JPH02253651A - 半導体集積回路の入力保護回路 - Google Patents

半導体集積回路の入力保護回路

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JPH02253651A
JPH02253651A JP1075539A JP7553989A JPH02253651A JP H02253651 A JPH02253651 A JP H02253651A JP 1075539 A JP1075539 A JP 1075539A JP 7553989 A JP7553989 A JP 7553989A JP H02253651 A JPH02253651 A JP H02253651A
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JP
Japan
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overvoltage
semiconductor integrated
integrated circuit
fuse
diode
Prior art date
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Pending
Application number
JP1075539A
Other languages
English (en)
Inventor
Takaaki Numajiri
沼尻 敬明
Keiji Koishi
小石 啓二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH02253651A publication Critical patent/JPH02253651A/ja
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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関し、特にその入力保護回路
に関する。
〔従来の技術〕
一般に半導体集積回路では、外部から印加される過電圧
に対して回路を保護するための入力保護回路が設けられ
る。従来、この種の入力保護回路は、入力端子と内部の
半導体素子間に保護抵抗を付加し、あるいは入力端子と
電源間に保護ダイオードを設け、過電圧が印加されたと
きは保護抵抗により電圧を降下し、また保護ダイオード
を導通させ過電正分を吸収するようになっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の入力保護回路では、保護電圧以上の過電
圧が印加されて半導体集積回路が破壊された場合に、印
加された過電圧がどの程度のものなのかを知ることは不
可能である。このため、破壊された半導体集積回路を交
換する際に、今度はどの程度の耐圧を有する半導体集積
回路を実装すれば良いのかを知ることができず、また印
加電圧に対して好適な対策をとることができず、半導体
集積回路の破壊を繰り返して発生させてしまうという問
題がある。
本発明は過電圧の値を知ることができるようにした半導
体集積回路の入力保護回路を提供することを目的とする
〔問題点を解決するための手段] 本発明の入力保護回路は、半導体集積回路の内部素子に
つながる入力端子と接地電位間に、過電圧によって導通
されるダイオードと、この過電圧によって溶断されるヒ
ユーズとを直列に接続している。
〔作用〕
上述した構成では、半導体集積回路が破壊された後にパ
ッケージを開封してヒユーズの断線状態を確認すること
で、過電圧の大きさを推測乃至判定でき、好適な対策を
とることが可能となる。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例の回路図である。
図において、1は入力端子、2は保護すべき内部素子で
ある。この入力端子1と接地電位(以下GNDと称す)
間に保護ダイオード3を接続している。また、入力端子
1と内部素子2間には保護抵抗4を接続している。さら
に、入力端子1とGND間には、直列接続したダイオー
ド5及びヒユーズ6を挿入している。このダイオード5
は入力端子1に過電圧Vが印加された時に導通ずる。ま
た、ヒユーズ6はこの過電圧以上の電圧が印加されたと
きに溶断されるようになっている。
したがって、入力端子lに過電圧■が印加されたときに
は、ダイオード5が導通し、かつヒユープロが溶断され
る。このため、この過電圧によって半導体集積回路が破
壊されたときには、該半導体集積回路のパッケージを開
封しヒユーズ6の断線を確認することにより、印加電圧
がV以上であったことを知ることができる。
第2図は本発明の第2実施例の回路図であり、第1図と
同一部分には同一符号を付しである。
この実施例では、夫々導通する電圧値の異なるダイオー
ド5,7.8及びヒユーズ6.9.10を夫々直列に接
続した3つの回路を入力端子lとGNDとの間に挿入し
ている。
この構成では、過電圧の大きさに応じてダイオード5.
7.8が1つ或いは2つ以上が導通し、これに接続され
ているヒユーズ6.9.10の1つ或いは2つ以上が溶
断される。これにより、半導体集積回路が破壊された後
に、パッケージを開封して何れのヒユーズが断線されて
いるかを確認することで印加電圧値の範囲を限定して知
ることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、入力端子と接地電位間に
、過電圧によって導通されるダイオードとこの過電圧に
よって溶断されるヒユーズとを直列に接続しているので
、半導体集積回路が破壊された後にパッケージを開封し
てヒユーズの断線状態を確認すれば、過電圧の大きさを
推測し、或いは限定された範囲に判定でき、半導体集積
回路が破壊された原因の究明やその対策を好適に行うこ
とができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例の回路図、第2図は本発明
の第2実施例の回路図である。 1・・・入力端子、2・・・内部素子、3・・・保護ダ
イオード、4・・・保護抵抗、5・・・ダイオード、6
・・・ヒユーズ、7.8・・・ダイオード、9.10・
・・ヒユーズ。 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体集積回路の内部素子につながる入力端子と接
    地電位間に、過電圧によって導通されるダイオードと、
    この過電圧によって溶断されるヒューズとを直列に接続
    したことを特徴とする半導体集積回路の入力保護回路。
JP1075539A 1989-03-28 1989-03-28 半導体集積回路の入力保護回路 Pending JPH02253651A (ja)

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