JPH0217669A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に集積回路（以下、ＩＣ
と称する）において静電気等による入力サージを保護す
るための入力保護装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来よｊ５　ＩＣＥ用いられている入力保護装置の基本
的な回路構成を第２図に示して説明する。同図において
、１はＡｔ等で作られた入力ボンディングパッド（以下
、入力パッド）、７は多結晶シリコンで作られた入力保
護抵抗である。また、３はＡ４等で作られた配線、４は
この配線３と入力保護抵抗７を結合させるためのコンタ
クト、５は入力保護回路、６は入力バッファ回路である
。

このように構成された入力保護装置は、入力パッド１が
外部入力ピンと結合されておシ、その人力パッド１より
入った入力サージを、入力保護抵抗７を通して入力保護
回路５で吸収することにより、入力サージが入力バッフ
ァ回路６へ入るのを防ぐものとなっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記した従来の入力保護装置では、入力保護抵
抗７に多結晶シリコンを用いているため、静電気等の入
力サージによシその多結晶シリコンが溶断される等の問
題点があった。

本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、入力サージが入っても、破壊を起さないＩＣの
入力保護装置を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る入力保護装置は、入力パッドと入カパツフ
ァ回路との間に配置される入力保護抵抗に１高融点シリ
サイドを用いたものである。

〔作用〕

本発明においては、入力保護抵抗に多結晶シリコンよ）
融点の高い高融点シリサイドを用いるので、入力サージ
による溶断を起しにくくすることが可能になる。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。

第１図は本発明の一実施例による入力保護装置の基本的
な回路構成図である。この実施例の入力保護装置が従来
例の第２図のものと異なる点は、入力パッド１と入力バ
ッファ回路６との間に配設される入力保護抵抗２を、Ｍ
ｅＳｌ　、ＷＳｌ等の高融点シリサイドと多結晶シリコ
ンとのポリサイドから構成する。そして、入力パッド１
．配線３．コンタクト４及び入力保護抵抗２の各パター
ンの角部を角落しして鈍角とすることＫよシ、その各角
部への電界集中を少なくするものとなっている。

なお、図中同一符号は同一または相当部分を示している
。

上記実施例の入力保護装置によると、入力パッド１に入
った静電気等の入力サージは、入力保護抵抗２を通る時
にそこで電圧降下を生じる。その電圧降下のために、入
力保護抵抗２は高温になるが、高融点のポリサイドを用
いているので、これが溶断されずに、サージの電圧降下
を行なう。これによって、そのサージが入力保護回路５
で吸収され、入力バッファ回路６へ入るのを効果的に防
ぐことができる。

なお、上記実施例では、入力保護抵抗２に高融点シリサ
イドと多結晶シリコンのポリサイドを用いたが、高融点
シリサイドのみを用いてもよい。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、入力保護抵抗に高融点シ
リサイドを用いたので、静電気等による入力サージによ
る溶断を防ぎ、かつ入力サージの電圧降下を行なうこと
ができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の入力保護装置の基本的な回
路構成図、第２図は従来の入力保護装置の回路構成図で
ある。 １・・・・入力パッド、２１１・・−人力保護抵抗（ポ
リサイド）、３拳・・・配線、４・・・−コンタクト、
５・・・・入力保護回路、６・・−・入力バッファ回路
。 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 入力ボンディングパッドと入力バッファ回路との間に入
   力保護抵抗を有する半導体装置において、前記入力保護
   抵抗の少なくとも一部に高融点シリサイドを用いたこと
   を特徴とする半導体装置。