JPS61107785A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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JPS61107785A
JPS61107785A JP59229935A JP22993584A JPS61107785A JP S61107785 A JPS61107785 A JP S61107785A JP 59229935 A JP59229935 A JP 59229935A JP 22993584 A JP22993584 A JP 22993584A JP S61107785 A JPS61107785 A JP S61107785A
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JP
Japan
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capacitor
semiconductor laser
laser element
surge voltage
laser device
Prior art date
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Pending
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JP59229935A
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Masahiro Kume
雅博 粂
Kunio Ito
国雄 伊藤
Masaru Wada
優 和田
Yuichi Shimizu
裕一 清水
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光情報処理装置に用いることができる半導体
レーザ装置に関する。
従来の技術 半導体レーザ装置は、小型、低消費電力で高効率である
等の利点があることから、光ディスク、レーザプリンタ
或は光通信システム等に使用され、特にコンパクトディ
スク（ＣＤ）のピックアップには多量生産されるように
なっている。
第５図は従来の半導体レーザ装置の断面構造を示すもの
である。同図において、■はレーザ光を放出する半導体
レーザ素子、２はレーザ素子ｌの光出力をモニタするホ
トダイオードである。３は熱を散逸するヒートシンクで
、これにレーザ素子１が接着されている。４はレーザ光
を外部に取り出すための窓ガラス、５はリード線、６は
キャップ、モして７はステムである。
次にその動作を説明する。半導体レーザ素子１は、ダイ
オード特性を持っており、リード線５を通して外部より
約２ｖの順方向電圧を印加することによりレーザ発振が
起る。この順方向電流を増してゆくと、光出力は直線的
に増大するが、ある臨界値を超えると、素子が破壊され
、レーザ発振が停止する。
発明が解決しようとする問題点 上述のように第５図に示す従来の半導体レーザ装置では
、静電気やサージ電圧がリード！！５に加わると、レー
ザ素子ｌが瞬間的に許容最大光出力以上の光を放射し、
その結果素子が劣化する可能性が極めて大きい、このよ
うにして劣化した素子は一般にしきい電流値が増大し、
効率が低下する。又素子の寿命も短くなる。従ってレー
ザ素子にサージ電流が流れないようにその取扱いに充分
気を付ける必要がある。
本発明は、このような問題を解決し、リード線に静電気
やサージ電圧が加わっても、パッケージ内のレーザ素子
に許容値以上の電流が流れないようにしたものである。
問題点を解決するための手段 上述の問題を解決するため、本発明は、パッケージ内の
半導体レーザ素子の両端にコンデンサを接続するもので
ある。
作用 上述の構成により、リード線に過大なサージ電圧が掛っ
た時、コンデンサが過渡的にサージ電流を吸収し、レー
ザ素子をサージ電流から保護することができる。
実施例 第１図は本発明の第１の実施例の半導体レーザ装置のパ
ッケージ内の回路図であり、図中、１は半導体レーザ素
子、８はこれに並列に接続されたコンデンサである１、
又、第２図はその更に具体的構成例を示す斜視図である
。同図において、３はヒートシンクで、これに半導体レ
ーザ素子１とチップコンデンサ８がポンディングされて
いる。
５はリード線、７はステム、９はポール、１０はワイヤ
テする。コンデンサ８はポール９上に載せることもでき
、又、ステム７からリード線５を取り出している部分を
貫通コンデンサとすることもできる。
次に上述の実施例の動作を説明する。外部リード線５に
パルス状のサージ電圧が加わった時、コンデンサ８がサ
ージ電流を吸収し、そのためにレーザ素子ｌの両端に加
わるサージ電圧が低下し、レーザ素子の破壊が防止され
る。コンデンサ８には、チップセラミックコンデンサが
適し、そ　”の容量は０゜Ｏｌｇ　Ｆ〜０．０５１ＬＦ
にすれば十分な効果が得られる。
このように半導体レーザ素子の両端に０．０１〜０゜０
５ｐＦのセラミックコンデンサを接続することにより、
サージ電圧によるレーザ素子の劣化を防止することがで
きる。
第３図は本発明の第２の実施例の半導体レーザ装置のパ
ッケージ内の回路図である。同図において１は半導体レ
ーザ素子、８はコンデンサで、前述の第１図の実施例の
回路と異なるところは、半導体レーザ素子１に直列に抵
抗１１を挿入した点にある。
このように抵抗１１をレーザ素子ｌに直列に接続するこ
とにより、外部端子に加わったサージ電圧が分圧されて
、レーザ素子に加わることになり、前述のコンデンサ８
によるサージ電流の吸収効果と相俟って、その相乗効果
により、サージ電圧に対する保護効果を一層高めること
ができる。ここに挿入される抵抗１１の抵抗値は大きい
程良いが。
実用的には、１０〜５０Ω程度である。
第４図はチップ抵抗１１をポール９上に実装した第３図
の回路の具体的構成例を示す斜視図である。
このようにレーザ素子に並列にコンデンサを、そして直
列に抵抗を接続することにより、サージ電圧に対°する
保護効果を一層高めることができる。
なお、上述の第１及び第２の実施例で、サージ電流の吸
収素子としてコンデンサを用いているが、これはコンデ
ンサに限定されるものではなく、コンデンサと同等のサ
ージ吸収機能を有するもの、・例えばトランシル等を用
いることができる。又、ｉ２の実施例において、抵抗１
１をレーザ素子ｌのカソード側に接続した例を示しであ
るが、これはアノード側に接続してもよいことは言うま
でもない。
発明の効果 以上のように本発明は、半導体レーザ素子にコンデンサ
を並列に接続することにより、サージ電圧に基くレーザ
素子の劣化を防止することができ、又抵抗をレーザ素子
に直列に接続することにより、コンデンサによる保護効
果を一層向上させることができるものであって、これら
のコンデンサ或はコンデンサと抵抗がレーザ素子と同一
のパッケージ内に収納されているので機器に組込んだ場
合、場所をとらず、又機器の組立ても簡単である、等の
工業的効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体レーザ装置の第１の実施例の回
路図、第２図はパッケージを除いた第１の実施例の具体
的構成を示す斜視図、第３図は本発明の第２の実施例の
回路、第４図はその具体的構成を示す斜視図、第５図は
従来の半導体レーザ装置の一例の構成を示す側断面図で
ある。 １・・・半導体レーザ素子　　２・・・ホトダイオード
３・・・ヒートシンク　　４・・・窓ガラス５・・・リ
ード線　　６・・・キャップ　　７・・・ステム８・・
・コンデンサ　　９・・・ボール　　１０・・・ワイヤ
１１・・・抵抗。 代理人の氏名　弁理士　吉　崎　悦　治第１図 第２図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体レーザ素子に並列にコンデンサを接続し、
    これらの半導体レーザ素子とコンデンサを同一パッケー
    ジ内に収納したことを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. （２）半導体レーザ素子とコンデンサとの間に抵抗を接
    続したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
    導体レーザ装置。
JP59229935A 1984-10-30 1984-10-30 半導体レ−ザ装置 Pending JPS61107785A (ja)

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JP59229935A JPS61107785A (ja) 1984-10-30 1984-10-30 半導体レ−ザ装置

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JP59229935A JPS61107785A (ja) 1984-10-30 1984-10-30 半導体レ−ザ装置

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JPS61107785A true JPS61107785A (ja) 1986-05-26

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ID=16900029

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04102381A (ja) * 1990-08-21 1992-04-03 Sharp Corp 半導体レーザの駆動回路
JPH04112112U (ja) * 1991-03-19 1992-09-29 株式会社北村製作所 貨物自動車の扉開閉装置
JP2005064484A (ja) * 2003-07-28 2005-03-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光モジュール
US7030477B2 (en) 2004-03-02 2006-04-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical semiconductor device

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