JP4710553B2 - 半導体装置の過電圧印加監視回路 - Google Patents
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Description
半導体装置に対する、定格電圧以上の過電圧の印加を検出する過電圧検出回路と、
過電圧検出回路が過電圧の印加を検出したときに電流が通電されるとともに、電流が通電されると、その痕跡が残る溶断素子とを備え、過電圧検出回路は、過電圧の印加検出時に、出力端子からの出力レベルが低下するコンパレータを有し、溶断素子は、過電圧が印加される配線と、コンパレータの出力端子との間に接続されることを特徴とする。
また、ツェナダイオードを用いた過電圧検出回路では、ツェナダイオードのツェナ電圧が温度や製造工程に起因する原因などによりばらつくことがあるため、過電圧となった電圧を検出する精度が低下する恐れがある。この点、温度や電圧変動に影響されにくいバンドギャップ基準電圧を基準電位として用いたコンパレータによる過電圧検出回路では、過電圧の印加を検出する精度がツェナダイオードを用いた場合より高いので、より正確に過電圧の印加を検出できる。
以下、本発明の第1実施形態による半導体装置の過電圧印加監視回路について図面に基づいて説明する。本実施形態では、ツェナダイオードを用いて過電圧を検出する。そして、印加された過電圧が、ツェナダイオードのツェナ電圧を超えてツェナ電流が流れるのと連動して、溶断素子に電流が流れるようになっている。以下、詳細に説明する。
次に、本発明の第2実施形態による半導体装置の過電圧印加監視回路について説明する。上述した第1実施形態では、過電圧検出回路12に直列に溶断素子14を接続していた。しかし、図4に示すように、過電圧検出回路12が過電圧の印加を検出した際にオンするトランジスタなどの半導体スイッチング素子16に直列に溶断素子14を接続し、その一端を入力電圧線11に接続し、他端を接地するようにしても良い。
次に、本発明の第3実施形態による半導体装置の過電圧印加監視回路について説明する。上記第1実施形態では、過電圧検出回路12が、複数の直列接続されたツェナダイオード13から構成されていた。しかし、ツェナダイオード13のツェナ電圧は温度や製造工程に起因してばらつくことがあるため、過電圧となった電圧を検出する精度が低下する恐れがある。そこで、本実施形態では、過電圧の検出精度が、ツェナダイオード13を用いた過電圧検出回路12に比較して高いコンパレータを用いて過電圧を検出する回路を構成した。以下、図面に基づいて詳細に説明する。
次に、本発明の第4実施形態による半導体装置の過電圧印加監視回路について説明する。上述した第1〜第3実施形態では、半導体装置100に過電圧が印加されたときに、溶断素子14に電流を流すことによって、半導体装置100に対して過電圧が印加された履歴を残すものであった。このため、過電圧検出回路において設定した所定電圧以上の過電圧が印加されたことは確認できるが、実際のどの程度の大きさの過電圧が印加されたかを確認することはできない。
11 入力電圧線
12 過電圧検出回路
13 ツェナダイオード
14 溶断素子
15、20 抵抗
16〜18 半導体スイッチング素子
21、22 コンパレータ
23 クロック発生器
24 A/D変換器
25 EEPROM
Claims (1)
- 半導体装置に対する、定格電圧以上の過電圧の印加を検出する過電圧検出回路と、
前記過電圧検出回路が過電圧の印加を検出したときに電流が通電されるとともに、電流が通電されると、その痕跡が残る溶断素子とを備え、
前記過電圧検出回路は、前記過電圧の印加検出時に、出力端子からの出力レベルが低下するコンパレータを有し、
前記溶断素子は、前記過電圧が印加される配線と、前記コンパレータの出力端子との間に接続されることを特徴とする導体装置の過電圧印加監視回路。
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