JPH02219654A - インクジェットヘッド及びその製造方法 - Google Patents
インクジェットヘッド及びその製造方法Info
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- JPH02219654A JPH02219654A JP4101989A JP4101989A JPH02219654A JP H02219654 A JPH02219654 A JP H02219654A JP 4101989 A JP4101989 A JP 4101989A JP 4101989 A JP4101989 A JP 4101989A JP H02219654 A JPH02219654 A JP H02219654A
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- Japan
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- dry film
- film
- liquid chamber
- semiconductor substrate
- piezoelectric
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- Pending
Links
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Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
肢且豆更
本発明は、インクジェットヘッドに関する。
従米反亙
本発明に係る従来技術としては、特開昭59−1593
56号公報、特公昭62−59672号公報、特公昭6
3−44067号公報がある。
56号公報、特公昭62−59672号公報、特公昭6
3−44067号公報がある。
特開昭59−159356号公報には、多数のインク供
給路、圧力室、流路、ノズルを一連の溝により形成する
点が開示されている。また、特公昭62−59672号
公報には、液体を吐出するための能動素子を設けた基体
上に、感光性樹脂の硬化層で形成されたインク流路溝に
沿って蓋部材を設けることによってインク流路を形成す
ることが開示されている。さらに、特公昭63−440
67号公報には、インク吐出圧発生素子を設けた基板上
に、感光性樹脂から成る第1の硬化膜を形成し、その上
に第2の硬化膜を設けてインク通路を形成し、さらにそ
の上に第3の硬化膜を設けてインク吐出を形成するイン
クジェットヘッドの製造方法が開示されている。
給路、圧力室、流路、ノズルを一連の溝により形成する
点が開示されている。また、特公昭62−59672号
公報には、液体を吐出するための能動素子を設けた基体
上に、感光性樹脂の硬化層で形成されたインク流路溝に
沿って蓋部材を設けることによってインク流路を形成す
ることが開示されている。さらに、特公昭63−440
67号公報には、インク吐出圧発生素子を設けた基板上
に、感光性樹脂から成る第1の硬化膜を形成し、その上
に第2の硬化膜を設けてインク通路を形成し、さらにそ
の上に第3の硬化膜を設けてインク吐出を形成するイン
クジェットヘッドの製造方法が開示されている。
このように従来から各種のインクジェット方式が提案さ
れ、或いは、実用化されてきているが、それぞれに長所
、短所をもっており、これといった方式が見つかってい
ないのが現状であるが、その中で現在実用化され、市販
されているものの内。
れ、或いは、実用化されてきているが、それぞれに長所
、短所をもっており、これといった方式が見つかってい
ないのが現状であるが、その中で現在実用化され、市販
されているものの内。
圧電素子を使用したものや、バブルジェット方式による
ドロップオンデマンド方式が比較的有望視されている。
ドロップオンデマンド方式が比較的有望視されている。
圧電素子を用いた方式にも各種あるが、圧電素子の大き
さが成る程度必要なのと、液室や、流路の関係から高密
度化しにくい欠点がある。又、圧電素子をカットしたり
、張り付けたり等の機械加工に近い作業が多く含まれる
関係から1品質のばらつきゃ、信頼性に欠けるなどの問
題がある。
さが成る程度必要なのと、液室や、流路の関係から高密
度化しにくい欠点がある。又、圧電素子をカットしたり
、張り付けたり等の機械加工に近い作業が多く含まれる
関係から1品質のばらつきゃ、信頼性に欠けるなどの問
題がある。
また、バブルジェット方式の欠点として、ヒータを発熱
させ、その熱でバブルを発生させてその力でインクを吐
出させているが、この時の熱によるストレスや、バブル
が壊れる時に発生する衝撃でヘッドがダメージを受け、
ヘッドの寿命があまり長くない等の欠点がある。
させ、その熱でバブルを発生させてその力でインクを吐
出させているが、この時の熱によるストレスや、バブル
が壊れる時に発生する衝撃でヘッドがダメージを受け、
ヘッドの寿命があまり長くない等の欠点がある。
且−一匁
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、
熱の発生によるストレスが無く長寿命で、又、同一基板
上にノズルを二次元的に配置することで高密度化して全
体のドツト密度を上げることが出来、又、ヘッドの製造
に当たっては半導体の製造設備や技術がそのまま利用出
来るようなインクジェットヘッド及びその製造方法を提
供することを目的としてなされたものである。
熱の発生によるストレスが無く長寿命で、又、同一基板
上にノズルを二次元的に配置することで高密度化して全
体のドツト密度を上げることが出来、又、ヘッドの製造
に当たっては半導体の製造設備や技術がそのまま利用出
来るようなインクジェットヘッド及びその製造方法を提
供することを目的としてなされたものである。
籠−一腹
本発明は、上記目的を達成するために、ノズルが設けら
れた半導体基板と、液室と流路が形成され、該半導体基
板上に積層された薄板と、前記液室より大きい範囲で該
薄板の液室上部に積層形成された振動板と、該振動板の
上に設けられた圧電振動子と、該圧電振動子の上に設け
られた上部電極とから成ること、更には、前記振動板、
上部電極及び圧電振動子を形成するとき、金属蒸着やス
パッター等の薄膜技術でもって形成すること、更には、
前記半導体基板上に感光性フィルムを圧着後、液室と流
路を写真蝕刻技術により形成し、その上から第2層目の
感光性フィルムをM層して前記薄板を形成すること、更
には、第2層目の液室部1分を振動板の形成工程以降に
エツチング除去すること、更には、前記圧電振動子をス
パッター等で形成後、分極処理をすること、更には、前
記半導体基板上にノズルを形成後、表面酸化処理やスパ
ッタリングにより酸化シリコン(Sin2)膜を形成す
ること、更には、前記同一半導体基板上に複数個のプリ
ントヘッドを二次元的に配列して形成したインクジェッ
トヘッド、或いは。
れた半導体基板と、液室と流路が形成され、該半導体基
板上に積層された薄板と、前記液室より大きい範囲で該
薄板の液室上部に積層形成された振動板と、該振動板の
上に設けられた圧電振動子と、該圧電振動子の上に設け
られた上部電極とから成ること、更には、前記振動板、
上部電極及び圧電振動子を形成するとき、金属蒸着やス
パッター等の薄膜技術でもって形成すること、更には、
前記半導体基板上に感光性フィルムを圧着後、液室と流
路を写真蝕刻技術により形成し、その上から第2層目の
感光性フィルムをM層して前記薄板を形成すること、更
には、第2層目の液室部1分を振動板の形成工程以降に
エツチング除去すること、更には、前記圧電振動子をス
パッター等で形成後、分極処理をすること、更には、前
記半導体基板上にノズルを形成後、表面酸化処理やスパ
ッタリングにより酸化シリコン(Sin2)膜を形成す
ること、更には、前記同一半導体基板上に複数個のプリ
ントヘッドを二次元的に配列して形成したインクジェッ
トヘッド、或いは。
(100)面を主平面とする半導体基板上に、ノズル加
工を行なって保護膜を形成する手段と、該半導体基板に
第1のドライフィルムを接着して。
工を行なって保護膜を形成する手段と、該半導体基板に
第1のドライフィルムを接着して。
流路と共通液室とオリフィス部とを露光する手段と、該
第1のドライフィルムを現像・除去して、流路と共通液
室とオリフィス部とを形成する手段と、更に第2のドラ
イフィルムを接着して、オリフィス部の露光のみを行な
う手段と、前記保護膜をスパッターして振動板を形成し
、該振動板上に下部電極を設ける手段と、該下部電極上
に圧電物質をスパッターして圧電膜を形成し、該圧電膜
上に上部電極を設ける手段と、前記オリフィス部の第2
のドライフィルムを現像・除去してヘッドを形成する手
段とから成るインクジェットヘッドの製造方法を特徴と
したものである。
第1のドライフィルムを現像・除去して、流路と共通液
室とオリフィス部とを形成する手段と、更に第2のドラ
イフィルムを接着して、オリフィス部の露光のみを行な
う手段と、前記保護膜をスパッターして振動板を形成し
、該振動板上に下部電極を設ける手段と、該下部電極上
に圧電物質をスパッターして圧電膜を形成し、該圧電膜
上に上部電極を設ける手段と、前記オリフィス部の第2
のドライフィルムを現像・除去してヘッドを形成する手
段とから成るインクジェットヘッドの製造方法を特徴と
したものである。
第1図は1本発明によるインクジェットヘッドの一実施
例を説明するための構成図で、図中、1は半導体基板、
2は第1のドライフィルム、3は第2のドライフィルム
、4は酸化シリコン(SiOz)、5は下部電極(AQ
) 、6j[ffi膜、7は上部電極(AQ)、8はノ
ズル、9はインク流路、10は共通液室、11はオリフ
ィスである。半導体基板1はSiから成り、その面はS
iO□から成る保護膜で被われている。第1層目の第1
のドライフィルム2には、液室10と流路9が形成され
る。第2層目の第2のドライフィルム3は、液室10と
流路9とをシールするためのものである。振動板は酸化
シリコン(SiOz)4から成っている。
例を説明するための構成図で、図中、1は半導体基板、
2は第1のドライフィルム、3は第2のドライフィルム
、4は酸化シリコン(SiOz)、5は下部電極(AQ
) 、6j[ffi膜、7は上部電極(AQ)、8はノ
ズル、9はインク流路、10は共通液室、11はオリフ
ィスである。半導体基板1はSiから成り、その面はS
iO□から成る保護膜で被われている。第1層目の第1
のドライフィルム2には、液室10と流路9が形成され
る。第2層目の第2のドライフィルム3は、液室10と
流路9とをシールするためのものである。振動板は酸化
シリコン(SiOz)4から成っている。
まず、(100)面を主平面とする半導体基板1上に異
方性エツチングでノズル8を形成し、表面やノズル面へ
保護膜としての酸化シリコン(S i O,)層を設け
る。
方性エツチングでノズル8を形成し、表面やノズル面へ
保護膜としての酸化シリコン(S i O,)層を設け
る。
ノズル8が形成された半導体基板1の上に第1のドライ
フィルム2を圧巻し、フォトリソで流路9、共通液室1
0やインク圧力室11を形成した後、第2層目の第2の
ドライフィルム3を前記第1のドライフィルム2に圧着
し、その後筒2のドライフィルム3のインク圧力室部分
を溶解除去するために露光を行う、但し、この工程では
インク圧力室部分の溶解除去は行なわず露光するだけに
留める0次にこのインク圧力室部分の上に振動板(Si
O,)4をスパッターで数ミクロンから数十ミクロンの
厚さに形成する。この振動板4は次の圧電膜6と一体で
バイモルフ形の振動体を形成する。次に振動板4の上に
圧ffi素子の電極となる下部電極5をアルミニウム(
AJ)やクロム白金(Cr−Pt)でリフトオフ法で形
成した後、圧電膜6部分を形成する。圧電膜6は、Zn
O。
フィルム2を圧巻し、フォトリソで流路9、共通液室1
0やインク圧力室11を形成した後、第2層目の第2の
ドライフィルム3を前記第1のドライフィルム2に圧着
し、その後筒2のドライフィルム3のインク圧力室部分
を溶解除去するために露光を行う、但し、この工程では
インク圧力室部分の溶解除去は行なわず露光するだけに
留める0次にこのインク圧力室部分の上に振動板(Si
O,)4をスパッターで数ミクロンから数十ミクロンの
厚さに形成する。この振動板4は次の圧電膜6と一体で
バイモルフ形の振動体を形成する。次に振動板4の上に
圧ffi素子の電極となる下部電極5をアルミニウム(
AJ)やクロム白金(Cr−Pt)でリフトオフ法で形
成した後、圧電膜6部分を形成する。圧電膜6は、Zn
O。
P b T i O3やPZT等の強誘電体物質で、圧
電特性を示すものをスパッタ等で数ミクロンから数十ミ
クロンの厚さに形成する。この形成された圧電膜6の上
に一方の電極となる上部電極7をアルミニウム(AΩ)
やクロム白金(Cr−Pt)でリフトオフ法で形成する
。i&後に第2暦日の第2のドライフィルム3のインク
圧力室部分で露光したまま残していた部分の溶解除去を
行いインク圧力室の形成を行う。但し、このインク圧力
室部分の溶解除去は振動板4が形成された後はどこで行
っても良い、これらが済んだ後、上下電極間に電圧を印
加し分極処理を行う。
電特性を示すものをスパッタ等で数ミクロンから数十ミ
クロンの厚さに形成する。この形成された圧電膜6の上
に一方の電極となる上部電極7をアルミニウム(AΩ)
やクロム白金(Cr−Pt)でリフトオフ法で形成する
。i&後に第2暦日の第2のドライフィルム3のインク
圧力室部分で露光したまま残していた部分の溶解除去を
行いインク圧力室の形成を行う。但し、このインク圧力
室部分の溶解除去は振動板4が形成された後はどこで行
っても良い、これらが済んだ後、上下電極間に電圧を印
加し分極処理を行う。
第2図Ca)〜(g)は本発明によるインクジェットヘ
ッドの製造方法を説明するための図で、第2図(a)に
おいて、半導体基板(Si)にノズル加工を行い、保護
膜(S i O2)を形成する。
ッドの製造方法を説明するための図で、第2図(a)に
おいて、半導体基板(Si)にノズル加工を行い、保護
膜(S i O2)を形成する。
第2図(b)において、半導体基板(Si)に第1のド
ライフィルムを接着して流路と共通液室とオリフィス部
を露光する。
ライフィルムを接着して流路と共通液室とオリフィス部
を露光する。
第2図(C)において、流路と共通液室とオリフィス部
を、第1のドライフィルムを現像・除去して形成する。
を、第1のドライフィルムを現像・除去して形成する。
第2図(d)において、第2のドライフィルムを接着し
、オリフィス部の露光のみ行い現像はしない。
、オリフィス部の露光のみ行い現像はしない。
第2図(e)において、5i02をスパッターして振動
板を形成する6振動板上に下部電極として金m薄膜(A
J2)を蒸着、又はスパッターする。
板を形成する6振動板上に下部電極として金m薄膜(A
J2)を蒸着、又はスパッターする。
第2図(f)において、下部電極上に圧電物質(PZT
)をスパッターして圧電膜を形成する。
)をスパッターして圧電膜を形成する。
圧電膜の上に上部電極として金a薄膜(A Q )を蒸
着、又はスパッターする。
着、又はスパッターする。
第2図(g)において、オリフィス部の第2のドライフ
ィルムを現像・除去する。
ィルムを現像・除去する。
羞−一来
以上の説明から明らかなように、本発明によると、熱に
よるストレスが無いので長寿命であり、同一基板上にノ
ズルを二次元的に配置するので高密度化が図れ、半導体
の製造で培った技術がそのまま使用8来て高密度のイン
クジェット・プリンタヘッドを作ることができる。
よるストレスが無いので長寿命であり、同一基板上にノ
ズルを二次元的に配置するので高密度化が図れ、半導体
の製造で培った技術がそのまま使用8来て高密度のイン
クジェット・プリンタヘッドを作ることができる。
第1図は1本発明によるインクジェットヘッドの一実施
例を説明するための構成図、第2図(、)〜(g)は1
本発明によるインクジェットヘッドの製造方法を説明す
るための図である。 1・・・半導体基板、2・・・第1のドライフィルム、
3・・・第3のドライフィルム、4・・・酸化シリコン
、5・・・下部電極、6・・・圧電膜、7・・・上部電
極、8・・・ノズル、9・・・インク流路、10・・・
共通液室、11・・・オリフィス。 + Q+ 第 図 第 図 /Si =コζ=3Si02膜 第 図
例を説明するための構成図、第2図(、)〜(g)は1
本発明によるインクジェットヘッドの製造方法を説明す
るための図である。 1・・・半導体基板、2・・・第1のドライフィルム、
3・・・第3のドライフィルム、4・・・酸化シリコン
、5・・・下部電極、6・・・圧電膜、7・・・上部電
極、8・・・ノズル、9・・・インク流路、10・・・
共通液室、11・・・オリフィス。 + Q+ 第 図 第 図 /Si =コζ=3Si02膜 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ノズルが設けられた半導体基板と、液室と流路が形
成され、該半導体基板上に積層された薄板と、前記液室
より大きい範囲で該薄板の液室上部に積層形成された振
動板と、該振動板の上に設けられた圧電振動子と、該圧
電振動子の上に設けられた上部電極とから成ることを特
徴とするインクジェットヘッド。 2、(100)面を主平面とする半導体基板上に、ノズ
ル加工を行なって保護膜を形成する手段と、該半導体基
板に第1のドライフィルムを接着して、流路と共通液室
とオリフィス部とを露光する手段と、該第1のドライフ
ィルムを現像・除去して、流路と共通液室とオリフィス
部とを形成する手段と、更に第2のドライフィルムを接
着して、オリフィス部の露光のみを行なう手段と、前記
保護膜をスパッターして振動板を形成し、該振動板上に
下部電極を設ける手段と、該下部電極上に圧電物質をス
パッターして圧電膜を形成し、該圧電膜上に上部電極を
設ける手段と、前記オリフィス部の第2のドライフィル
ムを現像・除去してヘッドを形成する手段とから成るこ
とを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4101989A JPH02219654A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | インクジェットヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4101989A JPH02219654A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | インクジェットヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02219654A true JPH02219654A (ja) | 1990-09-03 |
Family
ID=12596683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4101989A Pending JPH02219654A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | インクジェットヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02219654A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5666141A (en) * | 1993-07-13 | 1997-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ink jet head and a method of manufacturing thereof |
US6402971B2 (en) * | 1996-01-26 | 2002-06-11 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording head and manufacturing method therefor |
KR100438733B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2004-07-05 | 삼성전자주식회사 | 잉크 젯 프린트 헤드 및 이의 제조 방법 |
KR100715406B1 (ko) * | 2001-02-09 | 2007-05-08 | 캐논 가부시끼가이샤 | 압전 구조체, 액체 토출 헤드 및 그 제조 방법 |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP4101989A patent/JPH02219654A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5666141A (en) * | 1993-07-13 | 1997-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ink jet head and a method of manufacturing thereof |
US6402971B2 (en) * | 1996-01-26 | 2002-06-11 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording head and manufacturing method therefor |
US7673975B2 (en) | 1996-01-26 | 2010-03-09 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording head having piezoelectric element and electrode patterned with same shape and without pattern shift therebetween |
US7827659B2 (en) | 1996-01-26 | 2010-11-09 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an ink jet recording head having piezoelectric element |
US7850288B2 (en) | 1996-01-26 | 2010-12-14 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording head having piezoelectric element and electrode patterned with same shape and without pattern shift therebetween |
USRE45057E1 (en) | 1996-01-26 | 2014-08-05 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an ink jet recording head having piezoelectric element |
KR100715406B1 (ko) * | 2001-02-09 | 2007-05-08 | 캐논 가부시끼가이샤 | 압전 구조체, 액체 토출 헤드 및 그 제조 방법 |
KR100438733B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2004-07-05 | 삼성전자주식회사 | 잉크 젯 프린트 헤드 및 이의 제조 방법 |
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