JP7312956B2 - レーザ加工装置 - Google Patents

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本発明は、複数のエミッタを有する複数のレーザダイオードバーと、前記複数のレーザダイオードバーにより出射されたレーザ光を結合させて出射するレーザ光学系とを備えたレーザ加工装置に関する。
特許文献1には、複数のエミッタを有する複数のレーザダイオードバーと、前記複数のレーザダイオードバーにより出射されたレーザ光を結合させて出射するレーザ光学系とを備えたレーザ加工装置が開示されている。
特許第5981855号公報
ところで、特許文献1のようなレーザ加工装置において、レーザダイオードバーの寿命を長くしたいという要望がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、レーザダイオードバーの寿命を長くすることにある。
上記の目的を達成するため、本発明は、複数のエミッタを有する複数のレーザダイオードバーと、前記複数のレーザダイオードバーにより出射されたレーザ光を結合させて出射するレーザ光学系とを備えたレーザ加工装置であって、前記複数のレーザダイオードバーに電流を供給する電源と、前記各レーザダイオードバーを短絡状態と非短絡状態とに切り替える切替スイッチと、前記各レーザダイオードバー近傍の温度を検知する温度検知部と、前記温度検知部により検知された温度が基準値よりも高いレーザダイオードバーを短絡状態とし、かつ前記温度検知部により検知された温度が基準値以下のレーザダイオードバーを非短絡状態とするように前記切替スイッチを制御することで、前記温度検知部により検知された温度が基準値よりも高いレーザダイオードバーの発振を休止させるとともに、前記レーザ光学系により出射されるレーザ光のレーザ出力が所定の目標値となるように前記電源を制御する動作を所定時間経過するごとに繰り返す制御部とをさらに備えていることを特徴とする。
本発明によれば、近傍の温度が基準値よりも高いレーザダイオードバーが発振を休止するので、各レーザダイオードバーの最高温度を低く抑えることができる。したがって、レーザダイオードバーの温度上昇による劣化を抑制し、レーザダイオードバーの寿命を長くできる。
本発明によれば、レーザダイオードバーの寿命を長くできる。
本発明の実施形態に係るレーザ加工装置の構成を示す模式図である。 本発明の実施形態に係るレーザ加工装置の構成を示す模式図である。 複数のレーザモジュールの構成を示す模式図である。 レーザモジュールの側面図である。 レーザモジュールの正面図である。 レーザダイオードバー、可変抵抗、電源、及び制御部の接続関係を示す回路図である。 制御部の動作を示すフローチャートである。 レーザダイオードバー近傍の温度と時間との関係を例示するグラフである。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものでは全くない。
本実施形態に係るレーザ加工装置100は、図1に示すように、レーザ発振器10とレーザ光出射ヘッド40と伝送ファイバ50と制御部60と電源70とコントローラ80とを備えている。レーザ発振器10と伝送ファイバ50でのレーザ光の光路において、レーザ発振器10よりレーザ光が出射される端部(以下、単に出射端という。)とレーザ発振器10より伝送ファイバ50にレーザ光が入射される端部(以下、単に入射端という。)とは筐体11に収容されている。
レーザ発振器10は、複数のレーザ装置20とビーム結合器12と集光ユニット13とを有している。
レーザ装置20は、図2に示すように、互いに異なる波長のレーザ光LB1を発する例えば10個のレーザモジュール30と、10個のレーザモジュール30からそれぞれ出射されたレーザ光LB1を集光するレーザ光学系としての集光レンズ22と、集光レンズ22により出射されたレーザ光を反射させる反射鏡23と、反射鏡23から出射されたレーザ光の一部をレーザ光LB2として反射させる一方、残りをレーザ光LB3として透過させるビームスプリッタ24と、ビームスプリッタ24を透過したレーザ光LB3を受光し、レーザ光LB3の光量に応じた出力信号を出力するフォトダイオード25とを有している。
各レーザモジュール30は、図3~5に示すように、レーザダイオードバー(LDバー)31を有しており、レーザダイオードバー31は、並列に配置された複数のエミッタ31bを有する半導体レーザアレイである。言い換えるとレーザダイオードバー31は、エミッタ31bを有する並列に配置された複数のレーザダイオードからなる半導体レーザアレイである。レーザダイオードバー31は、平面視矩形状の平板形状をなし、その一方の面には板状の正電極32が配置され、正電極32の一方の面が取り付けられている。また、レーザダイオードバー31の他方の面には、正電極32よりも広い板状の負電極33が配置され、負電極33の一方の面の一部が取り付けられている。レーザダイオードバー31の一側面が、レーザ光LB1を出射するレーザ光出射面31aを構成している。各電極(正電極32,負電極33)には、配線35が接続され、当該配線35を介して後述する電源70から電流(電力)が供給される。なお、一つのレーザダイオードバー31に含まれるエミッタ31bの個数は、例えば50個に設定される。各レーザダイオードバー31には、図6にも示すように、切替スイッチとしてのリレー素子37がそれぞれ並列に接続されている。各リレー素子37は、ON(オン)とOFF(オフ)とに切り替えられることにより、対応するレーザダイオードバー31を短絡状態と非短絡状態とに切り替えることができる。10個のレーザモジュール30のレーザダイオードバー31は、互いに直列に接続されている。
負電極33のレーザダイオードバー31の取付面におけるレーザダイオードバー31の取り付けられていない領域には、レーザダイオードバー31近傍の温度を検知する温度検知部としての熱電対36が取り付けられている。なお、熱電対36の取付位置は、レーザダイオードバー31近傍であればよく、負電極33のレーザダイオードバー31の取付面に限定されない。レーザダイオードバー31近傍の温度を検知する手段として、熱電対36に代えて、RTD(Resistance Temperature Detector,測温抵抗体)、サーミスタ、IC(Integrated Circuit)センサ等の他の手段を用いてもよい。また、サーミスタ、ICセンサ等の半導体デバイスをレーザダイオードバー31と一体的に形成しても良い。各レーザモジュール30は、レーザモジュール30を冷却するための冷却板26(図3参照)に配設されている。
ビーム結合器12は、複数のレーザ装置20からそれぞれ出射されたレーザ光LB2(図2参照)を一つのレーザ光LB4に結合して集光ユニット13に出射する。
集光ユニット13は、内部に配設された集光レンズ(図示せず)によって、入射されたレーザ光LB4を集光し、集光されたレーザ光LB4は、所定の倍率でビーム径が縮小されて伝送ファイバ50に入射される。また、集光ユニット13は図示しないコネクタを有し、コネクタには伝送ファイバ50の入射端が接続されている。
レーザ発振器10をこのような構成とすることで、レーザ光出力が数kWを超える高出力のレーザ加工装置100を得ることができる。なお、本実施形態では、複数のレーザ装置20として、4つのレーザ装置20でレーザ発振器10を構成しているが、特にこれに限定されない。例えば、1つのレーザ装置20でレーザ発振器10を構成し、レーザ装置20から出力されたレーザ光LB2をそのまま伝送ファイバ50に入射させるようにしてもよい。レーザ装置20の搭載個数は、レーザ加工装置100に要求される出力仕様や、個々のレーザ装置20の出力仕様によって適宜変更されうる。
伝送ファイバ50は、集光ユニット13の集光レンズに光学的に結合され、当該集光レンズを介してレーザ発振器10から受け取ったレーザ光LB4をレーザ光出射ヘッド40に導光する。
レーザ光出射ヘッド40は、伝送ファイバ50で導光されたレーザ光LB4を外部に向けて照射する。例えば、図1に示すレーザ加工装置100では、所定の位置に配置された加工対象物であるワークWに向けて、レーザ光出射ヘッド40によりレーザ光LB4を出射する。このようにすることで、ワークWがレーザ加工される。
制御部60は、レーザ発振器10のレーザ発振を制御する。具体的には、レーザ発振器10に接続された電源70に対して出力電流、出力電圧、レーザ出力やオン時間等の制御信号を供給することにより、各々のレーザ装置20のレーザ発振制御を行う。具体的には、制御部60は、フォトダイオード25の出力信号に基づいて、制御対象のレーザ装置20により出射されるレーザ光LB2のレーザ出力が所定の目標値となるように、電源70に出力する指令電流値を生成するフィードバック制御を行う。また、制御部60は、複数の熱電対36の検知結果に基づいて、リレー素子37を制御する。制御部60による制御の詳細については、後述する。
電源70は、制御部60により出力された指令電流値に基づいて、レーザ発振を行うための電流を複数のレーザ装置20のそれぞれに対して供給する。
コントローラ80は、レーザ出力の目標値を示す入力をユーザから受け付け、当該目標値を示す指令信号を制御部60に出力する。
以下、制御部60が、1つのレーザ装置20に供給する電流と、当該レーザ装置20に含まれる10個のリレー素子37とを制御する動作について、図7を参照して説明する。
まず、S101において、コントローラ80が、レーザ出力の目標値を示す入力をユーザから受け付け、当該目標値を示す指令信号を制御部60に出力する。制御部60は、レーザ装置20の各レーザダイオードバー(各LDバー)31に流れる電流が、前記レーザ出力の目標値に応じた初期値となるように、電源70の供給電流を制御する。言い換えると、電流の初期値は、すべてのレーザダイオードバー31が正常に動作する状態で、レーザ光LB2のレーザ出力が目標値となるときの電流値である。これにより、レーザ発振が開始される。また、このとき、制御部60は、レーザ装置20のすべてのリレー素子37をOFFしている。
次に、S102において、制御部60は、フォトダイオード25の出力信号に基づいて、制御対象のレーザ装置20により出射されるレーザ光LB2のレーザ出力が所定の目標値となるように、電源70に出力する指令電流値を生成するフィードバック制御を行う。
次に、S103において、制御部60は、レーザ発振を終了する条件が満たされたか否かを判定し、満たされた場合には処理を終了し、満たされていない場合には、S104に進む。レーザ発振を終了する条件とは、例えば、コントローラ80が終了指示をユーザから受け付けること、制御部60が所定のレーザ加工が終了したと判定すること等である。
S104では、制御部60は、制御対象のレーザ装置20に含まれる10個のレーザモジュール30の熱電対36の検知結果を受信し、10個の熱電対36より検知された温度の平均値を算出する。
次に、S105において、制御部60は、S104において算出された平均値の1.1倍の値を基準値SV(図8参照)に設定する。そして、熱電対36により検知される温度が当該基準値SVよりも高いレーザモジュール30に含まれるレーザダイオードバー31を、高温レーザダイオードバーとして特定する。ここで、基準値SVを、S104において算出された平均値よりも平均値の0.1倍分高い値としたが、平均値よりも他の所定値分高い値としてもよい。基準値SVと平均値との差が、熱電対36により検知される温度に通常現れるばらつきの最大値と近い値になることが好ましい。高温レーザダイオードバーが存在する場合にはS106に進み、高温レーザダイオードバーが存在しない場合には、S102に戻る。
S106では、制御部60は、S105で特定された高温レーザダイオードバーに並列に接続されたリレー素子37をONすることにより、高温レーザダイオードバーを短絡状態とする。また、制御部60は、高温レーザダイオードバー以外のレーザダイオードバー31、すなわち熱電対36により検知される温度が基準値SV以下のレーザモジュール30に含まれるレーザダイオードバー31に並列に接続されたリレー素子37をOFFすることにより、高温レーザダイオードバー以外のレーザダイオードバー31を非短絡状態とする。そして、所定時間経過するのを待ち、S102に戻る。
図8は、レーザダイオードバー31近傍の温度と時間との関係を実線で例示する。同図中、レーザダイオードバー31を常に非短絡状態とする場合のレーザダイオードバー31近傍の温度と時間との関係を仮想線で例示する。このように、近傍の温度が基準値SVよりも高いレーザダイオードバー31が短絡状態とされ、発振を休止するので、レーザダイオードバー31を常に非短絡状態とする場合に比べ、各レーザダイオードバー31の最高温度を、ΔTで示す温度分低く抑えることができる。したがって、レーザダイオードバー31の温度上昇による劣化を抑制し、レーザダイオードバー31の寿命を長くできる。
また、基準値SVを、10個のレーザモジュール30の各熱電対36より検知された温度の平均値に基づいて算出するので、外気温の上昇や通常の経年劣化に起因して熱電対36によって検知される温度が全体的に高くなった場合でも、高温レーザダイオードバーを適切に特定できる。また、予め基準値SVを設定しなくてよいので、ユーザの手間を削減できる。
なお、上記実施形態では、1つのレーザ装置20に含まれるレーザモジュール30及びレーザダイオードバー31の数を10個に設定したが、レーザ装置20に要求される最大出力やレーザ装置20の価格等に応じて他の個数に設定してもよい。
また、上記実施形態では、1つのレーザダイオードバー31に含まれるエミッタ31bの個数を50個に設定したが、レーザモジュール30に要求される最大出力やレーザダイオードバー31の価格等に応じて他の個数に設定してもよい。
また、上記実施形態では、基準値SVを、10個のレーザモジュール30の各熱電対36より検知された温度の平均値に基づいて算出したが、予め設定するようにしてもよい。
本発明のレーザ加工装置は、レーザダイオードバーの寿命を長くでき、複数のエミッタを有する複数のレーザダイオードバーと、前記複数のレーザダイオードバーにより出射されたレーザ光を結合させて出射するレーザ光学系とを備えたレーザ加工装置として有用である。
100 レーザ加工装置
37 リレー素子(切替スイッチ)
22 集光レンズ(レーザ光学系)
31 レーザダイオードバー
31b エミッタ
36 熱電対(温度検知部)
60 制御部
70 電源
SV 基準値

Claims (2)

  1. 複数のエミッタを有する複数のレーザダイオードバーと、
    前記複数のレーザダイオードバーにより出射されたレーザ光を結合させて出射するレーザ光学系とを備えたレーザ加工装置であって、
    前記複数のレーザダイオードバーに電流を供給する電源と、
    前記各レーザダイオードバーを短絡状態と非短絡状態とに切り替える切替スイッチと、
    前記各レーザダイオードバー近傍の温度を検知する温度検知部と、
    前記温度検知部により検知された温度が基準値よりも高いレーザダイオードバーを短絡状態とし、かつ前記温度検知部により検知された温度が基準値以下のレーザダイオードバーを非短絡状態とするように前記切替スイッチを制御することで、前記温度検知部により検知された温度が基準値よりも高いレーザダイオードバーの発振を休止させるとともに、前記レーザ光学系により出射されるレーザ光のレーザ出力が所定の目標値となるように前記電源を制御する動作を所定時間経過するごとに繰り返す制御部とをさらに備えていることを特徴とするレーザ加工装置。
  2. 請求項1に記載のレーザ加工装置において、
    前記基準値は、前記複数のレーザダイオードバーの温度の平均値よりも所定値分高い値であることを特徴とするレーザ加工装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023074182A1 (ja) * 2021-10-27 2023-05-04 パナソニックホールディングス株式会社 発光装置、レーザー加工システム、発光装置の製造方法、及び、レーザー加工システムの製造方法

Citations (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002026434A (ja) 2000-07-12 2002-01-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JP2002232073A (ja) 2001-01-31 2002-08-16 Ricoh Co Ltd レーザダイオード装置及び光ディスク装置
JP2003338660A (ja) 2002-05-20 2003-11-28 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ駆動回路
JP2004214225A (ja) 2002-12-26 2004-07-29 Toshiba Corp 半導体レーザ装置及び映像表示装置
JP2004259965A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Orc Mfg Co Ltd 電流駆動素子制御回路及びこの回路を用いた固体レーザ装置
JP2005057036A (ja) 2003-08-04 2005-03-03 Laserfront Technologies Inc レーザダイオードの故障検出方法,半導体レーザ装置,及び,半導体レーザ励起固体レーザ装置
JP2005129691A (ja) 2003-10-23 2005-05-19 Mitsubishi Electric Corp ダイオード直列冗長回路
JP2005191223A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Toshiba Corp 半導体レーザ光源装置
JP2005530332A (ja) 2002-03-02 2005-10-06 ロフィン−ジナール レーザー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 複数のレーザダイオードを備えるレーザダイオード装置
JP2005317841A (ja) 2004-04-30 2005-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置
WO2006061891A1 (ja) 2004-12-08 2006-06-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha レーザダイオード励起固体レーザ発振器および該発振器におけるレーザダイオード制御方法
JP2006165298A (ja) 2004-12-08 2006-06-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 光増幅器
DE102005008100A1 (de) 2005-02-22 2006-08-31 Mitsubishi Denki K.K. Redundanzschaltung für in Reihe angeschlossene Dioden
WO2008041648A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-10 Panasonic Corporation Dispositif d'émission de lumière laser et dispositif d'affichage d'image utilisant celui-ci
JP2008181933A (ja) 2007-01-23 2008-08-07 Seiko Epson Corp レーザ光源装置の駆動方法、レーザ光源装置、画像表示装置、モニタ装置、照明装置
US20100049454A1 (en) 2008-08-21 2010-02-25 ASIC Advanatage Inc. Light emitting diode fault monitoring
JP2011187825A (ja) 2010-03-10 2011-09-22 Furukawa Electric Co Ltd:The ファイバレーザ装置およびファイバレーザ装置の制御方法
JP2013008950A (ja) 2011-05-23 2013-01-10 Panasonic Corp 光源装置および画像表示装置
JP2013534033A (ja) 2010-07-09 2013-08-29 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 有機発光ダイオード用の管理回路
JP2013225557A (ja) 2012-04-20 2013-10-31 Nec Corp 劣化判定装置、発光装置及び劣化判定方法
JP2014146423A (ja) 2013-01-25 2014-08-14 Panasonic Corp 電流バイパス回路、照明用光源及び照明装置
WO2014141684A1 (ja) 2013-03-15 2014-09-18 日本電気株式会社 光増幅器およびその制御方法
WO2014208048A1 (ja) 2013-06-24 2014-12-31 日本電気株式会社 レーザーダイオード駆動装置、光直接増幅装置、光信号伝送システム及びレーザーダイオード駆動方法
JP2015018981A (ja) 2013-07-12 2015-01-29 株式会社リコー 2次元面発光レーザアレイ発光装置
WO2015115301A1 (ja) 2014-01-30 2015-08-06 三菱電機株式会社 ビーム結合装置およびビーム結合装置の出力回復方法
JP2016163106A (ja) 2015-02-27 2016-09-05 株式会社日立製作所 通信装置および保守運用システム
JP2018003086A (ja) 2016-06-30 2018-01-11 浜松ホトニクス株式会社 焼入れ用レーザ加工装置及び焼入れ用レーザヘッド
JP2019009342A (ja) 2017-06-27 2019-01-17 大井電気株式会社 レーザ制御装置
JP7199034B2 (ja) 2018-10-25 2023-01-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 レーザ装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02244685A (ja) * 1989-03-15 1990-09-28 Nec Corp Ldモジュール保護方式
JPH043029A (ja) * 1990-04-20 1992-01-08 Fujitsu Ltd 光増幅用ポンピング光源の駆動方法
JPH05267757A (ja) * 1992-03-23 1993-10-15 Mitsubishi Electric Corp ファイバ形光増幅器
JP2991893B2 (ja) * 1993-05-31 1999-12-20 富士通株式会社 発光素子の駆動回路及びこれを用いた光増幅中継器
JPH10284789A (ja) * 1997-04-08 1998-10-23 Nec Corp レーザダイオード駆動回路
US6153980A (en) * 1999-11-04 2000-11-28 Philips Electronics North America Corporation LED array having an active shunt arrangement

Patent Citations (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002026434A (ja) 2000-07-12 2002-01-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JP2002232073A (ja) 2001-01-31 2002-08-16 Ricoh Co Ltd レーザダイオード装置及び光ディスク装置
JP2005530332A (ja) 2002-03-02 2005-10-06 ロフィン−ジナール レーザー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 複数のレーザダイオードを備えるレーザダイオード装置
JP2003338660A (ja) 2002-05-20 2003-11-28 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ駆動回路
JP2004214225A (ja) 2002-12-26 2004-07-29 Toshiba Corp 半導体レーザ装置及び映像表示装置
JP2004259965A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Orc Mfg Co Ltd 電流駆動素子制御回路及びこの回路を用いた固体レーザ装置
JP2005057036A (ja) 2003-08-04 2005-03-03 Laserfront Technologies Inc レーザダイオードの故障検出方法,半導体レーザ装置,及び,半導体レーザ励起固体レーザ装置
JP2005129691A (ja) 2003-10-23 2005-05-19 Mitsubishi Electric Corp ダイオード直列冗長回路
JP2005191223A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Toshiba Corp 半導体レーザ光源装置
JP2005317841A (ja) 2004-04-30 2005-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置
WO2006061891A1 (ja) 2004-12-08 2006-06-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha レーザダイオード励起固体レーザ発振器および該発振器におけるレーザダイオード制御方法
JP2006165298A (ja) 2004-12-08 2006-06-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 光増幅器
DE102005008100A1 (de) 2005-02-22 2006-08-31 Mitsubishi Denki K.K. Redundanzschaltung für in Reihe angeschlossene Dioden
WO2008041648A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-10 Panasonic Corporation Dispositif d'émission de lumière laser et dispositif d'affichage d'image utilisant celui-ci
JP2008181933A (ja) 2007-01-23 2008-08-07 Seiko Epson Corp レーザ光源装置の駆動方法、レーザ光源装置、画像表示装置、モニタ装置、照明装置
US20100049454A1 (en) 2008-08-21 2010-02-25 ASIC Advanatage Inc. Light emitting diode fault monitoring
JP2011187825A (ja) 2010-03-10 2011-09-22 Furukawa Electric Co Ltd:The ファイバレーザ装置およびファイバレーザ装置の制御方法
JP2013534033A (ja) 2010-07-09 2013-08-29 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 有機発光ダイオード用の管理回路
JP2013008950A (ja) 2011-05-23 2013-01-10 Panasonic Corp 光源装置および画像表示装置
JP2013225557A (ja) 2012-04-20 2013-10-31 Nec Corp 劣化判定装置、発光装置及び劣化判定方法
JP2014146423A (ja) 2013-01-25 2014-08-14 Panasonic Corp 電流バイパス回路、照明用光源及び照明装置
WO2014141684A1 (ja) 2013-03-15 2014-09-18 日本電気株式会社 光増幅器およびその制御方法
WO2014208048A1 (ja) 2013-06-24 2014-12-31 日本電気株式会社 レーザーダイオード駆動装置、光直接増幅装置、光信号伝送システム及びレーザーダイオード駆動方法
JP2015018981A (ja) 2013-07-12 2015-01-29 株式会社リコー 2次元面発光レーザアレイ発光装置
WO2015115301A1 (ja) 2014-01-30 2015-08-06 三菱電機株式会社 ビーム結合装置およびビーム結合装置の出力回復方法
JP2016163106A (ja) 2015-02-27 2016-09-05 株式会社日立製作所 通信装置および保守運用システム
JP2018003086A (ja) 2016-06-30 2018-01-11 浜松ホトニクス株式会社 焼入れ用レーザ加工装置及び焼入れ用レーザヘッド
JP2019009342A (ja) 2017-06-27 2019-01-17 大井電気株式会社 レーザ制御装置
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