JPH0548192A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0548192A JPH0548192A JP18094391A JP18094391A JPH0548192A JP H0548192 A JPH0548192 A JP H0548192A JP 18094391 A JP18094391 A JP 18094391A JP 18094391 A JP18094391 A JP 18094391A JP H0548192 A JPH0548192 A JP H0548192A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- semiconductor laser
- laser device
- high frequency
- submount
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波で駆動するときにＬＤチップの抵抗を
下げるようにする。 【構成】 ＬＤチップ３の裏面電極部３ａにＳｉＯ2な
どの絶縁物５を設け、この絶縁物５を、その裏面電極部
３ａと基台の一部をなす導電体からなるサブマウント２
との接合面の一部に介在させる。これにより、この絶縁
物５が容量成分として作用し、その容量成分が、ＬＤチ
ップ３内のオーミック抵抗と基板との合成抵抗ＲPに対
して並列に挿入される。そのため、高周波印加時にその
ＲPの値を小さくでき、遮断周波数を向上させることが
できる。
下げるようにする。 【構成】 ＬＤチップ３の裏面電極部３ａにＳｉＯ2な
どの絶縁物５を設け、この絶縁物５を、その裏面電極部
３ａと基台の一部をなす導電体からなるサブマウント２
との接合面の一部に介在させる。これにより、この絶縁
物５が容量成分として作用し、その容量成分が、ＬＤチ
ップ３内のオーミック抵抗と基板との合成抵抗ＲPに対
して並列に挿入される。そのため、高周波印加時にその
ＲPの値を小さくでき、遮断周波数を向上させることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ装置に関
し、特にそのレーザダイオードチップの組立構造に関す
るものである。
し、特にそのレーザダイオードチップの組立構造に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ装置の組立て構造を
図４に示す。この従来の半導体レーザ装置は、図４に示
すように、Ａｇブロック１上にサブマウント２を介して
レーザダイオード（以下、ＬＤと省略する）チップ３を
ハンダ付けして取付け、そのＬＤチップ３の表面電極よ
りＡｇ線４を介してステム（図示せず）へ接続するよう
に組立られているのが一般的である。
図４に示す。この従来の半導体レーザ装置は、図４に示
すように、Ａｇブロック１上にサブマウント２を介して
レーザダイオード（以下、ＬＤと省略する）チップ３を
ハンダ付けして取付け、そのＬＤチップ３の表面電極よ
りＡｇ線４を介してステム（図示せず）へ接続するよう
に組立られているのが一般的である。
【０００３】このような半導体レーザ装置においてＡｇ
ブロック１に駆動電源の＋（プラス）、Ａｇ線４にその
−（マイナス）をつなぎ電流を流すと、電流はＡｇブロ
ック１，サブマウント２，ＬＤチップ３，Ａｇ線４を通
り、ＬＤチップ３はレーザ発振を行い前後に光を出射す
る。なお、図５に図４の等価回路を示す。同図中Ｌ1 は
Ａｇ線４つまりワイヤのインダクタンス、ＣP はサブマ
ウント２の容量、Ｃ1 はメサ部の接合容量、Ｒ1 はチャ
ンネル抵抗、ＲP はＬＤチップ３内のオーミック抵抗と
基板との合成抵抗である。
ブロック１に駆動電源の＋（プラス）、Ａｇ線４にその
−（マイナス）をつなぎ電流を流すと、電流はＡｇブロ
ック１，サブマウント２，ＬＤチップ３，Ａｇ線４を通
り、ＬＤチップ３はレーザ発振を行い前後に光を出射す
る。なお、図５に図４の等価回路を示す。同図中Ｌ1 は
Ａｇ線４つまりワイヤのインダクタンス、ＣP はサブマ
ウント２の容量、Ｃ1 はメサ部の接合容量、Ｒ1 はチャ
ンネル抵抗、ＲP はＬＤチップ３内のオーミック抵抗と
基板との合成抵抗である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置は図４のように構成されており、これを等価回路で表
すと図５のようになり、図４のＬＤチップ３内の基板の
抵抗Ｒpが比較的大きくなる。そのため、高周波で使用
する場合にはそのＲpの値を小さくする必要があった。
置は図４のように構成されており、これを等価回路で表
すと図５のようになり、図４のＬＤチップ３内の基板の
抵抗Ｒpが比較的大きくなる。そのため、高周波で使用
する場合にはそのＲpの値を小さくする必要があった。
【０００５】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、高周波印加時にＬＤチップ内の基
板の抵抗Ｒpを小さくして遮断周波数を向上させた半導
体レーザ装置を得ることを目的とする。
めになされたもので、高周波印加時にＬＤチップ内の基
板の抵抗Ｒpを小さくして遮断周波数を向上させた半導
体レーザ装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザ装置は、ＬＤチップの裏面電極部に絶縁物を挟み込む
ことによって容量成分をもたせるようにしたものであ
る。
ザ装置は、ＬＤチップの裏面電極部に絶縁物を挟み込む
ことによって容量成分をもたせるようにしたものであ
る。
【０００７】
【作用】本発明においては、ＬＤチップ内の基板の抵抗
Ｒpと並列に容量成分が挿入されることにより、その容
量成分が高周波印加時にバイパスとして働き、高周波が
通りやすくなる。
Ｒpと並列に容量成分が挿入されることにより、その容
量成分が高周波印加時にバイパスとして働き、高周波が
通りやすくなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１は本発明による半導体レーザ装置の一実施例を
示す外観図であり、図２はそのＬＤチップの裏面電極よ
り見た図である。これらの図において、１はＡｇブロッ
ク、２はこのＡｇブロック１上にハンダ付けされたサブ
マウント、３はサブマウント２上にハンダ付けされたＬ
Ｄチップ、４はＬＤチップ３からステムに接続するため
のＡｇ線、５はＬＤチップ３の裏面電極部３ａに被着さ
れたＳｉＯ2などの絶縁物であり、この絶縁物５は図２
に示すように枠形状に形成されていて、ＬＤチップ裏面
電極部３ａの中央部分がサブマウント２に接合されるも
のとなっている。
る。図１は本発明による半導体レーザ装置の一実施例を
示す外観図であり、図２はそのＬＤチップの裏面電極よ
り見た図である。これらの図において、１はＡｇブロッ
ク、２はこのＡｇブロック１上にハンダ付けされたサブ
マウント、３はサブマウント２上にハンダ付けされたＬ
Ｄチップ、４はＬＤチップ３からステムに接続するため
のＡｇ線、５はＬＤチップ３の裏面電極部３ａに被着さ
れたＳｉＯ2などの絶縁物であり、この絶縁物５は図２
に示すように枠形状に形成されていて、ＬＤチップ裏面
電極部３ａの中央部分がサブマウント２に接合されるも
のとなっている。
【０００９】すなわち、この実施例の半導体レーザ装置
が図４に示した従来例のものと異なる点は、ＬＤチップ
３の裏面電極部３ａの外周部にＳｉＯ2などの絶縁物５
を設け、この裏面電極部３ａと基台の一部をなす導電体
からなるサブマウント２との接合面の一部に前記絶縁物
５を介在させるように構成したことである。
が図４に示した従来例のものと異なる点は、ＬＤチップ
３の裏面電極部３ａの外周部にＳｉＯ2などの絶縁物５
を設け、この裏面電極部３ａと基台の一部をなす導電体
からなるサブマウント２との接合面の一部に前記絶縁物
５を介在させるように構成したことである。
【００１０】このように構成された半導体レーザ装置に
よると、Ａｇブロック１に駆動電源の＋（プラス）、Ａ
ｇ線４にその−（マイナス）をつなぎ電流を流すと、電
流はＡｇブロック１，サブブマウント２、ＬＤチップ
３，Ａｇ線４を通り、ＬＤチップ３は従来例と同様にレ
ーザ発振を行う。そして、これに高周波を印加した場合
にはＡｇブロック１，サブマウント２，絶縁物５，ＬＤ
チップ３，Ａｇ線４と高周波が通る。
よると、Ａｇブロック１に駆動電源の＋（プラス）、Ａ
ｇ線４にその−（マイナス）をつなぎ電流を流すと、電
流はＡｇブロック１，サブブマウント２、ＬＤチップ
３，Ａｇ線４を通り、ＬＤチップ３は従来例と同様にレ
ーザ発振を行う。そして、これに高周波を印加した場合
にはＡｇブロック１，サブマウント２，絶縁物５，ＬＤ
チップ３，Ａｇ線４と高周波が通る。
【００１１】このとき、ＬＤチップ３の裏面電極部３ａ
とサブマウント２との接合面の一部にはＳｉＯ2などの
絶縁物５が介在されているので、その絶縁物５が容量成
分として作用する。このため、その容量成分Ｃ2が、図
３に示すように、ＬＤチップ３内のオーミック抵抗と基
板との合成抵抗ＲPに対して並列に挿入される。その結
果、高周波印加時にそのＲPの値を小さくすることがで
きる。なお、図３において図５と同一記号は同一のもの
を示し、その詳細は省略する。
とサブマウント２との接合面の一部にはＳｉＯ2などの
絶縁物５が介在されているので、その絶縁物５が容量成
分として作用する。このため、その容量成分Ｃ2が、図
３に示すように、ＬＤチップ３内のオーミック抵抗と基
板との合成抵抗ＲPに対して並列に挿入される。その結
果、高周波印加時にそのＲPの値を小さくすることがで
きる。なお、図３において図５と同一記号は同一のもの
を示し、その詳細は省略する。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＬＤチッ
プをその裏面電極を導電体に接合して組立てた構造の半
導体レーザ装置において、ＬＤチップの裏面電極とその
導電体との接合面の一部分に絶縁物を介在させることに
より、ＬＤチップに容量成分が付加されるので、高周波
を印加した時に抵抗成分が低下する。そのため、遮断周
波数を向上させることができる効果がある。
プをその裏面電極を導電体に接合して組立てた構造の半
導体レーザ装置において、ＬＤチップの裏面電極とその
導電体との接合面の一部分に絶縁物を介在させることに
より、ＬＤチップに容量成分が付加されるので、高周波
を印加した時に抵抗成分が低下する。そのため、遮断周
波数を向上させることができる効果がある。
【図１】本発明による半導体レーザ装置の一実施例を示
す外観図である。
す外観図である。
【図２】図１のＬＤチップ裏面電極より見た図である。
【図３】図１の実施例の等価回路を示す図である。
【図４】従来の半導体レーザ装置の一例を示す図であ
る。
る。
【図５】図４の等価回路を示す図である。
１ Ａｇブロック ２ サブマウント ３ ＬＤチップ ３ａ 裏面電極部 ４ Ａｇ線 ５ 絶縁物（ＳｉＯ2）
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザダイオードチップをその裏面電極
を導電体に接合して組立てた構造の半導体レーザ装置に
おいて、前記レーザダイオードチップの裏面電極と前記
導電体との接合面の一部分に絶縁物を介在させたことを
特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18094391A JPH0548192A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18094391A JPH0548192A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548192A true JPH0548192A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16091993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18094391A Pending JPH0548192A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548192A (ja) |
-
1991
- 1991-07-22 JP JP18094391A patent/JPH0548192A/ja active Pending
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