JP2002523232A - 芳香族炭化水素の気相酸化のための多層シェル型触媒 - Google Patents
芳香族炭化水素の気相酸化のための多層シェル型触媒Info
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Abstract
Description
V2O5として算出して酸化バナジウム1〜40質量%、TiO2として算出し
て酸化チタン60〜99質量%、Csとして算出してセシウム化合物1質量%ま
で、Pとして算出してリン化合物1質量%まで及びSb2O3として算出して酸
化アンチモン10質量%の全含量までの含有率を有する触媒活性物質を含有する
、芳香族炭化水素の接触気相酸化のためのシェル型触媒に関する。更に本発明は
これらの触媒の製法に、かつこれらの触媒を使用してのカルボン酸及び/又はカ
ルボン酸無水物及びことには無水フタル酸の製法に関する。
族炭化水素、例えばベンゼン、キシレン、ナフタリン、トルエン又はズロールの
接触気相酸化により固定床反応器、有利には管束反応器中で製造される。例えば
その場合、安息香酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、イソフタル酸、テレフタ
ル酸又は無水ピロメリト酸が取得される。このために通常は分子状の酸素を含有
するガス、例えば空気及び酸化すべき出発材料からなる混合物を反応器中に設置
された数多くの管に導通させるが、その際、これらの管中には少なくとも1種の
触媒の堆積物が存在する。温度調節のために管は熱担持媒体、例えば塩溶融物に
囲まれている。この熱調節にも関わらず、触媒堆積物中にはいわゆる「熱フレッ
ク」(Heisser Flekken; ホットスポット)が生じ、そこでは触媒堆積物のほか
の部分よりも高い温度が支配的である。この「ホットスポット」は副反応、例え
ば出発材料の全体的な燃焼のきっかけをもたらすか、又は反応生成物から分離で
きないか、又は分離に多くの経費がかかる不所望な副生成物の形成、例えばo−
キシレンからの無水フタル酸(PSA)の製造ではフタリド又は安息鉱酸の形成
をもたらす。更に、著しいホットスポットの形成は、反応の反応温度での、反応
器の迅速な効率的運転(Hochfahren)を阻害する。それというのも、一定のホッ
トスポット温度以上では触媒は不可逆的に損傷を受けて、負荷上昇は僅かずつし
か行うことができず、かつ非常に慎重な制御が必要であるためである。
媒堆積物中に設置することに移行していて、その際、通常は、より活性の低い触
媒は固定床中に、反応混合物が初めにそれに接触するように設置される、即ちこ
れは堆積物中でガス入口の所に存在し、これに対してより活性な触媒は触媒堆積
物からのガス出口近くに存在する。触媒堆積物中の異なる活性触媒を同じ温度で
反応ガスにさらすことができるが、異なる活性触媒からなる両方の層を、異なる
反応温度に温度調節して、反応ガスに接触させることもできる(DE−A401
3051)。
、その際、触媒活性な物質がシェル状に、一般に反応条件下に不活性な担体材料
、例えば石英(SiO2)、陶材、酸化マグネシウム、二酸化スズ、ケイ素カー
バイド、ルチル、アルミナ(Al2O3)、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネ
シウム(ステアタイト)、ケイ酸ジルコニウム又はケイ酸セリウム又はこれらの
担体材料の混合物上に施与されている。これらのシェル型触媒の触媒活性物質の
触媒活性成分として一般に、そのアナタース変性の形の二酸化チタンの他に五酸
化バナジウムが使用される。更に、触媒活性物質中には少量で数多くの他の酸化
物化合物も含有されていて、それらは助触媒として、例えばその活性を低く、又
は高めることにより触媒の活性及び選択性に影響を及ぼす。このような助触媒と
しては例えば、アルカリ金属酸化物、ことに酸化リチウム、酸化カリウム、酸化
ルビジウム及び酸化セシウム、酸化タリウム(I)、酸化アルミニウム、酸化ジ
ルコニウム、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化スズ、
酸化銀、酸化銅、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化イリジ
ウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ヒ素、酸化アンチモン、酸化セリウム及
び五酸化リンを挙げることができる。活性を低くし、かつ選択率を高くする助触
媒としては例えば、アルカリ金属酸化物が作用するが、これに対して、酸化物の
リン化合物、ことに五酸化リンは触媒の活性は高めるが、その選択性は低下させ
る。
A1769998の方法では、触媒全質量に対して所望の活性物質割合が達成さ
れるまで、水性及び/又は有機溶剤を含有する活性物質成分及び/又はその前駆
体の溶液又は懸濁液(以下では「マッシュ」と記載)を高温に加熱したコーティ
ングドラム中で担体材料上に噴霧施与する。DE2106796では被覆を、例
えばDE1280756中に記載されているような流動コーティング装置中で実
施することもできる。コーティングドラム中での噴霧施与の際に、並びに流動床
中での被覆の際に勿論、高い損失が生じる。それというのもかなりの量のマッシ
ュが霧状になるか、もしくは摩擦により一部の既に被覆された活性材料が再び剥
がれ落ち、かつ排ガスを介して取り出されるためである。触媒全体の活性物質割
合は一般に、目標値から僅かな偏差しか有してはならず、施与された活性物質の
量及びシェルの層厚が触媒の活性及び選択性に強い影響を及ぼすので、前記の製
法では往々にして触媒を、施与された活性材料の量を測定するために冷却して、
コーティングドラムもしくは流動床から取りだして、かつ計量しなければならな
い。触媒担体上に活性物質が堆積しすぎている場合、一般にシェルの固体を損傷
することなく、ことには触媒シェルに割れを生じさせることなく、施与されすぎ
た活性物質量を後から丁寧に除去することは不可能である。
酸ビニル/ラウリン酸ビニル、酢酸ビニル/アクリレート、スチレン/アクリレ
ート、酢酸ビニル/マレエート並びに酢酸ビニル/エチレンのコポリマーを有利
には水性分散液の形で添加することに移行したが、その際、マッシュの固体含有
率に対して10〜20質量%のバインダ量を使用した(EP−A744214)
。有機バインダを含有しないマッシュを担体に施与する場合には、150℃を上
回る温度が有利である。前記のバインダを添加する場合には、適用可能なコーテ
ィング温度は使用されるバインダに応じて50〜450℃である(DE2106
796)。施与されたバインダは反応器への触媒の充填及び反応器の運転開始の
後に短時間で焼却される。加えてバインダ添加物は、活性物質が良好に担体上に
付着して、触媒の輸送及び充填が簡略化されるという利点を有する。
はない。工業的方法で使用される高い負荷の反応ガスと出発化合物との完全な反
応に必要な触媒活性及び触媒選択性を達成するためには、触媒の活性物質シェル
全体の有効な使用及びそれと共にこのシェル内に位置する反応中心への反応ガス
の良好な疎通性が必要である。多くの中間段階を経てカルボン酸及び/又はカル
ボン酸無水物へと芳香族化合物が酸化し、かつ有価生成物が触媒により二酸化炭
素及び水へと更に酸化されうるので、出発化合物の高い変換率を達成するために
は有価生成物の酸化分解を同時に抑制しつつ、触媒シェル中に好適な活性物質構
造(例えばその多孔性及び空孔半径分布)を生じさせることにより活性物質中で
の反応ガスの滞留時間を最適に合わせることが必要である。
のガス組成に必ずしも相応しないことも考慮しなければならない。多くの場合、
触媒表面の所よりも一次酸化生成物の濃度は高く、これに対して出発化合物濃度
は低いと、予想される。この異なるガス組成に対しては、最適な触媒活性及び触
媒選択性を達成するために、活性物質シェル内部の活性物質組成を所定に調節す
ることにより配慮しなければならない。例えばDE2212964では既に、異
なる組成のマッシュを順次に噴霧する方法及びこうして得られた触媒を無水フタ
ル酸を製造するために使用することが記載されている。
つo−キシレンを酸化するためのその使用の際に不十分な無水フタル酸収率しか
達成されないという欠点を有する。
高めることを可能にする多層シェル型触媒を製造することである。
て、V2O5として算出して酸化バナジウム1〜40質量%、TiO2として算
出して酸化チタン60〜99質量%、Csとして算出してセシウム化合物1質量
%まで、Pとして算出してリン化合物1質量%まで及びSb2O3として算出し
て酸化アンチモン10質量%の全含量までの含有率を有する触媒活性物質を含有
する、芳香族炭化水素の接触気相酸化のためのシェル型触媒において、触媒活性
物質が2つ以上の層で施与されていて、その際、1つ以上の内側層が1〜15質
量%の酸化アンチモン含有率を、かつ外側層がこれに対して50〜100%少な
い酸化アンチモン含有率を有し、かつ1つ以上の内側層の触媒活性物質の量が触
媒活性物質の全量の10〜90質量%であるものにより解決された。
はカルボン酸無水物及びことには無水フタル酸の製法を発見した。
は0.05〜0.1mmであり、かつ外側層の層厚は0.02〜0.2mm、有
利には0.05〜0.1mmである。
の際、内側層は、酸化バナジウムを有利には2〜10質量%、かつことには5〜
10質量%及び酸化アンチモンを有利には2〜7質量%、ことには2.5〜5質
量%、かつ外側層は酸化バナジウムを有利には1〜5、ことには2〜4質量%及
び酸化アンチモンを0〜2質量%、ことには0〜1質量%含有する。
に自体公知のほかの成分、例えばBET表面積5〜50m2/g、有利には13
〜28m2/gを有するアナタース形の二酸化チタンを含有する。
グネシウム、二酸化スズ、ケイ素カーバイド、ルチル、アルミナ(Al2O3)
、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム(ステアタイト)、ケイ酸ジルコニ
ウム又はケイ酸セリウム又はこれらの担体材料の混合物からなる。有利には直径
3〜6mmの球形の形の、又は外径5〜9mm及び長さ4〜7mmのリング形の
形のステアタイトを使用する。
物質中には少量、例えばその活性を低下させるか、又は高めることにより触媒の
活性及び選択性に助触媒として影響を及ぼす他の酸化物化合物多数が含有されて
いてよい。このような助触媒として例えば、アルカリ金属酸化物、ことに前記の
酸化セシウムの他に酸化リチウム、酸化カリウム、酸化ルビジウム及び酸化セシ
ウム、酸化タリウム(I)、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化鉄、酸
化ニッケル、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化スズ、酸化銀、酸化銅、酸化ク
ロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化イリジウム、酸化タンタル、酸
化ニオブ、酸化ヒ素、酸化アンチモン、酸化セリウムを挙げることができる。し
かし通常は、これらの群からセシウムを助触媒として使用する。更に、前記の助
触媒のうちなお有利には、添加物として、触媒活性物質に対して0.01〜0.
50質量%の量のニオブ、タングステン及び鉛の酸化物がこれに該当する。活性
は高めるが、選択性は低くする添加物として殊に、酸化物のリン化合物、殊に五
酸化リンが該当する。
、又はリンを含有しない。
公知の方法で、例えば次により行うことができる: (a)コーティングドラム中で溶液又は懸濁液を噴霧施与する、 (b)流動床中で溶液又は懸濁液で被覆する、又は (c)担体の粉末被覆。
しなければならないという条件付で、順次の噴霧を一般にDE2212964及
びEP21325の記載と同様に行う。施与すべき活性成分が少なくとも部分的
に不溶性金属化合物として存在する場合、施与すべき粉末を加熱予備処理するか
、もしくは他の方法、例えば添加物により実際に不溶性にすることが有利である
。
の方法を順次の被覆のために複数の工程で適用することもできる。このために、
場合により助剤を添加して触媒活性金属酸化物の溶液及び/又は懸濁液から先ず
粉末を製造し、これを順次場合により中間的に接続される熱処理を伴い、シェル
型に担体上に施与する。
る。
シレン、トルエン、ナフタリン又はズロール(1,2,4,5−テトラメチルベ
ンゼン)をカルボン酸及び/又はカルボン酸無水物、例えば無水マレイン酸、無
水フタル酸、安息香酸及び/又はピロメリト酸二無水物に気相酸化するために好
適である。
上昇させることができる。
反応温度に外部から熱安定化される反応管中に充填し、かつこうして用意された
触媒堆積物上に一般に300〜450℃、有利には320〜420℃及び特に有
利には340〜400℃の温度及び一般に0.1〜2.5、有利に0.3〜1.
5バールの加圧で、一般に750〜5000h-1の空間速度で反応ガスを供給
する。
は希釈剤、例えば蒸気、二酸化炭素及び/又は窒素を含有してよい分子状の酸素
を含有するガスと酸化すべき芳香族炭化水素とを混合することにより製造し、そ
の際、分子状の酸素を含有するガスは一般に、酸素1〜100、有利には2〜5
0及び特に有利には10〜30モル%、水蒸気0〜30、有利には0〜10モル
%並びに二酸化炭素0〜50、有利には0〜1モル%、残りの窒素を含有するこ
とができる。反応ガスを製造するために、分子状の酸素を含有するガスを通常、
酸化すべき芳香族炭化水素のガス1Nm3当たり30〜150gで供給する。
帯域を異なる反応温度に熱安定化させるように気相酸化を実施し、そのために例
えば、DE−A2201528又はDE−A2830765中に記載されている
ような別々の塩浴を有する反応器を使用することができる。DE−A40130
51中に記載されているように反応を2つの反応帯域中で実施する場合には一般
に、触媒容量全体の30〜80モル%を一般に含有する反応ガスのガス入口の所
に位置する反応帯域を、ガス出口のところに位置する反応帯域よりも1〜20℃
、有利には1〜10℃、かつことには2〜8℃高い反応温度に熱安定化にする。
もしくは、気相酸化を温度帯域に分割することなく、唯一の反応温度で実施する
こともできる。温度構造に関わらず、触媒堆積物の前記の反応帯域中で、その活
性物質の触媒活性及び/又は化学組成において異なる触媒を使用するのが特に有
利であると判明している。有利には2つの反応帯域を使用する場合、第1の、即
ち反応ガスのガス入り口の所の反応帯域には、第2の、即ちガス出口の所に位置
する反応帯域に存在する触媒に比べてやや低い触媒活性を有する触媒を使用する
。一般に、第1の帯域で反応ガスに含有される芳香族炭化水素の大部分が最大収
率で反応するように、温度調節により反応を制御する。
明の触媒を用いて実施する場合、全ての反応帯域で新規のシェル型触媒を使用す
ることができる。しかし一般に、触媒堆積物の反応帯域の一つのみ、例えば第1
の反応帯域のみで本発明のシェル型触媒を使用し、かつ他の反応帯域、例えば第
2又は最後の反応帯域では従来の方法で製造されたシェル型触媒を使用しても、
従来の方法に比べてかなりの利点を達成することができる。
質量%、Na0.01質量%、K0.01質量%、Zr0.004質量%、Pb
0.004質量%を含有した。
ル13.6g(=V2O5 7.98g)、硫酸セシウム1.37g(=Cs1
.01g)、水940g及びホルムアミド122gからなる懸濁液から、噴霧乾
燥機中でガス入口温度280℃及び乾燥ガス(空気)のガス出口温度120℃で
、粉末の90質量%に関して粒度3〜60μmを有する粉末270gを製造した
。粉末のか焼の後に(400℃で1時間)、か焼された粉末90gをメラミン1
0gと混合した。外径8mm、長さ6mm及び壁厚1.5mmを有するステアタ
イト(ケイ酸マグネシウム)リング700gをコーティングドラム中、20℃で
20分間、メラミン添加された粉末93gで、水30質量%/グリセリン70質
量%混合物56gの添加下に被覆した。引き続き、こうして被覆された触媒担体
を25℃で乾燥させた。こうして施与された触媒活性物質の質量は400℃での
1/2時間の熱処理の後に、調製された触媒の全質量に対して10.7質量%で
あった。施与された触媒活性物質、即ち触媒シェルはセシウム(Csとして算出
して)0.40質量%、バナジウム(V2O5として算出して)3.0質量%及
び二酸化チタン96.6質量%からなった。
ス400.0g、シュウ酸バナジル57.6g(=V2O533.8g)、硫酸
セシウム2.75g(=Cs2.02g)、三酸化アンチモン14.4g、リン
酸二水素アンモニウム(=P0.67g)2.5g、水1500g及びホルムア
ミド196gからなる懸濁液を使用した。施与された触媒活性物質はリン(Pと
して算出して)0.15質量%、バナジウム(V2O5として算出して)7.5
質量%、アンチモン(Sb2O3として算出して)3.2質量%、セシウム(C
sとして算出して)0.45質量%及び二酸化チタン89.05質量%からなっ
た。
を、続いて2に記載の粉末47gを施与した。
グネシウム)リング700gをコーティングドラム中で160℃に加熱し、かつ
これに、BET表面積20m2/gを有するアナタース400.0g、シュウ酸
バナジル57.6g(=V2O533.8g)、三酸化アンチモン14.4g、
リン酸二水素アンモニウム2.5g(=P0.67g)、硫酸セシウム2.44
g(=Cs1.79g)、水618g及びホルムアミド128gからなる懸濁液
を、施与された層の質量が調製された触媒の全質量の10.5%になるまで噴霧
した。こうして施与された触媒活性物質、即ち触媒シェルは平均して、リン(p
として算出して)0.15質量%、バナジウム(V2O5として算出して)7.
5質量%、アンチモン(Sb2O3として算出して)3.2質量%、セシウム(
Csとして算出して)0.4質量%及び二酸化チタン89.05質量%からなっ
た。
続いて例1に記載の粉末47gを施与した。
7.6gの代わりに61.5gを含有した。
4.4gの代わりに20.02g含有した。
.4gの代わりに9.0g含有した。
グネシウム)リング700gをコーティングドラム中で160℃に加熱し、かつ
これに、BET表面積20m2/gを有するアナタース400.0g、シュウ酸
バナジル57.6g(=V2O533.8g)、三酸化アンチモン14.4g、
リン酸二水素アンモニウム2.5g(=P0.67g)、硫酸セシウム2.44
g(=Cs1.79g)、水618g及びホルムアルデヒド128gからなる懸
濁液を、施与された層の質量が調製された触媒の全質量の5.3%になるまで噴
霧した。引き続き、この予備被覆されたリングに、BET表面積20m2/gを
有するアナタース400.0g、シュウ酸バナジル30.7g、硫酸セシウム2
.45g、水618g及びホルムアルデヒド128gからなる懸濁液を、施与さ
れた層の質量が調製された触媒の全質量の10.6%になるまで噴霧した。
グネシウム)リング700gをコーティングドラム中で160℃に加熱し、これ
に、BET表面積20m2/gを有するアナタース400.0g、シュウ酸バナ
ジル57.6g、三酸化アンチモン14.4g、リン酸二水素アンモニウム2.
5g、硫酸セシウム0.61g、水618g及びホルムアミド128gからなる
懸濁液を、施与された層の質量が調製された全質量の10.5%になるまで噴霧
した。こうして施与された触媒活性物質、即ち触媒シェルはリン(Pとして算出
して)0.15質量%、バナジウム(V2O5として算出して)7.5質量%、
アンチモン(Sb2O3として算出して)3.2質量%、セシウム(Csとして
算出して)0.1質量%及び二酸化チタン89.05質量%からなった。
ぞれ1.60mを内径幅25.2mmを有する長さ3.85mの鉄管に充填した
。鉄管は温度調節のために塩溶融物に囲まれていた。この管に上から下に毎時、
98.5質量%o−キシレン0〜約85g/空気Nm3の負荷を伴う4.0Nm 3 −空気を導通させた。この際、負荷75〜85gの場合では、次の表にまとめ
た結果が得られた(収率は、100%o−キシレンに対して得られたPSAを質
量%で示している)。
Claims (12)
- 【請求項1】 不活性な非多孔性担体上に、それぞれ触媒活性物質の全量に
対して、V2O5として算出して酸化バナジウム1〜40質量%、TiO2とし
て算出して酸化チタン60〜99質量%、Csとして算出してセシウム化合物1
質量%まで、Pとして算出してリン化合物1質量%まで及びSb2O3として算
出して酸化アンチモン10質量%の全含量までの含有率を有する触媒活性物質を
含有する、芳香族炭化水素の接触気相酸化のためのシェル型触媒において、触媒
活性物質が2つ以上の層で施与されていて、その際、1つ以上の内側層が1〜1
5質量%の酸化アンチモン含有率を、かつ外側層がこれに対して50〜100%
少ない酸化アンチモン含有率を有し、かつ1つ以上の内側層の触媒活性物質の量
が触媒活性物質の全量の10〜90質量%であることを特徴とする、芳香族炭化
水素の接触気相酸化のためのシェル型触媒。 - 【請求項2】 内側層又は内側層の合計の触媒活性物質が触媒の触媒活性物
質全体の30〜70質量%に相当する、請求項1に記載のシェル型触媒。 - 【請求項3】 内側層の層厚又は内側層の層厚合計が0.02〜0.2mm
であり、かつ外側層の層厚が0.02〜0.2mmである、請求項1に記載のシ
ェル型触媒。 - 【請求項4】 触媒が触媒活性物質からなる2つの同心層を有し、その際、
内側層が酸化アンチモン2〜7質量%を、かつ外側層が酸化アンチモン0〜2質
量%を含有する、請求項1に記載のシェル型触媒。 - 【請求項5】 触媒が触媒活性物質からなる2つの同心層を有し、その際、
内側層が酸化バナジウム5〜10質量%を、かつ外側層が酸化バナジウム1〜5
質量%を含有する、請求項1に記載のシェル型触媒。 - 【請求項6】 不活性な非多孔性担体の材料がステアタイトである、請求項
1に記載のシェル型触媒。 - 【請求項7】 酸化チタンがその中で、BET表面積13〜28m2/gを
有するアナタース型の二酸化チタンとして存在している、請求項1に記載のシェ
ル型触媒。 - 【請求項8】 ステアタイトからなる不活性な非多孔性担体上に、シェル型
に触媒活性物質からなる2つの同心層が施与されていて、その際、BET表面積
13〜28m2/gを有するアナタース型の二酸化チタンの他に、内側層がV2 O5として算出して酸化バナジウム5〜10質量%の含有率及びSb2O3とし
て算出して酸化アンチモン2〜7質量%の含有率を有し、かつ外側層がV2O5 として算出して酸化バナジウム1〜5質量%の含有率及びSb2O3として算出
して酸化アンチモン0〜2質量%の含有率を有する、請求項1に記載のシェル型
触媒。 - 【請求項9】 請求項1に記載のシェル型触媒の製法において、不活性な非
多孔性担体上に順次、触媒活性物質の2つ以上の層を噴霧により施与することを
特徴とする、請求項1に記載のシェル型触媒の製法。 - 【請求項10】 バインダーを含有する粉末状の触媒活性物質で被覆するこ
とにより、不活性な非多孔性担体上に順次、触媒活性物質の2つ以上の層を施与
することを特徴とする、請求項1に記載のシェル型触媒の製法。 - 【請求項11】 芳香族炭化水素の部分酸化によりカルボン酸及び/又はカ
ルボン酸無水物を製造するための、請求項1に記載の触媒の使用。 - 【請求項12】 分子状の酸素を含有するガスを用いてo−キシレン及び/
又はナフタリンを部分酸化することにより無水フタル酸を製造する方法において
、請求項1から8までのいずれか1項に記載の触媒を使用することを特徴とする
、無水フタル酸の製法。
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