RU2141647C1 - Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности - Google Patents

Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности Download PDF

Info

Publication number
RU2141647C1
RU2141647C1 RU98121268/28A RU98121268A RU2141647C1 RU 2141647 C1 RU2141647 C1 RU 2141647C1 RU 98121268/28 A RU98121268/28 A RU 98121268/28A RU 98121268 A RU98121268 A RU 98121268A RU 2141647 C1 RU2141647 C1 RU 2141647C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light
rotation
analyzed surface
axis
analyzed
Prior art date
Application number
RU98121268/28A
Other languages
English (en)
Inventor
А.В. Войналович
Original Assignee
Войналович Александр Владимирович
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Войналович Александр Владимирович filed Critical Войналович Александр Владимирович
Priority to RU98121268/28A priority Critical patent/RU2141647C1/ru
Priority to PCT/RU1999/000328 priority patent/WO2000033055A1/ru
Priority to EP99973123A priority patent/EP1156321B1/en
Priority to JP2000585642A priority patent/JP2002531825A/ja
Priority to DE69922844T priority patent/DE69922844T2/de
Application granted granted Critical
Publication of RU2141647C1 publication Critical patent/RU2141647C1/ru
Priority to US09/866,725 priority patent/US6633372B2/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers

Landscapes

  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Изобретение относится к оптическому приборостроению. Предложены способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор для контроля дефектов поверхности. Предложенный способ заключается в том, что осуществляют вращение объекта с анализируемой поверхностью вокруг первой оси вращения, формируют на анализируемой поверхности пятно света и раздельно воспринимают свет, зеркально отраженный и рассеянный анализируемой поверхностью в точке падения на нее пятна света, и, анализируя полученные сигналы, определяют дефекты поверхности. Реализующий данный способ анализатор осуществляет перемещение пятна света относительно вращаемой анализируемой поверхности по дуге вокруг второй оси вращения, лежащего вне пределов анализируемой поверхности, и, измеряя величину рассеянного света, определяет наличие дефектов на поверхности пластин. Использование изобретения для контроля полупроводниковых пластин позволяет за счет уменьшения размеров и стоимости измерительного прибора встраивать его в технологическое оборудование электронной промышленности. 2 c. и 14 з.п.ф-лы, 3 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к оптическому приборостроению и может использоваться, в частности, при разработке новых и усовершенствовании имеющихся приборов для исследования поверхности полупроводниковых пластин и встраивания приборов внутрь технологического оборудования, а также для исследования степени однородности поверхности других изделий.
Существующий уровень техники
В процессе производства полупроводниковых приборов на поверхности полупроводниковых пластин недопустимо присутствие частиц пыли и иных дефектов. Такие дефекты желательно выявлять как можно раньше, чтобы сразу устранить источник их возникновения. Для решения этой задачи широко применяется метод, использующий тот известный факт, что любая частица на гладкой поверхности или дефект поверхности вызывает рассеяние падающего на поверхность света.
Например, из патента США N 4314763 (кл. G 01 N 21/88, 09.02.82) известен способ сканирования анализируемой поверхности, в котором осуществляют вращение анализируемой поверхности относительно оси вращения, формируют на анализируемой поверхности пятно света и воспринимают рассеянный анализируемой поверхностью свет с помощью оптической системы.
Из этого же патента США N 4314763 известен также сканирующий анализатор поверхности, содержащий источник света, предназначенный для освещения анализируемой поверхности пятном света под углом, близким к нормали к этой анализируемой поверхности; фотоприемник, предназначенный для восприятия света, рассеянного анализируемой поверхностью; и поворотный стол для установки на нем изделия с анализируемой поверхностью и вращения его вокруг оси вращения, параллельной нормали к анализируемой поверхности.
В данном анализаторе, реализующем вышеотмеченный способ, вращающаяся анализируемая поверхность перемещается по прямой линии относительно точки, в которой на ней формируют пятно света. Это является недостатком данного способа и реализующего его анализатора, поскольку требуется обеспечить перемещение большого объекта, т.е. поворотного стола для размещения полупроводниковой пластины (до 300 мм в диаметре), снабженного приводом для вращения, что приводит к увеличению размеров прибора и его стоимости.
Наиболее близким к заявленному является способ сканирования анализируемой поверхности, заключающийся в том, что осуществляют вращение объекта с анализируемой поверхностью вокруг первой оси вращения, формируют на анализируемой поверхности пятно света и воспринимают свет, рассеянный анализируемой поверхностью в точке падения на нее пятна света (Altendorfer Н. et al. "Unpatterned surface inspection for next-generation devices". - Solid State Technology, 1996, v. 39, N 8, pp. 93-97).
Из этого же источника информации известен также сканирующий анализатор поверхности, содержащий поворотный стол для установки на нем объекта с анализируемой поверхностью и вращения его вокруг первой оси вращения, перпендикулярной анализируемой поверхности; источник света, предназначенный для освещения анализируемой поверхности пятном света под углом, близким к нормали к этой анализируемой поверхности; собирающее зеркало в виде усеченного тела вращения, образованного вращением эллипса вокруг оси, которая параллельна первой оси вращения и практически совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в фокусе упомянутого усеченного тела вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно его оси вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, а вторая плоскость сечения тела вращения параллельна первой плоскости его сечения; фотоприемник, предназначенный для восприятия рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом.
В этом способе сохраняется поступательное движение вращающейся анализируемой поверхности, т.е. по-прежнему требуется перемещать массивный объект, что, как уже отмечено, приводит к увеличению размеров прибора и его стоимости, что существенно затрудняет его встраивание внутрь технологического оборудования.
Таким образом, целью данного изобретения является разработка таких способов сканирования анализируемой поверхности и сканирующего анализатора поверхности, которые были бы свободны от указанных недостатков.
Раскрытие изобретения
Поставленная задача с достижением отмеченного технического результата решается следующим образом.
В одном аспекте настоящего изобретения, относящемся к способу сканирования анализируемой поверхности, заключающемуся в том, что осуществляют вращение объекта с анализируемой поверхностью вокруг первой оси вращения; формируют на анализируемой поверхности пятно света и раздельно воспринимают свет, зеркально отраженный и рассеянный анализируемой поверхностью в точке падения на нее пятна света; согласно настоящему изобретению осуществляют перемещение пятна света относительно анализируемой поверхности по дуге вокруг второй оси вращения, которая лежит вне пределов анализируемой поверхности; и ориентируют пятно света, имеющее вытянутую форму на анализируемой поверхности, своим наибольшим размером вдоль радиуса, проведенного из точки пересечения первой оси вращения с анализируемой поверхностью по меньшей мере в одном, заранее заданном положении.
Особенностью данного способа является то, что в заранее заданном положении пятно света расположено на середине радиуса анализируемой поверхности, проведенного из вышеупомянутой точки пересечения, либо пятно света при его перемещении по дуге подворачивают так, чтобы его ориентация вдоль радиуса из вышеупомянутой точки пересечения, проходящего через пятно, сохранялась на всей линии сканирования.
Еще одна особенность данного способа состоит в том, что собирают рассеянный анализируемой поверхностью свет с помощью системы зеркал, одно из которых выполнено в виде усеченного эллипсоида вращения, ось вращения которого практически совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в первом фокусе упомянутого усеченного эллипсоида вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно оси его вращения в непосредственной близости от упомянутого первого фокуса, вторая плоскость сечения эллипсоида вращения параллельна первой плоскости его сечения, а другое зеркало представляет собой плоское зеркало с отверстием в середине, установленное под углом к оси вращения усеченного эллипсоида вращения и предназначенное для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света и для отражения рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом, при этом отраженный плоским зеркалом свет пропускают через светофильтр, а затем диафрагмируют в точке, соответствующей второму фокусу упомянутого эллипсоида вращения с учетом отражения от упомянутого плоского зеркала.
В варианте выполнения особенность данного способа заключается в том, что собирают рассеянный анализируемой поверхностью свет с помощью системы зеркал, одно из которых выполнено в виде усеченного параболоида вращения, ось вращения которого практически совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в фокусе упомянутого усеченного параболоида вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно оси его вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, вторая плоскость сечения параболоида вращения параллельна первой плоскости его сечения, а другое зеркало представляет собой плоское зеркало с отверстием в середине, установленное под углом к оси вращения усеченного параболоида вращения и предназначенное для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света и для отражения рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом, при этом отраженный плоским зеркалом свет пропускают через светофильтр, собирают с помощью линзы и диафрагмируют.
В другом аспекте настоящего изобретения, относящемся к сканирующему анализатору поверхности, содержащему поворотный стол для установки на нем объекта с анализируемой поверхностью и вращения его вокруг первой оси вращения, перпендикулярной анализируемой поверхности; источник света, предназначенный для освещения анализируемой поверхности пятном света под углом, близким к нормали к этой анализируемой поверхности; собирающее зеркало в виде усеченного тела вращения, образованного вращением кривой второго порядка вокруг оси, которая параллельна первой оси вращения и практически совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в фокусе упомянутого усеченного тела вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно его оси вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, а вторая плоскость сечения тела вращения параллельна первой плоскости его сечения; первый блок восприятия света, предназначенный для восприятия рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом; второй блок восприятия света, предназначенный для восприятия зеркально отраженного света от анализируемой поверхности и расположенный вблизи источника света; плоское зеркало с отверстием в середине, установленное под углом к оси вращения усеченного тела вращения и предназначенное для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света ко второму блоку восприятия света и для отражения света от собирающего зеркала к первому блоку восприятия света, согласно настоящему изобретению источник света, собирающее зеркало, плоское зеркало с отверстием и первый и второй блоки восприятия света размещены в корпусе, выполненном с возможностью поворота вокруг второй оси вращения, параллельной первой оси вращения и проходящей вне объекта с анализируемой поверхностью и/или поворотного стола; и источник света установлен так, что упомянутое пятно света, имеющее на анализируемой поверхности вытянутую форму, ориентировано своим наибольшим размером вдоль радиуса, проведенного из точки пересечения первой оси вращения с анализируемой поверхностью по меньшей мере в одном, заранее заданном положении корпуса.
Особенность данного анализатора состоит в том, что второй блок восприятия света может быть поглотителем света либо фотоприемником для определения наличия на анализируемой поверхности нерассеивающих дефектов.
Другой особенностью данного анализатора является то, что первый блок восприятия света служит для восприятия света, отраженного от плоского зеркала.
Еще одна особенность данного анализатора состоит в том, что тело вращения собирающего зеркала представляет собой эллипсоид вращения, во втором фокусе которого с учетом отражения от плоского зеркала установлена диафрагма, предназначенная для пропускания света, отраженного от плоского зеркала, в первый блок восприятия света. При этом между плоским зеркалом и диафрагмой может быть установлен светофильтр.
Особенностью по другому варианту является то, что тело вращения собирающего зеркала представляет собой параболоид вращения, а между плоским зеркалом и первым блоком восприятия света могут быть установлены собирающая линза и диафрагма, предназначенные для собирания света, отраженного от плоского зеркала, в первый блок восприятия света. При этом между плоским зеркалом и собирающей линзой может быть установлен светофильтр.
Особенностью данного анализатора является также и то, что он дополнительно содержит привод поворота корпуса для обеспечения возможности перемещения корпуса над анализируемой поверхностью по меньшей мере в одну сторону от центра ее вращения.
К особенностям данного анализатора следует отнести также и то, что в упомянутом заранее заданном положении корпуса упомянутое пятно света расположено практически на середине радиуса анализируемой поверхности от ее оси вращения либо привод поворота корпуса снабжен средством измерения угла поворота корпуса, а источник света снабжен средством корректировки положения, предназначенным для подворота источника света в соответствии с сигналами от средства измерения угла поворота для обеспечения упомянутой ориентации пятна света вдоль радиуса из оси вращения анализируемой поверхности, проходящего через пятно по всей линии сканирования.
Особенностью данного анализатора является и то, что корпус изнутри выполнен светопоглощающим.
Наконец, еще одной особенностью данного анализатора является то, что поворотный стол снабжен тремя вакуумными присосками, расположенными симметрично относительно первой оси вращения и предназначенными для установки объекта с анализируемой поверхностью на поворотном столе.
В существующем уровне техники не выявлены объекты того же назначения, что и заявленные, которые обладали бы всеми указанными выше признаками объектов настоящего изобретения. Это позволяет считать как способ сканирования анализируемой поверхности, так и сканирующий анализатор поверхности по настоящему изобретению новыми.
Из существующего уровня техники известны объекты того же назначения, что и заявленные, в которых содержатся отдельные признаки, сходные с основными отличительными признаками заявленных способа и анализатора. Так, в патентах США NN 5377001 и 5377002 (кл. G 01 N 21/00, 27.12.94) пятно света на анализируемой поверхности (фиг. 7а в каждом из этих патентов) изображено вытянутым по радиусу, проходящему из оси вращения анализируемой поверхности; однако в текстах этих патентов нет никаких пояснений того, как следует располагать это пятно по всей линии сканирования. Известно перемещение анализируемой поверхности по двум взаимно перпендикулярным направлениям (заявка ЕПВ N 0398781, кл. G 01 N 21/88, 22.11.90). Из выложенной заявки Японии N 03-163338 (кл. G 01 N 21/88, 15.07.91) известно линейное перемещение узла с источником света и блоком восприятия света вдоль вращающейся анализируемой поверхности. Использование поворотного корпуса в виде тонарма само по себе общеизвестно в проигрывателях грампластинок. Из патента РФ N 2064670 (кл. G 01 N 21/47, 27.07.96) известно также использование собирающего зеркала в виде эллипсоида вращения. Из авторского свидетельства на изобретение РФ N 1297590 (кл. G 01 N 21/47, 15.11.86) известно также использование собирающего зеркала в виде параболоида вращения. Однако нигде в уровне техники нет сведений об использовании поворотного корпуса для размещения в нем оптических элементов, обеспечивающих освещение анализируемой поверхности и восприятие отраженного и рассеянного от нее световых потоков, а также нет сведений о том, как именно должно быть ориентировано пятно света на анализируемой поверхности. Поэтому объекты по настоящему изобретению можно считать имеющими изобретательский уровень.
Краткое описание чертежей
Дальнейшее описание ссылается на пример выполнения заявленного анализатора для реализации заявленного способа, показанный на прилагаемых чертежах.
Фиг. 1 иллюстрирует конструктивную схему оптико-механической части сканирующего анализатора поверхности по настоящему изобретению (пример одного исполнения).
Фиг. 2 иллюстрирует конструктивную схему оптико-механической части сканирующего анализатора поверхности по настоящему изобретению (пример другого исполнения).
Фиг. 3 поясняет принцип ориентации пятна света на анализируемой поверхности.
Подробное описание предпочтительного выполнения изобретения
Способ контроля анализируемой поверхности согласно настоящему изобретению может быть реализован с помощью сканирующего анализатора, выполненного в соответствии с настоящим изобретением, пример которого приведен на сопровождающих чертежах.
На фиг. 1 показана конструктивная схема оптико-механической части сканирующего анализатора поверхности по настоящему изобретению. Объект 1 с анализируемой поверхностью 2 устанавливается на поворотном столе 3, который снабжен вакуумными присосками 4. При использовании анализатора по настоящему изобретению для проверки поверхности в производстве полупроводниковых пластин вакуумные присоски располагаются симметрично относительно оси вращения поворотного стола 3, т.е. с разнесением на 120o по дуге вокруг центра его вращения. Поворотный стол 3 имеет двигатель 5 вращения (в частности, шаговый) для обеспечения вращения поворотного стола вокруг первой оси 6 вращения.
Как уже отмечено ранее, в настоящем изобретении используется известный факт, что дефекты на гладкой поверхности при ее освещении пучком света в направлении, близком к нормали к этой поверхности, рассеивают падающий свет в стороны.
Для обеспечения этого анализируемая поверхность 2 освещается источником 7 света, который может быть выполнен на полупроводниковом лазере. Свет от источника 7 собирается и фокусируется объективом 8 в пятно на анализируемой поверхности 2. Источник 7 света с объективом 8 расположен над объектом 1, при его установке на поворотный стол 3, таким образом, что поток света на анализируемую поверхность 2 имеет направление, близкое к нормали к этой поверхности. (На фиг. 1 нормаль к анализируемой поверхности 2 в точке падения на нее пучка света от источника 7 света совпадает с первой осью 6 вращения; это сделано лишь для облегчения понимания настоящего изобретения.) Рядом с источником 7 света размещен второй блок 9 восприятия света, предназначенный для восприятия зеркально отраженного света от анализируемой поверхности 2.
Второй блок 9 восприятия света может быть просто поглотителем, который предотвращает переотражение назад к анализируемой поверхности 2 зеркально отраженного от нее света. Однако в качестве фотоприемника 9 он может воспринимать зеркально отраженный от анализируемой поверхности 2 свет для того, чтобы определять наличие на поверхности исследуемого объекта 1 (к примеру, полупроводниковой пластины) нерассеивающих дефектов различного типа по изменению интенсивности зеркально отраженного от анализируемой поверхности 2 света.
Свет, рассеиваемый имеющимися на анализируемой поверхности 2 дефектами (например, частицами пыли на поверхности полупроводниковой пластины, дефектами в приповерхностной области, рельефом поверхности), может быть направлен в разные стороны под углами, отличными от нормали к анализируемой поверхности 2. Для того, чтобы использовать этот рассеянный свет при анализе, применяется собирающее зеркало 10, выполненное в виде тела вращения, образованного вращением кривой второго порядка вокруг оси, которая параллельна первой оси вращения и практически совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света. (На фиг. 1 ось вращения кривой второго порядка совпадает с первой осью 6 вращения, однако это сделано лишь для облегчения понимания настоящего изобретения. ) В качестве упомянутой кривой второго порядка выбирается либо эллипс, либо парабола, при этом один из фокусов эллипса или фокус параболы совпадает с точкой падения света от источника 7 на анализируемую поверхность 2. Чтобы обеспечить это, тело вращения выполнено усеченным, причем первая плоскость его сечения расположена перпендикулярно его оси вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, а вторая плоскость сечения тела вращения параллельна первой плоскости его сечения. Получающийся при этом зазор между краем собирающего зеркала 10, расположенным в первой плоскости сечения, и анализируемой поверхностью 2 обеспечивает свободное перемещение собирающего зеркала 10 над анализируемой поверхностью 2. Рассеянный дефектами анализируемой поверхности 2 свет попадает на внутреннюю отражающую поверхность собирающего зеркала 10 и отражается в сторону от анализируемой поверхности 2 либо параллельно нормали к ней в случае параболической формы этого зеркала 10, либо в точку другого фокуса в случае эллиптической формы собирающего зеркала 10.
Для того, чтобы отделить рассеянный дефектами свет от зеркально отраженного света в настоящем изобретении используется плоское зеркало 11 с отверстием в середине, которое установлено под углом к нормали к анализируемой поверхности 2 (к оси вращения, вокруг которой вращалась упомянутая выше кривая второго порядка - парабола или эллипс). Этот угол на фиг. 1 равен 45o, но при необходимости он может иметь и иное значение. Отверстие в середине плоского зеркала 11 обеспечивает беспрепятственное пропускание света от источника света 7 к анализируемой поверхности 2 и зеркально отраженного от нее света ко второму блоку 9 восприятия света. В то же время это плоское зеркало 11 отражает свет, собранный и отраженный собирающим зеркалом 10, в сторону от направления распространения света от источника 7.
В зависимости от вида кривой второго порядка, образующей тело вращения собирающего зеркала 10, дальнейший ход лучей, отраженных плоским зеркалом 11, различен. В случае фиг. 2, если собирающее зеркало 10 выполнено в виде параболоида вращения, линии распространения отраженного им света, падающего в разных местах на поверхность параболоида, проходят параллельно. Отражение от плоского зеркала 11 сохраняет эту параллельность, поэтому для дальнейшего анализа этот отраженный плоским зеркалом 11 свет собирается с помощью собирающей линзы 12. Сфокусированный ею свет пропускается через диафрагму 13 и поступает на первый блок 14 восприятия света, который может быть фотоумножителем и т.п. Перед собирающей линзой свет может пропускаться через светофильтр 15 для выделения только света с требуемой длиной волны и при необходимости поворачивается с помощью дополнительного зеркала 16, если первый блок 14 восприятия света установлен не в направлении на плоское зеркало 11. В случае же фиг. 1, когда собирающее зеркало 10 выполнено в виде эллипсоида вращения, отраженный им свет соберется во втором фокусе этого эллипсоида. При отражении от плоского зеркала 11 этот второй фокус как бы повернется и окажется сбоку от оси вращения эллипсоида (линии распространения света от источника 7). При этом отпадает необходимость в собирающей линзе 12, и диафрагма 13 устанавливается как раз в точке этого второго фокуса эллипсоида вращения с учетом его смещения из-за отражения от плоского зеркала 11. Светофильтр 15 и дополнительное зеркало 16 могут использоваться, как и в случае выполнения собирающего зеркала 10, в виде параболоида вращения.
Согласно настоящему изобретению источник 7 света, объектив 8, собирающее зеркало 10, плоское зеркало 11, первый и второй блоки восприятия света 14, 9, а также элементы светового тракта, обозначенные позициями 12, 13, 15 и 16, помещены в корпус 17, который может быть выполнен внутри светопоглощающим. Корпус 17 снабжен приводом (не показан) с двигателем 18 поворота (в частности, шаговым), который обеспечивает поворот корпуса 17 вокруг второй оси 19 вращения, параллельной первой оси 6 вращения и проходящей вне объекта 1 с анализируемой поверхностью 2 и/или поворотного стола 3.
Привод 18 поворота обеспечивает перемещения корпуса 17 таким образом, что формируемое источником 7 света пятно 21 (фиг. 3) на анализируемой поверхности 2 перемещается по дуге 22, проходящей через ось 23 вращения анализируемой поверхности 2, по меньшей мере в одну сторону от этой оси 23 вращения до края анализируемой поверхности 2.
При таком перемещении формируемое на анализируемой поверхности 2 пятно 21 света, имеющее вытянутую форму, будет описывать дугу 22 вокруг второй оси 24 вращения (являющегося проекцией второй оси 19 вращения на плоскость фиг. 2). В каждой точке этой дуги 22 пятно 21 света будет ориентировано под некоторым углом к радиусу 25 из первой оси 23 вращения (являющегося проекцией первой оси 6 вращения на плоскость фиг. 2) анализируемой поверхности 2, проходящему через данную точку. Оптимальной ориентацией пятна света, с точки зрения максимальной скорости сканирования анализируемой поверхности 2, является ориентация его наибольшего размера (длинной оси пятна) вдоль радиуса 25, проходящего через точку, в которой в данный момент сформировано пятно 21 света.
Согласно настоящему изобретению пятно 21 света, имеющее вытянутую форму на анализируемой поверхности 2, ориентируют своим наибольшим размером вдоль радиуса 25 из первой оси 23 вращения по меньшей мере в одном заранее заданном положении. Таким заранее заданным положением, в котором радиус 25 пересекает дугу 22 (линию сканирования), может быть, в частности, середина радиуса 25. Т.е. источник 7 света и объектив 8 устанавливают так, чтобы пятно 21 света, когда оно формируется на середине расстояния от оси 23 вращения до края анализируемой поверхности 2, было направлено своим наибольшим размером (длинной осью) точно по радиусу 25 анализируемой поверхности, проходящему через пятно 21.
Однако это не единственная возможность ориентации пятна 21 света. Как показано на фиг. 1 и фиг. 2, источник 7 света и объектив 8 могут быть снабжены средством 20 корректировки положения. Это может быть, к примеру, микродвигатель (в частности, шаговый). При этом привод с двигателем 18 поворота снабжен средством измерения угла поворота корпуса (не показано) относительно начального положения. Тогда сигналы с этого средства измерения угла поворота корпуса после их соответствующей обработки могут подаваться на средство 20 корректировки положения, которое будет подворачивать источник 7 света с объективом 8 так, чтобы ориентация пятна 21 света вдоль радиуса 25 из первой оси 23 вращения, проходящего через пятно, сохранялась на всей линии сканирования (дуге 22).
Работа сканирующего анализатора поверхности по настоящему изобретению, в процессе которой реализуется способ сканирования анализируемой поверхности по настоящему изобретению, происходит следующим образом.
Объект 1 с анализируемой поверхностью 2 (например, кремниевая пластина диаметром 150, 200 или 300 мм) устанавливается на поворотном столе 3 и фиксируется на нем с помощью вакуумных присосок 4. По сигналам с соответствующих блоков управления привод 5 начинает вращать поворотный стол 4 вместе с объектом 1, а привод с двигателем 18 - поворачивать корпус 17 над анализируемой поверхностью 2 объекта 1. При наличии средства корректировки положения сигналы на него с блока управления заставляют источник 7 света с объективом 8 постоянно подворачиваться при перемещении по дуге 22 так, чтобы формируемое им на анализируемой поверхности 2 пятно 21 света все время было ориентировано своим наибольшим размером (своей длинной осью) вдоль радиуса 25 из первой оси 23 вращения, проходящего через пятно. Если же средство 20 корректировки положения не используется, необходимо заранее установить пятно 21 света длинной осью вдоль радиуса 25 в заданном положении, например, при нахождении пятна 21 света в середине этого радиуса 25.
В процессе сканирования, т. е. перемещения корпуса 17 над вращающейся анализируемой поверхностью 2, источник 7 света через объектив 8 формирует на анализируемой поверхности 2 пятно 21 света через отверстие в середине плоского зеркала 11.
Если на микроучастке анализируемой поверхности 2, на котором сформировано пятно 21 света от источника 7 света, имеется дефект, рассеивающий свет, этот рассеянный свет попадет на собирающее зеркало 10, отражение от которого попадает на плоское зеркало 11. Собирающее зеркало 10 выполнено в виде усеченного тела вращения, образованного вращением кривой второго порядка, и установлено так, что фокус упомянутой кривой второго порядка расположен в точке формирования пятна 21 света. При выполнении собирающего зеркала 10 в виде параболоида вращения параллельный пучок света от плоского зеркала 11, проходя через светофильтр 15 и собирающую линзу 12, фокусируется в отверстии диафрагмы 13 и попадает на первый блок восприятия света 14, возможно, вновь поменяв направление на дополнительном зеркале 16 (в случае, если первый блок восприятия света 14 выполнен в виде относительно громоздкого фотоумножителя). При выполнении же собирающего зеркала 10 в виде эллипсоида вращения отраженный им пучок света, отразившись от плоского зеркала 11 и проходя через светофильтр 15, собирается в "отраженном" втором фокусе эллипсоида вращения (без линзы 12, которая в этом случае отсутствует), в котором размещена диафрагма 13, после которой свет попадает в первый блок восприятия света 14. В данном случае, как и в случае параболоида, возможно использование дополнительного зеркала 16.
Сигнал с первого блока восприятия света 14 используется для анализа наличия дефекта на поверхности объекта 1. Сигнал, снимаемый с первого блока восприятия света 14, фактически является суммой двух компонент, одна из которых пропорциональна рассеянию света, вызванному микрошероховатостью поверхности пластины и рассеянием в ее приповерхностной области (матовостью), а вторая обусловлена присутствием на поверхности частиц или иных светорассеивающих дефектов. Для разделения указанных компонент сигнала используется программное обеспечение. Это позволяет легко реализовать различные режимы измерения при сохранении относительной простоты электронной части прибора. Таким образом, за время сканирования пластины определяются факт наличия частиц (светорассеивающих дефектов) в каждой точке пластины, размеры присутствующих частиц, а также матовость поверхности.
Конкретные алгоритмы обработки сигналов с блоков восприятия света 9 и 14 не являются предметом настоящего изобретения и не входят в объем его патентных притязаний.
Промышленная применимость
Настоящее изобретение может использоваться для анализа однородности поверхностей различных объектов. В частности, оно применимо в полупроводниковом производстве для контроля качества обрабатываемых полупроводниковых пластин внутри технологического оборудования.
Настоящее изобретение описано выше с помощью примеров его выполнения, которые, однако, не ограничивают возможностей его осуществления и приведены только для иллюстрации основных аспектов настоящего изобретения. Объем патентных притязаний определяется нижеследующей формулой изобретения с учетом эквивалентов.

Claims (16)

1. Способ контроля анализируемой поверхности, заключающийся в том, что осуществляют вращение объекта с анализируемой поверхностью вокруг первой оси вращения, формируют на анализируемой поверхности пятно света, раздельно воспринимают свет, зеркально отраженный и рассеянный анализируемой поверхностью в точке падения на нее пятна света, отличающийся тем, что осуществляют перемещение пятна света относительно анализируемой поверхности по дуге вокруг второй оси вращения, которая лежит вне пределов анализируемой поверхности, ориентируют пятно света, имеющее вытянутую форму, на анализируемой поверхности своим наибольшим размером вдоль радиуса, проведенного из точки пересечения первой оси вращения с анализируемой поверхностью, по меньшей мере в одном заранее заданном положении.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в упомянутом заранее заданном положении пятно света расположено на середине упомянутого радиуса.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что пятно света при его перемещении по упомянутой дуге подворачивают так, чтобы его ориентация вдоль радиуса из первого центра вращения, проходящего через пятно, сохранялась на всей линии сканирования.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что собирают рассеянный анализируемой поверхностью свет с помощью системы зеркал, одно из которых выполнено в виде усеченного эллипсоида вращения, ось вращения которого совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в первом фокусе упомянутого усеченного эллипсоида вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно оси его вращения в непосредственной близости от упомянутого первого фокуса, вторая плоскость сечения эллипсоида вращения параллельна первой плоскости его сечения, а другое зеркало представляет собой плоское зеркало с отверстием в середине, установленное под углом к оси вращения усеченного эллипсоида вращения и предназначенное для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света и для отражения рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом, при этом отраженный плоским зеркалом свет пропускают через светофильтр, а затем диафрагмируют в точке, соответствующей второму фокусу упомянутого эллипсоида вращения с учетом отражения от упомянутого плоского зеркала.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что собирают рассеянный анализируемой поверхностью свет с помощью системы зеркал, одно из которых выполнено в виде усеченного параболоида вращения, ось вращения которого совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в фокусе упомянутого усеченного параболоида вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно оси его вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, вторая плоскость сечения параболоида вращения параллельна первой плоскости его сечения, а другое зеркало представляет собой плоское зеркало с отверстием в середине, установленное под углом к оси вращения усеченного параболоида вращения и предназначенное для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света и для отражения рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом, при этом отраженный плоским зеркалом свет пропускают через светофильтр, собирают с помощью линзы, а затем диафрагмируют в точке фокуса линзы.
6. Сканирующий анализатор поверхности, содержащий поворотный стол для установки на нем объекта с анализируемой поверхностью и вращения его вокруг первой оси вращения, перпендикулярной анализируемой поверхности, источник света, предназначенный для освещения анализируемой поверхности пятном света под углом, близким к нормали к этой анализируемой поверхности, собирающее зеркало в виде усеченного тела вращения, образованного вращением кривой второго порядка вокруг второй оси вращения, которая параллельна первой оси вращения и совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в фокусе упомянутого усеченного тела вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно второй оси вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, а вторая плоскость сечения тела вращения параллельна первой плоскости его сечения, первый блок восприятия света, предназначенный для восприятия рассеянного анализируемой поверхностью света, второй блок восприятия света, плоское зеркало, установленное под углом ко второй оси вращения, отличающийся тем, что второй блок восприятия света предназначен для восприятия зеркально отраженного света от анализируемой поверхности, плоское зеркало предназначено для отражения света от собирающего зеркала к первому блоку восприятия света, установлено под углом ко второй оси вращения и выполнено с отверстием в середине, предназначенным для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света ко второму блоку восприятия света, источник света, собирающее зеркало, плоское зеркало с отверстием и первый и второй блоки восприятия света размещены в корпусе, выполненном с возможностью поворота вокруг третьей оси вращения, параллельной первой оси вращения и проходящей вне объекта с анализируемой поверхностью и/или поворотного стола, источник света установлен так, что упомянутое пятно света, имеющее на анализируемой поверхности вытянутую форму, ориентировано своим наибольшим размером вдоль радиуса из центра вращения анализируемой поверхности по меньшей мере в одном заранее заданном положении корпуса.
7. Анализатор по п.6, отличающийся тем, что второй блок восприятия света является поглотителем света.
8. Анализатор по п.6, отличающийся тем, что второй блок восприятия света предназначен для определения наличия на анализируемой поверхности нерассеивающих дефектов.
9. Анализатор по п.6, отличающийся тем, что тело вращения собирающего зеркала представляет собой эллипсоид вращения, во втором фокусе которого с учетом отражения от плоского зеркала установлена диафрагма, предназначенная для пропускания света, отраженного от плоского зеркала, к первому блоку восприятия света.
10. Анализатор по п.9, отличающийся тем, что между плоским зеркалом и диафрагмой установлен светофильтр.
11. Анализатор по п.6, отличающийся тем, что тело вращения собирающего зеркала представляет собой параболоид вращения, а между плоским зеркалом и первым блоком восприятия света установлены собирающая линза и диафрагма, предназначенные для собирания и пропускания света, отраженного от плоского зеркала, к первому блоку восприятия света.
12. Анализатор по п.11, отличающийся тем, что между плоским зеркалом и собирающей линзой установлен светофильтр.
13. Анализатор по п.6, отличающийся тем, что дополнительно содержит привод поворота корпуса для обеспечения возможности перемещения корпуса над анализируемой поверхностью по меньшей мере в одну сторону от центра ее вращения.
14. Анализатор по п.13, отличающийся тем, что привод поворота корпуса снабжен средством измерения угла поворота корпуса, а источник света снабжен средством корректировки положения, предназначенным для подворота источника света в соответствии с сигналами от средства измерения угла поворота для обеспечения упомянутой ориентации пятна света вдоль радиуса из центра вращения анализируемой поверхности по всей линии сканирования.
15. Анализатор по п. 6, отличающийся тем, что корпус изнутри выполнен светопоглощающим.
16. Анализатор по п. 6, отличающийся тем, что поворотный стол снабжен тремя вакуумными присосками, расположенными симметрично относительно первой оси вращения и предназначенными для установки объекта с анализируемой поверхностью на поворотном столе.
RU98121268/28A 1998-11-30 1998-11-30 Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности RU2141647C1 (ru)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98121268/28A RU2141647C1 (ru) 1998-11-30 1998-11-30 Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности
PCT/RU1999/000328 WO2000033055A1 (fr) 1998-11-30 1999-09-08 Procede de controle d'une surface a analyser et analyseur de surface a balayage
EP99973123A EP1156321B1 (en) 1998-11-30 1999-09-08 Method for checking a surface to be analysed and scanning surface-analyser
JP2000585642A JP2002531825A (ja) 1998-11-30 1999-09-08 解析表面の検査方法と、表面走査解析装置
DE69922844T DE69922844T2 (de) 1998-11-30 1999-09-08 Verfahren zum prüfen einer zu analysierenden oberfläche und scanner zur analyse von oberflächen
US09/866,725 US6633372B2 (en) 1998-11-30 2001-05-30 Method for inspection of an analyzed surface and surface scanning analyzer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98121268/28A RU2141647C1 (ru) 1998-11-30 1998-11-30 Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2141647C1 true RU2141647C1 (ru) 1999-11-20

Family

ID=20212676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98121268/28A RU2141647C1 (ru) 1998-11-30 1998-11-30 Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6633372B2 (ru)
EP (1) EP1156321B1 (ru)
JP (1) JP2002531825A (ru)
DE (1) DE69922844T2 (ru)
RU (1) RU2141647C1 (ru)
WO (1) WO2000033055A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6633372B2 (en) 1998-11-30 2003-10-14 Obschestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostiju “Reflex Lait” Method for inspection of an analyzed surface and surface scanning analyzer

Families Citing this family (231)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6306876B1 (en) 1999-12-22 2001-10-23 Ortho-Mcneil Pharmaceutical, Inc. 4-[aryl(8-azabicyclo[3.2.1]octan-3-yl)]aminobenzoic acid derivatives
DE10202304A1 (de) * 2002-01-22 2003-07-31 Fraunhofer Ges Forschung Kryospeichereinrichtung mit Transponder
US6798513B2 (en) * 2002-04-11 2004-09-28 Nanophotonics Ab Measuring module
JP4691499B2 (ja) * 2003-05-19 2011-06-01 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 対象となる信号およびノイズ間のロバストな分離を可能にする装置および方法
DE102004034160A1 (de) * 2004-07-15 2006-02-09 Byk Gardner Gmbh Vorrichtung zur Untersuchung optischer Oberflächeneigenschaften
JP5532792B2 (ja) * 2009-09-28 2014-06-25 富士通株式会社 表面検査装置及び表面検査方法
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8718353B2 (en) 2012-03-08 2014-05-06 Kla-Tencor Corporation Reticle defect inspection with systematic defect filter
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9612273B2 (en) * 2014-11-28 2017-04-04 Exnodes Inc. Distributed wafer inspection
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
CN105203555B (zh) * 2015-10-22 2019-02-05 夏烬楚 一种多层石墨烯污点检测装置
CN105203561B (zh) * 2015-10-22 2019-02-05 徐州恒巨机电科技有限公司 一种多层石墨烯污点激光检测装置
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
JP6537992B2 (ja) * 2016-03-30 2019-07-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
DE102016226212A1 (de) * 2016-12-23 2018-06-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Analyseeinrichtung
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
EP3869183A1 (de) * 2020-02-24 2021-08-25 Berthold Technologies GmbH & Co. KG Vorrichtung zur ermittlung optischer eigenschaften von proben
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1514921A (en) * 1975-04-02 1978-06-21 Kanji S Record-playing apparatus
US4079944A (en) * 1975-12-05 1978-03-21 Durley Iii Benton A Cueing device for phonographs
US4314763A (en) * 1979-01-04 1982-02-09 Rca Corporation Defect detection system
JPS5651045A (en) * 1979-09-29 1981-05-08 Toshiba Corp Detector for part between data of record player
US4655592A (en) * 1983-12-30 1987-04-07 Hamamatsu Systems, Inc. Particle detection method and apparatus
DE3626724C2 (de) * 1986-08-07 1994-06-16 Siemens Ag Anordnung zur Oberflächenprüfung
US5127726A (en) 1989-05-19 1992-07-07 Eastman Kodak Company Method and apparatus for low angle, high resolution surface inspection
JPH03163338A (ja) 1989-11-22 1991-07-15 Toshiba Corp 付着ごみ検査装置
US5377002A (en) 1991-07-20 1994-12-27 Tet Techno Trust Investment Settlement Apparatus for surface inspections
US5377001A (en) 1991-07-20 1994-12-27 Tet Techno Trust Investment Settlement Apparatus for surface inspection
JP3163338B2 (ja) 1992-05-28 2001-05-08 味の素株式会社 （Ｓ）−γ−ハロゲン化−β−ハイドロキシ酪酸エステルの製造方法
US5420689A (en) * 1993-03-01 1995-05-30 Siu; Bernard High speed illumination system for microelectronics inspection
RU2064670C1 (ru) 1993-04-19 1996-07-27 Александр Владимирович Войналович Устройство для измерения интенсивности рассеянного света
US6271916B1 (en) * 1994-03-24 2001-08-07 Kla-Tencor Corporation Process and assembly for non-destructive surface inspections
WO1997012226A1 (en) * 1995-09-25 1997-04-03 Tencor Instruments Improved system for surface inspection
RU2141647C1 (ru) 1998-11-30 1999-11-20 Войналович Александр Владимирович Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Altendorfer H. et al. "Unpatterned surface inspection for next-generation devices." - Solid State Technology, 1996, v. 39, N 8, pp. 93 - 97. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6633372B2 (en) 1998-11-30 2003-10-14 Obschestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostiju “Reflex Lait” Method for inspection of an analyzed surface and surface scanning analyzer

Also Published As

Publication number Publication date
EP1156321A4 (en) 2002-07-31
EP1156321B1 (en) 2004-12-22
DE69922844D1 (de) 2005-01-27
WO2000033055A1 (fr) 2000-06-08
US20020005943A1 (en) 2002-01-17
US6633372B2 (en) 2003-10-14
DE69922844T2 (de) 2005-12-15
JP2002531825A (ja) 2002-09-24
EP1156321A1 (en) 2001-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2141647C1 (ru) Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности
JP3140664B2 (ja) 異物検査方法及び装置
JP3801635B2 (ja) 製品表面の検査システムおよび方法
US7102744B2 (en) Process and assembly for non-destructive surface inspections
US5717485A (en) Foreign substance inspection apparatus
JP2790279B2 (ja) 粒子検出方法および装置
JP4473581B2 (ja) 回折性のパターンを備えた表面の異常を検出するための方法及び装置
JP3936220B2 (ja) 端部傷検査装置
US4669875A (en) Foreign particle detecting method and apparatus
US5420689A (en) High speed illumination system for microelectronics inspection
EP1035408A1 (en) Apparatus for measuring characteristics of optical angle
US11852592B2 (en) Time domain multiplexed defect scanner
JP2999712B2 (ja) 端部欠陥検査方法とその装置
JP2007263612A (ja) ウエハ外観検査装置
JPH0882602A (ja) 板ガラスの欠点検査方法及び装置
JP3469714B2 (ja) 感光体表面検査方法および感光体表面検査装置
JPH05346368A (ja) 光学要素の評価と格付けのための方法と装置
JP3040131B2 (ja) 球体表面の傷検査装置
JPH0141922B2 (ru)
JP3869101B2 (ja) 光ファイバ母材の欠陥検出装置および方法
TW402685B (en) Method for monitoring the analysed surface and surface scanning analyser
JPH08226899A (ja) 半導体シリコンベアウエハの表面検査方法及びその表面検査装置
JP2001050720A (ja) 表面検査方法および装置
JPH07119703B2 (ja) 表面欠陥検査装置
JPH03173452A (ja) 面板の欠陥検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
QZ4A Changes in the licence of a patent

Effective date: 20000811

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20071201