる２段構成の高周波電力増幅モジュールの例についても適用でき、同様な効果を得ることができる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である携帯電話機に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、他の電子装置や他の半導体装置（混成集積回路装置）にも同様に適用できる。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明に係る高周波電力増幅装置は、移動体通信端末等の携帯電話機を始めとする各種の無線通信装置の電力増幅器として使用することができる。また、安定した通話が達成できる無線通信装置を提供することができる。さらに、高周波電力増幅モジュールや無線通信装置の製造歩留り向上により高周波電力増幅装置や無線通信装置の製造コストの低減が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施形態（実施形態１）である高周波電力増幅装置におけるモジュール基板に搭載された電子部品のレイアウトを示す平面図である。
第２図は本実施形態１の高周波電力増幅装置の外観を示す斜視図である。
第３図は前記モジュール基板に搭載されたコイルを示す模式図である。
第４図は本実施形態１の高周波電力増幅装置の回路構成を示すブロック図である。
第５図は本実施形態１の高周波電力増幅装置におけるモジュール基板に形成される電源ラインの等価回路図である。
第６図はストリップラインの損失を示すグラフである。
第７図はチップインダクタの損失を示すグラフである。
第８図はコイルの損失を示すグラフである。
第９図はコイルとチップコイルのＤＣ抵抗とインダクタンスとの相関を示すグラフである。
第１０図は本実施形態１の高周波電力増幅装置が組み込まれた携帯電話機の一部の構成を示すブロック図である。
第１１図は本実施形態１の高周波電力増幅装置の製造において、本発明に係わるバルクフィーダやコレット等を用いてモジュール基板にコイルを実装する状態を示す模式図である。
第１２図は前記コイルの実装状態を示す模式図である。
第１３図は前記バルクフィーダにおけるホッパー部分を示す模式的断面図である。
第１４図は前記ホッパーの平面図である。
第１５図は前記ホッパーに連なりコイルを搬送するコイル搬送レールを示す模式的正面図である。
第１６図は前記ホッパーにおけるコイルの検出部分を示す断面図である。
第１７図は第１６図の一部を示す拡大断面図である。
第１８図は前記コイル搬送レールの先端のバルク供給部の真空吸引状態での拡大断面図である。
第１９図は第１８図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第２０図は前記バルク供給部の真空吸引を停止させた状態での拡大断面図である。
第２１図は第２０図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第２２図は前記バルク供給部の先頭のコイルを他のコイルから引き離した状態での拡大断面図である。
第２３図は第２２図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第２４図は前記バルク供給部の先頭のコイルをコレットで保持した状態での拡大断面図である。
第２５図は第２４図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第２６図は他の構造のコイルをモジュール基板に搭載した状態を示す拡大模式図である。
第２７図は第２６図のコイル等を側方から見た拡大模式図である。
第２８図は第２６図に示すコイルの拡大平面図である。
第２９図は第２６図に示すコイルの拡大断面図である。
第３０図は第２６図に示すコイルの拡大側面図である。
第３１図は他の構造のコイルを示す拡大平面図である。
第３２図は本発明の他の実施形態（実施形態２）であるバルクフィーダの一部を示す模式図である。
第３３図は本発明者等が本発明に先立って検討した高周波電力増幅装置の回路構成を示すブロック図である。
第３４図は従来のバルクフィーダを示す模式図である。
第３５図は従来のバルクフィーダにおけるホッパー部分を示す模式的断面図である。
第３６図は従来のホッパー部分の平面図である。
第３７図は従来のバルクフィーダにおけるバルク供給部の真空吸引状態での拡大断面図である。
第３８図は第３７図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第３９図は従来の前記バルク供給部のシャッターが開いた状態での拡大断面図である。
第４０図は第３９図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第４１図は従来のバルクフィーダにおける前記バルク供給部からコイルをコレットで保持する状態の拡大断面図である。
第４２図は第４１図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第４３図はバルク供給部において相互に引っ掛かりを発生することなく並ぶコイルを示す模式図である。
第４４図はバルク供給部に並ぶ先頭コイルとその後方のコイルとが相互に引っ掛かった状態を示す模式図である。
第４５図は本発明の他の実施形態（実施形態３）である高周波電力増幅モジュールにおけるコイルと、コイルを固定する電極との相関を示す模式的斜視図である。
第４６図は本実施形態３の高周波電力増幅モジュールの一部を示す平面図である。
第４７図は本実施形態３におけるコイルの搭載状態を示す各図である。
第４８図は電極各部の寸法変化に対するコイルの搭載ズレを示すグラフである。
第４９図は電極各部の寸法変化に対するコイルの搭載ズレを示す他のグラフである。
第５０図はモジュール基板上の電極に塗布された半田を再溶融した状態を示す三次元表示図である。
第５１図はモジュール基板上の電極に塗布された半田を再溶融した状態での断面図である。
第５２図は矩形電極にコイルをリフロー固定した場合の不良例を示す図である。
第５３図は本実施形態３で使用するリフロー炉の概略を示す模式的正面図である。
第５４図は前記リフロー炉の概略を示す模式的平面図である。
第５５図は本発明の他の実施形態（実施形態４）である高周波電力増幅モジュールにおけるコイルの搭載を行うリフロー炉の概略を示す模式的正面図である。
第５６図は前記リフロー炉において窒素雰囲気でリフローを行う状態を示す模式的正面図である。
第５７図は前記窒素雰囲気でリフローが行われる状態を示す模式的断面図である。
第５８図は窒素雰囲気によるリフローで適正に搭載されたコイルを示す模式的平面図である。
本発明は、半導体装置及びその製造方法並びに半導体製造装置に係わり、例えば、半導体装置として複数の増幅器（半導体増幅素子）を多段に縦続接続した多段構成の高周波電力増幅装置（高周波電力増幅モジュール）の製造技術、及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ携帯電話機等の無線通信装置（電子装置）に適用して有効な技術に関する。
背景技術
自動車電話機，携帯電話機等の無線通信装置に用いられる高周波電力増幅装置は、半導体増幅素子（トランジスタ）で構成される複数の増幅器を、２段または３段等多段に縦続接続した多段構成となっている。多段構成の最終段の増幅器（最終増幅段）は出力段となり、その前の各段の増幅器（増幅段）は駆動段となる。また、回路インピーダンス調整のために、各所にインダクタが組み込まれている。
高周波電力増幅装置の特性としては、高効率でかつ高利得、小形でかつ低コストであることが求められる。さらに、携帯での使用という特異性からアンテナのインピーダンスが使用条件で大きく変化して負荷不整合になり反射が起こって、最終段の増幅素子（半導体増幅素子）に大きな電圧が加わる場合が生じる。増幅素子にはそれに耐え得る破壊耐圧も考慮する必要がある。
第３３図は本発明者等が本発明に先立って検討した高周波電力増幅装置の回路構成を示すブロック図である。この高周波電力増幅装置は、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）とＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍ）と呼称される二つの通信系の増幅が可能なデュアルバンド用の高周波電力増幅装置である。
この高周波電力増幅装置１は外部電極端子として、ＧＳＭ用入力端子（ＰｉｎＧＳＭ▲１▼）、コントロール端子（Ｖａｐｃ▲２▼）、電源電圧Ｖｄｄの一方の電源電圧端子（Ｖｄｄ１▲３▼）、ＧＳＭ用出力端子（ＰｏｕｔＧＳＭ▲４▼）、ＤＣＳ用出力端子（ＰｏｕｔＤＣＳ▲５▼）、電源電圧Ｖｄｄの他方の電源電圧端子（Ｖｄｄ２▲６▼）、通信バンド切替用端子（Ｖｃｔｌ▲７▼）、ＤＣＳ用入力端子（ＰｉｎＤＣＳ▲８▼）、図示しないグランド電圧端子（ＧＮＤ）を有している。
ＤＣＳ及びＧＳＭ共にその増幅系は３段増幅構成になっている。ＤＣＳ増幅系は１ｓｔ，２ｎｄ，３ｒｄで示す増幅段（ａｍｐ１，ａｍｐ２，ａｍｐ３）で構成され、ＧＳＭ増幅系は１ｓｔ，２ｎｄ，３ｒｄで示す増幅段（ａｍｐ４，ａｍｐ５，ａｍｐ６）で構成されている。各増幅段は図示しないが電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）によって形成されている。
このような構成において、ＰｉｎＤＣＳ▲８▼はａｍｐ１に接続され、ＰｏｕｔＤＣＳ▲５▼はａｍｐ３に接続されている。また、ＰｉｎＧＳＭ▲１▼はａｍｐ４に接続され、ＰｏｕｔＧＳＭ▲４▼はａｍｐ６に接続されている。
Ｖａｐｃ▲２▼はバイアス回路２に接続されるとともに、このＶａｐｃ▲２▼に入力された信号によってａｍｐ１〜ａｍｐ６は制御される。
Ｖｄｄ１▲３▼は、マイクロストリップラインＭＳ３を介してａｍｐ４に接続され、マイクロストリップラインＭＳ４を介してａｍｐ５に接続され、インダクタＬ２を介してａｍｐ６に接続されている。また、高周波特性の安定化のために外付けでＶｄｄ１▲３▼には一端がＧＮＤに接地される容量Ｃ１が接続されている。
Ｖｄｄ２▲６▼は、マイクロストリップラインＭＳ１を介してａｍｐ１に接続され、マイクロストリップラインＭＳ２を介してａｍｐ２に接続され、インダクタＬ１を介してａｍｐ３に接続されている。また、高周波特性の安定化のために外付けでＶｄｄ２▲６▼には一端がＧＮＤに接地される容量Ｃ２が接続されている。
Ｖｃｔｌ▲７▼は、バンド選択回路３に接続されている。このバンド選択回路３は、ソース接地される３個のｎチャネル型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ８，Ｑ９，Ｑ１０と、一つの抵抗Ｒ１とで構成されている。Ｑ８とＱ９のゲート端子はＶｃｔｌ▲７▼に接続されている。Ｑ１０のゲート端子はＱ９のドレイン端子に接続され、ドレイン端子は抵抗Ｒ２を介してａｍｐ５の出力側に接続されている。Ｑ９のドレイン端子は抵抗Ｒ１を介してＶｄｄ２▲６▼に接続されている。Ｑ８のドレイン端子はインダクタＬ３を介してａｍｐ３の入力側に接続されている。
Ｖｃｔｌ▲７▼に供給される信号によってバンドの切り替えが行われ、ＤＣＳ通信のための増幅またはＧＳＭ通信のための増幅が行われる。
第３３図に示すような回路構成では、ＧＳＭ回路チェーン及びＤＣＳ回路チェーンの電源ラインは共通に使っている。この結果、３ｒｄＦＥＴからの漏れ信号が電源ラインを通して１ｓｔＦＥＴに戻る帰還（ｆｅｅｄ ｂａｃｋ ｌｏｏｐ）が形成され（第３３図において示す太線矢印参照）、発振を起こしやすいことが分かった。
一方、従来ではインダクタとしてはチップインダクタを使用している。しかし、チップインダクタは直流抵抗（ＤＣ抵抗）が大きく、例えば、携帯電話機用の高周波電力増幅装置（高周波パワーアンプモジュール）においては、出力及び効率の向上を妨げる原因となっている。即ち、チップインダクタは高周波電力増幅装置の電源ラインに使用する場合、例えば、２Ａ以上の電流容量が必要で特別仕様となり、価格が高く、また緊急の調達が難しい。
また、市販の空芯コイルは外形サイズが大きく、モジュールの高さ制限から搭載できない。即ち、高周波電力増幅装置に組み込むチップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ型電子部品は、１００５製品と呼称され、長さが１ｍｍで幅及び高さが０．５ｍｍと小さいが、市販の空芯コイルはこれ以上大きい。
また、従来のチップインダクタはコスト的にも高く、混成集積回路装置の低コスト化の妨げになっている。即ち、チップインダクタには種々な構造のものがあるが、高周波電力増幅装置に使用されるチップインダクタは、セラミックスからなるベース部材に線材を巻いた構造のもの、セラミックスをベースにＡｇ，Ｎｉ等の導体を積み重ねてスパイラル構造を形成するもの、及びセラミックコアの表面にメッキ等を施して金属層を形成し、この金属層をレーザ光で螺旋状にカットした構造のものが主流になっている。
そこで、本出願人においては、小型化及びコスト低減を図るために、さらにはＤＣ抵抗の低減を図るため、導電性の良好な金属線を螺旋状に巻いたコイルについて検討し、新たなコイル（コイルインダクタ）を提案している（特願２０００−３６７７６２号公報）。
このコイルは、例えば一例を挙げるならば、表面を絶縁膜（例えば、ポリエチレン膜）で被った直径０．１ｍｍの銅線を螺旋状に巻いた構造となり、外径は０．５６ｍｍ程度、長さは０．９ｍｍ程度である。螺旋に巻く前に銅線の両端部分の絶縁膜を一定の長さ除去しておき、あるいは絶縁膜を付けないでおく。従って絶縁膜が被覆されない１乃至複数巻の捲線部分が電極となる。このコイルはその重量も０．０７２５ｍｇ程度と極めて軽い。また、このコイルは、銅線を巻いて製造することから、従来のチップインダクタ（例えば、小さい金属層をレーザ光で螺旋状にカットした構造の１００５製品）は、インダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗は１００ｍΩとなる。
これに対して、本出願人提案の空芯コイルは、インダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗は２０ｍΩと従来の１／５となるとともに、コスト的にも優位になる。
本出願人は、このようなコイル（空芯コイル）を混成集積回路装置でもある高周波電力増幅装置に組み込むべく従来のバルクフィーダを用いて組み立てを行った。
しかし、従来のバルクフィーダでは、極めて重量が軽いこのようなコイル（空芯コイル）を安定して供給することは困難であるということが分かった。
半導体製造装置でもあるバルクフィーダとしては、例えば、「Ｍａｔｓｕｓｈｉｔａ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ」、Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．４，Ａｕｇ．１９９９，Ｐ８６〜Ｐ９０に記載されている。この文献には、積層チップコンデンサや角板形チップ抵抗等の表面実装型電子部品の実装に適した、ホッパー方式のバルクフィーダについて記載されている。
第３４図乃至第４２図は従来のバルクフィーダに係わる図である。第３４図に示すように、従来のバルクフィーダはバルクを収容するバルク収納ケース１０と、このバルク収納ケース１０の下部に設けられたホッパー１１と、このホッパー１１から取り込まれたバルクを先端のバルク供給部１２まで案内する搬送レール１３とを有する。
バルク収納ケース１０は薄い箱型構造となりその内底は両側から中央に向かってバルクを集める傾斜体１４となっている。この傾斜体１４の中心を貫くように配置され、傾斜体１４の内底部分に集められたバルクを一列状態でバルク収納ケース１０から取り出すホッパー１１は、第３５図に示すように、上端に円錐台窪み１５を有するガイド１６と、このガイド１６を貫き中心軸に沿ってバルクを１個案内するガイド孔１７を有する角パイプからなる供給シャフト１８で構成されている。供給シャフト１８の上端からガイド孔１７内にバルクが入るように、前記ガイド１６は上下に振動する構造となっている。例えば、バルクの長さ（１ストローク：１ｓｔ）の略３倍程度の振幅をもって振動する。
また、ガイド孔１７は第３６図に示すように、矩形断面になっている。供給シャフト１８は２．６ｍｍ直径で、その中心に幅０．６３ｍｍ長さ０．８７ｍｍの四角形のガイド孔１７が設けられている。
このようなバルクフィーダで、バルクとして０．５６ｍｍ×０．８５ｍｍの大きさのコイル（空芯コイル）９を供給する場合、第３５図及び第３６図に示すように、幾つかの供給不良が発生してしまうことが分かった。
一つは、筒状の供給シャフト１８の肉厚が厚いため、供給シャフト１８の上端に空芯コイル９が乗ってしまいガイド孔１７内に入らない供給不良Ａである。
一つは、ガイド１６が下方に下がった時点で円錐台窪み１５の傾斜面と供給シャフト１８の外周面との間に隙間１９が発生し、この隙間１９内に空芯コイル９が挟まる供給不良Ｂである。
一つは、空芯コイル９にもその寸法上バラツキがあることから、０．５３ｍｍ×０．８５ｍｍの大きさの空芯コイル９が０．６３ｍｍ×０．８７ｍｍの大きさのガイド孔１７の途中に横向きになって引っ掛かって詰まる供給不良Ｃである。
一方、従来のバルクフィーダの搬送レール１３は、第３４図に示すように、途中に継ぎ目Ｄが存在することから、その継ぎ目で空芯コイル９が引っ掛かり、供給不良が発生することもある。
他方、バルク供給部１２は、第３７図に示すような構造となり、第３７図乃至第４２図で示すような動作をする。即ち、第３７図に示すように、搬送レール１３の先端側では、搬送レール本体２５の先端上面側は一段低くなり、この低い部分に摺動子２６が空芯コイル９の移送方向に沿って往復動可能に取り付けられている。
空芯コイル９を案内するガイド孔１７を設けたレール２７は前記搬送レール本体２５の段付き部分まで延在している。搬送レール本体２５には前記レール２７のガイド孔１７に入って移動してきた空芯コイル９の前端を停止させるストッパ部２８を有している。このストッパ部２８は空芯コイル９の上側に接触するようになるが、その下部は部分的に開放される空間になっている。これは空芯コイル９を真空吸引してストッパ部２８に当接させるための真空吸引通路３０ａを形成する。
摺動子２６は、バネ２９によってその左端面が段付き部分の側面に接触するようになっている。摺動子２６の左端面が段付き部分の側面に接触する状態が、ストッパ部２８の空芯コイル９の位置決め位置、即ち、位置決め基準面を形成することになる。
また、摺動子２６上にはシャッター３１が重なり、かつ摺動子２６に対して移動可能になっている。シャッター３１は空芯コイル９の移送方向に沿って往復動し、レール２７のガイド孔１７内を移動する先頭の空芯コイル９の長さよりも僅かに長い距離部分を被うようになっている。従って、レール２７の先端部分では、ガイド孔１７の上面のレール２７部分が削除された構造になっている。シャッター３１は摺動子２６との間に真空吸引通路３０ｂを形成している。また、シャッター３１，摺動子２６及び搬送レール本体２５には、それぞれ孔が設けられて真空吸引通路３０ｃ，３０ｄ，３０ｅを形成している。摺動子２６が左端に寄り、シャッター３１がガイド孔１７の上側を被う状態のとき、これら３つの孔は重なり、第３７図で示すように空芯コイル９を太線矢印で示すように真空吸引して先頭の空芯コイル９をストッパ部２８に当接させるようにする。この真空吸引によって、第３８図に示すように、後続の空芯コイル９もガイド孔１７内に一列に並ぶことになる。
第３９図に示すように、シャッター３１を右側、即ちガイド孔１７の端末から遠ざけるように開動作させると、先頭の空芯コイル９及び２番目の空芯コイル９の先頭部分の僅かの長さ部分は露出状態になる。またこのときの開動作によって、真空吸引通路３０ｄはシャッター３１によって塞がれるため、真空吸引動作は停止する。シャッター３１の移動は、例えば、空芯コイル９の長さの３倍（３ｓｔ）程移動される。第４０図はこれらの関係を示す拡大断面図である。
つぎに、コレット３２が移動して来て先頭の空芯コイル９を真空吸着保持してモジュール基板上に運び、空芯コイル９の搭載が行われる。
ところで、前述のように空芯コイルは極めて軽いため、真空吸引の切り替え時の気流（気圧）変動や振動によって動き易く、例えば第４４図に示すように、前後の空芯コイル９の端同士が重なり合うようになったりする。この場合、コレット３２は空芯コイル９を確実に真空吸着保持して搬送することができなくなり、空芯コイル９のモジュール基板への搭載ができなくなる。また、コレットによる真空吸着力を高めるべく真空吸着力を大きくすると、その真空吸引力の影響によってコイル列が乱れてしまうこともあり、コレットの真空吸着力を必要以上に大きくすることはできず、制御は微妙である。なお、第４３図は、支障なく一列に並ぶ空芯コイル９を示す図である。
本発明の目的は、高周波特性が優れ、出力及び効率の向上が図れ、かつ製造コストの低減が達成できる半導体装置及びその半導体装置を組み込んだ電子装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、高周波特性が優れ、出力及び効率の向上が図れ、かつ製造コストの低減が達成できる高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、直流抵抗が小さい空芯コイルを実装した半導体装置及びその半導体装置を組み込んだ電子装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、直流抵抗が小さい空芯コイルを実装した高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、発振マージンを改善できる高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を組み込んだ通話性能が良好な無線通信装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、バルクを配線基板に正確かつ確実に実装する半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、バルクとしてのコイルを配線基板に正確かつ確実に実装する半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、バルクの安定供給が達成できる半導体製造装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、バルクとしてのコイルの安定供給が達成できる半導体製造装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
発明の開示
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
携帯電話機には以下の構成の高周波電力増幅装置が組み込まれている。高周波電力増幅装置は増幅系を二つ有するデュアルバンド構成になっている。増幅系は、それぞれ半導体増幅素子を複数従続接続した多段構成となり、最終増幅段の半導体増幅素子の信号を出力する第１端子と電源電圧端子間に直流抵抗が小さいコイル（空芯コイル）を直列に接続した構成になっている。空芯コイルは高周波電力増幅装置のモジュール基板に搭載されている。
電源電圧を供給する電源電圧端子は２端子設けられ、一方の電源電圧端子は一方の増幅系の初段増幅段と他方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続され、他方の電源電圧端子は他方の増幅系の初段増幅段と一方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続された構成（たすき掛け構成と呼称する）になっている。
前記空芯コイルは表面が絶縁膜で被われる０．１ｍｍ直径の銅線を密に螺旋状に巻いた構成になるとともに、両端の電極となる部分は絶縁膜が存在しない構成になり、最大外径が０．５６ｍｍ程度となり、全長が０．９ｍｍ程度となり、インダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗が２０ｍΩ程度となり、従来のチップインダクタのインダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗が１００ｍΩに比較して小さくなっている。
前記高周波電力増幅装置の製造における空芯コイルの搭載は、バルクフィーダのバルク供給部に移送されて一列に並ぶ空芯コイルの先頭の空芯コイルをコレットで真空吸着保持した後、モジュール基板の所定位置に運び、その後一時的な加熱処理によってモジュール基板や空芯コイルにあらかじめ設けておいたソルダーを溶かして固定する。なお、モジュール基板に搭載される電子部品は空芯コイルよりも高さが低い。即ち、チップ部品は長さ１ｍｍ，幅及び高さが０．５ｍｍとなる部品、あるいはこれ以下の部品である。また、半導体増幅素子が形成される半導体チップの厚さも薄い。従って、直径が０．５６ｍｍと大きい空芯コイルは、他の実装部品の搭載の最後に行う。
半導体製造装置でもあるバルクフィーダは、バルク収納ケース，ホッパー，搬送レール及びバルク供給部とからなり、バルク収納ケースに収容された空芯コイルをホッパーで一列に並ぶように集め、搬送レール内を移動させてバルク供給部に運ぶ。バルク供給部に空芯コイルが到達するようにバルク供給部では図示しない真空吸引機構が一時的に動作する。真空吸引機構の真空吸引動作が停止する間、バルク供給部のシャッターが開き、露出した空芯コイル列の先頭の空芯コイルをコレットで保持する。
ホッパーは円錐台窪みを上端に有する筒状のガイドと、このガイドを貫き中心軸に沿ってバルクを縦列状態で一列に案内するガイド孔を有する供給シャフトで構成されている。ガイドは上下に振動し、バルクがガイドの円錐台窪みに集まるようにして供給シャフトのガイド孔に入るようになっている。供給シャフトは上端にバルクが乗って停止しないように肉厚が薄くなっている。ガイドが最も下がった状態で供給シャフトの外周面とガイドの円錐台窪み面との間にバルクを挟む隙間が発生しないような位置関係になっている。供給シャフトのガイド孔内にバルクとしての空芯コイルが横向きに入らないように、ガイド孔は空芯コイルの全長よりは短く、空芯コイルの外形よりは僅かに大きな円形断面の孔になっている。このため、供給シャフトは円筒体で形成されている。
搬送レールはガイド孔に沿って移動するバルクが引っ掛からないように継ぎ目のない１本の部材で形成されている。
バルク供給部は、搬送レールのガイド孔に沿って移動して来るバルクを位置決め停止させるストッパ部を有するとともにバルク移送方向に沿って往復動自在に搬送レールに取り付けられる摺動子と、前記摺動子に対してバルクの移送方向に往復動自在に取り付けられかつガイド孔の上面を開閉させるシャッターと、前記搬送レール及びガイド並びにシャッターに設けられかつ前記ガイド孔内のバルクをストッパ部に向かって真空吸引によって進行させるようにするための真空吸引機構の一部を構成する真空吸引通路と、前記真空吸引通路を開閉する開閉手段とを有する。
バルク供給部では、ガイド孔先端部上面がシャッターによって塞がれている状態で開閉手段が開動作してガイド孔内のバルクをストッパ部に向かって前進させる。つぎに、シャッターがバルクの長さよりも短い距離開動作して開閉手段を閉動作させる。つぎに、シャッターが摺動子とともにさらに開動作して先頭のバルクと後続のバルクとの間に所定の距離を発生させる。つぎに、シャッターがさらに開動作して先頭のバルクを露出させる。この状態で先頭のバルクのコレットによる真空吸着保持が行われる。
前記の手段によれば、（ａ）空芯コイルはチップインダクタに比較して直流抵抗（ＤＣ抵抗）が小さい。従って、多段構成の増幅系の最終増幅段に接続するインダクタとして使用した場合、ＤＣ損失が低くなり、損失を少なくインピーダンスを高くすることができる。このため、最終増幅段からその前の増幅段への高周波信号の帰還の低減が達成でき、発振マージンの向上が図れる。この結果、ＲＦモジュールで発振マージンが改善されるため、携帯電話機の通話性能が良くなる。
（ｂ）デュアルバンド構成において、二つの増幅系に供給される電源電圧はたすき掛け構成になっていることから、初段増幅段への後段増幅段（特に最終増幅段）からの漏れ信号の電源ラインを通しての帰還を抑止できるため発振マージンの改善ができる。これは、前記（ａ）のような空芯コイルの使用によってさらに発振マージンの向上が図れることになる。
（ｃ）空芯コイルは表面を絶縁膜で被った銅線を密に螺旋状に巻いた構成になっていることから、製造コストが従来のチップインダクタに比較した１／７〜１／２程度と安価である。従って、最終増幅段に接続されるコストの高いチップインダクタに比較してコストを１／７程度と小さくすることができる。他の部分に使用するチップインダクタに変えて本発明による空芯コイルを使用すれば、そのコストは１／２程度にすることができる。これにより、高周波電力増幅装置のコストの低減が図れる。従って、この高周波電力増幅装置を組み込んだ携帯電話機（無線通信装置）の製造コストの低減も可能になる。
（ｄ）空芯コイルは最大外径が０．５６ｍｍ程度となり、長さが０．９ｍｍ程度となるため、従来の幅及び高さが０．５ｍｍ，長さ１ｍｍのチップインダクタよりも実装長さが短くなる。
（ｅ）高周波電力増幅装置の製造における空芯コイルの搭載（半導体装置の製造方法）においては、以下のような効果がある。
▲１▼モジュール基板に搭載する電子部品の中で、空芯コイルは最も高さが高いが、他の電子部品の搭載後に実装が行われる。従って、空芯コイルを真空吸着保持するコレットが、既にモジュール基板に搭載された電子部品に接触することがなく、他の電子部品の搭載を損なうことがない。この結果、実装歩留りの向上を図ることができる。
▲２▼バルクフィーダのバルク供給部に移送されて一列に並ぶ空芯コイルの先頭の空芯コイルをコレットで真空吸引保持した後、モジュール基板の所定位置に運び、その後一時的な加熱処理によってモジュール基板や空芯コイルにあらかじめ設けておいたソルダーを溶かして固定するが、バルク供給部では、先頭の空芯コイルは後続の空芯コイルから離して供給されるため、後続の空芯コイルが先頭の空芯コイルに重なるあるいは引っ掛かって発生するコレットによる真空吸着保持ミスがなくなり、実装が正確かつ確実に行えるとともに、実装作業も能率的に行うことができる。従って、実装不良や機械停止も起き難くなり、実装コストの低減が可能になる。
▲３▼ホッパー部分では、筒状の供給シャフトの肉厚は薄くなっていることから、上端にバルクが乗って停止しなくなり、バルク供給部への空芯コイルの供給が確実になり、安定供給が行える。
▲４▼ホッパー部分では、ガイドが最も下がった状態で供給シャフトの外周面とガイドの円錐台窪み面との間にバルクを挟む隙間が発生しないような位置関係になっていることから、供給シャフト外周面とガイドの円錐台窪み面との間に空芯コイルが挟まれることもない。従って、空芯コイルの変形が防止でき、変形した空芯コイルの実装もなくなり、実装歩留りの向上が図れる。また、バルク供給部に安定して空芯コイルを供給することできるようになる。
▲５▼供給シャフトのガイド孔は大きくかつ円形断面の孔になっていることから、空芯コイルがガイド孔に詰まらないようになり、バルク供給部に安定して空芯コイルを供給することができるようになる。
▲６▼搬送レールは継ぎ目のない１本の部材で形成されていることから、空芯コイルがガイド孔の途中で引っ掛からなくなり、バルク供給部に安定して空芯コイルを供給することができるようになる。
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
（実施形態１）
第１図乃至第３１図は本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置（高周波電力増幅装置）及びその製造技術並びに無線通信装置（電子装置）に係わる図である。
本実施形態１では、半導体装置として、高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）に本発明を適用した例について説明する。本実施形態１の高周波電力増幅装置は、デュアルバンド用であり、例えば、ＧＳＭ通信系とＤＣＳ通信系が組み込まれた携帯電話機（無線通信装置）に組み込むデュアルバンド用の高周波電力増幅装置である。
本実施形態１の高周波電力増幅装置（高周波パワーアンプモジュール）１は、第２図に示すように外観的には偏平な矩形体構造になっている。高周波電力増幅装置１は、セラミック配線板からなるモジュール基板５と、このモジュール基板５の一面側（主面側）に重ねて取り付けられたキャップ６とによって偏平矩形体構造のパッケージ７が構成された構造になっている。キャップ６は、電磁シールド効果の役割を果たす金属製であり、プレスによる成形品となっている。
第４図は、本実施形態１の高周波電力増幅装置の回路構成を示すブロック図である。この高周波電力増幅装置１は外部電極端子として、ＧＳＭ用入力端子（ＰｉｎＧＳＭ▲１▼）、コントロール端子（Ｖａｐｃ▲２▼）、電源電圧Ｖｄｄの一方の電源電圧端子（Ｖｄｄ１▲３▼）、ＧＳＭ用出力端子（ＰｏｕｔＧＳＭ▲４▼）、ＤＣＳ用出力端子（ＰｏｕｔＤＣＳ▲５▼）、電源電圧Ｖｄｄの他方の電源電圧端子（Ｖｄｄ２▲６▼）、通信バンド切替用端子（Ｖｃｔｌ▲７▼）、ＤＣＳ用入力端子（ＰｉｎＤＣＳ▲８▼）、図示しないグランド電圧端子（ＧＮＤ）を有している。端子配列は、第１図のように、モジュール基板５の手前左から右に向かって端子▲１▼，▲２▼，▲３▼，▲４▼と並び、後方右から左に向かって端子▲５▼〜▲８▼となっている。
ＤＣＳ及びＧＳＭ共にその増幅系は３段増幅構成になっている。ＤＣＳ増幅系は１ｓｔ，２ｎｄ，３ｒｄで示す増幅段（ａｍｐ１，ａｍｐ２，ａｍｐ３）で構成され、ＧＳＭ増幅系は１ｓｔ，２ｎｄ，３ｒｄで示す増幅段（ａｍｐ４，ａｍｐ５，ａｍｐ６）で構成されている。各増幅段は図示しないがシリコン基板を基にして形成される電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）によって形成されている。
このような構成において、ＰｉｎＤＣＳ▲８▼はａｍｐ１に接続され、ＰｏｕｔＤＣＳ▲５▼はａｍｐ３に接続されている。ＰｉｎＧＳＭ▲１▼はａｍｐ４に接続され、ＰｏｕｔＧＳＭ▲４▼はａｍｐ６に接続されている。
Ｖａｐｃ▲２▼はバイアス回路２に接続されるとともに、このＶａｐｃ▲２▼に入力された信号によってａｍｐ１〜ａｍｐ６は制御される。
Ｖｄｄ１▲３▼は、マイクロストリップラインＭＳ１を介してａｍｐ１に接続され、マイクロストリップラインＭＳ４を介してａｍｐ５に接続され、インダクタＬ２を介してａｍｐ６に接続されている。また、高周波特性の安定化のために外付けでＶｄｄ１▲３▼には一端がＧＮＤに接地される容量Ｃ１が接続されている。
Ｖｄｄ２▲６▼は、マイクロストリップラインＭＳ３を介してａｍｐ４に接続され、マイクロストリップラインＭＳ２を介してａｍｐ２に接続され、インダクタＬ１を介してａｍｐ３に接続されている。また、高周波特性の安定化のために外付けでＶｄｄ２▲６▼には一端がＧＮＤに接地される容量Ｃ２が接続されている。
このように、電源電圧は二つの端子（Ｖｄｄ１▲３▼，Ｖｄｄ２▲６▼）が用意され、一方の電源電圧端子は一方の増幅系の初段増幅段と他方の増幅系の２段及び３段増幅段に電源電圧を供給し、他方の電源電圧端子は他方の増幅系の初段増幅段と一方の増幅系の２段及び３段増幅段に電源電圧を供給する、所謂たすき掛け構成になっていることから、初段増幅段への後段増幅段（特に最終増幅段）からの漏れ信号の電源ラインを通しての帰還を抑止できるため発振マージンの改善ができる。
また、前記Ｌ１〜Ｌ３は、インダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗が２０ｍΩとなり、従来のチップインダクタのインダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗は１００ｍΩとなるものに比較して大幅に直流抵抗が小さい空芯コイルで形成されている。
Ｖｃｔｌ▲７▼は、バンド選択回路３に接続されている。このバンド選択回路３は、ソース接地される３個のｎチャネル型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ８，Ｑ９，Ｑ１０と、一つの抵抗Ｒ１とで構成されている。Ｑ８とＱ９のゲート端子はＶｃｔｌ▲７▼に接続されている。Ｑ１０のゲート端子はＱ９のドレイン端子に接続され、ドレイン端子は抵抗Ｒ２を介してａｍｐ５の出力側に接続されている。Ｑ９のドレイン端子は抵抗Ｒ１を介してＶｄｄ２▲６▼に接続されている。Ｑ８のドレイン端子はインダクタＬ３を介してａｍｐ３の入力側に接続されている。Ｖｃｔｌ▲７▼に供給される信号によってバンドの切り替えが行われ、ＤＣＳ通信のための増幅またはＧＳＭ通信のための増幅が行われる。
第１図は、例えば、ガラスセラミックスを積層させた低温焼成のセラミック配線板からなるモジュール基板５の表面に搭載された各電子部品を示す平面図である。
第１図に示すように、モジュール基板５の表面には４個の半導体チップ８ａ〜８ｄと、３個の空芯コイル９ａ〜９ｃと、符号は付けないが多数のチップ抵抗とチップコンデンサが搭載されている。
モジュール基板５の表裏面は勿論のこと内部にも導体が選択的に形成されている。そして、これら導体によって配線４が形成されている。この配線４の一部は、前記半導体チップ８ａ〜８ｄを固定するための搭載パッド４ａとなり、チップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ型電子部品や空芯コイル９ａ〜９ｃの電極を固定する電極固定用パッド４ｂとなり、あるいは半導体チップ８ａ〜８ｄの図示しない電極に一端が接続されるワイヤ２０の他端を接続するワイヤボンディングパッド４ｃ等を構成する。モジュール基板５の裏面には表面実装型の電極が前記配線４によって形成され、前記▲１▼〜▲８▼の外部電極端子が形成されている。これら外部電極端子はＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）構造になっている。
半導体チップ８ａ〜８ｄはモジュール基板５の主面に設けた窪み底に固定されている。また、動作時に発熱量が大きい半導体チップにおいては、その下のモジュール基板５にはビィアホールが形成されるとともに、このビィアホールには前記導体が充填され、モジュール基板５の裏面に熱を伝達するようになっている。
半導体チップ８ａ〜８ｄにおいて、半導体チップ８ａには、ＤＣＳ用の１ｓｔと２ｎｄの半導体増幅素子が組み込まれ、半導体チップ８ｂにはＤＣＳ用の３ｒｄの半導体増幅素子が組み込まれている。また、半導体チップ８ｃには、ＧＳＭ用の１ｓｔと２ｎｄの半導体増幅素子が組み込まれ、半導体チップ８ｄにはＧＳＭ用の３ｒｄの半導体増幅素子が組み込まれている。
一方、これが本発明の特徴の一つであるが、第４図のブロック図で示すように、高周波電力増幅装置１におけるインダクタＬ１〜Ｌ３は、第１図に示すようにコイル（空芯コイル９ａ〜９ｃ）で形成してある。
第３図（ｂ）には、モジュール基板５に搭載された空芯コイル９ａ（９）を示してある。空芯コイル９は、表面が絶縁膜で被覆されたインダクタ部２２と、両端の絶縁膜で被われない電極２３とからなる。この空芯コイル９はインダクタ部２２が６巻であり、電極２３が２巻である。空芯コイル９は、その電極２３がソルダー２４によってモジュール基板５の配線４ｂに固定されることによって実装されている。なお、第３図（ａ）の空芯コイル９はインダクタ部２２が８巻であり、電極２３が１巻である実装例である。
空芯コイル９は、一例を挙げるならば、表面を絶縁膜（例えば、ポリエチレン膜）で被った直径０．１ｍｍの銅線を螺旋状に巻いた構造となり、外径は０．５６ｍｍ、長さは０．９ｍｍである。螺旋に巻く前に銅線の両端部分の絶縁膜を一定の長さ除去しておき、その除去部分による捲線部分が外部電極２３となる。絶縁膜で被われた部分の捲線部分がインダクタ部２２となる。この空芯コイル９はその重量も０．００７２５ｍｇと極めて軽い。このコイルは、銅線を巻いて製造することから、従来のチップインダクタ（例えば、電流容量が２．１Ａ程度でインダクタンスが８ｎＨのもので直流抵抗が１００ｍΩとなるチップインダクタ）に比較して、そのコストは１／７程度と低くなる。また、電流容量が小さいチップインダクタでは、そのコストは１／２程度になる。
このような高周波電力増幅装置１は以下のように、発振マージンが改善されるとともに、伝送損失が低減される。
（１）発振マージン対策
第３３図に示す回路においては、ＧＳＭ／ＤＣＳ各回路チェーンの電源ラインを共通に使っていたため、３ｒｄＦＥＴからの漏れ信号が電源ラインを通して１ｓｔＦＥＴに戻るフィードバックループ（ｆｅｅｄ ｂａｃｋ ｌｏｏｐ）が形成され、発振を引き起こしやすくなっていた。
これに対して本実施形態１による第４図で示す回路では、この ｆｅｅｄ ｂａｃｋ ｌｏｏｐの影響を改善するべく、電源電圧端子を２つ設け（Ｖｄｄ１，２）、増幅ゲインの最も高い１ｓｔＦＥＴの電源ラインを別電源電圧端子から供給することで１ｓｔＦＥＴへのｆｅｅｄ ｂａｃｋを抑えることができ、発振マージンを改善できる。
また、ＧＳＭ及びＤＣＳの増幅系において、３ｒｄＦＥＴの電源ライン部分へのインダクタをＤＣ抵抗が小さい空芯コイル９で形成することから、ＤＣ損失が小さくなり、電力損失を少なくインピーダンスを高くすることが可能となる。この結果、３ｒｄＦＥＴから２ｎｄＦＥＴへのＲＦ信号のフィードバックが低減でき、前記たすき掛け構成の効果とも相俟ってさらなる発振マージンの向上ができる。
（２）電源ラインへの空芯コイルの適用による伝送損失の低減
回路の高集積化に伴う小型・多機能化において部品の実装密度を上げることが必要であり、ストリップライン等は基板の内層へのレイアウトが必要となる。しかし、電源ラインの内層へのレイアウトは以下の問題がある。
▲１▼特性インピーダンスの低下によって高周波伝送損失（ＲＦ損失）が増加する。
▲２▼ＲＦ損失対策としてストリップラインを長くした場合、ＤＣ損失が増加する。
▲３▼ストリップラインを長くした場合、占有面積が増大しモジュール基板５の小型化、即ち、高周波電力増幅装置１の小型化が妨げられる。
電源ラインでの損失は、配線抵抗分によるＤＣ損失とインピーダンス成分によるＲＦ損失とに大別される。ＤＣ損失を低減するためには電源ライン長（ストリップライン）を短くすればよいが、電源ラインのインピーダンスが低下しＲＦ損失が増加してしまう。
ここで、電源ラインにおける損失について説明する。
（１）ＤＣ損失
電源ラインを電流が流れる場合、配線導体の寄生抵抗分により電圧降下が生じＦＥＴのドレイン端に印加される電圧が下がり、出力低下，効率低下を引き起こしてしまう。損失（ＤＣロス：ｄＢ）は以下の式で与えられる。
【式１】
（２）ＲＦ損失
電源ラインのインピーダンスとＦＥＴのドレインインピーダンスとの関係による伝送損失解析においては、シミュレータＭＤＳ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｄｅｓｉｇｎ Ｓｙｓｔｅｍ）を用いた。
入力信号源をＦＥＴとした場合、入力を非整合、出力を整合として計算でき、ＦＥＴの電源ラインの影響がみえるＧａ（有能電力利得）にて計算を行った。Ｇａは次式で与えられる。
【式３】
電源ラインのＲＦ損失を減らすには、第５図に示す伝送ライン及び電源ラインの等価回路において、電源ラインのインピーダンス（Ｚ２）を大きくする必要がある。第５図において伝送ラインの入力（ＩＮ）と出力（ＯＵＴ）との間に電源ライン長さがＬとなる電源ラインが設けられ、電源ラインの端にＶｄｄが供給されるようになっている。第５図において、Ｚ０は電源ライン特性インピーダンス、Ｚ１は伝送ラインの電源ライン接続部インピーダンス、Ｚ２は電源ラインインピーダンス、Ｌは電源ライン長さである。このような等価回路においては次式が与えられる。
【式６】
【式８】
ストリップラインのＺ２と電源ライン損失の関係を第６図に示すが、ＲＦ損失とＤＣ損失間には最適点が存在することが分かる。即ち、周波数ｆが９００ＭＨｚ、ライン幅Ｗが０．３ｍｍ、基板ｔ（内層）が０．３ｍｍ、基板誘電率εｒが８．１の場合、前記最適点はストリップラインの長さは１２ｍｍとなる。
しかし、ストリップラインを基板内層に配置した場合、伝送損失が約０．４ｄＢと大きく電力効率が低下してしまう不具合点がある。
電源ラインにチップインダクタ及び空芯コイルを使用した場合の伝送損失を第７図及び第８図に示す。チップインダクタでは内層ストリップラインに比べ伝送損失を約１／４程度に低減でき、さらに空芯コイルではチップインダクタに比べＤＣ損失を約１／２程度に低減することができる。空芯コイルとチップインダクタとのＤＣ抵抗の比較を第９図に示す。空芯コイル適用による損失の低減は電力効率に換算すると内層ストリップラインに比べ約＋５％の向上に相当する。
つぎに、高周波電力増幅装置１を組み込んだ携帯電話機（電子装置）について説明する。第１０図は本実施形態１の高周波電力増幅装置１が組み込まれた携帯電話機（無線通信装置）のシステム構成を示すブロック図である。具体的には、携帯電話機（移動体通信端末）のシステム構成を示すものである。
第１０図はデュアルバンド無線通信機の一部を示すブロック図であり、高周波信号処理ＩＣ（ＲＦｌｉｎｅａｒ）５０からアンテナ（Ａｎｔｅｎｎａ）５１までの部分を示す。なお、第１０図では、高周波電力増幅装置の増幅系はＧＳＭ用の増幅系と、ＤＣＳ用の増幅系の二つを別けて示してあり、その増幅器をＰＡ（パワーアンプ）５８ａ，５８ｂとして示してある。
アンテナ５１はアンテナ送受信切替器５２のアンテナ端子Ａｎｔｅｎａに接続されている。アンテナ送受信切替器５２は、ＰＡ５８ａ，５８ｂの出力を入力する端子Ｐｏｕｔ１，Ｐｏｕｔ２と、受信端子ＲＸ１，ＲＸ２と、制御端子ｃｏｎｔｒｏｌ１，ｃｏｎｔｒｏｌ２とを有している。
高周波信号処理ＩＣ５０からのＧＳＭ用の信号はＰＡ５８ａに送られ、Ｐｏｕｔ１に出力される。ＰＡ５８ａの出力はカプラー５４ａによって検出され、この検出信号は自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）５３にフィードバックされる。ＡＰＣ回路５３は上記検出信号を基に動作してＰＡ５８ａを制御する。
また、同様に高周波信号処理ＩＣ５０からのＤＣＳ用の信号はＰＡ５８ｂに送られ、Ｐｏｕｔ２に出力される。ＰＡ５８ｂの出力はカプラー５４ｂによって検出され、この検出信号はＡＰＣ回路５３にフィードバックされる。ＡＰＣ回路５３は上記検出信号を基に動作してＰＡ５８ｂを制御する。
アンテナ送受信切替器５２はデュプレクサー５５を有している。このデュプレクサー５５は端子有し、１端子は上記アンテナ端子Ａｎｔｅｎａに接続され、他の２端子の内一方はＧＳＭ用の送信受信切替スイッチ５６ａに接続され、他方はＤＣＳ用の送信受信切替スイッチ５６ｂに接続されている。
送信受信切替スイッチ５６ａのａ接点はフィルター５７ａを介してＰｏｕｔ１に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ａのｂ接点は容量Ｃ１を介して受信端子ＲＸ１に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ａは制御端子ｃｏｎｔｏｒｏｌ１に入力される制御信号によってａ接点またはｂ接点との電気的接続の切り替えが行われる。
また、送信受信切替スイッチ５６ｂのａ接点はフィルター５７ｂを介してＰｏｕｔ２に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ｂのｂ接点は容量Ｃ２を介して受信端子ＲＸ２に接続されている。送信受信切替スイッチ５６ｂは制御端子ｃｏｎｔｏｒｏｌ２に入力される制御信号によってａ接点またはｂ接点との電気的接続の切り替えが行われる。
受信端子ＲＸ１と高周波信号処理ＩＣ５０との間には、フィルター６０ａと低雑音アンプ（ＬＮＡ）６１ａが順次接続されている。また、受信端子ＲＸ２と高周波信号処理ＩＣ５０との間には、フィルター６０ｂと低雑音アンプ（ＬＮＡ）６１ｂが順次接続されている。
この無線通信機によってＧＳＭ通信及びＤＣＳ通信が可能になる。
つぎに、高周波電力増幅装置１の製造における空芯コイル９の実装技術について説明する。空芯コイル９の実装においては、第１１図に示すような半導体製造装置でもあるバルクフィーダ２１が使用される。本実施形態１のバルクフィーダ２１は、第３４図に示すバルクフィーダを改良して空芯コイル９の安定供給ができるようにしたものである。
バルクフィーダ２１は、バルク収納ケース１０，ホッパー１１，搬送レール１３，バルク供給部１２を有する点では従来品と同様であるが、空芯コイルを安定に供給するために、▲１▼ホッパー１１部分では、供給シャフト１８上での空芯コイル９の停止抑止、供給シャフト１８と円錐台窪み１５との間への空芯コイル９の巻き込み抑止、供給シャフト１８のガイド孔１７での空芯コイル９の詰まり抑止をそれぞれ達成するための改良を行った。
▲２▼また、搬送レール１３では継ぎ目部分での空芯コイル９の引っ掛かりをなくすために単一部材でガイド孔１７を形成した。
▲３▼また、バルク供給部１２では、縦列状態で一列に並んで進む空芯コイル９の先頭の空芯コイル９と後続の２番目の空芯コイル９との端部分の絡まりを解消するために、コレット３２で空芯コイル９を保持する前の段階で先頭の空芯コイル９を後続の空芯コイル９から離す手段を導入した。
このようなバルクフィーダ２１を用いる空芯コイル９の実装（半導体装置の製造方法）は、第１１図に示すように、移動アーム３３の先端に設けられたコレット３２をバルク供給部１２とモジュール基板５を載置するテーブル３４との間を矢印に示すように移動させて空芯コイル９の実装を行う。この場合、後述する機構のもと、先頭の空芯コイル９を後続の空芯コイル９から離した後コレット３２で空芯コイル９を真空吸着保持する。
また、この空芯コイル９の実装は、空芯コイル９よりも実装高さが低いチップ抵抗やチップコンデンサ等他の電子部品の搭載後に行う。これは、先に空芯コイル９の実装を行ってしまうと、空芯コイル９の実装高さよりも低い電子部品の実装時、コレットが実装された空芯コイル９に接触する場合もある。この接触によって、例えば、空芯コイル９の電極２３と電極固定用パッド４ｂを接続するソルダー２４部分にクラックが発生したり、あるいは分断が発生したりする。このようなことが起きないようにするためである。
第１２図（ａ）〜（ｃ）は空芯コイル９の実装状態を示す模式図である。バルクフィーダ２１のバルク供給部１２から供給される空芯コイル９を、コレット３２の下端の吸着面に真空吸着保持した後、第１２図（ａ）に示すようにモジュール基板５の空芯コイルの取り付け位置まで運ぶ。なお、コレット３２の吸着面は円筒形状の空芯コイルの外周に対応するように円弧状断面をした吸着面となっている。
つぎに、第１２図（ｂ）に示すように、モジュール基板５の一対の電極固定用パッド４ｂ上に空芯コイル９の一対の電極２３がそれぞれ重なるように、位置決めして空芯コイル９をモジュール基板５上に載置する。
つぎに、リフローによって電極固定用パッド４ｂ上にあらかじめ設けたソルダー２４を一時的に溶かして電極２３をソルダー２４上に固定し、第１２図（ｃ）に示すように実装を完了する。
つぎに、第１１図乃至第２５図を参照しながらバルクフィーダ２１について説明する。第１１図及び他の図も一部を省略し、簡略化した図であり、以下においては従来のバルクフィーダの改良部分のみを主として説明することにする。
第１１図に示すように、本実施形態１のバルクフィーダ２１はバルクを収容するバルク収納ケース１０と、このバルク収納ケース１０の下部に設けられたホッパー１１と、このホッパー１１から取り込まれたバルクを先端のバルク供給部１２まで案内する搬送レール１３とを有する。
バルク収納ケース１０は薄型箱構造となりその内底は両側から中央に向かってバルクを集める傾斜体１４となっている。この傾斜体１４の中心には、その中心部分を上下に貫くようにホッパー１１が配置されている。このホッパー１１は傾斜体１４の内底部分に集められたバルクを縦列状態で一列に並べてバルク収納ケース１０から取り出す構造になっている。本実施形態１では空芯コイルをバルクとして供給する例について説明する。
ホッパー１１は、第１３図及び第１４図に示すように、上端に円錐台窪み１５を有するガイド１６と、このガイド１６を貫き中心軸に沿って空芯コイル９を縦列状態（先に進む空芯コイル９の後端である電極に後続の空芯コイル９の前端である電極が接触するようにして並ぶ状態）で一列にして案内するガイド孔１７を有する供給シャフト１８で構成されている。供給シャフト１８は円筒体で形成され、中央に円形断面のガイド孔１７を有している。空芯コイル９は最大外形が０．５６ｍｍとなり、長さが０．９ｍｍとなっている。
そこで、本実施形態１では、ガイド孔１７内で空芯コイルが横向きに入って詰まらないようにするため、ガイド孔１７の直径は空芯コイル９の長さ０．９ｍｍよりも直径が小さく、空芯コイル９の最大外形の０．５６ｍｍよりも大きい寸法になっている。例えば、ガイド孔１７は０．６８ｍｍになっている。これによって、ガイド孔１７に空芯コイル９が横向きで詰まることがなくなる。
また、第１３図に示すように、ガイド１６は、例えば、空芯コイル９の長さ（０．９ｍｍ）の３倍のストロークを上下に振動し、バルク収納ケース１０内の空芯コイル９を円錐台窪み１５の中心に案内する。この振動において、供給シャフト１８の上端は供給シャフト１８の円錐台窪み１５内には突出しない構造になっている。図では、ガイド１６が下死点にある状態で円錐台窪み１５の底に供給シャフト１８の上端が一致するようになっている。
これにより、従来のように供給シャフト１８の外周面と円錐台窪み１５の面との間に空芯コイル９を挟み込む現象が起きず、挟み込みによる扱きによる空芯コイル９の変形や装置の故障が起きなくなる。
第１５図は搬送レール１３の拡大模式図である。搬送レール１３にも前記供給シャフト１８のガイド孔１７に連なるガイド孔１７ａが設けられている。このガイド孔１７ａは第１５図では模式的に記載してあるが、所定の部材に溝を設けるとともに、この溝を塞ぐことでガイド孔１７ａを形成してある。また搬送レール１３の先端はバルク供給部１２となっている。そして供給シャフト１８からバルク供給部１２に至るガイド孔１７ａは、単一の部材で形成されている。搬送レール１３は複数の部材を組み合わせて形成されている。これら部材についての説明は省略するが、例えば部材の組み合わせは第１６図に示すようになっている。また第１６図には真空吸引通路がパイプで形成されているが、これも省略してある。
本実施形態１のバルクフィーダ２１によれば、搬送レール１３の途中で空芯コイル９が引っ掛かるような継ぎ目がないことから、ガイド孔１７ａによって空芯コイル９は円滑にバルク供給部１２に移送される。この移送は図示しない真空吸引機構によって行われる。搬送レール１３の左端には真空吸引機構に繋がるパイプ３５が取り付けられている。このパイプ３５は搬送レール１３を構成する搬送レール本体２５の下部内部を通ってバルク供給部１２に延在し、後述する真空吸引通路に連通するようになっている。そして、バルク供給部１２側から真空吸引して空芯コイル９をバルク供給部１２側に移送させる。従って、各空芯コイル９は真空吸引による移送のため、前後の空芯コイル９は強く接触し、相互の端が絡まる原因ともなる。
第１５図乃至第１７図には、ガイド孔１７ａの一部では通過する空芯コイル９を検出するため、発光素子３６と、その発光素子３６から発光される光３７を受光する受光素子３８が設けられている。このセンサ位置まで空芯コイル９が一杯になるとホッパーの昇降が停止し、コイルが供給シャフトに入らない状態となる。
バルク供給部１２は、第１８図に示すような構造となり、第１８図乃至第２５図で示すような動作をする。バルク供給部１２は、第１８図に示すように、搬送レール１３の先端側では、搬送レール本体２５の先端上面側は一段低い窪みを有する。そして、この窪みに摺動子２６が空芯コイル９の移送方向に沿って往復動可能に取り付けられている。その往復動のストロークは、例えば空芯コイル９の長さの約半分（０．５ｓｔ）となっている（第２３図参照）。
空芯コイル９を案内するガイド孔１７ａは前記摺動子２６の左端まで延在している。また、第１９図に示すように、摺動子２６の左端には、空芯コイル９が１個入る受け部４０が設けられている。この受け部４０の一端、即ちガイド孔１７ａの端から遠くなる右端にはストッパ部２８が設けられ、ガイド孔１７ａの端に近い左端は突部４１が設けられている。
ストッパ部２８はガイド孔１７ａ内を前進して来て受け部４０内に落ち込んだ先頭の空芯コイル９の前端位置を決める基準面を有する。また、突部４１は、前述のように摺動子２６がガイド孔１７ａの端から離れる方向に移動（前進）する際、先頭の空芯コイル９を確実に前進させるような後押しをする役割となっている（突部４１については第２３図参照）。
摺動子２６において、ストッパ部２８は空芯コイル９の前端の上側に接触するようになり、その下部は部分的に開放される空間になっている。この空間部分は、空芯コイル９を真空吸着してストッパ部２８に当接させるための真空吸引通路３０ａを形成する。
本実施形態１では、先頭の空芯コイル９を、進行方向に交差する方向に移動させることによって、先頭の空芯コイル９を後続の空芯コイル９から離して両者の絡みを絶つという思想から、ガイド孔１７ａを一段低くする構成を採用している。また、先頭の空芯コイル９を後続の空芯コイル９から離して両者の絡みを絶つという思想から、摺動子２６を０．５ｓｔ前端させる構成を採用している。
従って、先頭の空芯コイル９を後続の空芯コイル９から離して両者の絡みを絶つという思想からすれば、突部４１を設けず、受け部４０はガイド孔１７ａの延長線上にそのまま設け、かつストッパ部２８だけを有する構成でもよい。即ち、ガイド孔１７ａの底面と受け部４０の空芯コイル９を支える面は同一平面にある。これも本発明の他の構成である。
本実施形態１では、受け部４０がガイド孔１７ａの高さより、一段低くなっていることから、受け部４０まで真空吸引によって前進する先頭の空芯コイル９は、受け部４０内に落下し、前端がストッパ部２８に接触して位置決めがなされる。これにより、先頭の空芯コイル９は後続の空芯コイル９から離れる。
摺動子２６は枠構造となっているが、この摺動子２６の枠内及び上面に亘ってシャッター３１が取り付けられている。摺動子２６の枠内に入ったシャッター部分と、このシャッター部分との間にはバネ４２が取り付けられ、常時シャッター３１をガイド孔１７ａの端側にそのバネ４２の弾力を利用して押しつけるようになっている。
シャッター３１の左端の部分は、ガイド孔１７ａの先端上側を塞ぐようになっている。従って、シャッター３１が右側に移動（前進）した場合、ガイド孔１７ａの先端側の数個の空芯コイル９は露出するようになるとともに、その前進長さによっては摺動子２６の受け部４０上の空芯コイル９（先頭の空芯コイル９）をも露出させるようになる。
シャッター３１及び搬送レール本体２５にも真空吸引通路３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅが設けられている。真空吸引通路３０ｄは円形断面の孔となり、この孔には搬送レール本体２５の窪み底を転がる球体４３が入り、孔、即ち真空吸引通路３０ｄを塞ぐことができるようになっている。第１８図及び第１９図に示すように、シャッター３１が後退して左端に最も寄ったとき、シャッター３１に設けられた球体制御面４４で球体４３を左側に移動（後退）させるため、球体４３は孔から外れ、真空吸引状態となる。同図太線矢印は真空吸引のための空気の流れを示す。
第２０図及び第２１図に示すように、シャッター３１が右側に０．５ｓｔ移動（前進）したとき、前記球体制御面４４は孔から右側に外れるため、真空吸引力で球体４３は移動して一部は孔内に入り、真空吸引通路３０ｄを塞ぎ、真空吸引動作を停止させることになる。真空吸引動作が停止すると、空芯コイル９相互の間の真空吸引による密着力は解消する。なお、真空吸引通路３０ｅは真空吸引機構のパイプ３５に繋がる。そして、真空吸引によって、後続の空芯コイル９もガイド孔１７内に一列に並ぶことになる。
つぎに、このようなバルク供給部１２での空芯コイル９の供給方法について説明する。空芯コイル９の供給開始状態では、第１８図及びその拡大図である第１９図に示すように、摺動子２６もシャッター３１も共に左側に移動した後退状態にある。この状態では、太線矢印でしめされるように真空吸引がなされ、ガイド孔１７ａ内の空芯コイル９は先頭の空芯コイル９がストッパ部２８に接触する状態で縦列状態で１列に並ぶ。図では以下の図でも同様であるが、空芯コイル９を先頭から３個示すものとする。先頭の空芯コイル９は受け部４０内に入り、第１９図に示すように、先頭の空芯コイル９と後続の空芯コイル９は絡まりが切り離された状態となる。
つぎに、第２０図及びその拡大図である第２１図に示すように、矢印で示すように右側に向かって真空吸引停止のために前進する。この真空吸引停止のための前進長さは、空芯コイル９の長さの約半分、即ち、０．５ｓｔとなる。シャッター３１が前進することから、球体４３は球体制御面４４の制御から外れて自由になり、真空吸引力によって転動し、真空吸引通路３０ｄを塞ぐ。この際、シャッター３１の左端と、ガイド孔１７ａを被う搬送レール本体２５部分の端、即ち開口端４６との間の間隔は０．５ｓｔになり、隠れていた空芯コイル９の上面側が一部露出する状態になる。しかし、受け部４０上の先頭の空芯コイル９はシャッター３１によって塞がれている。
つぎに、第２２図及びその拡大図である第２３図に示すように、矢印で示すように右側に向かって摺動子２６が前進する。この前進長さは、空芯コイル９の長さの半分、即ち、０．５ｓｔとなる。シャッター３１は摺動子２６に乗った状態であることから、シャッター３１も０．５ｓｔ移動し、シャッター３１の左端と、ガイド孔１７ａを被う搬送レール本体２５部分の端、即ち開口端４６との間の間隔は１ｓｔになる。摺動子２６が移動しても真空吸引が停止されていることから、先頭の空芯コイル９は独立搬送分前進し、後続（二番目）の空芯コイル９はそのままガイド孔１７ａ内に残留する。これによって、先頭の空芯コイル９と後続の空芯コイル９は完全に引き離されることになる。この状態においても受け部４０上の先頭の空芯コイル９はシャッター３１によって塞がれている。
つぎに、第２４図及びその拡大図である第２５図に示すように、矢印で示すように右側に向かってシャッター３１が前進する。この前進はシャッター３１によって塞がれている受け部４０上の先頭の空芯コイル９を露出させるための前進であって、特に限定はされないが、例えば、シャッター３１の左端と前記開口端４６との間の間隔が３ｓｔとなるように前進する。
このような状態になると、コレット３２が移動して来て、受け部４０上の空芯コイル９を真空吸着保持する。この場合、空芯コイル９は他の空芯コイル９と絡まっていないため、正確かつ確実にコレット３２に保持されることになる。コレット３２は、第１１図及び第１２図（ａ）〜（ｃ）に示すように、モジュール基板５上に空芯コイル９を運んで供給することになる。
第２６図及び第２７図は本実施形態１のバルクフィーダを用いてモジュール基板５に搭載した他の構造の空芯コイル９を示すものである。そして、この搭載した空芯コイル９は、第２８図乃至第３０図に示すようになっている。第２９図に示すように銅線４７の一部の表面にポリエチレン等からなる絶縁膜４８を被覆した線材を、各巻き線部分が相互に接触するように密に螺旋状に巻いたものである。第３０図に示すように、銅線４７の直径ａは例えば０．１ｍｍであり、コイルの内径ｄは例えば０．３ｍｍである。この結果、コイルの最大直径Ｄは例えば０．５６ｍｍとなる。また、コイル端の捲線部分のコイルの最大直径Ｄから突出する部分の長さαは０〜３０μｍ程度である。さらに、第２９図に示すように、空芯コイル９の長さ（全長）Ｌは０．８ｍｍ程度である。
この空芯コイル９は３巻き部分でインダクタ部２２を形成し、その両端の電極２３は２巻程度となっている。インダクタンスを変えるあるいは、電極の接続長さを変えるには、それぞれの巻き数を変えればよい。第３１図（ａ），（ｂ）はインダクタ部２２が２巻と１巻となる空芯コイル９の例を示す図である。
本実施形態１によれば以下の効果を有する。
（１）空芯コイル９はチップインダクタに比較して直流抵抗（ＤＣ抵抗）が小さい。従って、多段構成の増幅系の最終増幅段に接続するインダクタとして使用した場合、ＤＣ損失が低くなり、損失を少なくインピーダンスを高くすることができる。このため、最終増幅段からその前の増幅段への高周波信号の帰還の低減が達成でき、発振マージンの向上が図れる。発振マージンが改善される本実施形態１の高周波電力増幅装置を組み込んだ携帯電話機は通話性能が良くなる。本実施形態１のコイルを用いた場合、例えば、一例を挙げるならば、電源ラインの損失に対する特性への影響は損失０．１ｄＢの改善に対し、出力は＋０．１ｄＢ、電力効率は約＋１％向上する。
（２）デュアルバンド構成において、二つの増幅系に供給される電源電圧はたすき掛け構成になっていることから、初段増幅段への後段増幅段（特に最終増幅段）からの漏れ信号の電源ラインを通しての帰還を抑止できるため発振マージンの改善ができる。これは、前記（１）のような空芯コイルの使用によってさらに発振マージンの向上が図れることになる。
（３）空芯コイル９は表面を絶縁膜４８で被った銅線４７を密に螺旋状に巻いた構成になっていることから、製造コストが従来のチップインダクタに比較した１／７〜１／２と安価である。従って、最終増幅段に接続されるコストの高いチップインダクタに比較してコストを１／７と小さくすることができる。他の部分に使用するチップインダクタに変えて本発明による空芯コイルを使用すれば、そのコストは１／２にすることができる。これにより、高周波電力増幅装置のコストの低減が図れる。従って、この高周波電力増幅装置を組み込んだ携帯電話機（無線通信装置）の製造コストの低減も可能になる。
（４）空芯コイル９は最大外径が０．５６ｍｍ程度となり、長さが０．９ｍｍ程度となるため、従来の幅及び高さが０．５ｍｍ，長さ１ｍｍのチップインダクタよりも実装長さが短くなる。
（５）高周波電力増幅装置の製造におけるバルクフィーダ２１を用いた空芯コイル９の搭載においては、以下のような効果がある。
▲１▼モジュール基板５に搭載する電子部品の中で、空芯コイル９は最も高さが高いが、他の電子部品の搭載後に実装が行われる。従って、空芯コイル９を真空吸着保持するコレット３２が、既にモジュール基板５に搭載された電子部品に接触することがなく、他の電子部品の搭載を損なうことがない。この結果、実装歩留りの向上を図ることができる。
▲２▼バルクフィーダ２１のバルク供給部１２に移送されて一列に並ぶ空芯コイル９の先頭の空芯コイル９をコレット３２で真空吸着保持した後、モジュール基板５の所定位置に運び、その後一時的な加熱処理によってモジュール基板５や空芯コイル９にあらかじめ設けておいたソルダー２４を溶かして固定するが、バルク供給部では、先頭の空芯コイル９は後続の空芯コイル９から離して供給されるため、後続の空芯コイル９が先頭の空芯コイル９に引っ掛かって発生するコレット３２による真空吸着保持ミスがなくなり、実装が正確かつ確実に搭載が行えるとともに、搭載作業も能率的に行うことができる。従って、搭載不良や機械停止も起きにくくなり、搭載コストの低減が可能になる。
▲３▼ホッパー部分では、筒状の供給シャフト１８の肉厚は薄くなっていることから、上端に空芯コイル９（バルク）が乗って停止しなくなり、バルク供給部への空芯コイル９の供給が確実になる。
▲４▼ホッパー部分では、ガイド１６が最も下がった状態で供給シャフト１８の外周面とガイド１６の円錐台窪み１５との間にバルクを挟む空間が発生しないような位置関係になっていることから、供給シャフト外周面とガイド１６の円錐台窪み１５との間に空芯コイル９が挟まれることもない。従って、空芯コイル９の変形が防止でき、変形した空芯コイル９の実装もなくなり、実装歩留りの向上が図れる。また、バルク供給部に安定して空芯コイル９を供給することできるようになる。
▲５▼供給シャフト１８のガイド孔１７は大きくかつ円形断面の孔になっていることから、空芯コイル９がガイド孔１７に詰まらないようになり、バルク供給部に安定して空芯コイル９を供給することができるようになる。
▲６▼搬送レール１３は継ぎ目のない１本の部材で形成されていることから、空芯コイル９がガイド孔１７ａの途中で引っ掛からなくなり、バルク供給部に安定して空芯コイル９を供給することができるようになる。
▲７▼バルクフィーダ２１のバルク供給部１２においては、ガイド孔１７ａ内を移動する先頭の空芯コイル９は、摺動子２６の受け部４０内に入ることと、摺動子２６が後続の空芯コイル９から先頭の空芯コイル９を引き離すように動作した後、シャッター３１が開いて先頭の空芯コイル９を供給態勢にすることから、先頭の空芯コイル９は正確確実にコレット３２に真空吸着保持される。従って、空芯コイル９の正確かつ確実な搭載（実装）が行えることになる。
▲８▼前記▲１▼乃至▲７▼により、本実施形態１のバルクフィーダ２１の使用等によって空芯コイル９を始めとする電子部品の搭載が安定して行えることになる。
（６）高周波特性が優れ、出力及び効率の向上が図れ、かつ製造コストの低減が達成できる高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）及びその高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）を組み込んだ携帯電話機（電子装置）を提供することができる。また、高周波電力増幅装置は発振マージンが改善されるため、携帯電話機の通話性能が良好となる。
（７）直流抵抗が小さい空芯コイルを実装した高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）及びその高周波電力増幅装置（混成集積回路装置）を組み込んだ携帯電話機（電子装置）を提供することができる。
（８）空芯コイル９等のバルクを配線基板に正確かつ確実に実装するバルクフィーダ２１を提供することができる。
なお、本発明によるバルクフィーダは、空芯コイル以外に空芯コイルと同様に移送中前後の物品が絡まるような構成のものの供給が可能である。また、当然にしてチップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ部品等も供給することができる。
（実施形態２）
第３２図は本発明の他の実施形態（実施形態２）であるバルクフィーダ２１部分を示す模式図である。同図に示すように、パイプ３５に連通するエアー供給路４９を設ける。このエアー供給路４９は供給シャフト１８のガイド孔１７に連通する。そして、第３２図に示すように、エアーガイド孔１７内に送り込む。これによって、ガイド孔１７内に空芯コイル９が詰まった場合、容易にその詰まりを解消することができる。
（実施形態３）
第４５図乃至第５４図は本発明の他の実施形態（実施形態３）である高周波電力増幅モジュールの製造に係わる図である。
本実施形態３は、モジュール基板にコイル（空芯コイル）を位置ずれ（ズレ）を起こすことなく搭載できる技術に係わるものである。
空芯コイルの搭載においては、空芯コイルの両端の電極をモジュール基板の電極固定用パッド上にそれぞれ重ね、その後電極固定用パッドの表面にあらかじめ塗布したソルダーをリフローして電極部分を電極固定用パッドに固定するが、この固定時、第５２図（ｃ）に示すように空芯コイル９が位置ずれを起こす不良現象が発生することが分かった。モジュール基板５の表面に設けられた電極固定用パッド４ｂに対して、空芯コイル９の電極２３を正しく重ねても、その後のリフローにおいてずれが発生し、第５２図（ｃ）に示すように、電極２３が電極固定用パッド４ｂからずれてしまう。ずれ量がコイル径の１／３以上にも及ぶものは７％にも及ぶ。この空芯コイル９は両端の２巻が電極２３となり、その間の巻き部分は表面を絶縁体で被われたインダクタ部２２となっている。
半田等からなるソルダー２４（点々で示す部分）のリフローは、第５３図及び第５４図に示すリフロー炉を使用して行われる。このリフロー炉は、被処理物を載置する５個の加熱テーブル（ヒートブロック）７０ａ〜７０ｅが一列に並んで配置される構造になっている。
ヒートブロック列の一側には、一部を図示するように移送機構の連結アーム７２が配設されている。この連結アーム７２は、第５３図の矢印群に示すように、下降、右方向への前進、上昇、左方向への後退と続く矩形運動するようになっている。
また、第５４図に示すように、連結アーム７２の内側からはそれぞれ各ヒートブロックに対応してアーム７３が突出配置されるとともに、これら各アーム７３からは２本の移送爪７４が下方に向けて突出するように配設されている。
従って、連結アーム７２の矩形運動によって、各ヒートブロック７０ａ〜７０ｅ上の被処理物、即ちモジュール基板５は１ピッチずつ移送されるようになっている。最初のヒートブロック７０ａへのモジュール基板５の供給は、図示しないローダで行われる。また、最後のヒートブロック７０ｅからは前記移送爪７４によってアンローダ部に払い出される。
ヒートブロック７０ａ〜７０ｅにおいて、最初乃至３番目のヒートブロック７０ａ〜７０ｃは予備加熱用のヒートブロックであり、例えば、７０℃，１３０℃，１９５℃と順次加熱温度が高くなっている。また、４番目のヒートブロック７０ｄは本加熱用ヒートブロックであり、例えば、融点が２３８℃のソルダー２４（ＰｄＳｎＳｂ）を溶融させるべく２７５℃に維持される。また、最後のヒートブロック７０ｅは後加熱用のヒートブロックであり、例えば、１５０℃となり、セラミック配線板からなるモジュール基板５を徐々に冷却させるようになっている。
従って、移送爪７４によって順次ヒートブロックによって構成される各ゾーンを移動するモジュール基板５は順次温度が高められ、４ゾーン目の本加熱用のヒートブロック７０ｄ上で半田リフローが行われる。
しかし、このようなリフローでは、空芯コイル９の銅線で形成されている電極２３が加熱によって酸化し、半田の濡れ性が悪化し、半田の表面張力によってコイルが弾かれて位置ずれが発生してしまうことが判明した。即ち、第５２図（ａ）に示すように、モジュール基板５の電極固定用パッド（ランド）４ｂ上に空芯コイル９の電極２３を重ねて載置し、ついでリフローすると、第５２図（ｂ）に示すように、溶けて盛り上がった半田に対して、表面が酸化された電極２３は、半田に濡れ難くなり、半田に弾かれることになり、坂を転がるようにして空芯コイル９は回転落下し、第５２図（ｃ）に示すように位置ずれが発生する。
そこで、本発明者は、第４５図に示すように、モジュール基板５の表面に設ける電極固定用パッド４ｂをコの字状パターンとして、円筒状の空芯コイル９が転動しないようにした。
本実施形態３の高周波電力増幅モジュールは、実施形態１の高周波電力増幅モジュールにおいて、空芯コイル９の電極２３を固定する電極固定用パッド４ｂのパターンが異なるだけであり、他の部分は実施形態１と同じである。第４６図に本実施形態３の高周波電力増幅モジュールの一部を平面図として示してある。
また、第４７図に本実施形態３におけるコイルの搭載状態を示す。第４７図（ａ）はコの字状のパターンをした電極固定用パッド４ｂを対向配置させ、このコの字状の電極固定用パッド４ｂ上に空芯コイル９の両端の電極２３をソルダー２４（図の点々部分）で固定した模式的平面図である。第４７図（ｂ）は側面図、第４７図（ｃ）は断面図である。
ここで、インダクタである空芯コイルの搭載構造について説明する。モジュール基板５の主面には複数の配線が形成されている。また、モジュール基板５には前記配線に接続され、かつ空芯コイル９の電極２３に電気的に接続される電極固定用パッド４ｂを有している。電極固定用パッド４ｂは二つあることから、一方を第１電極と呼称し、他方を第２電極とも呼称する。
前記第１及び第２電極のそれぞれは、平面的に見て、第４７図（ａ）に示すように、第１方向に延びる第１部分４ｘと、前記第１部分４ｘの一端部から前記第１方向と略垂直方向に延びる第２部分４ｙ１と、前記第１部分４ｘの他端部から前記第２方向に延びる第３部分４ｙ２とを有するパターンになっている。単一の空芯コイル９を固定する一対の電極固定用パッド４ｂにおいて、第１及び第２電極は、各々の第２及び第３部分が向かい合うように配置されている。
インダクタ、即ち空芯コイル９は、その表面を絶縁膜で被われた線材を螺旋状に複数巻いたコイル形状を有している。線材は、その両端部において前記絶縁膜から露出する部分を有し電極２３が形成されている。表面を絶縁膜で被われた螺旋状の線材部分はインダクタ部２２となり、その両端部分が電極２３となる。一方の電極２３が第１電極に半田材で接合され、他方の電極２３が第２電極に半田材で接合される。
第１及び第２電極のそれぞれの第２部分４ｙ１及び第３部分４ｙ２は、前記インダクタの絶縁膜で被われた線材部分まで延びている。これによって電極２３が確実にソルダー２４で電極固定用パッド４ｂに固定されるようになる。
また、第１及び第２電極のそれぞれの第２部分４ｙ１及び第３部分４ｙ２は、第１方向において離間状態となり、空芯コイル９の転動が起きないように配慮されている。
また、第２部分４ｙ１と第３部分４ｙ２は、平行あるいは相互に所定のなす角を有する関係で延在する構造であっても、空芯コイル９の転動を良く防止できる。また、空芯コイル９が転動して位置ずれを起こすことのないようにするために、電極固定用パッド４ｂを第１部分４ｘを有しない第２部分４ｙ１と第３部分４ｙ２で構成してもよい。
一方、本発明者はコの字状の電極固定用パッド４ｂの寸法依存性について検討した。第４８図及び第４９図のグラフはその結果である。第４７図（ａ）に示すように、第１電極及び第２電極の第２部分４ｙ１の長さをＡ、第１電極と第２電極との間隔をＢ、第１部分４ｘから突出する第２部分４ｙ１の長さをＣ、第２部分４ｙ１の第１方向の長さをＥ、第２部分４ｙ１と第３部分４ｙ２との間隔をＤとする。
第４８図のグラフは、Ｄ寸法を０．３０ｍｍ、Ｅ寸法を０．１５ｍｍに設定したときの、Ａ寸法及びＢ寸法とズレ不良率の相関を示すものである。各グラフはＣ寸法を０．０５ｍｍ（◇で表示する線）、０．１０ｍｍ（□で表示する線）、０．１５ｍｍ（△で表示する線）、０．２０ｍｍ（×で表示する線）の場合である。０．１０ｍｍのグラフと０．２０ｍｍのグラフは一致している。
このグラフからは、Ｃ寸法を変えても、Ｂ寸法が０．４０ｍｍ程度、Ａ寸法が０．４５ｍｍ程度で最も不良率が低いことが分かる。また、Ｃ寸法が０．０５ｍｍまたは０．１５ｍｍの場合、Ｂ寸法を０．４０ｍｍ程度、Ａ寸法を０．４５ｍｍ程度とした場合ズレ不良率を０％とすることができることも分かる。
第４９図のグラフは、Ｄ寸法を０．２０ｍｍ、Ｅ寸法を０．２０ｍｍに設定した場合の前記同様なグラフである。
第５０図はモジュール基板上の対向する第１電極と第２電極（コの字状電極）に塗布した半田を再溶融した状態を測定し、かつ三次元表示図としたものである。また、第５１図は第５０図における１１１０μｍの位置（Ｐ）での断面図である。空芯コイル９の電極２３の外径にソルダー２４の表面変化が追従していることがよく分かる。
このような双子山状のソルダー２４間にコイルの中心が位置することによって、電極２３が半田の表面張力によって弾かれようとしても、電極２３の両側に位置するそれぞれの山状のソルダーで止められるため空芯コイル９は転動しなくなり、空芯コイル９の搭載位置ずれが防止できる。本実施形態３による空芯コイル９の搭載による不良率は１％以下に抑えることができる。
本実施形態３では、第５３図及び第５４図に示すリフロー炉を使用してモジュール基板５への空芯コイル９の搭載が行われる。なお、リフロー炉では空芯コイル９は省略してある。
リフロー炉ではモジュール基板５はヒートブロック７０ａ〜７０ｅ上を移送機構によって間欠的に送られて、予備加熱と本加熱によって空芯コイル９のリフロー搭載が行われる。例えば、移送タイムは３秒で、各ヒートブロック上でのモジュール基板５の停止時間は５０秒である。第１ゾーンから第３ゾーンでは順次加熱温度が上がり、第４ゾーンで本加熱によるソルダー２４の再溶融が行われる。また、第５ゾーンでは徐々に温度低下が図られ、セラミック配線板からなるモジュール基板５の破壊損傷が防止できるようになっている。
これにより、第４６図及び第４７図（ａ）に示すように電極固定用パッド４ｂから電極２３が外れることがない良好な空芯コイル９の搭載が行えることになる。
（実施形態４）
第５５図乃至第５８図は本発明の他の実施形態（実施形態４）である高周波電力増幅モジュールの製造に係わる図である。第５５図はリフロー炉の概略を示す模式的正面図、第５６図は前記リフロー炉の窒素雰囲気でリフローを行う状態を示す模式的正面図、第５７図は前記窒素雰囲気でリフローが行われる状態を示す模式的断面図である。
本実施形態４では、空芯コイル９の電極２３を搭載する電極固定用パッド４ｂは、第５８図に示すように、コの字状ではなく矩形状である。しかし、空芯コイル９の電極２３が加熱によってその表面が酸化しないようにするため、リフローを不活性ガスの雰囲気で行うものである。例えば、不活性ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを使用する。
このため、リフロー炉は、第５５図に示すように、モジュール基板５の移送のときを除くリフロー時には、モジュール基板５を窒素ガス雰囲気に置くことができるように、モジュール基板５を上方から被うことができる箱型の不活性ガス供給箱７５を有している。この不活性ガス供給箱７５は、各ゾーンに対応した数用意されているとともに、昇降アーム７６に支持されている。また、この昇降アーム７６はその中が中空になり、各不活性ガス供給箱７５の天井部分から窒素ガスを噴射できる構成になっている。なお、機械強度を向上させるために昇降アーム７６とは別個に窒素ガスを供給するパイプを用意する構成でもよい。
昇降アーム７６はモジュール基板５が移送爪７４で移送されるときは相互に干渉しないように上方に位置し、移送爪７４が左端に位置して静止しているときは、第５６図及び第５７図に示すように下降する。そして、昇降アーム７６の中空部分から吹き出される窒素ガスをモジュール基板５の主面に吹きつける。モジュール基板５の主面に載置された空芯コイル９の両端の電極２３は、モジュール基板５の電極固定用パッド４ｂの表面に塗布されたソルダー２４で窒素ガス雰囲気下で固定される。例えば、モジュール基板５の移送時間は３秒、窒素ガス雰囲気下での加熱時間は５０秒である。
この結果、空芯コイル９の銅からなる電極２３の表面は酸化され難くなる。従って、電極２３は溶けた半田に弾かれることなく濡れるため、位置ずれを発生させることなく空芯コイル９は電極固定用パッド４ｂに固定される。第５８図では、空芯コイル９の電極２３がソルダー２４によって電極固定用パッド４ｂに固定される状態を示してある。空芯コイル９は、特に限定されるものではないが、１０巻構成になっていて、６巻がインダクタ部２２で、両端の２巻が電極２３である。
なお、不活性ガス供給箱７５の下縁は、ヒートブロックの上面に直接接触する構造、またはモジュール基板５の主面に直接接触するいずれの構造でもよいが、一部は窒素ガスが外に漏れだすための所定の隙間７７を必要とするものである（第５７図参照）。
本実施形態４による空芯コイル９の搭載による不良率は１％以下に抑えることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
また、上記実施形態では３段構成の高周波電力増幅装置に本発明を適用したが、他の構成の高周波電力増幅装置にも同様に適用できる。例えば、初段半導体増幅素子と、最終段半導体増幅素子とからなる２段構成の高周波電力増幅モジュールの例についても適用でき、同様な効果を得ることができる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である携帯電話機に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、他の電子装置や他の半導体装置（混成集積回路装置）にも同様に適用できる。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明に係る高周波電力増幅装置は、移動体通信端末等の携帯電話機を始めとする各種の無線通信装置の電力増幅器として使用することができる。また、安定した通話が達成できる無線通信装置を提供することができる。さらに、高周波電力増幅モジュールや無線通信装置の製造歩留り向上により高周波電力増幅装置や無線通信装置の製造コストの低減が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施形態（実施形態１）である高周波電力増幅装置におけるモジュール基板に搭載された電子部品のレイアウトを示す平面図である。
第２図は本実施形態１の高周波電力増幅装置の外観を示す斜視図である。
第３図は前記モジュール基板に搭載されたコイルを示す模式図である。
第４図は本実施形態１の高周波電力増幅装置の回路構成を示すブロック図である。
第５図は本実施形態１の高周波電力増幅装置におけるモジュール基板に形成される電源ラインの等価回路図である。
第６図はストリップラインの損失を示すグラフである。
第７図はチップインダクタの損失を示すグラフである。
第８図はコイルの損失を示すグラフである。
第９図はコイルとチップコイルのＤＣ抵抗とインダクタンスとの相関を示すグラフである。
第１０図は本実施形態１の高周波電力増幅装置が組み込まれた携帯電話機の一部の構成を示すブロック図である。
第１１図は本実施形態１の高周波電力増幅装置の製造において、本発明に係わるバルクフィーダやコレット等を用いてモジュール基板にコイルを実装する状態を示す模式図である。
第１２図は前記コイルの実装状態を示す模式図である。
第１３図は前記バルクフィーダにおけるホッパー部分を示す模式的断面図である。
第１４図は前記ホッパーの平面図である。
第１５図は前記ホッパーに連なりコイルを搬送するコイル搬送レールを示す模式的正面図である。
第１６図は前記ホッパーにおけるコイルの検出部分を示す断面図である。
第１７図は第１６図の一部を示す拡大断面図である。
第１８図は前記コイル搬送レールの先端のバルク供給部の真空吸引状態での拡大断面図である。
第１９図は第１８図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第２０図は前記バルク供給部の真空吸引を停止させた状態での拡大断面図である。
第２１図は第２０図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第２２図は前記バルク供給部の先頭のコイルを他のコイルから引き離した状態での拡大断面図である。
第２３図は第２２図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第２４図は前記バルク供給部の先頭のコイルをコレットで保持した状態での拡大断面図である。
第２５図は第２４図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第２６図は他の構造のコイルをモジュール基板に搭載した状態を示す拡大模式図である。
第２７図は第２６図のコイル等を側方から見た拡大模式図である。
第２８図は第２６図に示すコイルの拡大平面図である。
第２９図は第２６図に示すコイルの拡大断面図である。
第３０図は第２６図に示すコイルの拡大側面図である。
第３１図は他の構造のコイルを示す拡大平面図である。
第３２図は本発明の他の実施形態（実施形態２）であるバルクフィーダの一部を示す模式図である。
第３３図は本発明者等が本発明に先立って検討した高周波電力増幅装置の回路構成を示すブロック図である。
第３４図は従来のバルクフィーダを示す模式図である。
第３５図は従来のバルクフィーダにおけるホッパー部分を示す模式的断面図である。
第３６図は従来のホッパー部分の平面図である。
第３７図は従来のバルクフィーダにおけるバルク供給部の真空吸引状態での拡大断面図である。
第３８図は第３７図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第３９図は従来の前記バルク供給部のシャッターが開いた状態での拡大断面図である。
第４０図は第３９図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第４１図は従来のバルクフィーダにおける前記バルク供給部からコイルをコレットで保持する状態の拡大断面図である。
第４２図は第４１図の一部を示す更に拡大した拡大断面図である。
第４３図はバルク供給部において相互に引っ掛かりを発生することなく並ぶコイルを示す模式図である。
第４４図はバルク供給部に並ぶ先頭コイルとその後方のコイルとが相互に引っ掛かった状態を示す模式図である。
第４５図は本発明の他の実施形態（実施形態３）である高周波電力増幅モジュールにおけるコイルと、コイルを固定する電極との相関を示す模式的斜視図である。
第４６図は本実施形態３の高周波電力増幅モジュールの一部を示す平面図である。
第４７図は本実施形態３におけるコイルの搭載状態を示す各図である。
第４８図は電極各部の寸法変化に対するコイルの搭載ズレを示すグラフである。
第４９図は電極各部の寸法変化に対するコイルの搭載ズレを示す他のグラフである。
第５０図はモジュール基板上の電極に塗布された半田を再溶融した状態を示す三次元表示図である。
第５１図はモジュール基板上の電極に塗布された半田を再溶融した状態での断面図である。
第５２図は矩形電極にコイルをリフロー固定した場合の不良例を示す図である。
第５３図は本実施形態３で使用するリフロー炉の概略を示す模式的正面図である。
第５４図は前記リフロー炉の概略を示す模式的平面図である。
第５５図は本発明の他の実施形態（実施形態４）である高周波電力増幅モジュールにおけるコイルの搭載を行うリフロー炉の概略を示す模式的正面図である。
第５６図は前記リフロー炉において窒素雰囲気でリフローを行う状態を示す模式的正面図である。
第５７図は前記窒素雰囲気でリフローが行われる状態を示す模式的断面図である。
第５８図は窒素雰囲気によるリフローで適正に搭載されたコイルを示す模式的平面図である。
Claims (52)
- その主面に複数の配線を有するモジュール基板と、
前記モジュール基板上に搭載されたインダクタを含む複数の電子部品とを含み、
前記インダクタは、その表面を絶縁膜で被われた線材を螺旋状に複数巻いたコイル形状を有し、
前記線材は、その両端部において前記絶縁膜から露出する部分を有し、
前記線材の前記絶縁膜から露出する部分において前記モジュール基板の複数の配線が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記コイルは０．１ｍｍ程度の直径の銅線を内径が０．３ｍｍ直径程度となるように螺旋状に密に巻き、両端は前記絶縁膜が存在しない１乃至複数巻きの銅線部分を電極とした構成になっていることを特徴とする請求の範囲第１項記載の半導体装置。
- 入力端子と、
出力端子と、
電源電圧端子と、
前記入力端子と前記出力端子間に従続接続されるとともに、上記電源電圧端子から電源電圧を供給される複数の増幅段とを有し、
前記増幅段に電気的に接続されるインダクタのうち１乃至全部は表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルで構成されていることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 前記コイルは０．１ｍｍ程度の直径の銅線を内径が０．３ｍｍ直径程度となるように螺旋状に密に巻き、両端は前記絶縁膜が存在しない１乃至複数巻きの銅線部分を電極とした構成になっていることを特徴とする請求の範囲第３項記載の高周波電力増幅装置。
- 入力端子と、
出力端子と、
電源電圧端子と、
前記入力端子と前記出力端子間に従続接続されるとともに、上記電源電圧端子から電源電圧を供給される複数の増幅段とを有し、
最終増幅段と前記電源電圧端子との間に、表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルが直列に接続されていることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 前記コイルは０．１ｍｍ程度の直径の銅線を内径が０．３ｍｍ直径程度となるように螺旋状に密に巻き、両端は前記絶縁膜が存在しない１乃至複数巻きの銅線部分を電極とした構成になっていることを特徴とする請求の範囲第５項記載の高周波電力増幅装置
- 増幅系を複数有し、
各増幅系は複数の増幅段を従続接続した多段構成となり、
各増幅系の最終増幅段と電源電圧端子との間に、表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルが直列に接続されていることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 前記コイルは０．１ｍｍ程度の直径の銅線を内径が０．３ｍｍ直径程度となるように螺旋状に密に巻き、両端は前記絶縁膜が存在しない１乃至複数巻きの銅線部分を電極とした構成になっていることを特徴とする請求の範囲第７項記載の高周波電力増幅装置
- 二つの増幅系と、
前記各増幅系の入力端子と、
前記各増幅系の出力端子と、
二つの電源電圧端子とを有し、
前記各増幅系は複数の増幅段を従続接続した多段構成となり、
前記一方の電源電圧端子は前記一方の増幅系の初段増幅段と前記他方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続され、
前記他方の電源電圧端子は前記他方の増幅系の初段増幅段と前記一方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続され、
前記各増幅系の最終増幅段と前記電源電圧端子間には、表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルが直列に接続されていることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 前記コイルは０．１ｍｍ程度の直径の銅線を内径が０．３ｍｍ直径程度となるように螺旋状に密に巻き、両端は前記絶縁膜が存在しない１乃至複数巻きの銅線部分を電極とした構成になっていることを特徴とする請求の範囲第９項記載の高周波電力増幅装置
- 請求の範囲第１項記載の半導体装置が組み込まれてなることを特徴とする電子装置。
- 送信部に高周波電力増幅装置を有し、前記高周波電力増幅装置の出力をアンテナに出力する無線通信装置であって、
前記高周波電力増幅装置は、
入力端子と、
出力端子と、
電源電圧端子と、
前記入力端子と前記出力端子間に従続接続されるとともに、上記電源電圧端子から電源電圧を供給される複数の増幅段とを有し、
前記増幅段に電気的に接続されるインダクタのうち１乃至全部は表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルで構成されていることを特徴とする無線通信装置。 - 前記コイルは０．１ｍｍ程度の直径の銅線を内径が０．３ｍｍ直径程度となるように螺旋状に密に巻き、両端は前記絶縁膜が存在しない１乃至複数巻きの銅線部分を電極とした構成になっていることを特徴とする請求の範囲第１２項記載の無線通信装置。
- 送信部に高周波電力増幅装置を有し、前記高周波電力増幅装置の出力をアンテナに出力する無線通信装置であって、
前記高周波電力増幅装置は、
入力端子と、
出力端子と、
電源電圧端子と、
前記入力端子と前記出力端子間に従続接続されるとともに、上記電源電圧端子から電源電圧を供給される複数の増幅段とを有し、
最終増幅段と前記電源電圧端子との間に、表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルが直列に接続されていることを特徴とする無線通信装置。 - 前記コイルは０．１ｍｍ程度の直径の銅線を内径が０．３ｍｍ直径程度となるように螺旋状に密に巻き、両端は前記絶縁膜が存在しない１乃至複数巻きの銅線部分を電極とした構成になっていることを特徴とする請求の範囲第１４項記載の無線通信装置。
- 送信部に高周波電力増幅装置を有し、前記高周波電力増幅装置の出力をアンテナに出力する無線通信装置であって、
前記高周波電力増幅装置は、
増幅系を複数有し、
各増幅系は複数の増幅段を従続接続した多段構成となり、
各増幅系の最終増幅段と電源電圧端子との間に、表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルが直列に接続されていることを特徴とする無線通信装置。 - 前記コイルは０．１ｍｍ程度の直径の銅線を内径が０．３ｍｍ直径程度となるように螺旋状に密に巻き、両端は前記絶縁膜が存在しない１乃至複数巻きの銅線部分を電極とした構成になっていることを特徴とする請求の範囲第１６項記載の無線通信装置。
- 送信部に高周波電力増幅装置を有し、前記高周波電力増幅装置の出力をアンテナに出力する無線通信装置であって、
前記高周波電力増幅装置は、
二つの増幅系と、
前記各増幅系の入力端子と、
前記各増幅系の出力端子と、
二つの電源電圧端子とを、
前記各増幅系は複数の増幅段を従続接続した多段構成となり、
前記一方の電源電圧端子は前記一方の増幅系の初段増幅段と前記他方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続され、
前記他方の電源電圧端子は前記他方の増幅系の初段増幅段と前記一方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続され、
前記各増幅系の最終増幅段と前記電源電圧端子間には、表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルが直列に接続されていることを特徴とする無線通信装置。 - 前記コイルは０．１ｍｍ程度の直径の銅線を内径が０．３ｍｍ直径程度となるように螺旋状に密に巻き、両端は前記絶縁膜が存在しない１乃至複数巻きの銅線部分を電極とした構成になっていることを特徴とする請求の範囲第１８項記載の無線通信装置。
- バルクフィーダのバルク供給部に縦列状態で一列に並んで供給される電子部品の先頭の電子部品をコレットで真空吸着保持してモジュール基板上に移送し、その後リフローによって前記モジュール基板等にあらかじめ被着させておいたソルダーを溶かして前記電子部品をモジュール基板に固定する半導体装置の製造方法であって、縦列状態で供給される前記電子部品の先頭の電子部品を後続の電子部品から所定間隔離し、その後前記電子部品を前記コレットで真空吸着保持することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記先頭の電子部品をその縦列方向に沿って所定間隔前進させて後続の電子部品から離すことを特徴とする請求の範囲第２０項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記先頭の電子部品をその縦列方向に交差させる方向に所定間隔移動させて後続の電子部品から離すことを特徴とする請求の範囲第２０項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記先頭の電子部品をその縦列方向に交差させる方向に所定間隔移動させた後、前記縦列方向に沿って所定間隔前進させて後続の電子部品から離すことを特徴とする請求の範囲第２０項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電子部品として、表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に密に巻くとともに両端を電極としたコイルを前記バルク供給部に供給することを特徴とする請求の範囲第２０項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記コイルを前記モジュール基板に固定する前に前記コイルの実装高さよりも低い他の電子部品を前記モジュール基板に固定しておくことを特徴とする請求の範囲第２０項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記モジュール基板に半導体増幅素子が組み込まれた半導体チップを１乃至複数固定して高周波電力増幅装置を製造することを特徴とする請求の範囲第２０項記載の半導体装置の製造方法。
- バルクを収容するバルク収納ケースと、前記バルク収納ケースの下部に設けるホッパーと、前記ホッパーから取り込まれるバルクを案内する搬送レールと、前記搬送レールの先端部分に形成されるバルク供給部とを有する半導体製造装置であって、
前記ホッパーは前記バルク収納ケースに収容される前記バルクを集める円錐台窪みを上端に有する筒状のガイドと、前記ガイドを貫き中心軸に沿ってバルクを１個案内するガイド孔を有する供給シャフトで構成されるとともに、前記ガイドは前記供給シャフトに対して相対的に上下に振動制御される構成になり、
前記供給シャフトはその上端に前記バルクが安定に乗ることがないように肉厚が薄い筒体になっていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記バルクとして、表面を絶縁膜で被った電気抵抗が小さい線材を螺旋状に密に巻くとともに両端を電極としたコイルを供給することができるように構成されていることを特徴とする請求の範囲第２７項記載の半導体製造装置。
- バルクを収容するバルク収納ケースと、前記バルク収納ケースの下部に設けられるホッパーと、前記ホッパーから取り込まれるバルクを案内する搬送レールと、前記搬送レールの先端部分に形成されるバルク供給部とを有する半導体製造装置であって、
前記ホッパーは前記バルク収納ケースに収容される前記バルクを集める円錐台窪みを上端に有する筒状のガイドと、前記ガイドを貫き中心軸に沿ってバルクを１個案内するガイド孔を有する供給シャフトで構成されるとともに、前記ガイドは前記供給シャフトに対して相対的に上下に振動制御される構成になり、
前記ガイドの相対的な上下動は、前記ガイドが最も下がった状態で前記供給シャフトの外周面と前記ガイドの円錐台窪み面との間に前記バルクを挟む隙間が発生しないような位置関係で上下動するようになっていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記バルクとして、表面を絶縁膜で被った電気抵抗が小さい線材を螺旋状に密に巻くとともに両端を電極としたコイルを供給することができるように構成されていることを特徴とする請求の範囲第２９項記載の半導体製造装置。
- バルクを収容するバルク収納ケースと、前記バルク収納ケースの下部に設けられるホッパーと、前記ホッパーから取り込まれるバルクを案内する搬送レールと、前記搬送レールの先端部分に形成されるバルク供給部とを有する半導体製造装置であって、
前記ホッパーは前記バルク収納ケースに収容される前記バルクを集める円錐台窪みを上端に有する筒状のガイドと、前記ガイドを貫き中心軸に沿ってバルクを１個案内するガイド孔を有する供給シャフトで構成されるとともに、前記ガイドは前記供給シャフトに対して相対的に上下に振動制御される構成になり、
前記供給シャフトのガイド孔内に前記バルクが詰まらないようにガイド孔は前記バルクよりも大きい円形断面の孔になっていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記バルクとして、表面を絶縁膜で被った電気抵抗が小さい線材を螺旋状に密に巻くとともに両端を電極としたコイルを供給することができるように構成されていることを特徴とする請求の範囲第３１項記載の半導体製造装置。
- バルクを収容するバルク収納ケースと、前記バルク収納ケースの下部に設けられるホッパーと、前記ホッパーから取り込まれるバルクを案内する搬送レールと、前記搬送レールの先端部分に形成されるバルク供給部とを有する半導体製造装置であって、
前記バルクを案内するガイド孔を形成する搬送レール部材は前記ガイド孔に沿って移動するバルクが引っ掛からないように継ぎ目のない１本の部材で形成されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記バルクとして、表面を絶縁膜で被った電気抵抗が小さい線材を螺旋状に密に巻くとともに両端を電極としたコイルを供給することができるように構成されていることを特徴とする請求の範囲第３３項記載の半導体製造装置。
- バルクを収容するバルク収納ケースと、前記バルク収納ケースの下部に設けられるホッパーと、前記ホッパーから取り込まれるバルクを案内する搬送レールと、前記搬送レールの先端部分に形成されたバルク供給部と、前記バルクをガイド孔を通して前記バルク供給部まで移送させる真空吸引機構とを有する半導体製造装置であって、
前記バルク供給部は、前記搬送レールの前記ガイド孔内を縦列状態で一列に並んで移動して来る先頭のバルクを位置決め停止させるストッパ部と前記先頭のバルクを入れる受け部を有するとともにバルク移送方向に沿って往復動自在に前記搬送レールに取り付けられる摺動子と、
前記摺動子に対してバルク移送方向に沿って往復動自在に取り付けられかつ前記ガイド孔の上面を開閉させるシャッターとを有し、
前記先頭のバルクが前記受け部に入った後、前記真空吸引を停止させ、次に前記摺動子を前記先頭のバルクが後続のバルクから引き離されるように所定距離移動させ、次いで前記シャッターを移動させて前記受け部上にある先頭のバルクを露出させて供給可能にする構成になっていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記受け部はガイド孔の延長上に設けられることを特徴とする請求の範囲第３５項記載の半導体製造装置。
- 前記受け部は前記バルクが移送されるガイド孔の底面よりも一段低くなっていることを特徴とする請求の範囲第３５項記載の半導体製造装置。
- 前記受け部の後端には前記受け部に収容した前記バルクの端側に突出する突部を有することを特徴とする請求の範囲第３２項記載の半導体製造装置。
- 前記バルクの真空吸引の設定と解除は、搬送レール本体に設けた真空吸引通路を前記シャッターの移動によって動いて解放または塞ぐ球体によって行うように構成されていることを特徴とする請求の範囲第３５項記載の半導体製造装置。
- 前記ホッパーは前記バルク収納ケースに収容される前記バルクを集める円錐台窪みを上端に有する筒状のガイドと、前記ガイドを貫き中心軸に沿ってバルクを縦列状態で一列に案内するガイド孔を有する供給シャフトで構成され、前記ガイド孔に連通するエアー供給路が設けられ、前記エアー供給路には空気が吹き込まれるように構成されていることを特徴とする請求の範囲第３５項記載の半導体製造装置。
- その主面に、複数の配線と、前記複数の配線に電気的に接続された第１電極及び第２電極とを有するモジュール基板と、
前記モジュール基板の主面上に搭載されたインダクタを含む複数の電子部品とを含み、
前記インダクタは、その表面を絶縁膜で被われた線材を螺旋状に複数巻いたコイル形状を有し、
前記線材は、その両端部において前記絶縁膜から露出する部分を有し、前記第１及び第２電極のそれぞれは、平面的に見て、第１方向に延びる第１部分と、前記第１部分の一端部から前記第１方向と略垂直方向に延びる第２部分と、前記第１部分の他端部から前記第２方向に延びる第３部分とを有し、
前記第１及び第２電極は、各々の第２及び第３部分が向かい合うように配置され、
前記インダクタは、前記絶縁膜から露出する部分が前記第１電極及び第２電極の上部に位置するように配置され、
前記インダクタは、前記第１及び第２電極に半田材で接合され、
前記第１及び第２電極のそれぞれの第２及び第３部分は、前記インダクタの絶縁膜で被われた線材部分まで延びていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第１及び第２電極のそれぞれの第２部分と第３部分は、前記第１方向において、離間されていることを特徴とする請求の範囲第４１項記載の半導体装置。
- 前記インダクタは０．１ｍｍ程度の直径の銅線を内径が０．３ｍｍ直径程度となるように螺旋状に密に巻き、両端は前記絶縁膜が存在しない１乃至複数巻きの銅線部分を電極とした構成になっていることを特徴とする請求の範囲第４１項記載の半導体装置。
- 入力端子と、
出力端子と、
電源電圧端子と、
前記入力端子と前記出力端子間に従続接続されるとともに、上記電源電圧端子から電源電圧を供給される複数の増幅段とを有し、
前記増幅段に電気的に接続されるインダクタのうち１乃至全部は表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルで構成され、
前記インダクタは、その主面に、複数の配線と、前記複数の配線に電気的に接続された第１電極及び第２電極とを有するモジュール基板に接続され、
前記第１及び第２電極のそれぞれは、平面的に見て、第１方向に延びる第１部分と、前記第１部分の一端部から前記第１方向と略垂直方向に延びる第２部分と、前記第１部分の他端部から前記第２方向に延びる第３部分とを有し、
前記第１及び第２電極は、各々の第２及び第３部分が向かい合うように配置され、
前記インダクタは、前記絶縁膜から露出する部分が前記第１電極及び第２電極の上部に位置するように配置され、
前記インダクタは、前記第１及び第２電極に半田材で接合され、
前記第１及び第２電極のそれぞれの第２及び第３部分は、前記インダクタの絶縁膜で被われた線材部分まで延びていることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 前記インダクタは０．１ｍｍ程度の直径の銅線を内径が０．３ｍｍ直径程度となるように螺旋状に密に巻き、両端は前記絶縁膜が存在しない１乃至複数巻きの銅線部分を電極とした構成になっていることを特徴とする請求の範囲第４４項記載の高周波電力増幅装置。
- 入力端子と、
出力端子と、
電源電圧端子と、
前記入力端子と前記出力端子間に従続接続されるとともに、上記電源電圧端子から電源電圧を供給される複数の増幅段とを有し、
最終増幅段と前記電源電圧端子との間にインダクタが直列に接続され、
前記インダクタは表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルからなり、
前記インダクタは、その主面に、複数の配線と、前記複数の配線に電気的に接続された第１電極及び第２電極とを有するモジュール基板に接続され、
前記第１及び第２電極のそれぞれは、平面的に見て、第１方向に延びる第１部分と、前記第１部分の一端部から前記第１方向と略垂直方向に延びる第２部分と、前記第１部分の他端部から前記第２方向に延びる第３部分とを有し、
前記第１及び第２電極は、各々の第２及び第３部分が向かい合うように配置され、
前記インダクタは、前記絶縁膜から露出する部分が前記第１電極及び第２電極の上部に位置するように配置され、
前記インダクタは、前記第１及び第２電極に半田材で接合され、
前記第１及び第２電極のそれぞれの第２及び第３部分は、前記インダクタの絶縁膜で被われた線材部分まで延びていることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 増幅系を複数有し、
各増幅系は複数の増幅段を従続接続した多段構成となり、
各増幅系の最終増幅段と電源電圧端子との間にインダクタが直列に接続され、
前記インダクタは表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルからなり、
前記インダクタは、その主面に、複数の配線と、前記複数の配線に電気的に接続された第１電極及び第２電極とを有するモジュール基板に接続され、
前記第１及び第２電極のそれぞれは、平面的に見て、第１方向に延びる第１部分と、前記第１部分の一端部から前記第１方向と略垂直方向に延びる第２部分と、前記第１部分の他端部から前記第２方向に延びる第３部分とを有し、
前記第１及び第２電極は、各々の第２及び第３部分が向かい合うように配置され、
前記インダクタは、前記絶縁膜から露出する部分が前記第１電極及び第２電極の上部に位置するように配置され、
前記インダクタは、前記第１及び第２電極に半田材で接合され、
前記第１及び第２電極のそれぞれの第２及び第３部分は、前記インダクタの絶縁膜で被われた線材部分まで延びていることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 二つの増幅系と、
前記各増幅系の入力端子と、
前記各増幅系の出力端子と、
二つの電源電圧端子とを有し、
前記各増幅系は複数の増幅段を従続接続した多段構成となり、
前記一方の電源電圧端子は前記一方の増幅系の初段増幅段と前記他方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続され、
前記他方の電源電圧端子は前記他方の増幅系の初段増幅段と前記一方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続され、
前記各増幅系の最終増幅段と前記電源電圧端子間にはインダクタが直列に接続され、
前記インダクタは表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルからなり、
前記インダクタは、その主面に、複数の配線と、前記複数の配線に電気的に接続された第１電極及び第２電極とを有するモジュール基板に接続され、
前記第１及び第２電極のそれぞれは、平面的に見て、第１方向に延びる第１部分と、前記第１部分の一端部から前記第１方向と略垂直方向に延びる第２部分と、前記第１部分の他端部から前記第２方向に延びる第３部分とを有し、
前記第１及び第２電極は、各々の第２及び第３部分が向かい合うように配置され、
前記インダクタは、前記絶縁膜から露出する部分が前記第１電極及び第２電極の上部に位置するように配置され、
前記インダクタは、前記第１及び第２電極に半田材で接合され、
前記第１及び第２電極のそれぞれの第２及び第３部分は、前記インダクタの絶縁膜で被われた線材部分まで延びていることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 送信部に高周波電力増幅装置を有し、前記高周波電力増幅装置の出力をアンテナに出力する無線通信装置であって、
前記高周波電力増幅装置は、
入力端子と、
出力端子と、
電源電圧端子と、
前記入力端子と前記出力端子間に従続接続されるとともに、上記電源電圧端子から電源電圧を供給される複数の増幅段とを有し、
前記増幅段に電気的に接続されるインダクタのうち１乃至全部は表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルで構成され、
前記インダクタは、その主面に、複数の配線と、前記複数の配線に電気的に接続された第１電極及び第２電極とを有するモジュール基板に接続され、
前記第１及び第２電極のそれぞれは、平面的に見て、第１方向に延びる第１部分と、前記第１部分の一端部から前記第１方向と略垂直方向に延びる第２部分と、前記第１部分の他端部から前記第２方向に延びる第３部分とを有し、
前記第１及び第２電極は、各々の第２及び第３部分が向かい合うように配置され、
前記インダクタは、前記絶縁膜から露出する部分が前記第１電極及び第２電極の上部に位置するように配置され、
前記インダクタは、前記第１及び第２電極に半田材で接合され、
前記第１及び第２電極のそれぞれの第２及び第３部分は、前記インダクタの絶縁膜で被われた線材部分まで延びていることを特徴とする無線通信装置。 - 送信部に高周波電力増幅装置を有し、前記高周波電力増幅装置の出力をアンテナに出力する無線通信装置であって、
前記高周波電力増幅装置は、
入力端子と、
出力端子と、
電源電圧端子と、
前記入力端子と前記出力端子間に従続接続されるとともに、上記電源電圧端子から電源電圧を供給される複数の増幅段とを有し、
最終増幅段と前記電源電圧端子との間にインダクタが直列に接続され、
前記インダクタは表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルからなり、
前記インダクタは、その主面に、複数の配線と、前記複数の配線に電気的に接続された第１電極及び第２電極とを有するモジュール基板に接続され、
前記第１及び第２電極のそれぞれは、平面的に見て、第１方向に延びる第１部分と、前記第１部分の一端部から前記第１方向と略垂直方向に延びる第２部分と、前記第１部分の他端部から前記第２方向に延びる第３部分とを有し、
前記第１及び第２電極は、各々の第２及び第３部分が向かい合うように配置され、
前記インダクタは、前記絶縁膜から露出する部分が前記第１電極及び第２電極の上部に位置するように配置され、
前記インダクタは、前記第１及び第２電極に半田材で接合され、
前記第１及び第２電極のそれぞれの第２及び第３部分は、前記インダクタの絶縁膜で被われた線材部分まで延びていることを特徴とする無線通信装置。 - 送信部に高周波電力増幅装置を有し、前記高周波電力増幅装置の出力をアンテナに出力する無線通信装置であって、
前記高周波電力増幅装置は、
増幅系を複数有し、
各増幅系は複数の増幅段を従続接続した多段構成となり、
各増幅系の最終増幅段と電源電圧端子との間にインダクタが直列に接続され、
前記インダクタは表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルからなり、
前記インダクタは、その主面に、複数の配線と、前記複数の配線に電気的に接続された第１電極及び第２電極とを有するモジュール基板に接続され、
前記第１及び第２電極のそれぞれは、平面的に見て、第１方向に延びる第１部分と、前記第１部分の一端部から前記第１方向と略垂直方向に延びる第２部分と、前記第１部分の他端部から前記第２方向に延びる第３部分とを有し、
前記第１及び第２電極は、各々の第２及び第３部分が向かい合うように配置され、
前記インダクタは、前記絶縁膜から露出する部分が前記第１電極及び第２電極の上部に位置するように配置され、
前記インダクタは、前記第１及び第２電極に半田材で接合され、
前記第１及び第２電極のそれぞれの第２及び第３部分は、前記インダクタの絶縁膜で被われた線材部分まで延びていることを特徴とする無線通信装置。 - 送信部に高周波電力増幅装置を有し、前記高周波電力増幅装置の出力をアンテナに出力する無線通信装置であって、
前記高周波電力増幅装置は、
二つの増幅系と、
前記各増幅系の入力端子と、
前記各増幅系の出力端子と、
二つの電源電圧端子とを有し、
前記各増幅系は複数の増幅段を従続接続した多段構成となり、
前記一方の電源電圧端子は前記一方の増幅系の初段増幅段と前記他方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続され、
前記他方の電源電圧端子は前記他方の増幅系の初段増幅段と前記一方の増幅系の残りの増幅段にそれぞれ接続され、
前記各増幅系の最終増幅段と前記電源電圧端子間にはインダクタが直列に接続され、
前記インダクタは表面を絶縁膜で被った線材を螺旋状に巻き両端を電極としたコイルからなり、
前記インダクタは、その主面に、複数の配線と、前記複数の配線に電気的に接続された第１電極及び第２電極とを有するモジュール基板に接続され、
前記第１及び第２電極のそれぞれは、平面的に見て、第１方向に延びる第１部分と、前記第１部分の一端部から前記第１方向と略垂直方向に延びる第２部分と、前記第１部分の他端部から前記第２方向に延びる第３部分とを有し、
前記第１及び第２電極は、各々の第２及び第３部分が向かい合うように配置され、
前記インダクタは、前記絶縁膜から露出する部分が前記第１電極及び第２電極の上部に位置するように配置され、
前記インダクタは、前記第１及び第２電極に半田材で接合され、
前記第１及び第２電極のそれぞれの第２及び第３部分は、前記インダクタの絶縁膜で被われた線材部分まで延びていることを特徴とする無線通信装置。
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