JPS603307B2 - 無水フタル酸の製造方法 - Google Patents
無水フタル酸の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/16—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation
- C07C51/31—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation of cyclic compounds with ring-splitting
- C07C51/313—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation of cyclic compounds with ring-splitting with molecular oxygen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/002—Mixed oxides other than spinels, e.g. perovskite
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/20—Vanadium, niobium or tantalum
- B01J23/22—Vanadium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/14—Phosphorus; Compounds thereof
- B01J27/186—Phosphorus; Compounds thereof with arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J27/195—Phosphorus; Compounds thereof with arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium with vanadium, niobium or tantalum
- B01J27/198—Vanadium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/16—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation
- C07C51/21—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation with molecular oxygen
- C07C51/255—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation with molecular oxygen of compounds containing six-membered aromatic rings without ring-splitting
- C07C51/265—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation with molecular oxygen of compounds containing six-membered aromatic rings without ring-splitting having alkyl side chains which are oxidised to carboxyl groups
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2523/00—Constitutive chemical elements of heterogeneous catalysts
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は分子状酸素含有ガスによりオルトキシレンを接
触気相酸化して無水フタル酸を製造する方法に関する。
触気相酸化して無水フタル酸を製造する方法に関する。
詳しく述べると本発明はオルトキシレンを高濃度に含有
する分子状酸素含有ガスを接触気相酸化して無水フタル
酸を製造する方法ならびにその使用に適した触媒組成物
を提供することを目的とする。さらに詳しく述べると本
発明は、オルトキシレン60タ′NM3を越えるような
高濃度で含有する分子状酸素含有ガスをバナジウム酸化
物を含有する解煤の存在下接触気相酸化反応に供して無
水フタル酸を製造するに際し、反応器のガス入口および
出口いずれの側においても爆発の危険性を回避しつつ無
水フタル酸を高い生産性で安定して製造しうるプロセス
を提供することにあり、さらにそのために有用な触媒組
成物を提供することにある。従来無水フタル酸は分子状
酸素含有ガスとして空気を用い、ナフタリンまたはオル
トキシレンの接触気相酸化によって製造されてきたが、
この場合原料ガス濃度は爆発の危険を避けるために、爆
発下限界以下の濃度組成に維持して反応を遂行するのが
通常であった。
する分子状酸素含有ガスを接触気相酸化して無水フタル
酸を製造する方法ならびにその使用に適した触媒組成物
を提供することを目的とする。さらに詳しく述べると本
発明は、オルトキシレン60タ′NM3を越えるような
高濃度で含有する分子状酸素含有ガスをバナジウム酸化
物を含有する解煤の存在下接触気相酸化反応に供して無
水フタル酸を製造するに際し、反応器のガス入口および
出口いずれの側においても爆発の危険性を回避しつつ無
水フタル酸を高い生産性で安定して製造しうるプロセス
を提供することにあり、さらにそのために有用な触媒組
成物を提供することにある。従来無水フタル酸は分子状
酸素含有ガスとして空気を用い、ナフタリンまたはオル
トキシレンの接触気相酸化によって製造されてきたが、
この場合原料ガス濃度は爆発の危険を避けるために、爆
発下限界以下の濃度組成に維持して反応を遂行するのが
通常であった。
たとえばオルトキシレンを空気と混合て使用するような
場合、その濃度は40夕/NM以下とする必要がある。
ところが、数年来、単位コンバーター(反応器)当りの
生産性向上「さらに省エネルギーを目的として、触媒の
選択性および耐熱性における技術的進歩と呼応してオル
トキシレンの空気中における濃度を40夕/NM3より
高めて接触気相酸化せしめる、いわゆる爆発範囲内での
運転操作プロセスが見受けられるようになってきている
。関連する提案として、以下の文献が指摘される。特開
昭50一4053y号公報明細書、 特関昭50−40514号公報明細書、および特開昭4
9−13618号公報明細書。
場合、その濃度は40夕/NM以下とする必要がある。
ところが、数年来、単位コンバーター(反応器)当りの
生産性向上「さらに省エネルギーを目的として、触媒の
選択性および耐熱性における技術的進歩と呼応してオル
トキシレンの空気中における濃度を40夕/NM3より
高めて接触気相酸化せしめる、いわゆる爆発範囲内での
運転操作プロセスが見受けられるようになってきている
。関連する提案として、以下の文献が指摘される。特開
昭50一4053y号公報明細書、 特関昭50−40514号公報明細書、および特開昭4
9−13618号公報明細書。
そして、これらの高ガス濃度プロセスの実際の操業は文
献ケミカルエンジニアリング(ChemicalEng
neering)第82頁(1974年3月号)および
化学工学シンポジウム(1.Chem.E.Sのmpo
sl山mSeries)第5損舎第4頁(1974年)
に詳細に記載されている如く、共通してオルトキシレン
/空気の割合を60夕/NM3を上限として行なわれて
いる。
献ケミカルエンジニアリング(ChemicalEng
neering)第82頁(1974年3月号)および
化学工学シンポジウム(1.Chem.E.Sのmpo
sl山mSeries)第5損舎第4頁(1974年)
に詳細に記載されている如く、共通してオルトキシレン
/空気の割合を60夕/NM3を上限として行なわれて
いる。
その理由は詳細には明らかではないが反応器出口側以降
の生成ガスの爆発範囲内に入るのを避けることにあるも
のと推測される。原料ガスは入口側でも爆発範囲内に入
るがアメリカ国特許第3296281号明細書にも記載
されているように原料投入部より反応器触媒層に至るま
での間のガス線速度を高めることにより、たとえそのガ
ス組成が静止状態において爆発範囲内にあってもある程
度までのガス濃度であれば爆発の危険性は回避できるか
らである。しかし、反応器のガス出口側じ汎蜂において
は、生成無水フタル酸の構築操作の上からも装置的に線
速度を上げて爆発範囲を狭くするというような手段をと
ることは不可能である。ここで、原料ガス濃度を上げて
酸化反応を行なわしめると、生成ガス側の残存酸素濃度
が低下するため、通常の爆発範囲外操業よりも安全であ
ると考えることはできるが、これはオルトキシレン/空
気の割合が60夕/NM3付近までのことであってそれ
以上の高ガス濃度においても適用するのは困難である。
の生成ガスの爆発範囲内に入るのを避けることにあるも
のと推測される。原料ガスは入口側でも爆発範囲内に入
るがアメリカ国特許第3296281号明細書にも記載
されているように原料投入部より反応器触媒層に至るま
での間のガス線速度を高めることにより、たとえそのガ
ス組成が静止状態において爆発範囲内にあってもある程
度までのガス濃度であれば爆発の危険性は回避できるか
らである。しかし、反応器のガス出口側じ汎蜂において
は、生成無水フタル酸の構築操作の上からも装置的に線
速度を上げて爆発範囲を狭くするというような手段をと
ることは不可能である。ここで、原料ガス濃度を上げて
酸化反応を行なわしめると、生成ガス側の残存酸素濃度
が低下するため、通常の爆発範囲外操業よりも安全であ
ると考えることはできるが、これはオルトキシレン/空
気の割合が60夕/NM3付近までのことであってそれ
以上の高ガス濃度においても適用するのは困難である。
なぜなら、単にオルトキシレン/空気の割合を60夕/
NM3以上に上げて応を行なわしめると、必然的に残存
酸素濃度がさらに低下はするものの可燃性化合物である
無水フタル酸や副生の無水マレィン酸、一酸化炭素など
の濃度が上昇するため生成ガス組成としては爆発範囲に
入ってしまうからである。さらにもう一つの理由として
考えられるのは、上記の1.Chem.E.Sym.S
eries第50巻第4頁(1976)に記載されてい
る如く、触媒性能面からの制約である。
NM3以上に上げて応を行なわしめると、必然的に残存
酸素濃度がさらに低下はするものの可燃性化合物である
無水フタル酸や副生の無水マレィン酸、一酸化炭素など
の濃度が上昇するため生成ガス組成としては爆発範囲に
入ってしまうからである。さらにもう一つの理由として
考えられるのは、上記の1.Chem.E.Sym.S
eries第50巻第4頁(1976)に記載されてい
る如く、触媒性能面からの制約である。
オルトキシレンを接触気相酸化して無水フタル酸をえる
反応は著しい発熱を伴うので、とくにガス濃度を上げた
場合ホットスポットと呼ばれる異常発熱が触媒層で局部
的に起り易い。このため過度酸化反応が増大し無水フタ
ル酸収率の低下ならびにホットスポット部での触媒の劣
化が著しい。たとえば特公昭49−41271号、袴関
昭51一42096号、特関昭51−4918y号、特
開昭50一4053叫号公報明細書に記載されているよ
うな触媒、たとえば特公昭49−41271号実施例に
記載の触媒を使用し、オルトキシレンを空気とともに8
0夕/NMの濃度で接触気相酸化せしめるといずれもホ
ットスポット部の温度は500qoを越え、無水マレィ
ン酸、安息香酸、さらに炭酸ガスなどへの副反応を増大
させ無水フタル酸収率として10の重量%に達しえない
ことが判明したのである。したがって、従来公知触媒を
使用し、従来公知方法で単にオルトキシレン/空気の濃
度を60多/NM以上にしても、円滑な無水フタル酸の
取得が困難であることが判った。本発明者らは、高濃度
下においてもホットスポットの生成が少なく、かつ副反
応の少ない反応条件の選択ならびにそのために好適な触
媒組成物の探求を行なったところ、第1の知見として無
水フタル酸補集後の廃ガスを一部反応器へ循環使用する
ことによって反応系におけるガス組成が常に爆発範囲外
に維持されることを見出し、60〜85夕/NMのオル
トキシレン濃度でも安定にかつ安全にオルトキシレンの
接触気相酸化反応で無水フタル酸を製造しうるプロセス
、およびそのために使用するに好適な触媒の開発に成功
したものである。
反応は著しい発熱を伴うので、とくにガス濃度を上げた
場合ホットスポットと呼ばれる異常発熱が触媒層で局部
的に起り易い。このため過度酸化反応が増大し無水フタ
ル酸収率の低下ならびにホットスポット部での触媒の劣
化が著しい。たとえば特公昭49−41271号、袴関
昭51一42096号、特関昭51−4918y号、特
開昭50一4053叫号公報明細書に記載されているよ
うな触媒、たとえば特公昭49−41271号実施例に
記載の触媒を使用し、オルトキシレンを空気とともに8
0夕/NMの濃度で接触気相酸化せしめるといずれもホ
ットスポット部の温度は500qoを越え、無水マレィ
ン酸、安息香酸、さらに炭酸ガスなどへの副反応を増大
させ無水フタル酸収率として10の重量%に達しえない
ことが判明したのである。したがって、従来公知触媒を
使用し、従来公知方法で単にオルトキシレン/空気の濃
度を60多/NM以上にしても、円滑な無水フタル酸の
取得が困難であることが判った。本発明者らは、高濃度
下においてもホットスポットの生成が少なく、かつ副反
応の少ない反応条件の選択ならびにそのために好適な触
媒組成物の探求を行なったところ、第1の知見として無
水フタル酸補集後の廃ガスを一部反応器へ循環使用する
ことによって反応系におけるガス組成が常に爆発範囲外
に維持されることを見出し、60〜85夕/NMのオル
トキシレン濃度でも安定にかつ安全にオルトキシレンの
接触気相酸化反応で無水フタル酸を製造しうるプロセス
、およびそのために使用するに好適な触媒の開発に成功
したものである。
すなわち、まず原料ガス側の酸素濃度として、触媒層入
口で15000以下のガス温度維持とともに、12容量
%以下に維持されれば爆発の危険性はまったくなくなる
こと、その結果任意の濃度のオルトキシレン濃度がとり
うろこと、そしてこのガス条件であれば反応器出口側以
降においても完全に爆発範囲を外した状態となることを
見出し、さらにこれに呼応して酸素濃度が低い範囲でも
長期にわたり触媒活性を矢なわない触媒として、その粒
子径が多孔性でその粒子径がほゞ0.4〜0.7ミクロ
ンの範囲に入り、比表面積が10〜60で/夕のアナタ
ーゼ型酸化チタンを使用したバナジウム酸化物一酸化チ
タン系触媒組成物を見出し、かつその効果的な使用方法
を開発したのである。本発明はその要旨を以下の如く規
定する。
口で15000以下のガス温度維持とともに、12容量
%以下に維持されれば爆発の危険性はまったくなくなる
こと、その結果任意の濃度のオルトキシレン濃度がとり
うろこと、そしてこのガス条件であれば反応器出口側以
降においても完全に爆発範囲を外した状態となることを
見出し、さらにこれに呼応して酸素濃度が低い範囲でも
長期にわたり触媒活性を矢なわない触媒として、その粒
子径が多孔性でその粒子径がほゞ0.4〜0.7ミクロ
ンの範囲に入り、比表面積が10〜60で/夕のアナタ
ーゼ型酸化チタンを使用したバナジウム酸化物一酸化チ
タン系触媒組成物を見出し、かつその効果的な使用方法
を開発したのである。本発明はその要旨を以下の如く規
定する。
すなわち、まず無水フタル酸製造用触媒として、酸化バ
ナジウムをV2Qとして1〜2の重量部、およびその粒
子蓬が実質的に0.4〜0.7ミクロンの直径よりなる
多孔性で比表面積10〜60で′夕のアナターゼ型酸化
チタンをTi02として99〜8の重量部、さらにこれ
ら両成分の合計量に対し酸化ニオブをNQ05として0
.01〜1重量%、カリウム、セシウム、ルビジウムお
よびタリウムよりなる群から選ばれた少くとも1種を酸
化物として0.05〜1.2重量%、さらにリンをP2
05として0.2〜1.2重量%含有してなる触媒物質
をァルミナ(AIぬ3)含量が1の重量%以下、シリコ
ンカーバイド含量が8の重量%以上であり、且つ見掛け
気孔率が10%以上の多孔性担体に担持させた触媒組成
物であり、さらにこの触媒を充填してなる反応域にオル
トキシレンと空気または分子状酸素含有ガスとを含有す
る混合ガスを通じ高められた温度で接触気相酸化し、生
成した無水フタル酸含有ガスをスイッチ式補集器に導び
き、そこで反応生成ガス中の水分の野点よりも高い温度
にて無水フタル酸を冷却掩集し、該捕集器を出た廃ガス
を除湿することなくその一部を原料ガスに循環混合し反
応を遂行せしめてなるオルトキシレンより無水フタル酸
を製造する方法である。さらに本発明においては、全触
媒層高のうち「原料ガス入口側より30〜70%の層高
にV2051〜2の重量部、およびその粒子径が実質的
に0.4〜0.7ミクロンの直径よりなる多孔性で、比
表面積10〜60〆/夕の多孔性アナターゼ型Ti02
99〜80重量部、およびこれら両成分の合計に対して
0.01〜1重量%のNQ05、0.05〜1.2重量
%のK20、Cs20、Rb20およびT120のうち
少くとも1成分、0.2〜0.4重量%のP205より
なる触媒物質をAI203含量が1の重量%以下、SI
C含量が8の重量%以上であり、且つ見掛け気孔率が1
0%以上の担体に担持させた触媒を、また、反応ガス出
口側の全触媒層高のうち70〜30%には、V2051
〜20重量部、およびその粒子径が実質的に0.4〜0
.7ミクロンの直径よりなる多孔性で、比表面積10〜
60〆/夕の多孔性アナターゼ型Ti0299〜8の重
量部、およびこれら両成分の合計に対して0.01〜1
重量%のNQ05、0.05〜1.2重量%のK20、
Cs20、RQOおよびT120のうち少くとも1成分
、0.4〜1.2重量%のP205よりなる触媒物質を
山203含量が1の重量%以下、SIC含量が8の重量
%以上であり、且つ見掛け気孔率が10%以上の担体に
担持させた触媒を積層に充填して用いつつオルトキシレ
ンから無水フタル酸を製造する方法も本発明方法におい
ては提案され、かっこの多段積層法と廃ガスの循環使用
法とを併用することも本発明の最も好ましい態様として
提案される。以下、さらに詳細に本発明を説明する。ま
ず、本発明において有利に採用しうる廃ガス循環方式に
ついて述べる。
ナジウムをV2Qとして1〜2の重量部、およびその粒
子蓬が実質的に0.4〜0.7ミクロンの直径よりなる
多孔性で比表面積10〜60で′夕のアナターゼ型酸化
チタンをTi02として99〜8の重量部、さらにこれ
ら両成分の合計量に対し酸化ニオブをNQ05として0
.01〜1重量%、カリウム、セシウム、ルビジウムお
よびタリウムよりなる群から選ばれた少くとも1種を酸
化物として0.05〜1.2重量%、さらにリンをP2
05として0.2〜1.2重量%含有してなる触媒物質
をァルミナ(AIぬ3)含量が1の重量%以下、シリコ
ンカーバイド含量が8の重量%以上であり、且つ見掛け
気孔率が10%以上の多孔性担体に担持させた触媒組成
物であり、さらにこの触媒を充填してなる反応域にオル
トキシレンと空気または分子状酸素含有ガスとを含有す
る混合ガスを通じ高められた温度で接触気相酸化し、生
成した無水フタル酸含有ガスをスイッチ式補集器に導び
き、そこで反応生成ガス中の水分の野点よりも高い温度
にて無水フタル酸を冷却掩集し、該捕集器を出た廃ガス
を除湿することなくその一部を原料ガスに循環混合し反
応を遂行せしめてなるオルトキシレンより無水フタル酸
を製造する方法である。さらに本発明においては、全触
媒層高のうち「原料ガス入口側より30〜70%の層高
にV2051〜2の重量部、およびその粒子径が実質的
に0.4〜0.7ミクロンの直径よりなる多孔性で、比
表面積10〜60〆/夕の多孔性アナターゼ型Ti02
99〜80重量部、およびこれら両成分の合計に対して
0.01〜1重量%のNQ05、0.05〜1.2重量
%のK20、Cs20、Rb20およびT120のうち
少くとも1成分、0.2〜0.4重量%のP205より
なる触媒物質をAI203含量が1の重量%以下、SI
C含量が8の重量%以上であり、且つ見掛け気孔率が1
0%以上の担体に担持させた触媒を、また、反応ガス出
口側の全触媒層高のうち70〜30%には、V2051
〜20重量部、およびその粒子径が実質的に0.4〜0
.7ミクロンの直径よりなる多孔性で、比表面積10〜
60〆/夕の多孔性アナターゼ型Ti0299〜8の重
量部、およびこれら両成分の合計に対して0.01〜1
重量%のNQ05、0.05〜1.2重量%のK20、
Cs20、RQOおよびT120のうち少くとも1成分
、0.4〜1.2重量%のP205よりなる触媒物質を
山203含量が1の重量%以下、SIC含量が8の重量
%以上であり、且つ見掛け気孔率が10%以上の担体に
担持させた触媒を積層に充填して用いつつオルトキシレ
ンから無水フタル酸を製造する方法も本発明方法におい
ては提案され、かっこの多段積層法と廃ガスの循環使用
法とを併用することも本発明の最も好ましい態様として
提案される。以下、さらに詳細に本発明を説明する。ま
ず、本発明において有利に採用しうる廃ガス循環方式に
ついて述べる。
廃ガス循環方式のモデルとしては、
【1)補集器を出た廃ガスの全量を、白金またはパラジ
ウム系触媒の充填されてなる廃ガス燃焼器に通じ、その
後水蒸気を除湿器で除湿したのちその一部を原料系に循
環させる方法。
ウム系触媒の充填されてなる廃ガス燃焼器に通じ、その
後水蒸気を除湿器で除湿したのちその一部を原料系に循
環させる方法。
■ 補集室を出た廃ガスの全量を無水マレィン酸回収塔
に送り、塔頂温度で水蒸気の飽和された廃ガスの一部を
原料系に循環させ「残りの廃ガスは触媒式燃焼器に導く
方法。
に送り、塔頂温度で水蒸気の飽和された廃ガスの一部を
原料系に循環させ「残りの廃ガスは触媒式燃焼器に導く
方法。
‘3} 補集室を出た廃ガスの一部を除湿することなく
原料ガス側に循環させ、残りの廃ガスは触媒式燃焼器に
導く方法。
原料ガス側に循環させ、残りの廃ガスは触媒式燃焼器に
導く方法。
等が考えられ、本発明方法はいずれの方法でも採用しう
るが、とくに‘3}のケースに効果的である。
るが、とくに‘3}のケースに効果的である。
‘1’の場合留意すべき点としては一つには廃ガスの全
量を接触燃焼させるため大容量な燃焼装置が必要である
ということが挙げられる。さらに、燃焼装置を出た廃ガ
ス中の水分を除くために大容量な冷却除湿器が必要でそ
の設備費およびランニングコストが高くなる点である。
■の場合の留意としては、無水マレィン酸回収のメリッ
トはあるものの回収塔及びそれL汎降における廃水の処
理に多大の費用を要することである。
量を接触燃焼させるため大容量な燃焼装置が必要である
ということが挙げられる。さらに、燃焼装置を出た廃ガ
ス中の水分を除くために大容量な冷却除湿器が必要でそ
の設備費およびランニングコストが高くなる点である。
■の場合の留意としては、無水マレィン酸回収のメリッ
トはあるものの回収塔及びそれL汎降における廃水の処
理に多大の費用を要することである。
さらに回収塔における吸収液としては、工業用水を用い
るとカルシウム、アルカリ金属、マグネシウム等触媒を
被毒させる金属の飛沫同伴があるため、純水を用いなけ
ればならない。【3’の場合は、無水マレィン酸の回収
が出来ないというデメリットがあるものの、(1)、(
21におけるような不利益が全くなく非常に経済的なプ
ロセスである。
るとカルシウム、アルカリ金属、マグネシウム等触媒を
被毒させる金属の飛沫同伴があるため、純水を用いなけ
ればならない。【3’の場合は、無水マレィン酸の回収
が出来ないというデメリットがあるものの、(1)、(
21におけるような不利益が全くなく非常に経済的なプ
ロセスである。
しかしながら、従来公知のとくに高選択性の有するV2
Q−Ti02系担持型触媒は、{3’のプロセスに適用
することは不可能である。糊の場合、反応平衡状況にお
いて反応器入口部での水蒸気濃度がオルトキシレンの供
給量によって変動するが5〜1接容量%に達する。通常
、炭化水素より有機酸を接触酸化によって製造する際、
反応ガス中に水蒸気を同伴させることは生成物の触媒表
面からの脱離促進剤として働き、過度酸化反応を抑制す
るため有利であるが、従来公知のV205一Ti02系
担持型触媒によりオルトキシレンを水蒸気共存下に分子
状酸素で酸化させることは触媒の経日劣化を極度に促進
するためかえって不都合である。たとえば、特公昭52
−4538号公報明細書の実施例1に記載されている触
媒を内径2仇舷の管に2.5メートルの高さに充填し、
これを370℃の溶融塩浴中に浸せきし、水蒸気1咳容
量%、酸素1泣容量%、オルトキシレン83タ′NM(
オルトキシレン/分子状酸素含有ガスの割合)、および
窒素よりなる混合ガスを空間速度2500hr1で通じ
ると、反応開始初期には無水フタル酸が11ね重量%以
上の収率がえられ、ホットスポットでの温度と溶融塩の
温度との差(以下△Tと略記)も6000程度認められ
たが、反応開始後約2ケ月後には△Tが20午0まで低
下し、無水フタル酸収率も108重量%まで低下し4た
。この理由について種々検討を加えた結果、次のような
結論がえられた。
Q−Ti02系担持型触媒は、{3’のプロセスに適用
することは不可能である。糊の場合、反応平衡状況にお
いて反応器入口部での水蒸気濃度がオルトキシレンの供
給量によって変動するが5〜1接容量%に達する。通常
、炭化水素より有機酸を接触酸化によって製造する際、
反応ガス中に水蒸気を同伴させることは生成物の触媒表
面からの脱離促進剤として働き、過度酸化反応を抑制す
るため有利であるが、従来公知のV205一Ti02系
担持型触媒によりオルトキシレンを水蒸気共存下に分子
状酸素で酸化させることは触媒の経日劣化を極度に促進
するためかえって不都合である。たとえば、特公昭52
−4538号公報明細書の実施例1に記載されている触
媒を内径2仇舷の管に2.5メートルの高さに充填し、
これを370℃の溶融塩浴中に浸せきし、水蒸気1咳容
量%、酸素1泣容量%、オルトキシレン83タ′NM(
オルトキシレン/分子状酸素含有ガスの割合)、および
窒素よりなる混合ガスを空間速度2500hr1で通じ
ると、反応開始初期には無水フタル酸が11ね重量%以
上の収率がえられ、ホットスポットでの温度と溶融塩の
温度との差(以下△Tと略記)も6000程度認められ
たが、反応開始後約2ケ月後には△Tが20午0まで低
下し、無水フタル酸収率も108重量%まで低下し4た
。この理由について種々検討を加えた結果、次のような
結論がえられた。
すなわち、オルトキシレンをオルトキシレン/分子状酸
素含有ガスの割合で80タ′NM3以上の高濃度で、し
かも12%以下の低酸素濃度で酸化せしめる場合、被酸
化物質であるオルトキシレンの濃度と酸素濃度との両面
から触媒に対して大きな負荷がか)る。この際活性点増
大のために触媒物質の一つであるアナターゼ型Ti02
の比表面積を大きくすることによって触媒としての負荷
性を向上させることができる。具体的には比表面積10
〆/タ以上、好ましくは15〜40〆′?程度のアナタ
ーゼ型Ti02、すなわち一次粒子径が0.05〜0.
2ミクロン程度のアナターゼ型Ti02の使用が好まし
い。ところが、このような微粒子タイプのアナ夕−ゼ型
Tj02の触媒原料としての使用は、前記の如く、触媒
に対する負荷性を非常に高め効果的であるが、触媒の劣
化速度が遠いという欠点のあることが認められ、種々物
理分析の結果、Ti02の一次粒子径が小さければ小さ
い程触媒層、とくにホットスポットでのTi02の結晶
生長が激しくそれに従って低活性化されるということ、
および水蒸気共存下でオルトキシレンを酸化させた場合
、水蒸気がV205の針状結晶化を促進し、活性点であ
るV2Qの触媒表面に於る分散状態を悪くし、結果的に
低活性化させるということが判明した。
素含有ガスの割合で80タ′NM3以上の高濃度で、し
かも12%以下の低酸素濃度で酸化せしめる場合、被酸
化物質であるオルトキシレンの濃度と酸素濃度との両面
から触媒に対して大きな負荷がか)る。この際活性点増
大のために触媒物質の一つであるアナターゼ型Ti02
の比表面積を大きくすることによって触媒としての負荷
性を向上させることができる。具体的には比表面積10
〆/タ以上、好ましくは15〜40〆′?程度のアナタ
ーゼ型Ti02、すなわち一次粒子径が0.05〜0.
2ミクロン程度のアナターゼ型Ti02の使用が好まし
い。ところが、このような微粒子タイプのアナ夕−ゼ型
Tj02の触媒原料としての使用は、前記の如く、触媒
に対する負荷性を非常に高め効果的であるが、触媒の劣
化速度が遠いという欠点のあることが認められ、種々物
理分析の結果、Ti02の一次粒子径が小さければ小さ
い程触媒層、とくにホットスポットでのTi02の結晶
生長が激しくそれに従って低活性化されるということ、
および水蒸気共存下でオルトキシレンを酸化させた場合
、水蒸気がV205の針状結晶化を促進し、活性点であ
るV2Qの触媒表面に於る分散状態を悪くし、結果的に
低活性化させるということが判明した。
このように、水蒸気共存下で且つ非常に高い負荷条件の
下でオルトキシレンを接触酸化して無水フタル酸をえる
ためのV205−Tj02系担持触媒において触媒原料
であるアナターゼ型の比表面積を単に大きくするだけで
はその触媒は工業的に意味をもたない。そこで本発明者
らは、高負荷条件下における触媒の耐久性改善のために
種々検討を加えた結果、Ti02源として粒子が多孔性
で、その粒子径が0.4〜0.7ミクロン、比表面積が
10〜60で/夕、好ましくは15〜40〆/夕のアナ
ターゼ型Ti02を使用することによって触媒の熱耐久
性とくに耐水蒸気性の著しく改善されることを見出し、
前項記載の{3’のプロセスの実施が可能となり本発明
の完成を見るにいたつた。
下でオルトキシレンを接触酸化して無水フタル酸をえる
ためのV205−Tj02系担持触媒において触媒原料
であるアナターゼ型の比表面積を単に大きくするだけで
はその触媒は工業的に意味をもたない。そこで本発明者
らは、高負荷条件下における触媒の耐久性改善のために
種々検討を加えた結果、Ti02源として粒子が多孔性
で、その粒子径が0.4〜0.7ミクロン、比表面積が
10〜60で/夕、好ましくは15〜40〆/夕のアナ
ターゼ型Ti02を使用することによって触媒の熱耐久
性とくに耐水蒸気性の著しく改善されることを見出し、
前項記載の{3’のプロセスの実施が可能となり本発明
の完成を見るにいたつた。
本発明による触媒は、基本的には、V205、粒子が多
孔性で径が0.4〜0.7ミクロン(10〜60〆′多
)のアナターゼ型Ti02(以下Ti02と略記)、K
20、Cs20、Rb20およびT120のうち少くと
も1種、Nb205、P205よりなる触媒活性物質を
SICを主体とする多孔性担体に担特せしめてよりなる
ものである。
孔性で径が0.4〜0.7ミクロン(10〜60〆′多
)のアナターゼ型Ti02(以下Ti02と略記)、K
20、Cs20、Rb20およびT120のうち少くと
も1種、Nb205、P205よりなる触媒活性物質を
SICを主体とする多孔性担体に担特せしめてよりなる
ものである。
触媒の実際の実施における使用態様は最適には、反応管
における触媒の充填を2層に分け、原料ガス入口部に相
対的にP2Q含量の少ない触媒を反応ガス出口部にはP
205含有量が原料ガス入口部に用いた触媒のP2Q含
有量よりも相対的に多い触媒を積層に充填する。
における触媒の充填を2層に分け、原料ガス入口部に相
対的にP2Q含量の少ない触媒を反応ガス出口部にはP
205含有量が原料ガス入口部に用いた触媒のP2Q含
有量よりも相対的に多い触媒を積層に充填する。
このような実施態様をとることによって触媒層でのホッ
トスポットの生成が抑制されるため、より一層触媒の高
負荷性が助長される。原料ガス入口部の触媒(以下前段
触媒と略記)の触媒活性物質の組成はV2051〜20
重量部、Ti0299〜80重量部、およびこれらの両
成分の合計に対して0.01〜1重量%のNb2Q、P
205を0.2〜0.4重量%、K20、Cs20、R
QOおよびm20のうち少くとも1成分を0.05〜1
.2重量%添加したものである。
トスポットの生成が抑制されるため、より一層触媒の高
負荷性が助長される。原料ガス入口部の触媒(以下前段
触媒と略記)の触媒活性物質の組成はV2051〜20
重量部、Ti0299〜80重量部、およびこれらの両
成分の合計に対して0.01〜1重量%のNb2Q、P
205を0.2〜0.4重量%、K20、Cs20、R
QOおよびm20のうち少くとも1成分を0.05〜1
.2重量%添加したものである。
反応ガス出口部の触媒(以下、後段触媒と略記)の触媒
活性物質はV2051〜2の重量部、Ti0299〜8
の重量部、およびこれら両成分に対して0.01〜1重
量%のNb2Q、0.5〜1.2重量%のP205、K
20、Cs20、Rb20およびT120のうち少くと
も1成分を0.05〜1.2重量%添加せしめてよりな
る。
活性物質はV2051〜2の重量部、Ti0299〜8
の重量部、およびこれら両成分に対して0.01〜1重
量%のNb2Q、0.5〜1.2重量%のP205、K
20、Cs20、Rb20およびT120のうち少くと
も1成分を0.05〜1.2重量%添加せしめてよりな
る。
Ti02源として粒子が多孔性でその粒子径が0.4〜
0.7ミクロン、比表面積が10〜60〆′夕、好まし
くは15〜40の′夕のアナターゼ型Ti02が用いら
れ、粒子径が0.4ミクロンに満たず、且つ15〜40
〆/夕の比表面積をもつアナターゼ型Ti02の使用は
前記のような理由から好ましくない。このように粒子径
が大きし、にも拘らず、その比表面積が大であるという
特異な物性を有するアナターゼ型Ti02は、例えばィ
ルメナィト原鉱石を70〜80%の濃硫酸と混合し、十
分反応を行なわしめたのち水で希釈して硫酸チタン水溶
液とし、これに鉄片を加え、原鉱石中の鉄を還元し冷却
して硫酸第一鉄を析出分離し、高純度な硫酸チタン水溶
液を得、さらに150〜170q0の加熱水蒸気を吹き
込み加熱加水分解して含水酸化チタンを沈殿させ、これ
を600〜900ooの温度にて焼成して、粒蓬が0.
4〜0.7ミクロンの範囲のものとしてえることができ
、しかも比表面積は10〜60〆′夕と比較的大きい。
0.7ミクロン、比表面積が10〜60〆′夕、好まし
くは15〜40の′夕のアナターゼ型Ti02が用いら
れ、粒子径が0.4ミクロンに満たず、且つ15〜40
〆/夕の比表面積をもつアナターゼ型Ti02の使用は
前記のような理由から好ましくない。このように粒子径
が大きし、にも拘らず、その比表面積が大であるという
特異な物性を有するアナターゼ型Ti02は、例えばィ
ルメナィト原鉱石を70〜80%の濃硫酸と混合し、十
分反応を行なわしめたのち水で希釈して硫酸チタン水溶
液とし、これに鉄片を加え、原鉱石中の鉄を還元し冷却
して硫酸第一鉄を析出分離し、高純度な硫酸チタン水溶
液を得、さらに150〜170q0の加熱水蒸気を吹き
込み加熱加水分解して含水酸化チタンを沈殿させ、これ
を600〜900ooの温度にて焼成して、粒蓬が0.
4〜0.7ミクロンの範囲のものとしてえることができ
、しかも比表面積は10〜60〆′夕と比較的大きい。
この表面積は非多孔性アナターゼ型Ti02の一次粒子
としては0.05〜0.20ミクロンの粒子範囲に相当
する。従って、本発明に使用されるTi02の粒子はそ
のような一次粒子の多孔性会合体であると考えられ、し
かも機械的強度が大きく、耐久性の大きい本発明触媒を
形成する。Ti02の原鉱石の関係上、鉄、亜鉛、アル
ミニウム、マンガン、クロム、アンチモン、カルシウム
、鉛等が混入する場合もあるが、Ti02に対して0.
5重量%以下であれば反応上支障はない。一方、V2Q
、Nb2Q、P205、K20、CS20、RQOおよ
びT120はそれらの酸化物に限らず、それらの金属の
硫酸塩、アンモニウム塩、硝酸塩、有機酸塩、ハロゲン
化物、水酸化物など加熱によって上記の如き酸化物に変
化する物質から適当に選ぶことができる。本発明触媒は
、触媒活性物質を公知担持方法により特定の担体、すな
わち、シリコンカーバィド(SIC)を主成分とする多
孔性担体、具体的には酸化アルミニウム(N203)が
1の重量%以下、好ましくは5重量%以下で、SIC含
量が5の重量%以上、好ましくは8の重量%以上よりな
り、且つ見掛け気孔率(以下、気孔率と略記)が10%
以上、好ましくは15〜45%である担体に担特せしめ
てよりなる。
としては0.05〜0.20ミクロンの粒子範囲に相当
する。従って、本発明に使用されるTi02の粒子はそ
のような一次粒子の多孔性会合体であると考えられ、し
かも機械的強度が大きく、耐久性の大きい本発明触媒を
形成する。Ti02の原鉱石の関係上、鉄、亜鉛、アル
ミニウム、マンガン、クロム、アンチモン、カルシウム
、鉛等が混入する場合もあるが、Ti02に対して0.
5重量%以下であれば反応上支障はない。一方、V2Q
、Nb2Q、P205、K20、CS20、RQOおよ
びT120はそれらの酸化物に限らず、それらの金属の
硫酸塩、アンモニウム塩、硝酸塩、有機酸塩、ハロゲン
化物、水酸化物など加熱によって上記の如き酸化物に変
化する物質から適当に選ぶことができる。本発明触媒は
、触媒活性物質を公知担持方法により特定の担体、すな
わち、シリコンカーバィド(SIC)を主成分とする多
孔性担体、具体的には酸化アルミニウム(N203)が
1の重量%以下、好ましくは5重量%以下で、SIC含
量が5の重量%以上、好ましくは8の重量%以上よりな
り、且つ見掛け気孔率(以下、気孔率と略記)が10%
以上、好ましくは15〜45%である担体に担特せしめ
てよりなる。
この代表的な担体として純度98%以上のSICの粉末
を自焼結し、気孔率を15〜40%に調整したものが挙
げられる。担体の形状はその大きさが2〜15側の径の
ものであればどのようなものでもよいが、球状または円
柱状のものが取扱上好適である。触媒活性物質の恒体に
対する担持率は使用する迄体の大きさによって異るが3
〜15タ触媒活性物質/100cc−担体が好適である
。
を自焼結し、気孔率を15〜40%に調整したものが挙
げられる。担体の形状はその大きさが2〜15側の径の
ものであればどのようなものでもよいが、球状または円
柱状のものが取扱上好適である。触媒活性物質の恒体に
対する担持率は使用する迄体の大きさによって異るが3
〜15タ触媒活性物質/100cc−担体が好適である
。
本発明方法で使用される触媒はかくして調製されるが、
その調製方法は従来公知方法とくに特公昭49−410
36号、持公昭49−41271号および特公昭52−
45斑号公報明細書記載の触媒の調製方法とくらべ、き
わめて工業的に有利である。
その調製方法は従来公知方法とくに特公昭49−410
36号、持公昭49−41271号および特公昭52−
45斑号公報明細書記載の触媒の調製方法とくらべ、き
わめて工業的に有利である。
すなわち、後述の実施例で示すように特別に規定された
特性を有する多孔性アナターゼTi02を用いることで
、各触媒活性成分含有化合物と共にスラリー液(濃度は
10〜4低重量%、とくに15〜25重量%)を作り、
そのまま担体上に容易に担持処理して調製される。
特性を有する多孔性アナターゼTi02を用いることで
、各触媒活性成分含有化合物と共にスラリー液(濃度は
10〜4低重量%、とくに15〜25重量%)を作り、
そのまま担体上に容易に担持処理して調製される。
しかもかくしてえられる触媒は、その坦持された触媒活
性層の10ミクロン以下の紬孔容積の50%以上、とく
に75%以上が0.15〜0.45ミクロンの細孔容積
からなるものであることが判明し、きわめて有効に触媒
活性を呈する特性をあわせ持つことも確認された。
性層の10ミクロン以下の紬孔容積の50%以上、とく
に75%以上が0.15〜0.45ミクロンの細孔容積
からなるものであることが判明し、きわめて有効に触媒
活性を呈する特性をあわせ持つことも確認された。
このようにしてえられた触媒は300〜600qo、好
ましくは350〜500qoの温度で空気流通下2〜1
斑時間焼成して反応に供せられる。
ましくは350〜500qoの温度で空気流通下2〜1
斑時間焼成して反応に供せられる。
上記の如くしてえられた触媒は内径15〜4仇舷、長さ
1〜5メートルの管に充填して用いられるが、その際前
段触媒は全触媒層高の反応ガス入口側より30〜70%
の層長を占めるように後段触媒は残部70〜30%の層
高を占めるように積層に充填される。
1〜5メートルの管に充填して用いられるが、その際前
段触媒は全触媒層高の反応ガス入口側より30〜70%
の層長を占めるように後段触媒は残部70〜30%の層
高を占めるように積層に充填される。
なお「積層触媒は前記の如き2段積層に限らず2段以上
の積層にすることができる。
の積層にすることができる。
この場合、前述の前段触媒と後段触媒のP205の添加
量関係内において触媒層のガス入口側から出口側にかけ
て触媒中のP205含有量を段階的に増加せしめる必要
がある。また、積層触媒において各段触媒のP205以
外の成分および組成割合は必ずしも各段とも同一である
必要はなく、前記の成分および組成割合の範囲内でそれ
ぞれ任意に変化させることが可能である。
量関係内において触媒層のガス入口側から出口側にかけ
て触媒中のP205含有量を段階的に増加せしめる必要
がある。また、積層触媒において各段触媒のP205以
外の成分および組成割合は必ずしも各段とも同一である
必要はなく、前記の成分および組成割合の範囲内でそれ
ぞれ任意に変化させることが可能である。
本発明触媒はナフタリン、ベンゼン、デュレン、アセナ
フテン等芳香族炭化水素を接触酸化してカルボン酸また
はカルボン酸無水物を製造する反応にも適用することが
可能であるが、最も好適にはオルトキシレンの接触気相
酸化による無水フタル酸の製造に使用される。
フテン等芳香族炭化水素を接触酸化してカルボン酸また
はカルボン酸無水物を製造する反応にも適用することが
可能であるが、最も好適にはオルトキシレンの接触気相
酸化による無水フタル酸の製造に使用される。
この場合、温度(熱媒体温度、以下、N.T.と略記)
300〜400oo、とくに330〜380qoで、酸
素5〜21容量%、水蒸気0〜1受容量%、炭酸ガス0
〜3容量%、一酸化炭素0〜3容量%、および窒素でバ
ランスさせてよりなる分子状酸素含有ガスにより、オル
トキシレン濃度を5〜100夕/N帆−分子状酸素含有
ガス(以下、G.C.と略記)に保ち、空間速度(以下
「S.V.と略記)1000〜6000hr‐1(NT
P)で常圧〜10気圧の圧力下オルトキシレンの酸化反
応が行なわれる。本発明触媒は、上記の如き条件の下で
反応を行なわしめることが可能であるため、本明細書前
半にのべた従釆の触媒では実用面で不可能であった最も
経済的な廃ガス循環式無水フタル酸製造プロセスの実用
化を可能ならしめた。
300〜400oo、とくに330〜380qoで、酸
素5〜21容量%、水蒸気0〜1受容量%、炭酸ガス0
〜3容量%、一酸化炭素0〜3容量%、および窒素でバ
ランスさせてよりなる分子状酸素含有ガスにより、オル
トキシレン濃度を5〜100夕/N帆−分子状酸素含有
ガス(以下、G.C.と略記)に保ち、空間速度(以下
「S.V.と略記)1000〜6000hr‐1(NT
P)で常圧〜10気圧の圧力下オルトキシレンの酸化反
応が行なわれる。本発明触媒は、上記の如き条件の下で
反応を行なわしめることが可能であるため、本明細書前
半にのべた従釆の触媒では実用面で不可能であった最も
経済的な廃ガス循環式無水フタル酸製造プロセスの実用
化を可能ならしめた。
この場合、前段触媒および後段触媒を積層に多管式熱交
型コンバータ一に充填され所定の温度に高め最初はGC
.40タ′NM3一分子状酸素含有ガス以下の濃度でオ
ルトキシレンを通じる。この時原料ガス側の温度は10
0〜120℃に保持させる。反応器を出たガスは多瞥式
熱交換器に通じ16000まで冷却し、その後フィン管
の充たされた無水フタル酸補集室に導き、無水フタル酸
を析出させる。瓶集器出口のガス温度はオルトキシレン
の濃度に応じて水蒸気の露点以上に保たれる。橘集器を
出たガスはそのま)除湿することなくその一部を原料側
に循環させ、空気と混合してオルトキシレンとともに再
び反応器に導く。次いでオルトキシレンの供給量を除々
に増加させ、より経済的には80〜90夕/NM3分子
状酸素含有ガスまで高め、この際廃ガスの循環量をコン
トロールして反応器入口部の酸素濃度が12容量%以下
にする。この程度のオルトキシレン濃度に保った場合、
反応器入口部のガス組成は酸素9〜12容量%、COO
.3〜1.解き量%、C021〜4容量%、水蒸気8〜
11容量%、N265〜75容量%、0−キシレン1.
7〜1.9容量%となる。一方、桶集室出口では反応器
での生成水も加わるため水蒸気濃度は15〜脇容量%と
なる為補集器出口のガス温度は水の霧点以上に保たれな
ければならない。原料ガス側に再循環されるフタラィド
、トルアルデヒド等中間生成物は無水フタル酸収率の向
上の面で有利であることはあっても触媒にとって不利な
ことにはならない。
型コンバータ一に充填され所定の温度に高め最初はGC
.40タ′NM3一分子状酸素含有ガス以下の濃度でオ
ルトキシレンを通じる。この時原料ガス側の温度は10
0〜120℃に保持させる。反応器を出たガスは多瞥式
熱交換器に通じ16000まで冷却し、その後フィン管
の充たされた無水フタル酸補集室に導き、無水フタル酸
を析出させる。瓶集器出口のガス温度はオルトキシレン
の濃度に応じて水蒸気の露点以上に保たれる。橘集器を
出たガスはそのま)除湿することなくその一部を原料側
に循環させ、空気と混合してオルトキシレンとともに再
び反応器に導く。次いでオルトキシレンの供給量を除々
に増加させ、より経済的には80〜90夕/NM3分子
状酸素含有ガスまで高め、この際廃ガスの循環量をコン
トロールして反応器入口部の酸素濃度が12容量%以下
にする。この程度のオルトキシレン濃度に保った場合、
反応器入口部のガス組成は酸素9〜12容量%、COO
.3〜1.解き量%、C021〜4容量%、水蒸気8〜
11容量%、N265〜75容量%、0−キシレン1.
7〜1.9容量%となる。一方、桶集室出口では反応器
での生成水も加わるため水蒸気濃度は15〜脇容量%と
なる為補集器出口のガス温度は水の霧点以上に保たれな
ければならない。原料ガス側に再循環されるフタラィド
、トルアルデヒド等中間生成物は無水フタル酸収率の向
上の面で有利であることはあっても触媒にとって不利な
ことにはならない。
再循環される過度酸化生成物である安息香酸はモノカル
ボン酸であるため触媒層で非常に分解され易く、好都合
にも無水フタル酸の緒集器に蓄積されるということが全
くない。廃ガスの循環されない分は触媒式接触燃焼器に
送り、完全燃焼後大気放出される。
ボン酸であるため触媒層で非常に分解され易く、好都合
にも無水フタル酸の緒集器に蓄積されるということが全
くない。廃ガスの循環されない分は触媒式接触燃焼器に
送り、完全燃焼後大気放出される。
なお、本発明方法における触媒は、上記以外の無水フタ
ル酸製造プロセス、例えば、廃ガス循環を行なわない通
常の酸化プロセス、廃ガスの全量を触媒式燃焼器に導入
し、且つ除湿した後の一部の廃ガスを原料ガス側に循環
せしめる酸化プロセス、あるいは、廃ガスの全量を無水
マレィン酸回収用洗族塔に送り、その廃ガスの一部を原
料ガス側に循環せしめる酸化プロセス等に適用できるこ
とはいうまでもない。
ル酸製造プロセス、例えば、廃ガス循環を行なわない通
常の酸化プロセス、廃ガスの全量を触媒式燃焼器に導入
し、且つ除湿した後の一部の廃ガスを原料ガス側に循環
せしめる酸化プロセス、あるいは、廃ガスの全量を無水
マレィン酸回収用洗族塔に送り、その廃ガスの一部を原
料ガス側に循環せしめる酸化プロセス等に適用できるこ
とはいうまでもない。
以下、実施例をあげて本発明方法について更に詳しく説
明する。
明する。
実施例 1
硫酸チタニルの硫酸水溶液に175℃の加熱水蒸気を吹
き込み、水酸化チタン〔TiQ・nH20〕の沈殿をえ
、二れを水洗、酸洗および二次水洗行なった後、800
qoの温度で4時間焼成した。
き込み、水酸化チタン〔TiQ・nH20〕の沈殿をえ
、二れを水洗、酸洗および二次水洗行なった後、800
qoの温度で4時間焼成した。
これをジェット気流粉砕して、平均粒子径0.5ミクロ
ンのBET表面積22〆/夕多孔性アナターゼ型Ti0
2をえた。脱イオン水70〆に修酸1.8k9を溶解さ
せ袴酸水溶液とし、そこへメタバナジン酸アンモニウム
0.86k9、塩化ニオブ0.136k9、リン酸二水
素アンモニウム0.067k9、水酸化カリウム0.0
1kgおよび硫酸セシウム0.0556k9を加え十分
婿拝した。
ンのBET表面積22〆/夕多孔性アナターゼ型Ti0
2をえた。脱イオン水70〆に修酸1.8k9を溶解さ
せ袴酸水溶液とし、そこへメタバナジン酸アンモニウム
0.86k9、塩化ニオブ0.136k9、リン酸二水
素アンモニウム0.067k9、水酸化カリウム0.0
1kgおよび硫酸セシウム0.0556k9を加え十分
婿拝した。
このようにして得られた水溶液に上記Ti0216k9
を加え約40分間乳化機を用いて十分乳化し触媒スラリ
ー液をつくった。外部より加熱できる直径2メートル、
長さ3メートルのステンレス製回転炉中に直径5の/仇
、気孔率37%のSIC目暁結担体150そを入れて2
00〜25000に子熱しておき、回転炉を回転させな
がら担体上に上記スラリーを噴霧して触媒活性物質が8
夕/100cc−担体の割合で恒特されるまで吹きつけ
た。
を加え約40分間乳化機を用いて十分乳化し触媒スラリ
ー液をつくった。外部より加熱できる直径2メートル、
長さ3メートルのステンレス製回転炉中に直径5の/仇
、気孔率37%のSIC目暁結担体150そを入れて2
00〜25000に子熱しておき、回転炉を回転させな
がら担体上に上記スラリーを噴霧して触媒活性物質が8
夕/100cc−担体の割合で恒特されるまで吹きつけ
た。
次いで空気を流通させながら550℃にて6時間焼成し
た。この触媒活性物質の組成割合は、 V205:Ti02:Nb2Q:P205:K20:C
s20:4:96:0.4:0.25:0.05:0.
26(重量比)であった。
た。この触媒活性物質の組成割合は、 V205:Ti02:Nb2Q:P205:K20:C
s20:4:96:0.4:0.25:0.05:0.
26(重量比)であった。
このように調製された触媒を水銀圧入式ポロシメーター
で紬孔分布を測定したところ0.15〜0.45ミクロ
ンの紐孔の占める紬孔容積が10ミクロン以下の全細孔
容積の88%であった(以下、これを「0.15〜0.
45ミクロンの紬孔容積が総%」のように略記する)。
これを前段触媒とする。次いで後段触媒は、触媒スラリ
ー液を調製する際にリン酸二水素アンモニウムの量を0
.1乳k9とした以外は全く前段触媒と同様に調製し、
触媒活性の組成割合が、V205:Ti02:Nb2Q
:P205:K20:Cs20=4:96:0.4:0
.5:0.05:0.26(重量比)のものをえた。
で紬孔分布を測定したところ0.15〜0.45ミクロ
ンの紐孔の占める紬孔容積が10ミクロン以下の全細孔
容積の88%であった(以下、これを「0.15〜0.
45ミクロンの紬孔容積が総%」のように略記する)。
これを前段触媒とする。次いで後段触媒は、触媒スラリ
ー液を調製する際にリン酸二水素アンモニウムの量を0
.1乳k9とした以外は全く前段触媒と同様に調製し、
触媒活性の組成割合が、V205:Ti02:Nb2Q
:P205:K20:Cs20=4:96:0.4:0
.5:0.05:0.26(重量比)のものをえた。
0.15〜0.45ミクロンの紬孔容積は86%であっ
た。
た。
予め、内面を除錆し、リン酸処理した内径20側、長さ
3メートルの鉄製の管250本よりなる多管式熱交換型
反応器に先ず後段触媒を1.25メートルの高さに充填
し、その上に1.25メートルの高さに前段触媒を積層
に充填した。
3メートルの鉄製の管250本よりなる多管式熱交換型
反応器に先ず後段触媒を1.25メートルの高さに充填
し、その上に1.25メートルの高さに前段触媒を積層
に充填した。
熱媒体として溶融塩を用い、これを反応器に循環させて
温度を370℃に保った。これに反応器上部より120
℃に予熱されたオルトキシレン−空気の混合ガスをS.
V.250皿r1で通じ、まず、オルトキシレンの濃度
を40夕/NM−空気に保つ。
温度を370℃に保った。これに反応器上部より120
℃に予熱されたオルトキシレン−空気の混合ガスをS.
V.250皿r1で通じ、まず、オルトキシレンの濃度
を40夕/NM−空気に保つ。
次いで廃ガス循環ブロアーを作動させ、反応器入口の原
料ガス中の酸素濃度が10%になった時点でオルトキシ
レンの供給量を除々に高め、最終的にオルトキシレンの
濃度が83夕/NM3一分子状酸素含有ガスになるよう
にした。この際、原料ガス側の酸素濃度が1鉾容量%を
保つように、オルトキシレンの供V給量の増加とともに
廃ガス循環量をコントロールした。反応器を出たガスは
熱交換器により16000まで冷却されスイッチ式結晶
瀬集室に導入し、無水フタル酸を晶出させた。
料ガス中の酸素濃度が10%になった時点でオルトキシ
レンの供給量を除々に高め、最終的にオルトキシレンの
濃度が83夕/NM3一分子状酸素含有ガスになるよう
にした。この際、原料ガス側の酸素濃度が1鉾容量%を
保つように、オルトキシレンの供V給量の増加とともに
廃ガス循環量をコントロールした。反応器を出たガスは
熱交換器により16000まで冷却されスイッチ式結晶
瀬集室に導入し、無水フタル酸を晶出させた。
廃ガスは結晶補集室出口の温度を770に保って捕集室
より出、さらに、120〜130qoに保温された導管
を通じてその58%を原料ガスへの循環用にもどし、空
気と混合した後、反応器に入れる。廃ガスの残部42%
は触媒式燃焼器に導き、完全燃焼後大気放出させた。こ
のような条件下で原料ガス側の水蒸気濃度は約9%に達
した。約1ケ年に亘る長期運転における反応成績は第1
表のとおりであった。第1表 N・T・ 3・V・ G.C. 無氷フタ′酸収率
△T,※ △.ぷジ、(℃) (hr‐1) (汐ノN
M3) (重量略) (℃) (℃)初 期
370 25U0 83 11
3.6 68 252ケ月後 370
2500 83 113.8
65 276ヶ月簾 372
2500 83 113.1
67 2412ヶ月後 375 250
0 83 112.7 64
29※ 前段触媒での△T※※ 後段触媒での△T 実施例 2 実施例1でえられた水酸化チタンを750℃で4時間焼
成し、実施例1と同様な手順で平均粒子径0.45ミク
ロン、BET表面積28〆/夕の多孔性アナターゼ型T
iQをえた。
より出、さらに、120〜130qoに保温された導管
を通じてその58%を原料ガスへの循環用にもどし、空
気と混合した後、反応器に入れる。廃ガスの残部42%
は触媒式燃焼器に導き、完全燃焼後大気放出させた。こ
のような条件下で原料ガス側の水蒸気濃度は約9%に達
した。約1ケ年に亘る長期運転における反応成績は第1
表のとおりであった。第1表 N・T・ 3・V・ G.C. 無氷フタ′酸収率
△T,※ △.ぷジ、(℃) (hr‐1) (汐ノN
M3) (重量略) (℃) (℃)初 期
370 25U0 83 11
3.6 68 252ケ月後 370
2500 83 113.8
65 276ヶ月簾 372
2500 83 113.1
67 2412ヶ月後 375 250
0 83 112.7 64
29※ 前段触媒での△T※※ 後段触媒での△T 実施例 2 実施例1でえられた水酸化チタンを750℃で4時間焼
成し、実施例1と同様な手順で平均粒子径0.45ミク
ロン、BET表面積28〆/夕の多孔性アナターゼ型T
iQをえた。
実施例1に順じて、担体として山203含量2重量%、
SIC含量92重量%、残部Si02よりなる気孔率4
2%の直径5肋の成型迫体を用い、次の組成の触媒を調
製した。前段触媒 V205:Ti02:Nb24:P
205:Rb20=15:85:0.5:0.35:0
.40(重量比)後段触媒 V205:Ti02:Nb
2Q:P205:T120=8:92:0.5:1.0
:0.8(重量比)なお、0.15〜0.45ミクロン
の細孔容積はそれぞれ83%および86%であった。
SIC含量92重量%、残部Si02よりなる気孔率4
2%の直径5肋の成型迫体を用い、次の組成の触媒を調
製した。前段触媒 V205:Ti02:Nb24:P
205:Rb20=15:85:0.5:0.35:0
.40(重量比)後段触媒 V205:Ti02:Nb
2Q:P205:T120=8:92:0.5:1.0
:0.8(重量比)なお、0.15〜0.45ミクロン
の細孔容積はそれぞれ83%および86%であった。
内径2物舷、長さ3メートルのステンレス製の管に前段
触媒を0.8メートル、後段触媒を1.7メートル積層
に充填し、酸素濃度1解き量%、水蒸気12容量%、お
よび窒素78%よりなる合成ガス中にオルトキシレンを
80夕/NM3一合成ガスの割合で混合し反応を行なわ
しめたところ第2表の結果をえた。
触媒を0.8メートル、後段触媒を1.7メートル積層
に充填し、酸素濃度1解き量%、水蒸気12容量%、お
よび窒素78%よりなる合成ガス中にオルトキシレンを
80夕/NM3一合成ガスの割合で混合し反応を行なわ
しめたところ第2表の結果をえた。
第2表
N.T. S.V. G.C. 照り吹フタ′で
酸収率 △T, △Tり(℃) (hr‐1>
(とノNM3) (車曇る) (℃) (℃)初
期 373 3000 80
112.8 71 213ケ月後
375 3000 80 112.5
68 246ヶ月後 378 3
000 80 112.4 7リ
20実施例 3実施例1でえられた水酸化チタン
を850qoで6時間焼成し、実施例1と同一手順で平
均粒子蓬0.6ミクロン、BET表面積17〆/夕の多
孔性アナターゼ型Ti02をえた。
酸収率 △T, △Tり(℃) (hr‐1>
(とノNM3) (車曇る) (℃) (℃)初
期 373 3000 80
112.8 71 213ケ月後
375 3000 80 112.5
68 246ヶ月後 378 3
000 80 112.4 7リ
20実施例 3実施例1でえられた水酸化チタン
を850qoで6時間焼成し、実施例1と同一手順で平
均粒子蓬0.6ミクロン、BET表面積17〆/夕の多
孔性アナターゼ型Ti02をえた。
担体として気孔率35%のSIC目暁結5肋球形品を用
いて、実施例1に順じて次の組成の触媒をえた。前段触
媒 V205:Ti02:NQ05:P2Q:Cs20
=2:98:0.4:0.20:0.3(重量比)後段
触媒 V205:Tj02:NQ05:P2Q:Cs2
0=坊2:98:0.4:0.6:0.3(重量比)な
お、0.15〜0.45ミクロンの細孔容積はそれぞれ
80%および84%であった。
いて、実施例1に順じて次の組成の触媒をえた。前段触
媒 V205:Ti02:NQ05:P2Q:Cs20
=2:98:0.4:0.20:0.3(重量比)後段
触媒 V205:Tj02:NQ05:P2Q:Cs2
0=坊2:98:0.4:0.6:0.3(重量比)な
お、0.15〜0.45ミクロンの細孔容積はそれぞれ
80%および84%であった。
内径2物奴、長さ5メートルのステンレスの管に前段触
媒を1.8メートル、後段触媒を1.2メートルの高さ
に充填し、酸素濃度11容量%、水蒸気1庇容量%、お
よび窒素7既容量%よりなる合成ガス中にオルトキシレ
ンを85夕/NM3−合成ガスの割合で混合し、反応を
行なわしめたところ第3表の結果をえた。
媒を1.8メートル、後段触媒を1.2メートルの高さ
に充填し、酸素濃度11容量%、水蒸気1庇容量%、お
よび窒素7既容量%よりなる合成ガス中にオルトキシレ
ンを85夕/NM3−合成ガスの割合で混合し、反応を
行なわしめたところ第3表の結果をえた。
弟3表
N.T. S.V. G.C. 無氷フタル
酸収率 △T, △T2(℃) (hr−1)(ム
メNM3) (重量多) (℃) (て‐1)
初 期 370 2700 85
113.3 78 323ヶ月後
370 2700 85 113.
4 75 366ヶ月後 372
2700 85 113.4 7
iミ 33実施例 4および5実施例1における
触媒を内径27肌、長さ3メートルのステンレス製の管
に前段1.5メートル、後段1.5メートルの高さに積
層に充填し、第4表に示す条件下それぞれ酸化剤として
空気を用い、オルトキシレンを酸化したところ、第4表
の結果をえた。
酸収率 △T, △T2(℃) (hr−1)(ム
メNM3) (重量多) (℃) (て‐1)
初 期 370 2700 85
113.3 78 323ヶ月後
370 2700 85 113.
4 75 366ヶ月後 372
2700 85 113.4 7
iミ 33実施例 4および5実施例1における
触媒を内径27肌、長さ3メートルのステンレス製の管
に前段1.5メートル、後段1.5メートルの高さに積
層に充填し、第4表に示す条件下それぞれ酸化剤として
空気を用い、オルトキシレンを酸化したところ、第4表
の結果をえた。
第4表
N.T. S.V. G.C. 無氷フタル姿収
率 △T, △T2(○ (hr‐1)(夕/N
M3)(重量努) (℃) (℃)鹿多沢菱旨旨台
刈肌 小 u腿 似 偽3000 40
116.4 44 184
6ケ丹後 36o 3000 40
116.5 44 19実 初 期
365 2700 60 114.1
68 28擬3ヶ月後 365 270
0 60 1138 旨宣 言旨5 6ヶ月後
365 2700 60 113.
6比較例 1袴公昭52−4538号公報明細書実施例
1に記載されている方法で硫酸チタニルアンモニウム(
N凡)2S04・TjOS04・日20をえた。
率 △T, △T2(○ (hr‐1)(夕/N
M3)(重量努) (℃) (℃)鹿多沢菱旨旨台
刈肌 小 u腿 似 偽3000 40
116.4 44 184
6ケ丹後 36o 3000 40
116.5 44 19実 初 期
365 2700 60 114.1
68 28擬3ヶ月後 365 270
0 60 1138 旨宣 言旨5 6ヶ月後
365 2700 60 113.
6比較例 1袴公昭52−4538号公報明細書実施例
1に記載されている方法で硫酸チタニルアンモニウム(
N凡)2S04・TjOS04・日20をえた。
これを850℃で3時間焼成し平均一次粒子径0.20
ミクロン、BET表面積20でノタの非多孔性アナター
ゼ型Ti02を調製した。これをTi02源とした以外
は実施例1と全く同じ組成になる触媒を調製し、内径2
0脚、長さ3メートルのステンレス製の管に前後段触媒
を各々1.25メートル充填し、酸素濃度1解容量%、
水蒸気1舷容量%、および窒素8畔容量%よりなる合成
ガスにオルトキシレンを83夕/NM3一合成ガスの割
合で混合し反応を行なわしめたところ第5表の結果をえ
た。第5表N.′r. S‐V. G.じ. 無
水フタ′唯俊収率 △T, △T2(℃) くh
r‐1)(夕/NM3) (竪量あ) (℃)
く℃)初 期 370 2500 も3
113.4 71 233ヶ月
後 383 2500 83 1
09.6 34 596ヶ月後 390
2500 83 104.5
25 66比較例 2、3持公昭52−45
38号公報明細書の実施例1および実施例4における触
媒を使用担体を直径5側、気孔率35%のSIC目暁結
晶とした以外は全く同じくして調製した。
ミクロン、BET表面積20でノタの非多孔性アナター
ゼ型Ti02を調製した。これをTi02源とした以外
は実施例1と全く同じ組成になる触媒を調製し、内径2
0脚、長さ3メートルのステンレス製の管に前後段触媒
を各々1.25メートル充填し、酸素濃度1解容量%、
水蒸気1舷容量%、および窒素8畔容量%よりなる合成
ガスにオルトキシレンを83夕/NM3一合成ガスの割
合で混合し反応を行なわしめたところ第5表の結果をえ
た。第5表N.′r. S‐V. G.じ. 無
水フタ′唯俊収率 △T, △T2(℃) くh
r‐1)(夕/NM3) (竪量あ) (℃)
く℃)初 期 370 2500 も3
113.4 71 233ヶ月
後 383 2500 83 1
09.6 34 596ヶ月後 390
2500 83 104.5
25 66比較例 2、3持公昭52−45
38号公報明細書の実施例1および実施例4における触
媒を使用担体を直径5側、気孔率35%のSIC目暁結
晶とした以外は全く同じくして調製した。
これらの触媒を内蓬2物岬、長さ3メートルのステンレ
ス製の管に前後段触媒を各々1.25メートル積層に充
填し、酸素10容量%、水蒸気1咳容量%および窒素8
破き最%よりなる合成ガスにオルトキシレンを83タ′
NM3合成ガスの割合で混合し反応を行なわしめたとこ
ろ第6表の結果をえた。第6表
ス製の管に前後段触媒を各々1.25メートル積層に充
填し、酸素10容量%、水蒸気1咳容量%および窒素8
破き最%よりなる合成ガスにオルトキシレンを83タ′
NM3合成ガスの割合で混合し反応を行なわしめたとこ
ろ第6表の結果をえた。第6表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 多管式固定床反応器に、全触媒層高のうち原料ガス
入口側より30〜70%の層高に酸化バナジウムをV_
2O_5として1〜20重量部およびその粒子径が実質
的に0.4〜0.7ミクロンの直径よりなる多孔性で、
比表面積が10〜60m^2/gのアナターゼ型酸化チ
タンをTiO_2として99〜80重量部、さらにこれ
ら両成分の合計に対して酸化ニオブをNb_2O_5と
して0.01〜1重量%、カリウム、セシウム、ルビジ
ウムおよびタリウムよりなる群から選ばれた少くとも1
成分を酸化物として0.05〜1.2重量%、さらにリ
ンをP_2O_5として0.2〜0.4重量%含有して
なる触媒物質をアルミナ(Al_2O_3)含量が10
重量%以下、シリコーンカーバイド(SiC)含量が8
0重量%以上であり、且つ見掛け気孔率が10%以上の
多孔性担体に担持させた触媒(前段触媒)を、また、全
触媒層高の残部70〜30%の層高(反応ガス出口側)
には前段触媒物質組成においてリンをP_2O_5とし
て0.4〜1.2重量%とした以外は全く同様にしてえ
られた触媒(後段触媒)を積層に充填し、これに酸素5
〜12容量%および水蒸気5〜15容量%を含みかつ4
0〜100g/NM^3−分子状酸素含有ガスの割合で
オルトキシレンを負荷せしめた原料ガスを300〜45
0℃の温度にて導通させ、オルトキシレンを接触酸化し
て無水フタル酸を製造する方法。 2 原料ガスが、多管式固定床応器を出た生成ガスを熱
交換器により冷却した後、スイツチ式無水フタル酸捕集
器に導き、生成ガス中の水の露点よりも高い温度にて無
水フタル酸を冷却捕集し、該捕集器を出た廃ガスの一部
を反応器に循環混合してえられたものであることを特徴
とする特許請求の範囲1記載の方法。 3 担体がシリコーンカーバイド(SiC)98%以上
、気孔率10%以上であることを特徴とする特許請求の
範囲1または2記載の方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53146459A JPS603307B2 (ja) | 1978-11-29 | 1978-11-29 | 無水フタル酸の製造方法 |
| GB7940884A GB2039457B (en) | 1978-11-29 | 1979-11-27 | Catalysts for the production of phthalic anhydride |
| SU792847109A SU1147244A3 (ru) | 1978-11-29 | 1979-11-28 | Катализатор дл окислени @ -ксилола или нафталина во фталевый ангидрид |
| NLAANVRAGE7908630,A NL186159C (nl) | 1978-11-29 | 1979-11-28 | Werkwijze voor het bereiden van ftaalzuuranhydride door katalytische oxidatie van o-xyleen of naftaleen. |
| BE0/198312A BE880291A (fr) | 1978-11-29 | 1979-11-28 | Procede de preparation d'anhydride phtalique |
| US06/097,982 US4284571A (en) | 1978-11-29 | 1979-11-28 | Process for producing phthalic anhydride and catalyst therefor |
| IT7927727A IT1209149B (it) | 1978-11-29 | 1979-11-29 | Procedimento per produrre anidride ftalica e relativo catalizzatore. |
| DE19792948163 DE2948163C3 (de) | 1978-11-29 | 1979-11-29 | Katalysator zur Herstellung von Phthalsäureanhydrid |
| FR7929391A FR2442843A1 (fr) | 1978-11-29 | 1979-11-29 | Procede de preparation de l'anhydride phtalique, et catalyseur mis en jeu dans ce procede |
| US06/527,198 US4481304A (en) | 1978-11-29 | 1983-08-29 | Catalyst for producing phthalic anhydride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53146459A JPS603307B2 (ja) | 1978-11-29 | 1978-11-29 | 無水フタル酸の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5573675A JPS5573675A (en) | 1980-06-03 |
| JPS603307B2 true JPS603307B2 (ja) | 1985-01-26 |
Family
ID=15408108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53146459A Expired JPS603307B2 (ja) | 1978-11-29 | 1978-11-29 | 無水フタル酸の製造方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4284571A (ja) |
| JP (1) | JPS603307B2 (ja) |
| BE (1) | BE880291A (ja) |
| DE (1) | DE2948163C3 (ja) |
| FR (1) | FR2442843A1 (ja) |
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