JPH02292886A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH02292886A JPH02292886A JP1113666A JP11366689A JPH02292886A JP H02292886 A JPH02292886 A JP H02292886A JP 1113666 A JP1113666 A JP 1113666A JP 11366689 A JP11366689 A JP 11366689A JP H02292886 A JPH02292886 A JP H02292886A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は半導体レーザ装置，更に詳しく云えば、半導体
レーザ素子を半導体レーザ搭載用基板に搭載した半導体
レーザユニットとヒートシンク（ステム）と組合せた装
置、特に光通信光源として用いられる高速変調が可能な
半導体レーザ装置に関する。
レーザ素子を半導体レーザ搭載用基板に搭載した半導体
レーザユニットとヒートシンク（ステム）と組合せた装
置、特に光通信光源として用いられる高速変調が可能な
半導体レーザ装置に関する。
【従来の技術１
半導体レーザ％置は横成素子の製造技術の違いにより、
通常は半導体レーザ素子と半導体レーザ搭載用基板とを
別々に製造し、これらをヒー１−シンクを兼ねるステム
に固着して構成する。このような構成において，半導体
レーザ素子の一方の電極をヒートシンクに電気的に接続
し、他方の電極を半導体レーザ搭載用基板に設けられた
電極を介して、半導体レーザ素子を廓動するための師動
電子回路と接続する。なお、この種の半導体レーザ装置
の構成に関連するものとして、例えば、アイ．イー．イ
ー，ジャーナル オブ ライトウェーブテクノロジイ、
エル ティ−５、ナンパ １０（１ ９ ８ ７年）第
１４０３頁から第１４１１頁（ＩＥＥＥ，Ｊｏｕｒｎａ
ｒｕ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｏｎ
ｏｌｏｇｙ，ＬＴ−５，Ｎｏ．１０ （１９８７）ｐｐ
．１４０３〜ｌ４１１）がある。 【発明が解決しようとする０！題１ 上記従来の半導体レーザ装置は半導体レーザ素子とヒー
トシンクとを接続するワイヤボンディングに起因する寄
生インダクタンスについて十分な配慮が無されておらず
、１ ０ Ｇ ｂ ／ ｓ帯以上の超高速ディジタル光
通信、或は、ｌＯＧＨｚ以上の超高帯域アナログ光通信
において、十分な高周波特性が得られない問題が有った
。また、半導体レーザユニット（サブマウント）をサブ
マウン１・に比べ大きな容積のヒートシンクに直接装着
するため、半導体レーザユニットを他のヒートシンク（
ステム）に着け替えを行なう場合、半導体レーザ素子に
接続したボンディングワイヤを切断しなければならない
という問題が有った。 従って、本発明の目的は半導体レーザ素子の実装時に発
生する寄生リアクタンスを低減する半導体レーザ装置及
びその為の半導体レーザユニットを実現することである
。本発明の他の目的は半導体レーザユニットをヒートシ
ンクなどのステムに装着して半導体レーザ装置を構成す
る場合に、レーザ素子とステムとの接続線を切断するこ
となく着け替えを行なうができる半導体レーザ装置を実
現することである。 【課題を解決するための手段１ 本発明は上記目的を達成するために、半導体レーザ搭載
用基板と、上記半導体レーザ搭載用基板に下面電極が固
着された半導体レーザ素子と、上記半導体レーザ搭載用
基板に固着され、かつ上記半導体レーザ素子の側方で、
上記半導体レーザ素子の上面電極と等しい位置に接続面
を有するヒートシンクと、上記半導体レーザの−ヒ面電
極と上記接続面を接続した導体とで半導体レーザユニッ
トを構成し、半導体レーザユニツ１・をステムに実装し
て、半導体レーザ装置を構成した。上記半導体レーザ素
子を翻動する訃ｉ０電子回路を構成する集積回路などの
酩動電子デバイスは上記半導体レーザユニットと一体化
しても良く、また、半導体レーザユニットと共に上記ス
テムに装着して半導体レーザ装置を構成しても良い。駆
動電子回路とヤ導体レーザとの接続においても寄生リア
クタンスを低減するため、同−Ｍ縁基板上に半導体レー
ザと味動用電子デバイスを搭載した構造，．或は絶縁基
板上に駆動用電子デバイスをフリップチップ１妾統した
構造とする。 ［作用】 上述の本発明による半導体レーザユニットでは半導体レ
ーザの上面電極と半導体レーザユニット構成するヒート
シンクの接続面が近接して配置されるため、ボンディン
グワイヤに起因する寄生インダクタンスが大幅に低減さ
れ、他のインピーダンスと共に形成されるピーキング周
波数を約５ Ｑ ＧＨ ｚに設定でき、高周波特性が著
しく改善される。 また，半導体レーザ搭載基板とヒートシンクの一部が−
・体化され半導体レーザユニットを構成するため半導体
レーザ装置を構成するステムへの半導体レーザユニット
の着け替えが半導体レーザ素子へのボンディングワイヤ
を切断することなく行なわれ、ボンディングパッドの損
傷もない。
通常は半導体レーザ素子と半導体レーザ搭載用基板とを
別々に製造し、これらをヒー１−シンクを兼ねるステム
に固着して構成する。このような構成において，半導体
レーザ素子の一方の電極をヒートシンクに電気的に接続
し、他方の電極を半導体レーザ搭載用基板に設けられた
電極を介して、半導体レーザ素子を廓動するための師動
電子回路と接続する。なお、この種の半導体レーザ装置
の構成に関連するものとして、例えば、アイ．イー．イ
ー，ジャーナル オブ ライトウェーブテクノロジイ、
エル ティ−５、ナンパ １０（１ ９ ８ ７年）第
１４０３頁から第１４１１頁（ＩＥＥＥ，Ｊｏｕｒｎａ
ｒｕ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｏｎ
ｏｌｏｇｙ，ＬＴ−５，Ｎｏ．１０ （１９８７）ｐｐ
．１４０３〜ｌ４１１）がある。 【発明が解決しようとする０！題１ 上記従来の半導体レーザ装置は半導体レーザ素子とヒー
トシンクとを接続するワイヤボンディングに起因する寄
生インダクタンスについて十分な配慮が無されておらず
、１ ０ Ｇ ｂ ／ ｓ帯以上の超高速ディジタル光
通信、或は、ｌＯＧＨｚ以上の超高帯域アナログ光通信
において、十分な高周波特性が得られない問題が有った
。また、半導体レーザユニット（サブマウント）をサブ
マウン１・に比べ大きな容積のヒートシンクに直接装着
するため、半導体レーザユニットを他のヒートシンク（
ステム）に着け替えを行なう場合、半導体レーザ素子に
接続したボンディングワイヤを切断しなければならない
という問題が有った。 従って、本発明の目的は半導体レーザ素子の実装時に発
生する寄生リアクタンスを低減する半導体レーザ装置及
びその為の半導体レーザユニットを実現することである
。本発明の他の目的は半導体レーザユニットをヒートシ
ンクなどのステムに装着して半導体レーザ装置を構成す
る場合に、レーザ素子とステムとの接続線を切断するこ
となく着け替えを行なうができる半導体レーザ装置を実
現することである。 【課題を解決するための手段１ 本発明は上記目的を達成するために、半導体レーザ搭載
用基板と、上記半導体レーザ搭載用基板に下面電極が固
着された半導体レーザ素子と、上記半導体レーザ搭載用
基板に固着され、かつ上記半導体レーザ素子の側方で、
上記半導体レーザ素子の上面電極と等しい位置に接続面
を有するヒートシンクと、上記半導体レーザの−ヒ面電
極と上記接続面を接続した導体とで半導体レーザユニッ
トを構成し、半導体レーザユニツ１・をステムに実装し
て、半導体レーザ装置を構成した。上記半導体レーザ素
子を翻動する訃ｉ０電子回路を構成する集積回路などの
酩動電子デバイスは上記半導体レーザユニットと一体化
しても良く、また、半導体レーザユニットと共に上記ス
テムに装着して半導体レーザ装置を構成しても良い。駆
動電子回路とヤ導体レーザとの接続においても寄生リア
クタンスを低減するため、同−Ｍ縁基板上に半導体レー
ザと味動用電子デバイスを搭載した構造，．或は絶縁基
板上に駆動用電子デバイスをフリップチップ１妾統した
構造とする。 ［作用】 上述の本発明による半導体レーザユニットでは半導体レ
ーザの上面電極と半導体レーザユニット構成するヒート
シンクの接続面が近接して配置されるため、ボンディン
グワイヤに起因する寄生インダクタンスが大幅に低減さ
れ、他のインピーダンスと共に形成されるピーキング周
波数を約５ Ｑ ＧＨ ｚに設定でき、高周波特性が著
しく改善される。 また，半導体レーザ搭載基板とヒートシンクの一部が−
・体化され半導体レーザユニットを構成するため半導体
レーザ装置を構成するステムへの半導体レーザユニット
の着け替えが半導体レーザ素子へのボンディングワイヤ
を切断することなく行なわれ、ボンディングパッドの損
傷もない。
以下，本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による半導体レーザ装置の第１の実施例
の斜視図である。活性層（発光部）１′を持つ半導体レ
ーザ素子１は上面に半田面５を持つ半導体レーザ搭載用
基板２の半田面５に下面電極が固着されている。半導体
レーザ搭載用基板２の側面には、接続面３′の高さが半
導体レーザ素子１の上面電極の高さと略一致するように
ヒートシンク３が固着され、半導体レーザユニットが枯
成されている。半田面５の１部には半導体レーザを駆動
する郭動電子曲路（図視せず）を接続するためのボンデ
イングパツド６が設けられている、，また、半導体レー
ザ搭載用基板２の上面とヒートシンク３とが接触する部
分は、短絡防止のために、半田面の一部７を削除して、
絶縁体である基板材料を露出させている。半導体レーザ
素子１の上面電極はボンディングワイヤ４でヒートシン
クの接続面３′に接統されている。一般に、通信用半導
体レーザはｎ型基板を用いて製造されるために上面電極
はｐ型ｆｃｉ極となる。また、邸動電子回路は、殆どの
場合、負電流味動であるため、ｐ型電極を接地し、ｎ型
電極を廃動電子回路に接続することが必要になる。 上述の半導体レーザ素子１，半導体レーザ搭載用基板２
及びヒートシンク３が一体化され半導体レーザユニット
が構成される、１ごの半導体レーザユニットは使用時、
成１±テスト時に，ヒー１〜シンク３より容積の大きい
第二のヒートシンク（ステム）８に搭載され、半導体レ
ーザ装置を構成する。 上記構成の半導体レー・ザユニットでは半導体レーザの
上面電極と接続面３との間隔ｄをＯ．Ｌｍｍ程度にする
ことが容易であり、段差もほとんどない（２０〜３０μ
ｍ以内）ため、ボンディングワイヤ４の長さを０．２〜
Ｑ，３ｍｍとすることが可能となる。また、ボンディン
グワイヤ４の数を２〜３本とすると、ボンデイングワイ
ヤ配線による寄生インダクタンスは０．１〜０，２ｎＨ
となる。尚、ボンデイングワイヤを用いた配線は，比較
的寄生インダクタンスが大きいため、ビームリードなど
の低インダクタンス配線を用いれば，更に効果的である
。 第２図は，第１図の実施例の特徴を明確にするために、
従来の半導体レーザ装置の斜視図を示す。 第１図の半導体レーザ装置と同一部分には同一の番号を
付している。従来の半導体レーザ装置を構成する半導体
レーザユニットはユニツｉ・の栂成部としてのヒートシ
ンク３が無く、半導体レーザ素子の上面電極はヒー１−
シンクを兼ねるステム８に直接ボンディングワイヤ４で
接続されている。半導体レーザ素子１の上面電極とステ
ム８の上面どの高低差は数百μｍあるのでボンディング
ワイヤの長さは１〜２ｍｍが必要となる。 第３図及び第４図はいずれも本発明による半導体レーザ
ユニットの他の実施例の構成を示す正面図である。半導
体レーザユニットを構成する場合，ヒー１・シンク３と
半導体１ノーザ素子】の上面電極及び半導体レーザ搭載
用基板２の半Ｆ口面との絶縁を確実にし、かつインダク
タンスを構成するボンディングワイヤ４の長さを正確に
設定する必要がある。そのため、第３図に示す実施例で
は、半導体１ノーザ搭載用基板２の側面とヒートシンク
接寧売面３′の側壁との間に、ヒートシンク３に段差を
設けて半導体レーザ位置決め部を構成したものである。 第４図に示す実施例では、半導体レーザ４−の側而とヒ
ートシンク接続面３′の側壁との間に、半導体レー・ザ
の位置決め用部品９を挿入したものである。この半導体
レーザの位置決め用部品９には、例えば、通信用光ファ
イバの素線を用いることができる。通信用光ファイバの
素線の直径は１，２５μｍに規格化されており、これを
半導体レーザ１とヒートシンク３との間に置き，半導体
レーザ１で光ファイバを抑えてＩＮ定することにより、
半導体レーザ１の上面電極と接続面３′との間隔を１２
５μｍに決めることができる．位置決め用部品９は半導
体レーザを固定した後は不要であり除去してもよい。 第５図は本発明による半導体レーザユニットの更に他の
実施例の正面図である。本実施例は第３図に示した半導
体レーザユニットに半導体レーザ晩動電子回路チップ１
０を付加したものである。 半導体レーザ搭載用基板２のボンディングパッドと半導
体レーザ鄭動電子回路チップ１０の接続端子はボンディ
ングワイヤ４′により接続されており、ボンディングワ
イヤ４′の長さを短くして寄生インダクタンスを低減す
るために、半導体レーザ搭載用基板２と半導体レーザ呼
動電子回路チップ１０の上面の高さを略等しくなるよう
にしている。半導体レーザ呼動電子回路チップ１０は、
超高速レーザ關動用として、ＧａＡｓＦＥＴ （電界効
果トランジスタ）やＨＢＴ （ペテロ接合バイポーラト
ランジスタ）およびそれらの素子を用いた集積回路で構
成される。 第６図は第５図に示した半導体レーザユニット？等価回
路及びその周波数特性図を示す。等価回路（ａ）におい
て，半導体レーザ１は抵抗ＲＬと容量Ｃしの並列回路と
し，周波数特性（ｂ）は抵抗ＲＬを流れる電流の相対出
力振幅を示す。ここで、Ｒし＝５Ω、ＣＬ＝１．５ＰＦ
としている。 Ｌエはボンディングワイヤ４のインダクタンス、Ｌ２は
ボンディングワイヤ４′のインダクタンス、Ｃ，は半導
体レーザ搭載用基板２の容量である。 また、暉動電子回路チップ１０は出力抵抗Ｒ。、寄生容
量Ｃ，として、Ｒｏ＝１００Ω．Ｃｏ＝Ｏ．ｔｐＦを用
いた。また、上記Ｌ■、Ｌ２およびＣエは本発明の椅成
によって可能となった値として、それぞれ、Ｌ１＝０．
１ｎＦｒ．Ｌ２＝０．２ｎＨ、Ｃ１＝０．２ｐＦとした
。上記各値による周波数特性は（ｂ）図に示すように約
５ ０ Ｇ Ｈ ｚまで広帯域化されている。半導体レ
ーザ１の（Ｒ１，、Ｃ１．）による帯域制限は２１ＧＨ
ｚであり，第６図に示した周波数特性はＬｉ．Ｌ２、お
゛よびＣ１などの寄生リアクタンスによるピーキングの
効果により帯域が拡大されていることを示している。 ？７図に従来の半導体レーザ装置の周波数特性を示す。 等価回路は第６図（ａ）に示したものと同じである。従
来装置におけるリアクタンスの代表値として．Ｌ■＝１
．５ｎＨ．Ｌ２＝２．ＯｎＨ、Ｃよ＝０．４ｐＦとした
。周波数特性において，遮断周波数は約１ ０ Ｇ Ｈ
ｚであり、帯域が寄生リアクタンスにより制限されて
いることが分かる。 第６図及び第７図の周波数特性を比較して分かるように
、本発明による半導体レーザ装置の実施例は帯域が約５
倍に拡大されている。 第８図は本発明による半導体レーザ装置の他の実施例の
正面図である。本実施例は第３図に示した半導体レーザ
ユニットと電子回路基板１［と訃動電子回路チップ１０
とをヒートシンクを兼ねるステム８に実装したものであ
る。１ｍ！＜動電子回路チップ１０はその電極パターン
表面を下側に向けて、半導体レーザ搭載用基板２の−Ｌ
面の電極と電子回路基板１１の上面電極とにフリップチ
ップ接続している。電子回路基板１１とヒートシンク３
の底面はヒー！・シンク８の上面に固定される，，電子
回路基板１１の上面と半導体レーザ搭載用基板２のヒ面
の高さは略等しくしている。本実施例によれば、半導体
レーザ素子１と駆動用電子回路チップ１０および電子回
路基板１１がボンディングワイヤを介することなく接続
されるので、配線に起因する寄生インダクタンスを大幅
に低減でき、高周波特性が改善できる。 ［発明の効果１ 本発明によれば、半導体レーザの上面電極と同じ高さの
面を有するヒートシンクが一体化されて半導体レーザユ
ニットを構成しているために、両者を接続しているボン
ディングワイヤ長を最小限にできるので、寄生インダク
タンスが低減され高周波特性が大幅に改善される。また
、半導体レーザ搭載用基板とヒートシンクが一体化され
ているために、半導体レーザユニットを他のステムに着
け替える場合に、半導体レーザ素子の上面電極へのボン
ディングワイヤを切断する必要がなく、取扱が容易とな
る。 さらに，上記の同一半導体レーザ搭載用基板に半導体レ
ーザと廓動電子回路チップを搭載することにより、両者
を接続するボンディングワイヤの寄生リアクタンスを容
易に低減できるので，高周波特性が改善できる。
の斜視図である。活性層（発光部）１′を持つ半導体レ
ーザ素子１は上面に半田面５を持つ半導体レーザ搭載用
基板２の半田面５に下面電極が固着されている。半導体
レーザ搭載用基板２の側面には、接続面３′の高さが半
導体レーザ素子１の上面電極の高さと略一致するように
ヒートシンク３が固着され、半導体レーザユニットが枯
成されている。半田面５の１部には半導体レーザを駆動
する郭動電子曲路（図視せず）を接続するためのボンデ
イングパツド６が設けられている、，また、半導体レー
ザ搭載用基板２の上面とヒートシンク３とが接触する部
分は、短絡防止のために、半田面の一部７を削除して、
絶縁体である基板材料を露出させている。半導体レーザ
素子１の上面電極はボンディングワイヤ４でヒートシン
クの接続面３′に接統されている。一般に、通信用半導
体レーザはｎ型基板を用いて製造されるために上面電極
はｐ型ｆｃｉ極となる。また、邸動電子回路は、殆どの
場合、負電流味動であるため、ｐ型電極を接地し、ｎ型
電極を廃動電子回路に接続することが必要になる。 上述の半導体レーザ素子１，半導体レーザ搭載用基板２
及びヒートシンク３が一体化され半導体レーザユニット
が構成される、１ごの半導体レーザユニットは使用時、
成１±テスト時に，ヒー１〜シンク３より容積の大きい
第二のヒートシンク（ステム）８に搭載され、半導体レ
ーザ装置を構成する。 上記構成の半導体レー・ザユニットでは半導体レーザの
上面電極と接続面３との間隔ｄをＯ．Ｌｍｍ程度にする
ことが容易であり、段差もほとんどない（２０〜３０μ
ｍ以内）ため、ボンディングワイヤ４の長さを０．２〜
Ｑ，３ｍｍとすることが可能となる。また、ボンディン
グワイヤ４の数を２〜３本とすると、ボンデイングワイ
ヤ配線による寄生インダクタンスは０．１〜０，２ｎＨ
となる。尚、ボンデイングワイヤを用いた配線は，比較
的寄生インダクタンスが大きいため、ビームリードなど
の低インダクタンス配線を用いれば，更に効果的である
。 第２図は，第１図の実施例の特徴を明確にするために、
従来の半導体レーザ装置の斜視図を示す。 第１図の半導体レーザ装置と同一部分には同一の番号を
付している。従来の半導体レーザ装置を構成する半導体
レーザユニットはユニツｉ・の栂成部としてのヒートシ
ンク３が無く、半導体レーザ素子の上面電極はヒー１−
シンクを兼ねるステム８に直接ボンディングワイヤ４で
接続されている。半導体レーザ素子１の上面電極とステ
ム８の上面どの高低差は数百μｍあるのでボンディング
ワイヤの長さは１〜２ｍｍが必要となる。 第３図及び第４図はいずれも本発明による半導体レーザ
ユニットの他の実施例の構成を示す正面図である。半導
体レーザユニットを構成する場合，ヒー１・シンク３と
半導体１ノーザ素子】の上面電極及び半導体レーザ搭載
用基板２の半Ｆ口面との絶縁を確実にし、かつインダク
タンスを構成するボンディングワイヤ４の長さを正確に
設定する必要がある。そのため、第３図に示す実施例で
は、半導体１ノーザ搭載用基板２の側面とヒートシンク
接寧売面３′の側壁との間に、ヒートシンク３に段差を
設けて半導体レーザ位置決め部を構成したものである。 第４図に示す実施例では、半導体レーザ４−の側而とヒ
ートシンク接続面３′の側壁との間に、半導体レー・ザ
の位置決め用部品９を挿入したものである。この半導体
レーザの位置決め用部品９には、例えば、通信用光ファ
イバの素線を用いることができる。通信用光ファイバの
素線の直径は１，２５μｍに規格化されており、これを
半導体レーザ１とヒートシンク３との間に置き，半導体
レーザ１で光ファイバを抑えてＩＮ定することにより、
半導体レーザ１の上面電極と接続面３′との間隔を１２
５μｍに決めることができる．位置決め用部品９は半導
体レーザを固定した後は不要であり除去してもよい。 第５図は本発明による半導体レーザユニットの更に他の
実施例の正面図である。本実施例は第３図に示した半導
体レーザユニットに半導体レーザ晩動電子回路チップ１
０を付加したものである。 半導体レーザ搭載用基板２のボンディングパッドと半導
体レーザ鄭動電子回路チップ１０の接続端子はボンディ
ングワイヤ４′により接続されており、ボンディングワ
イヤ４′の長さを短くして寄生インダクタンスを低減す
るために、半導体レーザ搭載用基板２と半導体レーザ呼
動電子回路チップ１０の上面の高さを略等しくなるよう
にしている。半導体レーザ呼動電子回路チップ１０は、
超高速レーザ關動用として、ＧａＡｓＦＥＴ （電界効
果トランジスタ）やＨＢＴ （ペテロ接合バイポーラト
ランジスタ）およびそれらの素子を用いた集積回路で構
成される。 第６図は第５図に示した半導体レーザユニット？等価回
路及びその周波数特性図を示す。等価回路（ａ）におい
て，半導体レーザ１は抵抗ＲＬと容量Ｃしの並列回路と
し，周波数特性（ｂ）は抵抗ＲＬを流れる電流の相対出
力振幅を示す。ここで、Ｒし＝５Ω、ＣＬ＝１．５ＰＦ
としている。 Ｌエはボンディングワイヤ４のインダクタンス、Ｌ２は
ボンディングワイヤ４′のインダクタンス、Ｃ，は半導
体レーザ搭載用基板２の容量である。 また、暉動電子回路チップ１０は出力抵抗Ｒ。、寄生容
量Ｃ，として、Ｒｏ＝１００Ω．Ｃｏ＝Ｏ．ｔｐＦを用
いた。また、上記Ｌ■、Ｌ２およびＣエは本発明の椅成
によって可能となった値として、それぞれ、Ｌ１＝０．
１ｎＦｒ．Ｌ２＝０．２ｎＨ、Ｃ１＝０．２ｐＦとした
。上記各値による周波数特性は（ｂ）図に示すように約
５ ０ Ｇ Ｈ ｚまで広帯域化されている。半導体レ
ーザ１の（Ｒ１，、Ｃ１．）による帯域制限は２１ＧＨ
ｚであり，第６図に示した周波数特性はＬｉ．Ｌ２、お
゛よびＣ１などの寄生リアクタンスによるピーキングの
効果により帯域が拡大されていることを示している。 ？７図に従来の半導体レーザ装置の周波数特性を示す。 等価回路は第６図（ａ）に示したものと同じである。従
来装置におけるリアクタンスの代表値として．Ｌ■＝１
．５ｎＨ．Ｌ２＝２．ＯｎＨ、Ｃよ＝０．４ｐＦとした
。周波数特性において，遮断周波数は約１ ０ Ｇ Ｈ
ｚであり、帯域が寄生リアクタンスにより制限されて
いることが分かる。 第６図及び第７図の周波数特性を比較して分かるように
、本発明による半導体レーザ装置の実施例は帯域が約５
倍に拡大されている。 第８図は本発明による半導体レーザ装置の他の実施例の
正面図である。本実施例は第３図に示した半導体レーザ
ユニットと電子回路基板１［と訃動電子回路チップ１０
とをヒートシンクを兼ねるステム８に実装したものであ
る。１ｍ！＜動電子回路チップ１０はその電極パターン
表面を下側に向けて、半導体レーザ搭載用基板２の−Ｌ
面の電極と電子回路基板１１の上面電極とにフリップチ
ップ接続している。電子回路基板１１とヒートシンク３
の底面はヒー！・シンク８の上面に固定される，，電子
回路基板１１の上面と半導体レーザ搭載用基板２のヒ面
の高さは略等しくしている。本実施例によれば、半導体
レーザ素子１と駆動用電子回路チップ１０および電子回
路基板１１がボンディングワイヤを介することなく接続
されるので、配線に起因する寄生インダクタンスを大幅
に低減でき、高周波特性が改善できる。 ［発明の効果１ 本発明によれば、半導体レーザの上面電極と同じ高さの
面を有するヒートシンクが一体化されて半導体レーザユ
ニットを構成しているために、両者を接続しているボン
ディングワイヤ長を最小限にできるので、寄生インダク
タンスが低減され高周波特性が大幅に改善される。また
、半導体レーザ搭載用基板とヒートシンクが一体化され
ているために、半導体レーザユニットを他のステムに着
け替える場合に、半導体レーザ素子の上面電極へのボン
ディングワイヤを切断する必要がなく、取扱が容易とな
る。 さらに，上記の同一半導体レーザ搭載用基板に半導体レ
ーザと廓動電子回路チップを搭載することにより、両者
を接続するボンディングワイヤの寄生リアクタンスを容
易に低減できるので，高周波特性が改善できる。
第１図は本発明による半導体レーザ装置の１実施例の斜
視図、第２図は従来の半導体レーザ装置の斜視図、第３
図、第４図及び第５図はいずれも本発明による半導体レ
ーザユニットの実施例の正面図，第６図（ａ）および（
ｂ）はそれぞれ第５図に示した実施例の等価回路及び周
波数特性図、第７図は従来の半導体レーザ装置の周波数
特性図、第８図は本発明による半導体レーザ装置の他の
実施例の正面図である。 １・・・半導体レーザ １′・・・活性ＩｒＩ（発
光部）２、２″・・・半導体レーザ搭載用基板３・・・
ヒートシンク ３′・・・接続面４、４′・・・ボ
ンディングワイヤ ５・・・半田面 ６・・・ボンディングパッ
ド８・・・ヒートシンク ９・・・位置決め用部品
１０・・・駆動電子回路チップ １１・・・電子回路基板
視図、第２図は従来の半導体レーザ装置の斜視図、第３
図、第４図及び第５図はいずれも本発明による半導体レ
ーザユニットの実施例の正面図，第６図（ａ）および（
ｂ）はそれぞれ第５図に示した実施例の等価回路及び周
波数特性図、第７図は従来の半導体レーザ装置の周波数
特性図、第８図は本発明による半導体レーザ装置の他の
実施例の正面図である。 １・・・半導体レーザ １′・・・活性ＩｒＩ（発
光部）２、２″・・・半導体レーザ搭載用基板３・・・
ヒートシンク ３′・・・接続面４、４′・・・ボ
ンディングワイヤ ５・・・半田面 ６・・・ボンディングパッ
ド８・・・ヒートシンク ９・・・位置決め用部品
１０・・・駆動電子回路チップ １１・・・電子回路基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザユニットがヒートシンクを兼ねるステ
ムに装着された半導体レーザ装置において、上記半導体
レーザユニットが半導体レーザ搭載用基板と、上記半導
体レーザ搭載用基板に下面電極が固着された半導体レー
ザ素子と、上記半導体レーザ搭載用基板に固着され、か
つ上記半導体レーザの側方で、上記半導体レーザ素子の
上面電極と等しい位置に接続面を有するヒートシンクと
、上記半導体レーザの上面電極と上記接続面を接続した
導体とを有して構成された半導体レーザ装置。 ２、請求項第１記載において、半導体レーザ搭載用基板
の側面とヒートシンクの接続面の側壁との間に、上記半
導体レーザ素子と上記接続面との間に一定の間隔を保つ
ための位置決め部を設けた半導体レーザ装置。 ３、請求項第１又は第２記載において、上記半導体レー
ザユニットに、更に上記半導体レーザを駆動する駆動電
子回路チップを付加した半導体レーザ装置。 ４、半導体レーザ搭載用基板と、上記半導体レーザ搭載
用基板に下面電極が固着された半導体レーザ素子と、上
記半導体レーザ搭載用基板に固着され、かつ上記半導体
レーザの側方で、上記半導体レーザ素子の上面電極と等
しい位置に接続面を有するヒートシンクと、上記半導体
レーザの上面電極と上記接続面を接続した導体とを有し
て構成された半導体レーザユニット。 ５、請求項第４記載において、半導体レーザ搭載用基板
の側面とヒートシンクの接続面の側壁との間に、上記半
導体レーザ素子と上記接続面との間に一定の間隔を保つ
ための位置決め部を設けた半導体レーザユニット。 ６、請求項第４又は第５記載において、更に上記半導体
レーザを駆動する駆動電子回路チップを付加し、上記電
子回路チップの電極と上記半導体レーザ搭載用基板に設
けられた電極とをフリップチップ接続した半導体レーザ
ユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1113666A JPH02292886A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1113666A JPH02292886A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02292886A true JPH02292886A (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=14618085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1113666A Pending JPH02292886A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02292886A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207259A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-07-22 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 |
| JP2007227724A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352939U (ja) * | 1976-09-29 | 1978-05-06 | ||
| JPS6354102A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | 斎藤 嘉兵衛 | 靴の中敷体 |
| JPH01242001A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Mitsuo Ishikawa | 靴中敷き |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP1113666A patent/JPH02292886A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352939U (ja) * | 1976-09-29 | 1978-05-06 | ||
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2007227724A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
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