KR20040022205A - 반도체 장치와 그 제조방법 및 반도체 제조장치 - Google Patents

반도체 장치와 그 제조방법 및 반도체 제조장치 Download PDF

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KR20040022205A
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교고쿠토시히코
고즈타다시
모치즈키키요하루
이시즈아키오
고바야시요시히코
사토수수무
기쿠치사카에
마루야마마사시
고지로이와미치
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가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
가부시끼가이샤 히가시 닛본 세미콘덕터 테크놀로지스
가부시키가이샤 아키타덴시시스테무즈
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Abstract

고주파 전력 증폭장치는 2개의 증폭시스템을 가진다. 증폭시스템은, 복수의 증폭단을 종속 접속한 구성으로 되고, 전원전압단자는 2단자로 되어, 한쪽의 전원전압단자는 한쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 다른쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속되고, 다른쪽의 전원전압단자는 다른쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 한쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속되어 있다. 각 증폭시스템의 최종 증폭단과 전원전압단자와의 사이에는, 0.1㎜ 정도 지름의 동선을 나선 형태로 조밀하게 감은, 직류저항이 작은 공심코일이 직렬로 접속되어 있다. 각 증폭시스템은 최종 증폭단에서 초단 증폭단으로의 신호의 누설이 없는 것과, 공심코일의 직류 저항이 작은 것으로부터 발진 마진이 개선된다. 공심코일은 저렴하여 고주파 전력 증폭장치의 저코스트화가 도모된다. 공심코일은 벌크 피더에서 공급되어 모듈 기판에 탑재된다.

Description

반도체 장치와 그 제조방법 및 반도체 제조장치{Semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing semiconductor device}
자동차 전화기, 휴대전화기 등의 무선 통신장치에 이용되는 고주파 전력 증폭장치는, 반도체 증폭소자(트랜지스터)로 구성되는 복수의 증폭기를 2단 또는 3단 등 다단으로 종속 접속한 다단 구성으로 되어 있다. 다단 구성의 최종단의 증폭기(최종 증폭단)는 출력단으로 되고, 그 앞의 각 단(段)의 증폭기(증폭단)는 구동단으로 된다. 또한, 회로 임피던스 조정을 위해, 여러 곳에 인덕터가 조립되어 있다.
고주파 전력 증폭장치의 특성으로는, 고효율이면서 고이득, 소형이면서 저코스트인 것이 요구된다. 게다가, 휴대로 사용한다는 특이성 때문에 안테나의 임피던스가 사용 조건에서 크게 변화하여 부하 부정합으로 되어 반사가 일어나서, 최종단의 증폭소자(반도체 증폭소자)에 큰 전압이 가해지는 경우가 생긴다. 증폭소자에는그것에 견딜 수 있는 파괴 내압도 고려할 필요가 있다.
도 33은 본 발명자 등이 본 발명에 앞서 검토한 고주파 전력 증폭장치의 회로 구성을 나타내는 블록도이다. 이 고주파 전력 증폭장치는, GSM(Global System for Mobile Communication)과 DCS(Digital Cellular System)라 호칭되는 2개의 통신시스템의 증폭이 가능한 듀얼밴드용의 고주파 전력 증폭장치이다.
이 고주파 전력 증폭장치(1)는 외부 전극단자로서, GSM용 입력단자(PinGSM①), 컨트롤 단자(Vapc②), 전원전압(Vdd)의 한쪽의 전원전압단자(Vdd1③), GSM용 출력단자(PoutGSM④), DCS용 출력단자(PoutDCS⑤), 전원전압(Vdd)의 다른쪽의 전원전압단자(Vdd2⑥), 통신밴드 절환용단자(Vctl⑦), DCS용 입력단자(PinDCS⑧), 도시하지 않은 접지전압단자(GND)를 가지고 있다.
DCS 및 GSM 모두 그 증폭시스템은 3단 증폭 구성으로 되어 있다. DCS 증폭시스템은 1st, 2nd, 3rd로 나타내는 증폭단(amp1, amp2, amp3)으로 구성되고, GSM 증폭시스템은 1st, 2nd, 3rd로 나타내는 증폭단(amp4, amp4, amp6)으로 구성되어 있다. 각 증폭단은 도시하지 않았지만, 전계효과 트랜지스터(FET)로 형성되어 있다.
이와 같은 구성에 있어서, PinDCS⑧은 amp1에 접속되고, PoutDCS⑤는 amp3에 접속되어 있다. 또한, PinGSM①은 amp4에 접속되고, PoutGSM④는 amp6에 접속되어 있다.
Vapc②는 바이어스 회로(2)에 접속됨과 동시에, 이 Vapc②로 입력된 신호에 의해 amp1~amp6은 제어된다.
Vdd1③은, 마이크로 스트립라인(MS3)을 통해서 amp4에 접속되고, 마이크로스트립라인(MS4)을 통해서 amp5에 접속되며, 인덕터(L2)를 통해서 amp6에 접속되어 있다. 또한, 고주파 특성의 안정화를 위해 외부에서 Vdd1③에는 일단이 GND에 접지되는 용량(C1)이 접속되어 있다.
Vdd2⑥은, 마이크로 스트립라인(MS1)을 통해서 amp1에 접속되고, 마이크로 스트립라인(MS2)을 통해서 amp2에 접속되며, 인덕터(L1)를 통해서 amp3에 접속되어 있다. 또한, 고주파 특성의 안정화를 위해 외부에서 Vdd2⑥에는 일단이 GND에 접지되는 용량(C2)이 접속되어 있다.
Vctl⑦은, 밴드 선택회로(3)에 접속되어 있다. 이 밴드 선택회로(3)는, 소스 접지되는 3개의 n채널형 전계효과 트랜지스터(FET)(Q8, Q9, Q10)와, 1개의 저항(R1)으로 구성되어 있다. Q8과 Q9의 게이트 단자는 Vctl⑦에 접속되어 있다. Q10의 게이트 단자는 Q9의 드레인 단자에 접속되고, 드레인 단자는 저항(R2)을 통해서 amp5의 출력측에 접속되어 있다. Q9의 드레인 단자는 저항(R1)을 통해서 Vdd2⑥에 접속되어 있다. Q8의 드레인 단자는 인덕터(L3)를 통해서 amp3의 입력측에 접속되어 있다.
Vctl⑦에 공급되는 신호에 따라 밴드의 절환이 행해지고, DCS 통신을 위한 증폭 또는 GSM 통신을 위한 증폭이 행해진다.
도 33에 나타내는 것과 같은 회로 구성에서는, GSM 회로 체인(chain) 및 DCS 회로 체인의 전원라인은 공통으로 사용되고 있다. 이 결과, 3rd FET에서의 누설신호가 전원라인을 통해서 1st FET로 되돌아가는 귀환(feed back loop)이 형성되어(도 33에서 나타내는 굵은선 화살표 참조), 발진을 일으키기 쉬운 것을 알았다.
한편, 종래에서는 인덕터로는 칩 인덕터를 사용하고 있다. 그러나, 칩 인덕터는 직류저항(DC 저항)이 크고, 예를 들어 휴대전화기용의 고주파 전력 증폭장치(고주파 파워 앰프모듈)에 있어서는, 출력 및 효율의 향상을 방해하는 원인으로 되어 있다. 즉, 칩 인덕터는 고주파 전력 증폭장치의 전원라인에 사용하는 경우, 예를 들어 2A 이상의 전류용량이 필요한 특별 사양으로 되어, 가격이 높고 또한 긴급 조달이 곤란하다.
또한, 시판의 공심(空芯) 코일은 외형 사이즈가 크고, 모듈의 높이 제한으로 탑재할 수 없다. 즉, 고주파 전력 증폭장치에 조립되는 칩 저항과 칩 콘덴서 등의 칩형 전자부품은 1005 제품으로 호칭되고, 길이가 1㎜이고, 폭 및 높이가 0.5㎜로 작지만, 시판의 공심코일은 이것 이상으로 크다.
또한, 종래의 칩 인덕터는 코스트에 관해서도 높아, 하이브리드 집적회로장치의 저코스트화의 장애로 되어 있다. 즉, 칩 인덕터에는 다양한 구조의 것이 있지만, 고주파 전력 증폭장치에 사용되는 칩 인덕터는, 세라믹스로 이루어지는 베이스 부재에 선재(線材)를 감은 구조의 것, 세라믹스를 베이스로 Ag, Ni 등의 도체를 적층하여 스파이럴(spiral) 구조를 형성하는 것 및 세라믹스 코아의 표면에 도금 등을 시행하여 금속층을 형성하고, 이 금속층을 레이저 광으로 나선(螺旋) 형태로 컷트 한 구조의 것이 주류로 되어 있다.
그래서, 본 출원인에 있어서는, 소형화 및 코스트 저감을 도모하기 위해, 또 DC 저항의 저감을 도모하기 위해, 도전성이 양호한 금속선을 나선 형태로 감은 코일에 대해서 검토하여, 새로운 코일(코일 인덕터)을 제안하고 있다(일본특허출원2000-367762호 공보).
이 코일은, 예를 들어 일예를 들면, 표면을 절연막(예를 들어, 폴리에틸렌막)으로 덮은 지름 0.1㎜의 동선을 나선 형태로 감은 구조로 되고, 바깥 지름은 0.56㎜ 정도, 길이는 0.9㎜ 정도이다. 나선으로 감기 전에 동선(銅線)의 양단 부분의 절연막을 일정 길이로 제거해 놓고 혹은 절연막을 안붙여 놓는다. 따라서, 절연막이 피복되지 않은 1 내지 복수 회 감긴 권선(捲線)부분이 전극으로 된다. 이 코일은 그 중량도 0.0725mg 정도로 극히 가볍다. 또한, 이 코일은, 동선을 감아 제조하는 것이므로, 종래의 칩 인덕터(예를 들어, 작은 금속층을 레이저 광으로 나선 형태로 컷트한 구조의 1005 제품)는, 인덕턴스가 8nH인 것으로 직류저항은 100mΩ이 된다.
이것에 대해서, 본 출원인이 제안한 공심코일은, 인덕턴스가 8nH인 것으로 직류저항은 20mΩ으로 되어 종래의 1/5로 됨과 동시에, 코스트적으로도 우위로 된다.
본 출원인은, 이와 같은 코일(공심코일)을 하이브리드 집적회로장치이기도 한 고주파 전력 증폭장치에 조립하기 위해 벌크 피더(bulk feeder)를 이용해서 조립을 행했다.
그러나, 종래의 벌크 피더에서는, 극히 중량이 가벼운 이와 같은 코일(공심코일)을 안정하게 공급하는 것은 곤란하다는 것을 알았다.
반도체 장치이기도 한 벌크 피더로서는, 예를 들어「Matsushita Technical Journal」, Vol.45,No4,Aug.1999,P86~P90에 기재되어 있다. 이 문헌에는, 적층 콘덴서와 각판(角板)형(thick film) 칩 저항 등의 표면실장형 전자부품의 실장에 적합한, 호퍼(hopper)방식의 벌크 피더에 대해서 기재되어 있다.
도 34 내지 도 42는 종래의 벌크 피더에 관한 도면이다. 도 34에 나타내는 바와 같이, 종래의 벌크 피더는 벌크(bulk)를 수용하는 벌크 수납케이스(10)와, 이 벌크 수납케이스(10)의 하부에 설치된 호퍼(11)와, 이 호퍼(11)에서 집어 넣어진 벌크를 선단의 벌크공급부(12)까지 안내하는 반송레일(13)을 가진다.
벌크 수납케이스(10)는 얇은 박스형 구조로 되고 그 내부 바닥은 양측에서 중앙으로 향해 벌크를 모으는 경사체(14)로 되어 있다. 이 경사체(14)의 중심을 관통하도록 배치되어, 경사체(14)의 내부 바닥 부분에 모여진 벌크를 일렬 상태로 벌크 수납케이스(10)에서 꺼내는 호퍼(hopper)(12)는, 도 35에 나타내는 바와 같이, 상단에 원뿔대 홈(frustum concave)(15)을 가지는 가이드(16)와, 이 가이드(16)를 관통 중심축에 따라 벌크를 1개 안내하는 가이드 홀(17)을 가지는 각(角)파이프(angular pipe)로 이루어지는 공급 샤프트(18)로 구성되어 있다. 공급 샤프트(18)의 상단에서 가이드 홀(17)내에 벌크가 들어가도록, 상기 가이드(16)는 상하로 진동하는 구조로 되어 있다. 예를 들어, 벌크의 길이(1 스트로크(stroke): 1st)의 거의 3배 정도의 진폭을 갖고 진동한다.
또한, 가이드 홀(17)은 도 36에 나타내는 바와 같이, 사각형 단면으로 되어 있다. 공급샤프트(18)는 2.6㎜ 지름으로, 그 중심에 폭 0.63㎜, 길이 0.87㎜인 사각형의 가이드 홀(17)이 설치되어 있다.
이와 같은 벌크 피더에서, 벌크로서 0.56㎜×0.85㎜ 크기의코일(공심코일)(9)을 공급하는 경우, 도 35 및 도 36에 나타내는 바와 같이, 몇개의 공급 불량이 발생하여 버리는 것을 알았다.
하나는, 원통 모양의 공급 샤프트(18)의 벽 두께가 두껍기 때문에, 공급 샤프트(18)의 상단에 공심코일(9)이 실려 버려, 가이드 홀(17)내에 들어가지 않는 공급 불량 A이다.
하나는, 가이드(16)가 하방으로 내려간 시점에서 원뿔대 홈(15)의 경사면과 공급 샤프트(18)의 외주면과의 사이에 간극(gap)(19)이 발생하고, 간극(19)내에 공심코일(9)이 끼이는 공급 불량 B이다.
하나는, 공심코일(9)에도 그 치수상 변동이 있으므로, 0.56㎜×0.85㎜ 크기의 공심코일(9)이 0.63㎜×0.87㎜ 크기의 가이드 홀(17)의 도중에 횡방향으로 되어 걸려들어 막히는 공급 불량 C이다.
한편, 종래의 벌크 피더의 반송레일(13)은, 도 34에 나타내는 바와 같이, 도중에 이음매(D)가 존재하는 것이므로, 그 이음매에서 공심코일(9)이 걸려들어, 공급 불량이 발생하는 일도 있다.
다른 한편, 벌크공급부(12)는, 도 37에 나타내는 것과 같은 구조로 되어, 도 37 내지 도 42에서 나타내는 것과 같은 동작을 한다. 즉, 도 37에 나타내는 바와 같이, 반송레일(13)의 선단측에서는, 반송레일 본체(25)의 선단 상면측은 1단(段) 낮게 되고, 이 낮은 부분에 슬라이더(slider)(26)가 공심코일(9)의 이송방향에 따라 왕복이동 가능하게 설치되어 있다.
공심코일(9)을 안내하는 가이드 홀(17)을 설치한 레일(27)은 상기 반송레일본체(25)의 계단(stepped) 부분까지 연장되어 있다. 반송레일 본체(25)에는 상기 레일(27)의 가이드 홀(17)로 들어가 이동해 온 공심코일(9)의 전단(前端)을 정지시키는 스톱퍼부(28)를 가지고 있다. 이 스톱퍼부(28)는 공심코일(9)의 상측에 접촉하도록 되지만, 그 하부는 부분적으로 개방되는 공간으로 되어 있다. 이것은 공심코일(9)을 진공 흡인하여 스톱퍼부(28)에 접촉시키기 위한 진공 흡인통로(30a)를 형성한다.
슬라이더(26)는, 스프링(29)에 의해 그 좌단면이 계단 부분의 측면에 접촉하도록 되어 있다. 슬라이더(26)의 좌단면이 계단 부분의 측면에 접촉하는 상태가, 스톱퍼부(28)의 공심코일(9)의 위치결정 위치, 즉 위치결정 기준면을 형성하게 된다.
또한, 슬라이더(26)상에는 셧터(shutter)(31)가 포개지고, 또 슬라이더(26)에 대해서 이동 가능하게 되어 있다. 셧터(31)는 공심코일(9)의 이송방향에 따라 왕복 이동하고, 레일(27)의 가이드 홀(hole)(17)내를 이동하는 선두의 공심코일(9)의 길이보다도 약간 긴 거리 부분을 덮도록 되어 있다. 따라서, 레일(27)의 선단 부분에서는, 가이드 홀(17)의 상면의 레일(27) 부분이 삭제된 구조로 되어 있다. 셧터(31)는 슬라이더(26)와의 사이에 진공 흡인통로(30b)를 형성하고 있다. 또한, 셧터(31), 슬라이더(26) 및 반송레일 본체(25)에는, 각각 홀(hole)이 설치되어 진공 흡인통로(30c, 30d, 30e)를 형성하고 있다. 슬라이더(26)가 좌단에 접근하여, 셧터(31)가 가이드 홀(17)의 상측을 덮은 상태인 경우, 이들 3개의 홀은 포개져, 도 37에서 나타내는 바와 같이 공심코일(9)을 굵은 선 화살표로 나타내는 바와 같이 진공 흡인하여 선두의 공심코일(9)을 스톱퍼부(28)에 접촉하도록 한다. 이 진공 흡인에 의해, 도 38에 나타내는 바와 같이, 후속의 공심코일(9)도 가이드 홀(17)내에 일렬로 늘어놓게 된다.
도 39에 나타내는 바와 같이, 셧터(31)를 우측, 즉 가이드 홀(17)의 단말에서 멀어지도록 개방 동작시키면, 선두의 공심코일(9) 및 2번째의 공심코일(9)의 선두 부분의 약간의 길이 부분은 노출상태로 된다. 또한, 이때의 개방 동작에 의해, 진공 흡인경로(30d)는 셧터(31)에 의해 닫혀지기 때문에, 진공 흡인동작은 정지한다. 셧터(31)의 이동은, 예를 들어 공심코일(9)의 길이의 3배(3st) 정도 이동된다. 도 40은 이들 관계를 나타내는 확대 단면도이다.
다음에, 콜릿(collet)(32)이 이동해 오고 선두의 공심코일(9)을 진공 흡착유지해서 모듈 기판상에 운반하여, 공심코일(9)의 탑재가 행해진다.
그런데, 상술한 바와 같이 공심코일은 극히 가볍기 때문에, 진공 흡인의 절환시 기류(기압) 변동과 진동에 의해 쉽게 움직이고, 예를 들어 도 44에 나타내는 바와 같이, 전후의 공심코일(9)의 단부(end)끼리가 포개져 합쳐지게 되기도 한다. 이 경우, 콜릿(32)은 공심코일(9)은 확실하게 진공흡착 유지해서 반송할 수 없게 되어, 공심코일(9)의 모듈 기판으로의 탑재를 할 수 없게 된다. 또한, 콜릿에 의한 진공흡착력을 높이기 위해 진공흡착력을 크게 하면, 그 진공흡인력의 영향에 의해 코일 열(列)이 흐트러져 버리는 일도 있고, 콜릿의 진공흡착력을 필요 이상으로 크게 할 수 없어, 제어는 미묘하다. 또, 도 43은 지장없이 일렬로 늘어놓는 공심코일(9)을 나타내는 도면이다.
본 발명의 목적은, 고주파 특성이 우수하고, 출력 및 효율의 향상을 도모하며 또 제조 코스트의 저감을 달성할 수 있는 반도체 장치 및 그 반도체 장치를 조립한 전자장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 고주파 특성이 우수하고, 출력 및 효율의 향상을 도모하며 또 제조 코스트의 저감을 달성할 수 있는 고주파 전력 증폭장치 및 그 고주파 전력 증폭장치를 조립한 무선 통신장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 직류저항이 작은 공심코일을 실장한 반도체 장치 및 그 반도체 장치를 조립한 전자장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 직류저항이 작은 공심코일을 실장한 고주파 전력 증폭장치 및 그 고주파 전력 증폭장치를 조립한 무선 통신장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 발진 마진을 개선할 수 있는 고주파 전력 증폭장치 및 그 고주파 전력 증폭장치를 조립한 통화 성능이 양호한 무선 통신장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 벌크를 배선 기판에 정확하고 확실하게 실장하는 반도체 장치의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 벌크로서의 코일을 배선 기판에 정확하고 확실하게 실장하는 반도체 장치의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 벌크의 안정 공급을 달성할 수 있는 반도체 제조장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 벌크로서의 코일의 안전 공급을 달성할 수 있는 반도체 제조장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 상기 및 그 이외의 목적과 신규한 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 명백해질 것이다.
본 발명은, 반도체 장치와 그 제조방법 및 반도체 제조장치에 관한 것으로서, 예를 들어 반도체 장치로서 복수의 증폭기(반도체 증폭소자)를 다단(多段)으로 종속(縱續) 접속한 다단 구성의 고주파 전력 증폭장치(고주파 전력 증폭모듈)의 제조기술 및 그 고주파 전력 증폭장치를 조립한 휴대전화기 등의 무선 통신장치(전자장치)에 적용하는 유효한 기술에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시형태(실시형태 1)인 고주파 전력 증폭장치에서의 모듈 기판에 탑재된 전자부품의 레이아웃을 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 실시형태 1의 고주파 전력 증폭장치의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 3은 상기 모듈 기판에 탑재된 코일을 나타내는 모식도이다.
도 4는 본 실시형태 1의 고주파 전력 증폭장치의 회로 구성을 나타내는 블록도이다.
도 5는 본 실시형태 1의 고주파 전력 증폭장치에서의 모듈 기판에 형성되는 전원라인의 등가 회로도이다.
도 6은 스트립라인(strip line)의 손실을 나타내는 그래프이다.
도 7은 칩 인덕터의 손실을 나타내는 그래프이다.
도 8은 코일의 손실을 나타내는 그래프이다.
도 9는 코일과 칩 코일의 DC 저항과 인덕턴스와의 상관(相關)을 나타내는 그래프이다.
도 10은 본 실시형태 1의 고주파 전력 증폭장치가 조립된 휴대전화기의 일부 구성을 나타내는 블록도이다.
도 11은 본 실시형태 1의 고주파 전력 증폭장치의 제조에 있어서, 본 발명에 관한 벌크 피더와 콜릿 등을 이용해서 모듈 기판에 코일을 실장하는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 12는 상기 코일의 실장상태를 나타내는 모식도이다.
도 13은 상기 벌크 피더에서의 호퍼 부분을 나타내는 모식적 단면도이다.
도 14는 상기 호퍼의 평면도이다.
도 15는 상기 호퍼에 연속해서 코일을 반송하는 코일 반송레일을 나타내는 모식적 정면도이다.
도 16은 상기 호퍼에서의 코일의 검출 부분을 나타내는 단면도이다.
도 17은 도 16의 일부를 나타내는 확대 단면도이다.
도 18은 상기 코일 반송레일의 선단의 벌크공급부의 진공흡인 상태에서의 확대 단면도이다.
도 19는 도 18의 일부를 나타내는 더 확대한 확대 단면도이다.
도 20은 상기 벌크공급부의 진공 흡인을 정지시킨 상태에서의 확대 단면도이다.
도 21은 도 20의 일부를 나타내는 더 확대한 확대 단면도이다.
도 22는 상기 벌크공급부의 선두의 코일을 다른 코일에서 분리한 상태에서의 확대 단면도이다.
도 23은 도 22의 일부를 나타내는 더 확대한 확대 단면도이다.
도 24는 상기 벌크공급부의 선두의 코일을 콜릿으로 유지한 상태에서의 확대 단면도이다.
도 25는 도 24의 일부를 나타내는 더 확대한 확대 단면도이다.
도 26은 다른 구조의 코일을 모듈 기판에 탑재한 상태를 나타내는 확대 모식도이다.
도 27은 도 26의 코일 등을 측방에서 본 확대 모식도이다.
도 28은 도 26에 나타내는 코일의 확대 평면도이다.
도 29는 도 26에 나타내는 코일의 확대 단면도이다.
도 30은 도 26에 나타내는 코일의 확대 측면도이다.
도 31은 다른 구조의 코일을 나타내는 확대 평면도이다.
도 32는 본 발명의 다른 실시형태(실시형태 2)인 벌크 피더의 일부를 나타내는 모식도이다.
도 33은 본 발명자 등이 본 발명에 앞서 검토한 고주파 전력 증폭장치의 회로 구성을 나타내는 블록도이다.
도 34는 종래의 벌크 피더를 나타내는 모식도이다.
도 35는 종래의 벌크 피더에서의 호퍼 부분을 나타내는 모식적 단면도이다.
도 36은 종래의 호퍼 부분의 평면도이다.
도 37은 종래의 벌크 피더에서의 벌크공급부의 진공흡인 상태에서의 확대 단면도이다.
도 38은 도 37의 일부를 나타내는 더 확대한 확대 단면도이다.
도 39는 종래의 상기 벌크공급부의 셧터가 열린 상태에서의 확대 단면도이다.
도 40은 도 39의 일부를 나타내는 더 확대한 확대 단면도이다.
도 41은 종래의 벌크 피더에서의 상기 벌크공급부에서 코일을 콜릿으로 유지하는 상태의 확대 단면도이다.
도 42는 도 41의 일부를 나타내는 더 확대한 확대 단면도이다.
도 43은 벌크공급부에 있어서 상호 걸림을 발생하는 일이 없게 늘어놓는 코일을 나타내는 모식도이다.
도 44는 벌크공급부에 늘어놓는 선두 코일과 그 후방의 코일이 상호 걸린 상태를 나타내는 모식도이다.
도 45는 본 발명의 다른 실시형태(실시형태 3)인 고주파 전력 증폭모듈에서의 코일과, 코일을 고정하는 전극과의 상관을 나타내는 모식적 사시도이다.
도 46은 본 실시형태 3의 고주파 전력 증폭모듈의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 47은 본 실시형태 3에서의 코일의 탑재 상태를 나타내는 각 도면이다.
도 48은 전극 각 부(部)의 치수 변화에 대한 코일의 탑재 어긋남을 나타내는 그래프이다.
도 49는 전극 각 부(部)의 치수 변화에 대한 코일의 탑재 어긋남을 나타내는 다른 그래프이다.
도 50은 모듈 기판상의 전극에 도포된 땜납을 재용융한 상태를 나타내는 3차원 표시도이다.
도 51은 모듈 기판상의 전극에 도포된 땜납을 재용융한 상태의 단면도이다.
도 52는 사각형 전극에 코일을 리플로우(reflow) 고정한 경우의 불량 예를 나타내는 도면이다.
도 53은 본 실시형태 3에서 사용하는 리플로우 로(爐)의 개략을 나타내는 모식적 정면도이다.
도 54는 상기 리플로우 로의 개략을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 55는 본 발명의 다른 실시형태(실시형태 4)인 고주파 전력 증폭모듈에서의 코일의 탑재를 행하는 리플로우 로의 개략을 나타내는 모식적 정면도이다.
도 56은 상기 리플로우 로에 있어서 질소분위기에서 리플로우를 행하는 상태를 나타내는 모식적 정면도이다.
도 57은 상기 질소분위기에서 리플로우가 행해지는 상태를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 58은 질소분위기에 의한 리플로우에서 적정하게 탑재된 코일을 나타내는 모식적 평면도이다.
(발명의 개시)
본원에 있어서 개시되는 발명중 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면, 하기와 같다.
휴대전화기에는 이하의 구성의 고주파 전력 증폭장치가 조립되어 있다. 고주파 전력 증폭장치는 증폭시스템을 2개 가지는 듀얼밴드 구성으로 되어 있다. 증폭시스템은, 각각 반도체 증폭소자를 복수 종속 접속한 다단 구성으로 되고, 최종 증폭단의 반도체 증폭소자의 신호를 출력하는 제1 단자와 전원전압단자 사이에 직류저항이 작은 코일(공심코일)을 직렬로 접속한 구성으로 되어 있다. 공심코일은 고주파 전력 증폭장치의 모듈 기판에 탑재되어 있다.
전원전압을 공급하는 전원전압단자는 2단자 설치되고, 한쪽의 전원전압단자는 한쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 다른쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속되며, 다른쪽의 전원전압단자는 다른쪽의 초단 증폭단과 한쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속된 구성(교차 접속(crossed connection) 구성으로 호칭된다)으로 되어 있다.
상기 공심코일은 표면이 절연막으로 덮여지는 0.1㎜ 지름의 동선을 조밀하게 나선 형태로 감은 구성으로 됨과 동시에, 양단의 전극이 되는 부분은 절연막이 존재하지 않는 구성으로 되어, 최대 바깥 지름이 0.56㎜ 정도로 되고, 전체 길이가 0.9㎜ 정도로 되며, 인덕턴스가 8nH인 것으로 직류저항이 20mΩ 정도로 되어, 종래의 칩 인덕터의 인덕턴스가 8nH인 것으로 직류저항이 100mΩ에 비교하여 작게 되어 있다.
상기 고주파 전력 증폭장치의 제조에서의 공심코일의 탑재는, 벌크 피더의 벌크공급부로 이송되어 일렬로 늘어놓는 공심코일의 선두의 공심코일을 콜릿(collet)으로 진공흡착 유지한 후, 모듈 기판의 소정 위치로 운반하고, 그 후 일시적인 가열처리에 의해 모듈 기판과 공심코일에 미리 설치해 놓은 솔더를 녹여서 고정한다. 또,모듈 기판에 탑재되는 전자부품은 공심코일보다도 높이가 낮다. 즉, 칩 부품은 길이 1㎜, 폭 및 높이가 0.5㎜가 되는 부품 혹은 이것 이하의 부품이다. 또한, 반도체 증폭소자가 형성되는 반도체 칩의 두께도 얇다. 따라서, 지름이 0.56㎜로 큰 공심코일은, 다른 실장부품의 탑재의 최후에 행한다.
반도체 제조장치이기도 한 벌크 피더는, 벌크 수납케이스, 호퍼, 반송레일 및 벌크공급부로 이루어지고, 벌크 수납케이스에 수용된 공심코일을 호퍼에서 일렬로 나란히 모으고, 반송레일내를 이동시켜 벌크공급부로 운반한다. 벌크공급부에 공심코일이 도달하도록 벌크공급부에서는 도시하지 않은 진공 흡인기구가 일시적으로 동작한다. 진공 흡인기구의 진공 흡인동작이 정지하는 동안, 벌크공급부의 셧터가 열리고, 노출한 공심코일 열(列)의 선두의 공심코일을 콜릿으로 유지한다.
호퍼는 원뿔대 홈(frustum concave)을 상단에 가지는 원통 모양의 가이드와, 이 가이드를 관통 중심축에 따라 벌크를 종렬상태로 일렬로 안내하는 가이드 홀을가지는 공급 샤프트로 구성되어 있다. 가이드는 상하로 진동하고, 벌크가 가이드의 원뿔대 홈에 모여지도록 하여 공급 샤프트의 가이드 홀에 들어가도록 되어 있다. 공급 샤프트는 상단에 벌크가 실려 정지하지 않도록 벽 두께가 얇게 되어 있다. 가이드가 가장 내려간 상태에서 공급 샤프트의 외주면과 가이드의 원뿔대 홈 면과의 사이에 벌크를 끼우는 간극이 발생하지 않는 위치관계로 되어 있다. 공급 샤프트의 가이드 홀내에 벌크로서의 공심코일이 횡방향으로 들어가지 않도록, 가이드 홀은 공심코일의 전체 길이보다는 짧고, 공심코일의 외형보다는 약간 큰 원형 단면의 홀로 되어 있다. 이 때문에, 공급 샤프트는 원통체로 형성되어 있다.
반송레일은 가이드 홀에 따라서 이동하는 벌크가 걸리지 않도록 이음매 없는 1개의 부재로 형성되어 있다.
벌크공급부는, 반송레일의 가이드 홀에 따라 이동해 오는 벌크를 위치 결정하여 정지시키는 스톱퍼부를 가짐과 동시에 벌크 이송방향에 따라 왕복이동 자유롭게 반송레일에 설치되는 슬라이더와, 상기 슬라이더에 대해서 벌크의 이송방향으로 왕복 이동 자유롭게 설치되고 또 가이드 홀의 상면을 개폐시키는 셧터와, 상기 반송레일과 가이드 및 셧터에 설치되고 또 상기 가이드 홀내의 벌크를 스톱퍼부로 향해서 진공 흡인에 의해 진행시키도록 하기 위한 진공 흡인기구의 일부를 구성하는 진공 흡인통로와, 상기 진공 흡인통로를 개폐하는 계폐수단을 가진다.
벌크공급부에서는, 가이드 홀 선단부 상면이 셧터에 의해 닫혀져 있는 상태로 개폐수단이 개방 동작하여 가이드 홀내의 벌크를 스톱퍼부로 향해서 전진시킨다. 다음에, 셧터가 벌크의 길이보다도 짧은 거리를 개방 동작하여 개폐수단을 폐쇄 동작시킨다. 다음에, 셧터가 슬라이더와 함께 더 개방 동작하여 선두의 벌크와 후속의 벌크와의 사이에 소정의 거리를 발생시킨다. 다음에, 셧터가 더 개방 동작하여 선두의 벌크를 노출시킨다. 이 상태로 선두의 벌크의 콜릿에 의한 진공흡착 유지가 행해진다.
상기의 수단에 의하면, (a) 공심코일은 칩 인덕터에 비교하여 직류저항(DC 저항)이 작다. 따라서, 다단 구성의 증폭시스템의 최종 증폭단에 접속하는 인덕터로서 사용한 경우, DC 손실이 낮게 되어, 손실을 적고 임피던스를 높게 할 수 있다. 이 때문에, 최종 증폭단에서 그 앞의 증폭단으로의 고주파 신호의 귀환의 저감을 달성할 수 있어, 발진 마진의 향상을 도모할 수 있다. 이 결과, RF 모듈에서 발진 마진이 개선되기 때문에, 휴대전화기의 통화 성능이 좋게 된다.
(b) 듀얼밴드 구성에 있어서, 2개의 증폭시스템으로 공급되는 전원전압은 교차 접속 구성으로 되어 있으므로, 초단 증폭단으로의 후단 증폭단(특히 최종 증폭단)에서의 누설신호의 전원라인을 통한 귀환을 억제할 수 있기 때문에 발진 마진의 개선이 가능하다. 이것은, 상기 (a)와 같은 공심코일의 사용에 의해 더 발진 마진의 향상을 도모할 수 있게 된다.
(c) 공심코일은 표면을 절연막으로 덮은 동선을 조밀하게 나선 형태로 감은 구성으로 되어 있으므로, 제조 코스트가 종래의 칩 인덕터에 비교한 1/7~1/2 정도로 저렴하다. 따라서, 최종 증폭단에 접속되는 코스트가 높은 칩 인덕터에 비교하여 코스트를 1/7 정도로 작게 할 수 있다. 다른 부분에 사용하는 칩 인덕터로 바꾸어 본 발명에 의한 공심코일을 사용하면, 그 코스트는 1/2 정도로 할 수 있다. 이것에 의해, 고주파 전력 증폭장치의 코스트의 저감을 도모할 수 있다. 따라서, 이 고주파 전력 증폭장치를 조립한 휴대전화기(무선 통신장치)의 제조 코스트의 저감도 가능하게 된다.
(d) 공심코일은 최대 바깥 지름이 0.56㎜ 정도로 되고, 길이가 0.9㎜ 정도로 되기 때문에, 종래의 폭 및 높이가 0.5㎜, 길이가 1㎜인 칩 인덕터보다도 실장 길이가 짧아지게 된다.
(e) 고주파 전력 증폭장치의 제조에서의 공심코일의 탑재(반도체 장치의 제조방법)에 있어서는, 이하와 같은 효과가 있다.
① 모듈 기판에 탑재하는 전자부품중에서, 공심코일은 가장 높이가 높지만, 다른 전자부품의 탑재 후에 실장이 행해진다. 따라서, 공심코일을 진공흡착 유지하는 콜릿이, 이미 모듈 기판에 탑재된 전자부품에 접촉하는 일이 없고, 다른 전자부품의 탑재를 손상하는 일이 없다. 이 결과, 실장 수율의 향상을 도모할 수 있다.
② 벌크 피더의 벌크공급부로 이송되어 일렬로 늘어놓은 공심코일의 선두의 공심코일을 콜릿으로 진공흡인 유지한 후, 모듈 기판의 소정 위치로 운반하고, 그 후 일시적으로 가열처리에 의해 모듈 기판과 공심코일에 미리 설치해 놓은 솔더를 녹여서 고정하지만, 벌크공급부에서는, 선두의 공심코일은 후속의 공심코일에서 떨어져 공급되기 때문에, 후속의 공심코일이 선두의 공심코일에 포개지는 혹은 걸려서 발생하는 콜릿에 의한 진공흡착 유지 미스가 없게 되어, 실장을 정화하고 확실하게 행함과 동시에, 실장 작업도 능률적으로 행할 수 있다. 따라서, 실장 불량과 기계 정지도 일어나기 어렵게 되어, 실장 코스트의 저감이 가능하게 된다.
③ 호퍼 부분에서는, 원통 모양의 공급 샤프트의 벽 두께는 얇게 되어 있으므로, 상단에 벌크가 실려 정지하지 않게 되고, 벌크공급부로의 공심코일의 공급이 확실하게 되어, 안정 공급을 행할 수 있다.
④ 호퍼 부분에서는, 가이드가 가장 내려간 상태에서 공급 샤프트의 외주면과 가이드의 원뿔대 홈 면과의 사이에 벌크를 끼우는 간극이 발생하지 않는 위치 관계로 되어 있으므로, 공급 샤프트 외주면과 가이드의 원뿔대 홈 면과의 사이에 공심코일이 끼워지는 일도 없다. 따라서, 공심코일의 변형을 방지할 수 있고, 변형한 공심코일의 실장도 없게 되어, 실장 수율의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 벌크공급부로 안정하게 공심코일을 공급할 수 있게 된다.
⑤ 공급 샤프트의 가이드 홀은 크고 또 원형 단면의 홀로 되어 있으므로, 공심코일이 가이드 홀에 막히지 않게 되어, 벌크공급부로 안정하게 공심코일을 공급할 수 있게 된다.
⑥ 반송레일은 이음매 없는 1개의 부재로 형성되어 있으므로, 공심코일이 가이드 홀의 도중에서 걸리지 않게 되어, 벌크공급부로 안정하게 공심코일을 공급할 수 있게 된다.
(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 상세히 설명한다. 또, 발명의 실시형태를 설명하기 위한 전체 도면에 있어서, 동일한 기능을 가지는 것은 동일한 부호를 붙이고, 그 반복 설명은 생략한다.
(실시형태 1)
도 1 내지 도 31은 본 발명의 일실시형태(실시형태 1)인 반도체 장치(고주파 전력 증폭장치)와 그 제조기술 및 무선 통신장치(전자장치)에 관한 도면이다.
본 실시형태 1에서는, 반도체 장치로서, 고주파 전력 증폭장치(하이브리드 집적회로장치)에 본 발명을 적용한 예에 대해서 설명한다. 본 실시형태 1의 고주파 전력 증폭장치는, 듀얼밴드용이고, 예를 들어 GSM 통신시스템과 DCS 통신시스템이 조립된 휴대전화기(무선 통신장치)에 조립하는 듀얼 밴드용의 고주파 전력 증폭장치이다.
본 실시형태 1의 고주파 전력 증폭장치(고주파 파워 앰프모듈)(1)는, 도 2에나타내는 바와 같이 외관적으로는 편평한 사각형체 구조로 되어 있다. 고주파 전력 증폭장치(1)는, 세라믹 배선판으로 이루어지는 모듈 기판(5)과, 이 모듈 기판(5)의 일면측(주면측)에 포개서 설치된 캡(cap)(6)에 의해 편평 사각형체 구조의 패키지(7)가 구성된 구조로 되어 있다. 캡(6)은, 전자실드 효과의 역할을 달성하는 금속제이고, 프레스에 의한 성형품으로 되어 있다.
도 4는, 본 실시형태 1의 고주파 전력 증폭장치의 회로 구성을 나타내는 블록도이다. 이 고주파 전력 증폭장치(1)는 외부 전극단자로서, GSM용 입력단자(PinGSM①), 컨트롤 단자(Vapc②), 전원전압(Vdd)의 한쪽의 전원전압단자(Vdd1③), GSM용 출력단자(PoutGSM④), DCS용 출력단자(PoutDCS⑤), 전원전압(Vdd)의 다른쪽의 전원전압단자(Vdd2⑥), 통신밴드 절환용단자(Vctl⑦), DCS용 입력단자(PinDCS⑧), 도시하지 않은 접지전압단자(GND)를 가지고 있다. 단자 배열은, 도 1과 같이, 모듈 기판(5)의 앞의 좌(左)에서 우(右)로 향해 단자 ①, ②, ③, ④로 늘어놓고, 후방 우(右)에서 좌(左)로 향해 단자⑤~⑧로 되어 있다.
DCS 및 GSM 모두 그 증폭시스템은 3단 증폭 구성으로 되어 있다. DCS 증폭시스템은 1st, 2nd, 3rd로 나타내는 증폭단(amp1, amp2, amp3)으로 구성되고, GSM 증폭시스템은 1st, 2nd, 3rd로 나타내는 증폭단(amp4, amp4, amp6)으로 구성되어 있다. 각 증폭단은 도시하지 않지만 실리콘 기판을 토대로 하여 형성되는 전계효과 트랜지스터(FET)에 의해 형성되어 있다.
이와 같은 구성에 있어서, PinDCS⑧은 amp1에 접속되고, PoutDCS⑤는 amp3에 접속되어 있다. 또한, PinGSM①은 amp4에 접속되고, PoutGSM④는 amp6에 접속되어있다.
Vapc②는 바이어스 회로(2)에 접속됨과 동시에, 이 Vapc②로 입력된 신호에 의해 amp1~amp6은 제어된다.
Vdd1③은, 마이크로 스트립라인(MS1)을 통해서 amp1에 접속되고, 마이크로 스트립라인(MS4)을 통해서 amp5에 접속되며, 인덕터(L2)를 통해서 amp6에 접속되어 있다. 또한, 고주파 특성의 안정화를 위해 외부에서 Vdd1③에는 일단이 GND에 접속되는 용량(C1)이 접속되어 있다.
Vdd2⑥은, 마이크로 스트립라인(MS3)을 통해서 amp4에 접속되고, 마이크로 스트립라인(MS2)을 통해서 amp2에 접속되며, 인덕터(L1)를 통해서 amp3에 접속되어 있다. 또한, 고주파 특성의 안정화를 위해 외부에서 Vdd2⑥에는 일단이 GND에 접속되는 용량(C2)이 접속되어 있다.
이와 같이, 전원전압은 2개의 단자(Vdd1③,Vdd2⑥)가 준비되고, 한쪽의 전원전압단자는 한쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 다른쪽의 증폭시스템의 2단 및 3단 증폭단에 전원전압을 공급하고, 다른쪽의 전원전압단자는 다른쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 한쪽의 증폭시스템의 2단 및 3단 증폭단에 전원전압을 공급하는, 소위 교차 접속 구성으로 되어 있으므로, 초단(初段) 증폭단으로의 후단(後段) 증폭단(특히 최종 증폭단)에서의 누설신호의 전원라인을 통한 귀환을 억제할 수 있기 때문에 발진 마진의 개선이 가능하다.
또한, 상기 L1~L3는 인덕턴스가 8nH인 것으로 직류저항이 20mΩ이 되고, 종래의 칩 인덕터의 인덕턴스가 8nH인 것으로 직류저항은 100mΩ이 되는 것에 비교해서 대폭으로 직류저항이 작은 공심코일로 형성되어 있다.
Vctl⑦은, 밴드 선택회로(3)에 접속되어 있다. 이 밴드 선택회로(3)는, 소스 접지되는 3개의 n채널형 전계효과 트랜지스터(FET)(Q8, Q9, Q10)와, 1개의 저항(R1)으로 구성되어 있다. Q8과 Q9의 게이트 단자는 Vctl⑦에 접속되어 있다. Q10의 게이트 단자는 Q9의 드레인 단자에 접속되고, 드레인 단자는 저항(R2)을 통해서 amp5의 출력측에 접속되어 있다. Q9의 드레인 단자는 저항(R1)을 통해서 Vdd2⑥에 접속되어 있다. Q8의 드레인 단자는 인덕터(L3)를 통해서 amp3의 입력측에 접속되어 있다. Vctl⑦에 공급되는 신호에 따라 밴드의 절환이 행해지고, DCS 통신을 위한 증폭 또는 GSM 통신을 위한 증폭이 행해진다.
도 1은, 예를 들어 유리 세라믹스를 적층시킨 저온 소성(燒成)의 세라믹 배선판으로 이루어지는 모듈 기판(5)의 표면에 탑재된 각 전자부품을 나타내는 평면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(5)의 표면에는 4개의 반도체 칩(8a~8d)과, 3개의 공심코일(9a~9d)과, 부호는 붙어있지 않지만 다수의 칩 저항과 칩 콘덴서가 탑재되어 있다.
모듈 기판(5)의 표면과 이면은 물론 다른 내부에도 도체가 선택적으로 형성되어 있다. 그리고, 이들 도체에 의해 배선(4)이 형성되어 있다. 이 배선(4)의 일부는, 상기 반도체 칩(8a~8d)을 고정하기 위한 탑재 패드(4a)로 되고, 칩 저항과 칩 콘덴서 등의 칩형 전자부품과 공심코일(9a~9c)의 전극을 고정하는 전극고정용 패드(4b)로 되며 혹은 반도체 칩(8a~8d)의 도시하지 않은 전극에 일단이 접속되는와이어(20)의 타단을 접속하는 와이어 본딩패드(4c) 등을 구성한다. 모듈 기판(5)의 이면에는 표면 실장형의 전극이 상기 배선(4)에 의해 형성되고, 상기 ①~⑧의 외부 전극단자가 형성되어 있다. 이들 외부 전극단자는 LGA(Land Grid Array) 구조로 되어 있다.
반도체 칩(8a~8d)은 모듈 기판(5)의 주면에 설치한 홈 바닥에 고정되어 있다. 또한, 동작시에 발열량이 큰 반도체 칩에 있어서는, 그 아래의 모듈 기판(5)에는 비아 홀(via hole)이 형성됨과 동시에, 이 비아 홀에는 상기 도체가 충전되어, 모듈 기판(5)의 이면에 열을 전달하게 되어 있다.
반도체 칩(8a~8d)에 있어서, 반도체 칩(8a)에는, DCS용의 1st와 2nd의 반도체 증폭소자가 조립되고, 반도체 칩(8d)에는 DCS용의 3rd의 반도체 증폭소자가 조립되어 있다. 또한, 반도체 칩(8c)에는, GSM용의 1st와 2nd의 반도체 증폭소자가 조립되고, 반도체 칩(8d)에는 GSM용의 3rd의 반도체 증폭소자가 조립되어 있다.
한편, 이것이 본 발명의 특징의 하나이지만, 도 4의 블록도에 나타내는 바와 같이, 고주파 전력 증폭장치(1)에서의 인덕터(L1~L3)는, 도 1에 나타내는 바와 같이 코일(공심코일(9a~9c))로 형성하고 있다.
도 3의 (b)에는, 모듈 기판(5)에 탑재된 공심코일(9a)(9)을 나타내고 있다. 공심코일(9)은, 표면이 절연막으로 피복된 인덕터부(22)와, 양단의 절연막으로 덮이지 않은 전극(23)으로 이루어진다. 이 공심코일(9)은 인덕터부(22)가 6회 감기이고, 전극(23)이 2회 감기이다. 공심코일(9)은, 그 전극(23)이 솔더(24)에 의해 모듈 기판(5)의 배선(4b)에 고정되는 것에 의해 실장되고 있다. 또, 도 3의 (a)의 공심코일(9)은 인덕터부(22)가 8회 감기이고, 전극(23)이 1회 감기인 실장 예이다.
공심코일(9)은, 일예를 든다면, 표면을 절연막(예를 들어, 폴리에틸렌막)으로 덮은 지름 0.1㎜의 동선을 나선 형태로 감은 구조로 되고, 바깥 지름은 0.56㎜, 길이는 0.9㎜이다. 나선으로 감기 전에 동선의 양단 부분의 절연막을 일정한 길이를 제거해 놓고, 그 제거 부분에 의한 권선(捲線)부분이 외부전극(23)으로 된다. 절연막으로 덮여진 부분의 권선 부분이 인덕터부(22)로 된다. 이 공심코일(9)은 그 중량도 0.00725mg로 극히 가볍다. 이 코일은, 동선을 감아서 제조하는 것이므로, 종래의 칩 인덕터(예를 들어, 전류 용량이 2.1A 정도로 인덕턴스가 8nH인 것으로 직류저항이 100mΩ이 되는 칩 인덕터)에 비교하여, 그 코스트는 1/7 정도로 낮게 된다. 또한, 전류 용량이 작은 칩 인덕터에서는, 그 코스트는 1/2 정도로 된다.
이와 같은 고주파 전력 증폭장치(1)는 이하와 같이, 발진 마진이 개선됨과 동시에, 전송 손실이 저감된다.
(1) 발진 마진 대책
도 33에 나타내는 회로에 있어서는, GSM/DCS 각 회로 체인의 전원라인을 공통으로 사용하고 있기 때문에, 3rd FET에서 누설신호가 전원라인을 통해서 1st FET로 되돌아가는 피드백 루프(feed back loop)가 형성되어, 발진을 일으키는 것이 쉽게 되어 있었다.
이것에 대해서 본 실시형태 1에 의한 도 4에서 나타내는 회로에서는, 이 피드백 루프의 영향을 개선하기 위해, 전원전압단자를 2개 설치하고(Vdd1, 2), 증폭 게인의 가장 높은 1st FET의 전원라인을 전원전압단자에서 공급하는 것으로 1stFET로의 피드백을 억제할 수 있어, 발진 마진을 개선할 수 있다.
또한, GSM 및 DCS의 증폭시스템에 있어서, 3rd FET의 전원라인 부분으로의 인덕터를 DC 저항이 작은 공심코일(9)로 형성하는 것이므로, DC 손실이 작아지게 되어, 전력 손실을 적고 임피던스를 높게 하는 것이 가능해진다. 이 결과, 3rd FET에서 2nd FET로의 RF 신호의 피드백을 저감할 수 있어, 상기 교차 접속 구성의 효과와 더불어 거듭되는 발진 마진의 향상이 가능하다.
(2) 전원라인으로의 공심코일의 적용에 의한 전송 손실의 저감
회로의 고집적화에 따른 소형 및 다기능화에 있어서 부품의 실장 밀도를 올리는 것이 필요하며, 스트립라인 등은 기판의 내층으로의 레이아웃이 필요해진다. 그러나, 전원라인의 내층으로의 레이아웃은 이하의 문제가 있다.
① 특성 임피던스의 저하에 따라 고주파 전송손실(RF손실)이 증가한다.
② RF 손실 대책으로서 스트립라인을 길게 한 경우, DC 손실이 증가한다.
③ 스트립라인을 길게 한 경우, 점유 면적이 증대하여 모듈 기판(5)의 소형화, 즉 고주파 전력 증폭장치(1)의 소형화가 방해된다.
전원라인에서의 손실은, 배선 저항분에 의한 DC 손실과 임피던스 성분에 의한 RF 손실로 대별된다. DC 손실을 저감하기 위해서는 전원라인 길이(스트립라인)를 짧게 하면 되지만, 전원라인의 임피던스가 저하하여 RF 손실이 증가해 버린다.
여기서, 전원라인에서의 손실에 대해서 설명한다.
(1) DC 손실
전원라인을 전류가 흐르는 경우, 배선 도체의 기생저항에 의해 전압 강하가생겨 FET의 드레인 단에 인가되는 전압이 내려가며, 출력 저하, 효율 저하를 일으켜버린다. 손실(DC 로스:dB)은 이하의 수학식으로 주어진다.
손실 = 10log(VddㆍIdd)-10log{[Vdd-(L/W)ㆍRsㆍIdd]ㆍIdd}
전압 강하 = (L/W)ㆍRsㆍIdd
여기서, L은 라인 길이, W는 라인 폭, Rs는 도체 저항이다.
(2) RF 손실
전원라인의 임피던스와 FET의 드레인 임피던스와의 관계에 의한 전송손실 해석에 있어서는, 시뮬레이터 MDS(Microwave Design System)을 이용하였다.
입력신호원을 FET로 한 경우, 입력을 비정합, 출력을 정합으로 하여 계산할 수 있고, FET의 전원라인의 영향이 보이는 Ga(유능 전력이득; avaiable power gain)로 계산을 행했다. Ga는 다음의 수학식으로 주어진다.
Ga = ｜S21｜2ㆍ(1-｜Γs｜2)/{1-｜S22｜2+｜Γs｜2ㆍ[(｜S11｜2-｜D｜2)-2Re(S11-DㆍS22*)]}
D = S11ㆍS22ㆍS12ㆍS21
RF 손실(dB) = 10log(Ga)
여기서, S11ㆍS12ㆍS21ㆍS22는 S 파라미터이고, S11은 입력 임피던스, S12는 아이솔레이션, S21은 전송이득, S22는 출력 임피던스, S22*는 출력 임피던스 복소 공액, Re는 실수부, Γs는 입력 반사계수이다.
전원라인의 RF 손실을 줄이기 위해서는, 도 5에 나타내는 전송라인 및 전원라인의 등가회로도에 있어서, 전원라인의 임피던스(Z2)를 크게 할 필요가 있다. 도 5에 있어서 전송라인의 입력(IN)과 출력(OUT)과의 사이에 전원라인 길이가 L이 되는 전원라인이 설치되고, 전원라인의 단부에 Vdd가 공급되도록 되어 있다. 도 5에 있어서, Z0은 전원라인 특성 임피던스, Z1은 전송라인의 전원라인 접속부 임피던스, Z2는 전원라인 임피던스, L은 전원라인 길이이다. 이와 같은 등가회로에 있어서는 다음의 수학식이 주어진다.
｜Z1｜= (a2+ b2)1/2
Z2 = Z0(ZL + jZ0tanβL)/(Z0 + jZLtanβL)
여기서, ZL(스터브(stub) 임피던스)≒0에서,
Z2 = jZ0tanβL
β = 2π/λ
이 계산 결과로부터, 스트립라인에서는 길이를 λ/4로 하면 기본파에 대해서는 전원라인 임피던스(Z2)가 오픈으로 되어 임피던스는 무한대가 되지만, 전원라인을 전송하는 신호가 단락면(바이패스 콘덴서)에서 반사하여 되돌아오고, 처음에 오픈으로 보이기 때문에 전송손실이 발생하여 손실 0으로는 되지 않는다. 따라서, 전원라인의 설계에 있어서, DC 손실과 RF 손실 양면에서 검토하여, 손실이 적게 되는 조건을 설계하지 않으면 안된다.
스트립라인의 Z2와 전원라인 손실의 관계를 도 6에 나타내지만, RF 손실과 DC 손실간에는 최적점이 존재하는 것을 안다. 즉, 주파수(f)가 900㎒, 라인 폭 (W)이 0.3㎜, 기판 t(내층)가 0.3㎜, 기판 유전율 εr이 8.1인 경우, 상기 최적점은 스트립라인의 길이는 12㎜가 된다.
그러나, 스트립라인을 기판 내층에 배치한 경우, 전송 손실이 약 0.4dB로 크고 전력 효율이 저하하여 버리는 문제점이 있다.
전원라인에 칩 인덕터 및 공심코일을 사용한 경우의 전송 손실을 도 7 및 도 8에 나타낸다. 칩 인덕터에서는 내층 스트립라인에 비해 전송 손실을 약 1/4 정도로 저감할 수 있고, 또 공심코일에서는 칩 인덕터에 비해 DC 손실을 약 /12 정도로 저감할 수 있다. 공심코일과 칩 인덕터와의 DC 저항의 비교를 도 9에 나타낸다. 공심코일에 적용하는 손실의 저감은 전력 효율로 환산하면 내층(內層) 스트립라인에 비해 약 +5%의 향상에 상당한다.
다음에, 고주파 전력 증폭장치(1)를 조립한 휴대전화기(전자장치)에 대해서설명한다. 도 10은 본 실시형태 1의 고주파 전력 증폭장치(1)가 조립된 휴대전화기(무선 통신장치)의 시스템 구성을 나타내는 블록도이다. 구체적으로는, 휴대전화기(이동체 통신단말)의 시스템 구성을 나타내는 것이다.
도 10은 듀얼밴드 무선통신기의 일부를 나타내는 블록도이고, 고주파 신호처리 IC(RFlinear)(50)에서 안테나(Antenna)(51)까지의 부분을 나타낸다. 또, 도 10에서는, 고주파 전력 증폭장치의 증폭시스템은 GSM용의 증폭시스템과, DCS용의 증폭시스템 2개를 구분하여 나타내고 있고, 그 증폭시스템을 PA(파워 앰프)(58a, 58b)로서 나타내고 있다.
안테나(51)는 안테나 송수신 절환기(52)의 안테나 단자(antena)에 접속되어 있다. 안테나 송수신 절환기(52)는 PA(58a, 58b)의 출력을 입력하는 단자(Pout1, Pout2)와, 수신단자(RX1, RX2)와, 제어단자(control1, control2)를 가지고 있다.
고주파 신호처리 IC(50)에서 GSM용의 신호는 PA(58a)로 보내져, Pout1로 출력된다. PA(58a)의 출력은 커플러(54a)에 의해 검출되고, 이 검출신호는 자동출력 제어회로(APC 회로)(53)로 피드백된다. APC 회로(53)는 상기 검출신호를 기초로 동작하여 PA(58a)를 제어한다.
또한, 동일한 형태로 고주파 신호처리 IC(50)에서 DCS용의 신호는 PA(58b)로 보내져, Pout2로 출력된다. PA(58b)의 출력은 커플러(54b)에 의해 검출되고, 이 검출신호는 자동출력 제어회로(APC 회로)(53)로 피드백된다. APC 회로(53)는 상기 검출신호를 기초로 동작하여 PA(58b)를 제어한다.
안테나 송수신 절환기(52)는 듀플렉서(55)를 가지고 있다. 이 듀플렉서(55)는 단자를 가지고, 1단자는 상기 안테나(Antena)에 접속되고, 다른 2단자내의 한쪽은 GSM용의 송신수신 절환스위치(56a)에 접속되며, 다른쪽은 DCS영의 송신수신 절환스위치(56b)에 접속되어 있다.
송신수신 절환스위치(56a)의 a 접점은 필터(57a)를 통해서 Pout1에 접속되어 있다. 송신수신 절환스위치(56b)의 b 접점은 용량(C1)을 통해서 수신단자(RX1)에 접속되어 있다. 송신수신 절환스위치(56a)는 제어단자(control1)로 입력되는 제어신호에 의해 a 접점 또는 b 접점과의 전기적 접속의 절환이 행해진다.
또한, 송신수신 절환스위치(56b)의 a 접점은 필터(57b)를 통해서 Pout2에 접속되어 있다. 송신수신 절환스위치(56b)의 b 접점은 용량(C2)을 통해서 수신단자(RX2)에 접속되어 있다. 송신수신 절환스위치(56b)는 제어단자(control2)로 입력되는 제어신호에 의해 a 접점 또는 b 접점과의 전기적 접속의 절환이 행해진다.
수신단자(RX1)와 고주파 신호처리 IC(50)와의 사이에는, 필터(60a)와 저잡음앰프(LNA)(61a)가 순차 접속되어 있다. 또한, 수신단자(RX2)와 고주파 신호처리 IC(50)와의 사이에는, 필터(60b)와 저잡음앰프(LNA)(61b)가 순차 접속되어 있다.
이 무선통신기에 의해 GSM 통신 및 DCS 통신이 가능해진다.
다음에, 고주파 전력 증폭장치(1)의 제조에서의 공심코일(9)의 실장기술에 대해서 설명한다. 공심코일(9)의 실장에 있어서는, 도 11에 나타내는 것과 같은 반도체 제조장치이기도 한 벌크 피더(21)가 사용된다. 본 실시형태 1의 벌크 피더(21)는, 도 34에 나타내는 벌크 피더를 개량하여 공심코일(9)의 안정 공급이가능하도록 한 것이다.
벌크 피더(21)는, 벌크 수납케이스(10), 호퍼(11), 반송레일(13), 벌크공급부(12)를 가지는 점에서는 종래 제품과 동일하지만, 공심코일을 안정하게 공급하기 위해, ① 호퍼(11)부분에서는, 공급 샤프트(18)상에서 공심코일(9)의 정지 억제, 공급 샤프트(18)와 원뿔대 홈(15)과의 사이로의 공심코일(9)의 말려 들어감 억제, 공급 샤프트(18)의 가이드 홀(17)에서의 공심코일(9)의 막힘 억제를 각각 달성하기 위한 개량을 행했다.
② 또한, 반송레일(13)에서는 이음매 부분에서의 공심코일(9)의 걸림을 없애기 위해 단일 부재로 가이드 홀(17)을 형성하였다.
③ 또한, 벌크공급부(12)에서는, 종렬상태로 일렬로 늘어놓고 진행하는 공심코일(9)의 선두의 공심코일(9)과 후속의 2번째 공심코일(9)과의 단부 부분의 얽힘을 해소하기 위해, 콜릿(32)으로 공심코일(9)을 유지하는 앞의 단계에서 선두의 공심코일(9)을 후속의 공심코일(9)에서 떼어 놓는 수단을 도입하였다.
이와 같은 벌크 피더(21)를 이용하는 공심코일(9)의 실장(반도체 장치의 제조방법)은, 도 11에 나타내는 바와 같이, 이동 암(33)의 선단에 설치된 콜릿(32)을 벌크공급부(12)와 모듈 기판(5)을 얹어 놓는 테이블(34)과의 사이를 화살표로 나타내는 바와 같이 이동시켜 공심코일(9)의 실장을 행한다. 이 경우, 후술하는 기구의 것과, 선두의 공심코일(9)을 후속의 공심코일(9)에서 떼어 놓은 후 콜릿(32)으로 공심코일(9)을 진공흡착 유지한다.
또한, 이 공심코일(9)의 실장은, 공심코일(9)보다도 실장 높이가 낮은 칩 저항과 칩 콘덴서 등 다른 전자부품의 탑재 후에 행한다. 이것은, 먼저 공심코일(9)의 실장을 행해버리면, 공심코일(9)의 실장 높이보다도 낮은 전자부품의 실장시, 콜릿이 실장된 공심코일(9)에 접촉하는 경우도 있다. 이 접촉에 의해, 예를 들어, 공심코일(9)의 전극(23)과 전극고정용 패드(4b)를 접속하는 솔더(24)부분에 크랙이 발생하거나 혹은 분단(分斷)이 발생하거나 한다. 이와 같은 일이 일어나지 않도록 하기 위함이다.
도 12의 (a)~(c)는 공심코일(9)의 실장상태를 나타내는 모식도이다. 벌크 피더(21)의 벌크공급부(12)에서 공급되는 공심코일(9)을, 콜릿(32)의 하단의 흡착면에 진공흡착 유지한 후, 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이 모듈 기판(5)의 공심코일의 설치 위치까지 운반한다. 또, 콜릿(32)의 흡착면은 원통 형상의 공심코일의 외주(外周)에 대응하도록 원호(圓弧) 형상 단면을 한 흡착면으로 되어 있다.
다음에, 도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(5)의 한쌍의 전극고정용 패드(4b)상에 공심코일(9)의 한쌍의 전극(23)이 각각 포개지도록, 위치 결정하여 공심코일(9)을 모듈 기판(5)상에 얹어 놓는다.
다음에, 리플로우에 의해 전극고정용 패드(4b)상에 미리 설치한 솔더(24)를 일시적으로 녹여서 전극(23)을 솔더(24)상에 고정하고, 도 12의 (c)에 나타내는 바와 같이 실장을 완료한다.
다음에, 도 11 내지 도 25를 참조하면서 벌크 피더(21)에 대해서 설명한다. 도 11 내지 다른 도면도 일부를 생략하여, 간략화 한 도면이고, 이하에 있어서는 종래의 벌크 피더의 개량 부분만을 주로 설명하는 것으로 한다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태 1의 벌크 피더(21)는 벌크를 수용하는 벌크 수납케이스(10)와, 이 벌크 수납케이스(10)의 하부에 설치된 호퍼(11)와, 이 호퍼(11)에서 받아 들인 벌크를 선단의 벌크공급부(12)까지 안내하는 반송레일(13)을 가진다.
벌크 수납케이스(10)는 박형 박스 구조로 되어 그 내부 바닥은 양측에서 중앙으로 향해 벌크를 모으는 경사체(14)로 되어 있다. 이 경사체(14)의 중심에는, 그 중심 부분을 상하로 관통하도록 호퍼(11)가 배치되어 있다. 이 호퍼(11)는 경사체(14)의 내부 바닥 부분에 모여진 벌크를 종렬 상태로 일렬로 늘어놓은 벌크 수납케이스(10)에서 꺼내는 구조로 되어 있다. 본 실시형태 1에서는 공심코일을 벌크로서 공급하는 예에 대해서 설명한다.
호퍼(11)는, 도 13 및 도 14에 나타내는 바와 같이, 상단에 원뿔대 홈(15)을 가지는 가이드(16)와, 이 가이드 홈(16)을 관통 중심축에 따라 공심코일(9)을 종렬상태(앞으로 진행하는 공심코일(9)의 후단인 전극에 후속의 공심코일(9)의 전단인 전극이 접촉하도록 늘어놓은 상태)로 일렬로 하여 안내하는 가이드 홀(17)을 가지는 공급 샤프트(18)로 구성되어 있다. 공급 샤프트(18)는 원통체로 형성되고, 중앙에 원형 단면의 가이드 홀(17)을 가지고 있다. 공심코일(9)은 최대 외형이 0.56㎜으로 되고, 길이가 0.9㎜로 되어 있다.
그래서, 본 실시형태 1에서는, 가이드 홀(17)내에서 공심코일이 횡방향으로 들어가 막히지 않도록 하기 위해, 가이드 홀(17)의 지름은 공심코일(9)의 길이 0.9㎜보다도 지름이 작고, 공심코일(9)의 최대 외형의 0.56㎜보다도 큰 치수로 되어있다. 예를 들어, 가이드 홀(17)은 0.68㎜로 되어 있다. 이것에 의해, 가이드 홀(17)에 공심코일(9)이 횡방향으로 막히는 일이 없게 된다.
또한, 도 13에 나타내는 바와 같이, 가이드(16)는, 예를 들어 공심코일(9)의 길이(0.9㎜)의 3배의 스트로크를 상하로 진동하여, 벌크 수납케이스(10)내의 공심코일(9)을 원뿔대 홈(15)의 중심으로 안내한다. 이 진동에 있어서, 공급 샤프트(18)의 상단은 공급 샤프트(18)의 원뿔대 홈(15)내에만 돌출하지 않는 구조로 되어 있다. 도면에서는, 가이드(16)가 하사(下死)점(bottom dead center)에 있는 상태에서 원뿔대 홈(15)의 바닥에 공급 샤프트(18)의 상단이 일치하도록 되어 있다.
이것에 의해, 종래와 같이 공급 샤프트(18)의 외주면과 원뿔대 홈(15)의 면과의 사이에 공심코일(9)을 끼워 넣는 현상이 일어나지 않고, 끼워 넣는 것에 의한 잡아당김에 의한 공심코일(9)의 변형과 장치의 고장이 일어나지 않게 된다.
도 15는 반송레일(13)의 확대 모식도이다. 반송레일(13)에도 상기 공급 샤프트(18)의 가이드 홀(17)에 연속해 있는 가이드 홀(17a)이 설치되어 있다. 이 가이드 홀(17a)은 도 15에서는 모식적으로 기재하고 있지만, 소정의 부재에 홈을 설치함과 동시에, 이 홈을 막는 것으로 가이드 홀(17a)을 형성하고 있다. 또한, 반송레일(13)의 선단은 벌크공급부(12)로 되어 있다. 그리고, 공급 샤프트(18)에서 벌크공급부(12)에 이르는 가이드 홀(17a)은, 단일 부재로 형성되어 있다. 반송레일(13)은 복수의 부재를 조합하여 형성되어 있다. 이들 부재에 대한 설명은 생략하지만, 예를 들어 부재의 조합은 도 16에 나타내는 바와 같이 되어 있다. 또한, 도 16에는진공 흡인통로가 파이프로 형성되어 있지만, 이것도 생략하고 있다.
본 실시형태 1의 벌크 피더(21)에 의하면, 반송레일(13)의 도중에 공심코일(9)이 걸리는 이음매가 없으므로, 가이드 홀(17a)에 의해 공심코일(9)은 원활하게 벌크공급부(12)로 이송된다. 이 이송은 도시하지 않는 진공 흡인기구에 의해 행해진다. 반송레일(13)의 좌단에는 진공 흡인기구에 연결되는 파이프(35)가 설치되어 있다. 이 파이프(35)는 반송레일(13)을 구성하는 반송레일 본체(25)의 하부 내부를 통해서 벌크공급부(12)로 연장되고, 후술하는 진공 흡인통로에 연결하여 통하도록 되어 있다. 그리고, 벌크공급부(12)측에서 진공 흡인하여 공심코일(9)을 벌크공급부(12)측으로 이송시킨다. 따라서, 각 공심코일(9)은 진공 흡인에 의한 이송 때문에, 전후의 공심코일(9)은 강하게 접촉하여, 상호의 단부가 얽히는 원인으로도 된다.
도 15 내지 도 17에는, 가이드 홀(17a)의 일부에서는 통과하는 공심코일(9)을 검출하기 위한, 발광소자(36)와, 그 발광소자(36)에서 발광되는 광(37)을 수광하는 수광소자(38)가 설치되어 있다. 이 센서 위치까지 공심코일(9)이 가득차게 되면 호퍼의 승강(昇降)이 정지하고, 코일이 공급 샤프트로 들어가지 않는 상태가 된다.
벌크공급부(12)는, 도 18에 나타내는 바와 같은 구조로 되어, 도 18 내지 도 25에서 나타내는 것과 같은 동작을 한다. 벌크공급부(12)는, 도 18에 나타내는 바와 같이, 반송레일(13)의 선단측에서는 반송레일 본체(25)의 선단 상면측은 일단 낮은 홈을 가진다. 그리고, 이 홈에 슬라이더(26)가 공심코일(9)의 이송방향에 따라 왕복이동 가능하게 설치되어 있다. 그 왕복이동의 스트로크는, 예를 들어 공심코일(9)의 길이의 약 절반(0.5st)으로 되어 있다(도 23 참조).
공심코일(9)을 안내하는 가이드 홀(17a)은 상기 슬라이더(26)의 좌단까지 연장되어 있다. 또한, 도 19에 나타내는 바와 같이, 슬라이더(26)의 좌단에는, 공심코일(9)이 1개 들어가는 수납(receptacle)부(40)가 설치되어 있다. 이 수납부(40)의 일단, 즉 가이드 홀(17a)의 단부에서 멀어지는 우단(右端)에는 스톱퍼부(28)가 설치되고, 가이드 홀(17a)의 단부에 가까운 좌단(左端)은 돌출부(41)가 설치되어 있다.
스톱퍼부(28)는 가이드 홀(17a)내를 전진해와서 수납부(40)내에 빠져들어간 선두의 공심코일(9)의 전단 위치를 결정하는 기준면을 가진다. 또한, 돌출부(41)는, 상술한 바와 같이 슬라이더(26)가 가이드 홀(17a)의 단부에서 떨어지는 방향으로 이동(전진)할 때, 선두의 공심코일(9)을 확실하게 전진시키는 것과 같은 후원을 하는 역할로 되어 있다(돌출부(41)에 대해서는 도 23 참조).
슬라이더(26)에 있어서, 스톰퍼부(28)는 공심코일(9)의 전단의 상측에 접촉하도록 되고, 그 하부는 부분적으로 개방되는 공간으로 되어 있다. 이 공간 부분은, 공심코일(9)을 진공 흡착하여 스톱퍼부(28)에 접촉시키기 위한 진공 흡인통로(30a)를 형성한다.
본 실시형태 1에서는, 선두의 공심코일(9)을 진행방향에 교차하는 방향으로 이동시키는 것에 의해, 선두의 공심코일(9)을 후속의 공심코일(9)에서 떨어뜨려 양자의 얽힘을 끊는다는 사상으로부터, 가이드 홀(17a)을 1단(段) 낮게 하는 구성을채용하고 있다. 또한, 선두의 공심코일(9)을 후속의 공심코일(9)에서 떨어뜨려 양자의 얽힘을 끊는다는 사상으로부터, 슬라이더(26)를 0.5st 전단(前端)시키는 구성을 채용하고 있다.
따라서, 선두의 공심코일(9)을 후속의 공심코일(9)에서 떨어뜨려 양자의 얽힘을 끊는다는 사상에 의하면, 돌출부(41)를 설치하지 않고, 수납부(40)는 가이드 홀(17a)의 연장선상에 그대로 설치하고, 또 스톱퍼부(28)만을 가지는 구성이라도 된다. 즉, 가이드 홀(17a)의 바닥면과 수납부(40)의 공심코일(9)을 지탱하는 면은 동일한 평면에 있다. 이것도 본 발명의 다른 구성이다.
본 실시형태 1에서는, 수납부(40)가 가이드 홀(17a)의 높이보다 1단 낮게 되어 있으므로, 수납부(40)까지 진공 흡인에 의해 전진하는 선두의 공심코일(9)은, 수납부(40)내에 낙하하고, 전단이 스톱퍼부(28)에 접촉하여 위치 결정이 행해진다. 이것에 의해, 선두의 공심코일(9)은 후속의 공심코일(9)에 의해 떨어진다.
슬라이더(26)는 프레임 구조로 되어 있지만, 이 슬라이더(26)의 프레임내 및 상면에 걸쳐 셧터(31)가 설치되어 있다. 슬라이더(26)의 프레임내에 들어간 셧터 부분과, 이 셧터 부분과의 사이에는 스프링(42)이 설치되어, 상시 셧터(31)를 가이드 홀(17a)의 단부측으로 그 스프링(42)의 탄력을 이용하여 억누르도록 되어 있다.
셧터(31)의 좌단의 부분은, 가이드 홀(17a)의 선단 상측을 막도록 되어 있다. 따라서, 셧터(31)가 우측으로 이동(전진)한 경우, 가이드 홀(17a)의 선단측의 수개의 공심코일(9)은 노출하도록 됨과 동시에, 그 전진 길이에 따라서는 슬라이더(26)의 수납부(40)상의 공심코일(9)(선두의 공심코일(9))도 노출시키게 된다.
셧터(31) 및 반송레일 본체(25)에도 진공 흡인통로(30b, 30c, 30d, 30e)가 설치되어 있다. 진공 흡인통로(30d)는 원형 단면의 홀로 되고, 이 홀에는 반송레일 본체(25)의 홈 바닥을 구르는 구체(球體)(43)가 들어가고, 홀, 즉 진공 흡인통로(30d)를 막을 수 있게 되어 있다. 도 18 및 도 19에 나타내는 바와 같이, 셧터(31)가 후퇴하여 좌단에 가장 접근한 경우, 셧터(31)에 설치된 구체(球體)제어면(44)으로 구체(43)를 좌측으로 이동(후퇴)시키기 위해, 구체(43)는 홀에서 빠져 진공 흡인상태가 된다. 동도에서 굵은 선 화살표는 진공 흡인하기 위한 공기의 흐름을 나타낸다.
도 20 및 도 21에 나타내는 바와 같이, 셧터(31)가 우측으로 0.5st 이동(전진)한 경우, 상기 구체제어면(44)은 홀에서 우측으로 빠지기 때문에, 진공흡인력으로 구체(43)는 이동하여 일부는 홀내에 들어가서, 진공 흡인통로(30d)를 막아, 진공 흡인동작을 정지시키게 된다. 진공 흡인동작이 정지하면, 공심코일(9) 상호간의 진공 흡인에 의한 밀착력은 해소한다. 또, 진공 흡인통로(30e)는 진공 흡인기구의 파이프(35)에 연결된다. 그리고, 진공 흡인에 의해, 후속의 공심코일(9)도 가이드 홀(17)내에 일렬로 늘어놓게 된다.
다음에, 이와 같은 벌크공급부(12)에서의 공심코일(9)의 공급방법에 대해서 설명한다. 공심코일(9)의 공급개시 상태에서는, 도 18 및 그 확대도인 도 19에 나타내는 바와 같이, 슬라이더(26)도 셧터(31)도 모두 좌측으로 이동한 후퇴상태에 있다. 이 상태에서는, 굵은 선 화살표로 나타내는 바와 같이 진공 흡인이 행해지고, 가이드 홀(17a)내의 공심코일(9)은 선두의 공심코일(9)이 스톱퍼부(28)에 접촉하는 상태로 종렬상태로 1열로 늘어놓는다. 도면에서는 이하의 도면에서도 동일한 형태이지만, 공심코일(9)을 선두에서 3개 나타내는 것으로 한다. 선두(先頭)의 공심코일(9)은 수납부(40)내에 들어가, 도 19에 나타내는 바와 같이 선두의 공심코일(9)과 후속의 공심코일(9)은 얽힘이 분리된 상태가 된다.
다음에, 도 20 및 그 확대도인 도 21에 나타내는 바와 같이, 화살표로 나타내는 바와 같이 우측으로 향해 진공흡인 정지를 위해 전진한다. 이 진공흡인 정지를 위한 전진 길이는, 공심코일(9)의 길이의 약 절반, 즉 0.5st가 된다. 셧터(31)가 전진하는 것이므로, 구체(43)는 구체제어면(44)의 제어에서 벗어나 자유롭게 되고, 진공흡인력에 의해 굴러서(轉動), 진공 흡인통로(30d)를 막는다. 이때, 셧터(31)의 좌단과, 가이드 홀(17a)을 덮는 반송레일 본체(25)부분의 단부, 즉 개구단(46)과의 사이의 간극은 0.5st로 되어, 숨겨져 있던 공심코일(9)의 상면측이 일부 노출하는 상태가 된다. 그러나, 수납부(40)상의 공심코일(9)은 셧터(31)에 의해 막혀져 있다.
다음에, 도 22 및 그 확대도인 도 23에 나타내는 바와 같이, 화살표로 나타내는 바와 같이 우측으로 향해 슬라이더(26)가 전진한다. 이 전진 길이는, 공심코일(9)의 길이의 절반, 약 0.5st가 된다. 셧터(31)는 슬라이더(26)에 실린 상태이므로, 셧터(31)도 0.5st 이동하고, 셧터(31)의 좌단과, 가이드 홀(17a)을 덮은 반송레일 본체(25) 부분의 단부, 즉 개구단(46)과의 사이의 간극은 1st로 된다. 슬라이더(26)가 이동하여도 진공흡인이 정지되어 있으므로, 선두의 공심코일(9)은 독립반송분 전진하고, 후속(2번째)의 공심코일(9)은 그대로 가이드 홀(17a)내에 잔류한다. 이것에 의해, 선두의 공심코일(9)과 후속의 공심코일(9)은 완전히 분리되게 된다. 이 상태에 있어서도 수납부(40) 위의 선두의 공심코일(9)은 셧터(31)에 의해 막혀져 있다.
다음에, 도 24 및 그 확대도인 도 25에 나타내는 바와 같이, 화살표로 나타내는 바와 같이, 우측으로 향해 셧터(31)가 전진한다. 이 전진은 셧터(31)에 의해 막혀져 있는 수납부(40)상의 선두의 공심코일(9)을 노출시키기 위한 전진으로서, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 셧터(31)의 좌단과 상기 개구부(46)와의 사이의 간극이 3st가 되도록 전진한다.
이와 같은 상태로 되면, 콜릿(32)이 이동해와서, 수납부(40) 위의 공심코일(9)을 진공흡착 유지한다. 이 경우, 공심코일(9)은 다른 공심코일(9)과 얽혀져 있지 않기 때문에, 정확하고 확실하게 콜릿(32)에 유지되게 된다. 콜릿(32)은, 도 11 및 도 12의 (a)~(c)에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(5)상에 공심코일(9)을 운반하여 공급하게 된다.
도 26 및 도 27은 본 실시형태 1의 벌크 피더를 이용해서 모듈 기판(5)에 탑재한 다른 구조의 공심코일(9)을 나타내는 것이다. 그리고, 이 탑재한 공심코일(9)은, 도 28 내지 도 30에 나타내는 바와 같이 되어 있다. 도 29에 나타내는 바와 같이 동선(銅線)(47)의 일부 표면에 폴리에틸렌 등으로 이루어지는 절연막(48)을 피복한 선재(線材)를 각 권선부분이 상호 접촉하도록 조밀하게 나선 형태로 감은 것이다. 도 30에 나타내는 바와 같이, 동선(47)의 지름(a)은 예를 들어 0.1㎜이고,코일의 안지름(d)은 예를 들어 0.3㎜이다. 이 결과, 코일의 최대 지름(D)은 예를 들어 0.56㎜가 된다. 또한, 코일 단부의 권선부분의 코일의 최대 지름(D)에서 돌출하는 부분의 길이(α)는 0~30㎛ 정도이다. 또, 도 29에 나타내는 바와 같이, 공심코일(9)의 길이(전체 길이)(L)는 0.8㎜ 정도이다.
이 공심코일(9)은 3회 감은 부분으로 인덕터부(22)를 형성하고, 그 양단의 전극(23)은 2회 감은 정도로 되어 있다. 인덕턴스를 바꾸는 혹은 전극의 접속 길이를 바꾸기 위해서는, 각각의 권수를 바꾸면 된다. 도 31의 (a), (b)는 인덕터부(22)가 2회 감기(wind)와 1회 감기로 이루어진 공심코일(9)의 예를 나타내는 도면이다.
본 실시형태 1에 의하면, 이하의 효과를 가진다.
(1) 공심코일(9)은 칩 인덕터에 비교하여 직류저항(DC 저항)이 작다. 따라서, 다단 구성의 증폭시스템의 최종 증폭단에 접속하는 인덕터로서 사용한 경우, DC 손실이 낮게 되어, 손실을 적고 임피던스를 높일 수 있다. 이 때문에, 최종 증폭단에서 그 앞의 증폭단으로의 고주파신호의 귀환의 저감을 달성할 수 있어, 발진 마진의 향상을 도모할 수 있다. 발진 마진이 개선되는 본 실시형태 1의 고주파 전력 증폭장치를 조립한 휴대전화기는 통화 성능이 좋게 된다. 본 실시형태 1의 코일을 이용한 경우, 예를 들어, 일예를 든다면, 전원라인의 손실에 대한 특성으로의 영향은 손실 0.1dB의 개선에 대해서, 출력은 +0.1dB, 전력효율은 약 +1% 향상한다.
(2) 듀얼밴드 구성에 있어서, 2개의 증폭시스템에 공급되는 전원전압은 교차 접속구성으로 되어 있는 것이므로, 초단 증폭단으로의 후단 증폭단(특히 최종 증폭단)에서의 누설신호의 전원라인을 통한 귀환을 억제할 수 있기 때문에 발진 마진의 개선이 가능하다. 이것은, 상기 (1)과 같은 공심코일의 사용에 의해 더 발진 마진의 향상을 도모할 수 있게 된다.
(3) 공심코일(9)은 표면을 절연막(48)으로 덮은 동선(47)을 조밀하게 나선 형태로 감은 구성으로 되어 있는 것이므로, 제조 코스트가 종래의 칩 인덕터에 비교한 1/7~1/2로 저렴하다. 따라서, 최종 증폭단에 접속되는 코스트가 높은 칩 인덕터에 비교하여 코스트를 1/7로 작게 할 수 있다. 다른 부분에 사용하는 칩 인덕터로 바꾸어 본 발명에 의한 공심코일을 사용하면, 그 코스트는 1/2로 할 수 있다. 이것에 의해, 고주파 전력 증폭장치의 코스트의 저감을 도모할 수 있다. 따라서, 이 고주파 전력 증폭장치를 조립한 휴대전화기(무선 통신장치)의 제조 코스트의 저감도 가능하게 된다.
(4) 공심코일(9)은 최대 바깥 지름이 0.56㎜ 정도로 되고, 길이가 0.9㎜ 정도로 되기 때문에, 종래의 폭 및 높이가 0.5㎜, 길이가 1㎜인 칩 인덕터보다도 실장 길이가 짧아지게 된다.
(5) 고주파 전력 증폭장치의 제조에서의 벌크 피더(21)를 이용한 공심코일(9)의 탑재에 있어서는, 이하와 같은 효과가 있다.
① 모듈 기판(5)에 탑재하는 전자부품중에서, 공심코일(9)은 가장 높이가 높지만, 다른 전자부품의 탑재 후에 실장이 행해진다. 따라서, 공심코일(9)을 진공흡착 유지하는 콜릿(32)이, 이미 모듈 기판(5)에 탑재된 전자부품에 접촉하는 일이 없어, 다른 전자부품의 탑재를 손상하는 일이 없다. 이 결과, 실장 수율의 향상을도모할 수 있다.
② 벌크 피더(21)의 벌크공급부(12)로 이송되어 일렬로 늘어놓는 공심코일(9)의 선두의 공심코일(9)을 콜릿(32)으로 진공흡착 유지한 후, 모듈 기판(5)의 소정 위치로 운반하고, 그 후 일시적인 가열처리에 의해 모듈 기판(5)과 공심코일(9)에 미리 설치해 놓은 솔더(24)를 녹여서 고정하지만, 벌크공급부에서는, 선두의 공심코일(9)은 후속의 공심코일(9)에서 떨어져 공급되기 때문에, 후속의 공심코일(9)이 선두의 공심코일(9)에 걸려서 발생하는 콜릿(32)에 의한 진공흡착 유지미스가 없게 되어, 실장이 정확하고 확실하게 탑재가 행해짐과 동시에, 탑재작업도 능률적으로 행할 수 있다. 따라서, 탑재 불량과 기계 정지도 일어나기 어렵게 되어, 탑재 코스트의 저감이 가능하게 된다.
③ 호퍼 부분에서는, 원통 모양의 공급 샤프트(18)의 두께가 얇게 되어 있으므로, 상단에 공심코일(9)(벌크)이 실려 정지하지 않게 되어, 벌크공급부로의 공심코일(9)의 공급이 확실하게 된다.
④ 호퍼 부분에서는 가이드(16)가 가장 내려간 상태에서 공급 샤프트(18)의 외주면과 가이드(16)의 원뿔대 홈(15)과의 사이에 벌크를 끼우는 공간이 발생하지 않는 위치관계로 되어 있는 것이므로, 공급 샤프트 외주면과 가이드(16)의 원뿔대 홈(15)과의 사이에 공심코일(9)이 끼워지는 일도 없다. 따라서, 공심코일(9)의 변형을 방지할 수 있어, 변형한 공심코일(9)의 실장도 없게 되어, 실장 효율의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 벌크공급부로 안정하게 공심코일(9)을 공급할 수 있게 된다.
⑤ 공급 샤프트(18)의 가이드 홀(17)은 크고 또 원형 단면의 홀로 되어 있는 것이므로, 공심코일(9)이 가이드 홀(17)을 막지 않도록 되어, 벌크공급부로 안정하게 공심코일(9)을 공급할 수 있게 된다.
⑥ 반송레일(13)은 이음매 없는 1개의 부재로 형성되어 있으므로, 공심코일(9)이 가이드 홀(17a)의 도중에서 걸리지 않게 되어, 벌크공급부로 안정하게 공심코일(9)을 공급할 수 있게 된다.
⑦ 벌크 피더(21)의 벌크공급부(12)에 있어서는, 가이드 홀(17a)내를 이동하는 선두의 공심코일(9)은, 슬라이더(26)의 수납부(40)내로 들어가는 것과, 슬라이더(26)가 후속의 공심코일(9)에서 선두의 공심코일(9)을 분리하도록 동작한 후, 셧터(31)가 열려서 선두의 공심코일(9)을 공급 태세(態勢)로 하는 것이므로, 선두의 공심코일(9)은 정확하고 확실하게 콜릿(32)에 진공흡착 유지된다. 따라서, 공심코일(9)의 정확하고 확실한 탑재(실장)를 행할 수 있게 된다.
⑧ 상기 ① 내지 ⑦에 의해, 본 실시형태 1의 벌크 피더(21)의 사용 등에 의해 공심코일(9)을 시작으로 하는 전자부품의 탑재를 안정하게 행할 수 있게 된다.
(6) 고주파 특성이 우수하고, 출력 및 효율의 향상을 도모할 수 있고, 또 제조 코스트의 저감을 달성할 수 있는 고주파 전력 증폭장치(하이브리드 집적회로장치) 및 그 고주파 전력 증폭장치(하이브리드 집적회로장치)를 조립한 휴대전화기(전자장치)를 제공할 수 있다. 또한, 고주파 전력 증폭장치는 발진 마진이 개선되기 때문에, 휴대전화기의 통화 성능이 양호하게 된다.
(7) 직류저항이 작은 공심코일을 실장한 고주파 전력 증폭장치(하이브리드집적회로장치) 및 그 고주파 전력 증폭장치(하이브리드 집적회로장치)를 조립한 휴대전화기(전자장치)를 제공할 수 있다.
(8) 공심코일(9) 등의 벌크를 배선 기판에 정확하고 확실하게 실장하는 벌크 피더(21)를 제공할 수 있다.
또, 본 발명에 의한 벌크 피더는, 공심코일 이외에 공심코일과 같이 이송중인 전후의 물품이 얽히는 구성인 것의 공급이 가능하다. 또한, 당연하게 칩 저항과 칩 콘덴서 등의 칩 부품 등도 공급할 수 있다.
(실시형태 2)
도 32는 본 발명의 다른 실시형태(실시형태 2)인 벌크 피더(21) 부분을 나타내는 모식도이다. 동도에 나타내는 바와 같이, 파이프(35)에 연결되어 통하는 에어공급로(49)를 설치한다. 이 에어공급로(49)는 공급 샤프트(18)의 가이드 홀(17)에 연결되어 통한다. 그리고, 도 32에 나타내는 바와 같이, 에어 가이드 홀(17)내로 보내준다. 이것에 의해, 가이드 홀(17)내에 공심코일(9)이 막힌 경우, 용이하게 그 막힘을 해소할 수 있다.
(실시형태 3)
도 45 내지 도 54는 본 발명의 다른 실시형태(실시형태 3)인 고주파 전력 증폭모듈의 제조에 관한 도면이다.
본 실시형태 3은, 모듈 기판에 코일(공심코일)을 위치 어긋남(deviation)을 일으키지 않고 탑재할 수 있는 기술에 관한 것이다.
공심코일의 탑재에 있어서는, 공심코일의 양단의 전극을 모듈 기판의 전극고정용 패드상에 각각 포개지고, 그 후 전극고정용 패드의 표면에 미리 도포한 솔더를 리플로우 하여 전극부분을 전극고정용 패드에 고정하지만, 이 고정시, 도 52의 (c)에 나타내는 바와 같이 공심코일(9)이 위치 어긋남을 일으키는 불량 현상이 발생하는 것을 알았다. 모듈 기판(5)의 표면에 설치된 전극고정용 패드(4b)에 대해서, 공심코일(9)의 전극(23)을 올바르게 포개도, 그 후의 리플로우에 있어서 어긋남이 발생하고, 도 52의 (c)에 나타내는 바와 같이, 전극(23)이 전극고정용 패드(4b)에서 어긋나버린다. 어긋남의 양이 코일 지름의 1/3 이상에도 이르는 것은 7%에도 이른다. 이 공심코일(9)은 양단의 2회 감긴 부분이 전극(23)으로 되어, 그 사이의 감긴 부분은 표면을 절연체로 덮여진 인덕터부(22)로 되어 있다.
땜납 등으로 이루어지는 솔더(24)(산재된 점으로 나타내는 부분)의 리플로우는, 도 53 및 도 54에 나타내는 리플로우 로(爐)사용해서 행해진다. 이 리플로우 로는 피처리물을 얹어 놓는 5개의 가열테이블(히트 블록)(70a~70e)이 일렬로 늘어놓아 배치되는 구조로 되어 있다.
히트 블록 열(列)의 일측에는, 일부를 도시하는 바와 같이 이송기구의 연결 암(72)이 배열 설치되어 있다. 이 연결 암(72)은, 도 53의 화살표군으로 나타내는 바와 같이, 하강, 우방향으로의 전진, 상승, 좌방향으로의 후퇴와 계속 사각형 운동하도록 되어 있다.
또한, 도 54에 나타내는 바와 같이, 연결 암(72)의 내측에서는 각각 각 히트 블록에 대응해서 암(73)이 돌출 배치됨과 동시에, 이들 각 암(73)에서는 2개의 이송 조(爪)(transfer claw)(74)가 하방으로 향해서 돌출하도록 배열 설치되어 있다.
따라서, 연결 암(72)의 사각형 운동에 의해, 각 히트 블록(70a~70e) 위의 피처리물, 즉 모듈 기판(5)은 1피치씩 이송되도록 되어 있다. 최초의 히트 블록(70a)으로의 모듈 기판(5)의 공급은, 도시하지 않은 로더(loader)로 행해진다. 또한, 최후의 히트 블록(70e)에서는 상기 이송 조(74)에 의해 언로더(unloader)부로 불출(拂出)된다.
히트 블록(70a~70e)에 있어서, 최초 내지 3번째의 히트 블록(70a~70c)은 예비 가열용의 히트 블록이고, 예를 들어, 70℃, 130℃, 195℃로 순차 가열온도가 높아지게 되어 있다. 또한, 4번째의 히트 블록(70d)은 본 가열용 히트 블록이고, 예를 들어, 융점이 238℃의 솔더(24)(PdSnSb)를 용융시키기 위해 275℃로 유지된다. 또한, 최후의 히트 블록(70e)은 후(後) 가열용의 히트 블록이고, 예를 들어, 150℃로 되어, 세락믹 배선판으로 이루어지는 모듈 기판(5)을 서서히 냉각시키도록 되어 있다.
따라서, 이송 조(74)에 의해 순차 히트 블록으로 구성되는 각 존(zone)을 이동하는 모듈 기판(5)은 순차 온도가 높아지고, 4번째 존의 본 가열용의 히트 블록(70d)상에서 땜납 리플로우가 행해진다.
그러나, 이와 같은 리플로우에서는, 공심코일(9)의 동선으로 형성되어 있는 전극(23)이 가열에 의해 산화하고, 땜납의 습윤성이 악화하며, 땜납의 표면 장력에 의해 코일이 튕겨져 위치 어긋남이 발생하여 버리는 것을 판명하였다. 즉, 도 52의 (a)에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(5)의 전극고정용 패드(랜드)(4b)상에 공심코일(9)의 전극(23)을 포개서 얹어 놓고, 이어서 리플로우 하면, 도 52의 (b)에 나타내는 바와 같이, 녹아서 솟아 오른 땜납에 대해서, 표면이 산화된 전극(23)은, 땜납으로 젖기 어렵게 되어, 땜납에 튕겨지게 되며, 비탈을 구르는 것과 같이 하여 공심코일(9)은 회전 낙하하고, 도 52의 (c)에 나타내는 바와 같이 위치 어긋남이 발생한다.
그래서, 본 발명자는, 도 45에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(5)의 표면에 설치하는 전극고정용 패드(4b)를 コ자형 패턴으로 하여, 원통 모양의 공심코일(9)이 구르지 않게 하였다.
본 실시형태 3의 고주파 전력 증폭모듈은, 실시형태 1의 고주파 전력 증폭모듈에 있어서, 공심코일(9)의 전극(23)을 고정하는 전극고정용 패드(4b)의 패턴이 다를뿐이고, 다른 부분은 실시형태 1과 동일하다. 도 46은 본 실시형태 3의 고주파 전력 증폭모듈의 일부를 평면도로서 나타내고 있다.
또한, 도 47에 본 실시형태 3에서의 코일의 탑재상태를 나타낸다. 도 47의 (a)는 コ자형의 패턴을 한 전극고정용 패드(4b)를 대향 배치시키고, 이 コ자형 전극고정용 패드(4b)상에 공심코일(9)의 양단의 전극(23)을 솔더(24)(도면의 산재된 점 부분)에서 고정한 모식적 평면도이다. 도 47의 (b)는 측면도, 도 47의 (c)는 단면도이다.
여기서, 인덕터인 공심코일의 탑재 구조에 대해서 설명한다. 모듈 기판(5)의 주면에는 복수의 배선이 형성되어 있다. 또한, 모듈 기판(5)에는 상기 배선에 접속되고, 또 공심코일(9)의 전극(23)에 전기적으로 접속되는 전극고정용 패드(4b)를 가지고 있다. 전극고정용 패드(4b)는 2개 있으므로, 한쪽을 제1 전극이라 호칭하고, 다른쪽을 제2 전극으로 호칭한다.
상기 제1 및 제2 전극의 각각은, 평면적으로 보아, 도 47의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제1 방향으로 연장되는 제1 부분(4x)과, 상기 제1 부분(4x)의 일단부에서 상기 제1 방향과 거의 수직방향으로 연장되는 제2 부분(4y1)과, 상기 제1 부분(4x)의 타단부에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 부분(4y2)을 가지는 패턴으로 되어 있다. 단일의 공심코일(9)을 고정하는 한쌍의 전극고정용 패드(4b)에 있어서, 제1 및 제2 전극은, 각각의 제2 및 제3 부분이 대향하도록 배치되어 있다.
인덕터, 즉 공심코일(9)은, 그 표면을 절연막으로 덮은 선재를 나선 형태로 복수회 감은 코일 형상을 가지고 있다. 선재는, 그 양단부에 있어서 상기 절연막으로부터 노출한 부분을 가지고 전극(23)이 형성되어 있다. 표면을 절연막으로 덮은 나선 형태의 선재 부분은 인덕터부(22)가 되고, 그 양단 부분이 전극(23)이 된다. 한쪽의 전극(23)이 제1 전극에 땜납재로 접합되고, 다른쪽의 전극(23)이 제2 전극에 땜납재로 접합된다.
제1 및 제2 전극의 각각의 제2 부분(4y1) 및 제3 부분(4y2)은, 상기 인덕터의 절연막으로 덮여진 선재(線材) 부분까지 연장되어 있다. 이것에 의해 전극(23)이 확실하게 솔더(24)로 전극고정용 패드(4b)에 고정되게 된다.
또한, 제1 및 제2 전극의 각각의 제2 부분(4y1) 및 제3 부분(4y2)은, 제1 방향에 있어서 이간(離間)상태로 되고, 공심코일(9)이 구르는 것이 일어나지 않도록 배려되어 있다.
또한, 제2 부분(4y1) 및 제3 부분(4y2)은, 평행 혹은 상호 소정의 각도를 가지는 관계로 연장하는 구조라도, 공심코일(9)이 구르는 것을 충분히 방지할 수 있다. 또한, 공심코일(9)이 굴러서 위치 어긋남을 일으키지 않도록 하기 위해, 전극고정용 패드(4b)를 제1 부분(4x)을 갖지 않는 제2 부분(4y1)과 제3 부분(4y2)으로 구성하여도 된다.
한편, 본 발명자는 コ자형의 전극고정용 패드(4b)의 치수 의존성에 대해서 검토하였다. 도 48 및 도 49의 그래프는 그 결과이다. 도 47의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제1 전극 및 제2 전극의 제2 부분(4y1)의 길이를 A, 제1 전극과 제2 전극과의 간극을 B, 제1 부분(4x)에서 돌출하는 제2 부분(4y1)의 길이를 C, 제2 부분(4y1)의 제1 방향의 길이를 E, 제2 부분(4y1)과 제3 부분(4y2)과의 간극을 D라 한다.
도 48의 그래프는 D 치수를 0.30㎜, E 치수를 0.15㎜로 설정한 경우, A 치수 및 B 치수와 어긋남 불량률의 상관을 나타내는 것이다. 각 그래프는 C 치수를 0.05㎜(◇로 표시하는 선), 0.10㎜(□로 표시하는 선), 0.15㎜(△로 표시하는 선), 0.20㎜(×로 표시하는 선)인 경우이다. 0.10㎜의 그래프와 0.20㎜의 그래프는 일치하고 있다.
이 그래프에서는, C 치수를 바꾸어도 B 치수가 0.40㎜ 정도, A 치수가 0.45㎜ 정도에서 가장 불량율이 낮은 것을 알 수 있다. 또한, C 치수가 0.05㎜ 또는 0.15㎜ 인 경우, B 치수를 0.40㎜ 정도, A 치수를 0.45㎜ 정도로 한 경우 어긋남 불량율을 0%로 할 수 있는 것도 알 수 있다.
도 49의 그래프는, D 치수를 0.20㎜, E 치수를 0.20㎜로 설정한 경우의 상기와 같은 그래프이다.
도 50은 모듈 기판상의 대향하는 제1 전극과 제2 전극(コ자형 전극)에 도포한 땜납을 재용융한 상태를 측정하고, 또 3차원 표시도면으로 한 것이다. 또한, 도 51은 도 50에서의 1110㎛의 위치(P)에서의 단면도이다. 공심코일(9)의 전극(23)의 바깥 지름에 솔더(24)의 표면 변화가 추종하고 있는 것을 잘 알 수 있다.
이와 같은 쌍둥이 산 모양의 솔더(24) 사이에 코일의 중심이 위치하는 것에 의해, 전극(23)이 땜납의 표면 장력에 튕겨지려고 하여도, 전극(23)의 양측에 위치하는 각각의 산 모양의 솔더로 정지되기 때문에 공심코일(9)은 구르지 않게 되어, 공심코일(9)의 탑재위치 어긋남을 방지할 수 있다. 본 실시형태 3에 의한 공심코일(9)의 탑재에 의한 불량율은 1% 이하로 억제할 수 있다.
본 실시형태 3에서는, 도 53 및 도 54에 나타내는 리플로우 로를 사용하여 모듈 기판(5)으로의 공심코일(9)의 탑재가 행해진다. 또, 리플로우 로에서는 공심코일(9)은 생략하고 있다.
리플로우 로에서는 모듈 기판(5)은 히트 블록(70a~70e) 위를 이송기구에 의해 간헐적으로 보내져, 예비 가열과 본 가열에 의해 공심코일(9)의 리플로우 탑재가 행해진다. 예를 들어, 이송 타임은 3초이고, 각 히트 블록상에서의 모듈 기판(5)의 정지시간은 50초이다. 제1 존부터 제3 존까지는 순차 가열온도가 올라가고, 제4 존에서 본 가열에 의한 솔더(24)의 재용융이 행해진다. 또한, 제5 존에서는 서서히 온도저하가 도모되어, 세라믹 배선판으로 이루어지는 모듈 기판(5)의 파괴 손상을 방지할 수 있도록 되어 있다.
이것에 의해, 도 46 및 도 47의 (a)에 나타내는 바와 같이 전극고정용 패드(4b)에서 전극(23)이 빠지는 일이 없는 양호한 공심코일(9)의 탑재를 행할 수 있게 된다.
(실시형태 4)
도 55 내지 도 58은 본 발명의 다른 실시형태(실시형태 4)인 고주파 전력 증폭모듈의 제조에 관한 도면이다. 도 55는 리플로우 로의 개략을 나타내는 모식적 정면도, 도 56은 상기 리플로우 로의 질소분위기에서 리플로우를 행하는 상태를 나타내는 모식적 정면도, 도 57은 상기 질소분위기에서 리플로우가 행해지는 상태를 나타내는 모식적 단면도이다.
본 실시형태 4에서는, 공심코일(9)의 전극(23)을 탑재하는 전극고정용 패드(4b)는, 도 58에 나타내는 바와 같이, コ자형은 아니고 사각형이다. 그러나, 공심코일(9)의 전극(23)이 가열에 의해 그 표면이 산화하지 않도록 하기 위해, 리플로우를 불활성가스의 분위기에서 행하는 것이다. 예를 들어, 불활성가스로서 질소(N2) 가스를 사용한다.
이 때문에, 리플로우 로는, 도 55에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(5)의 이송의 경우를 제외하고 리플로우시에는, 모듈 기판(5)을 질소 가스분위기에 놓을 수 있도록, 모듈 기판(5)을 상방에서 덮을 수 있는 박스형의 불활성가스 공급박스(75)를 가지고 있다. 이 불활성가스 공급박스(75)는, 각 존에 대응한 수로 준비되어 있음과 동시에, 승강 암(76)에 지지되어 있다. 또한, 이 승강 암(76)은 그 속이 중공(中空)으로 되어, 각 불활성가스 공급박스(75)의 천정(天井)부분에서 질소가스를 분사할 수 있는 구성으로 되어 있다. 또, 기계 강도를 향상시키기 위해 승강 암(76)과는 별개로 질소가스를 공급하는 파이프를 준비하는 구성이라도 된다.
승강 암(76)은 모듈 기판(5)이 이송 조(74)로 이송되는 경우는 상호 간섭하지 않도록 상방에 위치하고, 이송 조(74)가 좌단에 위치하여 정지하고 있는 경우는, 도 56 및 도 57에 나타내는 바와 같이 하강한다. 그리고, 승강 암(76)의 중공 부분에서 분출되는 질소가스를 모듈 기판(5)의 주면으로 내뿜는다. 모듈 기판(5)의 주면에 얹혀진 공심코일(9)의 양단의 전극(23)은, 모듈 기판(5)의 전극고정용 패드(4b)의 표면에 도포된 솔더(24)로 질소가스 분위기하에서 고정된다. 예를 들어, 모듈 기판(5)의 이송시간은 3초, 질소가스 분위기하에서의 가열시간은 50초이다.
이 결과, 공심코일(9)의 동(銅)으로 이루어지는 전극(23)의 표면은 산화되기 어렵게 된다. 따라서, 전극(23)은 녹은 땜납에 튕겨지는 일 없이 젖기 때문에, 위치 어긋남을 발생시키는 일 없이 공심코일(9)은 전극고정용 패드(4b)에 고정된다. 도 58에서는, 공심코일(9)의 전극(23)이 솔더(24)에 의해 전극고정용 패드(4b)에 고정되는 상태를 나타내고 있다. 공심코일(9)은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 10회 감기 구성으로 되어 있고, 6회 감기가 인덕터부(22)이고, 양단의 2회 감기가 전극(23)이다.
또, 불활성가스 공급박스(75)의 하부 테두리는, 히트 블록의 상면에 직접 접촉하는 구조 또는 모듈 기판(5)의 주면에 직접 접촉하는 어떤 구조라도 되지만, 일부는 질소가스가 밖으로 누출하기 위한 소정의 틈(77)을 필요로 하는 것이다(도 57참조)
본 실시형태 4에 의한 공심코일(9)의 탑재에 의한 불량율은 1% 이하로 억제할 수 있다.
이상 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시형태에 의거해서 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경 가능한 것은 말할 필요도 없다.
또한, 상기 실시형태에서는 3단 구성의 고주파 전력 증폭장치에 본 발명을 적용하였지만, 다른 구성의 고주파 전력 증폭장치에도 동일하게 적용할 수 있다. 예를 들어, 초단 반도체 증폭소자와, 최종단 반도체 증폭소자로 이루어지는 2단 구성의 고주파 전력 증폭모듈의 예에 대해서도 적용할 수 있고, 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이상의 설명에서는 주로 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 그 배경으로 된 이용분야인 휴대전화기에 적용한 경우에 대해서 설명하였지만, 그것에 한정되는 것은 아니고, 다른 전자장치와 다른 반도체장치(하이브리드 집적회로장치)에도 적용할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 관한 고주파 전력 증폭장치는, 이동체 통신단말 등의 휴대전화기를 시작으로 하여 각종 무선 통신장치의 전력증폭기로서 사용할 수 있다. 또한, 안정한 통화를 달성할 수 있는 무선 통신장치를 제공할 수 있다. 게다가, 고주파 전력 증폭모듈과 무선 통신장치의 제조 수율 향상에 의해 고주파 전력증폭장치와 무선 통신장치의 제조 코스트의 저감이 가능하게 된다.

Claims (52)

  1. 그 주면에 복수의 배선을 가지는 모듈 기판과,
    상기 모듈 기판상에 탑재된 인덕터를 포함하는 복수의 전자부품을 포함하고,
    상기 인덕터는, 그 표면을 절연막으로 덮여진 선재(線材)를 나선(螺旋) 형태로 복수회 감은 코일 형태를 가지며,
    상기 선재는, 그 양단부에 있어서 상기 절연막으로부터 노출한 부분을 가지고, 상기 선재의 상기 절연막으로부터 노출한 부분에 있어서 상기 모듈 기판의 복수의 배선이 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 코일은, 0.1㎜ 정도 지름의 동선(銅線)을 안지름이 0.3㎜ 지름 정도가 되도록 나선 형태로 조밀하게 감고, 양단은 상기 절연막이 존재하지 않는 1 내지 복수 회 감은 동선 부분을 전극으로 한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 입력단자와,
    출력단자와,
    전원전압단자와,
    상기 입력단자와 상기 출력단자 사이에 종속 접속됨과 동시에, 상기 전원전압단자에서 전원전압을 공급하는 복수의 증폭단을 가지고,
    상기 증폭단에 전기적으로 접속되는 인덕터중 1 내지 전부는 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 코일은, 0.1㎜ 정도 지름의 동선을 안지름이 0.3㎜ 지름 정도가 되도록 나선 형태로 조밀하게 감고, 양단은 상기 절연막이 존재하지 않는 1 내지 복수 회 감은 동선 부분을 전극으로 한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  5. 입력단자와,
    출력단자와,
    전원전압단자와,
    상기 입력단자와 상기 출력단자 사이에 종속 접속됨과 동시에, 상기 전원전압단자에서 전원전압을 공급하는 복수의 증폭단을 가지고,
    최종 증폭단과 상기 전원전압단자와의 사이에, 표면을 절연막으로 덮은 선재를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일이 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 코일은, 0.1㎜ 정도 지름의 동선을 안지름이 0.3㎜ 지름 정도가 되도록 나선 형태로 조밀하게 감고, 양단은 상기 절연막이 존재하지 않는 1 내지 복수 회 감은 동선 부분을 전극으로 한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  7. 증폭시스템을 복수 가지고,
    각 증폭시스템은 복수의 증폭단을 종속 접속한 다단 구성으로 되며,
    각 증폭시스템의 최종 증폭단과 전원전압단자와의 사이에, 표면을 절연막으로 덮은 선재를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일이 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 코일은, 0.1㎜ 정도 지름의 동선을 안지름이 0.3㎜ 지름 정도가 되도록 나선 형태로 조밀하게 감고, 양단은 상기 절연막이 존재하지 않는 1 내지 복수 회 감은 동선 부분을 전극으로 한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  9. 2개의 증폭시스템과,
    상기 각 증폭시스템의 입력단자와,
    상기 각 증폭시스템의 출력단자와,
    2개의 전원전압단자를 가지고,
    상기 각 증폭시스템은 복수의 증폭단을 종속 접속한 다단 구성으로 되며,
    상기 한쪽의 전원전압단자는 상기 한쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 상기 다른쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속되고,
    상기 다른쪽의 전원전압단자는 상기 다른쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 상기 한쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속되며,
    상기 각 증폭시스템의 최종 증폭단과 상기 전원전압단자 사이에는, 표면을 절연막으로 덮은 선재를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일이 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 코일은, 0.1㎜ 정도 지름의 동선을 안지름이 0.3㎜ 지름 정도가 되도록 나선 형태로 조밀하게 감고, 양단은 상기 절연막이 존재하지 않는 1 내지 복수 회 감은 동선 부분을 전극으로 한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  11. 제 1 항 기재의 반도체 장치가 조립되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  12. 송신부에 고주파 전력 증폭장치를 가지고, 상기 고주파 전력 증폭장치의 출력을 안테나로 출력하는 무선 통신장치로서,
    상기 고주파 전력 증폭장치는,
    입력단자와,
    출력단자와,
    전원전압단자와,
    상기 입력단자와 상기 출력단자 사이에 종속 접속됨과 동시에, 상기 전원전압단자에서 전원전압을 공급하는 복수의 증폭단을 가지고,
    상기 증폭단에 전기적으로 접속되는 인덕터중 1 내지 전부는 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 코일은, 0.1㎜ 정도 지름의 동선을 안지름이 0.3㎜ 지름 정도가 되도록 나선 형태로 조밀하게 감고, 양단은 상기 절연막이 존재하지 않는 1 내지 복수 회 감은 동선 부분을 전극으로 한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
  14. 송신부에 고주파 전력 증폭장치를 가지고, 상기 고주파 전력 증폭장치의 출력을 안테나로 출력하는 무선 통신장치로서,
    상기 고주파 전력 증폭장치는,
    입력단자와,
    출력단자와,
    전원전압단자와,
    상기 입력단자와 상기 출력단자 사이에 종속 접속됨과 동시에, 상기 전원전압단자에서 전원전압을 공급하는 복수의 증폭단을 가지고,
    최종 증폭단과 상기 전원전압단자와의 사이에, 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일이 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 코일은, 0.1㎜ 정도 지름의 동선을 안지름이 0.3㎜ 지름 정도가 되도록 나선 형태로 조밀하게 감고, 양단은 상기 절연막이 존재하지 않는 1 내지 복수 회 감은 동선 부분을 전극으로 한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
  16. 송신부에 고주파 전력 증폭장치를 가지고, 상기 고주파 전력 증폭장치의 출력을 안테나로 출력하는 무선 통신장치로서,
    상기 고주파 전력 증폭장치는,
    증폭시스템을 복수 가지고,
    각 증폭시스템은 복수의 증폭단을 종속 접속한 다단 구성으로 되며,
    각 증폭시스템의 최종 증폭단과 전원전압단자와의 사이에, 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일이 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 코일은, 0.1㎜ 정도 지름의 동선을 안지름이 0.3㎜ 지름 정도가 되도록 나선 형태로 조밀하게 감고, 양단은 상기 절연막이 존재하지 않는 1 내지 복수 회 감은 동선 부분을 전극으로 한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
  18. 송신부에 고주파 전력 증폭장치를 가지고, 상기 고주파 전력 증폭장치의 출력을 안테나로 출력하는 무선 통신장치로서,
    상기 고주파 전력 증폭장치는,
    2개의 증폭시스템과,
    상기 각 증폭시스템의 입력단자와,
    상기 각 증폭시스템의 출력단자와,
    2개의 전원전압단자를 가지고,
    상기 각 증폭시스템은 복수의 증폭단을 종속 접속한 다단 구성으로 되며,
    상기 한쪽의 전원전압단자는 상기 한쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 상기다른쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속되고,
    상기 다른쪽의 전원전압단자는 상기 다른쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 상기 한쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속되며,
    상기 각 증폭시스템의 최종 증폭단과 상기 전원전압단자 사이에는, 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일이 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 코일은, 0.1㎜ 정도 지름의 동선을 안지름이 0.3㎜ 지름 정도가 되도록 나선 형태로 조밀하게 감고, 양단은 상기 절연막이 존재하지 않는 1 내지 복수 회 감은 동선 부분을 전극으로 한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
  20. 벌크 피더의 벌크공급부로 종열(縱列)상태로 일렬로 늘어놓아 공급되는 전자부품의 선두 전자부품을 콜릿으로 진공흡착 유지하여 모듈 기판상에 이송하고, 그 후 리플로우에 의해 상기 모듈 기판 등에 미리 피착시켜 놓은 솔더를 녹여서 상기 전자부품을 모듈 기판에 고정하는 반도체 장치의 제조방법으로서,
    종렬상태로 공급되는 상기 전자부품의 선두(先頭)의 전자부품을 후속의 전자부품에서 소정 간격 떨어뜨리고, 그 후 상기 전자부품을 상기 콜릿으로 진공흡착 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 선두 전자부품을 그 종렬방향에 따라 소정 간격 전진시켜 후속의 전자부품에서 떼어 놓는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 선두 전자부품을 그 종렬방향에 교차시키는 방향으로 소정 간격 이동시켜 후속의 전자부품에서 떼어 놓는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 선두 전자부품을 그 종렬방향에 교차시키는 방향으로 소정 간격 이동시킨 후, 상기 종렬방향에 따라 소정 간격 전진시켜 후속의 전자부품에서 떼어 놓는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 전자부품으로서, 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 조밀하게 감음과 동시에 양단을 전극으로 한 코일을 상기 벌크공급부로 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  25. 제 20 항에 있어서,
    상기 코일을 상기 모듈 기판에 고정하기 전에 상기 코일의 실장 높이보다도 낮은 다른 전자부품을 상기 모듈 기판에 고정해 놓는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  26. 제 20 항에 있어서,
    상기 모듈 기판에 반도체 증폭소자가 조립된 반도체 칩을 1 내지 복수 고정하여 고주파 전력 증폭장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  27. 벌크를 수용하는 벌크 수납케이스와, 상기 벌크 수납케이스의 하부에 설치하는 호퍼와, 상기 호퍼에서 받아 들여진 벌크를 안내하는 반송레일과, 상기 반송레일의 선단 부분에 형성되는 벌크공급부를 가지는 반도체 제조장치로서,
    상기 호퍼는 상기 벌크 수납케이스에 수용되는 상기 벌크를 모으는 원뿔대 홈을 상단에 가지는 원통 모양의 가이드와, 상기 가이드를 관통 중심축에 따라서 벌크를 1개 안내하는 가이드 홀을 가지는 공급 샤프트로 구성됨과 동시에, 상기 가이드는 상기 공급 샤프트에 대해서 상대적으로 상하로 진동 제어되는 구성으로 되고,
    상기 공급 샤프트는 그 상단에 상기 벌크가 안정하게 실리는 일이 없도록 두께가 얇은 원통체로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 벌크로서, 표면을 절연막으로 덮은 전기저항이 작은 선재를 나선 형태로 조밀하게 감음과 동시에 양단을 전극으로 한 코일을 공급할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  29. 벌크를 수용하는 벌크 수납케이스와, 상기 벌크 수납케이스의 하부에 설치하는 호퍼와, 상기 호퍼에서 받아 들여진 벌크를 안내하는 반송레일과, 상기 반송레일의 선단 부분에 형성되는 벌크공급부를 가지는 반도체 제조장치로서,
    상기 호퍼는 상기 벌크 수납케이스에 수용되는 상기 벌크를 모으는 원뿔대 홈(frustum concave)을 상단에 가지는 원통 모양의 가이드와, 상기 가이드를 관통 중심축에 따라서 벌크를 1개 안내하는 가이드 홀을 가지는 공급 샤프트로 구성됨과 동시에, 상기 가이드는 상기 공급 샤프트에 대해서 상대적으로 상하로 진동 제어되는 구성으로 되고,
    상기 가이드의 상대적인 상하 동작은, 상기 가이드가 가장 내려간 상태에서 상기 공급 샤프트의 외주면과 상기 가이드의 원뿔대 홈 면과의 사이에 상기 벌크를 끼우는 간극(gap)이 발생하지 않는 위치관계로 상하 동작하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 벌크로서, 표면을 절연막으로 덮은 전기저항이 작은 선재를 나선 형태로 조밀하게 감음과 동시에 양단을 전극으로 한 코일을 공급할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  31. 벌크를 수용하는 벌크 수납케이스와, 상기 벌크 수납케이스의 하부에 설치하는 호퍼와, 상기 호퍼에서 받아 들여진 벌크를 안내하는 반송레일과, 상기 반송레일의 선단 부분에 형성되는 벌크공급부를 가지는 반도체 제조장치로서,
    상기 호퍼는 상기 벌크 수납케이스에 수용되는 상기 벌크를 모으는 원뿔대 홈(frustum concave)을 상단에 가지는 원통 모양의 가이드와, 상기 가이드를 관통 중심축에 따라서 벌크를 1개 안내하는 가이드 홀을 가지는 공급 샤프트로 구성됨과 동시에, 상기 가이드는 상기 공급 샤프트에 대해서 상대적으로 상하로 진동 제어되는 구성으로 되고,
    상기 공급 샤프트의 가이드 홀내에 상기 벌크가 막히지 않도록 가이드 홀은 상기 벌크보다도 큰 원형 단면의 홀로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 벌크로서, 표면을 절연막으로 덮은 전기저항이 작은 선재(線材)를 나선 형태로 조밀하게 감음과 동시에 양단을 전극으로 한 코일을 공급할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  33. 벌크를 수용하는 벌크 수납케이스와, 상기 벌크 수납케이스의 하부에 설치하는 호퍼와, 상기 호퍼에서 받아 들여진 벌크를 안내하는 반송레일과, 상기 반송레일의 선단 부분에 형성되는 벌크공급부를 가지는 반도체 제조장치로서,
    상기 벌크를 안내하는 가이드 홀을 형성하는 반송레일 부재는 상기 가이드 홀에 따라 이동하는 벌크가 걸리지 않도록 이음매 없는 1개의 부재로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 벌크로서, 표면을 절연막으로 덮은 전기저항이 작은 선재를 나선 형태로 조밀하게 감음과 동시에 양단을 전극으로 한 코일을 공급할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  35. 벌크를 수용하는 벌크 수납케이스와, 상기 벌크 수납케이스의 하부에 설치하는 호퍼와, 상기 호퍼에서 받아 들여진 벌크를 안내하는 반송레일과, 상기 반송레일의 선단 부분에 형성되는 벌크공급부와, 상기 벌크를 가이드 홀을 통해서 상기 벌크공급부까지 이송시키는 진공 흡인기구를 가지는 반도체 제조장치로서,
    상기 벌크공급부는, 상기 반송레일의 상기 가이드 홀내를 종렬상태로 일렬로 늘어놓아 이동해 오는 선두의 벌크를 위치 결정하여 정지시키는 스톱퍼부와 상기 선두의 벌크를 집어 넣는 수납부를 가짐과 동시에 벌크 이송방향에 따라 왕복이동 자유롭게 상기 반송레일에 설치되는 슬라이더와,
    상기 슬라이더에 대해서 벌크 이송방향에 따라 왕복이동 자유롭게 설치되고 또 상기 가이드 홀의 상면을 개폐시키는 셧터를 가지고,
    상기 선두의 벌크가 상기 수납부로 들어간 후, 상기 진공흡인을 정지시키고, 다음에 상기 슬라이더를 상기 선두의 벌크가 후속의 벌크에서 분리되도록 소정 거리 이동시키며, 이어서 상기 셧터를 이동시켜 상기 수납부상에 있는 선두의 벌크를 노출시켜 공급 가능하게 하는 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 수납부는 가이드 홀의 연장상에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  37. 제 35 항에 있어서,
    상기 수납부는 상기 벌크가 이송되는 가이드 홀의 바닥면보다도 1단(段) 낮게 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  38. 제 32 항에 있어서,
    상기 수납부의 후단에는 상기 수납부에 수용한 상기 벌크의 단부측으로 돌출하는 돌출부를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  39. 제 35 항에 있어서,
    상기 벌크의 진공흡인의 설정과 해제는, 반송레일 본체에 설치한 진공 흡인통로를 상기 셧터의 이동에 따라 동작하여 해방 또는 막는 구체(球體)에 의해 행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  40. 제 35 항에 있어서,
    상기 호퍼는 상기 벌크 수납케이스에 수용되는 상기 벌크를 모으는 원뿔대 홈(frustum concave)을 상단에 가지는 원통 모양의 가이드와, 상기 가이드를 관통 중심축에 따라 벌크를 종렬상태로 일렬로 안내하는 가이드 홀을 가지는 공급 샤프트로 구성되고, 상기 가이드 홀에 연결되어 통하는 에어공급로가 설치되며, 상기 에어공급로에는 공기가 분출되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  41. 그 주면에, 복수의 배선과, 상기 복수의 배선에 전기적으로 접속된 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 모듈 기판과,
    상기 모듈 기판의 주면상에 탑재된 인덕터를 포함하는 복수의 전자부품을 포함하고,
    상기 인덕터는, 그 표면을 절연막으로 덮여진 선재(線材)를 나선 형태로 복수 회 감은 코일 형상을 가지며,
    상기 선재는, 그 양단부에 있어서 상기 절연막으로부터 노출한 부분을 가지고, 상기 제1 및 제2 전극의 각각은, 평면적으로 보아, 제1 방향으로 연장되는 제1 부분과, 상기 제1 부분의 일단부에서 상기 제1 방향과 거의 수직방향으로 연장되는 제2 부분과, 상기 제1 부분의 타단부에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 부분을 가지며,
    상기 제1 및 제2 전극은, 각각의 제2 및 제3 부분이 대향하도록 배치되고,
    상기 인덕터는, 상기 절연막으로부터 노출한 부분이 상기 제1 전극 및 제2 전극의 상부에 위치하도록 배치되며,
    상기 인덕터는, 상기 제1 및 제2 전극에 땜납재로 접합되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각의 제2 및 제3 부분은, 상기 인덕터의 절연막으로 덮여진 선재 부분까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  42. 제 41 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각의 제2 및 제3 부분은, 상기 제1 방향에 있어서, 이간(離間)되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  43. 제 41 항에 있어서,
    상기 인덕터는, 0.1㎜ 정도 지름의 동선을 안지름이 0.3㎜ 지름 정도가 되도록 나선 형태로 조밀하게 감고, 양단은 상기 절연막이 존재하지 않는 1 내지 복수 회 감은 동선 부분을 전극으로 한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  44. 입력단자와,
    출력단자와,
    전원전압단자와,
    상기 입력단자와 상기 출력단자 사이에 종속 접속됨과 동시에, 상기 전원전압단자에서 전원전압을 공급하는 복수의 증폭단을 가지고,
    상기 증폭단에 전기적으로 접속되는 인덕터중 1 내지 전부는 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일로 구성되며,
    상기 인덕터는, 그 주면에, 복수의 배선과, 상기 복수의 배선에 전기적으로 접속된 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 모듈 기판에 접속되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각은, 평면적으로 보아, 제1 방향으로 연장되는 제1 부분과, 상기 제1 부분의 일단부에서 상기 제1 방향과 거의 수직방향으로 연장되는 제2 부분과, 상기 제1 부분의 타단부에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 부분을 가지며,
    상기 제1 및 제2 전극은, 각각의 제2 및 제3 부분이 대향하도록 배치되고,
    상기 인덕터는, 상기 절연막으로부터 노출한 부분이 상기 제1 전극 및 제2 전극의 상부에 위치하도록 배치되며,
    상기 인덕터는, 상기 제1 및 제2 전극에 땜납재로 접합되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각의 제2 및 제3 부분은, 상기 인덕터의 절연막으로 덮여진 선재 부분까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  45. 제 44 항에 있어서,
    상기 인덕터는, 0.1㎜ 정도 지름의 동선을 안지름이 0.3㎜ 지름 정도가 되도록 나선 형태로 조밀하게 감고, 양단은 상기 절연막이 존재하지 않는 1 내지 복수 회 감은 동선 부분을 전극으로 한 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  46. 입력단자와,
    출력단자와,
    전원전압단자와,
    상기 입력단자와 상기 출력단자 사이에 종속 접속됨과 동시에, 상기 전원전압단자에서 전원전압을 공급하는 복수의 증폭단을 가지고,
    최종 증폭단과 상기 전원전압단자와의 사이에 인덕터가 직렬로 접속되며,
    상기 인덕터는 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일로 이루어지고,
    상기 인덕터는, 그 주면에, 복수의 배선과, 상기 복수의 배선에 전기적으로 접속된 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 모듈 기판에 접속되며,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각은, 평면적으로 보아, 제1 방향으로 연장되는 제1 부분과, 상기 제1 부분의 일단부에서 상기 제1 방향과 거의 수직방향으로 연장되는 제2 부분과, 상기 제1 부분의 타단부에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 부분을 가지고,
    상기 제1 및 제2 전극은, 각각의 제2 및 제3 부분이 대향하도록 배치되며,
    상기 인덕터는, 상기 절연막으로부터 노출한 부분이 상기 제1 전극 및 제2 전극의 상부에 위치하도록 배치되고,
    상기 인덕터는, 상기 제1 및 제2 전극에 땜납재로 접합되며,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각의 제2 및 제3 부분은, 상기 인덕터의 절연막으로 덮여진 선재 부분까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  47. 증폭시스템을 복수 가지고,
    각 증폭시스템은 복수의 증폭단을 종속 접속한 다단 구성으로 되며,
    각 증폭시스템의 최종 증폭단과 전원전압단자와의 사이에, 인덕터가 직렬로 접속되고,
    상기 인덕터는 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일로 이루어지며,
    상기 인덕터는, 그 주면에, 복수의 배선과, 상기 복수의 배선에 전기적으로 접속된 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 모듈 기판에 접속되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각은, 평면적으로 보아, 제1 방향으로 연장되는 제1 부분과, 상기 제1 부분의 일단부에서 상기 제1 방향과 거의 수직방향으로 연장되는 제2 부분과, 상기 제1 부분의 타단부에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 부분을 가지며,
    상기 제1 및 제2 전극은, 각각의 제2 및 제3 부분이 대향하도록 배치되고,
    상기 인덕터는, 상기 절연막으로부터 노출한 부분이 상기 제1 전극 및 제2 전극의 상부에 위치하도록 배치되며,
    상기 인덕터는, 상기 제1 및 제2 전극에 땜납재로 접합되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각의 제2 및 제3 부분은, 상기 인덕터의 절연막으로 덮여진 선재 부분까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  48. 2개의 증폭시스템과,
    상기 각 증폭시스템의 입력단자와,
    상기 각 증폭시스템의 출력단자와,
    2개의 전원전압단자를 가지고,
    상기 각 증폭시스템은 복수의 증폭단을 종속 접속한 다단 구성으로 되며,
    상기 한쪽의 전원전압단자는 상기 한쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 상기 다른쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속되고,
    상기 다른쪽의 전원전압단자는 상기 다른쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 상기 한쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속되며,
    상기 각 증폭시스템의 최종 증폭단과 상기 전원전압단자 사이에는 인덕터가직렬로 접속되고,
    상기 인덕터는 표면을 절연막으로 덮은 선재를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일로 이루어지며,
    상기 인덕터는, 그 주면에, 복수의 배선과, 상기 복수의 배선에 전기적으로 접속된 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 모듈 기판에 접속되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각은, 평면적으로 보아, 제1 방향으로 연장되는 제1 부분과, 상기 제1 부분의 일단부에서 상기 제1 방향과 거의 수직방향으로 연장되는 제2 부분과, 상기 제1 부분의 타단부에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 부분을 가지며,
    상기 제1 및 제2 전극은, 각각의 제2 및 제3 부분이 대향하도록 배치되고,
    상기 인덕터는, 상기 절연막으로부터 노출한 부분이 상기 제1 전극 및 제2 전극의 상부에 위치하도록 배치되며,
    상기 인덕터는, 상기 제1 및 제2 전극에 땜납재로 접합되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각의 제2 및 제3 부분은, 상기 인덕터의 절연막으로 덮여진 선재 부분까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭장치.
  49. 송신부에 고주파 전력 증폭장치를 가지고, 상기 고주파 전력 증폭장치의 출력을 안테나로 출력하는 무선 통신장치로서,
    상기 고주파 전력 증폭장치는,
    입력단자와,
    출력단자와,
    전원전압단자와,
    상기 입력단자와 상기 출력단자 사이에 종속 접속됨과 동시에, 상기 전원전압단자에서 전원전압을 공급하는 복수의 증폭단을 가지고,
    상기 증폭단에 전기적으로 접속되는 인덕터중 1 내지 전부는 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일로 구성되며,
    상기 인덕터는, 그 주면에, 복수의 배선과, 상기 복수의 배선에 전기적으로 접속된 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 모듈 기판에 접속되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각은, 평면적으로 보아, 제1 방향으로 연장되는 제1 부분과, 상기 제1 부분의 일단부에서 상기 제1 방향과 거의 수직방향으로 연장되는 제2 부분과, 상기 제1 부분의 타단부에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 부분을 가지며,
    상기 제1 및 제2 전극은, 각각의 제2 및 제3 부분이 대향하도록 배치되고,
    상기 인덕터는, 상기 절연막으로부터 노출한 부분이 상기 제1 전극 및 제2 전극의 상부에 위치하도록 배치되며,
    상기 인덕터는, 상기 제1 및 제2 전극에 땜납재로 접합되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각의 제2 및 제3 부분은, 상기 인덕터의 절연막으로 덮여진 선재(線材) 부분까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
  50. 송신부에 고주파 전력 증폭장치를 가지고, 상기 고주파 전력 증폭장치의 출력을 안테나로 출력하는 무선 통신장치로서,
    상기 고주파 전력 증폭장치는,
    입력단자와,
    출력단자와,
    전원전압단자와,
    상기 입력단자와 상기 출력단자 사이에 종속 접속됨과 동시에, 상기 전원전압단자에서 전원전압을 공급하는 복수의 증폭단을 가지고,
    최종 증폭단과 상기 전원전압단자와의 사이에 인덕터가 직렬로 접속되며,
    상기 인덕터는 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일로 이루어지고,
    상기 인덕터는, 그 주면에, 복수의 배선과, 상기 복수의 배선에 전기적으로 접속된 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 모듈 기판에 접속되며,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각은, 평면적으로 보아, 제1 방향으로 연장되는 제1 부분과, 상기 제1 부분의 일단부에서 상기 제1 방향과 거의 수직방향으로 연장되는 제2 부분과, 상기 제1 부분의 타단부에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 부분을 가지고,
    상기 제1 및 제2 전극은, 각각의 제2 및 제3 부분이 대향하도록 배치되며,
    상기 인덕터는, 상기 절연막으로부터 노출한 부분이 상기 제1 전극 및 제2 전극의 상부에 위치하도록 배치되고,
    상기 인덕터는, 상기 제1 및 제2 전극에 땜납재로 접합되며,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각의 제2 및 제3 부분은, 상기 인덕터의 절연막으로 덮여진 선재 부분까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
  51. 송신부에 고주파 전력 증폭장치를 가지고, 상기 고주파 전력 증폭장치의 출력을 안테나로 출력하는 무선 통신장치로서,
    상기 고주파 전력 증폭장치는,
    증폭시스템을 복수 가지고,
    각 증폭시스템은 복수의 증폭단을 종속 접속한 다단 구성으로 되며,
    각 증폭시스템의 최종 증폭단과 전원전압단자와의 사이에 인덕터가 직렬로 접속되고,
    상기 인덕터는 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일로 이루어지며,
    상기 인덕터는, 그 주면에, 복수의 배선과, 상기 복수의 배선에 전기적으로 접속된 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 모듈 기판에 접속되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각은, 평면적으로 보아, 제1 방향으로 연장되는 제1 부분과, 상기 제1 부분의 일단부에서 상기 제1 방향과 거의 수직방향으로 연장되는 제2 부분과, 상기 제1 부분의 타단부에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 부분을 가지며,
    상기 제1 및 제2 전극은, 각각의 제2 및 제3 부분이 대향하도록 배치되고,
    상기 인덕터는, 상기 절연막으로부터 노출한 부분이 상기 제1 전극 및 제2 전극의 상부에 위치하도록 배치되며,
    상기 인덕터는, 상기 제1 및 제2 전극에 땜납재로 접합되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각의 제2 및 제3 부분은, 상기 인덕터의 절연막으로 덮여진 선재(線材) 부분까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
  52. 송신부에 고주파 전력 증폭장치를 가지고, 상기 고주파 전력 증폭장치의 출력을 안테나로 출력하는 무선 통신장치로서,
    상기 고주파 전력 증폭장치는,
    2개의 증폭시스템과,
    상기 각 증폭시스템의 입력단자와,
    상기 각 증폭시스템의 출력단자와,
    2개의 전원전압단자를 가지고,
    상기 각 증폭시스템은 복수의 증폭단을 종속 접속한 다단 구성으로 되며,
    상기 한쪽의 전원전압단자는 상기 한쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 상기 다른쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속되고,
    상기 다른쪽의 전원전압단자는 상기 다른쪽의 증폭시스템의 초단 증폭단과 상기 한쪽의 증폭시스템의 나머지 증폭단에 각각 접속되며,
    상기 각 증폭시스템의 최종 증폭단과 상기 전원전압단자 사이에는 인덕터가 직렬로 접속되고,
    상기 인덕터는 표면을 절연막으로 덮은 선재(線材)를 나선 형태로 감고 양단을 전극으로 한 코일로 이루어지며,
    상기 인덕터는, 그 주면에, 복수의 배선과, 상기 복수의 배선에 전기적으로 접속된 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 모듈 기판에 접속되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각은, 평면적으로 보아, 제1 방향으로 연장되는 제1 부분과, 상기 제1 부분의 일단부에서 상기 제1 방향과 거의 수직방향으로 연장되는 제2 부분과, 상기 제1 부분의 타단부에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 부분을 가지며,
    상기 제1 및 제2 전극은, 각각의 제2 및 제3 부분이 대향하도록 배치되고,
    상기 인덕터는, 상기 절연막으로부터 노출한 부분이 상기 제1 전극 및 제2 전극의 상부에 위치하도록 배치되며,
    상기 인덕터는, 상기 제1 및 제2 전극에 땜납재로 접합되고,
    상기 제1 및 제2 전극의 각각의 제2 및 제3 부분은, 상기 인덕터의 절연막으로 덮여진 선재(線材) 부분까지 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 통신장치.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5057259B2 (ja) * 2001-06-06 2012-10-24 小宮 邦文 コイルフィルタ及びその製造方法
TW200518345A (en) * 2003-08-08 2005-06-01 Renesas Tech Corp Semiconductor device
JP2006108416A (ja) * 2004-10-06 2006-04-20 Renesas Technology Corp 電子装置の製造方法
US7548111B2 (en) * 2005-01-19 2009-06-16 Micro Mobio Corporation Miniature dual band power amplifier with reserved pins
TWI385366B (zh) * 2009-03-03 2013-02-11 Univ Nat Taiwan 觸覺感測陣列及其製造方法
GB2483247A (en) * 2010-09-01 2012-03-07 Hsin-Chen Chen Choke coil component with a fixed dimension and providing different operational characteristics
DE102010037502A1 (de) * 2010-09-13 2012-03-15 Hsin-Chen Chen Drahtgewickelte Drosselspule im Chipformat
JP5338995B2 (ja) * 2010-11-25 2013-11-13 株式会社村田製作所 電力伝送システム、及び該電力伝送システムで用いる送電装置
US20140217547A1 (en) * 2012-03-29 2014-08-07 Adel A. Elsherbini Semiconductor package with air core inductor (aci) and magnetic core inductor (mci)
JP5939960B2 (ja) * 2012-11-09 2016-06-29 キヤノン株式会社 半導体装置、液体吐出ヘッド、液体吐出ヘッドカードリッジおよび記録装置
JP2014116844A (ja) * 2012-12-11 2014-06-26 Murata Mfg Co Ltd 半導体モジュール
JP5787046B2 (ja) * 2013-04-19 2015-09-30 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6428387B2 (ja) * 2015-03-06 2018-11-28 株式会社デンソー 電力変換装置
US9673759B1 (en) * 2015-12-21 2017-06-06 Raytheon Company Off-chip distributed drain biasing of high power distributed amplifier monolithic microwave integrated circuit (MMIC) chips
JP6791636B2 (ja) * 2016-01-25 2020-11-25 京セラ株式会社 セラミックヒータ
US10581141B2 (en) * 2016-10-21 2020-03-03 DISH Technologies L.L.C. RF antenna arrangement configured to be a part of a lid to an apparatus
CN113316380B (zh) * 2021-04-14 2023-01-03 浙江韩宇光电科技有限公司 Led支架高精密度全自动叠片机
JPWO2022239105A1 (ko) * 2021-05-11 2022-11-17

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3059461B2 (ja) 1989-05-31 2000-07-04 富士写真フイルム株式会社 情報記録媒体
JPH0636938A (ja) * 1992-07-17 1994-02-10 Sony Corp 面実装型空芯コイル
JPH0664743A (ja) * 1992-08-24 1994-03-08 Nec Corp Ｉｃの分離部
JPH06204038A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 空芯コイル及び表面実装型巻線コイル
JPH07154159A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波増幅集積回路とそのドレインバイアス回路
JPH0855730A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Maspro Denkoh Corp 基板装着用コイル
US5853869A (en) * 1995-08-23 1998-12-29 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent conductor film for electric field shielding
US5649356A (en) * 1995-09-22 1997-07-22 Universal Instruments Corporation Method and apparatus for supplying and placing components
JPH1098295A (ja) 1996-09-24 1998-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品供給装置
JP3092542B2 (ja) * 1997-03-10 2000-09-25 株式会社村田製作所 Ｌｃ複合部品
JP3743148B2 (ja) * 1997-12-15 2006-02-08 松下電器産業株式会社 バルクフィーダを用いた電子部品実装装置
JPH11220290A (ja) * 1998-02-03 1999-08-10 Taiyo Yuden Co Ltd チップ部品取込装置
JPH11238998A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Taiyo Yuden Co Ltd チップ部品取込装置
JP3834149B2 (ja) * 1998-03-23 2006-10-18 太陽誘電株式会社 チップ部品供給装置
US5942732A (en) * 1998-04-13 1999-08-24 Holmes; Robert Automatic weigh and count filling machine feed mechanism
JP3766239B2 (ja) * 1998-08-31 2006-04-12 株式会社ルネサステクノロジ 半導体増幅回路および無線通信装置
JP3059461U (ja) * 1998-11-30 1999-07-09 株式会社マイカコーポレーション 超小型成形コイル
JP2000183590A (ja) 1998-12-18 2000-06-30 Sony Corp 部品供給装置及びそれを備えた部品装着装置
JP2000196292A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Popman:Kk チップ部品供給装置
JP3359002B2 (ja) * 1999-03-17 2002-12-24 シャープ株式会社 送信電力制御方式無線機端末
GB2348205B (en) * 1999-03-25 2001-06-27 Murata Manufacturing Co Paste composition green sheet and multilayer substrate
JP2000299548A (ja) 1999-04-12 2000-10-24 Kenwood Corp プリント基板のランド構造
AU5299600A (en) * 1999-05-26 2000-12-12 Broadcom Corporation Integrated vco
JP2002170710A (ja) 2000-12-01 2002-06-14 Hitachi Ltd コイル及びその製造方法

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