JPH065708A - モノリシック半導体保護構成要素 - Google Patents

モノリシック半導体保護構成要素

Info

Publication number
JPH065708A
JPH065708A JP5012359A JP1235993A JPH065708A JP H065708 A JPH065708 A JP H065708A JP 5012359 A JP5012359 A JP 5012359A JP 1235993 A JP1235993 A JP 1235993A JP H065708 A JPH065708 A JP H065708A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
fuse
region
area
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP5012359A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Pezzani
ロベル・ペッザーニ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SGS Thomson Microelectronics SA filed Critical SGS Thomson Microelectronics SA
Publication of JPH065708A publication Critical patent/JPH065708A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H01L2924/13033—TRIAC - Triode for Alternating Current - A bidirectional switching device containing two thyristor structures with common gate contact

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Fuses (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 通常破壊的な過電圧の発生の後でも動作状態
でとどまるモノリシック半導体保護構成要素を提供す
る。 【構成】 モノリシック保護半導体構成要素は半導体チ
ップの第１の表面上に現われる第１の半導体領域（１
１）と、第２の表面上に現われる第２の半導体領域（１
２）との間に接続される。第１の領域（１１）はいくつ
かの重複しないエリアに分割される。各エリアは金フィ
ラメント等のヒューズ（２６）を介して共通電極（２
７）に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】
【０００２】
【発明の分野】この発明はモノリシック形状で実現され
る半導体保護構成要素に関する。かかる保護構成要素
は、その端子に与えられる電圧が予め定められたしきい
値を超えるときにその電圧をクリップするように意図さ
れる。クリッピング位相の間、構成要素にかかる電圧
は、構成要素がアバランシェダイオード型の場合は予め
定められたしきい値で維持され、または保護構成要素が
ゲートなしトライアック等のブレークオーバー型の４層
構成要素の場合は実際的に０値へ降下する。
【０００３】
【関連技術の議論】図１において、保護構成要素１は、
従来的には、保護されるべき回路５の供給源２と供給入
力端子３および４との間のラインに並列接続される。
【０００４】上に示されたように、かかる構成要素は多
様な方法で実現され得る。図２はＮ型半導体サブストレ
ート１０上に形成されるアバランシェダイオードの構造
を示す。このサブストレートの前部表面領域はＰ型領域
１１を含み、かつ後部表面領域はＮ型のオーバードープ
された領域１２を含む。サブストレートの上部表面は、
領域１１が形成されるエリアを描くように作用する通常
はシリコン酸化物である分離層１３で被覆される。上部
表面は領域１１に接触する金属化層１５（metallizatio
n ）で被覆される。
【０００５】慣用的に、サブストレートの下部表面は半
田プリフォーム１７によって熱シンクとして作用するベ
ース１６上に取付けられ、かつ金属化層１５は接続
「爪」に直接溶接される。
【０００６】図２に示されるような保護構成要素は金属
化層１５とベース１６との間の過電流または過電圧を吸
収するように意図される。この構成要素のサイズは予め
定められたエネルギリミットまで過負荷を吸収するよう
に考案される。しかしながら、構成要素を破壊するおそ
れのある過電流レベルが常に存在する。通常、かかる破
壊は上部金属化層と下部金属化層との間の短絡領域１８
の発生の結果として生じる。それから一旦過電圧が通過
すると、構成要素は短絡されたままであり、図１に示さ
れるような回路の場合は、回路５は電源２が短絡される
のでその端子３と端子４との間でもう電流を与えられな
い。この状況は二重の欠点を構成する。回路５を再び動
作させるために、構成要素１を脱接続することが必要で
あり、もし回路を保護することが所望されれば、構成要
素１は新しい構成要素と取換えられなければならない。
この動作は常に危機的であり、衛星で使用される回路の
ため等のいくつかの応用においては、保護機能の品質に
悪影響を及ぼす２倍の量の構成要素およびスイッチング
回路の提供を必要とする。
【０００７】この問題を解決するために、実務として
は、滅多に発生しない高電圧を吸収することが可能な特
大の保護構成要素を使用することである。
【０００８】
【発明の概要】この発明の目的は、通常は破壊的な過電
圧の発生の後でさえも動作状態のままであるモノリシッ
ク半導体保護構成要素を提供することである。
【０００９】この目的および他の目的を達成するため
に、この発明は半導体チップの第１の表面上に配置され
る第１の半導体領域と第２の表面上に配置される第２の
半導体領域との間に接続されるモノリシック半導体保護
構成要素を提供する。第１の領域はいくつかの重複しな
いに分割される。各エリアはヒューズを介して共通電極
に接続される。
【００１０】この発明の実施例によれば、短絡がヒュー
ズに対応するエリアと第２の領域との間で発生する場
合、各ヒューズは構成要素が接続される回路の通常の給
電条件で開くように寸法決めされる。
【００１１】この発明の実施例によれば、各ヒューズは
金フィラメントで作られる。この発明の実施例によれ
ば、各ヒューズは金属化層で作られる。
【００１２】この発明の実施例によれば、保護構成要素
はアバランシェダイオードである。第１の領域は第２の
導電型のサブストレートの第１の表面に形成される第１
の導電型の領域であり、かつ第２の領域はサブストレー
トの第２の表面に形成される第２の導電型の領域であ
る。
【００１３】この発明の実施例によれば、保護構成要素
は２つの第１の領域を含み、その各々はそれ自身と第２
の領域との間で保護構成要素を形成し、かつ第１の領域
の各々は重複しないに分割される。第１のグループのエ
リアの各エリアはヒューズによって第１の電極に接続さ
れる。第２のグループのエリアの各々のエリアはヒュー
ズによって第２の電極に接続される。
【００１４】言換えれば、この発明は、セルが過電圧に
よって破壊されるとき、このセルに関連したヒューズは
破壊されるが構成要素は残りの良好な他のセルのために
動作を続けるような多細胞保護構成要素を提供する。
【００１５】この発明に従う保護回路は、保護されるべ
きライン上で非常に高い過電圧が発生したことを示すア
ラーム検出器と関連させることができる。そうすれば、
構成要素はなお動作しておりかつその関連した回路がな
お動作している状態で、都合のよいときにメンテナンス
動作の間に構成要素を変えることが可能である。５セル
構成要素の場合、構成要素は、３つの過電圧が３つの個
々のセルを破壊したとしてもなお動作可能であろうとい
うことが仮定される。
【００１６】この発明の前述および他の目的、特徴、局
面および利点は、添付の図面とともに読まれるこの発明
の以下の詳細な説明から明らかとなるであろう。
【００１７】半導体回路の表現において慣用的な半導体
構成要素の断面図を示す様々な図面において、様々な層
のサイズは実寸で描かれず、より特定的にはその厚さは
図面を単純化しかつ図面の判断しやすさを容易にするた
めに恣意的に拡大される。当業者は所望される特性を得
るために様々な厚さを選択することが可能である。
【００１８】
【詳細な説明】図３Ａはこの発明に従って修正された、
図２の構成要素と同一の型の保護構成要素を示す。これ
らの図面において、同一のエレメントは同一の参照番号
で示される。この発明に従って、Ｐ型領域１１はいくつ
かの重複しないＰ型領域２１と取換えられ、その各々は
金属化層２５で被覆される。各々の金属化層２５はヒュ
ーズ２６を介して陽極電極２７に接続される。表わされ
る実施例において、陽極電極２７は接続耳であり、かつ
各ヒューズ２６は直径５０μｍのフィラメント等の金フ
ィラメントで作られる。実務では、これらのフィラメン
トはまたアルミニウムでできてもよく、かつ集積回路チ
ップの金属化層上にコンタクトを得るために通常使用さ
れるフィラメントと類似している。したがって、通常の
動作条件で、図３Ａの構造は図２のダイオードと同一の
行動を有する、多細胞構造（表わされる実施例中では４
ダイオード構造）である。
【００１９】通常の過電圧の場合、セルはアバランシェ
モードで並列に動作する。そのモノリシック構造のため
に接合が同一でありかつ同一の逆特性を有するので、エ
ネルギはセルの間で均等に分配される。したがって通常
の動作は従来の構成要素と同一である。
【００２０】チップの電流の流れの許容量よりも高い値
を有する過電流を結果として生じる、過度の過電圧の場
合、図２に関連して説明された短絡現象が発生する。し
かしながら、図３Ｂに示されるこの発明に従う構造で
は、短絡領域２８は単一のセル上で発生する。この破壊
のモードは、ＰＮ接合を短絡させる上部コンタクトと下
部コンタクトとの間でチップ中にヒューズチャネルが発
生することに対応するということを実験は示している。
電流焦点機構に関連したこのチャネルは、破壊が発生す
るとすぐに直径数百μｍに制限される。したがって、図
３Ｂの短絡領域２８によって示されるように、単一のセ
ルが破壊される。この破壊現象は約数十マイクロ秒で非
常に迅速に発生しがちである。したがって、図１の取付
図を戻って参照して、電圧ソース２からの電流は、過電
圧の終了の後でも保護構成要素を通って流れる。この発
明によれば、接続フィラメント２６はソース電流の影響
下で溶断するように選択される。図３Ｃに示されるよう
に、すべての短絡されたソース電流はヒューズとして作
用するフィラメントの１つを通過し、かつフィラメント
は溶断し、かつ損傷されたセルを脱接続する。それか
ら、構成要素はその最初の特性（その保護機能）を取り
戻すが、４つのダイオードの代わりに３つの並列ダイオ
ードのみを含む。唯一の違いは、構成要素のセルを破壊
するおそれのある過度の過電圧値は、構成要素が図３Ａ
の構成を有するときよりも図３Ｃの構成を有するときに
わずかに低いことである。
【００２１】上の説明において、この発明の一実施例が
一方向保護ダイオードに関連して説明されてきた。この
発明はまた二方向保護ダイオードの実現にも適用され
る。図４はこの発明に従う二方向保護ダイオードの例証
的実施例を示す。図４は再び、セルの半分が第１の電極
３１に接続され、かつ残り半分のセルが第２の電極３２
に接続される多細胞ダイオードを示す。ベース１６はも
はや電極を構成せず単に熱シンクであり、かつ過電圧の
場合電流が電極３１と３２との間で流れることを可能に
する後部面導体である。たとえば、電極３１上の負の過
電圧の場合、図４の左部分のダイオードはアバランシェ
モードに切換わり、かつ電流は電極３１からベース１６
に流れ、それからこの場合順方向バイアスされる接合Ｐ
Ｎを通ってベース１６から電極３２へ流れる。先の例
（図３Ａ−図３Ｃに示される一方向保護ダイオード）に
おいてと同一の方法で、過度の過電圧の場合、電極３１
または３２に接続されるフィラメント２６の１つは破壊
される。
【００２２】金フィラメント２６は、約１０ミリ秒等の
過電圧パルスの持続期間に対して長時間の持続時間の間
短絡電流が一旦流れると破壊されるように寸法決めされ
る。
【００２３】２７ボルトのアバランシェ電圧を有する５
つのダイオードの組を含むモノリシックチップを含む、
この発明の具体例において、ダイオードあたりの表面は
１ｍｍ2 であり、ダイオードはショック波の間の８／２
０波（つまり８ミリ秒の立上がり時間と２０ミリ秒の立
下がり時間とを有する過電圧）と２８０アンペア強度と
の発生によって破壊され得るということが理解される。
それから金フィラメントが約５０μｍの直径を有すると
すれば、供給電圧ソースが約１５ボルトの電圧を有する
場合、損傷されたダイオードは約１０ミリ秒の間の３．
５アンペアの電流によって金フィラメントが溶断するた
めに、短絡される。
【００２４】具体例で上に説明されてきたこの発明に対
して様々な修正がなされ得る。上述において、説明され
たヒューズ２６は金属化層されたエリアを電極または耳
に接続する金フィラメントによって形成される。当業者
は校正されたフィラメントを実現するために金以外の材
料を使用することができる。加えて、ダイオード金属化
層の各々は、チップ上に形成されたヒューズによって半
導体チップ上に生成された金属エリアによって形成され
る電極に接続されることができ、ヒューズは、たとえば
コンタクトを形成する材料と同一の材料または任意の他
の選択された材料の薄い金属生成の形での任意の公知の
技術によって構成される。
【００２５】この発明は、保護構成要素がアバランシェ
モードで動作することを意図されるダイオードである場
合について上に説明されてきた。当業者は他の保護構成
要素がこの発明に従う多細胞構造に役立つことを理解す
るであろう。実際、サイリスタまたはゲートなしトライ
アック等の他の保護構成要素において、保護構成要素の
破壊は保護構成要素の小エリアの短絡に対応する。
【００２６】この発明の一具体例を説明してきたが、当
業者にとっては様々な変更、修正および改良が容易に発
生するであろう。この開示によって明らかとなるかかる
変更、修正および改良はここで特には述べないがこの開
示の一部であると意図され、かつこの発明の精神および
範囲内であると意図される。したがって、これまでの説
明は例のみによるのであり、限定的とは意図されない。
この発明は前掲の特許請求の範囲およびその均等物にお
いて規定されるようにのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】現在の技術および遭遇される問題を示すよう意
図される図である。
【図２】現在の技術および遭遇される問題を示すように
意図される図である。
【図３】Ａ、ＢおよびＣは、破壊過電圧の発生前、発生
中、かつ過電圧の発生直後の３つの連続する状態におけ
るこの発明の実施例を示す図である。
【図４】２方向保護構成要素を構成するこの発明の他の
実施例を示す図である。
【符号の説明】
１０ サブストレート １１ 第１の半導体領域 １２ 第２の半導体領域 ２６ ヒューズ ２７ 共通電極 ３１ 第１の電極 ３２ 第２の電極

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの第１の表面上に現われる
    第１の半導体領域（１１）と、第２の表面上に現われる
    第２の半導体領域（１２）との間に接続される、モノリ
    シック半導体保護構成要素であって、前記第１の領域は
    いくつかの重複しないエリアに分割され、かつ各エリア
    はヒューズ（２６）を介して共通電極（２７）に接続さ
    れる、保護構成要素。
  2. 【請求項２】 各ヒューズは、短絡が前記ヒューズに対
    応するエリアと前記第２の領域との間で発生するとき、
    前記構成要素が接続される回路の通常の給電条件で開く
    ように寸法決めされる、請求項１に記載の構成要素。
  3. 【請求項３】 各ヒューズは金フィラメント（２６）で
    作られる、請求項１に記載の構成要素。
  4. 【請求項４】 各ヒューズは金属化層で作られる、請求
    項１に記載の構成要素。
  5. 【請求項５】 アバランシェダイオードを構成し、第１
    の領域は第２の導電型のサブストレート（１０）の第１
    の表面に形成される第１の導電型の領域であり、かつ第
    ２の領域は前記サブストレートの第２の表面に形成され
    る第２の導電型の領域である、請求項１に記載の構成要
    素。
  6. 【請求項６】 ２つの第１の領域を含み、その各々は前
    記第１の領域と第２の領域との間で保護構成要素を形成
    し、第１の領域の各々は重複しないエリア（２１）に分
    割され、第１のグループのエリアの各々のエリアはヒュ
    ーズ（２６）を介して第１の電極（３１）に接続され、
    かつ第２のグループのエリアの各々のエリアはヒューズ
    を介して第２の電極（３２）に接続される、請求項１に
    記載の構成要素。
JP5012359A 1992-01-29 1993-01-28 モノリシック半導体保護構成要素 Withdrawn JPH065708A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9201245A FR2686737A1 (fr) 1992-01-29 1992-01-29 Composant de protection semiconducteur auto-protege.
FR01245 1992-01-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH065708A true JPH065708A (ja) 1994-01-14

Family

ID=9426323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5012359A Withdrawn JPH065708A (ja) 1992-01-29 1993-01-28 モノリシック半導体保護構成要素

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5627711A (ja)
EP (1) EP0554195B1 (ja)
JP (1) JPH065708A (ja)
DE (1) DE69308910T2 (ja)
FR (1) FR2686737A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4435255A1 (de) * 1994-10-01 1996-04-04 Abb Management Ag Verfahren zur Fehlerbehebung in einer Stromrichterschaltungsanordnung
KR100249162B1 (ko) * 1996-12-31 2000-03-15 김영환 정전기(eds)보호회로
DE19752196C1 (de) * 1997-11-25 1999-02-11 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit definiertem Verhalten bei einem Ausfall und Verfahren zur Herstellung eines solchen
US6252292B1 (en) 1999-06-09 2001-06-26 International Business Machines Corporation Vertical electrical cavity-fuse
US6501634B1 (en) 1999-06-17 2002-12-31 Douglas P. Hubbell High voltage transient voltage surge suppression fuse link system
DE102006011139A1 (de) * 2006-03-10 2007-09-13 Conti Temic Microelectronic Gmbh Verfahren zur Beseitigung von Fehlerzuständen bei elektrischen Antrieben
US20110143966A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 Affymetrix, Inc. Surface Modifications and Methods for their Synthesis and Use

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0627959Y2 (ja) * 1988-10-20 1994-07-27 ローム株式会社 ダイオード
DE3532383A1 (de) * 1985-09-11 1987-03-19 Bosch Gmbh Robert Multizellentransistor
JPH06105764B2 (ja) * 1986-06-20 1994-12-21 株式会社東芝 ヒユ−ズ内蔵型半導体装置
FR2623663B1 (fr) * 1987-11-24 1990-04-13 Sgs Thomson Microelectronics Assemblage monolithique de diodes de protection et systemes de protection
CH679839A5 (ja) * 1988-07-01 1992-04-30 Aspa Zuerich Ag
US4875130A (en) * 1988-07-06 1989-10-17 National Semiconductor Corporation ESD low resistance input structure
JPH02253651A (ja) * 1989-03-28 1990-10-12 Nec Corp 半導体集積回路の入力保護回路

Also Published As

Publication number Publication date
US5627711A (en) 1997-05-06
EP0554195B1 (fr) 1997-03-19
DE69308910D1 (de) 1997-04-24
FR2686737A1 (fr) 1993-07-30
DE69308910T2 (de) 1997-07-10
EP0554195A1 (fr) 1993-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4695916A (en) Protector circuit
US7164568B2 (en) Bi-directional pin or nip low capacitance transient voltage suppressors and steering diodes
Gurevich Electronic devices on discrete components for industrial and power engineering
JPH0145296B2 (ja)
US4322767A (en) Bidirectional solid-state protector circuitry using gated diode switches
US5164874A (en) Apparatus for protecting against overvoltage
US5574618A (en) ESD protection using SCR clamping
US5463344A (en) Fast turn on switch circuit with parallel MOS controlled thyristor and silicon controlled rectifier
EP0186873B1 (en) Protector circuit
EP0215493A1 (en) Protected MOS transistor circuit
US3566211A (en) Thyristor-type semiconductor device with auxiliary starting electrodes
US6215251B1 (en) Spark gap for high voltage integrated circuit electrostatic discharge protection
US3622845A (en) Scr with amplified emitter gate
JPH065708A (ja) モノリシック半導体保護構成要素
SE455552B (sv) Halvledaranordning innefattande en overspenningsskyddskrets
US5365086A (en) Thyristors having a common cathode
JPH01280355A (ja) ターンオフ機構及び過電圧保護手段を備えたサイリスタ
JPH07288456A (ja) 半導体装置の過電圧クランプ回路
CA1163020A (en) High voltage semiconductor device having improvements to the dv/dt capability and plasma spreading
US6061218A (en) Overvoltage protection device and method for increasing shunt current
US3836994A (en) Thyristor overvoltage protective element
GB2208257A (en) Overvoltage protector
JPH0677472A (ja) サージ防護素子
US5483086A (en) Four layer semiconductor surge protector having plural short-circuited junctions
JPH0536979A (ja) サージ防護素子

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20000404