JP2000077765A - レーザダイオード発光デバイス - Google Patents
レーザダイオード発光デバイスInfo
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- JP2000077765A JP2000077765A JP10246715A JP24671598A JP2000077765A JP 2000077765 A JP2000077765 A JP 2000077765A JP 10246715 A JP10246715 A JP 10246715A JP 24671598 A JP24671598 A JP 24671598A JP 2000077765 A JP2000077765 A JP 2000077765A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源サージ・静電気に対する耐力を向上する
ことにより、信頼性を高め、取り扱いを容易にする。 【解決手段】 半導体レーザチップ１とモニタ用フォト
ダイオードを並列に接続するとともに、コンデンサ３を
半導体レーザチップ１に並列に接続して、外部からのサ
ージや静電気をコンデンサ３により吸収することにより
耐力を向上させる。コンデンサの代わりにコイルや抵抗
を半導体レーザチップ１に直列に接続したり、ノイズ除
去フィルタやオートパワーコントロールを半導体レーザ
チップ１に直列に接続してもよい。
ことにより、信頼性を高め、取り扱いを容易にする。 【解決手段】 半導体レーザチップ１とモニタ用フォト
ダイオードを並列に接続するとともに、コンデンサ３を
半導体レーザチップ１に並列に接続して、外部からのサ
ージや静電気をコンデンサ３により吸収することにより
耐力を向上させる。コンデンサの代わりにコイルや抵抗
を半導体レーザチップ１に直列に接続したり、ノイズ除
去フィルタやオートパワーコントロールを半導体レーザ
チップ１に直列に接続してもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
を光源とするレーザダイオード発光デバイスに関する。
を光源とするレーザダイオード発光デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のレーザダイオード発光デバ
イスの構成を示している。図７において、レーザチップ
１０１はステム１０２に取り付けられ、ステム１０２は
ヒートシンク１０３と一体に形成されている。レーザチ
ップ１０１はリードポスト１０４を介してＬＤ端子に接
続されている。１０５はレーザチップ１０１の発散光束
を受ける位置に配置されたモニタ用フォトダイオードで
あり、ＭＤ端子に接続されている。ステム１０２は、電
気的にはレーザチップ１０１とモニタ用フォトダイオー
ド１０５の共通端子となり、ＣＯＭ端子に接続されてい
る。ヒートシンク１０３の上にはキャップ１０６が被せ
られ、その中央部にはガラス板を取り付けた発光窓１０
７が形成されている。図８はこのレーザダイオード発光
デバイスの端子接続図を示している。
イスの構成を示している。図７において、レーザチップ
１０１はステム１０２に取り付けられ、ステム１０２は
ヒートシンク１０３と一体に形成されている。レーザチ
ップ１０１はリードポスト１０４を介してＬＤ端子に接
続されている。１０５はレーザチップ１０１の発散光束
を受ける位置に配置されたモニタ用フォトダイオードで
あり、ＭＤ端子に接続されている。ステム１０２は、電
気的にはレーザチップ１０１とモニタ用フォトダイオー
ド１０５の共通端子となり、ＣＯＭ端子に接続されてい
る。ヒートシンク１０３の上にはキャップ１０６が被せ
られ、その中央部にはガラス板を取り付けた発光窓１０
７が形成されている。図８はこのレーザダイオード発光
デバイスの端子接続図を示している。
【０００３】図９はオートパワーコントロール（ＡＰ
Ｃ）回路の一例を示している。レーザチップ１０１が発
光すると、モニタ用フォトダイオード１０５にレーザ光
が照射され、ＭＤ端子に電流が流れる。この電流が抵抗
Ｒを介してグランドへ流されるため、Ｐ点では電圧が生
じる。この電圧と基準電圧Ｖｒとを比較器１０８で比較
し、その差がなくなるようにレーザダイオードへ流れる
電流をトランジスタ１０９で制御しているため、レーザ
ダイオードは一定の光出力を保つことになる。
Ｃ）回路の一例を示している。レーザチップ１０１が発
光すると、モニタ用フォトダイオード１０５にレーザ光
が照射され、ＭＤ端子に電流が流れる。この電流が抵抗
Ｒを介してグランドへ流されるため、Ｐ点では電圧が生
じる。この電圧と基準電圧Ｖｒとを比較器１０８で比較
し、その差がなくなるようにレーザダイオードへ流れる
電流をトランジスタ１０９で制御しているため、レーザ
ダイオードは一定の光出力を保つことになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ダイオードは、一般に、周波数応答性が非常に良く、動
作電圧も低いため、電源サージ・静電気に対する耐力が
低く、取り扱いが非常に難しいという問題があった。
ダイオードは、一般に、周波数応答性が非常に良く、動
作電圧も低いため、電源サージ・静電気に対する耐力が
低く、取り扱いが非常に難しいという問題があった。
【０００５】本発明は、このような従来の問題を解決す
るものであり、電源サージ・静電気に対する耐力を向上
させることにより、信頼性が高く、取り扱いの容易なレ
ーザダイオード発光デバイスを提供することを目的とす
る。
るものであり、電源サージ・静電気に対する耐力を向上
させることにより、信頼性が高く、取り扱いの容易なレ
ーザダイオード発光デバイスを提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、レーザダイオードにコンデンサやコイ
ル、抵抗、フィルタ、オートパワーコントロール回路な
どを接続して、電源サージや静電気に対する耐力を高め
たものである。これにより、信頼性が高く、取り扱いの
容易なレーザダイオード発光デバイスを実現することが
できる。
成するために、レーザダイオードにコンデンサやコイ
ル、抵抗、フィルタ、オートパワーコントロール回路な
どを接続して、電源サージや静電気に対する耐力を高め
たものである。これにより、信頼性が高く、取り扱いの
容易なレーザダイオード発光デバイスを実現することが
できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、少なくともレーザダイオード素子とコンデンサ素子
を内蔵し、前記レーザダイオード素子とコンデンサ素子
とを並列に接続したことを特徴とするレーザダイオード
発光デバイスであり、外部からのサージや静電気をコン
デンサ素子により吸収するので、サージ・静電気に対す
る耐力を向上できるという作用を有する。
は、少なくともレーザダイオード素子とコンデンサ素子
を内蔵し、前記レーザダイオード素子とコンデンサ素子
とを並列に接続したことを特徴とするレーザダイオード
発光デバイスであり、外部からのサージや静電気をコン
デンサ素子により吸収するので、サージ・静電気に対す
る耐力を向上できるという作用を有する。
【０００８】本発明の請求項２に記載の発明は、少なく
ともレーザダイオード素子とコイル素子を内蔵し、前記
レーザダイオード素子とコイル素子とを直列に接続した
ことを特徴とするレーザダイオード発光デバイスであ
り、外部からのサージや静電気をコイル素子により鈍ら
せるので、サージ・静電気に対する耐力を向上できると
いう作用を有する。
ともレーザダイオード素子とコイル素子を内蔵し、前記
レーザダイオード素子とコイル素子とを直列に接続した
ことを特徴とするレーザダイオード発光デバイスであ
り、外部からのサージや静電気をコイル素子により鈍ら
せるので、サージ・静電気に対する耐力を向上できると
いう作用を有する。
【０００９】本発明の請求項３に記載の発明は、少なく
ともレーザダイオード素子と抵抗素子を内蔵し、前記レ
ーザダイオード素子と抵抗素子とを直列に接続したこと
を特徴とするレーザダイオード発光デバイスであり、外
部からのサージや静電気に対して抵抗素子により流入電
流を小さくするので、サージ・静電気に対する耐力を向
上できるという作用を有する。
ともレーザダイオード素子と抵抗素子を内蔵し、前記レ
ーザダイオード素子と抵抗素子とを直列に接続したこと
を特徴とするレーザダイオード発光デバイスであり、外
部からのサージや静電気に対して抵抗素子により流入電
流を小さくするので、サージ・静電気に対する耐力を向
上できるという作用を有する。
【００１０】本発明の請求項４に記載の発明は、少なく
ともレーザダイオード素子とノイズ除去フィルタを内蔵
し、前記レーザダイオード素子とノイズ除去フィルタと
を直列に接続したことを特徴とするレーザダイオード発
光デバイスであり、外部からのサージや静電気によるノ
イズをフィルタにより除去するので、サージ・静電気に
対する耐力を向上できるという作用を有する。
ともレーザダイオード素子とノイズ除去フィルタを内蔵
し、前記レーザダイオード素子とノイズ除去フィルタと
を直列に接続したことを特徴とするレーザダイオード発
光デバイスであり、外部からのサージや静電気によるノ
イズをフィルタにより除去するので、サージ・静電気に
対する耐力を向上できるという作用を有する。
【００１１】本発明の請求項５に記載の発明は、少なく
ともレーザダイオード素子とオートパワーコントロール
回路を内蔵し、前記レーザダイオード素子とオートパワ
ーコントロール回路とを直列に接続したことを特徴とす
るレーザダイオード発光デバイスであり、外部からのサ
ージや静電気がレーザダイオードに直接加わらないの
で、サージ・静電気に対する耐力を向上できるという作
用を有する。
ともレーザダイオード素子とオートパワーコントロール
回路を内蔵し、前記レーザダイオード素子とオートパワ
ーコントロール回路とを直列に接続したことを特徴とす
るレーザダイオード発光デバイスであり、外部からのサ
ージや静電気がレーザダイオードに直接加わらないの
で、サージ・静電気に対する耐力を向上できるという作
用を有する。
【００１２】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
１から５のいずれかに記載の構成を組み合わせたことを
特徴とするレーザダイオード発光デバイスであり、外部
からのサージや静電気に対する耐力を向上できるという
作用を有する。
１から５のいずれかに記載の構成を組み合わせたことを
特徴とするレーザダイオード発光デバイスであり、外部
からのサージや静電気に対する耐力を向上できるという
作用を有する。
【００１３】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
１から６のいずれかに記載の構成を備えた光集積デバイ
スであり、外部からのサージや静電気に対する耐力を向
上できるという作用を有する。
１から６のいずれかに記載の構成を備えた光集積デバイ
スであり、外部からのサージや静電気に対する耐力を向
上できるという作用を有する。
【００１４】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態を図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実
施の形態を示し、１は一端をＬＤ端子に接続され他端を
ＣＯＭ端子に接続された半導体レーザチップ、２は一端
をＭＤ端子に接続、他端をＣＯＭ端子に接続されたモニ
タ用フォトダイオード、３は半導体レーザチップ１に並
列に接続されたコンデンサである。本実施の形態によれ
ば、外部からのサージや静電気をコンデンサ３により吸
収するので、耐力を向上させることができる。
態を図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実
施の形態を示し、１は一端をＬＤ端子に接続され他端を
ＣＯＭ端子に接続された半導体レーザチップ、２は一端
をＭＤ端子に接続、他端をＣＯＭ端子に接続されたモニ
タ用フォトダイオード、３は半導体レーザチップ１に並
列に接続されたコンデンサである。本実施の形態によれ
ば、外部からのサージや静電気をコンデンサ３により吸
収するので、耐力を向上させることができる。
【００１５】（実施の形態２）図２は本発明の第２の実
施の形態を示し、１は一端をＬＤ端子に接続され他端を
ＣＯＭ端子に接続された半導体レーザチップ、２は一端
をＭＤ端子に接続、他端をＣＯＭ端子に接続されたモニ
タ用フォトダイオード、４は半導体レーザチップ１に直
列に接続されたコイルである。本実施の形態によれば、
外部からのサージや静電気をコイル４により鈍らせるの
で、耐力を向上させることができる。
施の形態を示し、１は一端をＬＤ端子に接続され他端を
ＣＯＭ端子に接続された半導体レーザチップ、２は一端
をＭＤ端子に接続、他端をＣＯＭ端子に接続されたモニ
タ用フォトダイオード、４は半導体レーザチップ１に直
列に接続されたコイルである。本実施の形態によれば、
外部からのサージや静電気をコイル４により鈍らせるの
で、耐力を向上させることができる。
【００１６】（実施の形態３）図３は本発明の第３の実
施の形態を示し、１は一端をＬＤ端子に接続され他端を
ＣＯＭ端子に接続された半導体レーザチップ、２は一端
をＭＤ端子に接続、他端をＣＯＭ端子に接続されたモニ
タ用フォトダイオード、５は半導体レーザチップ１に直
列に接続された抵抗である。本実施の形態によれば、外
部からのサージや静電気に対して抵抗５により流入電流
を小さくするので、耐力を向上させることができる。
施の形態を示し、１は一端をＬＤ端子に接続され他端を
ＣＯＭ端子に接続された半導体レーザチップ、２は一端
をＭＤ端子に接続、他端をＣＯＭ端子に接続されたモニ
タ用フォトダイオード、５は半導体レーザチップ１に直
列に接続された抵抗である。本実施の形態によれば、外
部からのサージや静電気に対して抵抗５により流入電流
を小さくするので、耐力を向上させることができる。
【００１７】（実施の形態４）図４は本発明の第４の実
施の形態を示し、１は一端をＬＤ端子に接続され他端を
ＣＯＭ端子に接続された半導体レーザチップ、２は一端
をＭＤ端子に接続、他端をＣＯＭ端子に接続されたモニ
タ用フォトダイオード、６は半導体レーザチップ１に直
列に接続されたフィルタである。本実施の形態によれ
ば、外部からのサージや静電気によるノイズをフィルタ
６により除去するので、耐力を向上させることができ
る。
施の形態を示し、１は一端をＬＤ端子に接続され他端を
ＣＯＭ端子に接続された半導体レーザチップ、２は一端
をＭＤ端子に接続、他端をＣＯＭ端子に接続されたモニ
タ用フォトダイオード、６は半導体レーザチップ１に直
列に接続されたフィルタである。本実施の形態によれ
ば、外部からのサージや静電気によるノイズをフィルタ
６により除去するので、耐力を向上させることができ
る。
【００１８】（実施の形態５）図５は本発明の第５の実
施の形態を示し、１は一端をＬＤ端子に接続され他端を
ＣＯＭ端子に接続された半導体レーザチップ、２は一端
をＭＤ端子に接続、他端をＣＯＭ端子に接続されたモニ
タ用フォトダイオード、７は半導体レーザチップ１に直
列に接続されたオートパワーコントロール（ＡＰＣ）回
路である。本実施の形態によれば、外部からのサージや
静電気が半導体レーザチップ１に直接加わらないので、
耐力を向上させることができる。
施の形態を示し、１は一端をＬＤ端子に接続され他端を
ＣＯＭ端子に接続された半導体レーザチップ、２は一端
をＭＤ端子に接続、他端をＣＯＭ端子に接続されたモニ
タ用フォトダイオード、７は半導体レーザチップ１に直
列に接続されたオートパワーコントロール（ＡＰＣ）回
路である。本実施の形態によれば、外部からのサージや
静電気が半導体レーザチップ１に直接加わらないので、
耐力を向上させることができる。
【００１９】（実施の形態６）図６は本発明の第６の実
施の形態を示し、上記した構成を有するレーザダイオー
ド発光デバイスを光集積デバイスに応用した例である。
端子ピンを突出させたステム１１にはキャップ１２が被
せられ、その内部には半導体レーザチップ１３、モニタ
用フォトダイオード１４および信号検出用フォトダイオ
ード１５が収容されている。また、キャップ１２の頂部
にはホログラム１６が固定されている。このように本実
施の形態によれば、外部からのサージや静電気に対して
耐力のある光集積デバイスを実現することができる。
施の形態を示し、上記した構成を有するレーザダイオー
ド発光デバイスを光集積デバイスに応用した例である。
端子ピンを突出させたステム１１にはキャップ１２が被
せられ、その内部には半導体レーザチップ１３、モニタ
用フォトダイオード１４および信号検出用フォトダイオ
ード１５が収容されている。また、キャップ１２の頂部
にはホログラム１６が固定されている。このように本実
施の形態によれば、外部からのサージや静電気に対して
耐力のある光集積デバイスを実現することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、レーザ
ダイオードにコンデンサやコイル、抵抗、フィルタ、オ
ートパワーコントロール回路などを接続して、電源サー
ジや静電気に対する耐力を向上させたので、信頼性が高
く、取り扱いの容易なレーザダイオード発光デバイスを
実現することができる。
ダイオードにコンデンサやコイル、抵抗、フィルタ、オ
ートパワーコントロール回路などを接続して、電源サー
ジや静電気に対する耐力を向上させたので、信頼性が高
く、取り扱いの容易なレーザダイオード発光デバイスを
実現することができる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるレーザダイオー
ド発光デバイスの端子接続図
ド発光デバイスの端子接続図
【図２】本発明の実施の形態２におけるレーザダイオー
ド発光デバイスの端子接続図
ド発光デバイスの端子接続図
【図３】本発明の実施の形態３におけるレーザダイオー
ド発光デバイスの端子接続図
ド発光デバイスの端子接続図
【図４】本発明の実施の形態４におけるレーザダイオー
ド発光デバイスの端子接続図
ド発光デバイスの端子接続図
【図５】本発明の実施の形態５におけるレーザダイオー
ド発光デバイスの端子接続図
ド発光デバイスの端子接続図
【図６】本発明の実施の形態６における光集積デバイス
の部分断面図
の部分断面図
【図７】従来例におけるレーザダイオード発光デバイス
の部分断面図
の部分断面図
【図８】従来例におけるレーザダイオード発光デバイス
の端子接続図
の端子接続図
【図９】従来例におけるオートパワーコントロール回路
の回路図
の回路図
１ 半導体レーザチップ ２ モニタ用フォトダイオード ３ コンデンサ ４ コイル ５ 抵抗 ６ フィルタ ７ ＡＰＣ １１ ステム １２ キャップ １３ 半導体レーザチップ １４ モニタ用フォトダイオード １５ 信号検出用フォトダイオード １６ ホログラム
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくともレーザダイオード素子とコン
デンサ素子を内蔵し、前記レーザダイオード素子とコン
デンサ素子とを並列に接続したことを特徴とするレーザ
ダイオード発光デバイス。 - 【請求項２】 少なくともレーザダイオード素子とコイ
ル素子を内蔵し、前記レーザダイオード素子とコイル素
子とを直列に接続したことを特徴とするレーザダイオー
ド発光デバイス。 - 【請求項３】 少なくともレーザダイオード素子と抵抗
素子を内蔵し、前記レーザダイオード素子と抵抗素子と
を直列に接続したことを特徴とするレーザダイオード発
光デバイス。 - 【請求項４】 少なくともレーザダイオード素子とノイ
ズ除去フィルタを内蔵し、前記レーザダイオード素子と
ノイズ除去フィルタとを直列に接続したことを特徴とす
るレーザダイオード発光デバイス。 - 【請求項５】 少なくともレーザダイオード素子とオー
トパワーコントロール回路を内蔵し、前記レーザダイオ
ード素子とオートパワーコントロール回路とを直列に接
続したことを特徴とするレーザダイオード発光デバイ
ス。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれかに記載の構成
を組み合わせたことを特徴とするレーザダイオード発光
デバイス。 - 【請求項７】 請求項１から６のいずれかに記載の構成
を備えた光集積デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246715A JP2000077765A (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | レーザダイオード発光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246715A JP2000077765A (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | レーザダイオード発光デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077765A true JP2000077765A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17152579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10246715A Pending JP2000077765A (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | レーザダイオード発光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077765A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847665B2 (en) | 2001-03-21 | 2005-01-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method for producing the same |
| JP2007294981A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 集積電子構成要素を有する半導体発光装置 |
-
1998
- 1998-09-01 JP JP10246715A patent/JP2000077765A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847665B2 (en) | 2001-03-21 | 2005-01-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method for producing the same |
| JP2007294981A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 集積電子構成要素を有する半導体発光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041101 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070905 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070918 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080129 |