JPH02244685A - Ｌｄモジュール保護方式 - Google Patents
Ｌｄモジュール保護方式Info
- Publication number
- JPH02244685A JPH02244685A JP1064808A JP6480889A JPH02244685A JP H02244685 A JPH02244685 A JP H02244685A JP 1064808 A JP1064808 A JP 1064808A JP 6480889 A JP6480889 A JP 6480889A JP H02244685 A JPH02244685 A JP H02244685A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- drive circuit
- signal
- range
- drive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザダイオード（ＬＤ）モジュールの保護に
関し、特に温度変化に対応する保護に関する。
関し、特に温度変化に対応する保護に関する。
従来の技術では、ＬＤ素子の温度が異常に上がったり下
がったりした場合でもＬＤ素子を発光させたまま使用し
ていたためＬＤ素子の劣化あるいは破壊を招く可能性が
あった。
がったりした場合でもＬＤ素子を発光させたまま使用し
ていたためＬＤ素子の劣化あるいは破壊を招く可能性が
あった。
上述した従来の例では、ＬＤ素子の温度が異常に上がっ
たり下がったりした場合でも発光させていたためＬＤ素
子の劣化あるいは破壊を招く恐れがあるという欠点があ
る。
たり下がったりした場合でも発光させていたためＬＤ素
子の劣化あるいは破壊を招く恐れがあるという欠点があ
る。
本発明のＬＤモジュール保護方式は、ＬＤ駆動回路と、
ＬＤ駆動回路の出力を入力として光信号を発するＬＤ素
子と、ＬＤ素子に近接する温度センサと、温度センサの
出力を入力とするペルチェ素子駆動回路と、ペルチェ素
子駆動回路の出力を入力としかつＬＤ素子と低熱抵抗で
一体化されているペルチェ素子と、温度センサの出力を
入力とするＬＤモジュール保護回路とを有している。
ＬＤ駆動回路の出力を入力として光信号を発するＬＤ素
子と、ＬＤ素子に近接する温度センサと、温度センサの
出力を入力とするペルチェ素子駆動回路と、ペルチェ素
子駆動回路の出力を入力としかつＬＤ素子と低熱抵抗で
一体化されているペルチェ素子と、温度センサの出力を
入力とするＬＤモジュール保護回路とを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の実施例を示すブロック図である。
図において、ＬＤ駆動回路ＪはＬＤ駆動信号０１を出力
し、ＬＤ素子３に接続される。ＬＤ素子３はＬＤ駆動信
号０１に従って光信号０５を発出する。温度センサ５は
ＬＤ素子３の温度を検出してＬＤモジユール保護回路６
とペルチェ素子駆動回路７に入力される。ペルチェ素子
駆動回路７はペルチェ素子駆動電流０２を出力し、ＬＤ
素子３と低熱抵抗で一体化されているペルチェ素子４の
入力となる。ＬＤモジユール保護回路６は温度情報０３
を入力として、ＬＤモジュール保護信号０４を出力する
。ＬＤモジュール保護信号０４はＬＤ駆動回路１に出力
される。
し、ＬＤ素子３に接続される。ＬＤ素子３はＬＤ駆動信
号０１に従って光信号０５を発出する。温度センサ５は
ＬＤ素子３の温度を検出してＬＤモジユール保護回路６
とペルチェ素子駆動回路７に入力される。ペルチェ素子
駆動回路７はペルチェ素子駆動電流０２を出力し、ＬＤ
素子３と低熱抵抗で一体化されているペルチェ素子４の
入力となる。ＬＤモジユール保護回路６は温度情報０３
を入力として、ＬＤモジュール保護信号０４を出力する
。ＬＤモジュール保護信号０４はＬＤ駆動回路１に出力
される。
次にその動作を説明する。
ＬＤ駆動回路１はＬＤ駆動信号０１をＬＤ素子・３へ出
力する。ＬＤ素子３は入力された■、Ｄ駆動信号０１に
基づいて光信号０５を出力する。−力ＬＤ素子３に近接
する温度センサ５はＬＤ素子３の温度を検出し温度情報
０３としてＬＤモジュル保護回路６とペルチェ素子駆動
回路７に供給する。ペルチェ素子駆動回路７は入力され
た温度情報０３に基づいてペルチェ駆動電流０２を出力
する。ペルチェ駆動電流０２は、ＬＤ素子３と低熱抵抗
で一体化されているペルチェ素子４に入力されＬＤ素子
３の温度を制御する。温度センサ５から出力された湿度
情報０３はＬＤモジユール保護回路６にも供給される。
力する。ＬＤ素子３は入力された■、Ｄ駆動信号０１に
基づいて光信号０５を出力する。−力ＬＤ素子３に近接
する温度センサ５はＬＤ素子３の温度を検出し温度情報
０３としてＬＤモジュル保護回路６とペルチェ素子駆動
回路７に供給する。ペルチェ素子駆動回路７は入力され
た温度情報０３に基づいてペルチェ駆動電流０２を出力
する。ペルチェ駆動電流０２は、ＬＤ素子３と低熱抵抗
で一体化されているペルチェ素子４に入力されＬＤ素子
３の温度を制御する。温度センサ５から出力された湿度
情報０３はＬＤモジユール保護回路６にも供給される。
ＬＤモジユール保護回路６は入力された温度情報０３を
もとにしてＬＤ素子３の温度が何度になっているか検出
し、それがＬＤ素子３の使用温度範囲内に゛入っている
か識別し、ＬＤ駆動回路１に対して使用温度範囲内に入
っているか否かの信号としてＬＤモジュール保護信号０
４を出力する。ＬＤ駆動回路１では王、Ｄモジュール保
護信号０４がＬＤ素子３の温度が使用温度範囲内にある
ことを示している時は、ＬＤ駆動信号０１をＬＤ素子３
に出力し、ＬＤ素子３の温度が使用温度範囲外にあるこ
とを示している時はＬＤ駆動信号０１をＬＤ素子３に出
力しないように動作する。
もとにしてＬＤ素子３の温度が何度になっているか検出
し、それがＬＤ素子３の使用温度範囲内に゛入っている
か識別し、ＬＤ駆動回路１に対して使用温度範囲内に入
っているか否かの信号としてＬＤモジュール保護信号０
４を出力する。ＬＤ駆動回路１では王、Ｄモジュール保
護信号０４がＬＤ素子３の温度が使用温度範囲内にある
ことを示している時は、ＬＤ駆動信号０１をＬＤ素子３
に出力し、ＬＤ素子３の温度が使用温度範囲外にあるこ
とを示している時はＬＤ駆動信号０１をＬＤ素子３に出
力しないように動作する。
したがってＬＤ素子３の温度が使用温度内にあるときだ
けＬＤ素子３を発光させるため、ＬＤ素子の劣化、破壊
を防止できる。
けＬＤ素子３を発光させるため、ＬＤ素子の劣化、破壊
を防止できる。
以上説明したように本発明は、ＬＤ素子の温度検出を行
ない使用温度範囲内にあるか否かを識別し、ＬＤ素子の
温度が使用温度範囲内にある時のみ、ＬＤ駆動信号を出
力させる機能を持たせることにより、ＬＤ素子の温度が
使用温度範囲外になった時の発光を防止できる効果があ
る。その結果、ＬＤ素子の劣化あるいは破壊を防ぐこと
ができる。
ない使用温度範囲内にあるか否かを識別し、ＬＤ素子の
温度が使用温度範囲内にある時のみ、ＬＤ駆動信号を出
力させる機能を持たせることにより、ＬＤ素子の温度が
使用温度範囲外になった時の発光を防止できる効果があ
る。その結果、ＬＤ素子の劣化あるいは破壊を防ぐこと
ができる。
る。
■・・・・・・ＬＤ駆動回路、２・・・・・・ＬＤモジ
、−ル、３・・・・・・ＬＤ素子、４・・・・・・ＬＤ
素子と低熱抵抗で一体化されているペルチェ素子、５・
・・・・・温度センサ、６・・・・・・ＬＤモジュール
保護回路、７・・・・・・ペルチェ素子駆動回路、０１
・・・・・・ＬＤ駆動信号、０２・・・・・ペルチェ素
子駆動電流、０３・・・・・・温度情報、０４・・・・
・・ＬＤモジュール保護信号、０５・・・・・・光信号
。
、−ル、３・・・・・・ＬＤ素子、４・・・・・・ＬＤ
素子と低熱抵抗で一体化されているペルチェ素子、５・
・・・・・温度センサ、６・・・・・・ＬＤモジュール
保護回路、７・・・・・・ペルチェ素子駆動回路、０１
・・・・・・ＬＤ駆動信号、０２・・・・・ペルチェ素
子駆動電流、０３・・・・・・温度情報、０４・・・・
・・ＬＤモジュール保護信号、０５・・・・・・光信号
。
代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- レーザダイオード（以下ＬＤと言う）素子を駆動するＬ
Ｄ駆動回路と、前記ＬＤ素子に近接する温度センサと、
前記温度センサの出力に応じ温度コントロールするペル
チェ素子駆動回路と、前記ペルチェ素子駆動回路の出力
を入力として、かつ前記ＬＤ素子と低熱抵抗で一体化さ
れているペルチェ素子と、前記温度センサの出力からＬ
Ｄ素子の使用温度範囲内にあるかを識別し、前記範囲内
にあれば前記ＬＤ素子を駆動し、範囲外であれば駆動を
停止するＬＤモジュール保護回路とを含むＬＤモジュー
ル保護方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064808A JPH02244685A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Ｌｄモジュール保護方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064808A JPH02244685A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Ｌｄモジュール保護方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244685A true JPH02244685A (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=13268916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1064808A Pending JPH02244685A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Ｌｄモジュール保護方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02244685A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005008100A1 (de) * | 2005-02-22 | 2006-08-31 | Mitsubishi Denki K.K. | Redundanzschaltung für in Reihe angeschlossene Dioden |
| US7136582B2 (en) | 2003-08-28 | 2006-11-14 | Tdk Corporation | Lighting apparatus |
| US7224150B2 (en) | 2003-10-23 | 2007-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Redundancy circuit for series-connected diodes |
| JP2020068312A (ja) * | 2018-10-25 | 2020-04-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ装置 |
| JP2021022593A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ加工装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54152880A (en) * | 1978-05-23 | 1979-12-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser temperature control unit |
| JPS54162764A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-24 | Sekisui Seikei Kogyo Kk | Multilayer blow molded container and production thereof |
| JPS5687389A (en) * | 1979-12-18 | 1981-07-15 | Ricoh Co Ltd | Protection of semiconductor laser |
| JPS5763879A (en) * | 1980-10-06 | 1982-04-17 | Ricoh Co Ltd | Output stabilizing method for semiconductor laser device |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1064808A patent/JPH02244685A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS54152880A (en) * | 1978-05-23 | 1979-12-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser temperature control unit |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7136582B2 (en) | 2003-08-28 | 2006-11-14 | Tdk Corporation | Lighting apparatus |
| CN100460987C (zh) * | 2003-08-28 | 2009-02-11 | Tdk株式会社 | 照明装置 |
| US7224150B2 (en) | 2003-10-23 | 2007-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Redundancy circuit for series-connected diodes |
| DE102005008100A1 (de) * | 2005-02-22 | 2006-08-31 | Mitsubishi Denki K.K. | Redundanzschaltung für in Reihe angeschlossene Dioden |
| DE102005008100B4 (de) * | 2005-02-22 | 2007-03-08 | Mitsubishi Denki K.K. | Redundanzschaltung für in Reihe angeschlossene Dioden |
| JP2020068312A (ja) * | 2018-10-25 | 2020-04-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ装置 |
| JP2021022593A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ加工装置 |
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