JPH07110357A - 半導体ic試験装置 - Google Patents

半導体ic試験装置

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JPH07110357A
JPH07110357A JP5255532A JP25553293A JPH07110357A JP H07110357 A JPH07110357 A JP H07110357A JP 5255532 A JP5255532 A JP 5255532A JP 25553293 A JP25553293 A JP 25553293A JP H07110357 A JPH07110357 A JP H07110357A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ピン端子を減少することなく倍速試験を可能
にする。 【構成】 倍速試験は出力専用、入力専用ピンとのIC
に適用する。倍速モードで端子41を“1”とし、本来
はドライバ24をイネーブル、ディスイネーブル制御す
るための遅延回路173 ,174 の各出力タイミングで
フリップフロップ22をセット、リセット制御し、遅延
回路171 ,172 の出力によるフリップフロップ22
の制御と共に1試験サイクル中に2回制御して試験パタ
ーン速度を2倍にする。コンパレータ27,28のしき
い値は同一とし、コンパレータ27で試験サイクルの前
半の比較結果を取出し、コンパレータ28で後半の比較
結果を取出す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体IC素子に試験
パターンを印加し、またそのIC素子の出力と期待値と
を比較してIC素子を試験する試験装置に関し、特に、
その試験サイクルの倍の速度で試験を可能とする構成に
係わる。
【0002】
【従来の技術】図4に従来の半導体IC素子試験装置を
示す。パターン発生器11のタイミング部12、パター
ン部13からそれぞれ、試験サイクルごとにタイミング
データTS、パターンデータPATがそれぞれ読出され
る。タイミングデータTSは例えば10ビットで構成さ
れ、レート発生器14と、タイミングメモリ151 〜1
6 とに供給され、レート発生器14からその入力され
たタイミングデータTSに応じた周期(周波数)の基準
タイミング信号が発生され、ゲート161 〜16 6 を通
じて遅延回路171 〜176 へ供給される。またタイミ
ングメモリ151〜156 はそれぞれタイミングデータ
TSをアドレスとして遅延データが読出され、これらタ
イミングメモリ151 〜156 から読出された遅延デー
タはそれぞれ遅延回路171 〜176 に設定され、それ
ぞれ遅延回路171 〜176 の遅延量、つまり試験サイ
クル内のタイミングが決定される。
【0003】これら遅延回路171 〜176 でそれぞれ
遅延された基準タイミング信号は第1〜第6クロックと
される。その第1クロックはアンド回路181 ,182
へ供給され、第2クロックはアンド回路183 ,184
へ供給され、第3クロックはアンド回路185 〜187
へ供給され、第4クロックはアンド回路188 へ供給さ
れる。
【0004】読出されたパターンデータPATをアドレ
スとして波形メモリ19が読出される。波形メモリ19
は各試験サイクルごとにこの周期が8分割され、これら
の第1乃至第8区間(これらを0,1,N,P,L,
H,Z,Xと表示する)にそれぞれデータの読出しが行
われる。この第1乃至第8区間の指定はパターンデータ
PATの3ビットA,B,Cにより行われる。各読出し
ごとに、ドライバ高レベル駆動第1データT1Sと、ド
ライバ低レベル駆動第3データT1Rと、ドライバ高レ
ベル駆動第2データT2Sと、ドライバ低レベル駆動第
2データT2Rと、ドライバ高レベル駆動第3データT
3Sと、ドライバ低レベル駆動第3データT3Rと、ド
ライバイネーブルデータT3Lと、ドライバディスイネ
ーブルデータT4と、高レベル期待値データEXHと、
低レベル期待値データEXLとが読出される。
【0005】波形メモリ19の記憶内容は発生波形がノ
ンリターン波形NRZ、その反転波形/NRZ、リター
ン波形RZ、その反転波形/RZ、排他的論理和波形X
OR、その反転波形/XORなどにより異なり、その記
憶内容に応じた種類の波形が形成される。アンド回路1
1 ,183 ,185 の各出力はオア回路21を通じて
第1フリップフロップ22のセット端子Sへ供給され、
アンド回路182 ,184 ,18 6 の各出力がオア回路
23を通じて第1フリップフロップ22のリセット端子
Rへ供給される。第1フリップフロップ22の出力はド
ライバ24を通じ、試験装置の一つのピン端子25i
通じて被試験IC素子26の1つ端子ピンに接続され
る。アンド回路187 の出力が第2フリップフロップ2
7のセット端子Sに供給され、アンド回路188 の出力
が第2フリップフロップ27のリセット端子Rに供給さ
れる。第2フリップフロップ27の出力はドライバー2
4のイネーブル制御端子へ供給される。
【0006】ピン端子25i は第1、第2コンパレータ
27,28の反転入力端、非反転入力端に接続され、被
試験IC素子26の出力はそれぞれ高レベルしきい値V
H 、低レベルしきい値VL と比較される。これら比較結
果は遅延回路175 ,176からの各クロックのストロ
ーブによりそれぞれ第1、第2コンパレータ27,28
の比較結果がサンプリング保持されて出力される。第
1、第2コンパレータ27,28の各出力は波形メモリ
19よりの高レベル期待値データEXH、低レベル期待
値データEXLとの論理積がそれぞれアンド回路31,
32でとられ、また第1、第2コンパレータ27,28
の出力はオア回路33へ供給され、そのオア回路33の
出力と、高レベル期待値データEXH、低レベル期待値
データEXLとの論理積がアンド回路34でとられる。
アンド回路31,32,34の各出力はオア回路35へ
供給される。
【0007】被試験IC素子26に試験信号をRZ波形
として供給する場合は波形メモリ19内に例えば図4に
示すように、各データが設定入力される。パターン発生
器11からのパターンデータの3ビット(PATA、P
ATB、PAC)をアドレスとして波形メモリ19を読
出すが、波形のデータの決定は主に最下位ビットのPA
TAで決め、波形データが論理“1”でPATAを
“1”とし、論理“0”でPATAを“0”としてい
る。入出力ピンに対する入出力の切替えをパターンデー
タ中の最上位ビットPATCで行い、出力ピンとする場
合(比較サイクル)はPATCを“1”とし、通常は
“0”とする。また比較サイクルで、PATAとPAT
Bとの2ビットで期待値を決め、PATA“0”、PA
TB“0”で低レベルLを、PATA“1”、PATB
“0”で高レベルHを、PATA“0”、PATB
“1”で高インピーダンス出力“Z”を、PATA
“1”、PATB“1”で比較結果無視Xをそれぞれ表
わす。
【0008】図4で示した波形メモリ19の記憶内容で
はパターンデータのPATAが図5Aに示すように
“1”、“0”であると、“1”でアドレス“1”の内
容が読出され、“0”でアドレス“0”の内容が読出さ
れ、何れの場合も波形メモリ19から読出されたドライ
バイネーブルデータT3Lは“1”であって、第2フリ
ップフロップ27が、遅延回路173 からのクロックの
タイミングで予めセットされ、ドライバ24はイネーブ
ル状態にされ、PATAが“1”ではドライバ高レベル
駆動第1データT1S“1”が読出され、遅延回路17
1 からクロック(例えば図5B)により第1フリップフ
ロップ22がセットされ、またドライバ低レベル駆動第
2データT2R“1”が読出され、遅延回路173 から
クロック(例えば図5C)により第1フリップフロップ
22がリセットされ、図5Dに示すRZ波形出力でドラ
イバ24が駆動され、これが被試験IC素子26の1つ
の端子ピンに印加される。PATAが“0”では読出さ
れるデータT1S、T2Rは何れも“0”であって、図
5Dに示すようにドライバ24に対する駆動は低レベル
のままである。
【0009】被試験IC素子26のI/Oピンが出力と
して用いられる場合は、第2フリップフロップ27はリ
セット状態とされ、ドライバ24はディスイネーブル状
態とされ、出力インピーダンスが無限大の状態となる。
この状態で被試験IC素子26から出力された出力はピ
ン端子25i に印加され、コンパレータ27,28で高
レベルしきい値VH 、低レベルしきい値VL とそれぞれ
比較される。VH ,V L は図5Eに示すように選定さ
れ、入力VがVH 以上でコンパレータ27の出力が低レ
ベル、コンパレータ28の出力が高レベル、入力がVH
より低い以下、V L 以上でコンパレータ27の出力が高
レベル、コンパレータ28の出力が高レベル入力がVL
以下でコンパレータ27の出力が高レベル、コンパレー
タ28の出力が低レベルとなる。
【0010】コンパレータ27,28の比較結果は遅延
回路175 ,176 からの同一タイミングのストローブ
によりサンプル保持され、波形メモリ19から読出され
た高レベル期待値データEXH、低レベル期待値データ
EXLとの論理積がアンド回路31,32でとられる。
期待値が低レベルLの場合は、低レベル期待値データE
XLが“1”とされ、期待値が高レベルHの場合は高レ
ベル期待値データEXHが“1”とされ、期待値が高イ
ンピーダンス出力Zの場合はEXLとEXHが共に
“1”とされ比較結果を無視する場合(X)ではEX
L,EXHが共に“0”とされる。その結果、期待値が
高レベルHで入力(メモリ26の出力)Vがしきい値V
H 以下でアンド回路31の出力が高レベルとなって不良
を出力し、期待値が低レベルLで入力VがVL 以上でア
ンド回路32の出力が高レベルになって不良を出力し、
期待値がZで、高インピーダンス状態でなければアンド
回路34の出力が高レベルになって不良を出力し、全体
の不良の数がオア回路35から出力される。
【0011】以上のような試験パターン(信号)の被試
験IC素子26への印加、被試験IC素子26の出力の
良不良判定の構成が、試験装置のピン端子25i ごとに
設けられ、これらピン端子25i を被試験IC素子26
の対応端子ピンに接続して試験を行う。従来において試
験装置がもつ最高試験速度よりも速い速度で試験をした
い場合は、図6に示すようにしていた。即ち図6におい
て図4と対応する部分に同一符号を付けてあり、奇数番
目のピン端子25i と、これと隣りの偶数番目のピン端
子25i+1 とを、その両オア回路21の出力側、両オア
回路23の出力側、両アンド回路187 の出力側、両ア
ンド回路188 の出力側、両コンパレータ27,28の
入力側をそれぞれ互いに接続し、奇数ピン25i のみを
被試験IC素子26の端子ピンと接続する。IC素子2
6に試験信号を印加する場合は奇数ピン端子25i と対
応する各クロックやストローブを試験周期Tの前半で発
生させ、偶数ピン端子25i+1 と対応する各クロックや
ストローブを試験周期Tの後半で発生させ、1試験周期
Tの前半と後半とで分けて試験を行い、最高試験速度の
2倍の速度で試験することを可能とする。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】図6に示した従来の倍
速試験では、試験装置のピン端子25i の全数の1/2
以下の端子ピンをもつIC素子しか試験することができ
ない。つまり倍速試験では、試験装置が本来もつ、試験
可能ピン偶数の最大値の1/2しかピン端子を利用する
ことができない。
【0013】この発明は装置が有するピン端子数を全て
有効に利用し、しかも倍速の試験を可能とする半導体I
C試験装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、第
3、第4クロックとイネーブルデータ、ディスイネーブ
ルデータとの各論理積の出力と、倍速モード信号との論
理積がとられ、これら論理積出力により第1フリップフ
ロップがセットリセットされ、倍速モード信号で第2フ
リップフロップがセットされ、かつ、第フリップフロッ
プのリセットが禁止され、第1、第2コンパレータが、
試験サイクルの前半、後半の各ストローブでサンプリン
グされ、第1コンパレータの非反転サンプリング出力及
び反転サンプリング出力と、高レベル期待値データ及び
非高レベル期待値データとの各論理積がとられ、これら
両論理積の論理和が倍速モード信号により第1コンパレ
ータの非反転サンプリング出力と高レベル期待値データ
との論理積の代りに試験結果として第1セレクタにより
出力され、第2コンパレータの非反転サンプリング出力
及び反転サンプリング出力と、低レベル期待値データ及
び非低レベル期待値データとの各論理積がとられ、これ
ら両論理積の論理和が、倍速モード信号により第2コン
パレータの非反転サンプリング出力と低レベル期待値デ
ータとの論理積の代りに試験結果として第2セレクタよ
り出力される。
【0015】
【作用】高速半導体、IC素子は一般にI/Oピンが用
いられないことが多い。また高速半導体IC素子は一般
にECL(エミッタ結合論理回路)論理回路が多く、E
CL論理回路においてはしきい値VH とVL とが等し
く、高出力インピーダンスZ状態を検出する必要がな
い。このため各ピン端子は出力専用又は入力専用として
使用でき、出力専用の場合は、そのドライバをイネーブ
ル、ディスイネーブルの制御をする必要がなく、常にイ
ネーブル状態としておけばよい。このためドライバをイ
ネーブル、ディスイネーブルに制御するタイミングクロ
ックを、ドライバ駆動用のフリップフロップのセット、
リセットにこの発明では利用する。また第1、第2コン
パレータのしきい値を同一とし、その一方に対し試験サ
イクルの前半のストローブを行い、後半で他方に対して
ストローブを行う。
【0016】
【実施例】図1にこの発明の実施例を示し、図4と対応
する部分に同一符号を付けてある。この発明では端子4
1よりの倍速試験であることを示す倍速モード信号がア
ンド回路42,43に入力され、アンド回路42,43
にはそれぞれアンド回路187 ,188 の各出力も入力
され、アンド回路42の出力とオア回路21の出力とが
オア回路44を通じて第1フリップフロップ22のセッ
ト端子Sへ供給され、アンド回路43の出力とオア回路
23の出力とがオア回路45を通じて第1フリップフロ
ップ22のリセット端子Rへ供給される。
【0017】また端子41の倍速モード信号はアンド回
路187 の出力と共にオア回路46を通じて第2フリッ
プフロップ27のセット端子Sへ供給され、更に倍速モ
ード信号は反転されてアンド回路47へ供給され、その
アンド回路47にアンド回路188 の出力が供給されア
ンド回路47の出力は第2フリップフロップ27のリセ
ット端子Rへ供給される。
【0018】波形メモリ19は各種類ごとに倍速用のも
のも設けられる。例えば倍速モード用のRZ波形に対す
る波形メモリ19の記憶内容は例えば図1中の波形メモ
リ19内に示すようにする。また遅延回路171 ,17
2 の各出力クロックを試験サイクルの前半で発生させ、
遅延回路173 ,174 の各出力クロックを試験サイク
ルの後半で発生させる。パターンデータ中のビットPA
TAとPATBとを用い、試験サイクルの前半の波形
(高レベル又は低レベル)をPATAの“1”又は
“0”で設定し、試験サイクルの後半の波形(高レベル
又は低レベル)をPATBの“1”又は“0”で設定す
る。
【0019】従って波形メモリ19が図1に示した状態
ではPATA,PATBが共に“0”であればアドレス
0の内容が読出され、そのデータは全て“0”であり、
第1フリップフロップ22の出力は低レベルのままであ
る。PATAが“1”、PATBが“0”の場合はアド
レス1の内容が読出され、データTS1とTR2だけが
共に“1”となり、遅延回路171 の出力クロックのタ
イミングT1でフリップフロップ22がセットされ、遅
延回路172 の出力クロックのタイミングT2でフリッ
プフロップ22がリセットされ、図2Aに示すように試
験サイクルの前半でT1 〜T2 の間高レベルのRZ波形
がフリップフロップ22から出力される。
【0020】PATAが“0”、PATBが“1”の場
合は、アドレスNの内容が読出され、データT3LとT
4Tのみが共に“1”となる。この時、倍速モードでア
ンド回路42,43は共に開とされているため、遅延回
路173 の出力クロックのタイミングT3でフリップフ
ロップ22がセットされ、遅延回路174 の出力クロッ
クのタイミングT4でフリップフロップ22がリセット
され、図2Aに示すように試験サイクルの後半でT3〜
T4の間高レベルのRZ波形がフリップフロップ22か
ら出力される。
【0021】更にPATA,PATBが共に“1”の場
合は、アドレスPの内容が読出され、データTS1,T
R2,T3L,T4Tが共に“1”となり、図2Aに示
すようにタイミングT1〜T2とタイミングT3〜T4
の各間高レベルがフリップフロップ22から出力され
る。このようにPATAとPATBの“1”,“0”を
選定することにより、試験サイクルの2倍の試験波形信
号を作ることができる。なお、倍速モードにおいては倍
速モード信号によりフリップフロップ27に対するセッ
ト指令が常時与えられ、かつアンド回路47によりフリ
ップフロップ27に対するリセット指令は常に禁止され
ているため、ドライバ24はイネーブル状態に保持され
ている。
【0022】同様にして波形メモリ19の記憶内容を選
定することにより、NRZ波形に対するフリップフロッ
プ22の出力を、例えば図2Bに示すように試験サイク
ルの2倍の速度の試験信号を得ることができる。被試験
IC素子26の出力が供給されるピン端子は期待値との
比較専用に用いられるが、この発明では第1、第2コン
パレータ27,28の各反転出力がアンド回路51,5
2へそれぞれ供給され、アンド回路31,51の各出力
がオア回路53を通じて第1セレクタ54の入力端子B
へ供給され、アンド回路32,52の各出力がオア回路
56を通じて第2セレクタ57の入力端子Bへ供給され
る。コンパレータ27,28の各非反転出力はそれぞれ
セレクタ54,57の入力端子Aへ供給される。セレク
タ54,57の各出力はそれぞれアンド回路58,59
へ供給され、オア回路53,56の各出力がオア回路6
1を通じてアンド回路58,59に入力される。セレク
タ54,57は端子41からの倍速モード信号で制御さ
れ、倍速モードで入力端子Bの信号が選択出力され、そ
の他の場合は入力端子Aの入力が選択出力される。アン
ド回路58,59の各出力はそれぞれオア回路62,6
3へ供給される。アルゴリズムパターン発生器64から
読出されたデータCPE1,CPE2がそれぞれアンド
回路62,63へ供給される。アンド回路62,63の
出力はオア回路35へも供給される。
【0023】倍速モードではコンパレータ27,28に
対する各しきい値VH ,VL は同一値V0 に設定され、
一方のコンパレータ27に試験サイクルの前半にタイミ
ングをもつストローブが遅延回路175 から与えられ、
他方のコンパレータ28に試験サイクルの後半のタイミ
ングをもつストローブが遅延回路176 から与えられ
る。つまりコンパレータ27は試験サイクルの前半の比
較に用いられ、コンパレータ28は試験サイクルの後半
の比較に用いられる。
【0024】波形メモリ19には期待値データとして、
高レベル期待値データEXH、低レベル期待値データE
XLの他に、コンパレータ27の出力に対する低レベル
期待値データとして非高レベル期待値データEXHZ
と、コンパレータ28の出力に対する高レベル期待値デ
ータとして非低レベル期待値データEXLZとが記憶さ
れる。比較の無視(Don’t care)は試験サイ
クルの前半ではデータCPE1を“0”とし、後半では
データCPE2を“0”とし、比較結果を出力する時は
CPE1,CPE2を“1”にする。
【0025】従って波形メモリ19の各期待値データ、
及びデータCPE1,CPE2は図2Cに示すように記
憶される。試験サイクルの前半の期待値が低レベルL、
後半の期待値がX(比較結果無視)の場合はEXHを
“0”、EXHZを“1”、EXLを“1”、EXLZ
を“0”、CPE1を“1”、CPE2を“0”として
アドレスLに書込む。前半の期待値がX、後半の期待値
が低レベルLの場合はEXHZ,EXL,CPERをそ
れぞれ“1”とし、その他は“0”とする。前半、後半
も期待値が低レベルLの場合はEXHZ,EXL,CP
E1,CPE2をそれぞれ“1”とし、その他は“0”
とする。これらは何れの場合もアドレスLに書込む。
【0026】前半の期待値が高レベルH、後半の期待値
が無視Xの場合、前半の期待値が無視X、後半の期待値
が高レベルHの場合、前半も後半も期待値が高レベルの
場合は、何れもEXH,EXLZを“1”とし、EXH
Z,EXLを“0”とする。CPE1,CPE2は、比
較で“1”、無視で“0”とする。これらは何れもアド
レスHに書込む。更に前半の期待値が低レベルL、後半
の期待値が高レベルHの場合はEXHZ,EXLZ,C
PE1,CPE2を“1”とし、他は“0”としてアド
レスZに書込む。前半の期待値が高レベルH、後半の期
待値が低レベルLの場合はEXH,EXL,CPE1,
CPE2を“1”とし、その他は“0”とする。
【0027】従って倍速モードではVH =VL =V0
あって、試験サイクルの前半の期待値がHでIC素子2
6の出力VがV0 以下ならばアンド回路31の出力が高
レベルとなり、前半の期待値がLでIC素子26の出力
VがV0 以上ならばコンパレータ27の反転出力が高レ
ベルになり、アンド回路51が高レベルとなる。また試
験サイクルの後半の期待値がHでIC素子26の出力V
がV0 以下であるならばコンパレータ28の出力が高レ
ベルとなり、アンド回路52の出力が高レベルとなり、
後半で期待値がLでIC素子26の出力VがV0 以上で
あれば、アンド回路32の出力が高レベルとなる。つま
り不良が生じると、アンド回路31,32,51,52
の少くとも何れか1つは出力が高レベルとなり、その出
力によりアンド回路58,59が開とされ、その時のセ
レクタ54,57の出力が出力され、前半で不良が発生
すると、アンド回路62の出力が高レベルとなり、後半
で不良が発生すると、アンド回路63の出力が高レベル
となり、1試験サイクルにおける前半と後半との各試験
結果を出力することができる。
【0028】図1では6つのタイミング信号、つまり遅
延回路171 〜176 の各出力を利用したが、通常のモ
ード(試験サイクルで1パターン)では入出力ピンの場
合、フリップフロップ22のセット、リセットタイミン
グと、フリップフロップ27のセット、リセットタイミ
ングと、コンパレータ27,28のストローブとの少く
とも5つのタイミングがあればよく、倍速モードでは入
出力ピンには適用しないため、出力ピンに対しては、フ
リップフロップ22のセット、リセットタイミングを各
2つ計4つのタイミングがあればよく、入力ピンについ
てはコンパレータ27,28の各別のストローブのため
の2つのタイミングがあればよい。従って図3に図1と
対応する部分に同一符号を付けて示すように、タイミン
グ(クロック)発生用遅延回路171 〜175 の5つを
設け、倍速モードで出力ピンとして使用する個所では図
1の場合と同様に、遅延回路171 〜174 の各出力ク
ロックのタイミングを利用するが、入力ピンとして使用
する個所では、遅延回路175 の出力クロックをコンパ
レータ27へのストローブとして供給すると共に、遅延
回路171 〜174 の何れか1つ、図示例では遅延回路
172 の出力クロックをセレクタ71を通じてコンパレ
ータ28へストローブとして供給する。通常モードでは
セレクタ71はその入力端子Bの信号を選択出力し、遅
延回路175の出力がストローブとしてコンパレータ2
7と28とへ供給される。
【0029】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、ド
ライバのイネーブル、ディスイネーブル制御のタイミン
グ信号を、ドライバの高レベル駆動、低レベル駆動制御
に利用することにより、試験装置の最高試験速度の2倍
の速度で試験をすることができ、しかも具備しているピ
ン端子をすべて有効に利用することができ、従来よりも
端子ピンの多いIC素子を高速試験することができる。
なお、現在においては一般に高速動作するIC素子は大
部分が入出力ピンではなく、出力ピンと入力ピンとを備
えているため、ドライバのイネーブル、ディスイネーブ
ル制御を必要とせず、前述のように倍速試験を行うこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を示すブロック図。
【図2】Aは倍速モード時のRZ波形でのドライバ駆動
用フリップフロップの出力例を示す図、BはそのNRZ
波形での例を示す図、Cは期待値データの記憶を示す図
である。
【図3】この発明の他の実施例の要部を示すブロック
図。
【図4】従来のIC試験装置を示すブロック図。
【図5】A〜Dは試験パターンとタイミングクロック
と、出力波形との関係例を示すタイムチャート、Eはコ
ンパレータ27,28のしきい値と正しいレベルの入力
信号との関係例を示す図である。
【図6】従来の倍速試験のための接続を示すブロック
図。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試験サイクルごとに発生するパターンデ
    ータをアドレスとして波形メモリから、ドライバ高レベ
    ル駆動第1、第2データ、ドライバ低レベル駆動第1、
    第2データ、ドライバイネーブルデータ、ドライバディ
    スイネーブルデータ、低レベル期待値データ、高レベル
    期待値データ、非低レベル期待値データ、非高レベル期
    待値データを読出し、 上記試験サイクルごとに設定したタイミングで発生する
    第1、第2クロックと上記高レベル駆動第1、第2デー
    タとの各論理積により第1フリップフロップをセット
    し、 上記第1、第2クロックと上記低レベル駆動第1、第2
    データとの各論理積により上記第1フリップフロップを
    リセットし、 上記試験サイクルごとに設定したタイミングで発生する
    第3、第4クロックとの各論理積により第2フリップフ
    ロップをセット、リセットし、 上記第1フリップフロップの出力でドライバを駆動し、
    そのドライバの出力を被試験IC素子に印加し、 上記第2フリップフロップの出力により上記ドライバを
    イネーブル又はディスイネーブルに制御し、 上記被試験IC素子の出力を第1、第2コンパレータで
    高レベルしきい値、低レベルしきい値とそれぞれ比較
    し、 上記試験サイクルごとに設定された同一タイミングのス
    トローブにより上記第1、第2コンパレータの出力をサ
    ンプリングし、 上記第1コンパレータの非反転サンプリング出力と上記
    高レベル期待値データとの論理積と、 上記第2コンパレータの非反転サンプリング出力と上記
    低レベル期待値データとの論理積とを試験結果として出
    力する半導体IC試験装置において、 上記第3、第4クロックと上記イネーブルデータ、ディ
    スイネーブルデータとの各論理積の出力と、倍速モード
    信号との論理積をとって上記第1フリップフロップをセ
    ット、リセットさせる手段と、 上記倍速モード信号で上記第2フリップフロップをセッ
    トし、上記第2フリップフロップのリセットを禁止する
    手段と、 上記第1、第2コンパレータを、上記試験サイクルの前
    半、後半の各ストローブでそれぞれサンプリングする手
    段と、 倍速モード信号により、上記第1コンパレータの非反転
    サンプリング出力及び反転サンプリング出力と、上記高
    レベル期待値データ及び上記非高レベル期待値データと
    の各論理積の論理和を、上記第1コンパレータの非反転
    サンプリング出力と高レベル期待値データとの論理積の
    代りに試験結果として出力する第1セレクタ手段と、 上記倍速モード信号により、上記第2コンパレータの非
    反転サンプリング出力及び反転サンプリング出力と、上
    記低レベル期待値データ及び非低レベル期待値データと
    の各論理積の論理和を、上記第2コンパレータの非反転
    サンプリング出力と低レベル期待値データとの論理積の
    代りに試験結果として出力する第2セレクタ手段と、 を設けたことを特徴とする半導体IC試験装置。
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