JPS6239486B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6239486B2 JPS6239486B2 JP54125476A JP12547679A JPS6239486B2 JP S6239486 B2 JPS6239486 B2 JP S6239486B2 JP 54125476 A JP54125476 A JP 54125476A JP 12547679 A JP12547679 A JP 12547679A JP S6239486 B2 JPS6239486 B2 JP S6239486B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- record
- level
- light
- potential
- signal output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B3/00—Recording by mechanical cutting, deforming or pressing, e.g. of grooves or pits; Reproducing by mechanical sensing; Record carriers therefor
- G11B3/02—Arrangements of heads
- G11B3/08—Raising, lowering, traversing otherwise than for transducing, arresting, or holding-up heads against record carriers
- G11B3/095—Raising, lowering, traversing otherwise than for transducing, arresting, or holding-up heads against record carriers for repeating a part of the record; for beginning or stopping at a desired point of the record
- G11B3/0952—Raising, lowering, traversing otherwise than for transducing, arresting, or holding-up heads against record carriers for repeating a part of the record; for beginning or stopping at a desired point of the record using automatic means
- G11B3/0957—Raising, lowering, traversing otherwise than for transducing, arresting, or holding-up heads against record carriers for repeating a part of the record; for beginning or stopping at a desired point of the record using automatic means using optical means for detecting the end of the recording or the desired point thereof
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は例えばプログラム選曲等を行なうた
めのレコードプレーヤのデータ間部検出装置に関
する。
めのレコードプレーヤのデータ間部検出装置に関
する。
近時、レコードプレーヤにあつてはリードイン
機構やオートリターン機構のみならず、プログラ
ム選曲機構等が付加される傾向にあり、レコード
プレーヤの自動化が盛んに行なわれている。この
プログラム選曲機構とは、例えば複数の曲が収録
されたレコード盤(一般にLP盤が多い)の再生
時に、予め設定した所望曲番に対応する曲のみを
順次再生するようにトーンアームが飛び越し移動
等するものである。
機構やオートリターン機構のみならず、プログラ
ム選曲機構等が付加される傾向にあり、レコード
プレーヤの自動化が盛んに行なわれている。この
プログラム選曲機構とは、例えば複数の曲が収録
されたレコード盤(一般にLP盤が多い)の再生
時に、予め設定した所望曲番に対応する曲のみを
順次再生するようにトーンアームが飛び越し移動
等するものである。
ここで、上記各種機構はいずれもレコード盤面
上の曲と曲との間、一般的にはデータ間部にトー
ンアームが移動したことを検出して、該位置でト
ーンアームをレコード盤上に下降または上昇させ
るようにして行なわれる。そして、上記データ間
部の検出手段としては、従来よりトーンアームの
カートリツジまたはヘツドシエル等に発光器と受
光器とを設置し、該発光器からの照射光がレコー
ド盤面で反射され受光器に受光される際、レコー
ド盤面の溝の粗な部分(データ間部)と密な部分
(データ部)とで反射効率の異なることを利用し
ているものである。
上の曲と曲との間、一般的にはデータ間部にトー
ンアームが移動したことを検出して、該位置でト
ーンアームをレコード盤上に下降または上昇させ
るようにして行なわれる。そして、上記データ間
部の検出手段としては、従来よりトーンアームの
カートリツジまたはヘツドシエル等に発光器と受
光器とを設置し、該発光器からの照射光がレコー
ド盤面で反射され受光器に受光される際、レコー
ド盤面の溝の粗な部分(データ間部)と密な部分
(データ部)とで反射効率の異なることを利用し
ているものである。
具体的に言えば、第1図に示すように、レコー
ド盤11には複数(図示の場合は4つ)の曲A1
乃至D1が収録されるとともに、該レコード盤1
1の最外周部、各曲間部及び曲D1の最内周部に
は、それぞれ無録音部分A2乃至E2が形成されて
いる。そして、上記曲A1乃至D1の収録された部
分が溝の密な部分であり、無録音部分A2乃至E2
が溝の粗な部分である。
ド盤11には複数(図示の場合は4つ)の曲A1
乃至D1が収録されるとともに、該レコード盤1
1の最外周部、各曲間部及び曲D1の最内周部に
は、それぞれ無録音部分A2乃至E2が形成されて
いる。そして、上記曲A1乃至D1の収録された部
分が溝の密な部分であり、無録音部分A2乃至E2
が溝の粗な部分である。
ここで、上記のようなレコード盤11上をトー
ンアーム12が図示矢印方向に回動していくもの
であるが、トーンアーム12のカートリツジ13
には、第2図aに示すようにレコード針14の両
側に、発光器として例えば発光ダイオード15及
び受光器として例えばフオトトランジスタ16が
設置されている。そして、上記カートリツジ13
がレコード盤11の曲A1乃至D1の部分つまり溝
の密な部分の上方にあるときには発光ダイオード
15からの照射光が溝によつて乱反射されフオト
トランジスタ16には十分に光が受光されない。
また、同図bに示すようにカートリツジ13がレ
コード盤11の無録音部分つまり溝の粗な部分の
上方にあるときには、発光ダイオード15からの
照射光が略全反射されフオトトランジスタ16に
十分に受光される。
ンアーム12が図示矢印方向に回動していくもの
であるが、トーンアーム12のカートリツジ13
には、第2図aに示すようにレコード針14の両
側に、発光器として例えば発光ダイオード15及
び受光器として例えばフオトトランジスタ16が
設置されている。そして、上記カートリツジ13
がレコード盤11の曲A1乃至D1の部分つまり溝
の密な部分の上方にあるときには発光ダイオード
15からの照射光が溝によつて乱反射されフオト
トランジスタ16には十分に光が受光されない。
また、同図bに示すようにカートリツジ13がレ
コード盤11の無録音部分つまり溝の粗な部分の
上方にあるときには、発光ダイオード15からの
照射光が略全反射されフオトトランジスタ16に
十分に受光される。
ここにおいて、上記発光ダイオード15及びフ
オトトランジスタ16は、図示しないレコードプ
レーヤ筐体内で第3図に示す回路に接続されてい
る。すなわち、発光ダイオード15のカソードは
接地され、アノードは抵抗R1を介して直流電圧
(+VDD)の印加された電源端子17に接続され
ている。また、フオトトランジスタ16のエミツ
タは接地され、コレクタは抵抗R2を介して上記
電源端子17に接続されるとともに、抵抗R3を
介してオペアンプ18のマイナス入力端(−)に
接続されている。このオペアンプ18のプラス入
力端(+)は抵抗R4を介して可変抵抗器R5の摺
動端子に接続されており、この可変抵抗器R5の
一端は接地され、他端は上記電源端子17に接続
されている。また、上記オペアンプ18の出力端
は出力端子19を介して図示しないトーンアーム
昇降機構の駆動端子に接続されるとともに、可変
抵抗R6を介してプラス入力端(+)に接続され
ている。
オトトランジスタ16は、図示しないレコードプ
レーヤ筐体内で第3図に示す回路に接続されてい
る。すなわち、発光ダイオード15のカソードは
接地され、アノードは抵抗R1を介して直流電圧
(+VDD)の印加された電源端子17に接続され
ている。また、フオトトランジスタ16のエミツ
タは接地され、コレクタは抵抗R2を介して上記
電源端子17に接続されるとともに、抵抗R3を
介してオペアンプ18のマイナス入力端(−)に
接続されている。このオペアンプ18のプラス入
力端(+)は抵抗R4を介して可変抵抗器R5の摺
動端子に接続されており、この可変抵抗器R5の
一端は接地され、他端は上記電源端子17に接続
されている。また、上記オペアンプ18の出力端
は出力端子19を介して図示しないトーンアーム
昇降機構の駆動端子に接続されるとともに、可変
抵抗R6を介してプラス入力端(+)に接続され
ている。
そして、今第2図aに示すようにカートリツジ
13がレコード盤11の溝の密な部分の上方にあ
る状態では、フオトトランジスタ16には十分に
光が受光されずオフ状態となつている。このた
め、オペアンプ18のプラス入力端(+)及びマ
イナス入力端(−)は略同電位となされ、その出
力端は無信号状態となされる。また、第2図bに
示すようにカートリツジ13がレコード盤11の
溝の粗な部分の上方にある状態では、フオトトラ
ンジスタ16には十分光が受光されオン状態とな
る。このため、オペアンプ18のマイナス入力端
(−)の電位はプラス入力端(+)の電位よりも
低くなり、このときオペアンブ18はパルス信号
を発生する。このパルス信号は前記トーンアーム
昇降機構の駆動端子に供給され、この場合トーン
アーム12が下降される。したがつて、レコード
針14はレコード盤11上の溝の粗な部分に下降
されるものである。
13がレコード盤11の溝の密な部分の上方にあ
る状態では、フオトトランジスタ16には十分に
光が受光されずオフ状態となつている。このた
め、オペアンプ18のプラス入力端(+)及びマ
イナス入力端(−)は略同電位となされ、その出
力端は無信号状態となされる。また、第2図bに
示すようにカートリツジ13がレコード盤11の
溝の粗な部分の上方にある状態では、フオトトラ
ンジスタ16には十分光が受光されオン状態とな
る。このため、オペアンプ18のマイナス入力端
(−)の電位はプラス入力端(+)の電位よりも
低くなり、このときオペアンブ18はパルス信号
を発生する。このパルス信号は前記トーンアーム
昇降機構の駆動端子に供給され、この場合トーン
アーム12が下降される。したがつて、レコード
針14はレコード盤11上の溝の粗な部分に下降
されるものである。
ここで、前記トーンアーム昇降機構にパルス信
号の数を計数するカウンタを設け、この計数値と
予め設定された所望曲番の数値とが一致したと
き、トーンアーム12を下降させるようにすれ
ば、所望の曲を再生することができるものであ
る。
号の数を計数するカウンタを設け、この計数値と
予め設定された所望曲番の数値とが一致したと
き、トーンアーム12を下降させるようにすれ
ば、所望の曲を再生することができるものであ
る。
しかしながら、上記のような従来のレコードプ
レーヤのデータ間部検出装置では、発光ダイオー
ド15及びフオトトランジスタ16の個々の発光
量及び受光感度等にばらつきがあるとともに、オ
ペアンプ18のプラス入力端(+)への印加電圧
(スレツシユホルド電圧)を決定する可変抵抗器
R5にもばらつきがあることから、各レコードプ
レーヤに搭載された各データ間部検出装置毎に誤
動作がなく良好にデータ間部を検出し得るように
調整する必要があり、製作が困難で量産化に不向
きであるとともに歩留りも悪くなるという問題が
あつた。
レーヤのデータ間部検出装置では、発光ダイオー
ド15及びフオトトランジスタ16の個々の発光
量及び受光感度等にばらつきがあるとともに、オ
ペアンプ18のプラス入力端(+)への印加電圧
(スレツシユホルド電圧)を決定する可変抵抗器
R5にもばらつきがあることから、各レコードプ
レーヤに搭載された各データ間部検出装置毎に誤
動作がなく良好にデータ間部を検出し得るように
調整する必要があり、製作が困難で量産化に不向
きであるとともに歩留りも悪くなるという問題が
あつた。
この発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、各構成部品の特性上のばらつきによる影響が
ほとんどなく正確にデータ間部を検出し得る極め
て良好なレコードプレーヤのデータ間部検出装置
を提供することを目的とする。
で、各構成部品の特性上のばらつきによる影響が
ほとんどなく正確にデータ間部を検出し得る極め
て良好なレコードプレーヤのデータ間部検出装置
を提供することを目的とする。
以下、この発明の一実施例について図面を参照
して詳細に説明する。すなわち、第4図aに示す
ように図示しないトーンアームの先端部に取着さ
れたカートリツジ21には、レコード針22の両
側に発光ダイオード23と第1及び第2のフオト
トランジスタ24,25とが設置されている。こ
の発光ダイオード23と第1及び第2のフオトト
ランジスタ24,25とは、図示しないレコード
プレーヤ筐体内で第5図に示す回路に接続されて
いる。すなわち、発光ダイオード23のカソード
は接地され、アノードは抵抗R11を介して直流電
圧(+VDD)の印加された電源端子26に接続さ
れている。また、第1及び第2のフオトトランジ
スタ24,25の各エミツタはそれぞれ接地さ
れ、各コレクタはそれぞれ抵抗R12,R13を介して
可変抵抗器R14の一端及び他端に接続されるとと
もに、それぞれNPN型のトランジスタQ1,Q2の
各ベースに接続されている。そして、上記可変抵
抗器R14の摺動端子は上記電源端子26に接続さ
れている。
して詳細に説明する。すなわち、第4図aに示す
ように図示しないトーンアームの先端部に取着さ
れたカートリツジ21には、レコード針22の両
側に発光ダイオード23と第1及び第2のフオト
トランジスタ24,25とが設置されている。こ
の発光ダイオード23と第1及び第2のフオトト
ランジスタ24,25とは、図示しないレコード
プレーヤ筐体内で第5図に示す回路に接続されて
いる。すなわち、発光ダイオード23のカソード
は接地され、アノードは抵抗R11を介して直流電
圧(+VDD)の印加された電源端子26に接続さ
れている。また、第1及び第2のフオトトランジ
スタ24,25の各エミツタはそれぞれ接地さ
れ、各コレクタはそれぞれ抵抗R12,R13を介して
可変抵抗器R14の一端及び他端に接続されるとと
もに、それぞれNPN型のトランジスタQ1,Q2の
各ベースに接続されている。そして、上記可変抵
抗器R14の摺動端子は上記電源端子26に接続さ
れている。
ここで、上記トランジスタQ1,Q2の各コレク
タは共に上記電源端子26に接続され、各エミツ
タはそれぞれ抵抗R15,R16を介して接地されてい
る。そして、上記トランジスタQ1のエミツタと
抵抗R15との接続点は、抵抗R17と直列接続された
図示極性のダイオードD1及び抵抗R18とを並列に
介して、オペアンプ27のプラス入力端(+)に
接続されている。また、上記ダイオードD1と抵
抗R18との接続点は、抵抗R19を介して接地されて
いる。一方、上記トランジスタQ2のエミツタと
抵抗R16との接続点は、上記オペアンプ27のマ
イナス入力端(−)に接続されている。そして、
上記オペアンプ27の出力端は、出力端子28を
介して図示しないトーンアーム昇降機構の駆動端
子に接続されるとともに、可変抵抗R20及び抵抗
R21を直列に介してプラス入力端(+)に接続さ
れている。
タは共に上記電源端子26に接続され、各エミツ
タはそれぞれ抵抗R15,R16を介して接地されてい
る。そして、上記トランジスタQ1のエミツタと
抵抗R15との接続点は、抵抗R17と直列接続された
図示極性のダイオードD1及び抵抗R18とを並列に
介して、オペアンプ27のプラス入力端(+)に
接続されている。また、上記ダイオードD1と抵
抗R18との接続点は、抵抗R19を介して接地されて
いる。一方、上記トランジスタQ2のエミツタと
抵抗R16との接続点は、上記オペアンプ27のマ
イナス入力端(−)に接続されている。そして、
上記オペアンプ27の出力端は、出力端子28を
介して図示しないトーンアーム昇降機構の駆動端
子に接続されるとともに、可変抵抗R20及び抵抗
R21を直列に介してプラス入力端(+)に接続さ
れている。
上記のような構成によるレコードプレーヤのデ
ータ間部検出装置において、その動作を説明す
る。まず、第4図aに示すようにカートリツチ2
1がレコード盤29の溝の密な部分の上方にある
とする。すると、発光ダイオード23からの照射
光は溝によつて乱反射され第1及び第2のフオト
トランジスタ24,25には十分な光が受光され
ない。このため、第1及び第2のフオトトランジ
スタ24,25のコレクタ電流は少なく、これに
伴いトランジスタQ1,Q2のエミツタ電流もわず
かで、第5図中A点及びB点の電位V1,V2は共
に等しい低電位となる。そして、第4図bに示す
ようにオペアンプ27のマイナス入力端(−)の
電位VMは、B点と同じ電位V2となる。ところ
が、オペアンプ27のプラス入力端(+)の電位
VPは、ダイオードD1が例えばシリコンの場合約
0.6〔V〕の順方向電圧があるため、結局 VP=V1+0.6×R17/R17+R18 となり、予めV1=V2=VMとなるように定めてお
けばVPは0.6×R17/R17+R18だけVMよりも
高くな る。この状態では、オペアンプ27はプラス入力
端(+)の方がマイナス入力端(−)よりも電位
が高いので、出力端は無信号状態となつている。
すなわち、上記ダイオードD1及び抵抗R17〜R19
よりなる回路は、V1を 0.6×R17/R17+R18 だけレベルシフトさせるレベルシフト回路を構成
しているものである。
ータ間部検出装置において、その動作を説明す
る。まず、第4図aに示すようにカートリツチ2
1がレコード盤29の溝の密な部分の上方にある
とする。すると、発光ダイオード23からの照射
光は溝によつて乱反射され第1及び第2のフオト
トランジスタ24,25には十分な光が受光され
ない。このため、第1及び第2のフオトトランジ
スタ24,25のコレクタ電流は少なく、これに
伴いトランジスタQ1,Q2のエミツタ電流もわず
かで、第5図中A点及びB点の電位V1,V2は共
に等しい低電位となる。そして、第4図bに示す
ようにオペアンプ27のマイナス入力端(−)の
電位VMは、B点と同じ電位V2となる。ところ
が、オペアンプ27のプラス入力端(+)の電位
VPは、ダイオードD1が例えばシリコンの場合約
0.6〔V〕の順方向電圧があるため、結局 VP=V1+0.6×R17/R17+R18 となり、予めV1=V2=VMとなるように定めてお
けばVPは0.6×R17/R17+R18だけVMよりも
高くな る。この状態では、オペアンプ27はプラス入力
端(+)の方がマイナス入力端(−)よりも電位
が高いので、出力端は無信号状態となつている。
すなわち、上記ダイオードD1及び抵抗R17〜R19
よりなる回路は、V1を 0.6×R17/R17+R18 だけレベルシフトさせるレベルシフト回路を構成
しているものである。
このような状態で、カートリツジ21が矢印方
向に移動し、第6図aに示すようなレコード盤2
9上の位置にきたとする。すると、第1のフオト
トランジスタ24にはレコード盤29の溝の粗な
部分で反射された光が受光され、第2のフオトト
ランジスタ25にはレコード盤29の溝の密な部
分で乱反射された光が受光される。このため、第
1のフオトトランジスタ24のコレクタ電流は多
く、第2のフオトトランジスタ25のコレクタ電
流は少なく、結局トランジスタQ1のエミツタ電
流は多くなり第5図中A点の電位V1は高くな
る。また、トランジスタQ2のエミツタ電流は少
ないままでB点の電位V2は低いままである。し
たがつて、オペアンプ27のプラス入力端(+)
及びマイナス入力端(−)の電位VP、VMは第6
図bに示すようにプラス入力端(+)が高いまま
であるため、オペアンプ27は出力を発生しな
い。
向に移動し、第6図aに示すようなレコード盤2
9上の位置にきたとする。すると、第1のフオト
トランジスタ24にはレコード盤29の溝の粗な
部分で反射された光が受光され、第2のフオトト
ランジスタ25にはレコード盤29の溝の密な部
分で乱反射された光が受光される。このため、第
1のフオトトランジスタ24のコレクタ電流は多
く、第2のフオトトランジスタ25のコレクタ電
流は少なく、結局トランジスタQ1のエミツタ電
流は多くなり第5図中A点の電位V1は高くな
る。また、トランジスタQ2のエミツタ電流は少
ないままでB点の電位V2は低いままである。し
たがつて、オペアンプ27のプラス入力端(+)
及びマイナス入力端(−)の電位VP、VMは第6
図bに示すようにプラス入力端(+)が高いまま
であるため、オペアンプ27は出力を発生しな
い。
さらに、カートリツジ21が矢印方向に移動
し、第7図aに示すようなレコード盤29上の位
置にきたとする。すると、第1及び第2のフオト
トランジスタ24,25にはレコード盤29の溝
の粗な部分で反射された光が受光される。このた
め、第1及び第2のフオトトランジスタ24,2
5のコレクタ電流は多くなり、これに伴いトラン
ジスタQ1,Q2のエミツタ電流も増加し、第5図
中A点及びB点の電位V1,V2は共に等しい高電
位となる。ところが、オペアンプ27のプラス入
力端(+)の電位VPは、上記電位V1に先に述べ
た0.6×R17/R17+R18なる電位が加わるので
、結局オ ペアンプ27のプラス入力端(+)及びマイナス
入力端(−)の電位VP,VMは、第7図bに示す
ようにプラス入力端(+)が高くなされるので、
オペアンプ27は出力を発生しない。
し、第7図aに示すようなレコード盤29上の位
置にきたとする。すると、第1及び第2のフオト
トランジスタ24,25にはレコード盤29の溝
の粗な部分で反射された光が受光される。このた
め、第1及び第2のフオトトランジスタ24,2
5のコレクタ電流は多くなり、これに伴いトラン
ジスタQ1,Q2のエミツタ電流も増加し、第5図
中A点及びB点の電位V1,V2は共に等しい高電
位となる。ところが、オペアンプ27のプラス入
力端(+)の電位VPは、上記電位V1に先に述べ
た0.6×R17/R17+R18なる電位が加わるので
、結局オ ペアンプ27のプラス入力端(+)及びマイナス
入力端(−)の電位VP,VMは、第7図bに示す
ようにプラス入力端(+)が高くなされるので、
オペアンプ27は出力を発生しない。
そして、さらにカートリツジ21が矢印方向に
移動し、第8図aに示すようなレコード盤29上
の位置にきたとする。すると、第1のフオトトラ
ンジスタ24にはレコード盤29の溝の密な部分
で乱反射された光が受光され、第2のフオトトラ
ンジスタ25にはレコード盤29の溝の粗な部分
で反射された光が受光される。このため、第1の
フオトトランジスタ24のコレクタ電流は少な
く、第2のフオトトランジスタ25のコレクタ電
流は多く、結局トランジスタQ1のエミツタ電流
は少なくなり第5図中A点の電位V1は低くな
る。また、トランジスタQ2のエミツタ電流は多
くなりB点の電位V2は高くなる。このとき、オ
ペアンプ27のプラス入力端(+)の電位VP
は、上記電位V1に0.6×R17/R17+R18を加え
た値とな つているが、この値よりもB点の電位V2は高
く、結局第8図bに示すようにオペアンプ27の
プラス入力端(+)及びマイナス入力端(−)の
電位VP、VMは、マイナス入力端(−)の方が高
くなる。
移動し、第8図aに示すようなレコード盤29上
の位置にきたとする。すると、第1のフオトトラ
ンジスタ24にはレコード盤29の溝の密な部分
で乱反射された光が受光され、第2のフオトトラ
ンジスタ25にはレコード盤29の溝の粗な部分
で反射された光が受光される。このため、第1の
フオトトランジスタ24のコレクタ電流は少な
く、第2のフオトトランジスタ25のコレクタ電
流は多く、結局トランジスタQ1のエミツタ電流
は少なくなり第5図中A点の電位V1は低くな
る。また、トランジスタQ2のエミツタ電流は多
くなりB点の電位V2は高くなる。このとき、オ
ペアンプ27のプラス入力端(+)の電位VP
は、上記電位V1に0.6×R17/R17+R18を加え
た値とな つているが、この値よりもB点の電位V2は高
く、結局第8図bに示すようにオペアンプ27の
プラス入力端(+)及びマイナス入力端(−)の
電位VP、VMは、マイナス入力端(−)の方が高
くなる。
ここで、始めてオペアンプ27はパルス信号を
出力し、該パルス信号は出力端子28を介して前
記トーンアーム昇降機構に供給され、トーンアー
ムが第8図aに示す位置からレコード盤29面に
下降される。
出力し、該パルス信号は出力端子28を介して前
記トーンアーム昇降機構に供給され、トーンアー
ムが第8図aに示す位置からレコード盤29面に
下降される。
したがつて、上記実施例のような構成によれ
ば、第1のフオトトランジスタ24の出力に対応
するトランジスタQ1の出力をレベルシフトした
信号VPと、第2のフオトトランジスタ25の出
力に対応するトランジスタQ2の出力信号VMとを
オペアンプ27でレベル比較し、VMがVpを越え
たときデータ間部の検出パルス信号を発生させる
ようにしたので、発光ダイオード23、第1及び
第2のフオトトランジスタ24,25の個々の発
光量及び受光感度等にばらつきがあつても、その
ばらつきにあまり影響されることなく正確にデー
タ間部を検出することができる。また、第5図中
A点及びB点の電位が等しくなる状態つまり第4
図a及び第7図aに示す状態のときにも、ダイオ
ードD1及び抵抗R17,R18による0.6×R17/R17+
R18な る電位が常に上記電位V1に加えられるので、オ
ペアンプ27のプラス入力端(+)の電位VPは
マイナス入力端(−)の電位VMに対して確実に
高くなされ、プラス入力端(+)のスレツシユホ
ルド電圧を確実に確保することができ誤動作等の
発生を防止することができる。
ば、第1のフオトトランジスタ24の出力に対応
するトランジスタQ1の出力をレベルシフトした
信号VPと、第2のフオトトランジスタ25の出
力に対応するトランジスタQ2の出力信号VMとを
オペアンプ27でレベル比較し、VMがVpを越え
たときデータ間部の検出パルス信号を発生させる
ようにしたので、発光ダイオード23、第1及び
第2のフオトトランジスタ24,25の個々の発
光量及び受光感度等にばらつきがあつても、その
ばらつきにあまり影響されることなく正確にデー
タ間部を検出することができる。また、第5図中
A点及びB点の電位が等しくなる状態つまり第4
図a及び第7図aに示す状態のときにも、ダイオ
ードD1及び抵抗R17,R18による0.6×R17/R17+
R18な る電位が常に上記電位V1に加えられるので、オ
ペアンプ27のプラス入力端(+)の電位VPは
マイナス入力端(−)の電位VMに対して確実に
高くなされ、プラス入力端(+)のスレツシユホ
ルド電圧を確実に確保することができ誤動作等の
発生を防止することができる。
ここで、発光ダイオード23、第1及び第2フ
オトトランジスタ24,25はカートリツジ21
に設置されるばかりでなく、例えばヘツドシエル
等に設置してもよいことはもちろんである。
オトトランジスタ24,25はカートリツジ21
に設置されるばかりでなく、例えばヘツドシエル
等に設置してもよいことはもちろんである。
なお、この発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で
種々変形して実施することができる。
ではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で
種々変形して実施することができる。
したがつて、以上詳述したようにこの発明によ
れば、各構成部品の特性上のばらつきによる影響
がほとんどなく正確にデータ間部を検出し得る極
めて良好なレコードプレーヤのデータ間部検出装
置を提供することができる。
れば、各構成部品の特性上のばらつきによる影響
がほとんどなく正確にデータ間部を検出し得る極
めて良好なレコードプレーヤのデータ間部検出装
置を提供することができる。
第1図乃至第3図はそれぞれ従来のレコードプ
レーヤのデータ間部検出装置を説明するための平
面図、断面図及び回路構成図、第4図a,bはそ
れぞれこの発明に係るレコードプレーヤのデータ
間部検出装置の一実施例を示す断面図及び特性
図、第5図は同実施例の回路構成図、第6図a,
b乃至第8図a,bはそれぞれ同実施例の動作説
明図及び特性図である。 11……レコード盤、12……トーンアーム、
13……カートリツジ、14……レコード針、1
5……発光ダイオード、16……フオトトランジ
スタ、17……電源端子、18……オペアンプ、
19……出力端子、21……カートリツジ、22
……レコード針、23……発光ダイオード、24
……第1のフオトトランジスタ、25……第2の
フオトトランジスタ、26……電源端子、27…
…オペアンプ、28……出力端子、29……レコ
ード盤。
レーヤのデータ間部検出装置を説明するための平
面図、断面図及び回路構成図、第4図a,bはそ
れぞれこの発明に係るレコードプレーヤのデータ
間部検出装置の一実施例を示す断面図及び特性
図、第5図は同実施例の回路構成図、第6図a,
b乃至第8図a,bはそれぞれ同実施例の動作説
明図及び特性図である。 11……レコード盤、12……トーンアーム、
13……カートリツジ、14……レコード針、1
5……発光ダイオード、16……フオトトランジ
スタ、17……電源端子、18……オペアンプ、
19……出力端子、21……カートリツジ、22
……レコード針、23……発光ダイオード、24
……第1のフオトトランジスタ、25……第2の
フオトトランジスタ、26……電源端子、27…
…オペアンプ、28……出力端子、29……レコ
ード盤。
Claims (1)
- 1 トーンアームに設けられレコード盤面を照射
する発光器と、前記トーンアームに設けられ前記
発光器からの照射光のうち前記レコード盤面上の
半径方向の異なる二位置で反射された光を各別に
受光する一対の受光器と、この一対の受光器のう
ちの一方の受光器から出力される信号のレベルを
一定のレベルだけシフトさせるレベルシフト回路
と、このレベルシフト回路から出力される信号の
レベルと前記一対の受光器のうちの他方の受光器
から出力される信号のレベルとを比較し該他方の
受光器から出力される信号のレベルが前記レベル
シフト回路から出力される信号のレベルを越えた
状態でデータ間部検出信号を発生する比較回路と
を具備してなることを特徴とするレコードプレー
ヤのデータ間部検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12547679A JPS5651045A (en) | 1979-09-29 | 1979-09-29 | Detector for part between data of record player |
| US06/180,993 US4707815A (en) | 1979-09-29 | 1980-08-25 | Apparatus for a record player distinguishing between recorded and unrecorded portions of a disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12547679A JPS5651045A (en) | 1979-09-29 | 1979-09-29 | Detector for part between data of record player |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5651045A JPS5651045A (en) | 1981-05-08 |
| JPS6239486B2 true JPS6239486B2 (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=14911025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12547679A Granted JPS5651045A (en) | 1979-09-29 | 1979-09-29 | Detector for part between data of record player |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4707815A (ja) |
| JP (1) | JPS5651045A (ja) |
Families Citing this family (284)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814270U (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-28 | 赤井電機株式会社 | 曲間センサ |
| RU2141647C1 (ru) * | 1998-11-30 | 1999-11-20 | Войналович Александр Владимирович | Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности |
| JP2001243638A (ja) | 2000-02-24 | 2001-09-07 | Pioneer Electronic Corp | 情報再生装置及びその情報再生方法 |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| CN120591748A (zh) | 2018-06-27 | 2025-09-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及膜和结构 |
| TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR102762833B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-02-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR102929471B1 (ko) | 2019-05-07 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR102869364B1 (ko) | 2019-05-07 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR102929472B1 (ko) | 2019-05-10 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR102918757B1 (ko) | 2019-06-10 | 2026-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR102911421B1 (ko) | 2019-07-03 | 2026-01-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| TWI851767B (zh) | 2019-07-29 | 2024-08-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| KR20210018761A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP7810514B2 (ja) | 2019-08-21 | 2026-02-03 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| KR102928101B1 (ko) | 2019-08-23 | 2026-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR102868968B1 (ko) | 2019-09-03 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치 |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN120998766A (zh) | 2019-11-29 | 2025-11-21 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN120432376A (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| JP7636892B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-02-27 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
| TWI901623B (zh) | 2020-01-06 | 2025-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TWI871421B (zh) | 2020-02-03 | 2025-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR102916725B1 (ko) | 2020-02-13 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| CN113363196A (zh) | 2020-03-04 | 2021-09-07 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于反应器系统的对准夹具 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202143328A (zh) | 2020-04-21 | 2021-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於調整膜應力之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| TWI887400B (zh) | 2020-04-24 | 2025-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於穩定釩化合物之方法及設備 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TWI907417B (zh) | 2020-05-04 | 2025-12-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR20210137395A (ko) | 2020-05-07 | 2021-11-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법 |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| KR102905441B1 (ko) | 2020-05-19 | 2025-12-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI908816B (zh) | 2020-06-24 | 2025-12-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TWI896694B (zh) | 2020-07-01 | 2025-09-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積方法、半導體結構、及沉積系統 |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TWI864307B (zh) | 2020-07-17 | 2024-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構、方法與系統 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202219303A (zh) | 2020-07-27 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 薄膜沉積製程 |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
| KR102915124B1 (ko) | 2020-08-14 | 2026-01-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220026500A (ko) | 2020-08-25 | 2022-03-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면을 세정하는 방법 |
| TW202534193A (zh) | 2020-08-26 | 2025-09-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
| KR20220027772A (ko) | 2020-08-27 | 2022-03-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI904232B (zh) | 2020-09-10 | 2025-11-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114388427A (zh) | 2020-10-06 | 2022-04-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| KR102855834B1 (ko) | 2020-10-14 | 2025-09-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| KR20220077875A (ko) | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3465158A (en) * | 1966-11-14 | 1969-09-02 | Bunker Ramo | Forward biased phototransistor with exposed base |
| US3585399A (en) * | 1968-10-28 | 1971-06-15 | Honeywell Inc | A two impedance branch termination network for interconnecting two systems for bidirectional transmission |
| US3783277A (en) * | 1972-06-02 | 1974-01-01 | Edo Aire Mitchell Ind Inc | Light responsive sensor system |
| US3959666A (en) * | 1974-07-01 | 1976-05-25 | Honeywell Information Systems, Inc. | Logic level translator |
| US4109114A (en) * | 1976-07-14 | 1978-08-22 | Marvin Glass & Associates | Programmable phonograph device |
| JPS544560A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-13 | Nec Corp | Semiconductor inverter circuit |
-
1979
- 1979-09-29 JP JP12547679A patent/JPS5651045A/ja active Granted
-
1980
- 1980-08-25 US US06/180,993 patent/US4707815A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5651045A (en) | 1981-05-08 |
| US4707815A (en) | 1987-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6239486B2 (ja) | ||
| KR100377648B1 (ko) | 기록정보재생장치 | |
| GB1515121A (en) | Gramophone equipment | |
| US4426692A (en) | Rotary recording medium having an improved three frequency pickup tracking control and reproducing apparatus therefor | |
| US3689079A (en) | Phonograph utilizing a rotational angle detector for sound track selection | |
| JPS5919267A (ja) | 自動選曲プレ−ヤの曲間検出回路 | |
| US4442464A (en) | Device for detecting a space between adjacent blocks of data recorded in a recording medium | |
| JPH07262561A (ja) | ピット/グルーブ判別回路 | |
| US4375092A (en) | Automatic music selecting device | |
| JPS6232329Y2 (ja) | ||
| JPS588065B2 (ja) | プログラム選択装置 | |
| US4464740A (en) | Separation band detecting circuit in an automatic program selection record player | |
| JPH0114962Y2 (ja) | ||
| JPS5912789Y2 (ja) | レコ−ド曲間検出装置 | |
| JPH0614268Y2 (ja) | 特性可変増幅回路 | |
| JPS6319969Y2 (ja) | ||
| JPH057765Y2 (ja) | ||
| JPS5822830B2 (ja) | ト−ンア−ムの復帰位置検出装置 | |
| JPS5843086Y2 (ja) | ト−ンア−ムの降下位置検出装置 | |
| KR900010753Y1 (ko) | 테이프 끝 감지회로 | |
| JPS6231412B2 (ja) | ||
| JPH0145124B2 (ja) | ||
| JPS6120045B2 (ja) | ||
| JPS6120046B2 (ja) | ||
| JPH0312392B2 (ja) |