JPS62166557A - 半導体静電破壊保護装置 - Google Patents
半導体静電破壊保護装置Info
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- JPS62166557A JPS62166557A JP1041686A JP1041686A JPS62166557A JP S62166557 A JPS62166557 A JP S62166557A JP 1041686 A JP1041686 A JP 1041686A JP 1041686 A JP1041686 A JP 1041686A JP S62166557 A JPS62166557 A JP S62166557A
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- thin film
- protective device
- electrostatic breakdown
- device against
- against electrostatic
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明は、半導体装置に関し、峙に集積回路の静電破壊
耐圧の同上を計った構造に関する。
耐圧の同上を計った構造に関する。
従来よシ集積回路においては、パッケージ７グから装置
への実装までの検亘１選別、包装等の集積回路の出荷前
工程、および市場（（出荷後の検査や実装工程において
、衣服その他で発生した静電気による扁電圧が集積回路
の外部リードに印加され、さらに内部素子に伝達され、
Ｐ３Ｒ膜破壊や接合破壊等をひきおこしてきた。そのた
め、種々の静電破壊に対する保賎装置Ｉｔ（入カ保胞抵
抗、入カ保砲ダイオード等）が考案され、実施されてい
る。
への実装までの検亘１選別、包装等の集積回路の出荷前
工程、および市場（（出荷後の検査や実装工程において
、衣服その他で発生した静電気による扁電圧が集積回路
の外部リードに印加され、さらに内部素子に伝達され、
Ｐ３Ｒ膜破壊や接合破壊等をひきおこしてきた。そのた
め、種々の静電破壊に対する保賎装置Ｉｔ（入カ保胞抵
抗、入カ保砲ダイオード等）が考案され、実施されてい
る。
これらの保護装置は、集、債回路自体の機能を果すため
に必要な素子ではなく、単に静電気に対する採機に用い
られるだけであるからベレットの縮小化に対して大きな
デメリットとなる。
に必要な素子ではなく、単に静電気に対する採機に用い
られるだけであるからベレットの縮小化に対して大きな
デメリットとなる。
また、静電破壊に対する入カ保趨裟直として。
拡散抵抗、あるいは、ダイオードを用いる場合、面積の
馴加だけでなく％Ｐ−Ｎ接合をブレーク・ダウンさせて
、静電破壊から保護していることがら電流パスを考慮し
なければならない等マスク設計において制約が加わる。
馴加だけでなく％Ｐ−Ｎ接合をブレーク・ダウンさせて
、静電破壊から保護していることがら電流パスを考慮し
なければならない等マスク設計において制約が加わる。
まだ、Ｃ−ＭＵ８集積回路などで用いる場合、Ｐ−Ｎ接
合？有するため、寄生素子により、ラッチアップ等の寄
生効果など、集積回路にとって好ましくない結果を生じ
る可能性がある。
合？有するため、寄生素子により、ラッチアップ等の寄
生効果など、集積回路にとって好ましくない結果を生じ
る可能性がある。
本発明の目的は、比較的小さな面積で、かつ。
寄生効果による影４をほとんど無くした半導体静電破壊
保＠装置全提供することにある。
保＠装置全提供することにある。
本発明の半纏体静電保護装置は、外部リードと。
該外部リードと磁気的に連絡された内部素子と。
外部リードと内部素子との間に設けられた薄膜抵抗素子
と全方することを特徴とする。
と全方することを特徴とする。
以下、図を用いて本発明を評しく説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するために用いた集積
回路の回路図であり、演算増幅器１０入力端子２が容量
素子ＣＩと、Ｎｉ−Ｃｒ、８ｉ−Ｃ，等の材料からなる
薄膜抵抗素子Ｒ，１１通して外部リードに接続する外部
入力端子４に接続されている。
回路の回路図であり、演算増幅器１０入力端子２が容量
素子ＣＩと、Ｎｉ−Ｃｒ、８ｉ−Ｃ，等の材料からなる
薄膜抵抗素子Ｒ，１１通して外部リードに接続する外部
入力端子４に接続されている。
第２図は第１図中の破謙で囲んだ部分の構造断面図であ
る。不純物拡散領域１４及びアルミニウム等の金属配線
１２を両電極とし１早場体基板上に形成された酸化膜等
の絶縁膜１３を利用して容量素子を形成している。容量
素子の一万の電極である金属配線１２は、絶縁膜１゛３
上に形成された５ｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ等の材料からな
る薄膜抵抗１１の一端にｆ：成し、薄膜抵抗の池の一端
は金属配線１２′によシ外部リードに接続する外部入力
端子に接続されている。容量素子の他方の電極は余端配
線１２“によシ内部素子へ接続される。容量素子は薄膜
抵抗１１１通して外部リードに電気的に接続されている
。
る。不純物拡散領域１４及びアルミニウム等の金属配線
１２を両電極とし１早場体基板上に形成された酸化膜等
の絶縁膜１３を利用して容量素子を形成している。容量
素子の一万の電極である金属配線１２は、絶縁膜１゛３
上に形成された５ｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ等の材料からな
る薄膜抵抗１１の一端にｆ：成し、薄膜抵抗の池の一端
は金属配線１２′によシ外部リードに接続する外部入力
端子に接続されている。容量素子の他方の電極は余端配
線１２“によシ内部素子へ接続される。容量素子は薄膜
抵抗１１１通して外部リードに電気的に接続されている
。
ここで、薄膜抵抗１１ｔ−有せず、前記容量素子が直接
外部リードに電気的に接続されている場合に、外部リー
ドに静電気で帯電した物質が接触すると、容：ｌｌｔ素
子に直接に静電パルスが加わる。通常、容量素子に利用
されている絶縁膜は、その膜厚が他のフィールド領域の
それと比較して薄い為、耐圧が低く静電気に対して非常
に弱く破壊する。
外部リードに電気的に接続されている場合に、外部リー
ドに静電気で帯電した物質が接触すると、容：ｌｌｔ素
子に直接に静電パルスが加わる。通常、容量素子に利用
されている絶縁膜は、その膜厚が他のフィールド領域の
それと比較して薄い為、耐圧が低く静電気に対して非常
に弱く破壊する。
しかるに％本発明によれば、外部リードと容量素子との
間に薄膜抵抗を形成し％薄膜抵抗を通して外部リードに
電気的に接続することによシ、静電破壊耐圧の同上を計
っている。
間に薄膜抵抗を形成し％薄膜抵抗を通して外部リードに
電気的に接続することによシ、静電破壊耐圧の同上を計
っている。
さらに薄膜抵抗はその比抵抗ρ、が、拡散抵抗のそれに
比べて非常に大きい為、高抵抗値を必要としても、比較
的に小さな面積で抵抗を形成でき、またＰ−Ｎ接合金屑
しないことから、拡散抵抗の場合の寄生素子による影響
はほとんどない。
比べて非常に大きい為、高抵抗値を必要としても、比較
的に小さな面積で抵抗を形成でき、またＰ−Ｎ接合金屑
しないことから、拡散抵抗の場合の寄生素子による影響
はほとんどない。
以上説明したように本発明は、静電破壊保護装置に薄膜
抵抗を用いることにより、拡散抵抗あるいは、ダイオー
ドを有する従来の静電破壊保＠装瀘に比べて、σ項の瑠
祁が少く、かつ、Ｐ−Ｎ接合金屑しないため保護＝ｉｔ
ｔの形成によって生じる寄生素子の影響がほとんどない
静電破壊検層装置を形成することができる。
抵抗を用いることにより、拡散抵抗あるいは、ダイオー
ドを有する従来の静電破壊保＠装瀘に比べて、σ項の瑠
祁が少く、かつ、Ｐ−Ｎ接合金屑しないため保護＝ｉｔ
ｔの形成によって生じる寄生素子の影響がほとんどない
静電破壊検層装置を形成することができる。
第１図は本発明の一実施例を説明する為の集積回路の回
路図、第２図は第１図中の破線で四んだ部分の構造断面
図。 １・・・・・・演算増幅器、２・・・・・・入力端子、
３，４・・・・・・外部入力端子、５・・・・・・外部
出力端子、１１・・・・・・薄膜抵抗、１２・・・・・
・金属、配線、１３・・・・・・絶縁膜、１４・・・・
・・不純物拡ｉ層％１５・・・・・・エピタキシャル層
、１６・・・・・・埋込み層、１７・・・・・・基板及
び絶縁分離拡散層。 へ 代む 弁１士 内 原 晋４ ご） 、−６！／
路図、第２図は第１図中の破線で四んだ部分の構造断面
図。 １・・・・・・演算増幅器、２・・・・・・入力端子、
３，４・・・・・・外部入力端子、５・・・・・・外部
出力端子、１１・・・・・・薄膜抵抗、１２・・・・・
・金属、配線、１３・・・・・・絶縁膜、１４・・・・
・・不純物拡ｉ層％１５・・・・・・エピタキシャル層
、１６・・・・・・埋込み層、１７・・・・・・基板及
び絶縁分離拡散層。 へ 代む 弁１士 内 原 晋４ ご） 、−６！／
Claims (1)
- 外部リードと、該外部リードと電気的に連絡された内部
素子と、該外部リードと該内部素子との間に設けられた
薄膜抵抗素子とを有することを特徴とする半導体静電破
壊保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041686A JPS62166557A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 半導体静電破壊保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041686A JPS62166557A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 半導体静電破壊保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62166557A true JPS62166557A (ja) | 1987-07-23 |
Family
ID=11749541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1041686A Pending JPS62166557A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 半導体静電破壊保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62166557A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04129227A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2010205833A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58141567A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-22 | Nec Corp | 半導体集積回路の入力保護装置 |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP1041686A patent/JPS62166557A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58141567A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-22 | Nec Corp | 半導体集積回路の入力保護装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04129227A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2778235B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1998-07-23 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP2010205833A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
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