JP5787046B2 - 高周波モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、第１の周波数帯域の高周波信号が通過する第１の信号経路と、第２の周波数帯域の高周波信号が通過する第２の信号経路とが設けられた多層基板を備える高周波モジュールに関する。
従来、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、それぞれ異なる周波数帯域の送信信号（高周波信号）が通過する複数の信号経路が設けられた多層基板５０１を備えるマルチバンド対応の高周波モジュール５００が提供されている。図１３は従来のモジュールを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は回路ブロック図である。高周波モジュール５００は、８００ＭＨｚ帯の送信信号が通過する第１の信号経路５０２と、１．９ＧＨｚ帯の送信信号が通過する第２の信号経路５０３とを備えている。また、各信号経路５０２，５０３には、パワーアンプＰＡと、パワーアンプＰＡの後段に接続された分波器ＤＰＸとが設けられている。また、一般的には、各パワーアンプＰＡのそれぞれには、増幅回路５０４と、増幅回路５０４の後段に接続された整合回路５０５とが含まれている。
また、マルチバンド対応の高周波モジュール５００では、各信号経路５０２，５０３間の干渉を防止するため、多層基板５０１が各周波数帯域用の複数の領域Ａ，Ｂに分割されている。そして、分割配置された各領域Ａ，Ｂのそれぞれに、対応する周波数帯域用の信号経路５０２，５０３が配置され、各信号経路５０２，５０３それぞれに、パワーアンプＰＡおよび分波器ＤＰＸ等の各種部品が配置される。また、各領域Ａ，Ｂ間にグランド電極が配置されることにより、各領域Ａ，Ｂのそれぞれに配置された各信号経路５０２，５０３間の干渉が防止されている。
また、高周波モジュール５００では、各信号経路５０２，５０３が配置された各領域Ａ，Ｂのそれぞれにおいて、パワーアンプＰＡおよび分波器ＤＰＸ間の干渉を防止するため、次のような対策が講じられている。すなわち、パワーアンプＰＡ用のグランド電極と、分波器ＤＰＸ用のグランド電極とが、電気的に分離された状態で多層基板５０１内に個別に設けられている。
ところで、一般的に、入力された所望の周波数帯域の高周波信号の整数倍の高調波成分がパワーアンプＰＡにおいて発生し、高調波成分を含む高周波信号がパワーアンプＰＡから出力される。しかしながら、パワーアンプＰＡから出力された高調波成分を含む高周波信号が所望の周波数帯域の信号のみを通過させるフィルタ機能を備えた分波器ＤＰＸに入力されることにより、高周波信号から不要な高調波成分が除去されて、所望の周波数帯域の送信信号が分波器ＤＰＸから出力される。
特開２００７−１２４２０２号公報（段落００２０〜００３３，００５７、図１〜図３など）
ところで、近年、ＧＳＭ（登録商標）（Global System for Mobile
Communications）規格やＣＤＭＡ（Code Division Multiple Access）規格、ＬＴＥ（登録商標）（Long Term Evolution）規格など、複数の通信規格による通信をサポートする携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末が急速に普及している。これらの通信携帯端末が備えるマザー基板には、上記したように、周波数の異なる送信信号および受信信号を分波する分波器ＤＰＸや送信信号を増幅するパワーアンプＰＡ、受信信号を増幅するローノイズアンプ等を備えるマルチバンド対応の高周波モジュール５００が搭載される。
ところが、通信携帯端末の小型化が進み、これらの機器に搭載される高周波モジュール５００のさらなる小型化が要求されている。したがって、高周波モジュール５００の小型化が進むことにより、次のような問題が生じている。すなわち、高周波モジュール５００の小型化を図るために多層基板５０１が小型化されることにより、多層基板５０１の各領域Ａ，Ｂのそれぞれに配置されるパワーアンプＰＡおよび分波器ＤＰＸ間の信号経路の物理的な距離が縮まると共に、各信号経路５０２，５０３が最短距離で配線される。すなわち、配線による損失が最も小さくなる距離を最短距離と呼ぶ。また、パワーアンプＰＡおよび分波器ＤＰＸのそれぞれに対応して多層基板５０１に設けられるグランド電極も小型化されている。
パワーアンプＰＡおよび分波器ＤＰＸ間の信号経路の物理的な距離が縮まっているのに伴い、グランド電極も小型化されるため、小型化されたグランド電極が本来の機能を発揮することができない。したがって、パワーアンプＰＡから出力された高出力の高周波信号が、多層基板５０１に設けられた分波器ＤＰＸを含む各種の部品や配線電極に干渉するという問題が生じている。具体的には、パワーアンプＰＡや高周波モジュール５００の出力側と、パワーアンプＰＡの入力側との間にグランド電極や空間等を介した帰還ループが形成され、出力信号がパワーアンプＰＡへの入力信号に干渉することにより、パワーアンプＰＡにおいて発生する高調波信号がパワーアンプＰＡにて増幅され、分波器ＤＰＸでは十分に減衰されずに出力されるという問題が生じている。また、パワーアンプＰＡから出力された不要な高調波成分を含む高周波信号が、分波器ＤＰＸに入力されずにグランド電極や空間等を介して高周波モジュール５００の出力端子から直接出力されることにより、高周波モジュール５００のＲＦ特性が劣化するという問題が生じている。
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、高調波信号が増幅回路において発生するのが抑制されると共に、不要な高調波成分を含む高周波信号が出力されるのが防止されたマルチバンド対応の高周波モジュールを提供することを目的とする。
上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、第１の周波数帯域の高周波信号が通過する第１の信号経路と、第２の周波数帯域の高周波信号が通過する第２の信号経路とが設けられた多層基板を備える高周波モジュールにおいて、前記第１の信号経路は、第１の増幅回路と、前記第１の増幅回路の後段に接続された第１の整合回路と、前記第１の整合回路の後段に接続された第１のフィルタ回路とを備え、前記第２の信号経路は、第２の増幅回路と、前記第２の増幅回路の後段に接続された第２の整合回路と、前記第２の整合回路の後段に接続された第２のフィルタ回路とを備え、前記第１の信号経路の前記第１の増幅回路の後段から前記第１のフィルタ回路の前段までの部分と、前記第２の信号経路の前記第２の増幅回路の後段から前記第２のフィルタ回路の前段までの部分とが、前記多層基板において平面視で少なくとも１回交差していることを特徴とする高周波モジュール。
このように構成された発明では、第１の周波数帯域の高周波信号が通過する第１の信号経路は、第１の増幅回路と、第１の増幅回路の後段に接続された第１の整合回路と、第１の整合回路の後段に接続された第１のフィルタ回路とを備えている。また、第２の周波数帯域の高周波信号が通過する第２の信号経路は、第２の増幅回路と、第２の増幅回路の後段に接続された第２の整合回路と、第２の整合回路の後段に接続された第２のフィルタ回路とを備えている。そして、第１の信号経路の第１の増幅回路の後段から第１のフィルタ回路の前段までの部分と、第２の信号経路の第２の増幅回路の後段から第２のフィルタ回路の前段までの部分とが、多層基板において平面視で少なくとも１回交差している。
したがって、第１の信号経路と第２の信号経路とが多層基板において平面視で少なくとも１回交差しているので、第１の増幅回路および第１のフィルタ回路間の第１の信号経路の物理的な距離と、第２の増幅回路および第２のフィルタ回路間の第２の信号経路の物理的な距離とが、信号経路が最短経路で配線される従来の構成と比較すると十分に長くなる。そのため、第１の増幅回路および第１のフィルタ回路間の第１の信号経路と、第２の増幅回路および第２のフィルタ回路間の第２の信号経路とに対して、従来よりも大型化されたグランド電極を配置することができる。また、従来のように、増幅回路およびフィルタ回路等の各機能ごとにグランド電極を電気的に分離して独立して設けずにグランド電極を大型化しても、第１の増幅回路および第１のフィルタ回路間の第１の信号経路と、第２の増幅回路および第２のフィルタ回路間の第２の信号経路とが十分に長く、グランド電極が本来の機能を発揮することができるので、高周波モジュールの接地状態が理想的な状態に近づき安定する。
したがって、第１の増幅回路および第２の増幅回路から出力された高出力の高周波信号が、それぞれ、多層基板に設けられた第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路や、第１の信号経路および第２の信号経路に干渉するのを防止することができる。具体的には、第１の増幅回路および第２の増幅回路それぞれの出力側と入力側との間にグランド電極や空間等を介した帰還ループが形成されるのが防止されるので、第１の増幅回路および第２の増幅回路それぞれの出力信号がそれぞれの入力信号に干渉することにより高調波信号が第１の増幅回路および第２の増幅回路のそれぞれにおいて発生するのを抑制することができる。
また、第１の増幅回路および第２の増幅回路から出力された不要な高調波成分を含む高周波信号が、それぞれ、第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路に入力されずにグランド電極や空間等を介してや高周波モジュールから直接出力されるのを防止することができる。したがって、不要な高調波成分を含む高周波信号が出力されるのが防止されて優れたＲＦ特性を有するマルチバンド対応の高周波モジュールを提供することができる。
また、前記第１の増幅回路は、前記多層基板の第１の領域に配置され、前記第２の増幅回路は、前記多層基板の第２の領域に配置され、前記第１のフィルタ回路は、前記第２の領域に配置され、前記第２のフィルタ回路は、前記第１の領域に配置されるとよい。
このように構成すると、第１の信号経路に設けられた第１のフィルタ回路は、第１の増幅回路が配置された多層基板の第１の領域と異なる第２の領域に配置されている。また、第２の信号経路に設けられた第２のフィルタ回路は、第２の増幅回路が配置された多層基板の第２の領域と異なる第１の領域に配置されている。そのため、第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路の配置が第１の領域と第２の領域との間で入れ換わっているので、第１の信号経路の第１の増幅回路の後段から第１のフィルタ回路の前段までの部分と、第２の信号経路の第２の増幅回路の後段から第２のフィルタ回路の前段までの部分とが、多層基板において確実に平面視で少なくとも１回交差する。したがって、第１の増幅回路および第１のフィルタ回路間の第１の信号経路の物理的な距離と、第２の増幅回路および第２のフィルタ回路間の第２の信号経路の物理的な距離とが十分に長く、不要な高調波成分を含む高周波信号が出力されるのが防止されて優れたＲＦ特性を有する高周波モジュールを提供することができる。
また、前記第１の増幅回路は、前記多層基板の第１の領域に配置され、前記第２の増幅回路は、前記多層基板の第２の領域に配置され、前記第１の整合回路は、前記第２の領域に配置され、前記第２の整合回路は、前記第１の領域に配置されるとよい。
このように構成すると、第１の信号経路に設けられた第１の整合回路は、第１の増幅回路が配置された多層基板の第１の領域と異なる第２の領域に配置されている。また、第２の信号経路に設けられた第２の整合回路は、第２の増幅回路が配置された多層基板の第２の領域と異なる第１の領域に配置されている。そのため、第１の整合回路および第２の整合回路の配置が第１の領域と第２の領域との間で入れ換わっているので、第１の信号経路の第１の増幅回路の後段から第１のフィルタ回路の前段までの部分と、第２の信号経路の第２の増幅回路の後段から第２のフィルタ回路の前段までの部分とが、多層基板において確実に平面視で少なくとも１回交差する。したがって、第１の増幅回路および第１のフィルタ回路間の第１の信号経路の物理的な距離と、第２の増幅回路および第２のフィルタ回路間の第２の信号経路の物理的な距離とが十分に長く、不要な高調波成分を含む高周波信号が出力されるのが防止されて優れたＲＦ特性を有する高周波モジュールを提供することができる。
また、前記第１の信号経路と前記第２の信号経路とが２回以上交差しているとよい。
このようにすれば、第１の信号経路と第２の信号経路とが２回以上交差しているため、各信号経路をさらに長くすることができ、不要な高調波成分を含む高周波信号が出力されるのが防止されて、より一層優れたＲＦ特性を有する高周波モジュールを提供することができる。
また、第１の増幅回路および第１のフィルタ回路間の第１の信号経路の物理的な距離と、第２の増幅回路および第２のフィルタ回路間の第２の信号経路の物理的な距離とが十分に長いので、当該部分において、第１の信号経路および第２の信号経路のそれぞれに方向性結合器やフィルタ回路等をさらに設けることができる。
そこで、前記第１の信号経路と前記第２の信号経路とが交差する箇所において、前記第１の信号経路に第１の方向性結合器が設けられ、前記第２の信号経路に第２の方向性結合器が設けられているとよい。
このように構成すれば、第１の方向性結合器により、第１の増幅回路から出力された高周波信号を第１の信号経路から取り出すことができるので、取り出した高周波信号の信号レベル等を検波回路等により検出することができる。また、第２の方向性結合器により、第２の増幅回路から出力された高周波信号を第２の信号経路から取り出すことができるので、取り出した高周波信号の信号レベル等を検波回路等により検出することができる。また、第１の信号経路と第２の信号経路とが交差することにより信号経路（配線パターン）が長くなるので、各方向性結合器の方向性を改善することができる。したがって、例えばアンテナからの反射波による高周波信号等を除外することができ、各増幅回路から出力された高周波信号のみを各方向性結合器により検出することができる。
また、前記第１の信号経路と前記第２の信号経路とが交差する箇所において、前記第１の信号経路に第３のフィルタ回路が設けられ、前記第２の信号経路に第４のフィルタ回路が設けられているとよい。
このように構成すれば、第１の信号経路および第２の信号経路それぞれに配置された第３のフィルタ回路および第４のフィルタ回路により、第１の増幅回路および第２の増幅回路それぞれから出力される高周波信号に含まれる高調波成分を減衰させることができるので、さらに優れたＲＦ特性を有する高周波モジュールを提供することができる。
本発明によれば、第１の増幅回路および第２の増幅回路から出力された高出力の高周波信号が、それぞれ、多層基板に設けられた第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路や、第１の信号経路および第２の信号経路に干渉するのを防止することができるので、高調波信号が第１の増幅回路および第２の増幅回路のそれぞれにおいて発生するのを抑制することができ、不要な高調波成分を含む高周波信号が出力されるのが防止されて優れたＲＦ特性を有するマルチバンド対応の高周波モジュールを提供することができる。
本発明の高周波モジュールの第１実施形態を示す図である。 図１の高周波モジュールが備える多層基板の各絶縁層を示す平面図であって、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ異なる絶縁層を示す。 平面視での第１の信号経路および第２の信号経路を示す図であって、（ａ）は増幅回路の前段の信号経路を示し、（ｂ）は増幅回路の後段の信号経路を示す。 図１の高周波モジュールの第１の信号経路から出力される高周波信号に含まれる高調波成分の電力密度を示す図であって、（ａ）は第２高調波成分の電力密度を示し、（ｂ）は第３高調波成分の電力密度を示す。 図１の高周波モジュールの第２の信号経路から出力される高周波信号に含まれる高調波成分の電力密度を示す図であって、（ａ）は第２高調波成分の電力密度を示し、（ｂ）は第３高調波の電力密度を示す。 本発明の高周波モジュールの第２実施形態を示す図である。 本発明の高周波モジュールの第３実施形態を示す図である。 本発明の高周波モジュールの第４実施形態を示す図である。 本発明の高周波モジュールの第５実施形態を示す図である。 本発明の高周波モジュールの第６実施形態を示す図である。 本発明の高周波モジュールの第７実施形態を示す図である。 本発明の高周波モジュールの第８実施形態を示す図である。 従来の高周波モジュールを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は回路ブロック図である。
＜第１実施形態＞
本発明の高周波モジュールの第１実施形態について、図１〜図５を参照して説明する。図１は本発明の高周波モジュールの第１実施形態を示す図、図２は図１の高周波モジュールが備える多層基板の各絶縁層を示す平面図であって、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ異なる絶縁層を示し、図３は平面視での第１の信号経路および第２の信号経路を示す図であって、（ａ）は増幅回路の前段の信号経路を示し、（ｂ）は増幅回路の後段の信号経路を示す。
また、図４は図１の高周波モジュールの第１の信号経路から出力される高周波信号に含まれる高調波成分の電力密度を示す図であって、（ａ）は第２高調波成分の電力密度を示し、（ｂ）は第３高調波成分の電力密度を示す。また、図５は図１の高周波モジュールの第２の信号経路から出力される高周波信号に含まれる高調波成分の電力密度を示す図であって、（ａ）は第２高調波成分の電力密度を示し、（ｂ）は第３高調波の電力密度を示す。
なお、図１および図２では、本発明にかかる主要な構成のみ図示されており、その他の構成は説明を簡易なものとするため図示省略されている。また、後で説明する第２実施形態〜第５実施形態を示す図６〜図１２についても、図１と同様に主要な構成のみ図示されているため、以下ではその説明は省略する。
（構成）
図１に示す高周波モジュール１は、通信機能を備える携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末が備えるマザー基板等に搭載されるものである。この実施形態では、第１の周波数帯域（Ｂａｎｄ１３）の送信信号（高周波信号）が通過する第１の信号経路ＳＬ１と、第２の周波数帯域（Ｂａｎｄ１７）の送信信号（高周波信号）が通過する第２の信号経路ＳＬ２とが設けられた多層基板２を備えている。
第１の信号経路ＳＬ１には、第１の増幅回路３１および第１の増幅回路３１の後段に接続された第１の整合回路４１を含む第１のパワーアンプＰＡ１と、第１の整合回路４１の後段に接続された第１の送信フィルタ回路５１（本発明の「第１のフィルタ回路」に相当）を含む分波器ＤＰＸ１が設けられている。また、第２の信号経路ＳＬ２には、第２の増幅回路３２および第２の増幅回路３２の後段に接続された第２の整合回路４２を含む第２のパワーアンプＰＡ２と、第２の整合回路４２の後段に接続された第２の送信フィルタ回路５２（本発明の「第２のフィルタ回路」に相当）を含む分波器ＤＰＸ２が設けられている。なお、各分波器ＤＰＸ１，ＤＰＸ２それぞれに含まれる受信信号用の受信フィルタ回路は、説明を簡易なもとするため図示省略されている。
第１、第２のパワーアンプＰＡ１，ＰＡ２それぞれは、第１の信号経路ＳＬ１および第２の信号経路ＳＬ２それぞれに入力される第１、第２の周波数帯域の送信信号の信号レベルを増幅するものである。第１、第２の増幅回路３１，３２はそれぞれヘテロ接合型バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ等の一般的な電力増幅素子により形成される。第１、第２の整合回路４１，４２は各増幅回路３１，３２におけるそれぞれの出力インピーダンスを所定の値（例えば５０Ω）に整合させるものである。
第１、第２の分波器ＤＰＸ１，ＤＰＸ２それぞれは、送信信号および受信信号を分離するものである。第１、第２の送信フィルタ回路５１，５２および受信フィルタ回路はそれぞれＳＡＷ（弾性表面波）フィルタ素子やＢＡＷ（バルク弾性波）フィルタ素子、ＬＣフィルタ、誘電体フィルタ等の一般的なフィルタ回路により形成される。また、第１の送信フィルタ回路５１は第１の周波数帯域の高周波信号を通過させ、第２のフィルタ回路５２は第２の周波数帯域の高周波信号を通過させる、帯域通過型のフィルタに構成されている。
また、第１のパワーアンプＰＡ１（第１の増幅回路３１、第１の整合回路４１）は多層基板２の第１の領域Ａに配置され、第２のパワーアンプＰＡ２（第２の増幅回路３２、第２の整合回路４２）は多層基板２の第２の領域Ｂに配置されている。また、第１の分波器ＤＰＸ１（第１の送信フィルタ回路５１）は多層基板２の第２の領域Ｂに配置され、第２の分波器ＤＰＸ２（第２の送信フィルタ回路５２）は多層基板２の第１の領域Ａに配置されている。
また、多層基板２の第２の領域Ｂにおける裏面に、第１の周波数帯域の送信信号が外部から入力される第１の入力電極２１ａと、当該送信信号が外部に出力される第１の出力電極２１ｂとが設けられており、第１の入力電極２１ａと第１の出力電極２１ｂとの間に第１の信号経路ＳＬ１が形成されている。また、多層基板２の第１の領域Ａにおける表面に、第１のパワーアンプＰＡ１が実装される実装電極２１ｃ，２１ｄが設けられ、第１の入力電極２１ａと実装電極２１ｃとが多層基板２内の配線電極により接続されている。また、多層基板２の第２の領域Ｂにおける表面に、第１の分波器ＤＰＸ１が実装される実装電極２１ｅ，２１ｆが設けられ、多層基板２内の配線電極により、実装電極２１ｄ，２１ｅが接続され、実装電極２１ｆと第１の出力電極２１ｂとが接続されている。
また、多層基板２の第１の領域Ａにおける裏面に、第２の周波数帯域の送信信号が外部から入力される第２の入力電極２２ａと、当該送信信号が外部に出力される第２の出力電極２２ｂとが設けられており、第２の入力電極２２ａと第２の出力電極２２ｂとの間に第２の信号経路ＳＬ２が形成されている。また、多層基板２の第２の領域Ｂにおける表面に、第２のパワーアンプＰＡ２が実装される実装電極２２ｃ，２２ｄが設けられ、第２の入力電極２２ａと実装電極２２ｃとが多層基板２内の配線電極により接続されている。また、多層基板２の第１の領域Ａにおける表面に、第２の分波器ＤＰＸ２が実装される実装電極２２ｅ，２２ｆが設けられ、多層基板２内の配線電極により、実装電極２２ｄ，２２ｅが接続され、実装電極２２ｆと第２の出力電極２２ｂとが接続されている。
また、両パワーアンプＰＡ１，ＰＡ２の前段において、第１の信号経路ＳＬ１および第２の信号経路ＳＬ２が多層基板２において平面視で交差している。そして、第２の領域Ｂに配置された第１の入力電極２１ａと第１の領域Ａに配置された実装電極２１ｃとが接続され、第１の領域Ａに配置された第２の入力電極２２ａと第２の領域Ｂに配置された実装電極２２ｃとが接続されている。
また、第１の信号経路ＳＬ１の第１のパワーアンプＰＡ１の後段から分波器ＤＰＸ１の前段までの部分と、第２の信号経路ＳＬ２のパワーアンプＰＡ２の後段から分波器ＤＰＸ２の前段までの部分とが、多層基板２において平面視で交差している。そして、第１の領域Ａに配置された実装電極２１ｄと第２の領域Ｂに配置された実装電極２１ｅとが接続され、第２の領域Ｂに配置された実装電極２２ｄと第１の領域Ａに配置された実装電極２２ｅとが接続されている。
また、第１のパワーアンプＰＡ１および第２のパワーアンプＰＡ２の後段で第１の信号経路ＳＬ１と第２の信号経路ＳＬ２とが交差する箇所において、第１の信号経路ＳＬ１に第１の方向性結合器６１（カプラ）が設けられ、第２の信号経路ＳＬ２に第２の方向性結合器６２（カプラ）が設けられている。第１、第２の方向性結合器６１，６２それぞれは、各パワーアンプＰＡ１，ＰＡ２それぞれから出力される送信信号（高周波信号）を取り出して検波回路等により検出し、検出された高周波信号の信号レベルに基づいて各パワーアンプＰＡ１，ＰＡ２を制御するためのものである。
第１の方向性結合器６１は、第１の信号経路ＳＬ１に形成されたコイルパターン６１ａと、コイルパターン６１ａが形成された絶縁層の同一面内または当該絶縁層に隣接する絶縁層に形成されたコイルパターン６１ｂとを備えている。また、コイルパターン６１ｂの一端は多層基板２の裏面に設けられた信号取出し用の第１の取出電極２１ｇに接続され、その他端は多層基板２の裏面に設けられた外部の終端抵抗への接続用の第１の終端抵抗接続用電極２１ｊに接続されている。
第２の方向性結合器６２は、第２の信号経路ＳＬ２に形成されたコイルパターン６２ａと、コイルパターン６２ａが形成された絶縁層の同一面内または当該絶縁層に隣接する絶縁層に形成されたコイルパターン６２ｂとを備えている。また、コイルパターン６２ｂの一端は多層基板２の裏面に設けられた信号取出し用の第２の取出電極２２ｇに接続され、その他端は多層基板２の裏面に設けられた外部の終端抵抗への接続用の第２の終端抵抗接続用電極２２ｊに接続されている。
（多層基板）
次に、第１の信号経路ＳＬ１および第２の信号経路ＳＬ２が形成される多層基板２について図２および図３を参照して説明する。
多層基板２は、この実施形態では、図２（ａ）〜（ｅ）に示すように、５層の絶縁層２ａ〜２ｅを備え、最下層の絶縁層２ｅから最上層の絶縁層２ａまで、各絶縁層２ａ〜２ｅが順番に積層されて形成されている。また、多層基板２の表面を形成する絶縁層２ａの表面には、実装電極２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅを含む複数の実装電極が形成されており、各パワーアンプＰＡ１，ＰＡ２や整合回路（図示省略）や各分波器ＤＰＸ１，ＤＰＸ２、スイッチＩＣ（図示省略）、ローノイズアンプ（図示省略）等の高周波回路部品、チップ抵抗やチップコンデンサ、チップコイル等のセラミック積層部品（図示省略）などの各種の電子部品が各実装電極に実装される。
また、多層基板２の裏面を形成する絶縁層２ｅの裏面には、各入力電極２１ａ，２２ａおよび各出力電極２１ｂ，２２ｂと、各取出電極２１ｇ，２２ｇおよび各終端抵抗接続用電極２１ｊ，２２ｊとを含む外部接続用の信号電極２３と、接地用のグランド電極２４とが形成されている。また、各絶縁層２ｂ，２ｃ，２ｄには、面内電極やビア導体（層間接続導体：図示省略）を含む内部配線電極が形成されており、各絶縁層２ｂ，２ｃ，２ｄに形成された内部配線電極が多層基板２内で接続されることにより、各信号経路ＳＬ１，ＳＬ２が形成される。
具体的には、絶縁層２ｂには、面内電極１０１ｂ，１０２ｂ，２０１ｂ，２０２ｂが形成され、絶縁層２ｃには、面内電極１０１ｃ，１０２ｃ，２０１ｃ，２０２ｃが形成され、絶縁層２ｄには、面内電極２０１ｄ，２０２ｄが形成され、次のように各面内電極が図示省略されたビア導体により層間接続されることにより各信号経路ＳＬ１，ＳＬ２が形成される。
すなわち、絶縁層２ｃの面内電極１０１ｃの一端１０１ｃ１が絶縁層２ｅの第１の入力電極２１ａに接続され、その他端１０１ｃ２が絶縁層２ｂの面内電極１０１ｂの一端１０１ｂ１に接続される。また、絶縁層２ｂの面内電極１０１ｂの他端１０１ｂ２が絶縁層２ａの実装電極２１ｃに図示省略されたビア導体と配線パターンで接続されることにより、第１のパワーアンプＰＡ１の前段の第１の信号経路ＳＬ１が形成される。また、絶縁層２ｂの面内電極２０１ｂの一端２０１ｂ１が絶縁層２ａの実装電極２１ｄに接続され、その他端２０１ｂ２が絶縁層２ｃの面内電極２０１ｃを介して絶縁層２ｄの面内電極２０１ｄの一端２０１ｄ１に接続される。また、絶縁層２ｄの面内電極２０１ｄの他端２０１ｄ２が絶縁層２ａの実装電極２１ｅに接続されることにより、第１のパワーアンプＰＡ１および第１の分波器ＤＰＸ１間の第１の信号経路ＳＬ１が形成される。
一方、絶縁層２ｃの面内電極１０２ｃの一端１０２ｃ１が絶縁層２ｅの第２の入力電極２２ａに接続され、その他端１０２ｃ２が絶縁層２ｂの面内電極１０２ｂの一端１０２ｂ１に接続される。また、絶縁層２ｂの面内電極１０２ｂの他端１０２ｂ２が絶縁層２ａの実装電極２２ｃに図示省略されたビア導体と配線パターンで接続されることにより、第２のパワーアンプＰＡ２の前段の第２の信号経路ＳＬ２が形成される。また、絶縁層２ｂの面内電極２０２ｂの一端２０２ｂ１が絶縁層２ａの実装電極２２ｄに接続され、その他端２０２ｂ２が絶縁層２ｃの面内電極２０２ｃの一端２０２ｃ１に接続される。また、絶縁層２ｃの面内電極２０２ｃの他端２０２ｃ２が絶縁層２ｄの面内電極２０２ｄの一端２０２ｄ１に接続され、絶縁層２ｄの面内電極２０１ｄの他端２０２ｄ２が絶縁層２ａの実装電極２２ｅに接続されることにより、第２のパワーアンプＰＡ２および第２の分波器ＤＰＸ２間の第２の信号経路ＳＬ１が形成される。
以上のように各信号経路ＳＬ１，ＳＬ２が形成されることにより、図３（ａ）に示すように、両パワーアンプＰＡ１，ＰＡ２の前段において、第１の信号経路ＳＬ１および第２の信号経路ＳＬ２が多層基板２において平面視で交差している。また、図３（ｂ）に示すように、第１の信号経路ＳＬ１の第１のパワーアンプＰＡ１の後段から分波器ＤＰＸ１の前段までの部分と、第２の信号経路ＳＬ２のパワーアンプＰＡ２の後段から分波器ＤＰＸ２の前段までの部分とが、多層基板２において平面視で２回以上交差している。
なお、多層基板２は、この実施形態では、セラミックグリーンシートにより形成された複数の絶縁層２ａ〜２ｅが積層されて焼成されることで一体的にセラミック積層体として形成される。すなわち、各絶縁層２ａ〜２ｅを形成するセラミックグリーンシートは、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーが成型器によりシート化されたものであり、約１０００℃前後の低い温度で、低温焼成できるように形成されている。そして、所定形状に切り取られたセラミックグリーンシートに、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールにＡｇやＣｕなどを含む導体ペーストが充填されたり、ビアフィルめっきが施されることにより層間接続用のビア導体が形成され、導体ペーストによる印刷により種々の面内電極が形成されて、各絶縁層が形成される。
また、各絶縁層に形成される面内電極およびビア導体によりコンデンサやコイルなどの回路素子が形成されたり、形成されたコンデンサやコイルなどの回路素子によりフィルタ回路や整合回路などが形成されてもよい。また、多層基板２は、樹脂やポリマー材料などを用いて形成されていてもよい。また、多層基板２の層数等は上記した構成に限られるものではなく、高周波モジュール１の使用目的等に応じて、適宜、設計変更すればよい。
（高周波特性）
次に、高周波モジュール１の高周波（ＲＦ）特性について図４および図５を参照して説明する。なお、図４（ａ），（ｂ）および図５（ａ），（ｂ）において、横軸は高周波モジュールから出力される高周波信号の出力電力［ｄＢｍ］を示し、縦軸は高周波モジュールから出力される高周波信号に含まれる高調波成分の電力密度［ｄＢｍ／ＭＨｚ］を示す。また、各図において、■はこの実施形態の高周波モジュール１の実施例における高周波特性を示し、◆は従来構成の高周波モジュールである比較例における高周波特性を示す。
図４（ａ），（ｂ）に示すように、実施例では、第１の信号経路ＳＬ１に第１の周波数帯域（Ｂａｎｄ１３）の送信信号が入力されたときに高周波モジュール１から出力される高周波信号に含まれる第２高調波（図４（ａ））および第３高調波（図４（ｂ）の電力密度の大きさが、比較例と比べると出力電力の全域に渡って抑制されている。また、図５（ａ），（ｂ）に示すように、実施例では、第２の信号経路ＳＬ２に第２の周波数帯域（Ｂａｎｄ１７）の送信信号が入力されたときに高周波モジュール１から出力される高周波信号に含まれる第２高調波（図５（ａ））および第３高調波（図５（ｂ））の電力密度の大きさが、比較例と比べると出力電力の全域に渡って抑制されている。
以上のように、この実施形態では、第１の周波数帯域の高周波信号が通過する第１の信号経路ＳＬ１は、第１の増幅回路３１と、第１の増幅回路３１の後段に接続された第１の整合回路４１と、第１の整合回路４１の後段に接続された第１の送信フィルタ回路５１とを備えている。また、第２の周波数帯域の高周波信号が通過する第２の信号経路ＳＬ２は、第２の増幅回路３２と、第２の増幅回路３２の後段に接続された第２の整合回路４２と、第２の整合回路４２の後段に接続された第２の送信フィルタ回路５２とを備えている。そして、第１の信号経路ＳＬ１の第１の整合回路４１の後段から第１の送信フィルタ回路５１の前段までの部分と、第２の信号経路ＳＬ２の第２の整合回路４２の後段から第２の送信フィルタ回路５２の前段までの部分とが、多層基板２において少なくとも１回交差している。
したがって、第１の信号経路ＳＬ１と第２の信号経路ＳＬ２とが多層基板２において平面視で少なくとも１回交差しているので、第１の増幅回路３１および第１の送信フィルタ回路５１間の第１の信号経路ＳＬ１の物理的な距離と、第２の増幅回路３２および第２の送信フィルタ回路５２間の第２の信号経路ＳＬ２の物理的な距離とが、各信号経路が最短経路で配線される従来の構成と比較すると十分に長くなる。そのため、第１の増幅回路３１および第１の送信フィルタ回路５１間の第１の信号経路ＳＬ１と、第２の増幅回路３２および第２の送信フィルタ回路５２間の第２の信号経路ＳＬ２とに対して、従来よりも大型化された接地用のグランド電極を、多層基板２の裏面や内部の絶縁層に配置することができる。
また、従来のように、増幅回路３１，３２および送信フィルタ回路５１，５２等の各機能ごとにグランド電極を電気的に分離して独立して設けずにグランド電極２４を大型化しても、第１の増幅回路３１および第１の送信フィルタ回路５１間の第１の信号経路ＳＬ１と、第２の増幅回路３２および第２の送信フィルタ回路５２間の第２の信号経路ＳＬ２とが十分に長く、グランド電極２４が本来の機能を発揮することができるので、高周波モジュール１の接地状態が理想的な状態に近づき安定する。
したがって、第１の増幅回路３１および第２の増幅回路３２から出力された高出力の高周波信号が、それぞれ、多層基板２に設けられた第１の送信フィルタ回路５１および第２の送信フィルタ回路５２や、第１の信号経路ＳＬ１および第２の信号経路ＳＬ２に干渉するのを防止することができる。具体的には、第１の増幅回路３１および第２の増幅回路３２それぞれの出力側と入力側との間にグランド電極２４や空間等を介した帰還ループが形成されるのが防止されるので、第１の増幅回路３１および第２の増幅回路３２それぞれの出力信号がそれぞれの入力信号に干渉することにより高調波信号が第１の増幅回路３１および第２の増幅回路３２のそれぞれにおいて発生するのを抑制することができる。
また、第１の増幅回路３１および第２の増幅回路３２から出力された不要な高調波成分を含む高周波信号が、それぞれ、第１の送信フィルタ回路５１および第２の送信フィルタ回路５２に入力されずにグランド電極２４や空間等を介してや高周波モジュール１から直接出力されるのを防止することができる。したがって、不要な高調波成分を含む高周波信号が出力されるのが防止されて優れたＲＦ特性を有するマルチバンド対応の高周波モジュール１を提供することができる。
また、両パワーアンプＰＡ１，ＰＡ２の前段において、第１の信号経路ＳＬ１および第２の信号経路ＳＬ２が多層基板２において平面視で交差しているので、第１の入力電極２１ａおよび第１の出力電極２１ｂが多層基板２の同じ第２の領域Ｂに配置され、第２の入力電極２２ａおよび第２の出力電極２２ｂが多層基板２の同じ第１の領域Ａに配置される。したがって、高周波モジュール１を外部接続する際に、各電極２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂの配置を間違って外部接続するのを防止することができる実用的な構成の高周波モジュール１を提供することができる。
また、第１の信号経路ＳＬ１（第１の周波数帯域）および第２の信号経路ＳＬ２（第２の周波数帯域）が同時に使用されない通信システムに高周波モジュール１が搭載されることにより、次のような効果を奏することができる。すなわち、第１の信号経路ＳＬ１が使用されている際には第２の信号経路ＳＬ２が使用されないので、第２の信号経路ＳＬ２を通過する第２の周波数帯域の高周波信号が第１の信号経路ＳＬ１から出力される第１の周波数帯域の高周波信号に影響を与えるのを防止することができる。また、第２の信号経路ＳＬ２が使用されている際には第１の信号経路ＳＬ１が使用されてないので、第１の信号経路ＳＬ１を通過する第１の周波数帯域の高周波信号が第２の信号経路ＳＬ２から出力される第２の周波数帯域の高周波信号に影響を与えるのを防止することができる。したがって、高周波モジュール１のＲＦ特性をさらに向上させることができる。
また、第１の信号経路ＳＬ１に設けられた第１の分波器ＤＰＸ１（第１の送信フィルタ回路５１）は、第１のパワーアンプＰＡ１（第１の増幅回路３１）が配置された多層基板２の第１の領域Ａと異なる第２の領域Ｂに配置されている。また、第２の信号経路ＳＬ２に設けられた第２の分波器ＤＰＸ２（第２の送信フィルタ回路５２）は、第２のパワーアンプＰＡ２（第２の増幅回路３２）が配置された多層基板２の第２の領域Ｂと異なる第１の領域Ａに配置されている。
そのため、第１の分波器ＤＰＸ１および第２の分波器ＤＰＸ２の配置が第１の領域Ａと第２の領域Ｂとの間で入れ換わっているので、第１の信号経路ＳＬ１の第１のパワーアンプＰＡ１の後段から第１の分波器ＤＰＸ１の前段までの部分と、第２の信号経路ＳＬ２の第２のパワーアンプＰＡ２の後段から第２の分波器ＤＰＸ２の前段までの部分とが、多層基板２において確実に平面視で少なくとも１回交差する。したがって、第１のパワーアンプＰＡ１および第１の分波器ＤＰＸ１間の第１の信号経路ＳＬの物理的な距離と、第２のパワーアンプＰＡ２および第２の分波器ＤＰＸ２間の第２の信号経路ＳＬ２の物理的な距離とが十分に長く、不要な高調波成分を含む高周波信号が直接出力電極に出力されるのが防止されて優れたＲＦ特性を有する高周波モジュール１を提供することができる。
また、第１の信号経路ＳＬ１の第１のパワーアンプＰＡ１の後段から第１の分波器ＤＰＸ１の前段までの部分と、第２の信号経路ＳＬ２の第２のパワーアンプＰＡ２の後段から第２の分波器ＤＰＸ２の前段までの部分とが２回以上交差しているため、各信号経路ＳＬ１，ＳＬ２をさらに長くすることができ、不要な高調波成分を含む高周波信号が直接出力電極に出力されるのが防止されて、より一層優れたＲＦ特性を有する高周波モジュール１を提供することができる。
また、第１のパワーアンプＰＡ１および第１の分波器ＤＰＸ１間の第１の信号経路ＳＬ１の物理的な距離と、第２のパワーアンプＰＡ２および第２の分波器ＤＰＸ２間の第２の信号経路ＳＬ２の物理的な距離とが十分に長いので、当該部分において、第１の信号経路ＳＬ１および第２の信号経路ＳＬ２のそれぞれに方向性結合器やフィルタ回路等をさらに設けることができる。
そこで、この実施形態では、第１の信号経路ＳＬ１と第２の信号経路ＳＬ２とが交差する箇所において、図２においては図示省略されているが、第１の信号経路ＳＬ１に第１の方向性結合器６１が設けられ、第２の信号経路ＳＬ２に第２の方向性結合器６２が設けられているので、次のような効果を奏することができる。すなわち、第１の方向性結合器６１により、第１のパワーアンプＰＡ１から出力された高周波信号を第１の信号経路ＳＬ１から取り出すことができるので、取り出した高周波信号の信号レベル等を検波回路等により検出することができる。また、第２の方向性結合器６２により、第２のパワーアンプＰＡ２から出力された高周波信号を第２の信号経路ＳＬ２から取り出すことができるので、取り出した高周波信号の信号レベル等を検波回路等により検出することができる。
また、第１の信号経路ＳＬ１と第２の信号経路ＳＬ２とが交差することにより信号経路（配線パターン）が長くなるので、各方向性結合器６１，６２の結合量や方向性を改善することができる。したがって、例えばアンテナからの反射波による高周波信号等を除外することができ、各増幅回路３１，３２から出力された高周波信号のみを各方向性結合器６１，６２により検出することができる。
＜第２実施形態＞
本発明の高周波モジュールの第２実施形態について、図６を参照して説明する。図６は本発明の高周波モジュールの第２実施形態を示す図である。
この実施形態の高周波モジュール１ａが上記した第１実施形態の高周波モジュール１と異なるのは、図６に示すように、第１の信号経路ＳＬ１と第２の信号経路ＳＬ２とが交差する箇所において、第１の信号経路ＳＬ１に第３のフィルタ回路７１が設けられ、第２の信号経路ＳＬ２に第４のフィルタ回路７２が設けられている点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
第３のフィルタ回路７１および第４のフィルタ回路７２は、上記した第１の送信フィルタ回路５１および第２の送信フィルタ回路５２と同様に帯域通過型のフィルタに構成されてもよいし、帯域遮断型のフィルタに構成されてもよい。また、第３のフィルタ回路７１および第４のフィルタ回路７２は、上記した第１の送信フィルタ回路５１および第２の送信フィルタ回路５２と同様に、ＳＡＷ（弾性表面波）フィルタ素子やＢＡＷ（バルク弾性波）フィルタ素子、ＬＣフィルタ、分布定数線路型フィルタ、誘電体フィルタ等の一般的なフィルタ回路により形成される。
このように構成すると、上記した実施形態と同様の効果を奏することができると共に、以下の効果を奏することができる。すなわち、第１の信号経路ＳＬ１および第２の信号経路ＳＬ２それぞれに配置された第３のフィルタ回路７１および第４のフィルタ回路７２により、第１のパワーアンプＰＡ１および第２のパワーアンプＰＡ２それぞれから出力される高周波信号に含まれる高調波成分を減衰させることができるので、さらに優れたＲＦ特性を有する高周波モジュール１ａを提供することができる。
なお、上記した第１実施形態と同様に、第１の方向性結合器６１および第２の方向性結合器６２がさらに設けられていてもよい。
＜第３実施形態＞
本発明の高周波モジュールの第３実施形態について、図７を参照して説明する。図７は本発明の高周波モジュールの第３実施形態を示す図である。
この実施形態の高周波モジュール１ｂが上記した第１実施形態の高周波モジュール１と異なるのは、図７に示すように、第１のパワーアンプＰＡ１および第２のパワーアンプＰＡ２の前段において、第１の信号経路ＳＬ１と第２の信号経路ＳＬ２とが交差していない点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
このように構成しても、上記した実施形態と同様の効果を奏することができる。
なお、この実施形態においても、上記した第１の方向性結合器６１および第２の方向性結合器６２や、第３のフィルタ回路７１および第４のフィルタ回路７２がさらに設けられていてもよい。また、後で説明する第４実施形態および第５実施形態においても同様であるため、以下ではその説明は省略する。
＜第４実施形態＞
本発明の高周波モジュールの第４実施形態について、図８を参照して説明する。図８は本発明の高周波モジュールの第４実施形態を示す図である。
この実施形態の高周波モジュール１ｃが上記した第１実施形態の高周波モジュール１と異なるのは、図８に示すように、第１の増幅回路３１は、多層基板２の第１の領域Ａに配置されて実装電極２１ｃ，２１ｈに実装され、第２の増幅回路３２は、多層基板２の第２の領域Ｂに配置されて実装電極２２ｃ，２２ｈに実装され、第１の整合回路４１は、第２の領域Ｂに配置されて実装電極２１ｄ，２１ｉに実装され、第２の整合回路４２は、第１の領域Ａに配置されて実装電極２２ｄ，２２ｉに実装されている点である。また、第１の増幅回路３１および第２の増幅回路３２の後段であって、第１の整合回路４１および第２の整合回路４２の前段において、第１の信号経路ＳＬ１と第２の信号経路ＳＬ２とが交差している。さらに、第１の入力電極２１ａと第１の増幅回路３１とを接続する配線経路ＳＬ１と、第２の入力電極２２ａと第２の増幅回路３２とを接続する配線経路ＳＬ２は交差していない。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
このように構成しても、上記した実施形態と同様の効果を奏することができる。すなわち、第１の信号経路ＳＬ１に設けられた第１の整合回路４１および第１の分波器ＤＰＸ１は、第１の増幅回路３１が配置された多層基板２の第１の領域Ａと異なる第２の領域Ｂに配置されている。また、第２の信号経路ＳＬ２に設けられた第２の整合回路４２および第２の分波器ＤＰＸ２は、第２の増幅回路３２が配置された多層基板２の第２の領域Ｂと異なる第１の領域Ａに配置されている。
そのため、第１の整合回路４２および第１の分波器ＤＰＸ１と、第２の整合回路４２および第２の分波器ＤＰＸ２とが、その配置が第１の領域Ａと第２の領域Ｂとの間で入れ換わっているので、第１の信号経路ＳＬ１の第１の増幅回路３１の後段から第１の分波器ＤＰＸ１の前段までの部分と、第２の信号経路ＳＬ２の第２の増幅回路３２の後段から第２の分波器ＤＰＸ２の前段までの部分とが、多層基板２において確実に平面視で少なくとも１回交差する。したがって、第１の増幅回路３１および第１の分波器ＤＰＸ１間の第１の信号経路ＳＬ１の物理的な距離と、第２の増幅回路３２および第２の分波器ＤＰＸ２間の第２の信号経路ＳＬ２の物理的な距離とが十分に長く、不要な高調波成分を含む高周波信号が出力されるのが防止されて優れたＲＦ特性を有する高周波モジュール１ｃを提供することができる。
＜第５実施形態＞
本発明の高周波モジュールの第５実施形態について、図９を参照して説明する。図９は本発明の高周波モジュールの第５実施形態を示す図である。
この実施形態の高周波モジュール１ｄが上記した第４実施形態の高周波モジュール１ｃと異なるのは、図９に示すように、第１の増幅回路３１および第１の分波器ＤＰＸ１は、多層基板２の第１の領域Ａに配置され、第２の増幅回路３２および第２の分波器ＤＰＸ２は、多層基板２の第２の領域Ｂに配置され、第１の整合回路４１は、第２の領域Ｂに配置され、第２の整合回路４２は、第１の領域Ａに配置されている点である。また、第１の増幅回路３１および第２の増幅回路３２の後段であって、第１の整合回路４１および第２の整合回路４２の前段において、第１の信号経路ＳＬ１と第２の信号経路ＳＬ２とが交差し、第１の整合回路４１および第２の整合回路４２の後段であって、第１の分波器ＤＰＸ１および第２の分波器ＤＰＸ２の前段において、第１の信号経路ＳＬ１と第２の信号経路ＳＬ２とが交差している。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
このように構成しても、上記した実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、第１の信号経路ＳＬ１および第２の信号経路ＳＬ２が多層基板２において平面視で２回以上（偶数回以上）交差しているので、第１の入力電極２１ａおよび第１の出力電極２１ｂが多層基板２の同じ第１の領域Ａに配置され、第２の入力電極２２ａおよび第２の出力電極２２ｂが多層基板２の同じ第２の領域Ｂに配置される。したがって、高周波モジュール１を外部接続する際に、各電極２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂの配置を間違って外部接続するのを防止することができる実用的な構成の高周波モジュール１ｄを提供することができる。
＜第６実施形態＞
本発明の高周波モジュールの第６実施形態について、図１０を参照して説明する。図１０は本発明の高周波モジュールの第６実施形態を示す図である。
この実施形態の高周波モジュール１ｅが上記した第１実施形態の高周波モジュール１と異なるのは、図１０に示すように、コイルパターン６１ｂの他端が高周波モジュール１ｅに内蔵された終端抵抗Ｒを介してグランド電極２４に接続され、コイルパターン６２ｂの他端が高周波モジュール１ｅに内蔵された終端抵抗Ｒを介してグランド電極２４に接続されている点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
このように構成しても、上記した実施形態と同様の効果を奏することができる。
＜第７実施形態＞
本発明の高周波モジュールの第７実施形態について、図１１を参照して説明する。図１１は本発明の高周波モジュールの第７実施形態を示す図である。
この実施形態の高周波モジュール１ｆが上記した第１実施形態の高周波モジュール１と異なるのは、図１１に示すように、コイルパターン６１ｂの他端が終端抵抗Ｒを介してグランド電極２４に接続され、コイルパターン６１ｂの一端がコイルパターン６２ｂの他端に接続されている点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
このように構成しても、上記した実施形態と同様の効果を奏することができる。
＜第８実施形態＞
本発明の高周波モジュールの第８実施形態について、図１２を参照して説明する。図１２は本発明の高周波モジュールの第８実施形態を示す図である。
この実施形態の高周波モジュール１ｇが上記した第１実施形態の高周波モジュール１と異なるのは、図１２に示すように、コイルパターン６１ｂの一端がコイルパターン６２ｂの他端に接続されている点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
このように構成しても、上記した実施形態と同様の効果を奏することができる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、上記した実施形態が備える構成をどのように組み合わせてもよい。すなわち、第１の信号経路の第１の増幅回路の後段から第１のフィルタ回路の前段までの部分と、第２の信号経路の第２の増幅回路の後段から第２のフィルタ回路の前段までの部分とが、多層基板において平面視で少なくとも１回交差していればよい。
また、高周波モジュールにおいて使用される周波数帯域は上記した例に限定されるものではなく、高周波モジュールが搭載される通信機器等で使用される通信帯域等に応じて、適宜、周波数帯域を変更すればよい。また、高周波モジュールに通信経路がさらに設けられていてもよく、ＧＰＳシステムやＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）規格による通信システム、通話用やデータ通信用の複数の通信規格による通信を行う通信システム等に使用される通信経路を設けることで、高周波モジュールをマルチバンドおよびマルチモードに対応させることができる。
また、上記した実施形態では、分波器を備える高周波モジュールを例に挙げて説明されているが、本発明の第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路として、それぞれ、単体のフィルタ回路が多層基板に搭載されていてもよい。また、第１の増幅回路および第２の増幅回路それぞれの前段にフィルタ回路がさらに設けられていてもよい。
第１の周波数帯域の高周波信号が通過する第１の信号経路と、第２の周波数帯域の高周波信号が通過する第２の信号経路とが設けられた多層基板を備える高周波モジュールに本発明を広く適用することができる。
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ 高周波モジュール
２ 多層基板
３１ 第１の増幅回路
３２ 第２の増幅回路
４１ 第１の整合回路
４２ 第２の整合回路
５１ 第１の送信フィルタ回路（第１のフィルタ回路）
５２ 第２の送信フィルタ回路（第２のフィルタ回路）
６１ 第１の方向性結合器
６２ 第２の方向性結合器
７１ 第３のフィルタ回路
７２ 第４のフィルタ回路
Ａ 第１の領域
Ｂ 第２の領域
ＳＬ１ 第１の信号経路
ＳＬ２ 第２の信号経路

Claims (6)

  1. 第１の周波数帯域の高周波信号が通過する第１の信号経路と、第２の周波数帯域の高周波信号が通過する第２の信号経路とが設けられた多層基板を備える高周波モジュールにおいて、
    前記第１の信号経路は、
    第１の増幅回路と、前記第１の増幅回路の後段に接続された第１の整合回路と、前記第１の整合回路の後段に接続された第１のフィルタ回路とを備え、
    前記第２の信号経路は、
    第２の増幅回路と、前記第２の増幅回路の後段に接続された第２の整合回路と、前記第２の整合回路の後段に接続された第２のフィルタ回路とを備え、
    前記第１の信号経路の前記第１の増幅回路の後段から前記第１のフィルタ回路の前段までの部分と、前記第２の信号経路の前記第２の増幅回路の後段から前記第２のフィルタ回路の前段までの部分とが、前記多層基板において平面視で少なくとも１回交差している
    ことを特徴とする高周波モジュール。
  2. 前記第１の増幅回路は、前記多層基板の第１の領域に配置され、
    前記第２の増幅回路は、前記多層基板の第２の領域に配置され、
    前記第１のフィルタ回路は、前記第２の領域に配置され、
    前記第２のフィルタ回路は、前記第１の領域に配置される
    ことを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 前記第１の増幅回路は、前記多層基板の第１の領域に配置され、
    前記第２の増幅回路は、前記多層基板の第２の領域に配置され、
    前記第１の整合回路は、前記第２の領域に配置され、
    前記第２の整合回路は、前記第１の領域に配置される
    ことを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
  4. 前記第１の信号経路と前記第２の信号経路とが２回以上交差していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波モジュール。
  5. 前記第１の信号経路と前記第２の信号経路とが交差する箇所において、前記第１の信号経路に第１の方向性結合器が設けられ、前記第２の信号経路に第２の方向性結合器が設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の高周波モジュール。
  6. 前記第１の信号経路と前記第２の信号経路とが交差する箇所において、前記第１の信号経路に第３のフィルタ回路が設けられ、前記第２の信号経路に第４のフィルタ回路が設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の高周波モジュール。
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