JPH08306687A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH08306687A JPH08306687A JP7136169A JP13616995A JPH08306687A JP H08306687 A JPH08306687 A JP H08306687A JP 7136169 A JP7136169 A JP 7136169A JP 13616995 A JP13616995 A JP 13616995A JP H08306687 A JPH08306687 A JP H08306687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxide film
- silicon
- insulating film
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 9
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 abstract description 8
- 230000001546 nitrifying effect Effects 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 3
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28158—Making the insulator
- H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
- H01L21/28185—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation with a treatment, e.g. annealing, after the formation of the gate insulator and before the formation of the definitive gate conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28158—Making the insulator
- H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
- H01L21/28202—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation in a nitrogen-containing ambient, e.g. nitride deposition, growth, oxynitridation, NH3 nitridation, N2O oxidation, thermal nitridation, RTN, plasma nitridation, RPN
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/5329—Insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
- H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/518—Insulating materials associated therewith the insulating material containing nitrogen, e.g. nitride, oxynitride, nitrogen-doped material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
信頼性の高い絶縁膜を提供する。 【構成】 初期酸化膜(2)を極薄く成膜し、続けて窒
化姓の雰囲気で熱処理を行い、窒化酸化膜(3)、
(4)を形成する。再び酸化性の雰囲気で熱処理を行
い、窒化酸化膜(4)の窒素原子を外方拡散させ、更に
窒化酸化膜(3)の内側に厚い酸化膜(5)を形成する
もので、シリコン絶縁膜が半導体基板上の厚い下部酸化
膜及びその上の前記酸化膜より薄い窒化膜または窒化酸
化膜よりなる二層構造あるいは、さらにその上部の薄い
酸化膜よりなる三層構造である半導体装置である。
Description
製造方法に関し、特にゲート絶縁膜を有するMOS型半
導体装置およびその製造方法に関する。
の性能に大きく依存しており、いかに高信頼性を有した
酸化膜を形成するかは、今も昔も大きな課題である。そ
こで、現在までに様々な酸化膜の形成方法が考えられて
きた。そして近年では、ホットキャリア注入によるフラ
ットバンド電圧シフトや界面準位密度の増加を抑制する
ために、窒化酸化膜をゲート絶縁膜として適用する試み
がなされている。また、Pチャンネル型MOSトランジ
スタにおいて、ゲート電極としてP+型多結晶シリコン
膜の使用が試みられているが、P+型多結晶シリコン膜
からシリコン基板へのボロン(B)の拡散を抑制できる
絶縁膜としても、窒化酸化膜は有望視されている。
熱窒化+再加熱法が提案されている(特開平2−189
34)。図9に、この従来例1による絶縁膜の断面構造
図を示す。従来例の再加熱窒化酸化膜の形成方法は、熱
酸化膜(2)を窒化性雰囲気中で放射加熱による急速加
熱を用いて窒化処理して窒化酸化膜(3)を形成した
後、再び不活性雰囲気中で放射加熱を用いて熱処理す
る。その構造は上部に熱酸化膜(2)、シリコン基板界
面に窒化酸化膜(3)が存在する2層構造となる。酸化
膜中に導入される窒素は、窒化の温度や時間にも依存す
るが、シリコン基板と絶縁膜の界面近傍に片寄って分布
するものである。また、再加熱は急速熱窒化時に導入さ
れた水素を除去するために行われるものである。
化を行う例も報告されている。その従来例2について図
10で、その工程を順次述べて、従来法における問題点
を説明する。図10(a)〜(d)は、熱酸化膜をアン
モニアガス雰囲気中で急速熱処理した後、酸素雰囲気で
急速熱酸化膜したものを示す絶縁膜の構造断面図であ
る。まず、図10(a)に示す半導体基板(1)に、図
10(b)に示すように熱酸化膜(2)を形成し、これ
をアンモニアガス雰囲気中で熱処理すると図10(c)
に示すように窒化酸化膜が形成される。
され、巨視的な構造では図10(c)に示すように、窒
化酸化膜(4)/酸化膜(2)/窒化酸化膜(3)の3
層構造となる。しかしながら界面窒化酸化膜(3)内の
窒素原子は周りのシリコン原子や酸素原子と強く結合し
ているものの、表面窒化酸化膜(4)内の窒素原子は格
子間などに存在して非常に不安定な状態にあり、微視的
な構造は大きく異なる。
化時に導入された水素原子と共に、表面窒化酸化膜
(4)中の窒素原子は膜外に外方拡散してしまい、表面
窒化酸化膜(4)は消失する。この時、図10(d)に
示すように、シリコン界面には少量の再酸化膜(5)が
形成される。こうして、酸化膜(2)/窒化酸化膜
(3)/酸化膜(5)の3層構造膜が完成する。
近にのみに分布しているとされているのは、再酸化膜
(5)が非常に薄く、界面窒化酸化膜(3)がほぼ界面
に存在するからである。窒化酸化膜は前述のように、ボ
ロン原子のみならず多くの不純物原子の拡散を防止する
膜として有効である。それは、例えばLPCVD法によ
って堆積される純粋な窒化膜のように必ずしも面内に一
層以上均一な膜は必要なく、上述のような窒素が数%含
有した厚さ1〜2nm程度の窒化酸化膜で可能である。
つまり、従来方法で形成した窒化酸化膜でも、不純物を
拡散されない場所をシリコン基板に限定するという意味
では効果があり、MOSデバイスのしきい値電圧Vth
の制御は容易になる。
来例1、2は図9、図10に示すように、不純物拡散防
止に効果がある窒化酸化膜はシリコン基板との境界近傍
に存在するために、酸化膜中には、ゲート多結晶シリコ
ン電極よりボロンなどの不純物が大量に拡散してしま
う。この不純物は酸化膜そのものの特性を劣化させ、シ
リコンMOSデバイスそのものの歩留まり低下の原因と
なる。本発明の目的は、上記欠点を除去し、ボロンを含
む不純物が酸化膜中に拡散するのを防ぐ、シリコン絶縁
膜の構造および製造方法を提供することにある。
体基板上にシリコン絶縁膜を有する半導体装置におい
て、シリコン絶縁膜が半導体基板上の厚い下部酸化膜及
びその上の前記酸化膜より薄い窒化膜または窒化酸化膜
よりなる二層構造であることを特徴とする半導体装置で
ある。また、本発明は、シリコン半導体基板上にシリコ
ン絶縁膜を有する半導体装置において、シリコン絶縁膜
が半導体基板上の厚い下部酸化膜及びその上の前記酸化
膜より薄い窒化膜または窒化酸化膜、さらにその上部の
薄い酸化膜よりなる三層構造であることを特徴とする半
導体装置である。また、本発明は、三層構造の上部の薄
い酸化膜の膜厚が3nm以下であることを特徴とする半
導体装置である。
シリコン絶縁膜を有する半導体装置の製造方法におい
て、酸化膜を形成したシリコン半導体基板、例えば酸化
性雰囲気で熱処理を行い熱酸化膜を5nm以下形成した
半導体基板、あるいは酸化膜が形成されていないシリコ
ン半導体基板に、窒化性雰囲気下で急速熱窒化処理を行
い窒化酸化膜を形成し、次いで酸化性雰囲気で熱処理を
行いシリコン半導体基板界面に酸化膜を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法である。
シリコン絶縁膜を有する半導体装置の製造方法におい
て、酸化性雰囲気で熱処理を行い厚い熱酸化膜を形成し
た半導体基板に、窒化性雰囲気下で急速熱窒化処理を行
い窒化酸化膜を形成し、次いで酸化性雰囲気で熱処理を
行いシリコン半導体基板界面に酸化膜を形成した後、上
部の厚い酸化膜をフッ酸系の溶液あるいはガスによりエ
ッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法で
ある。
膜と厚い下部酸化膜の3層構造の絶縁膜、あるいは上部
に酸化膜が存在しない窒化酸化膜と厚い下部酸化膜の2
層構造の絶縁膜であり、また、その製造方法として初期
酸化膜を0〜5nm程度に薄くする方法と、あるいは3
層構造を形成した後にフッ酸系の薬液あるいはガスによ
って表面の酸化膜をエッチングするもので、絶縁膜の表
面近傍に窒化酸化膜を形成することが可能となり、従来
法の酸化膜中への不純物拡散を抑制でき、拡散不純物に
よる歩留まり低下あるいは信頼性の低下を防止すること
ができるものである。
よび製造方法を図面を参照して説明し、本発明の特徴及
び効果を明らかにする。 [実施例1]図1は、本発明の実施例1を示す図で、絶
縁膜の構造および製造方法を示した断面構造図である。
表面に2nm程度の酸化膜、その下の表面近傍に厚さ2
nm程度で窒素含有4%程度の窒化酸化膜が存在し、界
面に6nm程度の熱酸化膜が存在する、極薄表面酸化膜
/窒化酸化膜/厚い酸化膜の3層構造絶縁膜を形成する
ときの工程を順に追った断面図である。
1(b)に示すように熱酸化膜(2)を4nm厚形成す
る。その後、アンモニア雰囲気中で急速熱窒化すること
によって、窒化酸化膜を形成する。この時、図1(c)
に示すように界面には窒素含有4%程度、厚さ2nm程
度のシリコン原子、酸素原子そして窒素原子がきちんと
結合した界面窒化酸化膜(3)と、それぞれの原子がき
ちんと結合していない表面窒化酸化(4)が1〜2nm
形成される。
原子は外部に拡散して表面窒化酸化(4)は消失する。
この再酸化によって、図1(d)に示すようにシリコン
界面が直接酸化されて界面酸化膜(5)が6nm形成さ
れる。このように、窒化膜形成後の酸化でも、通常の酸
化と同様にシリコン基板が直接酸化され、結果的に窒化
酸化膜(3)はほぼ初期の状態で絶縁膜の表面方向に移
動する。
ング法による構造解析結果であり、窒化酸化膜の分布の
様子を表わしたものである。図2において、横軸は深さ
(nm)で絶縁膜表面からの膜厚、縦軸はエッチング速
度/エッチング速度(SiO2)でフッ酸系薬液でその
絶縁膜をエッチングしたときのエッチング速度を示して
いる。なお、エッチング速度は純粋な酸化膜をエッチン
グしたときのエッチング速度で割り、規格化している。
窒化膜はフッ酸系の薬液に対して強く、エッチングされ
にくい特徴を持つ。つまり縦軸の「1.0」のところが
酸化膜と同等のエッチング速度を示して、その部分は酸
化膜であると判断し、「1.0」以下のところがエッチ
ング速度が遅く、窒化されていると判断する。
において、初期酸化膜(2)(4nm)を850℃のア
ンモニア雰囲気で60秒窒化した後、1150℃の酸化
雰囲気で120秒酸化した時の結果である。Bは、従来
例2を示した図10の3層構造の結果で、この従来例2
において、初期酸化膜(2)を8nm形成し、850℃
のアンモニア雰囲気で60秒窒化した後、1150℃の
酸化雰囲気で15秒再酸化しているものである。そし
て、上記実施例1においける結果Aと従来例2の結果B
を比較しているものである。
縁膜の厚さを例えば10nmとした時、初期酸化膜の厚
さを薄くすることによって、窒素を含む層(窒化酸化
膜)を絶縁膜表面近傍に形成することができる。図3は
実施例1の効果を説明するSIMS法による構造解析結
果であり、横軸は深さ(nm)で絶縁膜表面からの膜
厚、縦軸は窒素濃度(atoms/cm3)を示してい
る。この窒素の分布の様子は二次電子質量分析(SIM
S)法により詳細に確認できる。
験の結果で、絶縁膜の信頼性試験の一つである経時破壊
(TDDB)試験の結果である。図4において、横軸は
Qbd(C/cm2)で絶縁膜の破壊までに注入できた
電子の電荷量Qbdをとり、縦軸はWeibull I
n[−In(1−p)]で、それまでに破壊したテスト
デバイスの累積故障率をとっている。つまり、Qbd全
体が大きいほど、そして、その分布がばらついていない
方が良い絶縁膜であると判断できる。したがって、本発
明の絶縁膜Aは従来発明の絶縁膜Bよりも、全体的にQ
bdが大きいばかりでなく、特徴的にQbdが小さい初
期に破壊するテストデバイスが少なく、歩留まりが良い
ことが分かる。この改善結果は、絶縁膜中に多結晶シリ
コン電極などから拡散して混入する不純物が少なくなっ
たことによる。
(ボロン)の解析結果で、横軸は深さ(nm)、縦軸は
ボロン濃度(atoms/cm3)を示している。これ
は、実際のMOS型構造のデバイスにおいてはボロンを
不純物としたP+型多結晶シリコン膜を使用した場合
に、絶縁膜中のボロン原子の分布をSIMS法によって
調べた結果を示すものである。図3に示した、窒素原子
の分布と比較すると明らかであるが、ボロン原子は窒素
原子が存在するところで、その拡散が阻止されているこ
とがわかる。つまり、図4に示した信頼性の向上と高歩
留まりは、不純物であるボロン原子が絶縁膜中への拡散
が抑制されたためであることを示している。
膜の断面構造図である。第2の実施例の初期酸化膜
(2)が2nm程度の場合には、次工程での窒化酸化工
程ですべてが窒化酸化膜になり、再酸化によって図6に
示すような窒化酸化膜(3)/再酸化膜(5)の2層構
造の絶縁膜となる。この時窒化酸化膜は完全に絶縁膜表
面に存在するため、不純物は完全に防止され、その信頼
性、歩留まり向上への効果は非常に大きいものとなる。
膜の断面構造図である。更に、初期酸化膜を形成せず、
直接窒化処理を行うとシリコン基板(1)に窒化膜
(6)が形成され、続く再酸化処理によって、図7に示
すような、極微量の酸素を含んだ窒化(酸化)膜(6)
/再酸化膜(5)の2層構造の絶縁膜となる。この絶縁
膜も同様に非常に高い効果を示す。
膜の構造および製造方法を示した断面構造図である。上
述した各実施例は、初期酸化膜の膜厚を薄くすることに
よって、窒化酸化膜が絶縁膜表面近傍に存在する二ない
しは三層膜を形成したが、初期酸化膜を厚く形成して
も、再酸化後にフッ酸系の薬液やガスでエッチング処理
を施すことによって、所望の膜厚を有し、窒化酸化膜層
が表面近傍に存在する絶縁膜を形成することができる。
(1)に、(b)に示すように初期の熱酸化膜(2)を
例えば10nm形成した後、窒化性の熱処理を行い、
(c)に示すような界面窒化酸化膜(3)(2nm)と
表面窒化酸化膜(4)(1〜2nm)を形成する。そし
て、再酸化処理により、表面窒化酸化膜(4)を消失さ
せ、(d)に示すようにシリコン基板(1)を直接酸化
させて再酸化膜(5)を7nm程度形成する。この時点
で総膜厚は17nm程度になる。
縁膜表面に存在する熱酸化膜(2)のエッチングを行
い、(e)に示すように総膜厚は10nm程度にする。
例えば、フッ酸系の薬液を使えば窒化膜とのエッチング
の選択比は非常に大きく、エッチングは窒化酸化膜で急
激に遅くなるため、エッチングしすぎによる膜厚減少は
起こらない。逆に言えば、この選択比の違いを利用し
て、窒化酸化膜でエッチングを止めることは容易であ
り、表面に窒化酸化膜を有する2層構造の絶縁膜形成も
容易に可能である。
い酸化膜を有し、窒化酸化膜と厚い下部酸化膜の3層構
造の絶縁膜、あるいは、上部に酸化膜が存在しない、窒
化酸化膜と厚い下部酸化膜の2層構造の絶縁膜であり、
製造方法として、初期酸化膜を0〜5nm程度に薄くす
る方法と、あるいは、3層構造を形成したあとにフッ酸
系の薬液あるいはガスによって表面の酸化膜をエッチン
グするものであり、これにより、不純物拡散を防止でき
る窒化酸化膜を、絶縁膜の表面近傍に形成し、P+型多
結晶シリコン膜などからボロン原子などの不純物が絶縁
膜に拡散するのを防止できる。その効果によって、信頼
性の高く、歩留まりが高い絶縁膜が形成され、デバイス
の信頼性向上、歩留まり改善に効果を有する。
方法を示した断面構造図である。
造解析結果である。
解析結果である。
る。
物(ボロン)の解析結果である。
ある。
ある。
造方法を示した断面構造図である。
を示した断面構造図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 シリコン半導体基板上にシリコン絶縁膜
を有する半導体装置において、シリコン絶縁膜が半導体
基板上の厚い下部酸化膜及びその上の前記酸化膜より薄
い窒化膜または窒化酸化膜よりなる二層構造であること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 シリコン半導体基板上にシリコン絶縁膜
を有する半導体装置において、シリコン絶縁膜が半導体
基板上の厚い下部酸化膜及びその上の前記酸化膜より薄
い窒化膜または窒化酸化膜、さらにその上部の薄い酸化
膜よりなる三層構造であることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項3】 三層構造の上部の薄い酸化膜の膜厚が3
nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の半導
体装置。 - 【請求項4】 シリコン半導体基板上にシリコン絶縁膜
を有する半導体装置の製造方法において、酸化膜を形成
したシリコン半導体基板あるいは酸化膜が形成されてい
ないシリコン半導体基板に、窒化性雰囲気下で急速熱窒
化処理を行い窒化酸化膜を形成し、次いで酸化性雰囲気
で熱処理を行いシリコン半導体基板界面に酸化膜を形成
することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 酸化膜を形成したシリコン半導体基板
が、酸化性雰囲気で熱処理を行い熱酸化膜を5nm以下
形成した半導体基板であることを特徴とする請求項4に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 シリコン半導体基板上にシリコン絶縁膜
を有する半導体装置の製造方法において、酸化性雰囲気
で熱処理を行い厚い熱酸化膜を形成した半導体基板に、
窒化性雰囲気下で急速熱窒化処理を行い窒化酸化膜を形
成し、次いで酸化性雰囲気で熱処理を行いシリコン半導
体基板界面に酸化膜を形成した後、上部の厚い酸化膜を
フッ酸系の溶液あるいはガスによりエッチングすること
を特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7136169A JP2871530B2 (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 半導体装置の製造方法 |
EP96107377A EP0742593A3 (en) | 1995-05-10 | 1996-05-09 | Semiconductor device with multilevel structured insulator and fabrication method thereof |
US08/644,166 US6037651A (en) | 1995-05-10 | 1996-05-10 | Semiconductor device with multi-level structured insulator and fabrication method thereof |
KR1019960016033A KR100266519B1 (ko) | 1995-05-10 | 1996-05-10 | 다중레벨구조의절연체를가진반도체장치및그제조방법 |
US08/890,312 US5972800A (en) | 1995-05-10 | 1997-07-09 | Method for fabricating a semiconductor device with multi-level structured insulator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7136169A JP2871530B2 (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08306687A true JPH08306687A (ja) | 1996-11-22 |
JP2871530B2 JP2871530B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=15168945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7136169A Expired - Lifetime JP2871530B2 (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6037651A (ja) |
EP (1) | EP0742593A3 (ja) |
JP (1) | JP2871530B2 (ja) |
KR (1) | KR100266519B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009009959A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5956610A (en) * | 1997-05-22 | 1999-09-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for providing electrical insulation for local interconnect in a logic circuit |
US6100149A (en) * | 1997-07-01 | 2000-08-08 | Steag Rtp Systems | Method for rapid thermal processing (RTP) of silicon substrates |
US6566281B1 (en) * | 1997-10-15 | 2003-05-20 | International Business Machines Corporation | Nitrogen-rich barrier layer and structures formed |
TW391049B (en) * | 1998-02-27 | 2000-05-21 | United Microelectronics Corp | Method of forming semiconductor dielectric |
US6245616B1 (en) | 1999-01-06 | 2001-06-12 | International Business Machines Corporation | Method of forming oxynitride gate dielectric |
DE19903598A1 (de) * | 1999-01-29 | 2000-08-10 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung mit Mehrfachdielektrikum |
US6090707A (en) * | 1999-09-02 | 2000-07-18 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a conductive silicide layer on a silicon comprising substrate and method of forming a conductive silicide contact |
US6399519B1 (en) * | 1999-12-07 | 2002-06-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for establishing ultra-thin gate insulator having annealed oxide and oxidized nitride |
US6444592B1 (en) | 2000-06-20 | 2002-09-03 | International Business Machines Corporation | Interfacial oxidation process for high-k gate dielectric process integration |
US6649543B1 (en) | 2000-06-22 | 2003-11-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming silicon nitride, methods of forming transistor devices, and transistor devices |
US6686298B1 (en) | 2000-06-22 | 2004-02-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming structures over semiconductor substrates, and methods of forming transistors associated with semiconductor substrates |
US6833329B1 (en) | 2000-06-22 | 2004-12-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming oxide regions over semiconductor substrates |
US7081419B2 (en) * | 2000-06-28 | 2006-07-25 | Agere Systems Inc. | Gate dielectric structure for reducing boron penetration and current leakage |
US6660657B1 (en) | 2000-08-07 | 2003-12-09 | Micron Technology, Inc. | Methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers |
KR100380278B1 (ko) * | 2000-09-29 | 2003-04-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
US6642156B2 (en) | 2001-08-01 | 2003-11-04 | International Business Machines Corporation | Method for forming heavy nitrogen-doped ultra thin oxynitride gate dielectrics |
US6878585B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-04-12 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitors |
US6649537B1 (en) * | 2001-11-19 | 2003-11-18 | Lsi Logic Corporation | Intermittent pulsed oxidation process |
US6723599B2 (en) | 2001-12-03 | 2004-04-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitors and methods of forming capacitor dielectric layers |
WO2003107399A2 (en) * | 2002-06-12 | 2003-12-24 | Applied Materials, Inc. | Method for improving nitrogen profile in plasma nitrided gate dielectric layers |
JP3538679B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2004-06-14 | 沖電気工業株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
US6642117B1 (en) * | 2002-08-05 | 2003-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd | Method for forming composite dielectric layer |
KR20040025187A (ko) * | 2002-09-18 | 2004-03-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 게이트 절연막 구조체 및 그 형성 방법 |
JP2004228342A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6737362B1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-05-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin gate dielectric layer for integrated circuit fabrication |
US20060060920A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Applied Materials, Inc. | Poly-silicon-germanium gate stack and method for forming the same |
JP4477981B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2010-06-09 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20070090493A1 (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Promos Technologies Inc. | Fabrication of nitrogen containing regions on silicon containing regions in integrated circuits, and integrated circuits obtained thereby |
US7737050B2 (en) * | 2006-10-30 | 2010-06-15 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a nitrided silicon oxide gate dielectric layer |
CN103887161A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种抑制掺杂原子在栅介质中扩散的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56501146A (ja) * | 1979-09-13 | 1981-08-13 | ||
JPH01134936A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH04251938A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-09-08 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH06268234A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1204544A (en) * | 1966-09-02 | 1970-09-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JPS501872B1 (ja) * | 1970-01-30 | 1975-01-22 | ||
US3917495A (en) * | 1970-06-01 | 1975-11-04 | Gen Electric | Method of making improved planar devices including oxide-nitride composite layer |
JPS51128269A (en) * | 1975-04-30 | 1976-11-09 | Sony Corp | Semiconductor unit |
US4051273A (en) * | 1975-11-26 | 1977-09-27 | Ibm Corporation | Field effect transistor structure and method of making same |
US4045594A (en) * | 1975-12-31 | 1977-08-30 | Ibm Corporation | Planar insulation of conductive patterns by chemical vapor deposition and sputtering |
DE2967704D1 (de) * | 1978-06-14 | 1991-06-13 | Fujitsu Ltd | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einer isolierschicht. |
JPS5870570A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
CA1188419A (en) * | 1981-12-14 | 1985-06-04 | Yung-Chau Yen | Nonvolatile multilayer gate semiconductor memory device |
JPS6028270A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路の製造方法 |
US4713682A (en) * | 1984-04-25 | 1987-12-15 | Honeywell Inc. | Dielectric barrier material |
US4600445A (en) * | 1984-09-14 | 1986-07-15 | International Business Machines Corporation | Process for making self aligned field isolation regions in a semiconductor substrate |
JPS61136274A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH0640588B2 (ja) * | 1987-03-13 | 1994-05-25 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP2664685B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1997-10-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0728039B2 (ja) * | 1988-07-07 | 1995-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH01125940A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Seiko Instr & Electron Ltd | 半導体装置 |
JPH01185927A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH01253617A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-09 | Toshiba Eng Co Ltd | 水位検出装置 |
JPH01315141A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH03244125A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 絶縁膜形成方法 |
JP2738145B2 (ja) * | 1990-11-21 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP3095462B2 (ja) * | 1991-07-18 | 2000-10-03 | ローム株式会社 | 誘電素子、キャパシタ及びdram |
JPH0555596A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Rohm Co Ltd | 半導体不揮発性記憶装置 |
JPH0567789A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-19 | Rohm Co Ltd | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
JPH0575133A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-03-26 | Rohm Co Ltd | 不揮発性記憶装置 |
JP3068270B2 (ja) * | 1991-09-24 | 2000-07-24 | 日本電気株式会社 | Mos型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JPH05151439A (ja) * | 1991-11-27 | 1993-06-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 袋搬出装置 |
US5393683A (en) * | 1992-05-26 | 1995-02-28 | Micron Technology, Inc. | Method of making semiconductor devices having two-layer gate structure |
US5258333A (en) * | 1992-08-18 | 1993-11-02 | Intel Corporation | Composite dielectric for a semiconductor device and method of fabrication |
US5376593A (en) * | 1992-12-31 | 1994-12-27 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for fabricating stacked layer Si3 N4 for low leakage high capacitance films using rapid thermal nitridation |
JPH06224416A (ja) * | 1993-01-21 | 1994-08-12 | Nippon Steel Corp | Mos電界効果型トランジスタ及びその製造方法、並びにそのmos電界効果型トランジスタを用いた半導体装置 |
US5436481A (en) * | 1993-01-21 | 1995-07-25 | Nippon Steel Corporation | MOS-type semiconductor device and method of making the same |
DE69405438T2 (de) * | 1993-03-24 | 1998-04-02 | At & T Corp | Verfahren zur Bildung dielektrischer Oxynitridschichten bei der Herstellung integrierter Schaltungen |
US5591681A (en) * | 1994-06-03 | 1997-01-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for achieving a highly reliable oxide film |
US5712177A (en) * | 1994-08-01 | 1998-01-27 | Motorola, Inc. | Method for forming a reverse dielectric stack |
US5598374A (en) * | 1995-07-14 | 1997-01-28 | Cirrus Logic, Inc. | Pipeland address memories, and systems and methods using the same |
-
1995
- 1995-05-10 JP JP7136169A patent/JP2871530B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-09 EP EP96107377A patent/EP0742593A3/en not_active Withdrawn
- 1996-05-10 KR KR1019960016033A patent/KR100266519B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-05-10 US US08/644,166 patent/US6037651A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-07-09 US US08/890,312 patent/US5972800A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56501146A (ja) * | 1979-09-13 | 1981-08-13 | ||
JPH01134936A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH04251938A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-09-08 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH06268234A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009009959A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0742593A2 (en) | 1996-11-13 |
JP2871530B2 (ja) | 1999-03-17 |
US6037651A (en) | 2000-03-14 |
EP0742593A3 (en) | 1997-11-05 |
KR100266519B1 (ko) | 2000-09-15 |
US5972800A (en) | 1999-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2871530B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
EP0690487B1 (en) | Methods for forming oxide films | |
US6566281B1 (en) | Nitrogen-rich barrier layer and structures formed | |
JP3976282B2 (ja) | 信頼できる極薄酸窒化物形成のための新規なプロセス | |
JP3898770B2 (ja) | 高品質の酸化膜を成長させるための方法 | |
US6600212B2 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
JP2008028403A (ja) | 第1の酸化物層および第2の酸化物層を形成するための方法 | |
JP2008300779A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3417866B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3593340B2 (ja) | 集積回路デバイスの製造方法 | |
JPWO2005038929A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6001694A (en) | Manufacturing method for integrated circuit dielectric layer | |
JP3647785B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004253777A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US20020168828A1 (en) | Method of reducing threshold voltage shifting of a gate | |
JPH1167760A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3681525B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3439657B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000049159A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH07335876A (ja) | ゲート絶縁膜の形成方法 | |
JP2000243961A (ja) | 半導体素子のゲート酸化膜の形成方法 | |
KR0162900B1 (ko) | 산화물 형성 방법 | |
JP3090089B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000208645A (ja) | シリコン系誘電体膜の形成方法および不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JPH10242461A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080108 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090108 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110108 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110108 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120108 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120108 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140108 Year of fee payment: 15 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |