JPH03283482A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH03283482A JPH03283482A JP8611090A JP8611090A JPH03283482A JP H03283482 A JPH03283482 A JP H03283482A JP 8611090 A JP8611090 A JP 8611090A JP 8611090 A JP8611090 A JP 8611090A JP H03283482 A JPH03283482 A JP H03283482A
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- Japan
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- chip
- capacitor
- inductor
- surge
- semiconductor laser
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野ｊ
この発明はＣＤ用等の光源に用いられる半導体レーザ装
置の構造に関するものである。
置の構造に関するものである。
第４図、第５図は従来の半導体Ｖ−ザ（以下ＬＤと呼ぶ
）の部分組立平面図および部分拡大側面図を示す。図に
おいて、（１）はＬＤチップ、（２）はＬＤのＰ製電極
側導電用Ａｕワイヤ、（３）はＬＤチップの放繰用ヒー
トシンクとＬＤのＰ型の電画ａ導体を兼ねたサプマウン
） 、（４１はＬＤパッケージノブロック付ステム、（
５）はＰ型溝電型電極用リードを示すっ 次に動作について説明する。
）の部分組立平面図および部分拡大側面図を示す。図に
おいて、（１）はＬＤチップ、（２）はＬＤのＰ製電極
側導電用Ａｕワイヤ、（３）はＬＤチップの放繰用ヒー
トシンクとＬＤのＰ型の電画ａ導体を兼ねたサプマウン
） 、（４１はＬＤパッケージノブロック付ステム、（
５）はＰ型溝電型電極用リードを示すっ 次に動作について説明する。
Ｐ側電極用リード（５）にＮ側［１１１，！！：を気的
に接続しているブロック付ステム（４）に対してｅバイ
アスを印加させ、結果的にＬＤチップ（１）のＰ９１．
Ｎ側に順バイアスを印加させる事により、ＬＤ電流を発
振しきい値以上にし、レーザ光を発生させる事が６来る
。このＬＤチップは電流に対する光の応答が早いため、
静電気等のサージ電圧がステムとリードの間に印加し、
ＬＤチップにサージ電流が流れた場合、過剰な光出力が
発生しやすい。この過剰な光出力がＬＤチップの破壊耐
量以上になると瞬時に劣化してしまう。
に接続しているブロック付ステム（４）に対してｅバイ
アスを印加させ、結果的にＬＤチップ（１）のＰ９１．
Ｎ側に順バイアスを印加させる事により、ＬＤ電流を発
振しきい値以上にし、レーザ光を発生させる事が６来る
。このＬＤチップは電流に対する光の応答が早いため、
静電気等のサージ電圧がステムとリードの間に印加し、
ＬＤチップにサージ電流が流れた場合、過剰な光出力が
発生しやすい。この過剰な光出力がＬＤチップの破壊耐
量以上になると瞬時に劣化してしまう。
従来のＬＤ装置は以上のように構成されていたので、ス
テふとリード端子の間に静電気等の電圧が加わると、サ
ージ電流が容易にＬＤ装置に流れ瞬時に過大光出力が発
生し、ＬＤ装置の破壊を招く等の問題点があった。
テふとリード端子の間に静電気等の電圧が加わると、サ
ージ電流が容易にＬＤ装置に流れ瞬時に過大光出力が発
生し、ＬＤ装置の破壊を招く等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、サージ１＃量を増大する事ができるＬＤ装置
を得る事を目的とする。
たもので、サージ１＃量を増大する事ができるＬＤ装置
を得る事を目的とする。
この発明に係るＬＤ装置は、チップコンデンサーとＬＤ
チップを同一平面上〈並べ、１に気的にＬＤチップと並
列になる様ワイヤで接続しかつ、ＬＤチップの片側電極
を平面状コイルとして、ＬＤ装置に直列にインダクタン
スＩＬＤチップ間〈コンデンサーを内蔵したものである
。
チップを同一平面上〈並べ、１に気的にＬＤチップと並
列になる様ワイヤで接続しかつ、ＬＤチップの片側電極
を平面状コイルとして、ＬＤ装置に直列にインダクタン
スＩＬＤチップ間〈コンデンサーを内蔵したものである
。
〔作用」
この発明におけるＬＤチップの平面状コイルにした片側
電極は、インダクタンスとして働き、チップコンデンサ
ーはＬＤチップと電気的に並列に接続される。
電極は、インダクタンスとして働き、チップコンデンサ
ーはＬＤチップと電気的に並列に接続される。
〔！Ｉ！施例
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）はＬＤチップ、（２）はＬＤｐ ＠
ｔＦＭ用ワイヤ、（６）は平面コイル、（７）はチップ
コンデンサー、（８）は平面コイル（６）、チップコン
デンサー（７）間を導通させるワイヤである。平面コイ
ル（６）の片端子はチップコンデンサー（７）の片端子
及びＬＤＰ側用軍用電極用ワイヤ）と同電位となってい
る。又、ＬＤチップ（１）のｎ側電極はチップコンデン
サー（７）の別端子とサプマウン） （３） Ｋ半田等
で電気的に同電位となっている。
図において、（１）はＬＤチップ、（２）はＬＤｐ ＠
ｔＦＭ用ワイヤ、（６）は平面コイル、（７）はチップ
コンデンサー、（８）は平面コイル（６）、チップコン
デンサー（７）間を導通させるワイヤである。平面コイ
ル（６）の片端子はチップコンデンサー（７）の片端子
及びＬＤＰ側用軍用電極用ワイヤ）と同電位となってい
る。又、ＬＤチップ（１）のｎ側電極はチップコンデン
サー（７）の別端子とサプマウン） （３） Ｋ半田等
で電気的に同電位となっている。
又平面コイルの形状の一実施例を第３図に示す。
次に動作について説明する。電気的な等価回路は第２図
のようＫなる。端子（９） （１０）に瞬間的サージ電
流を加えた場合でも、インダクタンスと容ｔがあるため
、ＬＤチップ（１）に流れる電流は大きく減衰される。
のようＫなる。端子（９） （１０）に瞬間的サージ電
流を加えた場合でも、インダクタンスと容ｔがあるため
、ＬＤチップ（１）に流れる電流は大きく減衰される。
このため耐サージ性が増大する。
また、上記実施例では耐サージ性について説明したが、
例えば、パルス電流を加えて−ＬＤのパルス光を得る場
合、パルス立上がり時のサグ電流を抑圧する事も可能で
ある。
例えば、パルス電流を加えて−ＬＤのパルス光を得る場
合、パルス立上がり時のサグ電流を抑圧する事も可能で
ある。
以上のようにこの発明によれば、ＬＤ装置内にＬＤチッ
プと直列にインダクタンスを、並列にコンデンサーを構
成するようにしたので、耐サージ性を増大できるという
効果がある。
プと直列にインダクタンスを、並列にコンデンサーを構
成するようにしたので、耐サージ性を増大できるという
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるＬＤ装置を示す部分
組立断面図、第２図は第１図の等価回路図、第３図は等
価回路中のインダクタンスを示す平面コイルの斜視図、
第４図及び第５図は従来のＬＤ！置を示す部分組立平面
図および部分拡大側子図である。 （１）はＬＤチップ、に）はＬＤのｐＨ１ＩｔＦＩｉワ
イヤ、（６）は平面コイル、（７）はチップコンデンサ
ー、（８）はワイヤ、（９）はＬＤのＰ＠端子、（１０
）はＬＤのコ側端子を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
組立断面図、第２図は第１図の等価回路図、第３図は等
価回路中のインダクタンスを示す平面コイルの斜視図、
第４図及び第５図は従来のＬＤ！置を示す部分組立平面
図および部分拡大側子図である。 （１）はＬＤチップ、に）はＬＤのｐＨ１ＩｔＦＩｉワ
イヤ、（６）は平面コイル、（７）はチップコンデンサ
ー、（８）はワイヤ、（９）はＬＤのＰ＠端子、（１０
）はＬＤのコ側端子を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- チップコンデンサーとＬＤチツプを同一平面上に並べ、
電気的に上記ＬＤチップと並列になる様にワイヤで接続
し、かつ、上記ＬＤチツプの片側電極を平面状コイルと
して、ＬＤチップに直列なインダクタンスを形成し、こ
のＬＤチツプ間にコンデンサーを内蔵した事を特徴とす
る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8611090A JPH03283482A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8611090A JPH03283482A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283482A true JPH03283482A (ja) | 1991-12-13 |
Family
ID=13877567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8611090A Pending JPH03283482A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03283482A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894880B2 (en) | 2000-08-01 | 2005-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Protection circuit for semiconductor laser device |
| US8380071B2 (en) | 2005-10-12 | 2013-02-19 | Xtera Communications Ltd. | Repeater surge coil and diode chain design |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP8611090A patent/JPH03283482A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894880B2 (en) | 2000-08-01 | 2005-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Protection circuit for semiconductor laser device |
| US8380071B2 (en) | 2005-10-12 | 2013-02-19 | Xtera Communications Ltd. | Repeater surge coil and diode chain design |
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