JPS5817688A - 保護回路付発光素子 - Google Patents
保護回路付発光素子Info
- Publication number
- JPS5817688A JPS5817688A JP56115064A JP11506481A JPS5817688A JP S5817688 A JPS5817688 A JP S5817688A JP 56115064 A JP56115064 A JP 56115064A JP 11506481 A JP11506481 A JP 11506481A JP S5817688 A JPS5817688 A JP S5817688A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- diodes
- protective circuit
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title abstract 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は保護回路付発光素子に関する。
発光素子として、赤外発光ダイオード、レーずダイオー
ドがあるが、これら発光素子はその使用時、外部に保５
ｇ１ｉ路を付加しなければ、過電圧および突入電流によ
って容易に破壊されてしまう。
ドがあるが、これら発光素子はその使用時、外部に保５
ｇ１ｉ路を付加しなければ、過電圧および突入電流によ
って容易に破壊されてしまう。
発光素子の使用時４１ｋ保護回路を付加させることは、
スペースが大きくなってしまうだけでなく、その組立に
も手数が掛り、コストの高い電子装置となってしま５゜ したがって、本発明の目的は保護回路付発光素子単品を
提供するととｋよって、使用時の組立に際する面倒な保
１ＩＷＡ路の製造を廃止することにある。
スペースが大きくなってしまうだけでなく、その組立に
も手数が掛り、コストの高い電子装置となってしま５゜ したがって、本発明の目的は保護回路付発光素子単品を
提供するととｋよって、使用時の組立に際する面倒な保
１ＩＷＡ路の製造を廃止することにある。
とのような目的を達成するために本発明は、発光素子と
直列に抵抗を連結するとともＫ、ダイオードを並列に連
結する構造のモノリシックの保護回路付発光素子であっ
【、以下実施例により本発明を説明する。
直列に抵抗を連結するとともＫ、ダイオードを並列に連
結する構造のモノリシックの保護回路付発光素子であっ
【、以下実施例により本発明を説明する。
図画は本発明の一実施例による保護回路付発光素子（１
・の等価回路を示す。この回路で示すようｋ、保護回路
付発光素子１は赤外発光素子（含近赤外発光素子）や半
導体レーず（レーザダイオード）等からなる発光素子２
のカソード側に直列に抵抗３を連結するとともに、抵抗
３の端子側と発光素子２のアノード間に２つのダイオー
ド４．５を順方向状態で連結し、２つのダイオード４．
５を発光素子２に並列接続している。これら各素子、す
なわち、発光素子２．ダイオード４．５．抵抗３は化合
物半導体（Ｇａ Ｐ ＊ Ｇａ ＡＪ Ａｓ＋等）上に
形成するとともｋ、化合物半導体上に形成した配線層で
結線され篭ノリシック構造となる。この構造は従来製造
し【いる発光素子の一部の化合物半導体領域を利用して
形成すればよいととかう省略する。
・の等価回路を示す。この回路で示すようｋ、保護回路
付発光素子１は赤外発光素子（含近赤外発光素子）や半
導体レーず（レーザダイオード）等からなる発光素子２
のカソード側に直列に抵抗３を連結するとともに、抵抗
３の端子側と発光素子２のアノード間に２つのダイオー
ド４．５を順方向状態で連結し、２つのダイオード４．
５を発光素子２に並列接続している。これら各素子、す
なわち、発光素子２．ダイオード４．５．抵抗３は化合
物半導体（Ｇａ Ｐ ＊ Ｇａ ＡＪ Ａｓ＋等）上に
形成するとともｋ、化合物半導体上に形成した配線層で
結線され篭ノリシック構造となる。この構造は従来製造
し【いる発光素子の一部の化合物半導体領域を利用して
形成すればよいととかう省略する。
すなわち、第１の導電蓋領域に部分的に第２の導電蓋領
域を形成してＰＮ接合を形成して２つのダイオードを作
るとともに、第１の導電蓋領域に部分的に形成した第２
の導電蓋領域の不純物湊度を変化させ、あるいはその大
きさを選択して所望の抵抗値を得るよ５にすればよい。
域を形成してＰＮ接合を形成して２つのダイオードを作
るとともに、第１の導電蓋領域に部分的に形成した第２
の導電蓋領域の不純物湊度を変化させ、あるいはその大
きさを選択して所望の抵抗値を得るよ５にすればよい。
なお、発光素子２の最大電流はたとえば２０ｍＡ、最大
電圧は０７Ｖとし、過電流、過電圧が加わっても発光素
子の電流および電圧がこれらの数値を越えないようにダ
イオードの特性および数、抵抗の抵抗値を選択すればよ
い。
電圧は０７Ｖとし、過電流、過電圧が加わっても発光素
子の電流および電圧がこれらの数値を越えないようにダ
イオードの特性および数、抵抗の抵抗値を選択すればよ
い。
このような本実ｖ４によれば、突入電流を含む過電流が
流れると、この電流はダイオード４．５内を流れるため
、発光素子２は破壊しない。また、過電圧が加わった巻
金には、抵抗３に大きな電圧が加わるため、発光素子２
には大きな電圧が加わらず、発光素子２の破壊は防止で
きる。
流れると、この電流はダイオード４．５内を流れるため
、発光素子２は破壊しない。また、過電圧が加わった巻
金には、抵抗３に大きな電圧が加わるため、発光素子２
には大きな電圧が加わらず、発光素子２の破壊は防止で
きる。
また、本発明によれば、保−回路が内蔵されているため
、実俟時に新たに保−回路を組み込まなくともよくなる
ことから、電子装置の奥義スペースが小さくなるととも
に、実装も容易となり、電子装置の製造コストの軽減化
も図れる。
、実俟時に新たに保−回路を組み込まなくともよくなる
ことから、電子装置の奥義スペースが小さくなるととも
に、実装も容易となり、電子装置の製造コストの軽減化
も図れる。
図面は本発明の一実施例による保Ｓ回路付発光素子の等
価回路である。 １・・・保Ｓ回路付発光素子、２・・・発光素子、３・
・・抵抗、４．５・・・ダイオード。
価回路である。 １・・・保Ｓ回路付発光素子、２・・・発光素子、３・
・・抵抗、４．５・・・ダイオード。
Claims (1)
- １、発光素子と直列に抵抗を連結するとともｋ、ダイオ
ードを並列に連結した構造からなるモノリシックの保護
回路付発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115064A JPS5817688A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 保護回路付発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115064A JPS5817688A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 保護回路付発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817688A true JPS5817688A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14653276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115064A Pending JPS5817688A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 保護回路付発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817688A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152679A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Nippon Autom:Kk | 発光ダイオ−ドの駆動回路 |
| JPS61177742U (ja) * | 1985-04-23 | 1986-11-06 | ||
| JPH05184728A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-07-27 | Yamaha Corp | 演奏情報同期型運動体制御装置 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56115064A patent/JPS5817688A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152679A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Nippon Autom:Kk | 発光ダイオ−ドの駆動回路 |
| JPS61177742U (ja) * | 1985-04-23 | 1986-11-06 | ||
| JPH05184728A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-07-27 | Yamaha Corp | 演奏情報同期型運動体制御装置 |
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