JP2557522B2 - 半導体保護回路装置 - Google Patents

半導体保護回路装置

Info

Publication number
JP2557522B2
JP2557522B2 JP1071095A JP7109589A JP2557522B2 JP 2557522 B2 JP2557522 B2 JP 2557522B2 JP 1071095 A JP1071095 A JP 1071095A JP 7109589 A JP7109589 A JP 7109589A JP 2557522 B2 JP2557522 B2 JP 2557522B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
protection circuit
protection
fuse
internal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1071095A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02250629A (ja
Inventor
啓一郎 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP1071095A priority Critical patent/JP2557522B2/ja
Publication of JPH02250629A publication Critical patent/JPH02250629A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2557522B2 publication Critical patent/JP2557522B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体保護回路装置に関するものである。
従来の技術 以下、従来の半導体保護回路装置について図面を参照
しながら説明する。
第2図は従来の半導体集積回路に使用されている半導
体保護回路装置の回路図を示したものである。第2図に
おいて、保護回路接続パッド1は保護抵抗2を介してプ
ラス・サージ保護用ダイオード3のアノードとマイナス
・サージ保護用ダイオード4のカソードに接続されると
ともに、さらに、保護抵抗5を介して内部回路6に接続
されている。このように、従来の半導体集積回路に使用
されている半導体保護回路装置では、プラス・サージ電
圧に対する保護ダイオード3、マイナス・サージ電圧に
対する保護ダイオード4と保護抵抗2,5とからなる保護
回路7を使用しているが、この保護回路7を内部回路6
から切り離すことができなかった。このため、内部回路
6に対して保護回路7が寄生抵抗、寄生容量として常時
接続された回路になっていた。
発明が解決しようとする課題 このような従来の半導体集積回路の半導体保護回路装
置の構成では、保護回路7が内部回路6と常時接続され
ているため、内部回路6の動作および特性への影響を少
くするためには保護回路6を構成するダイオード3,4や
抵抗2,5の定数に制限があり、保護回路6の機能が不十
分な場合があった。また、高周波回路や入力容量、入力
抵抗が問題となる場合には保護回路を設けることができ
ないという問題や半導体集積回路の包装、運搬、取扱い
などに特別の配慮をする必要があるという問題もあっ
た。
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、回路定
数の制限をなくして十分な保護回路機能を実現でき、ま
た、高周波回路や入力容量、入力抵抗が問題となる場合
であっても保護回路を設けることのできる半導体保護回
路装置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の半導体保護回路装
置は、内部回路を保護する保護回路の一端を保護回路接
続パッドに、前記保護回路の他端をヒューズを介して内
部回路接続パッドにそれぞれ接続するとともに、前記内
部回路接続パッドに前記内部回路を接続したものであ
る。
作用 上記構成により、保護回路と保護される内部回路との
間をヒューズで接続しており、このヒューズは外部から
接続パッド間で電流を流すことにより容易に溶断するこ
とができるため、保護回路と内部回路とを電気的に切断
し内部回路から保護回路を切り離すことができる。この
ように保護回路を、外部からヒューズに電流を流すこと
によって内部回路から切り離すことができるので、保護
回路に回路定数の制限がなくなって十分な保護回路機能
が得られ、また、高周波回路や入力容量、入力抵抗が問
題となる場合であっても、保護回路を設けることができ
るとともに、この保護回路が内部回路動作に与える入出
力インピーダンス、周波数特性などの影響が排除され
る。したがって、両極性、相補型MOSおよびBi−CMOS型
半導体集積回路の全てに、入出力インピーダンス、周波
数特性などの特性に影響を及ぼすことなく、また、実装
後の使用時点まで内部回路機能が十分保護される。
実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。
第1図は本発明の一実施例による半導体保護回路装置
の回路図である。第1図において、保護回路パッド11は
保護抵抗12を介してプラス・サージ保護用ダイオード13
のアノードとマイナス・サージ保護用ダイオード14のカ
ソードとヒューズ15の一端に接続され、ヒューズ15の他
端は内部回路接続パッド16に接続されるとともに、抵抗
17を介して内部回路18に接続される。すなわち、パッド
11と保護抵抗12(たとえばポリシリコン抵抗、拡散抵
抗)、保護ダイオード13,14(たとえばPN接合ダイオー
ド)を各々金属配線(たとえばアルミ)で配線し、さら
に、ヒューズ15(たとえばポリシリコン・ヒューズ)と
接続する。パッド16と保護抵抗17(たとえばポリシリコ
ン抵抗、拡散抵抗)、保護抵抗17と内部回路18とを同じ
く金属配線(たとえばアルミ)で接続する。ヒューズ15
とパッド16を保護抵抗17へつながる金属配線と接続す
る。ヒューズ15が切断されていない場合は抵抗12,17、
およびダイオード13,14からなる保護回路19が内部回路1
8を保護している。次に、パッド16を接地しパッド11に
正の電圧を印加してヒューズ15を溶断させるに必要な電
流を流してヒューズ15を切断すると、保護回路19が内部
回路18から切り離され保護回路19の影響をなくすること
ができる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、保護回路と内部回路と
の間に電流溶断可能なヒューズを設けていることによ
り、実装後の使用時点までサージから半導体回路を保護
できることはもちろんのこと、実装後、このヒューズを
切断し保護回路を内部回路から切り離して、保護回路が
回路動作に与える影響を排除することが出来るので、保
護回路が回路定数によって制限を受けることなく設定で
き、しかも高周波回路や寄生容量が回路の性能を劣化さ
せる入出力回路にも使用でき、信頼性が高く同時に高性
能の半導体集積回路が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す半導体保護回路装置の
回路図、第2図は従来の半導体保護回路装置の回路図で
ある。 11……保護回路接続パッド、12,17……抵抗、13……プ
ラス・サージ保護用ダイオード、14……マイナス・サー
ジ保護用ダイオード、15……ヒューズ、16……内部回路
接続パッド、18……内部回路、19……保護回路。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】内部回路を保護する保護回路の一端を保護
    回路接続パッドに、前記保護回路の他端をヒューズを介
    して内部回路接続パッドにそれぞれ接続するとともに、
    前記内部回路接続パッドに前記内部回路を接続した半導
    体保護回路装置。
JP1071095A 1989-03-22 1989-03-22 半導体保護回路装置 Expired - Fee Related JP2557522B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1071095A JP2557522B2 (ja) 1989-03-22 1989-03-22 半導体保護回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1071095A JP2557522B2 (ja) 1989-03-22 1989-03-22 半導体保護回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02250629A JPH02250629A (ja) 1990-10-08
JP2557522B2 true JP2557522B2 (ja) 1996-11-27

Family

ID=13450636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1071095A Expired - Fee Related JP2557522B2 (ja) 1989-03-22 1989-03-22 半導体保護回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2557522B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4893008B2 (ja) * 2006-02-08 2012-03-07 富士通セミコンダクター株式会社 センサ用サージ検出回路

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6335129A (ja) * 1986-07-29 1988-02-15 富士通株式会社 静電破壊防止用保護回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02250629A (ja) 1990-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6181540B1 (en) Device and method for electrostatic discharge protection of a circuit device
US5781389A (en) Transistor protection circuit
US5838043A (en) ESD protection circuit located under protected bonding pad
US4186418A (en) Overvoltage protected integrated circuit network, to control current flow through resistive or inductive loads
EP1356524B1 (en) Esd protection devices
EP0845848A2 (en) I.C. power supply terminal protection clamp
US6693780B2 (en) ESD protection devices for a differential pair of transistors
JP5024808B2 (ja) 集積回路のための入力段esd保護
KR940004802A (ko) Npn 바이폴라 트랜지스터를 사용한 정전방전(esd) 보호
US5714900A (en) Electrical overstress protection device
US6385116B2 (en) Semiconductor integrated device
US6876529B2 (en) Electrostatic discharge protection circuit
US6529059B1 (en) Output stage ESD protection for an integrated circuit
JP2557522B2 (ja) 半導体保護回路装置
EP0338699B1 (en) Transient protection circuit
US6031704A (en) Electrostatic protection circuit in a semiconductor device
US5903184A (en) Semiconductor device having protection circuit
US4323792A (en) Two terminal circuitry for voltage limitation
US5373201A (en) Power transistor
US20020066907A1 (en) Integrated circuit provided with a protection against electrostatic discharges
JP3022674B2 (ja) 静電保護回路
JP2715593B2 (ja) 半導体集積回路
JPH05327365A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0336206Y2 (ja)
JPS58178558A (ja) 過電圧保護回路

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees