JPH09286104A - インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の上電極と圧電体薄膜は、インク圧力室
上の上電極の共通電極表面に対向した投影面積が圧電体
薄膜上面の略平面の面積と同一でないため、圧電体薄膜
の特性を充分引き出せない。 【解決手段】 インク圧力室上の上電極の共通電極表面
に対向した投影面積が圧電体薄膜上面の略平面の面積と
同一になるように加工すること、つまり上電極と圧電体
薄膜を一括でエッチングする。
上の上電極の共通電極表面に対向した投影面積が圧電体
薄膜上面の略平面の面積と同一でないため、圧電体薄膜
の特性を充分引き出せない。 【解決手段】 インク圧力室上の上電極の共通電極表面
に対向した投影面積が圧電体薄膜上面の略平面の面積と
同一になるように加工すること、つまり上電極と圧電体
薄膜を一括でエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインク吐出の駆動源
に圧電体薄膜を用いたインクジェット式記録ヘッド、及
びその製造方法に関する。さらに、本発明はその記録ヘ
ッドを用いたインクジェット式記録装置に関する。
に圧電体薄膜を用いたインクジェット式記録ヘッド、及
びその製造方法に関する。さらに、本発明はその記録ヘ
ッドを用いたインクジェット式記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液体あるいはインク吐出の駆動源である
電気−機械変換素子として圧電体素子であるＰＺＴから
なるＰＺＴ素子を使用した圧電型インクジェット式記録
ヘッドがある。このものの従来技術として、例えば、特
開平５−２８６１３１号公報にて提案されたものが存在
する。
電気−機械変換素子として圧電体素子であるＰＺＴから
なるＰＺＴ素子を使用した圧電型インクジェット式記録
ヘッドがある。このものの従来技術として、例えば、特
開平５−２８６１３１号公報にて提案されたものが存在
する。
【０００３】この従来技術を、図１０を参照して説明す
る。この記録ヘッドは、ヘッド基台１に個別インク路
（インク圧力室）９を有し、この個別インク路９を覆う
ように振動板８を有している。振動板８に被着形成する
ように共通電極４が形成され、各個別インク路９上に及
ぶようにＰＺＴ素子４が配置され、このＰＺＴ素子の片
面に個別電極（上電極）５が配置されている。
る。この記録ヘッドは、ヘッド基台１に個別インク路
（インク圧力室）９を有し、この個別インク路９を覆う
ように振動板８を有している。振動板８に被着形成する
ように共通電極４が形成され、各個別インク路９上に及
ぶようにＰＺＴ素子４が配置され、このＰＺＴ素子の片
面に個別電極（上電極）５が配置されている。
【０００４】このプリンタヘッドでは、ＰＺＴ素子に電
界を加えてＰＺＴ素子を変位させることにより、個別イ
ンク路内のインクを個別インク路のノズルから押し出し
すようにしている。
界を加えてＰＺＴ素子を変位させることにより、個別イ
ンク路内のインクを個別インク路のノズルから押し出し
すようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者が従来のイン
クジェット記録ヘッドについて鋭意検討し、本発明に到
るまでの経緯について説明する。
クジェット記録ヘッドについて鋭意検討し、本発明に到
るまでの経緯について説明する。
【０００６】既述した従来のインクジェット記録ヘッド
では、ＰＺＴ素子と上電極との間にパターンのずれが生
じ、たとえ、両者を同一のパターンでパターニングした
としてもそのパターンずれに依って上電極と共通電極間
のリークに到るおそれがある。
では、ＰＺＴ素子と上電極との間にパターンのずれが生
じ、たとえ、両者を同一のパターンでパターニングした
としてもそのパターンずれに依って上電極と共通電極間
のリークに到るおそれがある。
【０００７】そこで、勢いこの問題を避けようとする
と、上電極のパターンをＰＺＴ素子のパターンより小さ
くする必要が出てくる。すなわち、図１０のものを図１
１のようにする。このような形状にすると、上電極５側
の電界が上電極の無い圧電体部分には印加されなくなっ
てインク吐出のための効率が悪化するおそれがある。
と、上電極のパターンをＰＺＴ素子のパターンより小さ
くする必要が出てくる。すなわち、図１０のものを図１
１のようにする。このような形状にすると、上電極５側
の電界が上電極の無い圧電体部分には印加されなくなっ
てインク吐出のための効率が悪化するおそれがある。
【０００８】すなわち、電界が印加されず変形しない、
圧電体の部分が変形する部分を拘束して圧電体全体の変
位を小さくしてしまう。また、上電極が圧電体膜の幅方
向中央に位置しない、すなわち、図示左右の圧電体膜の
変形しない部分の幅が異なると、圧電体膜の変形が歪に
なり吐出特性および安定性が低下することになる。
圧電体の部分が変形する部分を拘束して圧電体全体の変
位を小さくしてしまう。また、上電極が圧電体膜の幅方
向中央に位置しない、すなわち、図示左右の圧電体膜の
変形しない部分の幅が異なると、圧電体膜の変形が歪に
なり吐出特性および安定性が低下することになる。
【０００９】そこで、本発明者は、この課題を解決する
ために、前記圧電体を薄膜として形成し、かつ、圧電体
薄膜と個別電極とを、例えばフォトリソグラフィ法を用
いて同時にエッチングすることにより、前記圧電体薄膜
と電極とが同一形状にパターニングされているインクジ
ェット記録ヘッドを新規に得るに到った。
ために、前記圧電体を薄膜として形成し、かつ、圧電体
薄膜と個別電極とを、例えばフォトリソグラフィ法を用
いて同時にエッチングすることにより、前記圧電体薄膜
と電極とが同一形状にパターニングされているインクジ
ェット記録ヘッドを新規に得るに到った。
【００１０】一方、薄いＰＺＴ素子を圧電体薄膜につい
て、バルクの圧電体を用いたインクジェットヘッドと同
等以上のインクを吐出させるためには、バルクＰＺＴ以
上の極めて大きな圧電定数を有するＰＺＴ薄膜を形成し
て振動板を変形させることが望ましい。
て、バルクの圧電体を用いたインクジェットヘッドと同
等以上のインクを吐出させるためには、バルクＰＺＴ以
上の極めて大きな圧電定数を有するＰＺＴ薄膜を形成し
て振動板を変形させることが望ましい。
【００１１】一般にＰＺＴ薄膜の圧電定数はバルクに比
べ２分の１から３分の１しかなく、ＰＺＴ素子が異なる
だけで、他の設計数値が同じ場合、ＰＺＴ薄膜でバルク
ＰＺＴ以上のインクを吐出させるのは困難である。
べ２分の１から３分の１しかなく、ＰＺＴ素子が異なる
だけで、他の設計数値が同じ場合、ＰＺＴ薄膜でバルク
ＰＺＴ以上のインクを吐出させるのは困難である。
【００１２】圧電定数が小さいＰＺＴ薄膜の利用を可能
とするために、ＰＺＴ薄膜の形成領域の面積を増やす方
法がある。この方法によると、印刷に必要な量のインク
を吐出できるが、ＰＺＴ薄膜の面積が増加すると、高密
度でインクジェットプリンタヘッドが形成できず、高精
細な印字品質が確保できない。
とするために、ＰＺＴ薄膜の形成領域の面積を増やす方
法がある。この方法によると、印刷に必要な量のインク
を吐出できるが、ＰＺＴ薄膜の面積が増加すると、高密
度でインクジェットプリンタヘッドが形成できず、高精
細な印字品質が確保できない。
【００１３】そこで、本発明の目的は、圧電体薄膜と電
極とのパターンずれが無く、圧電体薄膜に有効に電界が
印加でき、安定的に充分な吐出特性を得ることができる
インクジェット記録ヘッドを提供することにある。
極とのパターンずれが無く、圧電体薄膜に有効に電界が
印加でき、安定的に充分な吐出特性を得ることができる
インクジェット記録ヘッドを提供することにある。
【００１４】本願発明の他の目的は、小さな振動板面積
で、十分なインク吐出量を確保しながら、高精細、高精
度なインクジェット記録ヘッドを提供することにある。
で、十分なインク吐出量を確保しながら、高精細、高精
度なインクジェット記録ヘッドを提供することにある。
【００１５】さらに他の目的は、この記録ヘッドを製造
する方法を提供することにある。さらに他の目的は、こ
れらの記録ヘッドを備えたインクジェット記録装置、及
びインクジェットプリンタシステムを提供することにあ
る。
する方法を提供することにある。さらに他の目的は、こ
れらの記録ヘッドを備えたインクジェット記録装置、及
びインクジェットプリンタシステムを提供することにあ
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係わるインクジェット記録式ヘッドは、イ
ンクを噴射するノズルと、このノズルにインクを供給す
るためのインク溜まり溝と、このインク溜まり溝内のイ
ンクを加圧する振動板と、この振動板に対する加圧源と
なる圧電体薄膜と、この圧電体薄膜に対する電極と、を
備え、前記圧電体薄膜と電極が同一形状にパターニング
されていることを特徴とする。本発明によれば、圧電体
薄膜と電極とが同一工程によってパターニングされてい
るために、両者にパターンずれがなく、圧電体薄膜に有
効に電界が印加でき、安定的に充分な吐出特性を得るこ
とができる。
に、本発明に係わるインクジェット記録式ヘッドは、イ
ンクを噴射するノズルと、このノズルにインクを供給す
るためのインク溜まり溝と、このインク溜まり溝内のイ
ンクを加圧する振動板と、この振動板に対する加圧源と
なる圧電体薄膜と、この圧電体薄膜に対する電極と、を
備え、前記圧電体薄膜と電極が同一形状にパターニング
されていることを特徴とする。本発明によれば、圧電体
薄膜と電極とが同一工程によってパターニングされてい
るために、両者にパターンずれがなく、圧電体薄膜に有
効に電界が印加でき、安定的に充分な吐出特性を得るこ
とができる。
【００１７】前記圧電体薄膜と電極とを同一形状にパタ
ーニングすることは、両者を同時にエッチングすること
によって好適に達成される。
ーニングすることは、両者を同時にエッチングすること
によって好適に達成される。
【００１８】好ましい実施の形態では、圧電体薄膜は、
ゾルゲル法またはスパッタ法で成膜された０．３〜５μ
ｍの薄膜である。
ゾルゲル法またはスパッタ法で成膜された０．３〜５μ
ｍの薄膜である。
【００１９】さらに、本発明は、前記圧電体薄膜が、前
記振動板を介して前記インク溜まり溝上で、この溝外に
及ぶことなく形成されており、前記圧電体薄膜に被着さ
れていない領域の振動板の厚みが、前記圧電体薄膜に被
着されている領域の振動板の厚みより薄いことを特徴と
する。したがって、前記圧電体薄膜に被着されていない
領域の振動板が撓み易くなるために、圧電体薄膜の面積
を大きくすることなく、小さな振動板面積で、十分なイ
ンク吐出量を確保しながら、高精細、高精度なインクジ
ェット記録ヘッドを提供することができる。
記振動板を介して前記インク溜まり溝上で、この溝外に
及ぶことなく形成されており、前記圧電体薄膜に被着さ
れていない領域の振動板の厚みが、前記圧電体薄膜に被
着されている領域の振動板の厚みより薄いことを特徴と
する。したがって、前記圧電体薄膜に被着されていない
領域の振動板が撓み易くなるために、圧電体薄膜の面積
を大きくすることなく、小さな振動板面積で、十分なイ
ンク吐出量を確保しながら、高精細、高精度なインクジ
ェット記録ヘッドを提供することができる。
【００２０】本発明の好ましい形態によれば、前記電極
が複数の圧電体薄膜のパターンに対する共通電極と個別
の圧電体薄膜に対する個別電極からなり、前記振動板が
この共通電極と絶縁膜とからなり、この共通電極の前記
圧電体薄膜に被着されていない部分の厚みが、前記圧電
体薄膜に被着されている部分の厚みより小さいことを特
徴とする。他の好ましい形態によれば、前記電極が複数
の圧電体薄膜のパターンに対する共通電極と個別の圧電
体薄膜に対する個別電極からなり、前記振動板がこの共
通電極から構成されている。
が複数の圧電体薄膜のパターンに対する共通電極と個別
の圧電体薄膜に対する個別電極からなり、前記振動板が
この共通電極と絶縁膜とからなり、この共通電極の前記
圧電体薄膜に被着されていない部分の厚みが、前記圧電
体薄膜に被着されている部分の厚みより小さいことを特
徴とする。他の好ましい形態によれば、前記電極が複数
の圧電体薄膜のパターンに対する共通電極と個別の圧電
体薄膜に対する個別電極からなり、前記振動板がこの共
通電極から構成されている。
【００２１】また、さらに他の形態によれば、前記電極
が個々の圧電体薄膜のパターンに対する下電極と上電極
からなり、前記振動板がこの下電極と前記インク溜まり
溝に臨む絶縁膜からなり、この下電極が圧電体薄膜の領
域のみに被着形成されている。さらに他の形態によれ
ば、前記絶縁膜の前記圧電体薄膜が形成されていない領
域が、この圧電体薄膜が形成されている領域より薄いこ
とを特徴とする。
が個々の圧電体薄膜のパターンに対する下電極と上電極
からなり、前記振動板がこの下電極と前記インク溜まり
溝に臨む絶縁膜からなり、この下電極が圧電体薄膜の領
域のみに被着形成されている。さらに他の形態によれ
ば、前記絶縁膜の前記圧電体薄膜が形成されていない領
域が、この圧電体薄膜が形成されている領域より薄いこ
とを特徴とする。
【００２２】本発明は、さらに、このインクジェット記
録ヘッドを備えたインクジェット式記録装置であること
を特徴とする。
録ヘッドを備えたインクジェット式記録装置であること
を特徴とする。
【００２３】他の発明は、このインクジェット式記録ヘ
ッドの製造方法であって、基台にインクを噴射するノズ
ルにインクを供給するためのインク溜まりを形成する第
１の工程と、この基台上に、前記インク溜まり溝内のイ
ンクを加圧する振動板と、この振動板に対する加圧源と
なる圧電体薄膜と、この圧電体薄膜に対する電極とを順
次形成する第２工程と、前記圧電体薄膜と電極とを同時
にパターニングする第３工程と、を備えたことを特徴と
する。
ッドの製造方法であって、基台にインクを噴射するノズ
ルにインクを供給するためのインク溜まりを形成する第
１の工程と、この基台上に、前記インク溜まり溝内のイ
ンクを加圧する振動板と、この振動板に対する加圧源と
なる圧電体薄膜と、この圧電体薄膜に対する電極とを順
次形成する第２工程と、前記圧電体薄膜と電極とを同時
にパターニングする第３工程と、を備えたことを特徴と
する。
【００２４】好ましい発明の形態は、前記第２の工程
が、前記電極を複数の圧電体薄膜のパターンに対する共
通電極と個別の圧電体薄膜に対する個別電極から構成
し、この個別電極の共通電極表面に対向した投影面積が
前記圧電体薄膜表面の面積と同一になるようにした。前
記第３工程は、前記個別電極と圧電体薄膜を一括でドラ
イエッチングする工程である。前記ドライエッチング
は、さらにイオンミリング法または反応性イオンエッチ
ング法であることが好ましい。
が、前記電極を複数の圧電体薄膜のパターンに対する共
通電極と個別の圧電体薄膜に対する個別電極から構成
し、この個別電極の共通電極表面に対向した投影面積が
前記圧電体薄膜表面の面積と同一になるようにした。前
記第３工程は、前記個別電極と圧電体薄膜を一括でドラ
イエッチングする工程である。前記ドライエッチング
は、さらにイオンミリング法または反応性イオンエッチ
ング法であることが好ましい。
【００２５】本発明の製造方法の好ましい態様では、前
記第２の工程は、基板の表面上に絶縁膜を被着形成する
工程と、第１の電極を被着形成する工程と、この電極上
に圧電体薄膜を被着形成する工程と、この圧電体薄膜上
に第２の電極を被着形成する工程とを備えてなり、前記
第３の工程は、フォトリソグラフィー法により、第２の
電極上にレジストをパターニングする工程と、該レジス
トをマスクにして、第１のエッチング法により第２の電
極と圧電体薄膜をパターニングする工程と、第２のエッ
チング方法により第１の電極を薄くする工程と、を備え
る。
記第２の工程は、基板の表面上に絶縁膜を被着形成する
工程と、第１の電極を被着形成する工程と、この電極上
に圧電体薄膜を被着形成する工程と、この圧電体薄膜上
に第２の電極を被着形成する工程とを備えてなり、前記
第３の工程は、フォトリソグラフィー法により、第２の
電極上にレジストをパターニングする工程と、該レジス
トをマスクにして、第１のエッチング法により第２の電
極と圧電体薄膜をパターニングする工程と、第２のエッ
チング方法により第１の電極を薄くする工程と、を備え
る。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。先ず、図１乃至８に基づいて、本発
明の第１の実施の形態について説明する。
基づいて説明する。先ず、図１乃至８に基づいて、本発
明の第１の実施の形態について説明する。
【００２７】図１に示すようにインク溜まりとしてのイ
ンク圧力室を形成するヘッド基台１としてシリコン基板
を用い、振動板としての１μｍシリコン熱酸化膜２を形
成する。振動板としてはその他に後述の共通電極のみ、
共通電極とチッ化珪素、ジルコニウム、ジルコニア等が
使用できる。
ンク圧力室を形成するヘッド基台１としてシリコン基板
を用い、振動板としての１μｍシリコン熱酸化膜２を形
成する。振動板としてはその他に後述の共通電極のみ、
共通電極とチッ化珪素、ジルコニウム、ジルコニア等が
使用できる。
【００２８】次に図２乃至図４のようにシリコン熱酸化
膜２上に共通電極３として膜厚０．８μｍの白金をスパ
ッタで形成し、その上に圧電体薄膜４を形成し、更にそ
の上に上電極５として膜厚０．１μｍの白金をスパッタ
で形成した。本実施例においてはシリコン熱酸化膜２と
共通電極３とが振動板として機能する。上電極材料とし
てはそのほか導電率が良好なものなら良く、例えば、ア
ルミニウム、金、ニッケル、インジウム等を使用でき
る。
膜２上に共通電極３として膜厚０．８μｍの白金をスパ
ッタで形成し、その上に圧電体薄膜４を形成し、更にそ
の上に上電極５として膜厚０．１μｍの白金をスパッタ
で形成した。本実施例においてはシリコン熱酸化膜２と
共通電極３とが振動板として機能する。上電極材料とし
てはそのほか導電率が良好なものなら良く、例えば、ア
ルミニウム、金、ニッケル、インジウム等を使用でき
る。
【００２９】圧電体薄膜４の形成は、簡単な装置で薄膜
を得られる製法であるゾルゲル法によった。インクジェ
ット記録ヘッドに使用する上では、圧電特性を示すもの
の中からジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）系が最も適し
ている。共通電極３の上に調製したＰＺＴ系ゾルをスピ
ンコートで塗布し、４００℃で仮焼成し、非晶質の多孔
質ゲル薄膜を形成し、更にゾルの塗布と４００℃の仮焼
成を２度繰り返し、多孔質ゲル薄膜を形成した。
を得られる製法であるゾルゲル法によった。インクジェ
ット記録ヘッドに使用する上では、圧電特性を示すもの
の中からジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）系が最も適し
ている。共通電極３の上に調製したＰＺＴ系ゾルをスピ
ンコートで塗布し、４００℃で仮焼成し、非晶質の多孔
質ゲル薄膜を形成し、更にゾルの塗布と４００℃の仮焼
成を２度繰り返し、多孔質ゲル薄膜を形成した。
【００３０】次にペロブスカイト結晶を得るためＲＴＡ
（Rapid Thermal Annealing）を用いて酸素雰囲気中、
５秒間で６５０℃に加熱して１分間保持しプレアニール
を行い、緻密なＰＺＴ薄膜とした。再びこのゾルをスピ
ンコートで塗布して４００℃に仮焼成する工程を３度繰
り返し、非晶質の多孔質ゲル薄膜を積層した。
（Rapid Thermal Annealing）を用いて酸素雰囲気中、
５秒間で６５０℃に加熱して１分間保持しプレアニール
を行い、緻密なＰＺＴ薄膜とした。再びこのゾルをスピ
ンコートで塗布して４００℃に仮焼成する工程を３度繰
り返し、非晶質の多孔質ゲル薄膜を積層した。
【００３１】次に、ＲＴＡを用いて６５０℃でプレアニ
ールして１分間保持することにより、結晶質の緻密な薄
膜とした。更にＲＴＡを用いて酸素雰囲気中９００℃に
加熱し１分間保持してアニールした。その結果１．０μ
ｍの膜厚の圧電体薄膜４が得られる。圧電体薄膜の製造
方法は、スパッタ法でも可能である。
ールして１分間保持することにより、結晶質の緻密な薄
膜とした。更にＲＴＡを用いて酸素雰囲気中９００℃に
加熱し１分間保持してアニールした。その結果１．０μ
ｍの膜厚の圧電体薄膜４が得られる。圧電体薄膜の製造
方法は、スパッタ法でも可能である。
【００３２】次に、図５に示すように上電極５上にネガ
レジスト６（ＨＲ−１００：富士ハント）をスピンコー
トして塗布する。マスクによりネガレジスト６を圧電体
薄膜の所望の位置に露光・現像・ベークし、図６に示す
ように硬化したネガレジスト７を形成する。ネガレジス
トに代えて、ポジレジストを使用することもできる。
レジスト６（ＨＲ−１００：富士ハント）をスピンコー
トして塗布する。マスクによりネガレジスト６を圧電体
薄膜の所望の位置に露光・現像・ベークし、図６に示す
ように硬化したネガレジスト７を形成する。ネガレジス
トに代えて、ポジレジストを使用することもできる。
【００３３】この状態でドライエッチング装置例えばイ
オンミリング装置で図７に示すように共通電極３が露出
するまで上電極５と圧電体薄膜４とを同時に一括でエッ
チングして、両者をネガレジスト６で形成した所望の形
状に合わせて同一形状でパターニングする。
オンミリング装置で図７に示すように共通電極３が露出
するまで上電極５と圧電体薄膜４とを同時に一括でエッ
チングして、両者をネガレジスト６で形成した所望の形
状に合わせて同一形状でパターニングする。
【００３４】最後に、アッシング装置で硬化したネガレ
ジスト７を除去して、図８に示すようにパターニングが
完了する。なお、イオンミリング装置では、エッチング
した上電極や圧電体薄膜と共にネガレジストもエッチン
グされるため、エッチング深さによって各々のエッチン
グレートに鑑み、ネガレジストの厚さを調整することが
望まれる。本実施例の場合、各々のエッチングレートが
ほぼ同程度であるためネガレジストの厚さを２μｍに調
整して行った。
ジスト７を除去して、図８に示すようにパターニングが
完了する。なお、イオンミリング装置では、エッチング
した上電極や圧電体薄膜と共にネガレジストもエッチン
グされるため、エッチング深さによって各々のエッチン
グレートに鑑み、ネガレジストの厚さを調整することが
望まれる。本実施例の場合、各々のエッチングレートが
ほぼ同程度であるためネガレジストの厚さを２μｍに調
整して行った。
【００３５】上電極と圧電体薄膜を一括エッチングする
上で、圧電体薄膜の膜厚はより薄い方が好ましく、特
に、０．３〜５μｍの範囲であることが好ましい。膜厚
が厚くなると、それに対応してレジストの厚さも厚くし
なければならない。その結果、圧電体薄膜が５μｍを超
える場合は、レジストのパターン形状が不安定になる等
の問題で、微細加工が困難になり高密度のヘッドが得ら
れなくなる。また、膜厚が０．３μｍより小さい場合で
は、破壊耐圧が十分でないおそれがある。
上で、圧電体薄膜の膜厚はより薄い方が好ましく、特
に、０．３〜５μｍの範囲であることが好ましい。膜厚
が厚くなると、それに対応してレジストの厚さも厚くし
なければならない。その結果、圧電体薄膜が５μｍを超
える場合は、レジストのパターン形状が不安定になる等
の問題で、微細加工が困難になり高密度のヘッドが得ら
れなくなる。また、膜厚が０．３μｍより小さい場合で
は、破壊耐圧が十分でないおそれがある。
【００３６】ドライエッチング方法としてイオンミリン
グ法以外に反応性イオンエッチングを用いても良い。ま
た、エッチング方法は他にもウエットで行うことができ
る。例えば、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸等の酸を加熱し
てエッチャントとして用いることができる。ただしこの
場合は、上電極の電極材質をエッチャントでエッチング
されるものにする。ウエット処理は、ドライエッチング
と比較するとパターニング精度が多少劣り、電極材料に
も制限があるため、ドライエッチングの方が好ましい。
グ法以外に反応性イオンエッチングを用いても良い。ま
た、エッチング方法は他にもウエットで行うことができ
る。例えば、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸等の酸を加熱し
てエッチャントとして用いることができる。ただしこの
場合は、上電極の電極材質をエッチャントでエッチング
されるものにする。ウエット処理は、ドライエッチング
と比較するとパターニング精度が多少劣り、電極材料に
も制限があるため、ドライエッチングの方が好ましい。
【００３７】インクジェット式記録ヘッドを完成するた
めに、図９に示すようにヘッド基台１下面（圧電体薄膜
を形成した反対面）より異方性エッチングにより幅０．
１ｍｍのインク圧力室９とインク圧力室へインクを供給
するインク供給路、インク供給路に連通するインクリザ
ーバーを形成し、インク圧力室９に対応した位置にイン
クを吐出するノズルを形成したノズルプレート１０を接
合した。なお、共通電極３は、複数の圧電体薄膜パター
ン４に及んで前記酸化膜２上に形成されている。
めに、図９に示すようにヘッド基台１下面（圧電体薄膜
を形成した反対面）より異方性エッチングにより幅０．
１ｍｍのインク圧力室９とインク圧力室へインクを供給
するインク供給路、インク供給路に連通するインクリザ
ーバーを形成し、インク圧力室９に対応した位置にイン
クを吐出するノズルを形成したノズルプレート１０を接
合した。なお、共通電極３は、複数の圧電体薄膜パター
ン４に及んで前記酸化膜２上に形成されている。
【００３８】図１０は以上の工程によって形成されたイ
ンクジェット記録ヘッドを示す。このインクジェット記
録ヘッドは、圧電体薄膜４と上電極とが同一のドライエ
ッチング工程で一度にエッチングされるために、両者に
パターンのずれがなく、両者が正に一致するパターンを
備える。したがって、この記録ヘッドは、図１１の記録
ヘッドと比較して、インク圧力室上の上電極の共通電極
表面に対向した投影面積が圧電体薄膜上面の略平面の面
積と同一でないヘッドと比較すると、圧電体薄膜全体に
有効な電界が印可され、圧電体薄膜の性能を充分引き出
し吐出特性が向上する。さらに、圧電体薄膜の変形しな
い部分が無く、上電極の圧電体薄膜の幅方向中心からの
ずれに起因する吐出特性の低下、不安定さが無い。
ンクジェット記録ヘッドを示す。このインクジェット記
録ヘッドは、圧電体薄膜４と上電極とが同一のドライエ
ッチング工程で一度にエッチングされるために、両者に
パターンのずれがなく、両者が正に一致するパターンを
備える。したがって、この記録ヘッドは、図１１の記録
ヘッドと比較して、インク圧力室上の上電極の共通電極
表面に対向した投影面積が圧電体薄膜上面の略平面の面
積と同一でないヘッドと比較すると、圧電体薄膜全体に
有効な電界が印可され、圧電体薄膜の性能を充分引き出
し吐出特性が向上する。さらに、圧電体薄膜の変形しな
い部分が無く、上電極の圧電体薄膜の幅方向中心からの
ずれに起因する吐出特性の低下、不安定さが無い。
【００３９】次に本発明の他の実施形態について説明す
る。図１２にインクジェット記録ヘッドの断面構造を示
す。基板ＳＩの壁に隔てられた溝状のインク溜まりＩＴ
を覆うように振動板ＶＰとＢＥが被着形成されている。
ＢＥは圧電体薄膜の共通電極をかねている。
る。図１２にインクジェット記録ヘッドの断面構造を示
す。基板ＳＩの壁に隔てられた溝状のインク溜まりＩＴ
を覆うように振動板ＶＰとＢＥが被着形成されている。
ＢＥは圧電体薄膜の共通電極をかねている。
【００４０】振動板兼電極ＢＥの厚みは、圧電体薄膜に
被着形成されている領域より、圧電体薄膜が被着形成さ
れておらずインク溜まりＩＴに重なる領域で薄くなって
いる。電極兼振動板ＢＥに所望の形にパターニングされ
た圧電体薄膜ＰＺが被着形成し、圧電体薄膜の電極ＢＥ
に関して反対の面に別の上電極ＵＥが形成されている。
振動板ＶＰに対して反対側の基板ＳＩの壁の面に、ノズ
ルプレートＮＢを張り付け、インク溜まりＩＴを形成し
た。ノズルプレートＮＢにはインクの吐出孔ＮＨが設置
されている。
被着形成されている領域より、圧電体薄膜が被着形成さ
れておらずインク溜まりＩＴに重なる領域で薄くなって
いる。電極兼振動板ＢＥに所望の形にパターニングされ
た圧電体薄膜ＰＺが被着形成し、圧電体薄膜の電極ＢＥ
に関して反対の面に別の上電極ＵＥが形成されている。
振動板ＶＰに対して反対側の基板ＳＩの壁の面に、ノズ
ルプレートＮＢを張り付け、インク溜まりＩＴを形成し
た。ノズルプレートＮＢにはインクの吐出孔ＮＨが設置
されている。
【００４１】この構成の圧電体薄膜に電圧を印加する
と、インク溜まり直上の振動板ＶＰとＢＥは、インク溜
まり側に凸状に変形した。この変形前後のインク溜まり
の体積差のインクが吐出孔ＮＨから出ることにより、印
字が可能になる。
と、インク溜まり直上の振動板ＶＰとＢＥは、インク溜
まり側に凸状に変形した。この変形前後のインク溜まり
の体積差のインクが吐出孔ＮＨから出ることにより、印
字が可能になる。
【００４２】従来のインクジェットヘッドの構造では、
圧電体薄膜に被着形成されている領域と、圧電体薄膜が
被着形成されておらずインク溜まりＩＴに重なる領域
で、振動板の厚みが同じであったため、大きな変位が得
られず、印字に必要な量のインクが吐出しない問題点が
あった。
圧電体薄膜に被着形成されている領域と、圧電体薄膜が
被着形成されておらずインク溜まりＩＴに重なる領域
で、振動板の厚みが同じであったため、大きな変位が得
られず、印字に必要な量のインクが吐出しない問題点が
あった。
【００４３】また、インク溜まりＩＴの十分な体積変化
を得ようとすると、インク溜まりの長さを著しく大きく
する必要があり、その結果、大きな面積のヘッドとなり
取り扱いが非常に不便なものになる欠点があった。しか
し、この実施例のように、圧電体薄膜に被着形成されて
いる領域より、圧電体薄膜が被着形成されておらずイン
ク溜まりＩＴに重なる領域で、振動板の厚みを薄くする
と、上記の問題点が一挙に解決した。
を得ようとすると、インク溜まりの長さを著しく大きく
する必要があり、その結果、大きな面積のヘッドとなり
取り扱いが非常に不便なものになる欠点があった。しか
し、この実施例のように、圧電体薄膜に被着形成されて
いる領域より、圧電体薄膜が被着形成されておらずイン
ク溜まりＩＴに重なる領域で、振動板の厚みを薄くする
と、上記の問題点が一挙に解決した。
【００４４】つまり、領域Ｌｃｂの振動板のコンプライ
アンスが大きくなるので、同じ印加電圧ならば、従来よ
り大きく振動板がたわむようになった。つまり、これに
よって従来より大きなインク溜まりの体積変化が得られ
るようになった。
アンスが大きくなるので、同じ印加電圧ならば、従来よ
り大きく振動板がたわむようになった。つまり、これに
よって従来より大きなインク溜まりの体積変化が得られ
るようになった。
【００４５】さらに、ＰＺＴ素子と電極の位置が素子毎
にずれるため、素子毎に変位量が大きく異なるので、吐
出するインク量が不均一なインクジェットプリンタヘッ
ドとなる欠点があった。
にずれるため、素子毎に変位量が大きく異なるので、吐
出するインク量が不均一なインクジェットプリンタヘッ
ドとなる欠点があった。
【００４６】例えば、図１２の構造で、上電極ＵＥの材
質がＰｔで厚みが１００ｎｍであり、圧電体薄膜ＰＺの
圧電歪定数ｄ31が１００ｐＣ／ＮであるＰＺＴで、厚み
が１０００ｎｍあり、上電極ＵＥとＰＺＴの幅Ｗｐｚが
４０μmで、もう一方の電極を兼ねている振動板ＢＥの
材質がＰｔで、図１で示すように圧電体薄膜に被着形成
している領域の厚みｔａ１が８００ｎｍであり、圧電体
薄膜に被着形成していない領域の厚みｔａ２が４００ｎ
ｍであり、さらに振動板ＶＰの材質がシリコン酸化膜
で、厚みが７００ｎｍである場合、圧電体薄膜ＰＺに印
加する電圧が２０Ｖであるとき、振動板の最大変位量
は、３００ｎｍであった。
質がＰｔで厚みが１００ｎｍであり、圧電体薄膜ＰＺの
圧電歪定数ｄ31が１００ｐＣ／ＮであるＰＺＴで、厚み
が１０００ｎｍあり、上電極ＵＥとＰＺＴの幅Ｗｐｚが
４０μmで、もう一方の電極を兼ねている振動板ＢＥの
材質がＰｔで、図１で示すように圧電体薄膜に被着形成
している領域の厚みｔａ１が８００ｎｍであり、圧電体
薄膜に被着形成していない領域の厚みｔａ２が４００ｎ
ｍであり、さらに振動板ＶＰの材質がシリコン酸化膜
で、厚みが７００ｎｍである場合、圧電体薄膜ＰＺに印
加する電圧が２０Ｖであるとき、振動板の最大変位量
は、３００ｎｍであった。
【００４７】一方、振動板ＢＥの厚みｔａ１とｔａ２が
８００ｎｍと同じである場合、他の条件が同じであると
き、振動板の最大変位量は２００ｎｍであった。従っ
て、この実施例では、従来より５０％も大きな変位を得
ることが可能になった。
８００ｎｍと同じである場合、他の条件が同じであると
き、振動板の最大変位量は２００ｎｍであった。従っ
て、この実施例では、従来より５０％も大きな変位を得
ることが可能になった。
【００４８】前記の実施例のインクジェット式記録ヘッ
ドを備えたインクジェットプリンタは、インクの吐出量
が従来より５０％も多いため、明瞭な画像の印字ができ
るようになった。また、前記の実施例のインクジェット
式記録ヘッドを備えた、ワードプロセッサー機械とイン
クジェットプリンタを内蔵したコンピューターシステム
は、インクの吐出量が従来より５０％も多いため、明瞭
な画像の印字ができるようになった。
ドを備えたインクジェットプリンタは、インクの吐出量
が従来より５０％も多いため、明瞭な画像の印字ができ
るようになった。また、前記の実施例のインクジェット
式記録ヘッドを備えた、ワードプロセッサー機械とイン
クジェットプリンタを内蔵したコンピューターシステム
は、インクの吐出量が従来より５０％も多いため、明瞭
な画像の印字ができるようになった。
【００４９】図１２に示すインクジェット式記録ヘッド
は、ｔａ１＞ｔａ２であるから、次のような利点もあ
る。ＰＺＴ膜を熱処理する際６００℃まで及ぶと、鉛が
シリコン基板（ＳＩ）に拡散して低融点の鉛ガラスが生
じ、結晶欠損に到ることがある。ｔａ１＞ｔａ２である
ことにより、この問題を解決しながら、振動板を薄く形
成することができる。
は、ｔａ１＞ｔａ２であるから、次のような利点もあ
る。ＰＺＴ膜を熱処理する際６００℃まで及ぶと、鉛が
シリコン基板（ＳＩ）に拡散して低融点の鉛ガラスが生
じ、結晶欠損に到ることがある。ｔａ１＞ｔａ２である
ことにより、この問題を解決しながら、振動板を薄く形
成することができる。
【００５０】ｔａ１としては、圧電体薄膜ＰＺの結晶化
のための熱処理において素子材料のＰＺＴの構成成分で
あるｐｂが拡散して振動板である酸化珪素に侵入し、低
融点物である酸化鉛を形成することを防止するために、
３００nm以上であること、更に、圧電体薄膜に電圧を印
加する際に、１００nm以上の変位を確保するために９０
０nm以下であること、つまり、300nm≦ta1≦900nmの範
囲にあることが好ましい。また、ｔａ２としては、振動
板の材質の一つである酸化シリコン膜ＶＰの圧縮内部応
力とバランスを確保するために、200nm以上であること
が好ましい。両者の比(ta1)/(ta2)は、目的とする振動
特性を得るために、適宜実験等によって決定されること
ができる。
のための熱処理において素子材料のＰＺＴの構成成分で
あるｐｂが拡散して振動板である酸化珪素に侵入し、低
融点物である酸化鉛を形成することを防止するために、
３００nm以上であること、更に、圧電体薄膜に電圧を印
加する際に、１００nm以上の変位を確保するために９０
０nm以下であること、つまり、300nm≦ta1≦900nmの範
囲にあることが好ましい。また、ｔａ２としては、振動
板の材質の一つである酸化シリコン膜ＶＰの圧縮内部応
力とバランスを確保するために、200nm以上であること
が好ましい。両者の比(ta1)/(ta2)は、目的とする振動
特性を得るために、適宜実験等によって決定されること
ができる。
【００５１】図１３に他のインクジェット式記録ヘッド
の断面構造を示す。基板ＳＩの壁に隔てられた溝状のイ
ンク溜まりＩＴを覆うように振動板ＢＥが被着形成され
ている。ＢＥは圧電体薄膜の電極をかねている。振動板
兼電極ＢＥの厚みは、圧電体薄膜に被着形成されている
領域より、圧電体薄膜が被着形成されておらずインク溜
まりＩＴに重なる領域で薄くなっている。電極兼振動板
ＢＥに所望の形にパターニングされた圧電体薄膜ＰＺが
被着形成し、圧電体薄膜の電極ＢＥに関して反対の面に
別の上電極ＵＥが形成されている。電極ＢＥに対して反
対側の基板ＳＩの壁の面に、ノズルプレートＮＢを張り
付け、インク溜まりＩＴを形成する。ノズルプレートＮ
Ｂにはインクの吐出孔ＮＨが設置されている。
の断面構造を示す。基板ＳＩの壁に隔てられた溝状のイ
ンク溜まりＩＴを覆うように振動板ＢＥが被着形成され
ている。ＢＥは圧電体薄膜の電極をかねている。振動板
兼電極ＢＥの厚みは、圧電体薄膜に被着形成されている
領域より、圧電体薄膜が被着形成されておらずインク溜
まりＩＴに重なる領域で薄くなっている。電極兼振動板
ＢＥに所望の形にパターニングされた圧電体薄膜ＰＺが
被着形成し、圧電体薄膜の電極ＢＥに関して反対の面に
別の上電極ＵＥが形成されている。電極ＢＥに対して反
対側の基板ＳＩの壁の面に、ノズルプレートＮＢを張り
付け、インク溜まりＩＴを形成する。ノズルプレートＮ
Ｂにはインクの吐出孔ＮＨが設置されている。
【００５２】上電極ＵＥが、材質がＰｔで厚みが１００
ｎｍであり、圧電体薄膜ＰＺの圧電歪定数ｄ31が１００
ｐＣ／ＮであるＰＺＴで、厚みが１０００ｎｍあり、上
電極ＵＥとＰＺＴの幅Ｗｐｚが４０μmで、もう一方の
電極を兼ねている振動板ＢＥの材質がＰｔで、図２で示
すように圧電体薄膜に被着形成している領域の厚みｔｂ
１が８００ｎｍであり、圧電体薄膜に被着形成していな
い領域の厚みｔｂ２が４００ｎｍであり、振動板の最大
変位量は、４００ｎｍであった。一方、振動板ＢＥの厚
みｔｂ１とｔｂ２が８００ｎｍと同じである場合、他の
条件が同じであるとき、振動板の最大変位量は３００ｎ
ｍであった。従って、この実施例では、従来より約３０
％も大きな変位を得ることが可能になった。
ｎｍであり、圧電体薄膜ＰＺの圧電歪定数ｄ31が１００
ｐＣ／ＮであるＰＺＴで、厚みが１０００ｎｍあり、上
電極ＵＥとＰＺＴの幅Ｗｐｚが４０μmで、もう一方の
電極を兼ねている振動板ＢＥの材質がＰｔで、図２で示
すように圧電体薄膜に被着形成している領域の厚みｔｂ
１が８００ｎｍであり、圧電体薄膜に被着形成していな
い領域の厚みｔｂ２が４００ｎｍであり、振動板の最大
変位量は、４００ｎｍであった。一方、振動板ＢＥの厚
みｔｂ１とｔｂ２が８００ｎｍと同じである場合、他の
条件が同じであるとき、振動板の最大変位量は３００ｎ
ｍであった。従って、この実施例では、従来より約３０
％も大きな変位を得ることが可能になった。
【００５３】図１４に他のインクジェット式記録ヘッド
の断面構造を示す。基板ＳＩの壁に隔てられた溝状のイ
ンク溜まりＩＴを覆うように振動板ＶＰが被着形成され
ている。振動板ＶＰ上に電極ＢＥが帯状に形成されてい
る。電極ＢＥは振動板も兼ねている。電極兼振動板ＢＥ
に所望の形にパターニングされた圧電体薄膜ＰＺが被着
形成し、圧電体薄膜の電極ＢＥに関して反対の面に別の
上電極ＵＥが形成されている。電極ＢＥに対して反対側
の基板ＳＩの壁の面に、ノズルプレートＮＢを張り付
け、インク溜まりＩＴを形成した。ノズルプレートＮＢ
にはインクの吐出孔ＮＨが設置されている。
の断面構造を示す。基板ＳＩの壁に隔てられた溝状のイ
ンク溜まりＩＴを覆うように振動板ＶＰが被着形成され
ている。振動板ＶＰ上に電極ＢＥが帯状に形成されてい
る。電極ＢＥは振動板も兼ねている。電極兼振動板ＢＥ
に所望の形にパターニングされた圧電体薄膜ＰＺが被着
形成し、圧電体薄膜の電極ＢＥに関して反対の面に別の
上電極ＵＥが形成されている。電極ＢＥに対して反対側
の基板ＳＩの壁の面に、ノズルプレートＮＢを張り付
け、インク溜まりＩＴを形成した。ノズルプレートＮＢ
にはインクの吐出孔ＮＨが設置されている。
【００５４】例えば、上電極ＵＥが、材質がＰｔで厚み
が１００ｎｍであり、圧電体薄膜ＰＺがの圧電歪定数ｄ
31が１００ｐＣ／ＮであるＰＺＴで、厚みが１０００ｎ
ｍあり、上電極ＵＥとＰＺＴの幅Ｗｐｚが４０μmで、
もう一方の電極を兼ねている振動板ＢＥの材質がＰｔ
で、図３で示すように圧電体薄膜に被着形成している領
域の厚みｔｃ１が８００ｎｍであり、圧電体薄膜に被着
形成していない領域の厚みｔｃ２が４００ｎｍであり、
振動板の最大変位量は、４００ｎｍであった。一方、振
動板の厚みｔｃ１とｔｃ２が８００ｎｍと同じである場
合、他の条件が同じであるとき、振動板の最大変位量は
３００ｎｍであった。従って、この実施例では、従来よ
り約３０％も大きな変位を得ることが可能になった。
が１００ｎｍであり、圧電体薄膜ＰＺがの圧電歪定数ｄ
31が１００ｐＣ／ＮであるＰＺＴで、厚みが１０００ｎ
ｍあり、上電極ＵＥとＰＺＴの幅Ｗｐｚが４０μmで、
もう一方の電極を兼ねている振動板ＢＥの材質がＰｔ
で、図３で示すように圧電体薄膜に被着形成している領
域の厚みｔｃ１が８００ｎｍであり、圧電体薄膜に被着
形成していない領域の厚みｔｃ２が４００ｎｍであり、
振動板の最大変位量は、４００ｎｍであった。一方、振
動板の厚みｔｃ１とｔｃ２が８００ｎｍと同じである場
合、他の条件が同じであるとき、振動板の最大変位量は
３００ｎｍであった。従って、この実施例では、従来よ
り約３０％も大きな変位を得ることが可能になった。
【００５５】図１５に他のインクジェットプリンタヘッ
ドの断面構造を示す。基板ＳＩの壁に隔てられた溝状の
インク溜まりＩＴを覆うように振動板ＶＰが被着形成さ
れている。振動板ＶＰ上に電極ＢＥが帯状に形成されて
いる。電極ＢＥは振動板も兼ねている。振動板ＶＰの厚
みは、圧電体薄膜に被着形成されている領域より、圧電
体薄膜が被着形成されておらずインク溜まりＩＴに重な
る領域で薄くなっている。電極兼振動板ＢＥに所望の形
にパターニングされた圧電体薄膜ＰＺが被着形成し、圧
電体薄膜の電極ＢＥに関して反対の面に別の上電極ＵＥ
が形成されている。電極ＢＥに対して反対側の基板ＳＩ
の壁の面に、ノズルプレートＮＢを張り付け、インク溜
まりＩＴを形成した。ノズルプレートＮＢにはインクの
吐出孔ＮＨが設置されている。
ドの断面構造を示す。基板ＳＩの壁に隔てられた溝状の
インク溜まりＩＴを覆うように振動板ＶＰが被着形成さ
れている。振動板ＶＰ上に電極ＢＥが帯状に形成されて
いる。電極ＢＥは振動板も兼ねている。振動板ＶＰの厚
みは、圧電体薄膜に被着形成されている領域より、圧電
体薄膜が被着形成されておらずインク溜まりＩＴに重な
る領域で薄くなっている。電極兼振動板ＢＥに所望の形
にパターニングされた圧電体薄膜ＰＺが被着形成し、圧
電体薄膜の電極ＢＥに関して反対の面に別の上電極ＵＥ
が形成されている。電極ＢＥに対して反対側の基板ＳＩ
の壁の面に、ノズルプレートＮＢを張り付け、インク溜
まりＩＴを形成した。ノズルプレートＮＢにはインクの
吐出孔ＮＨが設置されている。
【００５６】例えば、上電極ＵＥが、材質がＰｔで厚み
が１００ｎｍであり、圧電体薄膜ＰＺがの圧電歪定数ｄ
31が１００ｐＣ／ＮであるＰＺＴで、厚みが１０００ｎ
ｍあり、上電極ＵＥとＰＺＴの幅Ｗｐｚが４０μmで、
もう一方の電極を兼ねている振動板ＢＥの材質がＰｔ
で、図１５で示すように圧電体薄膜に被着形成している
領域の厚みｔｄ１が８００ｎｍであり、圧電体薄膜に被
着形成していない領域の厚みｔｄ２が４００ｎｍであ
り、振動板の最大変位量は、４００ｎｍであった。一
方、振動板の厚みｔｄ１とｔｄ２が８００ｎｍと同じで
ある場合、他の条件が同じであるとき、振動板の最大変
位量は３００ｎｍであった。従って、この実施例では、
従来より約３０％も大きな変位を得ることが可能になっ
た。
が１００ｎｍであり、圧電体薄膜ＰＺがの圧電歪定数ｄ
31が１００ｐＣ／ＮであるＰＺＴで、厚みが１０００ｎ
ｍあり、上電極ＵＥとＰＺＴの幅Ｗｐｚが４０μmで、
もう一方の電極を兼ねている振動板ＢＥの材質がＰｔ
で、図１５で示すように圧電体薄膜に被着形成している
領域の厚みｔｄ１が８００ｎｍであり、圧電体薄膜に被
着形成していない領域の厚みｔｄ２が４００ｎｍであ
り、振動板の最大変位量は、４００ｎｍであった。一
方、振動板の厚みｔｄ１とｔｄ２が８００ｎｍと同じで
ある場合、他の条件が同じであるとき、振動板の最大変
位量は３００ｎｍであった。従って、この実施例では、
従来より約３０％も大きな変位を得ることが可能になっ
た。
【００５７】次に、この図１２に示すインクジェット記
録ヘッドの製造方法について説明する。図１６に示すよ
うな基板ＳＩ表面上に、図１７に示すように絶縁膜ＳＤ
を成膜する。次に、図１８に示すように基板ＳＩの片面
上の絶縁膜ＳＤ上に導電性膜である振動板兼電極ＢＥを
被着形成する。
録ヘッドの製造方法について説明する。図１６に示すよ
うな基板ＳＩ表面上に、図１７に示すように絶縁膜ＳＤ
を成膜する。次に、図１８に示すように基板ＳＩの片面
上の絶縁膜ＳＤ上に導電性膜である振動板兼電極ＢＥを
被着形成する。
【００５８】次に、図１９に示すように導電性膜である
振動板兼電極ＢＥ上に圧電体薄膜ＰＺを被着形成する。
次に、図２０に示すように圧電体薄膜ＰＺ上に第２の上
電極ＵＥを被着形成する。次に、図２１に示すように、
圧電体薄膜ＰＺが形成されていない側の基板ＳＩ表面上
の絶縁膜ＳＤ上に、パターニングされたマスク材ＲＳを
被着形成する。
振動板兼電極ＢＥ上に圧電体薄膜ＰＺを被着形成する。
次に、図２０に示すように圧電体薄膜ＰＺ上に第２の上
電極ＵＥを被着形成する。次に、図２１に示すように、
圧電体薄膜ＰＺが形成されていない側の基板ＳＩ表面上
の絶縁膜ＳＤ上に、パターニングされたマスク材ＲＳを
被着形成する。
【００５９】次に、図２２に示すように、絶縁膜ＳＤを
マスクＲＳに従ってエッチング除去しパターニングされ
た絶縁膜ＥＳＤを形成する。次に、図２３に示すように
マスク材ＲＳを剥離除去する。次に、図２４に示すよう
に第２の上電極ＵＥ上に、パターニングされた絶縁膜Ｅ
ＳＤに重ならない領域ができるようにマスク材ＲＳＤを
被着形成する。次に図２５に示すように、エッチングさ
れた上電極ＥＵＥを第１のエッチング方法によってマス
ク材ＲＳＤに従ってパターニングする。
マスクＲＳに従ってエッチング除去しパターニングされ
た絶縁膜ＥＳＤを形成する。次に、図２３に示すように
マスク材ＲＳを剥離除去する。次に、図２４に示すよう
に第２の上電極ＵＥ上に、パターニングされた絶縁膜Ｅ
ＳＤに重ならない領域ができるようにマスク材ＲＳＤを
被着形成する。次に図２５に示すように、エッチングさ
れた上電極ＥＵＥを第１のエッチング方法によってマス
ク材ＲＳＤに従ってパターニングする。
【００６０】次に、図２６に示すように圧電体薄膜ＰＺ
を第２のエッチング方法によってマスク材ＲＳＤに従っ
てパターニングする。次に、図２７に示すように第３の
エッチング方法によって、厚みｔｚ１の第１の導電性膜
である振動板兼電極ＢＥをｔｚ２の厚みを残すように表
面からｔｚ３の厚みをエッチング除去する。
を第２のエッチング方法によってマスク材ＲＳＤに従っ
てパターニングする。次に、図２７に示すように第３の
エッチング方法によって、厚みｔｚ１の第１の導電性膜
である振動板兼電極ＢＥをｔｚ２の厚みを残すように表
面からｔｚ３の厚みをエッチング除去する。
【００６１】次に、図２８に示すように、マスク材ＲＳ
Ｄを剥離除去する。次に、図２９に示すように、エッチ
ングされた絶縁膜ＥＳＤをマスク材として基板ＳＩをエ
ッチング除去し、溝ＣＶを形成する。
Ｄを剥離除去する。次に、図２９に示すように、エッチ
ングされた絶縁膜ＥＳＤをマスク材として基板ＳＩをエ
ッチング除去し、溝ＣＶを形成する。
【００６２】さらに、図３０に示すようにエッチングさ
れた絶縁膜ＥＳＤに接触するように、吐出孔ＮＨが設け
られたノズルプレートＮＢを貼り付けインク溜まりＩＴ
を形成し、インクジェットプリンタヘッド基板を造る。
れた絶縁膜ＥＳＤに接触するように、吐出孔ＮＨが設け
られたノズルプレートＮＢを貼り付けインク溜まりＩＴ
を形成し、インクジェットプリンタヘッド基板を造る。
【００６３】上記の上電極ＵＥ、圧電体薄膜ＰＺおよび
導電性膜である振動板兼電極ＢＥのパターニング形状を
一致させるため、エッチング方法は、電界や電磁界で高
エネルギー化した粒子を照射し、材質によらずエッチン
グできるエッチング方法がよい。
導電性膜である振動板兼電極ＢＥのパターニング形状を
一致させるため、エッチング方法は、電界や電磁界で高
エネルギー化した粒子を照射し、材質によらずエッチン
グできるエッチング方法がよい。
【００６４】図１６に示すように、１００℃、６０％の
硝酸溶液で３０分以上洗浄し、表面を清浄にした単結晶
シリコン基板ＳＩを用意した。単結晶シリコン基板の面
方向は（１１０）面である。この面方向は（１１０）面
に限らず、インク供給路の形成パターンに応じて採用す
ればよい。
硝酸溶液で３０分以上洗浄し、表面を清浄にした単結晶
シリコン基板ＳＩを用意した。単結晶シリコン基板の面
方向は（１１０）面である。この面方向は（１１０）面
に限らず、インク供給路の形成パターンに応じて採用す
ればよい。
【００６５】次に、図１７に示すように単結晶シリコン
基板ＳＩの表面に、絶縁膜ＳＤを形成した。具体的に
は、熱酸化炉の中に単結晶シリコン基板ＳＩを挿入し、
純度99.999％以上の酸素を酸化炉中に導入して、温度11
00℃、５時間でシリコン酸化膜を１μmの厚みで形成し
た。熱酸化膜の形成方法はこれに限らず、例えばウェッ
ト酸化によるシリコン酸化膜や、減圧化学気相成長法、
常圧化学気相成長法、電子サイクロトロン共鳴化学気相
成長法によるシリコン酸化膜でも良い。
基板ＳＩの表面に、絶縁膜ＳＤを形成した。具体的に
は、熱酸化炉の中に単結晶シリコン基板ＳＩを挿入し、
純度99.999％以上の酸素を酸化炉中に導入して、温度11
00℃、５時間でシリコン酸化膜を１μmの厚みで形成し
た。熱酸化膜の形成方法はこれに限らず、例えばウェッ
ト酸化によるシリコン酸化膜や、減圧化学気相成長法、
常圧化学気相成長法、電子サイクロトロン共鳴化学気相
成長法によるシリコン酸化膜でも良い。
【００６６】次に、図１８に示すように単結晶シリコン
膜ＳＤの片面に形成されたシリコン酸化膜ＳＤ上に、イ
ンクジェットプリンタヘッドの振動板を兼ねた圧電体薄
膜の電極ＢＥを被着形成した。電極ＢＥの形成方法は、
スパッタ法、蒸着法、有機金属化学気相成長法、メッキ
法のいずれの方法でも良い。また、電極ＢＥの材質は、
導電性物質であり、アクチュエーターの振動板として機
械的耐性のあるものであればよい。
膜ＳＤの片面に形成されたシリコン酸化膜ＳＤ上に、イ
ンクジェットプリンタヘッドの振動板を兼ねた圧電体薄
膜の電極ＢＥを被着形成した。電極ＢＥの形成方法は、
スパッタ法、蒸着法、有機金属化学気相成長法、メッキ
法のいずれの方法でも良い。また、電極ＢＥの材質は、
導電性物質であり、アクチュエーターの振動板として機
械的耐性のあるものであればよい。
【００６７】スパッタ法による厚みが８００ｎｍの白金
の電極ＢＥの形成方法を説明すると、ロードロック室を
設けた枚葉式のスパッタ装置を用いて、初期真空度１０
-7torr以下で表面にシリコン酸化膜を形成したシリコン
基板を反応室に導入し、圧力0.6Pa、スパッタガスであ
るArの流量が５０sccmであり、基板温度250℃で、出力
が１kWで、時間２０分の条件で、厚みが800nmの白金薄
膜をシリコン酸化膜上に被着形成した。シリコン酸化膜
上の白金薄膜は、例えばＡｌやＣｒなどの反応性に富む
金属膜に比べて著しく密着性が劣るので、シリコン酸化
膜と白金薄膜の間に、数ｎｍから数十ｎｍの厚みのチタ
ニア薄膜を成膜して、十分な密着力を確保している。
の電極ＢＥの形成方法を説明すると、ロードロック室を
設けた枚葉式のスパッタ装置を用いて、初期真空度１０
-7torr以下で表面にシリコン酸化膜を形成したシリコン
基板を反応室に導入し、圧力0.6Pa、スパッタガスであ
るArの流量が５０sccmであり、基板温度250℃で、出力
が１kWで、時間２０分の条件で、厚みが800nmの白金薄
膜をシリコン酸化膜上に被着形成した。シリコン酸化膜
上の白金薄膜は、例えばＡｌやＣｒなどの反応性に富む
金属膜に比べて著しく密着性が劣るので、シリコン酸化
膜と白金薄膜の間に、数ｎｍから数十ｎｍの厚みのチタ
ニア薄膜を成膜して、十分な密着力を確保している。
【００６８】次に、図１９に示すように、電極ＢＥ上に
圧電体薄膜ＰＺを被着形成した。圧電体薄膜ＰＺの材質
は、チタン酸ジルコン酸鉛あるいは、各種不純物が入っ
たチタン酸ジルコン酸鉛のいずれかであるが、本発明
は、いずれの圧電体薄膜でも利用できる。
圧電体薄膜ＰＺを被着形成した。圧電体薄膜ＰＺの材質
は、チタン酸ジルコン酸鉛あるいは、各種不純物が入っ
たチタン酸ジルコン酸鉛のいずれかであるが、本発明
は、いずれの圧電体薄膜でも利用できる。
【００６９】圧電体薄膜の形成方法は、ゾル状態の鉛、
チタン、ジルコニウムを含有した有機金属溶液をスピン
コーティング法で成膜し、ラピットサーマルアニーリン
グ法により焼成固化し、セラミック状態の圧電体薄膜Ｐ
Ｚにした。圧電体薄膜ＰＺの厚みは約１μmである。チ
タン酸ジルコン酸鉛の圧電体薄膜ＰＺの製造方法には、
このほかにスパッタ法がある。
チタン、ジルコニウムを含有した有機金属溶液をスピン
コーティング法で成膜し、ラピットサーマルアニーリン
グ法により焼成固化し、セラミック状態の圧電体薄膜Ｐ
Ｚにした。圧電体薄膜ＰＺの厚みは約１μmである。チ
タン酸ジルコン酸鉛の圧電体薄膜ＰＺの製造方法には、
このほかにスパッタ法がある。
【００７０】次に、図２０に示すように、圧電体薄膜Ｐ
Ｚ上に圧電体薄膜に電圧を印加するためのもう一方の上
電極ＵＥを被着形成した。上電極ＵＥの材質は導電性膜
であり、好ましくは白金薄膜、アルミニウム薄膜、シリ
コンと銅を不純物として含んだアルミニウム薄膜、クロ
ム薄膜などの金属薄膜がよい。ここでは、特に白金薄膜
を利用した。白金薄膜はスパッタ法で成膜し、厚みは１
００ｎｍから２００ｎｍである。白金薄膜の他、ヤング
率が小さなアルミニウム薄膜が利用できた。
Ｚ上に圧電体薄膜に電圧を印加するためのもう一方の上
電極ＵＥを被着形成した。上電極ＵＥの材質は導電性膜
であり、好ましくは白金薄膜、アルミニウム薄膜、シリ
コンと銅を不純物として含んだアルミニウム薄膜、クロ
ム薄膜などの金属薄膜がよい。ここでは、特に白金薄膜
を利用した。白金薄膜はスパッタ法で成膜し、厚みは１
００ｎｍから２００ｎｍである。白金薄膜の他、ヤング
率が小さなアルミニウム薄膜が利用できた。
【００７１】次に、図２１に示すように、単結晶シリコ
ン基板ＳＤの圧電体薄膜が形成されていない側のシリコ
ン酸化膜ＳＤ上に、フォトリソグラフィー法によってイ
ンク供給路状にパターニングされたレジスト薄膜ＲＳを
被着形成した。
ン基板ＳＤの圧電体薄膜が形成されていない側のシリコ
ン酸化膜ＳＤ上に、フォトリソグラフィー法によってイ
ンク供給路状にパターニングされたレジスト薄膜ＲＳを
被着形成した。
【００７２】次に、図２２に示すように、レジスト薄膜
ＲＳに被覆されていない領域のシリコン酸化膜ＳＤをエ
ッチング除去した。エッチング方法は、フッ酸あるいは
フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を利用した湿式エ
ッチング方法、または、ラジカル化したフレオンガスを
エッチャントに用いたドライエッチング法のいずれでも
本発明を実行できる。
ＲＳに被覆されていない領域のシリコン酸化膜ＳＤをエ
ッチング除去した。エッチング方法は、フッ酸あるいは
フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を利用した湿式エ
ッチング方法、または、ラジカル化したフレオンガスを
エッチャントに用いたドライエッチング法のいずれでも
本発明を実行できる。
【００７３】次に、図２３に示すようにマスク材のレジ
スト薄膜ＲＳを剥離除去する。除去方法は、フェノール
を含んだ有機溶媒へ圧電体薄膜を形成したシリコン基板
を浸漬し、９０℃で３０ｍｉｎ加熱した。あるいは酸素
を反応ガスに利用した高周波プラズマ発生装置で除去す
る方法でも容易に除去できる。
スト薄膜ＲＳを剥離除去する。除去方法は、フェノール
を含んだ有機溶媒へ圧電体薄膜を形成したシリコン基板
を浸漬し、９０℃で３０ｍｉｎ加熱した。あるいは酸素
を反応ガスに利用した高周波プラズマ発生装置で除去す
る方法でも容易に除去できる。
【００７４】次に、図２４に示すように、単結晶シリコ
ン基板ＳＩのシリコン酸化膜を除去した領域に重なり、
シリコン酸化膜を除去した領域よりも狭い領域になるよ
う、上電極ＵＥ上にフォトリソグラフィー法によってパ
ターニングした第２のレジスト薄膜ＲＳＤを被着形成し
た。
ン基板ＳＩのシリコン酸化膜を除去した領域に重なり、
シリコン酸化膜を除去した領域よりも狭い領域になるよ
う、上電極ＵＥ上にフォトリソグラフィー法によってパ
ターニングした第２のレジスト薄膜ＲＳＤを被着形成し
た。
【００７５】次に、図２５に示すようにレジスト薄膜Ｒ
ＳＤをマスクとして、上電極ＵＥをエッチング除去しパ
ターニングされた電極ＥＵＥを形成した。エッチング方
法は、上電極ＵＥの材質が白金薄膜である場合、５００
〜８００ｅＶの高エネルギーであるアルゴンイオンを白
金薄膜に照射することによる、いわゆるイオンミーリン
グ法である。
ＳＤをマスクとして、上電極ＵＥをエッチング除去しパ
ターニングされた電極ＥＵＥを形成した。エッチング方
法は、上電極ＵＥの材質が白金薄膜である場合、５００
〜８００ｅＶの高エネルギーであるアルゴンイオンを白
金薄膜に照射することによる、いわゆるイオンミーリン
グ法である。
【００７６】次に、図２６に示すようにレジスト薄膜Ｒ
ＳＤを残したまま、上電極ＵＥのエッチングに続いて圧
電体薄膜ＰＺをエッチングした。エッチング方法は、５
００〜８００ｅＶの高エネルギーであるアルゴンイオン
を圧電体薄膜に照射することによる、いわゆるイオンミ
ーリング法である。
ＳＤを残したまま、上電極ＵＥのエッチングに続いて圧
電体薄膜ＰＺをエッチングした。エッチング方法は、５
００〜８００ｅＶの高エネルギーであるアルゴンイオン
を圧電体薄膜に照射することによる、いわゆるイオンミ
ーリング法である。
【００７７】次に、図２７に示すようにレジスト薄膜Ｒ
ＳＤを残したまま、電極ＢＥをエッチングする。この電
極ＢＥのエッチングは、全膜厚に渡ってエッチング除去
するのではなく、図２７に示すようにｔｚ３の厚みで、
つまり４００ｎｍの厚み分エッチング除去した。エッチ
ング方法は、５００〜８００ｅＶの高エネルギーである
アルゴンイオンを圧電体薄膜に照射することによる、い
わゆるイオンミーリング法でエッチング除去した。
ＳＤを残したまま、電極ＢＥをエッチングする。この電
極ＢＥのエッチングは、全膜厚に渡ってエッチング除去
するのではなく、図２７に示すようにｔｚ３の厚みで、
つまり４００ｎｍの厚み分エッチング除去した。エッチ
ング方法は、５００〜８００ｅＶの高エネルギーである
アルゴンイオンを圧電体薄膜に照射することによる、い
わゆるイオンミーリング法でエッチング除去した。
【００７８】この実施形態のように、上電極ＵＥと圧電
体薄膜ＰＺと電極ＢＥを連続して高エネルギーを持った
アルゴンイオンを照射することによって異方性エッチン
グすることによって、上電極ＵＥと圧電体薄膜ＰＺは同
じマスク材であるレジスト薄膜ＲＳＤに従ってパターニ
ングされるので、ズレが１μm以内で一致したパターン
形状となる。また、圧電体薄膜ＰＺのパターンと電極Ｂ
Ｅのエッチングされていない領域のずれも１μm以内と
なる。
体薄膜ＰＺと電極ＢＥを連続して高エネルギーを持った
アルゴンイオンを照射することによって異方性エッチン
グすることによって、上電極ＵＥと圧電体薄膜ＰＺは同
じマスク材であるレジスト薄膜ＲＳＤに従ってパターニ
ングされるので、ズレが１μm以内で一致したパターン
形状となる。また、圧電体薄膜ＰＺのパターンと電極Ｂ
Ｅのエッチングされていない領域のずれも１μm以内と
なる。
【００７９】このエッチングにより、被エッチング膜ば
かりでなく、マスク材のレジスト薄膜もエッチングされ
る。この高エネルギーであるアルゴンイオンの照射によ
る白金とノボラック樹脂系のレジスト薄膜のエッチング
速度比は、２：１であり、チタン酸ジルコン酸鉛とノボ
ラック樹脂系のレジストのエッチング速度比は、１：１
であった。このため、マスク材のレジストＲＳＤの膜厚
は１．８〜２．５μｍの厚みとした。
かりでなく、マスク材のレジスト薄膜もエッチングされ
る。この高エネルギーであるアルゴンイオンの照射によ
る白金とノボラック樹脂系のレジスト薄膜のエッチング
速度比は、２：１であり、チタン酸ジルコン酸鉛とノボ
ラック樹脂系のレジストのエッチング速度比は、１：１
であった。このため、マスク材のレジストＲＳＤの膜厚
は１．８〜２．５μｍの厚みとした。
【００８０】次に、図２８に示すようにレジスト薄膜Ｒ
ＳＤを、フェノール系有機溶剤中で溶解除去、あるいは
酸素ガスを用いた高周波プラズマエッチング装置を利用
してレジスト薄膜を除去した。
ＳＤを、フェノール系有機溶剤中で溶解除去、あるいは
酸素ガスを用いた高周波プラズマエッチング装置を利用
してレジスト薄膜を除去した。
【００８１】次に、図２９に示すように、単結晶シリコ
ン基板ＳＤの圧電体薄膜が形成されていない側の面の、
シリコン表面が露出している領域をエッチングし、溝Ｃ
Ｖを形成した。このエッチング方法は、８０℃の５％〜
４０％の水酸化カリウム水溶液中に、シリコン基板を８
０分から３時間浸し、単結晶シリコン基板ＳＤの圧電体
薄膜が形成されている側のシリコン酸化膜ＳＤが露出す
るまで、シリコンをエッチング除去する。このシリコン
のエッチングの際には、圧電体薄膜がエッチング溶液に
接触しないように、圧電体薄膜側のシリコン基板表面を
エッチング溶液に侵されない保護膜を形成したり、隔壁
を設けたりすればよい。
ン基板ＳＤの圧電体薄膜が形成されていない側の面の、
シリコン表面が露出している領域をエッチングし、溝Ｃ
Ｖを形成した。このエッチング方法は、８０℃の５％〜
４０％の水酸化カリウム水溶液中に、シリコン基板を８
０分から３時間浸し、単結晶シリコン基板ＳＤの圧電体
薄膜が形成されている側のシリコン酸化膜ＳＤが露出す
るまで、シリコンをエッチング除去する。このシリコン
のエッチングの際には、圧電体薄膜がエッチング溶液に
接触しないように、圧電体薄膜側のシリコン基板表面を
エッチング溶液に侵されない保護膜を形成したり、隔壁
を設けたりすればよい。
【００８２】単結晶シリコン基板の面が（１１０）面で
ある場合、溝ＣＶを形成している壁の面が（１１１）面
が現れるように、設計してあれば水酸化カリウム水溶液
に対する単結晶シリコンの（１１１）面のエッチングレ
ートは、（１１０）面に比べ１００〜２００分の１なの
で、溝ＣＶの壁は、単結晶シリコン基板のデバイス形成
面に対して、ほとんど垂直に形成される。
ある場合、溝ＣＶを形成している壁の面が（１１１）面
が現れるように、設計してあれば水酸化カリウム水溶液
に対する単結晶シリコンの（１１１）面のエッチングレ
ートは、（１１０）面に比べ１００〜２００分の１なの
で、溝ＣＶの壁は、単結晶シリコン基板のデバイス形成
面に対して、ほとんど垂直に形成される。
【００８３】次に、図３０に示すように、上記のエッチ
ングで形成された溝ＣＶを覆うように、厚み０．１ｍｍ
から1mmのノズルプレートＮＢをシリコン酸化膜ＳＤ表
面に貼り付け、インクが溜まるタンクＩＴを形成する。
ノズルプレートＮＢの材質はステンレス、銅、プラスチ
ック、シリコン基板などヤング率が高く、剛性が高いも
のである。また、貼り付け方法は、接着剤を用いたり、
酸化シリコン膜ＳＤと板の間の静電気力による方法があ
る。このノズルプレートＮＢには、圧電体薄膜ＰＺの駆
動で振動板兼電極ＢＥが振動することによって、溝ＣＶ
に溜まったインクを外界に出す吐出孔ＮＨが設けられて
いる。
ングで形成された溝ＣＶを覆うように、厚み０．１ｍｍ
から1mmのノズルプレートＮＢをシリコン酸化膜ＳＤ表
面に貼り付け、インクが溜まるタンクＩＴを形成する。
ノズルプレートＮＢの材質はステンレス、銅、プラスチ
ック、シリコン基板などヤング率が高く、剛性が高いも
のである。また、貼り付け方法は、接着剤を用いたり、
酸化シリコン膜ＳＤと板の間の静電気力による方法があ
る。このノズルプレートＮＢには、圧電体薄膜ＰＺの駆
動で振動板兼電極ＢＥが振動することによって、溝ＣＶ
に溜まったインクを外界に出す吐出孔ＮＨが設けられて
いる。
【００８４】次に図１３の実施形態の製造方法について
説明する。この実施形態では、前記の図１６から図２９
までの工程は同じである。図３１に示すように、図１９
の工程の後、シリコンをエッチング除去して表面が露出
している酸化シリコン膜を、フッ酸水溶液またはフッ酸
とフッ化アンモニウム混合液でエッチング除去し、振動
板兼電極ＢＥの表面を露出させる。
説明する。この実施形態では、前記の図１６から図２９
までの工程は同じである。図３１に示すように、図１９
の工程の後、シリコンをエッチング除去して表面が露出
している酸化シリコン膜を、フッ酸水溶液またはフッ酸
とフッ化アンモニウム混合液でエッチング除去し、振動
板兼電極ＢＥの表面を露出させる。
【００８５】酸化シリコン膜のエッチング方法は、この
湿式エッチングばかりでなく、高周波で発生したプラズ
マを照射することによるドライエッチング法でもよい。
湿式エッチングばかりでなく、高周波で発生したプラズ
マを照射することによるドライエッチング法でもよい。
【００８６】次に、図３２に示すように、上記のエッチ
ングで形成された溝ＣＶを覆うように、既述のズルプレ
ートＮＢをシリコン酸化膜ＳＤ表面に貼り付ける。
ングで形成された溝ＣＶを覆うように、既述のズルプレ
ートＮＢをシリコン酸化膜ＳＤ表面に貼り付ける。
【００８７】次に図１４に示す実施の形態の製造方法に
ついて説明する。この実施形態では、前記の図１６から
図２６までの工程は同じである。図３３に示すように、
図２６の工程の後、第１の導電性膜である振動板兼電極
ＢＥをマスク材ＲＳＤに従ってエッチング除去する。次
に、図３４に示すようにマスク材ＲＳＤを剥離除去す
る。次に、図３５に示すように、パターニングされた絶
縁膜ＥＳＤをマスクにして基板ＳＩをエッチング除去し
溝ＣＶを形成する。
ついて説明する。この実施形態では、前記の図１６から
図２６までの工程は同じである。図３３に示すように、
図２６の工程の後、第１の導電性膜である振動板兼電極
ＢＥをマスク材ＲＳＤに従ってエッチング除去する。次
に、図３４に示すようにマスク材ＲＳＤを剥離除去す
る。次に、図３５に示すように、パターニングされた絶
縁膜ＥＳＤをマスクにして基板ＳＩをエッチング除去し
溝ＣＶを形成する。
【００８８】次いで、図３６に示すように、溝ＣＶを覆
うように、ノズルプレートＮＢをパターニングされた絶
縁膜ＥＳＤに貼り付け、インク溜まりＩＴを形成し、イ
ンクジェット式記録ヘッド基板を造る。
うように、ノズルプレートＮＢをパターニングされた絶
縁膜ＥＳＤに貼り付け、インク溜まりＩＴを形成し、イ
ンクジェット式記録ヘッド基板を造る。
【００８９】この実施形態では、マスク材のレジストＲ
ＳＤの膜厚は２〜３μmの厚みとした。図３４示すよう
にレジスト薄膜ＲＳＤを、フェノール系有機溶剤中で溶
解除去、あるいは酸素ガスを用いた高周波プラズマエッ
チング装置を利用してレジスト薄膜を除去した。
ＳＤの膜厚は２〜３μmの厚みとした。図３４示すよう
にレジスト薄膜ＲＳＤを、フェノール系有機溶剤中で溶
解除去、あるいは酸素ガスを用いた高周波プラズマエッ
チング装置を利用してレジスト薄膜を除去した。
【００９０】次に図１５の実施形態の製造方法について
説明する。前記の図１６から図２６までの工程は同じで
ある。
説明する。前記の図１６から図２６までの工程は同じで
ある。
【００９１】次に、図３７に示すように、図２６の工程
の後、第１の導電性膜である振動板兼電極ＢＥをレジス
ト薄膜ＲＳＤをマスクにしてエッチング除去する。次
に、図３８に示すように、厚みｔｄ１の絶縁膜ＶＰをマ
スク材ＲＳＤに従ってｔｄ２の厚みを残すように表面か
らｔｄ３分をエッチングする。次に、図３９に示すよう
に、マスク材ＲＳＤを剥離除去する。
の後、第１の導電性膜である振動板兼電極ＢＥをレジス
ト薄膜ＲＳＤをマスクにしてエッチング除去する。次
に、図３８に示すように、厚みｔｄ１の絶縁膜ＶＰをマ
スク材ＲＳＤに従ってｔｄ２の厚みを残すように表面か
らｔｄ３分をエッチングする。次に、図３９に示すよう
に、マスク材ＲＳＤを剥離除去する。
【００９２】次に、図４０に示すように、エッチングさ
れた絶縁膜ＥＳＤをマスク材として基板ＳＩをエッチン
グ除去し、溝ＣＶを形成する。さらに、図４１に示すよ
うにエッチングされた絶縁膜ＥＳＤに接触するように、
吐出孔ＮＨが設けられたノズルプレートＮＢを貼り付け
インク溜まりＩＴを形成し、インクジェット式記録ヘッ
ド基板を造る。
れた絶縁膜ＥＳＤをマスク材として基板ＳＩをエッチン
グ除去し、溝ＣＶを形成する。さらに、図４１に示すよ
うにエッチングされた絶縁膜ＥＳＤに接触するように、
吐出孔ＮＨが設けられたノズルプレートＮＢを貼り付け
インク溜まりＩＴを形成し、インクジェット式記録ヘッ
ド基板を造る。
【００９３】図３７に示すように、図２６の工程の後、
振動板兼電極ＢＥをレジスト薄膜ＲＳＤをマスクにして
エッチング除去する。エッチング方法は、５００〜８０
０ｅＶの高エネルギーであるアルゴンイオンを振動板兼
電極ＢＥに照射することによる、いわゆるイオンミーリ
ング法である。このエッチング方法に限らず、異方性の
高エネルギー粒子を照射して実施するドライエッチング
ならば振動板兼電極ＢＥをエッチング除去できる。
振動板兼電極ＢＥをレジスト薄膜ＲＳＤをマスクにして
エッチング除去する。エッチング方法は、５００〜８０
０ｅＶの高エネルギーであるアルゴンイオンを振動板兼
電極ＢＥに照射することによる、いわゆるイオンミーリ
ング法である。このエッチング方法に限らず、異方性の
高エネルギー粒子を照射して実施するドライエッチング
ならば振動板兼電極ＢＥをエッチング除去できる。
【００９４】次に、図３８に示すように、厚みｔｄ１の
振動板ＶＰをレジスト薄膜ＲＳＤをマスクにしてｔｄ２
の厚みを残すようにｔｄ３分の５００ｎｍの厚みの振動
板ＶＰをエッチングする。
振動板ＶＰをレジスト薄膜ＲＳＤをマスクにしてｔｄ２
の厚みを残すようにｔｄ３分の５００ｎｍの厚みの振動
板ＶＰをエッチングする。
【００９５】この製造方法によっても、圧電体薄膜ＰＺ
のパターンと電極ＢＥのエッチングされていない領域の
ずれも１μm以内となる。なお、マスク材のレジストＲ
ＳＤの膜厚は２．５〜３．５μmの厚みであった。
のパターンと電極ＢＥのエッチングされていない領域の
ずれも１μm以内となる。なお、マスク材のレジストＲ
ＳＤの膜厚は２．５〜３．５μmの厚みであった。
【００９６】次に、図３９に示すようにレジスト薄膜Ｒ
ＳＤを、フェノール系有機溶剤中で溶解除去、あるいは
酸素ガスを用いた高周波プラズマエッチング装置を利用
してレジスト薄膜を除去した。
ＳＤを、フェノール系有機溶剤中で溶解除去、あるいは
酸素ガスを用いた高周波プラズマエッチング装置を利用
してレジスト薄膜を除去した。
【００９７】次に、レジスト薄膜ＲＳＤを除去した後、
図４０に示すように、単結晶シリコン基板ＳＤの圧電体
薄膜が形成されていない側の面の、シリコン表面が露出
している領域をエッチングし、溝ＣＶを形成した。この
シリコンのエッチングの際には、圧電体薄膜がエッチン
グ溶液に接触しないように、圧電体薄膜側のシリコン基
板表面をエッチング溶液に侵されない保護膜を形成した
り、隔壁を設けたりすればよい。
図４０に示すように、単結晶シリコン基板ＳＤの圧電体
薄膜が形成されていない側の面の、シリコン表面が露出
している領域をエッチングし、溝ＣＶを形成した。この
シリコンのエッチングの際には、圧電体薄膜がエッチン
グ溶液に接触しないように、圧電体薄膜側のシリコン基
板表面をエッチング溶液に侵されない保護膜を形成した
り、隔壁を設けたりすればよい。
【００９８】次に、図４１に示すように、上記のエッチ
ングで形成された溝ＣＶを覆うように、ノズルプレート
ＮＢをシリコン酸化膜ＳＤ表面に貼り付け、インクが溜
まるタンクＩＴを形成する。
ングで形成された溝ＣＶを覆うように、ノズルプレート
ＮＢをシリコン酸化膜ＳＤ表面に貼り付け、インクが溜
まるタンクＩＴを形成する。
【００９９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のインクジ
ェット式記録ヘッドによれば、圧電体薄膜と電極とのパ
ターンずれがないために圧電体薄膜に有効に電界印加さ
れ、十分な変位を得ることができ、結果的にはインクジ
ェット式記録ヘッドの吐出性能が向上し、かつ安定す
る。さらに、マスク一枚で上電極と圧電体薄膜がパター
ニングされ生産性が向上する。
ェット式記録ヘッドによれば、圧電体薄膜と電極とのパ
ターンずれがないために圧電体薄膜に有効に電界印加さ
れ、十分な変位を得ることができ、結果的にはインクジ
ェット式記録ヘッドの吐出性能が向上し、かつ安定す
る。さらに、マスク一枚で上電極と圧電体薄膜がパター
ニングされ生産性が向上する。
【０１００】さらに、この記録ヘッドの構造は、インク
を吐出するための能動素子の振動板の振動能力が、従来
の構造に比べて格段に大きいことから、次の効果があ
る。
を吐出するための能動素子の振動板の振動能力が、従来
の構造に比べて格段に大きいことから、次の効果があ
る。
【０１０１】（１）振動板の振動量が大きいことから、
インク保持室の体積変位が大きくなるので、従来より多
量のインクを吐出可能となるので、より鮮明な印字品質
を実現するインクジェットプリンタを構成できる。
インク保持室の体積変位が大きくなるので、従来より多
量のインクを吐出可能となるので、より鮮明な印字品質
を実現するインクジェットプリンタを構成できる。
【０１０２】（２）振動板の振動量が大きいことから、
単位体積あたりのインク保持室の体積変位が大きくなる
ので、インク吐出量が従来と同じならば、従来より小さ
な体積のインク保持室を設置すればよいので、インクジ
ェット式記録ヘッドの大きさが、従来より小さくなるの
で、よりコンパクトなインクジェット記録装置を構成で
きる。
単位体積あたりのインク保持室の体積変位が大きくなる
ので、インク吐出量が従来と同じならば、従来より小さ
な体積のインク保持室を設置すればよいので、インクジ
ェット式記録ヘッドの大きさが、従来より小さくなるの
で、よりコンパクトなインクジェット記録装置を構成で
きる。
【０１０３】（３）振動板の振動量が大きいことから、
圧電体薄膜の変位能力が従来より小さくてもインクジェ
ット式記録ヘッドヘッドを構成できる。このため、圧電
体薄膜が数μmでもよいので、バルクの圧電体薄膜を使
用する必要が無くなり、スピンナーによる成膜や、スパ
ッタ法による簡易的に圧電体素子を形成できる。このた
めインクジェット式記録へッドが大量生産が可能な薄膜
プロセスで構成できるので、安価で高品質のインクジェ
ット式記録ヘッドを提供できる。
圧電体薄膜の変位能力が従来より小さくてもインクジェ
ット式記録ヘッドヘッドを構成できる。このため、圧電
体薄膜が数μmでもよいので、バルクの圧電体薄膜を使
用する必要が無くなり、スピンナーによる成膜や、スパ
ッタ法による簡易的に圧電体素子を形成できる。このた
めインクジェット式記録へッドが大量生産が可能な薄膜
プロセスで構成できるので、安価で高品質のインクジェ
ット式記録ヘッドを提供できる。
【０１０４】（４）高エネルギー粒子を照射するエッチ
ング方法をパターニングに利用するため、圧電体薄膜、
電圧を印加するための電極、およびコンプライアンス増
加のそれぞれのエッチングパターンが非常に精度高く一
致するため、素子毎の容量が揃うので、印字品質の均一
性が極めて高いインクジェット式記録ヘッドを提供でき
る。
ング方法をパターニングに利用するため、圧電体薄膜、
電圧を印加するための電極、およびコンプライアンス増
加のそれぞれのエッチングパターンが非常に精度高く一
致するため、素子毎の容量が揃うので、印字品質の均一
性が極めて高いインクジェット式記録ヘッドを提供でき
る。
【図１】本発明の実施例１におけるインクジェット式記
録ヘッドの製造方法の第１の工程図。
録ヘッドの製造方法の第１の工程図。
【図２】本発明の実施例１におけるインクジェット式記
録ヘッドの製造方法の第２の工程図。
録ヘッドの製造方法の第２の工程図。
【図３】本発明の実施例１におけるインクジェット式記
録ヘッドの製造方法の第３の工程図。
録ヘッドの製造方法の第３の工程図。
【図４】本発明の実施例１におけるインクジェット式記
録ヘッドの製造方法の第４の工程図。
録ヘッドの製造方法の第４の工程図。
【図５】本発明の実施例１におけるインクジェット式記
録ヘッドの製造方法の第５の工程図。
録ヘッドの製造方法の第５の工程図。
【図６】本発明の実施例１におけるインクジェット式記
録ヘッドの製造方法の第６の工程図。
録ヘッドの製造方法の第６の工程図。
【図７】本発明の実施例１におけるインクジェット式記
録ヘッドの製造方法の第７の工程図。
録ヘッドの製造方法の第７の工程図。
【図８】本発明の実施例１におけるインクジェット式記
録ヘッドの製造方法の第８の工程図。
録ヘッドの製造方法の第８の工程図。
【図９】本発明の実施例１におけるインクジェット式記
録装置に用いた時の概念を模式的に表す断面図。
録装置に用いた時の概念を模式的に表す断面図。
【図１０】従来技術でのインクジェット式記録ヘッドの
概略断面図。
概略断面図。
【図１１】従来技術での実際のインクジェット式記録ヘ
ッドの概略断面図。
ッドの概略断面図。
【図１２】本発明のインクジェット式記録ヘッドの断面
図。
図。
【図１３】本発明のインクジェット式記録ヘッドの断面
図。
図。
【図１４】本発明のインクジェット式記録ヘッドの断面
図。
図。
【図１５】本発明のインクジェット式記録ヘッドの断面
図。
図。
【図１６】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図１７】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図１８】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図１９】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図２０】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図２１】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図２２】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図２３】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図２４】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図２５】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図２６】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図２７】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図２８】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図２９】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図３０】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図３１】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図３２】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図３３】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図３４】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図３５】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図３６】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図３７】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図３８】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図３９】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図４０】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図４１】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法の工程断面図。
方法の工程断面図。
【図４２】従来例図。
１・・・ヘッド基台 ２・・・シリコン熱酸化膜 ３・・・共通電極 ４・・・圧電体薄膜 ５・・・上電極 ６・・・ネガレジスト ７・・・硬化したネガレジスト ８・・・振動板 ９・・・インク圧力室 １０・・・ノズルプレート ＢＥ・・・振動板兼電極 ＣＶ・・・溝 ＥＳＤ・・パターニングされた絶縁膜 ＥＵＥ・・エッチングされた上電極 ＩＴ・・・インク溜まり ＮＢ・・・ノズルプレート ＮＨ・・・インク吐出孔 ＰＺ・・・圧電体薄膜 ＲＳ・・・マスク ＲＳＤ・・マスク材 ＳＤ・・・絶縁膜 ＳＩ・・・基板 ＵＥ・・・電極 １０１・・・ヘッド基台 １０２・・・個別インク路 １０３・・・振動板 １０４・・・ＰＺＴ素子 １０５・・・共通電極 １０６・・・個別電極 ＶＰ・・・振動板
Claims (20)
- 【請求項１】 インクを噴射するノズルと、このノズル
と連通するインク溜まりと、このインク溜まり内のイン
クを加圧する振動板と、この振動板上に圧電体薄膜と、
この圧電体薄膜に対する電極と、を備え、前記圧電体薄
膜と前記電極とが同一形状にパターニングされているイ
ンクジェット式記録ヘッド。 - 【請求項２】 前記圧電体薄膜と電極が同時にエッチン
グされることにより同一形状にパターニングされてな
る、請求項１記載のインクジェット式記録ヘッド。 - 【請求項３】 前記電極が複数の圧電体薄膜のパターン
に対する共通電極と個別の圧電体薄膜に対する個別電極
からなり、この個別電極の共通電極表面に対向した投影
面積が前記圧電体薄膜表面の面積と同一である請求項１
記載のインクジェット式記録ヘッド。 - 【請求項４】 前記圧電体薄膜がゾルゲル法またはスパ
ッタ法で成膜された０．３〜５μｍの薄膜である請求項
１記載のインクジェット式記録ヘッド。 - 【請求項５】 前記圧電体薄膜は、前記振動板を介して
前記インク溜まり溝上で、この溝外に及ぶことなく形成
されており、前記圧電体薄膜に被着されていない領域の
振動板の厚みが、前記圧電体薄膜に被着されている領域
の振動板の厚みより薄い請求項１記載のインクジェット
式記録ヘッド。 - 【請求項６】 前記電極が複数の圧電体薄膜のパターン
に対する共通電極と個別の圧電体薄膜に対する個別電極
からなり、前記振動板がこの共通電極と絶縁膜とからな
り、この共通電極の前記圧電体薄膜に被着されていない
部分の厚みが、前記圧電体薄膜に被着されている部分の
厚みより小さい、請求項５記載のインクジェット式記録
ヘッド。 - 【請求項７】 前記電極が複数の圧電体薄膜のパターン
に対する共通電極と個別の圧電体薄膜に対する個別電極
からなり、前記振動板がこの共通電極から構成されてい
る請求項５記載のインクジェット式記録ヘッド。 - 【請求項８】 前記電極が個々の圧電体薄膜のパターン
に対する下電極と上電極からなり、前記振動板がこの下
電極と前記インク溜まり溝に臨む絶縁膜からなり、この
下電極が圧電体薄膜の領域のみに被着形成されている請
求項５記載のインクジェット式記録ヘッド。 - 【請求項９】 前記絶縁膜の前記圧電体薄膜が形成され
ていない領域が、この圧電体薄膜が形成されている領域
より薄い請求項８記載のインクジェット式記録ヘッド。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９いずれか１項に記載の
インクジェット式記録ヘッドを備えたインクジェット記
録装置。 - 【請求項１１】 基台にインクを噴射するノズルにイン
クを供給するためのインク溜まりを形成する第１の工程
と、 この基台上に、前記インク溜まり溝内のインクを加圧す
る振動板と、この振動板に対する加圧源となる圧電体薄
膜と、この圧電体薄膜に対する電極とを順次形成する第
２工程と、 前記圧電体薄膜と電極とを同時にパターニングする第３
工程と、 を備えたインクジェット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１２】 前記第２の工程が、前記電極を複数の
圧電体薄膜のパターンに対する共通電極と個別の圧電体
薄膜に対する個別電極から構成し、この個別電極の共通
電極表面に対向した投影面積が前記圧電体薄膜表面の面
積と同一になるようにした請求項１１記載のインクジェ
ット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１３】 前記第３工程が前記個別電極と圧電体
薄膜を一括でドライエッチングする工程である、請求項
１２記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１４】 前記ドライエッチングがイオンミリン
グ法または反応性イオンエッチング法である請求項１３
記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１５】 前記第２工程が前記圧電体薄膜をゾル
ゲル法またはスパッタ法で０．３〜５μｍの膜厚に形成
する工程を備える、請求項１１記載のインクジェット式
記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 前記第２の工程は、基板の表面上に絶
縁膜を被着形成する工程と、第１の電極を被着形成する
工程と、この電極上に圧電体薄膜を被着形成する工程
と、この圧電体薄膜上に第２の電極を被着形成する工程
とを備えてなり、 前記第３の工程は、フォトリソグラ
フィー法により、第２の電極上にレジストをパターニン
グする工程と、該レジストをマスクにして、第１のエッ
チング法により第２の電極と圧電体薄膜をパターニング
する工程と、第２のエッチング方法により第１の電極を
薄くする工程と、を備える請求項１１記載のインクジェ
ット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１７】 前記第２の工程は、基板の表面上に絶
縁膜を被着形成する工程と、第１の電極を被着形成する
工程と、該電極上に圧電体薄膜を被着形成する工程と、
該圧電体薄膜上に第２の電極を被着形成する工程と、を
備えてなり、前記第３の工程は、フォトリソグラフィー
法により、第２の電極上にレジストをパターニングする
工程と、該レジストをマスクにして、第１のエッチング
法により第２の電極と圧電体薄膜とをパターニングする
工程と、第２のエッチング方法により第１の電極の振動
板領域を除去する工程と、を備える請求項１１記載のイ
ンクジェット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１８】 前記第２の工程は、基板の表面上に絶
縁膜を被着形成する工程と、第１の電極を被着形成する
工程と、該電極上に圧電体薄膜を被着形成する工程と、
該圧電体薄膜上に第２の電極を被着形成する工程と、を
備えてなり、前記第３の工程は、フォトリソグラフィー
法により、第２の電極上にレジストをパターニングする
工程と、該レジストをマスクにして、第１のエッチング
法により第２の電極と圧電体薄膜とをパターニングする
工程と、第２のエッチング法により、露出した第１の電
極の振動板領域を除去し、さらに連続して振動板領域の
絶縁膜をエッチングして、前記絶縁膜を初期より薄くす
る請求項１１記載のインクジェット式記録ヘッドの製造
方法。 - 【請求項１９】 前記エッチング法が、高エネルギー粒
子を薄膜に照射する工程を含む、請求項１６乃至１８の
いずれか１項に記載のインクジェット式記録ヘッドの製
造方法。 - 【請求項２０】 インクを噴射するノズルと、このノズ
ルと連通するインク溜まりと、このインク溜まり内のイ
ンクを加圧する振動板と、この振動板上に圧電体薄膜
と、この圧電体薄膜に対する電極と、を備え、前記圧電
体薄膜は、前記振動板を介して前記インク溜まり溝上
で、この溝外に及ぶことなく形成されており、前記圧電
体薄膜に被着されていない領域の振動板の厚みが、前記
圧電体薄膜に被着されている領域の振動板の厚みより薄
いインクジェット式記録ヘッド。
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|---|---|---|---|
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| EP97101121A EP0786345B8 (en) | 1996-01-26 | 1997-01-24 | Ink jet recording head and manufacturing method therefor |
| DE69717175T DE69717175T2 (de) | 1996-01-26 | 1997-01-24 | Tintenstrahlaufzeichnungskopf und Herstellungsverfahren dafür |
| US09/238,980 US6402971B2 (en) | 1996-01-26 | 1999-01-28 | Ink jet recording head and manufacturing method therefor |
| US10/606,182 US7354140B2 (en) | 1996-01-26 | 2003-06-26 | Ink jet recording head having piezoelectric element and electrode patterned with same shape and without pattern shift therebetween |
| US11/481,848 US7673975B2 (en) | 1996-01-26 | 2006-07-07 | Ink jet recording head having piezoelectric element and electrode patterned with same shape and without pattern shift therebetween |
| US11/585,247 US7850288B2 (en) | 1996-01-26 | 2006-10-24 | Ink jet recording head having piezoelectric element and electrode patterned with same shape and without pattern shift therebetween |
| US11/844,966 US7827659B2 (en) | 1996-01-26 | 2007-08-24 | Method of manufacturing an ink jet recording head having piezoelectric element |
| US13/673,659 USRE45057E1 (en) | 1996-01-26 | 2012-11-09 | Method of manufacturing an ink jet recording head having piezoelectric element |
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| JP1211396 | 1996-01-26 | ||
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| JP8-35255 | 1996-02-22 | ||
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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